JP3416186B2 - 多成分系単結晶の製造方法 - Google Patents
多成分系単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JP3416186B2 JP3416186B2 JP06603193A JP6603193A JP3416186B2 JP 3416186 B2 JP3416186 B2 JP 3416186B2 JP 06603193 A JP06603193 A JP 06603193A JP 6603193 A JP6603193 A JP 6603193A JP 3416186 B2 JP3416186 B2 JP 3416186B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- raw material
- single crystal
- solid
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
造方法に関し、更に詳しくは、上下に加熱領域変動可能
なヒーターが装備された縦型ボートを用いた多成分系単
結晶の製造方法に関する。
しては、原料融液中に種結晶(シード)を入れ、この種
結晶についた単結晶を回転させながら引き上げるチョコ
ラルスキー法や、筒状の縦型ボートの中に原料を入れて
融液化した後、その融液の温度をボート下部から下げて
行き、ボート内に結晶を成長させる縦型ボート法などが
広く知られている。
の製造方法によると、初めに多成分系結晶原料の融液を
つくり、その後は原料の追加をしないで結晶成長が行わ
れるため、以下のような問題点があった。
(結晶中の濃度/融液中の濃度)が1でない場合には、
結晶成長が進むにしたがって結晶中の成分比率が変わっ
てくるため、均質な結晶ができず、また、多成分系結晶
の凝固温度が高い場合においては、その温度から結晶成
長を行わなければならず、製造装置の材質の選定や、揮
発しやすい成分の対策等に細心の注意を図る必要があっ
たため、コスト高や生産性の悪化などが避けられないと
いう問題点があったのである。
従来の技術の問題点を解決し、均一かつ高品質な多成分
系単結晶を、安価かつ簡易な手段で製造することができ
る多成分系単結晶の製造方法を提供することを目的とす
る。
を達成するために鋭意研究した結果、ボート法におい
て、ボート上方部および下方部にそれぞれ結晶原料およ
びこの原料を構成する少なくとも1種の成分の融液を配
置し、これらを所定の温度で加熱することによって結晶
の析出・成長を行うことにより、上記課題が解決される
ことを見い出し、本発明に到達した。
て上下に移動可能な上部ヒーターおよび下部ヒーターを
装備した縦型ボートを用いてシード上に結晶を析出・成
長させる結晶の製造方法であって、先端部にシードを配
置した縦型ボートにおける上方部に多成分系単結晶原
料、およびその下方部に該原料を構成する成分のうちの
一種の成分の融液を配置し、上記原料層における融液層
との固液界面近傍部分を該固液界面位置と対応する前記
上部ヒーターにより原料が融液に融解する温度に保持す
ることにより、この部分の原料を融液化して下方の融液
層に溶かし込むと共に、上記融液層におけるシードまた
はシード上に析出した単結晶との固液界面近傍部分を該
固液界面位置と対応する前記下部ヒーターにより融液か
ら原料と同一組成の結晶が析出する温度に保持するとと
もに、前記両固液界面位置の上昇スピードに合わせて前
記両ヒーターを上昇させることにより、シード上に単結
晶を析出・成長させていくことを特徴とする多成分系単
結晶の製造方法を、第2に、前記多成分系単結晶原料の
前記融液に融解する温度が該原料の凝固点よりも低い、
第1記載の多成分系単結晶の製造方法を、第3に、前記
多成分系単結晶がAlGaAs単結晶であり、前記融液
がGa融液であり、前記上部ヒーターにより保持される
前記固液界面近傍部分の温度が840℃以上であり、前
記下部ヒーターにより保持される前記固液界面近傍部分
の温度が730〜770℃である、第1または2に記載
の多成分系単結晶の製造方法を提供するものである。
置される多成分系単結晶原料として、例えば、予め合成
したAlGaAs多結晶体などのような多成分系の結晶
体を用いることができ、また、この原料層の下方部に配
置される融液としては、上記結晶原料を構成する成分
で、かつ凝固点が多結晶体よりも低い成分の融液が好ま
しく、例えば原料としてAlGaAs多結晶体を用いた
場合には、Ga融液を用いると好ましい。
As結晶を得る場合には、上記原料層における融液層と
の固液界面近傍部分を 840℃以上の温度で加熱すること
により、この部分の原料を融液化して原料層下方に配置
された融液層に溶かし込むと共に、上記融液層における
シードとの固液界面近傍部分(シード上に結晶が析出し
た後においては、析出した結晶との固液界面近傍部分)
を 730〜 770℃の温度で加熱することにより、シード上
に結晶を析出せしめている(シード上に結晶が析出した
後においては、この結晶を成長せしめている)が、この
場合、縦型ボートにおける上記固液界面位置と対応する
周囲部にヒーターを配置し、温度をコントロールしなが
ら加熱することにより、上記固液界面近傍部分を所定の
温度に保持すれば良い。
近傍部分の加熱保持温度は、原料が融液化して融液層に
溶け込み得る温度( 840℃以上)であればよく、一方、
融液層におけるシードとの固液界面近傍部分の加熱保持
温度は、融液から結晶が析出し得る温度、すなわち 730
〜 770℃に設定すればよく、より好ましくは 750℃前後
に設定するとよい。
進行するにつれて原料層と融液層との固液界面、および
融液層とシードまたはシード上に析出した結晶との固液
界面の位置は上昇していくが、その場合、上記上昇速度
と同等の速度で加熱位置を上昇させていけばよい(例え
ば、ヒーターを固定してボートを下降させたり、ボート
を固定してヒーターを上昇させる)。
力は原料成分が揮発しない程度であればよく、例えば、
原料としてAlGaAsの多結晶体用い、融液としてG
a融液を用いた場合には、1kg/cm2 、すなわち大気圧
下で十分である。また、本発明法においては、原料とし
て上記AlGaAsの他、ZnSeなども用いることが
できる。
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
して、図1に示す結晶製造装置を用いたAlGaAs単
結晶の製造方法について説明する。
のボート1(2φ×30cmH)と、ボート周囲におい
て上下に移動可能なヒーター6とからなる結晶製造装置
におけるボート1の先端部にシード2を配置した後、こ
のボート1の内部に、純度6N(99.9999%)の
Ga融液4を45kg装填し、さらにその上部に、予め
高圧溶融法によって合成したAlGaAs多結晶体5を
80kg装填した。
シード2との固液界面近傍部分、およびGa融液4から
なる融液層とAlGaAs多結晶体5からなる原料層と
の固液界面近傍部分の温度が、それぞれ 750℃および 8
50℃に保持されるように、ヒーター6で加熱した。な
お、本実施例において原料として用いられるAlGaA
s多結晶体の凝固点は1200℃程度であるが、該多結晶体
は 840℃以上でGa融液に溶け込ませることができる。
部分を 750℃および 850℃に加熱保持することにより、
原料層における融液層との固液界面近傍部分のAlGa
As多結晶体5が融液化して融液層(Ga融液4)の中
に溶け込み、またシード2における融液層(Ga融液
4)との接触面においては、AlGaAs単結晶3が析
出し、成長した。なお、上記原料層を構成するAlGa
As多結晶体5のGa融液4中への溶け込み、およびシ
ード2上へのAlGaAs単結晶3の析出にともない、
原料層と融液層との固液界面、および融液層と析出単結
晶層との固液界面は上昇していくため、本実施例におい
ては、これらの上昇スピードに合わせてヒーター6を上
昇させることにより、これら固液界面近傍部分の温度を
適確な値にに加熱保持した。
させた結果、直径2mmの均一かつ高品質なAlGaA
sの単結晶体を得た。
多成分系の単結晶を、安価かつ簡易な手段で製造するこ
とができるようになった。
例を示す模式断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 周囲において上下に移動可能な上部ヒー
ターおよび下部ヒーターを装備した縦型ボートを用いて
シード上に結晶を析出・成長させる結晶の製造方法であ
って、先端部にシードを配置した縦型ボートにおける上
方部に多成分系単結晶原料、およびその下方部に該原料
を構成する成分のうちの一種の成分の融液を配置し、上
記原料層における融液層との固液界面近傍部分を該固液
界面位置と対応する前記上部ヒーターにより原料が融液
に融解する温度に保持することにより、この部分の原料
を融液化して下方の融液層に溶かし込むと共に、上記融
液層におけるシードまたはシード上に析出した単結晶と
の固液界面近傍部分を該固液界面位置と対応する前記下
部ヒーターにより融液から原料と同一組成の結晶が析出
する温度に保持するとともに、前記両固液界面位置の上
昇スピードに合わせて前記両ヒーターを上昇させること
により、シード上に単結晶を析出・成長させていくこと
を特徴とする多成分系単結晶の製造方法。 - 【請求項2】 前記多成分系単結晶原料の前記融液に融
解する温度が該原料の凝固点よりも低い、請求項1記載
の多成分系単結晶の製造方法。 - 【請求項3】 前記多成分系単結晶がAlGaAs単結
晶であり、前記融液がGa融液であり、前記上部ヒータ
ーにより保持される前記固液界面近傍部分の温度が84
0℃以上であり、前記下部ヒーターにより保持される前
記固液界面近傍部分の温度が730〜770℃である、
請求項1または2に記載の多成分系単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06603193A JP3416186B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 多成分系単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06603193A JP3416186B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 多成分系単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06256083A JPH06256083A (ja) | 1994-09-13 |
JP3416186B2 true JP3416186B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=13304133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06603193A Expired - Fee Related JP3416186B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 多成分系単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3416186B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-02 JP JP06603193A patent/JP3416186B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06256083A (ja) | 1994-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3416186B2 (ja) | 多成分系単結晶の製造方法 | |
JP2542434B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法および製造装置 | |
CN1190529C (zh) | 氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法 | |
JP3945073B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
JP2573655B2 (ja) | ノンドープ化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JPH04321590A (ja) | 単結晶育成方法 | |
JP2677859B2 (ja) | 混晶型化合物半導体の結晶成長方法 | |
JPS5815472B2 (ja) | 結晶育成装置 | |
JP3684446B2 (ja) | 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法および装置 | |
JPH05319973A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JP2773441B2 (ja) | GaAs単結晶の製造方法 | |
JPH0725533B2 (ja) | シリコン多結晶インゴツトの製造方法 | |
JPH0124760B2 (ja) | ||
JP2004010467A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
JPS62143898A (ja) | 3−5族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JP2000095593A (ja) | ボート法化合物半導体単結晶製造方法及びその装置 | |
JPH0751479B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
JPH06340489A (ja) | 多成分系単結晶体の製造方法およびその製造装置 | |
JPH02217393A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JPH07206584A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JP2004338960A (ja) | InP単結晶の製造方法 | |
JPH05178684A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
JPH02229790A (ja) | 化合物半導体単結晶製造装置 | |
JPS62138393A (ja) | 化合物半導体混晶結晶の成長方法 | |
JPS62162688A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080404 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080404 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090404 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090404 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100404 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |