JP3412943B2 - 半導体装置及びその駆動方法 - Google Patents

半導体装置及びその駆動方法

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JP3412943B2
JP3412943B2 JP01409795A JP1409795A JP3412943B2 JP 3412943 B2 JP3412943 B2 JP 3412943B2 JP 01409795 A JP01409795 A JP 01409795A JP 1409795 A JP1409795 A JP 1409795A JP 3412943 B2 JP3412943 B2 JP 3412943B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の入力端子を持
ち、その各入力端子が容量手段を介して共通接続され前
記共通接続端子にインバータアンプの入力端子が接続さ
れた半導体回路を用いて、微小電圧を検出して比較判定
を実行する半導体装置とその駆動方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】複数の入力端子を持ち、その各入力端子
が容量手段を介して共通接続され、前記共通接続端子に
インバータアンプの入力端子が接続された半導体回路を
用いて、微小電圧の比較判定を行なう回路の従来例を図
2に示す。
【0003】図2において、1,2,3…nは信号入力
端子、C1,C2,C3,…Cnは容量、10はインバ
ータアンプの入力端子、100はインバータアンプの出
力端子、M1はインバータアンプの出力端子と入力端子
との間に設けられたスイッチ、20は前記スイッチの制
御端子、である。本構成において、スイッチM1がオフ
されインバータアンプの入力端子が浮遊状態になされた
状態で、第1の信号入力端子にVHの電位差を印加した
とき、インバータアンプの入力端子に発生する電圧振幅
Vfgは、 Vfg=VH*C1/{C1+C2+C3+ … +Cn} …(1) となる。ここで例えば、C1=C2=C3…=Cnなら
VfgはVH/nとなり、またC1=(C2)/2=
(C3)/4=…(Cn)/2(n-1) なら、VfgはV
H/2(n-1) となり、nの値に応じて非常に小さくなる
(n=8、VH=5Vの時、各々、625mVと20m
V)。
【0004】この様な微少電圧変化を検出するために、
本従来例では、各信号入力端子に入力信号を印加する前
に一旦スイッチM1をオンし、インバータアンプの入力
端子電位をインバータの伝達特性の中点レベルにクラン
プし、インバータアンプを電圧ゲインの最も高い動作点
に設定する。その後スイッチM1をオフしてから、前述
したように、ある信号入力端子に入力信号を印加する
と、たとえばインバータアンプの入力端子に発生する電
圧振幅Vfgが数10mVと微少であっても、インバー
タアンプの電圧ゲインが高いため、その微少電圧によっ
てインバータアンプが反転動作し、結果として電位変化
の高精度な検出と比較判定を実現することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例では、インバータアンプを中点レベルにクランプリ
セットした後に各信号入力端子に与えられる正方向の電
位変化に対してインバータアンプがすぐに反転する様設
計されているため、例えば、一旦中点レベルにクランプ
リセットした後、任意の電位レベル以上の電位変化が生
じてはじめてインバータアンプを反転させるという様な
制御を必要とする場合には、このままでは適用できない
という問題がある。
【0006】[発明の目的]そこで本発明は、微少電圧
を検出して比較判定を実行する際に、前述のごとく一旦
中点レベルにリセットした後に任意の電位レベル以上の
電位変化が生じてはじめてインバータアンプを反転させ
ることを可能とした半導体装置及びその駆動方法を実現
することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明は、複数の入力端子を持ち、前記各入
力端子がそれぞれの容量手段を介して共通接続され、前
記共通接続端子に比較判定手段の入力端子が接続され、
前記比較判定手段の出力端子と入力端子との間にスイッ
チ手段が設けられた半導体装置の駆動方法において、前
記スイッチ手段をオンとして前記比較判定手段の入力端
子と出力端子を同電位に設定した後、前記スイッチ手段
をオフとして前記比較判定手段の入力端子を浮遊状態と
し、前記複数の入力端子の内の少なくとも1つ以上の入
力端子から電圧を印加して、前記浮遊状態の比較判定手
段の入力端子の電位を、中点レベルから所望のレベルに
シフトさせた後、残りの他の入力端子から電圧を印加し
て前記比較判定手段を反転動作させることを特徴とする
半導体装置の駆動方法を提供するものである。
【0008】また、本発明は、上記駆動方法を実現する
ための各手段を備えた半導体装置を提供するものであ
る。
【0009】本発明によれば、比較判定手段の入力端子
を予め中点レベルから任意の電位量だけシフトさせてお
くことにより、その後、比較判定手段が反転動作を起こ
すために他の入力端子から印加すべき電圧量を任意に変
更することが、容易に、かつ少ない素子数で実現でき
る。
【0010】また、本発明では、予めシフトした電位量
の影響で初めに一旦比較判定手段が反転動作を起こすこ
とが考えられるが、そのようなことが起きても本発明の
効果が失われるものではない。つまり、その後、他の入
力端子から、ある電圧が印加されることにより、比較判
定手段が再び反転動作を起こせば、本発明の効果が得ら
れることになる。
【0011】また、予めシフトさせるシフト量の設定
は、複数の容量手段の比によって任意に設定できるた
め、外部信号による特別な制御を必要とせずに簡単に実
現できる。
【0012】
【実施例】 [第1の実施例]図1は、本発明の第1の実施例を示す
回路図である。図1において、1,2,3,…nは信号
入力端子、200はインバータアンプの入力端子の電位
Vfgを所望のレベルまでシフトさせるための制御端
子、C1,C2,C3,…Cn,Cdは容量、10はイ
ンバータアンプの入力端子、100はインバータアンプ
の出力端子、M1はインバータアンプの出力端子と入力
端子との間に設けられたスイッチ、20は前記スイッチ
の制御端子、である。
【0013】図3は、本発明の動作を説明するためのタ
イミング図である。以下、これらの図を用いて詳しく説
明する。
【0014】まず、クランプリセット期間Tcpにおい
ては、信号Vcpがハイレベルとなり、スイッチM1が
オンするためインバータアンプの入力端子の電位はイン
バータの伝達特性の中点レベルVinvにクランプされ
る。この時、全ての信号入力端子1,2,3,…nはロ
ーレベルに設定されると共に制御端子200はハイレベ
ルに設定される。
【0015】その後、信号Vcpをローレベルとし、ス
イッチM1をオフしインバータアンプの入力端子を浮遊
状態にした後、さらに制御端子200をローレベルに設
定する。すると、浮遊状態にあるインバータアンプの入
力端子の電位Vfgは、容量Cdを通してΔVだけ、中
点レベルVinvからシフトされる。
【0016】今、ローレベルとハイレベルの差電位をV
Hとすると、ΔVは、 ΔV=VH*Cd/{C1+C2+C3+ …+Cn+Cd}…(2) となる。従って、容量C1,C2,C3,…Cnと容量
Cdの大きさの比を任意に設定すれば中点レベルVin
vからのシフト量を任意の値に設定できる。例えば、C
1=(C2)/2=(C3)/4=…Cn/2(n-1)
し、Cd=C1/2とすれば、n=8、VH=5Vの
時、ΔVは約10mVとなり、中点レベルVinvから
のシフト量を非常に微少なレベルで制御できることがわ
かる。
【0017】この様に、制御端子200によって、浮遊
状態にあるインバータアンプの入力端子の電位Vfgを
所望のレベルへシフトさせた後、アクティブ期間Tac
tにおいては、信号入力端子1,2,3,…nから各信
号電圧が印加される。各信号入力端子1,2,3,…n
の各信号電圧をV1,V2,V3,…Vnとすると、各
信号電圧の印加によってインバータアンプの入力端子に
生じる電位Vfgは、 Vfg=Vinv−ΔV+{V1C1+V2C2+V3C3+…+VnCn} /{C1+C2+C3+…+Cn} …(3) となる。尚、ここでは、式(2)及びC1+C2+C3
+…+Cn>>Cdであることを考慮した。式(3)から
わかる様に、各信号電圧の印加によってインバータアン
プの入力端子の電位Vfgは上昇するが、その上昇量が
最初に設定されたシフト量ΔVを越えない限りインバー
タアンプは反転動作を起こさない。
【0018】その後、各信号電圧が上昇しその上昇量が
シフト量ΔVを越えた時点ではじめてインバータアンプ
は反転する。この様に、本実施例では、微少電圧を検出
して比較判定を実行する際に、上述のごとく中点レベル
から任意の電位レベル以上の電位変化が生じてはじめて
インバータアンプを反転させるという動作が実現でき
る。
【0019】尚、本実施例では、比較判定手段としてイ
ンバータアンプを用いているが、これと同等の機能を有
するものであれば、これに限定されるものではなく、例
えば、一般的な作動入力型のアンプ等であっても良い。
【0020】また、各信号入力端子には、ローレベルへ
の設定と信号電圧の入力とを適時切り替えるためのスイ
ッチ手段が必要であることは言うまでもない。
【0021】また、上述した一連の駆動を実現するため
には、例えば、前記信号入力端子のスイッチ手段への切
り替え信号や、インバータアンプに設けられたスイッチ
手段への制御信号や、インバータアンプの入力端子電位
をシフトさせるための制御信号を適時発生する様に論理
が組まれた制御回路手段が必要であることも言うまでも
なく、このような制御回路手段としては、例えば、ディ
レイ素子を用いたものや、論理素子を組み合わせたもの
や、クロック制御の論理素子を用いたもの、などが実施
可能である。
【0022】[第2の実施例]図4は、本発明の第2の
実施例を示す回路図である。図4において、1,2,
3,…nは信号入力端子、200はインバータアンプの
入力端子の電位Vfgを所望のレベルまでシフトさせる
ための制御端子、C1,C2,C3,…Cn,Cdは容
量、10はインバータアンプ入力端子、100はインバ
ータアンプの出力端子、M1はインバータアンプの出力
端子と入力端子と間に設けられたスイッチ、20は前記
スイッチの制御端子、である。
【0023】本実施例は、インバータアンプの入力端子
の電位Vfgを所望のレベルまでシフトさせるための制
御信号として、インバータアンプの出力端子と入力端子
との間に設けられたスイッチを制御するオンオフ信号ま
たはその反転信号を用いることを特徴としている。本実
施例では、第1の実施例の様にインバータアンプの入力
端子の電位Vfgを所望のレベルまでシフトさせるため
の特別の制御信号を設ける必要がないため、より簡単な
構成で目的とする機能を実現することができる。
【0024】もし、インバータアンプの出力端子と入力
端子との間に設けられたスイッチをオフするタイミング
に対してインバータアンプの入力端子の電位Vfgを所
望のレベルまでシフトさせるタイミングを遅らせたい場
合には、ディレイ素子などを適度に挿入することで対応
できる。
【0025】本実施例の動作については、基本的に第1
の実施例のそれと同じである。
【0026】[第3の実施例]図5は、本発明の第3の
実施例を示す回路図である。前記実施例の回路を8個用
いて8ビットのマルチステップ型A/D変換器を構成し
たものである。アナログ信号Vinは、アナログスイッ
チを介して前記8個の各回路に入力される。各桁に1
つ、前記回路を対応させ、一番上位のビット(MSB)
では1/2レベル判定、その後下位のビットへ行くにつ
れて、各々1/4、1/8、1/16…と各々のレベル
での判定を行なう。上位のビットで判定された結果は、
順次それより下位の桁への入力信号としてフィードバッ
クされ、下位のビットではアナログ信号Vinと上位か
らの信号とに基づくレベル判定が行なわれる。
【0027】本発明によるA/D変換器の全体の動作を
説明する前に、まず、各桁毎に設けられた回路について
説明する。
【0028】図6は、8ビットA/Dの0〜7桁の内、
第4桁目の回路の内部構成を詳細に示したものである。
複数の入力端子の内の1つにはアナログ信号Vinが入
力され、残りの各入力端子には上位の出力信号Dn+1
の反転信号が入力されている。また、初段インバータア
ンプの出力端子と入力端子との間にはスイッチM1が設
けられている。
【0029】さらに、初段インバータアンプの入力端子
の電位Vfgを所望のレベルまでシフトさせるための制
御信号Vcには前記スイッチを制御する信号Vcpが入
力されている。その他、下位のビットへ適時信号を伝達
させるためのスイッチやインバータが設けられている。
各入力端子に接続された各容量(Cin,C1,C2,
…Cd)には、A/Dのビット数をN、桁の番号をn
(nは0〜N−1で、0はLSB、N−1はMSB)、
容量の番号をj(jは1〜N−n−1)として、以下の
関係がある。
【0030】 Cj=Cin/2(N-n-j) Cd=Cin/2(N-n) …(4) 図7は、図6に示した回路の動作タイミングと各部の電
位変化を示したものである。この図を用いて本回路の動
作を説明する。
【0031】まず、クランプリセット期間Tcpにおい
ては、信号VcpがハイレベルとなりスイッチM1がオ
ンするため初段インバータアンプの入力端子の電位はイ
ンバータの伝達特性の中点レベルVinにクランプされ
る。この時、アナログ信号入力端子はローレベルに設定
され、また、各信号入力端子は伝達用インバータを介し
て全てハイレベルに設定されると共に制御端子Vcもハ
イレベルに設定される。
【0032】その後、信号Vcpをローレベルとしスイ
ッチM1をオフしインバータアンプの入力端子を浮遊状
態にした時、初段インバータアンプの入力端子の電位V
fgは、容量Cdを通してΔVだけ、中点レベルVin
vからシフトされる。
【0033】今、ローレベルとハイレベルの差電位をV
Hとすると、n桁目でのΔVnは、 ΔVn=VH*Cd/{ΣCj+Cin+Cd} …(5) となる。式(4)と(5)から、例えば、LSB(n=
0)でのΔVは、VH/511となり、VHが5Vな
ら、約10mVとなる。また、n=1でのΔVは、VH
/255となり、n=2でのΔVは、VH/127とな
り、その他についても同様に計算できる。
【0034】この様に制御端子Vcと容量Cdを介し
て、浮遊状態にある初段インバータアンプの入力端子の
電位Vfgを所望のレベルへシフトさせた後、アクティ
ブ期間Tactにおいては、アナログ信号入力端子には
アナログ信号Vinがランプ的に入力されると共に、各
桁の回路の信号入力端子には上位ビットからの出力信号
Dn+1の反転信号が伝達用インバータを介して入力さ
れる。ちなみに最初の段階での各桁の出力信号は全てロ
ーレベルである。
【0035】次に、アナログ信号が入力される初期段階
において、例えば、LSBでの初段インバータアンプの
入力端子に生じる電位Vfgは、 Vfg=Vinv−ΔV+{VinCin}/{ΣCj+Cin+Cd} …(6) となる。式(6)からわかる様に、LSBでは、アナロ
グランプ信号電圧が入力されてから、徐々に初段インバ
ータアンプの入力端子の電位Vfgが上昇し、その上昇
量が、前述のごとく最初にシフトされた電位量ΔV(1
0mV)を越えた時点ではじめて、初段インバータアン
プが反転動作する。そしてその結果、LSBの出力信号
はハイレベルへ変化する。さらにアナログ信号Vinが
上昇すると、今度はn=1のビットにおいて今述べた事
と同様のことがおこる。但し、n=1のビットにおいて
初段インバータアンプが反転動作を起こすまでの電位上
昇量は20mV(5V/255)と、LSBにおけるそ
れの2倍である点が異なる。
【0036】次に、以上の説明に基づき本発明によるマ
ルチステップ型A/D変換器全体の動作についてさらに
説明する。前述した様に、クランプリセット期間Tcp
を完了し、各桁の初期インバータアンプの入力端子の電
位Vfgnが各々所定のレベルにセットされた後にアナ
ログ信号Vinを図8に示す様に一定の傾きで電位上昇
する様に印加させると、各桁の初段インバータアンプの
入力端子の電位Vfgnは、容量Cinを通してやはり
ランプ的に上昇する。この時、アナログ信号Vinの変
化量に対する電位Vfgnの変化量の比を電圧ゲインG
nとすると、Gnは次式で与えられる。
【0037】 Gn=Cin/{Cin+ΣCj+Cd} …(7) (7)式から、各桁の初段インバータアンプの入力端子
の全容量を同一の値に設定した場合には、各桁のゲイン
Gnは等しくなる。従って、図に示す様に各桁の初段イ
ンバータアンプの入力端子の電位Vfgnは、アナログ
信号Vinの変化に対して全て同じ傾きで上昇する。
【0038】アナログ信号Vinの上昇に対して、まず
最下位桁(LSB)の初段インバータアンプの電位Vf
g0が10mV上昇し中点レベルVinvに達したとこ
ろで、LSBの初段インバータアンプは反転する。その
結果、図に示す様にLSBの出力端子D0がハイとな
る。
【0039】その後さらに、アナログ信号Vinが上昇
し続けると、今度は1つ上の桁の初段インバータアンプ
の入力端子の電位Vfg1がさらに10mV上昇し、や
はり中点レベルVinvに達したところで、反転する。
その結果、図に示す様に1桁目の出力端子D1がハイと
なる。
【0040】1桁目の出力端子D1がハイとなると、そ
の反転信号は、その下の桁(LSB)にフィードバック
される。この時、LSBの初期インバータアンプの入力
端子の電位Vfg0が、容量Cnを通してn桁目からの
フィードバック電圧によって振られる電圧量は次式で示
される。
【0041】 dvn=VH*Cn/{Cin+ΣCj+Cd} …(8) (4)と(8)式から、例えば1桁目からのフィードバ
ック電圧によって振られる電圧量dv1は、VH/25
5となり、VHが5Vの場合で約−20mVとなる。こ
の様にして、1桁目からのフィードバック電圧によって
LSBの初段インバータアンプの入力端子の電位Vfg
0がマイナス側に振られ、前記の最初に設定されたレベ
ル(Vinv−10mV)まで戻されると、図に示す様
に初段インバータアンプの入力端子の電位Vfg0は再
び中点レベルVinvより小さくなるため、LSBの初
段インバータアンプは再び反転し、その結果LSBの出
力端子D0はローとなる。以降、さらにアナログ信号V
inが上昇し続けると、図にも示してある様に、上述し
てきたメカニズムと全く同様にして、さらに上位の桁の
インバータアンプは反転すると共に、その反転信号が下
位の桁へフィードバックされ、その結果、各桁の出力端
子が順次所望の値に設定され、最終的に8ビットのA/
D変換が完了する。
【0042】以上述べた様に、本発明によるA/D変換
器では、各桁において、複数の入力端子を持ちその各入
力端子が容量手段を介して共通接続されその共通接続端
子にインバータアンプの入力端子が接続され、かつその
インバータアンプの入力端子の電位を任意の電位レベル
に精度良く設定できる、という様な機能的な回路を用い
ることで、マルチステップ型A/D変換に必要な、D/
A変換とアナログ減算とコンパレートという3つの基本
処理を単一回路のみで、極めて効率的(少ない素子数と
低消費電力で)に実現している。
【0043】
【発明の効果】以上の実施例で述べてきたように、本発
明によれば、複数の入力端子を持ち、前記各入力端子が
容量手段を介して共通接続され、前記共通接続端子にイ
ンバータアンプの入力端子が接続され、前記インバータ
アンプの出力端子と入力端子の間にスイッチが設けられ
た半導体装置において、前記スイッチをオンして前記イ
ンバータアンプの入力端子と出力端子を同電位に設定し
た後、前記スイッチをオフし前記インバータアンプの入
力端子を浮遊状態とした後、前記複数の入力端子の内の
少なくとも1つ以上の入力端子から電圧を印加し、前記
浮遊状態のインバータアンプの入力端子の電位を所望の
レベルまでシフトさせた後に、残りの入力端子から信号
電圧を印加する、という様な駆動をすることにより、微
少電圧を検出して比較判定を実行する際に、前記インバ
ータアンプの入力端子において任意の電位レベル以上の
電位変化が生じてはじめてインバータアンプを反転させ
るという機能を、極めて少ない素子数で経済的に実現で
きるという効果が得られる。
【0044】すなわち、比較判定手段で反転動作を起こ
すのに必要な入力電圧量を、任意の値に容易に設定する
ことができるという効果が得られる。
【0045】さらに、この機能を使って、マルチステッ
プ型A/D変換器を作製した場合も、極めて少ない素子
数で経済的に実現できる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の半導体装置を示す回路
図。
【図2】従来例の回路図。
【図3】図1の実施例の駆動方法を説明するための動作
タイミング図。
【図4】本発明の第2の実施例の半導体装置を示す回路
図。
【図5】本発明の第3の実施例のA/D変換器を示す回
路図。
【図6】本発明の第3の実施例の各回路の内部構成を示
す回路図。
【図7】図6の実施例の動作タイミング図。
【図8】図5、図6の実施例の動作タイミング図。
【符号の説明】
1,2,3,…n 信号入力端子、 10 インバータアンプの入力端子、 20 前記スイッチの制御端子、 30 インバータアンプ(比較判定手段) 100 インバータアンプの出力端子、 200 インバータアンプの入力端子の電位Vfgを所
望のレベルまでシフトさせるための制御端子、 M1 インバータアンプの出力端子と入力端子と間に設
けられたスイッチ、 C1,C2,C3,…Cn,Cd 容量、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−249417(JP,A) 特開 平5−235767(JP,A) 特開 平1−319322(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03M 1/00 H03K 5/00

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の入力端子を持ち、前記各入力端子
    がそれぞれの容量手段を介して共通接続され、前記共通
    接続端子に比較判定手段の入力端子が接続され、前記比
    較判定手段の出力端子と入力端子との間にスイッチ手段
    が設けられた半導体装置の駆動方法において、 前記スイッチ手段をオンとして前記比較判定手段の入力
    端子と出力端子を同電位に設定した後、 前記スイッチ手段をオフとして前記比較判定手段の入力
    端子を浮遊状態とし、 前記複数の入力端子の内の少なくとも1つ以上の入力端
    子から電圧を印加して、前記浮遊状態の比較判定手段の
    入力端子の電位を、中点レベルから所望のレベルにシフ
    トさせた後、 残りの他の入力端子から電圧を印加して前記比較判定手
    段を反転動作させることを特徴とする半導体装置の駆動
    方法。
  2. 【請求項2】 前記比較判定手段の入力端子と出力端子
    を同電位に設定する際、前記複数の入力端子の内の少な
    くとも1つ以上の入力端子のハイレベルを印加してお
    き、前記比較判定手段の入力端子を浮遊状態とした後
    に、前記入力端子にローレベルを印加することを特徴と
    する請求項1記載の半導体装置の駆動方法。
  3. 【請求項3】 前記複数の入力端子の内の少なくとも1
    つ以上の入力端子に、前記スイッチ手段をオンオフさせ
    る信号またはその反転信号が印加されることを特徴とす
    る請求項1記載の半導体装置の駆動方法。
  4. 【請求項4】 前記それぞれの容量手段の大きさの比を
    任意に設定することにより、前記シフト量を任意に制御
    することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の駆動
    方法。
  5. 【請求項5】 複数の入力端子を持ち、前記各入力端子
    がそれぞれの容量手段を介して共通接続され、前記共通
    接続端子に比較判定手段の入力端子が接続され、前記比
    較判定手段の出力端子と入力端子との間にスイッチ手段
    が設けられた半導体装置において、 前記スイッチ手段をオンとして前記比較判定手段の入力
    端子と出力端子を同電位に設定した後、前記スイッチ手
    段をオフとして前記比較判定手段の入力端子を浮遊状態
    とする手段と、 前記複数の入力端子の内の少なくとも1つ以上の入力端
    子から電圧を印加して、前記浮遊状態の比較判定手段の
    入力端子の電位を中点レベルから所望のレベルにシフト
    させる手段と、 残りの他の入力端子から電圧を印加して前記比較判定手
    段を反転動作させる手段と、を有することを特徴とする
    半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記比較判定手段の入力端子と出力端子
    を同電位に設定する際、前記複数の入力端子の内の少な
    くとも1つ以上の入力端子のハイレベルを印加してお
    き、前記比較判定手段の入力端子を浮遊状態とした後
    に、前記入力端子にローレベルを印加する手段を有する
    ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
  7. 【請求項7】 前記複数の入力端子の内の少なくとも1
    つ以上の入力端子に、前記スイッチ手段をオンオフさせ
    る信号またはその反転信号を印加する手段を有すること
    を特徴とする請求項5記載の半導体装置。
  8. 【請求項8】 前記それぞれの容量手段の大きさの比を
    任意に設定することにより、前記シフト量を任意に制御
    したことを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
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