JP3412570B2 - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、文字または画像表
示用のカラーテレビジョン受像機やディスプレイ等に使
用するガス放電発光を利用したプラズマディスプレイパ
ネル（ＰＤＰ）およびその製造方法に関するものであ
る。
示用のカラーテレビジョン受像機やディスプレイ等に使
用するガス放電発光を利用したプラズマディスプレイパ
ネル（ＰＤＰ）およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】以下では、従来のプラズマディスプレイ
パネルについて図面を参照しながら説明する。図４は交
流型（ＡＣ型）のプラズマディスプレイパネルの概略を
示す断面図である。
パネルについて図面を参照しながら説明する。図４は交
流型（ＡＣ型）のプラズマディスプレイパネルの概略を
示す断面図である。
【０００３】図４において、４１は前面ガラス基板であ
り、この前面ガラス基板４１上に表示電極４２が形成さ
れている。さらに、表示電極４２は、誘電体ガラス層４
３及び酸化マグネシウム（ＭｇＯ）誘電体保護層４４に
より覆われている（例えば特開平５−３４２９９１号公
報参照）。
り、この前面ガラス基板４１上に表示電極４２が形成さ
れている。さらに、表示電極４２は、誘電体ガラス層４
３及び酸化マグネシウム（ＭｇＯ）誘電体保護層４４に
より覆われている（例えば特開平５−３４２９９１号公
報参照）。
【０００４】また、４５は背面ガラス基板であり、この
背面ガラス基板４５上には、アドレス電極４６および隔
壁４７、蛍光体層（４９〜５１）が設けられており、４
８が放電ガスを封入する放電空間となっている。前記蛍
光体層はカラー表示のために、赤４９、緑５０、青５１
の３色の蛍光体層が順に配置されている。上記の各蛍光
体層（４９〜５１）は、放電によって発生する波長の短
い紫外線（波長１４７ｎｍ）により励起発光する。
背面ガラス基板４５上には、アドレス電極４６および隔
壁４７、蛍光体層（４９〜５１）が設けられており、４
８が放電ガスを封入する放電空間となっている。前記蛍
光体層はカラー表示のために、赤４９、緑５０、青５１
の３色の蛍光体層が順に配置されている。上記の各蛍光
体層（４９〜５１）は、放電によって発生する波長の短
い紫外線（波長１４７ｎｍ）により励起発光する。
【０００５】蛍光体層４９〜５１を構成する蛍光体とし
ては、一般的に以下の材料が用いられている。
ては、一般的に以下の材料が用いられている。
【０００６】青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ
緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：ＭｎまたはＢａＡｌ
12Ｏ19：Ｍｎ 赤色蛍光体：Ｙ2Ｏ3：Ｅｕまたは（ＹxＧｄ1-x）Ｂ
Ｏ3：Ｅｕ 各色蛍光体は以下のようにして作製できる。
12Ｏ19：Ｍｎ 赤色蛍光体：Ｙ2Ｏ3：Ｅｕまたは（ＹxＧｄ1-x）Ｂ
Ｏ3：Ｅｕ 各色蛍光体は以下のようにして作製できる。
【０００７】青色蛍光体（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）
は、まず、炭酸バリウム（ＢａＣＯ 3）、炭酸マグネシ
ウム（ＭｇＣＯ3）、酸化アルミニウム（α−Ａｌ
2Ｏ3）をＢａ、Ｍｇ、Ａｌの原子比で１対１対１０にな
るように配合する。次にこの混合物に対して所定量の酸
化ユーロピウム（Ｅｕ2０3）を添加する。そして、適量
のフラックス（ＡｌＦ2、ＢａＣｌ2）と共にボールミル
で混合し、１４００℃〜１６５０℃で所定時間（例え
ば、０．５時間）、還元雰囲気（Ｈ2、Ｎ2中）で焼成し
て得る。
は、まず、炭酸バリウム（ＢａＣＯ 3）、炭酸マグネシ
ウム（ＭｇＣＯ3）、酸化アルミニウム（α−Ａｌ
2Ｏ3）をＢａ、Ｍｇ、Ａｌの原子比で１対１対１０にな
るように配合する。次にこの混合物に対して所定量の酸
化ユーロピウム（Ｅｕ2０3）を添加する。そして、適量
のフラックス（ＡｌＦ2、ＢａＣｌ2）と共にボールミル
で混合し、１４００℃〜１６５０℃で所定時間（例え
ば、０．５時間）、還元雰囲気（Ｈ2、Ｎ2中）で焼成し
て得る。
【０００８】赤色蛍光体（Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ）は、原料とし
て水酸化イットリウムＹ2(ＯＨ)3と硼酸（Ｈ3ＢＯ3）を
Ｙ、Ｂの原子比で１対１になるように配合する。次にこ
の混合物に対して所定量の酸化ユーロピウム（Ｅｕ
2Ｏ3）を添加し、適量のフラックスと共にボールミルで
混合し、空気中１２００℃〜１４５０℃で所定時間（例
えば１時間）焼成して得る。
て水酸化イットリウムＹ2(ＯＨ)3と硼酸（Ｈ3ＢＯ3）を
Ｙ、Ｂの原子比で１対１になるように配合する。次にこ
の混合物に対して所定量の酸化ユーロピウム（Ｅｕ
2Ｏ3）を添加し、適量のフラックスと共にボールミルで
混合し、空気中１２００℃〜１４５０℃で所定時間（例
えば１時間）焼成して得る。
【０００９】緑色蛍光体（Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ）は、原
料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化珪素(Ｓｉ０2）をＺ
ｎ、Ｓｉの原子比で２対１になるように配合する。次に
この混合物に所定量の酸化マンガン（Ｍｎ2Ｏ3）を添加
し、ボールミルで混合後、空気中１２００℃〜１３５０
℃で所定時間（例えば０．５時間）焼成して得る。
料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化珪素(Ｓｉ０2）をＺ
ｎ、Ｓｉの原子比で２対１になるように配合する。次に
この混合物に所定量の酸化マンガン（Ｍｎ2Ｏ3）を添加
し、ボールミルで混合後、空気中１２００℃〜１３５０
℃で所定時間（例えば０．５時間）焼成して得る。
【００１０】上記製法で作製された蛍光体粒子を粉砕後
ふるい分けすることにより、所定の粒径分布を有する蛍
光体材料を得る。
ふるい分けすることにより、所定の粒径分布を有する蛍
光体材料を得る。
【００１１】以下従来のＰＤＰの製造方法について説明
する。
する。
【００１２】背面ガラス基板上に、銀からなるアドレス
電極を形成し、その上に誘電体ガラスからなる可視光反
射層と、ガラス製の隔壁を所定のピッチで作成する。
電極を形成し、その上に誘電体ガラスからなる可視光反
射層と、ガラス製の隔壁を所定のピッチで作成する。
【００１３】これらの隔壁に挟まれた各空間内に、赤色
蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体を含む各色蛍光体ペー
ストをそれぞれ配設することによって蛍光体層を形成
し、形成後５００℃程度で蛍光体層を焼成し、ペースト
内の樹脂成分等を除去する（蛍光体焼成工程）。
蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体を含む各色蛍光体ペー
ストをそれぞれ配設することによって蛍光体層を形成
し、形成後５００℃程度で蛍光体層を焼成し、ペースト
内の樹脂成分等を除去する（蛍光体焼成工程）。
【００１４】蛍光体焼成後、背面板の周囲に前面板との
封着用ガラスフリットを塗布し、ガラスフリット内の樹
脂成分等を除去するために３５０℃程度で仮焼する（封
着用ガラスフリット仮焼工程）。
封着用ガラスフリットを塗布し、ガラスフリット内の樹
脂成分等を除去するために３５０℃程度で仮焼する（封
着用ガラスフリット仮焼工程）。
【００１５】その後、表示電極、誘電体ガラス層および
保護層を順次形成した前面板と、前記背面板を隔壁を介
して表示電極とアドレス電極が直交するよう対向配置
し、４５０℃程度で焼成し、封着用ガラスによって、周
囲を密封する（封着工程）。
保護層を順次形成した前面板と、前記背面板を隔壁を介
して表示電極とアドレス電極が直交するよう対向配置
し、４５０℃程度で焼成し、封着用ガラスによって、周
囲を密封する（封着工程）。
【００１６】その後、３５０℃程度まで加熱しながらパ
ネル内を排気し（排気工程）、終了後に放電ガスを所定
の圧力だけ導入する。
ネル内を排気し（排気工程）、終了後に放電ガスを所定
の圧力だけ導入する。
【００１７】前記の工程で作製されたパネルでは、点灯
の初期段階において大きな発光特性あるいは放電特性の
経時変化が現れる。従って、作製したパネルを所定の時
間だけ放電させることによって、発光特性あるいは放電
特性を安定化させるエージング工程が必要である。
の初期段階において大きな発光特性あるいは放電特性の
経時変化が現れる。従って、作製したパネルを所定の時
間だけ放電させることによって、発光特性あるいは放電
特性を安定化させるエージング工程が必要である。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】従来プラズマディスプ
レイパネルの製造方法においては、前記のように発光特
性あるいは放電特性を安定化させるエージング工程にお
いて、特に発光特性が劣化するという課題が存在する。
レイパネルの製造方法においては、前記のように発光特
性あるいは放電特性を安定化させるエージング工程にお
いて、特に発光特性が劣化するという課題が存在する。
【００１９】この原因の１つとして、使用している蛍光
体が劣化するという課題があった。特に青色蛍光体とし
て使用しているＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕがエージング
工程で劣化しやすく、発光輝度低下、それに伴う白色表
示の色温度の低下を起こす主原因となっていた。
体が劣化するという課題があった。特に青色蛍光体とし
て使用しているＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕがエージング
工程で劣化しやすく、発光輝度低下、それに伴う白色表
示の色温度の低下を起こす主原因となっていた。
【００２０】そこで本願発明は、上記の課題に鑑み、特
に青色蛍光体の劣化を抑制することに効果のあるエージ
ング工程を提供することにより、高い発光輝度で動作す
るプラズマディスプレイパネルを提供することを目的と
するものである。
に青色蛍光体の劣化を抑制することに効果のあるエージ
ング工程を提供することにより、高い発光輝度で動作す
るプラズマディスプレイパネルを提供することを目的と
するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法
は、前面板と背面板を封着したパネルに第１の放電ガス
を導入し、所定の時間だけ放電を行うエージング工程を
有し、エージング工程後に、第１の放電ガスをパネルか
ら排気し、前記第１の放電ガスとは組成の異なる第２の
放電ガスをパネルに導入するプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法であって，第１の放電ガスが少なくともＩ
2 ，Ｂｒ2のいずれか１種類あるいは２種類以上を含むこ
とを特徴とする。
め、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法
は、前面板と背面板を封着したパネルに第１の放電ガス
を導入し、所定の時間だけ放電を行うエージング工程を
有し、エージング工程後に、第１の放電ガスをパネルか
ら排気し、前記第１の放電ガスとは組成の異なる第２の
放電ガスをパネルに導入するプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法であって，第１の放電ガスが少なくともＩ
2 ，Ｂｒ2のいずれか１種類あるいは２種類以上を含むこ
とを特徴とする。
【００２２】前記構成において、前記放電で第１の放電
ガスから発生する光の主成分の波長が１４７ｎｍ以外で
あることが好ましい。
ガスから発生する光の主成分の波長が１４７ｎｍ以外で
あることが好ましい。
【００２３】また、前記構成において、前記放電で第１
の放電ガスから発生する光の主成分の波長が１５０ｎｍ
以上であることが好ましい。
の放電ガスから発生する光の主成分の波長が１５０ｎｍ
以上であることが好ましい。
【００２４】また、前記放電で第１の放電ガスから発生
する光の主成分の波長が１４０ｎｍ以下であることが好
ましい。
する光の主成分の波長が１４０ｎｍ以下であることが好
ましい。
【００２５】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法は、前面板と背面板を封着したパネルに第
１の放電ガスを導入し、所定の時間だけ放電を行うエー
ジング工程を有し、第１の放電ガスにＸｅが含まれない
ことを特徴とする。
ルの製造方法は、前面板と背面板を封着したパネルに第
１の放電ガスを導入し、所定の時間だけ放電を行うエー
ジング工程を有し、第１の放電ガスにＸｅが含まれない
ことを特徴とする。
【００２６】
【００２７】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法は、前面板と背面板を封着したパネルに第
１の放電ガスを導入し、所定の時間だけ放電を行うエー
ジング工程を有し、前記放電で第１の放電ガスが少なく
ともＩ2を含むことを特徴とする。
ルの製造方法は、前面板と背面板を封着したパネルに第
１の放電ガスを導入し、所定の時間だけ放電を行うエー
ジング工程を有し、前記放電で第１の放電ガスが少なく
ともＩ2を含むことを特徴とする。
【００２８】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法は、前面板と背面板を封着したパネルに第
１の放電ガスを導入し、所定の時間だけ放電を行うエー
ジング工程を有し、前記放電で第１の放電ガスが少なく
ともＢｒ2を含むことを特徴とする。
ルの製造方法は、前面板と背面板を封着したパネルに第
１の放電ガスを導入し、所定の時間だけ放電を行うエー
ジング工程を有し、前記放電で第１の放電ガスが少なく
ともＢｒ2を含むことを特徴とする。
【００２９】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法は、前面板と背面板を封着したパネルに少
なくともＸｅを含む第１の放電ガスを導入し、所定の時
間だけ放電を行うエージング工程を有し、エージング工
程後に、第１の放電ガスをパネルから排気し、少なくと
もＸｅを含む第２の放電ガスをパネルに導入する工程を
有し、第１の放電ガスにＸｅを含み，第１の放電ガスの
Ｘｅ濃度が第２の放電ガスのＸｅ濃度よりも低いことを
特徴とする。
ルの製造方法は、前面板と背面板を封着したパネルに少
なくともＸｅを含む第１の放電ガスを導入し、所定の時
間だけ放電を行うエージング工程を有し、エージング工
程後に、第１の放電ガスをパネルから排気し、少なくと
もＸｅを含む第２の放電ガスをパネルに導入する工程を
有し、第１の放電ガスにＸｅを含み，第１の放電ガスの
Ｘｅ濃度が第２の放電ガスのＸｅ濃度よりも低いことを
特徴とする。
【００３０】さらに、本発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、一対の平行に配されたプレートの間に、電極お
よび青色を含む蛍光体層とが配設され、ガス媒体が封入
されたプラズマディスプレイパネルであって、前記いず
れかの製造方法で製造され、すべてのセルを同一電力条
件で点灯させたときの発光色の色温度が７０００Ｋ以上
であることを特徴とする。
ネルは、一対の平行に配されたプレートの間に、電極お
よび青色を含む蛍光体層とが配設され、ガス媒体が封入
されたプラズマディスプレイパネルであって、前記いず
れかの製造方法で製造され、すべてのセルを同一電力条
件で点灯させたときの発光色の色温度が７０００Ｋ以上
であることを特徴とする。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
るプラズマディスプレイパネルの製造方法について説明
する。図２は、本発明の一実施の形態における交流面放
電型プラズマディスプレイパネルの概略を示す断面図で
ある。図２では、セルが１つだけ示されているが、赤、
緑、青の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが
構成されている。
るプラズマディスプレイパネルの製造方法について説明
する。図２は、本発明の一実施の形態における交流面放
電型プラズマディスプレイパネルの概略を示す断面図で
ある。図２では、セルが１つだけ示されているが、赤、
緑、青の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが
構成されている。
【００３２】このＰＤＰは、前面ガラス基板２１上に表
示電極２２と誘電体ガラス層２３、保護層（ＭｇＯ）２
４が配された前面板と、背面ガラス基板２５上にアドレ
ス電極２６、可視光反射層２７、隔壁２８および蛍光体
層２９が配された背面板とを張り合わせ、前面板と背面
板間に形成される放電空間内に放電ガスが封入された構
成となっている。
示電極２２と誘電体ガラス層２３、保護層（ＭｇＯ）２
４が配された前面板と、背面ガラス基板２５上にアドレ
ス電極２６、可視光反射層２７、隔壁２８および蛍光体
層２９が配された背面板とを張り合わせ、前面板と背面
板間に形成される放電空間内に放電ガスが封入された構
成となっている。
【００３３】蛍光体層を構成する蛍光体材料の組成とし
ては、一般的にＰＤＰの蛍光体層に使用されているもの
を用いることができる。その具体例としては、 青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ 緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ 赤色蛍光体：Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ を挙げることができる。
ては、一般的にＰＤＰの蛍光体層に使用されているもの
を用いることができる。その具体例としては、 青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ 緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ 赤色蛍光体：Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ を挙げることができる。
【００３４】使用した青色蛍光体（ＢａＭｇＡｌ
10Ｏ17：Ｅｕ）の各種ガス中での放電に対する耐久性を
評価するために、図３に示すような放電管３０中に蛍光
体３１を入れ、放電前後での発光特性を評価した。放電
管３０の熱エミッター３２としてはＢａＯを用い、放電
ガス３３にはＨ2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｉ2、Ｂｒ
2の単体気体、およびＮｅとＸｅの混合比が９９．５：
０．５、９８：２、９５：５の混合気体を用い、いずれ
も気体圧力は１００Ｔｏｒｒとした。
10Ｏ17：Ｅｕ）の各種ガス中での放電に対する耐久性を
評価するために、図３に示すような放電管３０中に蛍光
体３１を入れ、放電前後での発光特性を評価した。放電
管３０の熱エミッター３２としてはＢａＯを用い、放電
ガス３３にはＨ2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｉ2、Ｂｒ
2の単体気体、およびＮｅとＸｅの混合比が９９．５：
０．５、９８：２、９５：５の混合気体を用い、いずれ
も気体圧力は１００Ｔｏｒｒとした。
【００３５】
【表１】
【００３６】２時間放電させた前後での発光特性の変化
を（表１）に示す。発光特性は蛍光体に１４６ｎｍの真
空紫外線を照射し、発光した可視光の発光特性を放電前
後で評価した。表１の相対輝度は、放電前の発行輝度を
１００とした相対値である。また、各放電ガスを放電さ
せた時に発生する光の主成分の波長も同時に示す。青色
蛍光体（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）は、放電により発
光輝度は低下するが、色度座標ｙには変化はなかった。
１４６ｎｍの真空紫外線で蛍光体を発光させ評価したと
きの輝度低下は、放電ガスが放電時に発生する光の主成
分の波長が１４７ｎｍ（ＮｅとＸｅの混合ガス）のとき
が最も大きく、波長が１４７ｎｍから遠ざかるに従って
輝度低下が小さくなる傾向にある。
を（表１）に示す。発光特性は蛍光体に１４６ｎｍの真
空紫外線を照射し、発光した可視光の発光特性を放電前
後で評価した。表１の相対輝度は、放電前の発行輝度を
１００とした相対値である。また、各放電ガスを放電さ
せた時に発生する光の主成分の波長も同時に示す。青色
蛍光体（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）は、放電により発
光輝度は低下するが、色度座標ｙには変化はなかった。
１４６ｎｍの真空紫外線で蛍光体を発光させ評価したと
きの輝度低下は、放電ガスが放電時に発生する光の主成
分の波長が１４７ｎｍ（ＮｅとＸｅの混合ガス）のとき
が最も大きく、波長が１４７ｎｍから遠ざかるに従って
輝度低下が小さくなる傾向にある。
【００３７】放電による青色蛍光体の劣化は、放電ガス
から発生する紫外線や真空紫外線等により蛍光体が損傷
を受けるためと考えられている。放電ガスが放電時に発
生する光の波長が１４７ｎｍよりも短い場合は、その光
のエネルギーは波長が１４７ｎｍの光のエネルギーより
も大きくなるが、蛍光体への侵入深さが波長１４７ｎｍ
の光の侵入深さよりも浅くなるために、蛍光体の劣化は
極表面でのみ発生することになり、評価時の波長１４６
ｎｍの真空紫外線が劣化されていない部分まで侵入し、
その結果、発生する可視光が比較的多くなるためと考え
られる。また、逆に放電ガスが放電時に発生する光が１
４７ｎｍよりも長い場合は、蛍光体への侵入深さは１４
７ｎｍの波長の光の侵入深さよりも深くなるが、光のエ
ネルギーが波長１４７ｎｍの光のエネルギーよりも小さ
いために、蛍光体の劣化密度が小さくなり、その結果、
蛍光体が発生する可視光が比較的多くなるためと考えら
れる。すなわち、評価時に使用する励起光の波長付近で
の放電光による劣化が、評価時に最も顕著に現れること
になる。したがって、少なくともＸｅの共鳴線（波長１
４７ｎｍ）を利用して発光させるＰＤＰにおいては、エ
ージング工程において放電ガスから発生する光の主成分
が、１４７ｎｍ以外の波長になるような放電ガスを用い
れば、エージング工程での蛍光体の劣化が抑えられるこ
とが判明した。
から発生する紫外線や真空紫外線等により蛍光体が損傷
を受けるためと考えられている。放電ガスが放電時に発
生する光の波長が１４７ｎｍよりも短い場合は、その光
のエネルギーは波長が１４７ｎｍの光のエネルギーより
も大きくなるが、蛍光体への侵入深さが波長１４７ｎｍ
の光の侵入深さよりも浅くなるために、蛍光体の劣化は
極表面でのみ発生することになり、評価時の波長１４６
ｎｍの真空紫外線が劣化されていない部分まで侵入し、
その結果、発生する可視光が比較的多くなるためと考え
られる。また、逆に放電ガスが放電時に発生する光が１
４７ｎｍよりも長い場合は、蛍光体への侵入深さは１４
７ｎｍの波長の光の侵入深さよりも深くなるが、光のエ
ネルギーが波長１４７ｎｍの光のエネルギーよりも小さ
いために、蛍光体の劣化密度が小さくなり、その結果、
蛍光体が発生する可視光が比較的多くなるためと考えら
れる。すなわち、評価時に使用する励起光の波長付近で
の放電光による劣化が、評価時に最も顕著に現れること
になる。したがって、少なくともＸｅの共鳴線（波長１
４７ｎｍ）を利用して発光させるＰＤＰにおいては、エ
ージング工程において放電ガスから発生する光の主成分
が、１４７ｎｍ以外の波長になるような放電ガスを用い
れば、エージング工程での蛍光体の劣化が抑えられるこ
とが判明した。
【００３８】また、放電ガスとしてＸｅ混合ガスを用い
た場合でもＸｅ濃度を小さくすれば、放電で発生する１
４７ｎｍの光量が少なくなり、それに従って、蛍光体の
劣化も小さくなるものと考えられ、エージング工程にお
いて用いるＸｅ混合ガスのＸｅ濃度をパネル完成時より
も小さくすれば、エージング工程での蛍光体の劣化が抑
えられることが判明した。
た場合でもＸｅ濃度を小さくすれば、放電で発生する１
４７ｎｍの光量が少なくなり、それに従って、蛍光体の
劣化も小さくなるものと考えられ、エージング工程にお
いて用いるＸｅ混合ガスのＸｅ濃度をパネル完成時より
も小さくすれば、エージング工程での蛍光体の劣化が抑
えられることが判明した。
【００３９】以下、本発明の実施の形態におけるエージ
ング工程について説明する。
ング工程について説明する。
【００４０】図１は本実施の形態におけるエージング工
程およびその後に続く放電ガス封入工程を行うためのパ
ネル製造装置の構成を模式的に示す図である。
程およびその後に続く放電ガス封入工程を行うためのパ
ネル製造装置の構成を模式的に示す図である。
【００４１】パネル製造装置は、パネル１の内部空間に
ガスを導入、排気するための配管２ａ、２ｂ、パネル１
の内部空間のガス圧を調整するバルブ３ａ、３ｂ、およ
び放電電圧を印加するための駆動回路４、および加熱炉
８から構成される。
ガスを導入、排気するための配管２ａ、２ｂ、パネル１
の内部空間のガス圧を調整するバルブ３ａ、３ｂ、およ
び放電電圧を印加するための駆動回路４、および加熱炉
８から構成される。
【００４２】アドレス電極、可視光反射層、隔壁および
蛍光体層が形成された背面板５には表示領域を避けて通
気口６が２カ所以上設けられており、これらの通気口に
はガラス管７が取り付けられている。ガラス管７と放電
ガスを流すための配管２ａ、２ｂを接続する。接続後、
パネル１の内部空間１０を配管２ｂを通して真空に排気
しながらパネルを所定の温度まで加熱し（排気工程）、
冷却後に、配管２ａよりエージング用の放電ガスを所定
の圧力で導入し、駆動回路４を用いて前面板９に形成さ
れた表示電極に所定の電圧を印加し、パネル１内部で放
電を発生させ、所定の時間だけエージングを行った（エ
ージング工程）。
蛍光体層が形成された背面板５には表示領域を避けて通
気口６が２カ所以上設けられており、これらの通気口に
はガラス管７が取り付けられている。ガラス管７と放電
ガスを流すための配管２ａ、２ｂを接続する。接続後、
パネル１の内部空間１０を配管２ｂを通して真空に排気
しながらパネルを所定の温度まで加熱し（排気工程）、
冷却後に、配管２ａよりエージング用の放電ガスを所定
の圧力で導入し、駆動回路４を用いて前面板９に形成さ
れた表示電極に所定の電圧を印加し、パネル１内部で放
電を発生させ、所定の時間だけエージングを行った（エ
ージング工程）。
【００４３】本実施の形態ではエージング用放電ガスと
してＨ2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｉ2、Ｂｒ2あるい
はこれらの混合ガスを用い、放電ガス圧力を１００〜７
６０Ｔｏｒｒ程度に設定した。
してＨ2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｉ2、Ｂｒ2あるい
はこれらの混合ガスを用い、放電ガス圧力を１００〜７
６０Ｔｏｒｒ程度に設定した。
【００４４】前記エージング工程終了後に、パネル内部
のエージング用の放電ガスを配管２ｂを通して排気し、
その後、配管２ａより少なくともＸｅを含む所定の組成
の放電ガスを所定の圧力で導入し、ガラス管７を封止
し、ＰＤＰを作製した。
のエージング用の放電ガスを配管２ｂを通して排気し、
その後、配管２ａより少なくともＸｅを含む所定の組成
の放電ガスを所定の圧力で導入し、ガラス管７を封止
し、ＰＤＰを作製した。
【００４５】エージング工程後に封入する放電ガスが放
電時に発光する光の主成分発光波長とは異なる主成分発
光波長を有する前記のようなエージング用放電ガスを用
いてエージングを行うことで、従来の濃度のＸｅを含む
放電ガスによるエージングよりも蛍光体の発光特性劣化
を抑えることができた。
電時に発光する光の主成分発光波長とは異なる主成分発
光波長を有する前記のようなエージング用放電ガスを用
いてエージングを行うことで、従来の濃度のＸｅを含む
放電ガスによるエージングよりも蛍光体の発光特性劣化
を抑えることができた。
【００４６】また、エージング工程後に封入する放電ガ
スにおいて光を発生する元素であるＸｅを含むガスをエ
ージング用放電ガスとして用いた場合でも、つまり、主
成分発光波長が同じエージング用放電ガスを用いる場合
でも、エージング工程終了後に封入する放電ガスのＸｅ
濃度よりも低い濃度のＸｅ混合ガスをエージング工程に
用いることで同様の効果が得られた。
スにおいて光を発生する元素であるＸｅを含むガスをエ
ージング用放電ガスとして用いた場合でも、つまり、主
成分発光波長が同じエージング用放電ガスを用いる場合
でも、エージング工程終了後に封入する放電ガスのＸｅ
濃度よりも低い濃度のＸｅ混合ガスをエージング工程に
用いることで同様の効果が得られた。
【００４７】（実施例１）
【００４８】
【表２】
【００４９】パネル番号１〜９のＰＤＰは、前記実施の
形態に基づいて作製した実施例に係わるＰＤＰであっ
て、パネル番号１〜９は、エージング工程に用いるエー
ジング用放電ガスの種類や濃度、すなわち組成を種々変
えたパネルである。パネル番号１０のＰＤＰは、比較例
に係わるＰＤＰであり、従来の製造方法で作製したパネ
ルで、エージング工程前にＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５
％）の混合ガスをパネルに導入後、ガス導入用のガラス
管を封止したパネルである。
形態に基づいて作製した実施例に係わるＰＤＰであっ
て、パネル番号１〜９は、エージング工程に用いるエー
ジング用放電ガスの種類や濃度、すなわち組成を種々変
えたパネルである。パネル番号１０のＰＤＰは、比較例
に係わるＰＤＰであり、従来の製造方法で作製したパネ
ルで、エージング工程前にＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５
％）の混合ガスをパネルに導入後、ガス導入用のガラス
管を封止したパネルである。
【００５０】前記各ＰＤＰにおいて、エージング工程で
の放電は２４時間行い、エージング工程までの製造工程
は同じ条件とした。また、パネル構成も同じ構成とし、
蛍光体膜厚は３０μｍ、エージング工程後に封入する放
電ガスはＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）混合ガスを５０
０Ｔｏｒｒで封入した。
の放電は２４時間行い、エージング工程までの製造工程
は同じ条件とした。また、パネル構成も同じ構成とし、
蛍光体膜厚は３０μｍ、エージング工程後に封入する放
電ガスはＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）混合ガスを５０
０Ｔｏｒｒで封入した。
【００５１】パネルの発光特性としては、比較例のパネ
ル番号１０の輝度を１００とした相対輝度で示してい
る。また、青色セル、赤色セル、緑色セルのすべてを同
一電力条件で点灯した時の白色表示の色温度（色温度補
正なし）を測定した。
ル番号１０の輝度を１００とした相対輝度で示してい
る。また、青色セル、赤色セル、緑色セルのすべてを同
一電力条件で点灯した時の白色表示の色温度（色温度補
正なし）を測定した。
【００５２】本実施例のパネル１〜９はいずれも従来の
パネル１０に比較して輝度が向上し、色温度も高くなっ
ていた。
パネル１０に比較して輝度が向上し、色温度も高くなっ
ていた。
【００５３】なお、ディスプレイとして充分に満足しう
る明瞭感、白色感を得るためには白色表示の色温度は７
０００Ｋは必要であり、またテレビ画像を表示する場
合、白色表示の色温度としては、９０００Ｋ以上が望ま
しい。
る明瞭感、白色感を得るためには白色表示の色温度は７
０００Ｋは必要であり、またテレビ画像を表示する場
合、白色表示の色温度としては、９０００Ｋ以上が望ま
しい。
【００５４】パネル番号１〜７の比較より、エージング
工程中に発生する光の波長が１４７ｎｍから遠ざかる
程、パネルの発光特性が良好となることが判る。これ
は、エージング放電時に発生する光の波長が１４７ｎｍ
よりも短い場合は、光のエネルギーは波長１４７ｎｍの
光のエネルギーよりも大きくなるが、蛍光体への光の侵
入深さが波長１４７ｎｍの光の侵入深さよりも浅くなる
ために、蛍光体の劣化は極表面でのみ発生することにな
り、パネル完成後の放電時での主成分発光波長である１
４７ｎｍの波長を有する真空紫外線が蛍光体が劣化され
ていない部分まで侵入し、その結果、発生する可視光が
比較的多くなったためと考えられる。また、逆にエージ
ング放電時に発生する光の波長が１４７ｎｍよりも長い
場合は、蛍光体への侵入深さは波長１４７ｎｍの光の侵
入深さよりも深くなるが、光のエネルギーが波長１４７
ｎｍの光のエネルギーよりも小さいために、蛍光体の劣
化密度が小さくなり、その結果、パネル完成後の主放電
で発生する可視光が比較的多くなるためと考えられる。
工程中に発生する光の波長が１４７ｎｍから遠ざかる
程、パネルの発光特性が良好となることが判る。これ
は、エージング放電時に発生する光の波長が１４７ｎｍ
よりも短い場合は、光のエネルギーは波長１４７ｎｍの
光のエネルギーよりも大きくなるが、蛍光体への光の侵
入深さが波長１４７ｎｍの光の侵入深さよりも浅くなる
ために、蛍光体の劣化は極表面でのみ発生することにな
り、パネル完成後の放電時での主成分発光波長である１
４７ｎｍの波長を有する真空紫外線が蛍光体が劣化され
ていない部分まで侵入し、その結果、発生する可視光が
比較的多くなったためと考えられる。また、逆にエージ
ング放電時に発生する光の波長が１４７ｎｍよりも長い
場合は、蛍光体への侵入深さは波長１４７ｎｍの光の侵
入深さよりも深くなるが、光のエネルギーが波長１４７
ｎｍの光のエネルギーよりも小さいために、蛍光体の劣
化密度が小さくなり、その結果、パネル完成後の主放電
で発生する可視光が比較的多くなるためと考えられる。
【００５５】さらに、パネル番号８〜１０の比較より、
エージング用放電ガス中のＸｅ濃度が小さくなる程、パ
ネルの発光特性が良好となることが判る。これは、Ｘｅ
濃度の低下に伴って、発生する波長１４７ｎｍの光量が
減少し、エージング中の特に青色蛍光体の劣化が抑えら
れたためと考えられる。
エージング用放電ガス中のＸｅ濃度が小さくなる程、パ
ネルの発光特性が良好となることが判る。これは、Ｘｅ
濃度の低下に伴って、発生する波長１４７ｎｍの光量が
減少し、エージング中の特に青色蛍光体の劣化が抑えら
れたためと考えられる。
【００５６】なお、エージング用放電ガスとしては、以
上の実施例に用いたガス以外でも、放電で発生する光の
波長が１４７ｎｍ以外（すなわちＸｅ以外の成分ガス）
であればある程度効果が得られる。
上の実施例に用いたガス以外でも、放電で発生する光の
波長が１４７ｎｍ以外（すなわちＸｅ以外の成分ガス）
であればある程度効果が得られる。
【００５７】以上の実施例においては、面放電型のＰＤ
Ｐを例示したが、対向放電型のＰＤＰにも適用すること
ができる。さらに直流型（ＤＣ型）のＰＤＰにおいて
も、同様の効果が得られる。
Ｐを例示したが、対向放電型のＰＤＰにも適用すること
ができる。さらに直流型（ＤＣ型）のＰＤＰにおいて
も、同様の効果が得られる。
【００５８】
【発明の効果】以上のように本発明の構成のプラズマデ
ィスプレイパネルによれば、従来エージング時に現れた
蛍光体の発光特性劣化を抑えることが可能となり、その
結果、輝度および色温度の高いプラズマディスプレイパ
ネルが実現できる。
ィスプレイパネルによれば、従来エージング時に現れた
蛍光体の発光特性劣化を抑えることが可能となり、その
結果、輝度および色温度の高いプラズマディスプレイパ
ネルが実現できる。
【図１】本発明の実施の形態に係わるパネル製造装置の
模式図
模式図
【図２】本実施の形態に係わる交流面放電型プラズマデ
ィスプレイパネルの概略断面図
ィスプレイパネルの概略断面図
【図３】本実施の形態の耐久性評価用放電管の概略図
【図４】従来の交流面放電型プラズマディスプレイパネ
ルの概略断面図
ルの概略断面図
１ パネル
２ａ，２ｂ 配管
３ａ，３ｂ バルブ
４ 駆動回路
５ 背面板
６ 通気口
７ ガラス管
８ 加熱炉
９ 前面板
１０ 内部空間
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 9/38 - 9/395
H01J 9/44
H01J 11/02 - 17/49
Claims (8)
- 【請求項１】 前面板と電極および少なくとも青色蛍光
体を含む蛍光体層が配設された背面板を封着したパネル
に第１の放電ガスを導入し，所定の時間だけ放電を行う
エージング工程を有し，前記エージング工程後に，第１
の放電ガスをパネルから排気し，第１の放電ガスとは組
成の異なる第２の放電ガスを前記パネルに導入するプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法であって， 第１の放電ガスが少なくともＩ 2 ，Ｂｒ2のいずれか１種
類あるいは２種類を含むことを特徴とするプラズマディ
スプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】 前記エージング工程において第１の放電
ガスから発生する光の主成分の波長が前記第２の放電ガ
スから発生する光の主成分の波長と異なることを特徴と
する請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製
造方法。 - 【請求項３】 前記エージング工程において第１の放電
ガスから発生する光がその主成分の波長が１４７ｎｍで
あるＸｅ共鳴線以外であることを特徴とする請求項１に
記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】 前記エージング工程において第１の放電
ガスから発生する光の主成分の波長が１５０ｎｍ以上で
あることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項５】 前記エージング工程で第１の放電ガスか
ら発生する光の主成分の波長が１４０ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項６】 第１の放電ガスにＸｅが含まれないこと
を特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 第２の放電ガスが，少なくともＸｅを含
むことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の
プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】 一対の平行に配されたプレートの間に電
極および赤色，緑色および青色の蛍光体層とが配設さ
れ，ガス媒体が封入された，請求項１から７のいずれか
の製造方法で製造されたことを特徴とするプラズマディ
スプレイパネルであって， 青色蛍光体がＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕであることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20305799A JP3412570B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20305799A JP3412570B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035380A JP2001035380A (ja) | 2001-02-09 |
| JP3412570B2 true JP3412570B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=16467634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20305799A Expired - Fee Related JP3412570B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3412570B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100404850B1 (ko) * | 2001-02-26 | 2003-11-10 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 |
| US6992440B2 (en) | 2004-02-26 | 2006-01-31 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting device and process for its production |
-
1999
- 1999-07-16 JP JP20305799A patent/JP3412570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001035380A (ja) | 2001-02-09 |
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