JP3412037B2 - 微細加工方法 - Google Patents
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Description
する際などに好適なエッチングによる微細加工方法に関
する。
子を製造する場合、一般に、シリコン基板上にSiN
(窒化ケイ素)膜を形成した後、ホトエッチングを行っ
て所定形状のエッチングマスクを形成し、そのエッチン
グマスクを形成したシリコン基板をエッチング溶液(例
えばKOHの水溶液)に浸漬させ、エッチングを行うこ
とにより、シリコン基板21上に所定形状の凹部22を
形成し、そこに薄膜状のシリコンダイヤフラム24を形
成している(図9)。
ッチング加工では、エッチングマスクとなるSiN膜2
5の強度や接着性は充分あり、エッチングマスクの剥離
や破壊は生じないものの、図9に示すように、凹部22
に隣接したシリコン基板の一部に不良浸食23が発生
し、この不良浸食23によりシリコンダイヤフラム24
の形状寸法にばらつきが発生し、ダイヤフラムの寸法精
度が低下する問題があった。
で、エッチング時の不良浸食を防止して加工寸法精度を
向上させることができる微細加工方法を提供することを
目的とする。
明の微細加工方法は、基板上に窒化膜を形成した後、ホ
トエッチングを行って基板上にエッチングマスクを形成
し、その後、基板をエッチング溶液に浸漬してエッチン
グを行う微細加工方法において、窒化膜を基板上に形成
する前に、その基板表面を酸窒化状態とすることを特徴
とする。
を予め酸窒化状態とした状態で窒化膜を形成するため、
その下の酸窒化層中の窒素成分が増加し、その部分が化
学的浸食に強い界面を形成する。したがって、その後、
ホトエッチングを行って基板上にエッチングマスクを形
成し、そして、基板をエッチング溶液に浸漬してエッチ
ングを行っても、化学的浸食に強い界面がエッチングマ
スクと基板間に形成されるため、不良浸食が発生せず、
寸法精度の高い微細加工を行うことができる。
素成分は酸窒化状態を形成する総原子数に対する割合で
10at%以上、60at%以下であることが望まし
く、窒素成分が10at%以上あれば、化学的浸食に強
い界面を有効に形成することができる。酸窒化状態中の
窒素含有率は、理論的に60at%を越えることがな
い。
中、又はNH3 ガスとN2 ガスの雰囲気中でプラズマ処
理を行って形成することができる。その際、NH3 ガス
の流量をN2 ガスの流量より多くすると、酸窒化層中の
窒素成分を有効に増加させることができる。
に基づいて説明する。
フラムをエッチング法により加工する際の実施例(1) の
工程図であり、各工程における構造を断面的に示してい
る。
において、シリコン単結晶のシリコンウエハ等からなる
シリコン基板1の上面を酸窒化状態とする。このシリコ
ン基板1上面を酸窒化状態とする工程は、図2に示すよ
うに、シリコン基板1をプラズマCVD装置のチャンバ
ー6内に入れて、次のように基板を酸窒化プラズマ処理
する。
0sccm、500sccm(sccm:標準状態におけるガス流量
cc/分)の流量でチャンバー6内に混合して供給し、
電極7、8間に600Wの高周波電力を供給することに
より、電極間に放電を90秒間生じさせた。
2 の雰囲気中でコールドプラズマを発生させ、その化学
反応によりシリコン基板1上面を酸窒化状態とし、そこ
に酸窒化層1aを形成した。
の表面組成分析の結果は、下記の表1に示す如く、酸窒
化状態を形成するシリコン、酸素、窒素の総原子数に対
する割合で窒素成分が約14原子%、酸素成分が約40
原子%であり、処理を行わないシリコン基板の組成に比
べ、窒素成分及び酸素成分が増加していることがわか
る。
としたシリコン基板1の上面に窒化ケイ素膜2を形成し
た。この窒化ケイ素膜形成は、図3に示すように、シリ
コン基板1をプラズマCVD装置のチャンバー内に入
れ、SiH4 、NH3 、N2 のガスを各々1000scc
m、300sccm、900sccmの流量でチャンバー内に混
合して供給し、電極間に600Wの高周波電力を供給す
ることにより、電極間に放電を90秒間生じさせた。こ
れによりチャンバー内にコールドプラズマを発生させ、
その化学反応によりシリコン基板1上に窒化ケイ素膜
(SiN)2を形成した。
ているため、この窒化ケイ素膜2の下には酸窒化層1a
が形成されており、分析によれば、その酸窒化層1aの
厚さは約0.1μmであった。
のプラズマ処理は、工程Aの酸窒化プラズマ処理とは別
の装置を使用して別個に行うこともできるが、工程Aの
酸窒化プラズマ処理で使用したプラズマCVD装置を用
いて連続的に行うこともできる。
行って窒化ケイ素膜のエッチングマスク2aを形成し
た。即ち、シリコン基板1上の窒化ケイ素膜2上にフォ
トレジストをコーティングし、所定形状のマスクつまり
ダイヤフラム用の凹部に対応したマスクをフォトレジス
ト上に置き、その表面を紫外線等で露光し、その後、現
像処理を行う。これによって、露光部分は硬化して残
り、露光されない部分は窒化ケイ素膜と共に溶解し除去
され、ダイヤフラムとなる部分を開口したエッチングマ
スク2aが形成される。
2aを形成したシリコン基板1を、110℃、32重量
%のKOH水溶液に浸漬し、ダイヤフラムエッチングを
行う。これにより、シリコン基板1上に凹部3が形成さ
れ、そこに所定厚さのシリコンダイヤフラム4が形成さ
れる。なお、エッチング液としては、KOH水溶液以外
のアルカリ性水溶液を使用することもできる。
ッチングの際に、凹部の周辺で発生した不良浸食の発生
率を、シリコン基板1の表面を予め酸窒化状態とした場
合と、酸窒化状態としない場合についての実験結果を示
してる。この図4のグラフから、酸窒化状態としない場
合には、不良浸食の発生率が60%〜100%(平均約
70%)あったのに対し、シリコン基板1の表面を予め
酸窒化状態とした場合には、不良浸食の発生率は殆ど0
%になったことがわかる。
予め酸窒化状態とした場合と、酸窒化状態としない場合
についての、製造されたダイヤフラムの寸法のばらつき
を示すものである。この図5のグラフから、酸窒化状態
としない場合、ダイヤフラムの寸法のばらつきが約13
0μm〜150μmあるのに対し、表面を予め酸窒化状
態とした場合、ダイヤフラムの寸法のばらつきが約13
5μm〜145μmと約1/2になることがわかる。
酸窒化状態とした状態で窒化ケイ素膜2を形成すると、
その下の酸窒化層1a中の窒素成分が増加し、その部分
が化学的浸食に強い界面を形成する。このため、ダイヤ
フラムエッチングを行っても、凹部周辺に不良浸食が発
生せず、寸法精度の高いシリコンダイヤフラムを製造す
ることができる。
いて、シリコン基板1の上面を酸窒化状態とする際、N
H3 ガスとN2 ガスを、各々800sccm、300sccmの
流量でチャンバー内に混合して供給し、酸窒化プラズマ
処理を実施した。
いて、NH3 ガスのみを1000sccmの流量でチャンバ
ー内に供給し、酸窒化プラズマ処理を実施した。
条件で、酸窒化プラズマ処理を行った場合について、酸
窒化処理したシリコン基板の表面組成分析の結果を示し
ている。
00sccm/300sccmの場合、窒素成分は約14原子
%、酸素成分は約39原子%であり、NH3 ガスが10
00sccmの場合、窒素成分は約15原子%、酸素成分は
約40原子%であり、処理を行わないシリコン基板の組
成(表1)に比べ、窒素成分及び酸素成分が増加してい
ることがわかる。また、上記実施例から、NH3 ガスの
流量をN2 ガスの流量より多くした場合、酸窒化層中の
窒素成分を有効に増加させることができる。
プラズマ処理を行った場合におけるシリコンダイヤフラ
ムの不良浸食の発生率の実験結果を示してる。この図6
のグラフから、酸窒化状態としない場合には、不良浸食
の発生率が60%〜100%(平均約70%)あったの
に対し、NH3 ガス/N2 ガスを800sccm/300sc
cmの割合で、及びNH3 ガスのみを1000sccmの流量
で供給して、シリコン基板1の表面を予め酸窒化状態と
した場合には、上記実施例と同様に、不良浸食の発生率
は殆ど0%になったことがわかる。
イヤフラムをエッチング法により加工する際の実施例
(4) の工程図であり、各工程における構造を断面的に示
している。この実施例(4) では、上記実施例(1) の工程
Aの前に工程A0 が付加され、その後、実施例(1) と同
様な工程A〜工程Dを実施する。
リコンウエハ等からなるシリコン基板11の上面を酸素
プラズマ処理により酸化状態とした。このシリコン基板
11上面を酸化状態とする工程は、シリコン基板11を
プラズマCVD装置のチャンバー内(圧力0.8Torrの
O2 ガス中)に入れて、電極間に200Wの高周波電力
を供給し、電極間に放電を生じさせて、酸素雰囲気中で
コールドプラズマを10分間発生させ、その化学反応に
よりシリコン基板11の上面を酸化状態とした。これに
より、シリコン基板11の上面に酸化層11bが形成さ
れる。
シリコン基板11をプラズマCVD装置のチャンバー内
に入れて、基板を酸窒化プラズマ処理し、シリコン基板
11の酸化された上面を酸窒化状態とし酸窒化層11a
を形成する。
シリコン基板11の上面に窒化ケイ素膜12を形成し、
次の工程Cにおいて、ホトエッチングを行って窒化ケイ
素膜のエッチングマスク12aを形成する。
と同様、エッチングマスク12aを形成したシリコン基
板11をKOH水溶液に浸漬し、ダイヤフラムエッチン
グを行う。これにより、シリコン基板11上に凹部13
が形成され、そこに所定厚さのシリコンダイヤフラム1
4が形成される。
プラズマ処理を行った後のシリコン基板11の表面組成
分析の結果を示している。
成分は、処理前のものと比較してその酸素成分は約38
原子%と増加しており、酸窒化処理後の窒素成分は約1
3原子%、酸素成分は約39原子%であり、処理を行わ
ないシリコン基板の組成(表1)に比べ、窒素成分及び
酸素成分が増加していることがわかる。
ように、酸窒化処理後の窒素成分は10at%以上あれ
ば、化学的浸食に強い界面を窒化膜とシリコン基板間に
有効に形成することができ、不良浸食の発生を防止でき
る。しかし、酸窒化処理後の窒素成分が10at%未満
の場合には有効な窒化膜形成することができない。ま
た、シリコン基板表面には、酸素成分、シリコン成分が
存在するため、現実的に窒素成分が60at%を越える
ことはない。
ンダイヤフラムの不良浸食の発生率の実験結果を示して
る。この図8のグラフから、酸窒化状態としない場合に
は、不良浸食の発生率が60%〜100%(平均約70
%)あったのに対し、シリコン基板1の上面を酸化状態
とした後、上記実施例(1) と同様に、酸窒化処理し、さ
らに、窒化処理を行った場合、不良浸食の発生率は殆ど
0%になった。
マCVD法によりシリコン基板上に酸窒化層を形成した
が、イオン注入法、拡散法によりそれを形成することも
できる。また、上記実施例では、シリコンダイヤフラム
の加工工程について説明したが、シリコン基板等を用い
て微細な孔加工や溝加工等を行う際に適用することもで
きる。
ある。
ある。
る。
すグラフである。
である。
る。
イヤフラムの断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に窒化膜を形成した後、ホトエッ
チングを行って該基板上にエッチングマスクを形成し、
その後、該基板をエッチング溶液に浸漬してエッチング
を行う微細加工方法において、 前記窒化膜を基板上に形成する前に、該基板表面を酸窒
化状態とすることを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項2】 酸窒化状態とした後の前記基板表面の窒
素成分が該酸窒化状態を形成する総原子数に対する割合
で10at%以上、60at%以下であることを特徴と
する請求項1記載の微細加工方法。 - 【請求項3】 前記エッチング溶液としてアルカリ性水
溶液が使用される請求項1記載の微細加工方法。 - 【請求項4】 NH3 ガスの雰囲気中、又はNH3 ガス
とN2 ガスの雰囲気中でプラズマ処理を行って前記基板
表面を酸窒化状態とする請求項1記載の微細加工方法。 - 【請求項5】 NH3 ガスがN2 ガスより多い雰囲気中
でプラズマ処理を行う請求項4記載の微細加工方法。
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