JP3399395B2 - ガス放電パネルの製造方法 - Google Patents
ガス放電パネルの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極、誘電体層が
形成されたガス放電パネルの製造方法に関する。
形成されたガス放電パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ガス放電パネルの一例として
は、図６で示すようなＡＣ型のプラズマディスプレイパ
ネル（以下、ＰＤＰという）が知られている。
は、図６で示すようなＡＣ型のプラズマディスプレイパ
ネル（以下、ＰＤＰという）が知られている。
【０００３】このＰＤＰは、内表面上に複数本の電極
１，誘電体層２及び保護層３が形成されたガラス製の上
部パネル側の基板４と、電極１とは直交する向きに沿っ
て配置された複数本の電極５及び誘電体層６が内表面上
に形成され、かつ、誘電体層６上の所定位置毎には発光
領域を区画する低融点ガラス製の隔壁７が並列形成され
たガラス製の下部パネル側の基板８とを対向配置したう
えで、外周端縁を低融点ガラスからなる封着部材９でも
って封着した構成の外囲器１０を備えている。
１，誘電体層２及び保護層３が形成されたガラス製の上
部パネル側の基板４と、電極１とは直交する向きに沿っ
て配置された複数本の電極５及び誘電体層６が内表面上
に形成され、かつ、誘電体層６上の所定位置毎には発光
領域を区画する低融点ガラス製の隔壁７が並列形成され
たガラス製の下部パネル側の基板８とを対向配置したう
えで、外周端縁を低融点ガラスからなる封着部材９でも
って封着した構成の外囲器１０を備えている。
【０００４】そして、隔壁７によって区画された各発光
領域毎の誘電体層６上にはカラー表示を実現するための
蛍光体１１が塗布されており、外囲器１０内には放電空
間１２で放電を行わせるため、下部パネル基板８の孔８
ａとチップ管１３を介してネオン及びキセノンを混合し
てなる放電ガスが約５００Ｔｏｒｒの圧力で封入されて
いる。なお、封入後、図に示すようにチップ管１３は封
止されている。
領域毎の誘電体層６上にはカラー表示を実現するための
蛍光体１１が塗布されており、外囲器１０内には放電空
間１２で放電を行わせるため、下部パネル基板８の孔８
ａとチップ管１３を介してネオン及びキセノンを混合し
てなる放電ガスが約５００Ｔｏｒｒの圧力で封入されて
いる。なお、封入後、図に示すようにチップ管１３は封
止されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極１
は銀などの材料を含むペ−ストを印刷工程、焼成工程を
用いて形成する場合、またはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ（クロム
・銅・クロム）を真空成膜工程により形成し、フォトリ
ソグラフィ−法によるパタ−ニング工程により電極とす
る場合があるが、この形成された電極１上に、誘電体層
２を形成すると、電極１の段差部、電極１表面の凹凸、
基板４・電極１での塗れ性の違いにより気泡を巻き込ん
で誘電体層２が形成されてしまい、パネル化したとき誘
電体層２の耐電圧が低くなる。また、電極１上、電極１
サイドの突起、エッジにより部分的に電極１からみた誘
電体層２表面までの局所的な膜厚が薄くなり、誘電体層
２の耐電圧を低下させてしまう。以上のような課題が発
生し、製品の表示品位の不安定につながるため、電極
１、誘電体層２の形成の際の厳しい工程管理が必要とさ
れていた。
は銀などの材料を含むペ−ストを印刷工程、焼成工程を
用いて形成する場合、またはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ（クロム
・銅・クロム）を真空成膜工程により形成し、フォトリ
ソグラフィ−法によるパタ−ニング工程により電極とす
る場合があるが、この形成された電極１上に、誘電体層
２を形成すると、電極１の段差部、電極１表面の凹凸、
基板４・電極１での塗れ性の違いにより気泡を巻き込ん
で誘電体層２が形成されてしまい、パネル化したとき誘
電体層２の耐電圧が低くなる。また、電極１上、電極１
サイドの突起、エッジにより部分的に電極１からみた誘
電体層２表面までの局所的な膜厚が薄くなり、誘電体層
２の耐電圧を低下させてしまう。以上のような課題が発
生し、製品の表示品位の不安定につながるため、電極
１、誘電体層２の形成の際の厳しい工程管理が必要とさ
れていた。
【０００６】本発明は、これらの不都合に鑑みて創案さ
れたものであり、誘電体層での耐電圧が高く、放電特性
の良好な優れた表示品位を実現するガス放電パネルと、
そのパネルを安定して製造することを実現する製造方法
を提供することを目的としている。
れたものであり、誘電体層での耐電圧が高く、放電特性
の良好な優れた表示品位を実現するガス放電パネルと、
そのパネルを安定して製造することを実現する製造方法
を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るガス放電パ
ネルの製造方法は、誘電体層を形成する前に、電極をプ
ラズマに曝すことを特徴とする。
ネルの製造方法は、誘電体層を形成する前に、電極をプ
ラズマに曝すことを特徴とする。
【０００８】また、誘電体層の形成前に電極を酸素を含
むプラズマに曝すことを特徴とする。また、誘電体層の
形成前に、電極をプラズマに曝す際、電極に電圧を印加
することを特徴とする。
むプラズマに曝すことを特徴とする。また、誘電体層の
形成前に、電極をプラズマに曝す際、電極に電圧を印加
することを特徴とする。
【０００９】また、誘電体層を形成する前に、電極に対
して酸素を含む雰囲気中で紫外線ランプを照射すること
を特徴とする。また、誘電体層を形成する前に、電極お
よびその近傍をレーザ掃引することを特徴とする。
して酸素を含む雰囲気中で紫外線ランプを照射すること
を特徴とする。また、誘電体層を形成する前に、電極お
よびその近傍をレーザ掃引することを特徴とする。
【００１０】また、誘電体層を形成する前に、電極を陽
極酸化処理することを特徴とする。また、誘電体層を形
成する前に、電極上にメッキ処理することを特徴とす
る。
極酸化処理することを特徴とする。また、誘電体層を形
成する前に、電極上にメッキ処理することを特徴とす
る。
【００１１】本発明のガス放電パネルの製造方法によ
り、電極に起因する誘電体の耐電圧の低下を防ぐことが
できるため、放電特性が良好なガス放電パネルを安定し
て得られるという利点がある。
り、電極に起因する誘電体の耐電圧の低下を防ぐことが
できるため、放電特性が良好なガス放電パネルを安定し
て得られるという利点がある。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１３】（発明の実施の形態１）図１（ａ）は本実
施の形態に係るＰＤＰの要部構成とその工程を示す概略
断面図である。尚、以下の各図において、従来例と同じ
構成要素には同じ番号を付加する。
施の形態に係るＰＤＰの要部構成とその工程を示す概略
断面図である。尚、以下の各図において、従来例と同じ
構成要素には同じ番号を付加する。
【００１４】電極１のプラズマ処理の一工程を示すもの
である。酸素を含む雰囲気中でプラズマを発生させ、電
極１表面を酸化させる工程を備えた装置を示す。真空チ
ャンバ１４にはプラズマ発生用の電極になるＲＦ電極
（基板ホルダ）１５、ＲＦ電源１６、不活性ガスのアル
ゴン用のアルゴンガス導入手段１７、また酸素を導入す
るための酸素ガス導入手段１８が接続されたガス導入口
１９、真空排気装置２０を具備している。以下図１
（ａ）に基づきその工程を説明する。
である。酸素を含む雰囲気中でプラズマを発生させ、電
極１表面を酸化させる工程を備えた装置を示す。真空チ
ャンバ１４にはプラズマ発生用の電極になるＲＦ電極
（基板ホルダ）１５、ＲＦ電源１６、不活性ガスのアル
ゴン用のアルゴンガス導入手段１７、また酸素を導入す
るための酸素ガス導入手段１８が接続されたガス導入口
１９、真空排気装置２０を具備している。以下図１
（ａ）に基づきその工程を説明する。
【００１５】電極１が形成された基板４をＲＦ電極（基
板ホルダ）１５に設置し、真空排気装置２０により真空
排気する。所定の真空度に到達した後、ガス導入口１９
よりアルゴンと酸素の混合ガスを導入し、所定の真空度
に設定した後、ＲＦ電源１６を作動させ、プラズマ２１
を発生させる。酸素を含むプラズマにより電極１の表面
は酸化され電極１表面に酸化層が均一に形成される。こ
れにより電極１自身表面での耐電圧を持つため、上部に
誘電体層を形成すると、誘電体層のみによる耐電圧以上
の耐電圧を有することができる。
板ホルダ）１５に設置し、真空排気装置２０により真空
排気する。所定の真空度に到達した後、ガス導入口１９
よりアルゴンと酸素の混合ガスを導入し、所定の真空度
に設定した後、ＲＦ電源１６を作動させ、プラズマ２１
を発生させる。酸素を含むプラズマにより電極１の表面
は酸化され電極１表面に酸化層が均一に形成される。こ
れにより電極１自身表面での耐電圧を持つため、上部に
誘電体層を形成すると、誘電体層のみによる耐電圧以上
の耐電圧を有することができる。
【００１６】また、誘電体を形成した際、電極近傍にお
ける気泡の発生が少ない現象が確認された。これはプラ
ズマに曝されることにより、電極１および基板４の表面
状態が変化し、例えば親水性の状態が向上し、誘電体ペ
−ストを塗布するときの塗れ性が向上し、その結果、電
極１エッジ部での気泡の巻き込みが減少したのではない
かと推察される。
ける気泡の発生が少ない現象が確認された。これはプラ
ズマに曝されることにより、電極１および基板４の表面
状態が変化し、例えば親水性の状態が向上し、誘電体ペ
−ストを塗布するときの塗れ性が向上し、その結果、電
極１エッジ部での気泡の巻き込みが減少したのではない
かと推察される。
【００１７】また、電極１に発生した針の様な突起は、
プラズマ２１からの電流が集中するためか、熱が他に逃
げにくいためか不明であるが、針のような突起部は丸み
を帯び小さくなるため、結果として耐電圧を向上させる
要因の一つにもなっていると推察される。
プラズマ２１からの電流が集中するためか、熱が他に逃
げにくいためか不明であるが、針のような突起部は丸み
を帯び小さくなるため、結果として耐電圧を向上させる
要因の一つにもなっていると推察される。
【００１８】以上のように電極をプラズマに曝すことに
より、耐電圧の高い放電特性の良好なパネルを形成する
ことができる。
より、耐電圧の高い放電特性の良好なパネルを形成する
ことができる。
【００１９】尚、本実施の形態においては、ＲＦ電極
（基板ホルダ）１５にＲＦ電源１６の信号を加え、プラ
ズマ２１を電極１および基板４上で発生させたが、図１
（ｂ）に示すように、例えばＲＦ電源１６、ＲＦ用コイ
ル（水冷）２２、ガラス管２３によってプラズマ２４を
発生させ、電極１、基板４のプラズマ処理を行ってもよ
く，本実施の形態に限定されるものではない。
（基板ホルダ）１５にＲＦ電源１６の信号を加え、プラ
ズマ２１を電極１および基板４上で発生させたが、図１
（ｂ）に示すように、例えばＲＦ電源１６、ＲＦ用コイ
ル（水冷）２２、ガラス管２３によってプラズマ２４を
発生させ、電極１、基板４のプラズマ処理を行ってもよ
く，本実施の形態に限定されるものではない。
【００２０】また、本実施の形態においては、ＲＦ電極
（基板ホルダ）１５にＲＦ電源１６の信号を加え、プラ
ズマ２１を電極１および基板４上で発生させたが、図２
に示すように，例えばＲＦ電源１６からの信号を基板４
上の端部で、電極１に印加する構成を持たせ、電極１の
周囲に高密度なプラズ２６を発生させることにより、電
極１の酸化を促進してもよく、本実施の形態に限定され
るものではない。
（基板ホルダ）１５にＲＦ電源１６の信号を加え、プラ
ズマ２１を電極１および基板４上で発生させたが、図２
に示すように，例えばＲＦ電源１６からの信号を基板４
上の端部で、電極１に印加する構成を持たせ、電極１の
周囲に高密度なプラズ２６を発生させることにより、電
極１の酸化を促進してもよく、本実施の形態に限定され
るものではない。
【００２１】（発明の実施の形態２）図３は、本実施の
形態に係るＰＤＰの要部構成とその工程を示す概略断面
図で、電極のＵＶ照射処理の一工程を示すものである。
形態に係るＰＤＰの要部構成とその工程を示す概略断面
図で、電極のＵＶ照射処理の一工程を示すものである。
【００２２】電極１が形成された基板４を、酸素ガス導
入手段１８、真空排気装置２０、３６６ｎｍ付近の波長
を主とする紫外線照射ランプ２７が具備された真空チャ
ンバ１４内の基板加熱冷却機構を有する基板ホルダ２８
に設置し、真空排気装置２０により所定の真空度まで真
空排気した後、酸素ガス導入手段１８より酸素ガスを導
入（３０００ｃｃｍ）し、真空排気装置２０により真空
チャンバ１４内の圧力を所定の圧力（５０Ｔｏｒｒ）に
調整する。また、基板ホルダ２８の温度を１００℃に制
御し、基板４を加熱する。その後、紫外線照射ランプ２
７を点灯し、照射する。
入手段１８、真空排気装置２０、３６６ｎｍ付近の波長
を主とする紫外線照射ランプ２７が具備された真空チャ
ンバ１４内の基板加熱冷却機構を有する基板ホルダ２８
に設置し、真空排気装置２０により所定の真空度まで真
空排気した後、酸素ガス導入手段１８より酸素ガスを導
入（３０００ｃｃｍ）し、真空排気装置２０により真空
チャンバ１４内の圧力を所定の圧力（５０Ｔｏｒｒ）に
調整する。また、基板ホルダ２８の温度を１００℃に制
御し、基板４を加熱する。その後、紫外線照射ランプ２
７を点灯し、照射する。
【００２３】紫外線照射ランプにより雰囲気中の酸素は
活性なオゾンとなる基板４、電極１近傍に存在すること
になる。活性なオゾンにより、電極１の表面においては
酸化が促進され、電極１表面上に均一な酸化層が形成さ
れる。これにより、電極１自身表面での耐電圧を持つた
め、上部に誘電体層を形成すると誘電体層のみによる耐
電圧以上の耐電圧を有することができる。
活性なオゾンとなる基板４、電極１近傍に存在すること
になる。活性なオゾンにより、電極１の表面においては
酸化が促進され、電極１表面上に均一な酸化層が形成さ
れる。これにより、電極１自身表面での耐電圧を持つた
め、上部に誘電体層を形成すると誘電体層のみによる耐
電圧以上の耐電圧を有することができる。
【００２４】なお、本実施の形態においては真空チャン
バ１４内で処理を行ったが、大気中でもよく、本実施の
形態に限定されるものではない。
バ１４内で処理を行ったが、大気中でもよく、本実施の
形態に限定されるものではない。
【００２５】（発明の実施の形態３）図４は、本実施の
形態に係るＰＤＰの要部構成とその工程を示す概略断面
図であり、電極のレ−ザ−掃引処理の一工程を示すもの
である。
形態に係るＰＤＰの要部構成とその工程を示す概略断面
図であり、電極のレ−ザ−掃引処理の一工程を示すもの
である。
【００２６】基板ホルダ２５に設置された基板４上の電
極１近傍をレ−ザ−により掃引するためにレ−ザ−２
９、レ−ザ−光を集光、また電極上を掃引するための光
学手段３０を具備している。以下図４に基づきその工程
を説明する。
極１近傍をレ−ザ−により掃引するためにレ−ザ−２
９、レ−ザ−光を集光、また電極上を掃引するための光
学手段３０を具備している。以下図４に基づきその工程
を説明する。
【００２７】電極１が形成された基板４を基板ホルダ２
５に設置し、レ−ザ−発振器２９を発振させ、電極１上
部を掃引する。光学手段３０により、レ−ザ−光を掃引
しても、基板ホルダ２５を動かしてもよい。
５に設置し、レ−ザ−発振器２９を発振させ、電極１上
部を掃引する。光学手段３０により、レ−ザ−光を掃引
しても、基板ホルダ２５を動かしてもよい。
【００２８】レ−ザ−が照射された電極１表面では針の
ような突起部は、レ−ザ−の熱により、昇華もしくは溶
けて、突起部が消失する。また、電極１のエッジ部にお
いても、レ−ザ−の照射により一部融解し、丸みを帯び
た形状になるため、誘電体形成時、気泡を巻き込みにく
い形状に変化する。また、大気中、もしくは酸素を含む
雰囲気中でレ−ザ−掃引を実施することにより、電極１
表面は酸化され電極表面に酸化層が均一に形成される。
ような突起部は、レ−ザ−の熱により、昇華もしくは溶
けて、突起部が消失する。また、電極１のエッジ部にお
いても、レ−ザ−の照射により一部融解し、丸みを帯び
た形状になるため、誘電体形成時、気泡を巻き込みにく
い形状に変化する。また、大気中、もしくは酸素を含む
雰囲気中でレ−ザ−掃引を実施することにより、電極１
表面は酸化され電極表面に酸化層が均一に形成される。
【００２９】以上の効果により、電極１の突起等に起因
する誘電体層２の耐電圧の低下防止でき、また、電極１
表面上に酸化層が形成される。これにより電極１自身表
面での耐電圧を持つため、上部に誘電体層を形成すると
誘電体層のみによる耐電圧以上の耐電圧を有することが
できる。
する誘電体層２の耐電圧の低下防止でき、また、電極１
表面上に酸化層が形成される。これにより電極１自身表
面での耐電圧を持つため、上部に誘電体層を形成すると
誘電体層のみによる耐電圧以上の耐電圧を有することが
できる。
【００３０】（発明の実施の形態４）図５は、本実施の
形態に係るＰＤＰの要部構成とその工程を示す概略断面
図であり、電極の陽極酸化処理の一工程を示すものであ
る。
形態に係るＰＤＰの要部構成とその工程を示す概略断面
図であり、電極の陽極酸化処理の一工程を示すものであ
る。
【００３１】電極１が形成された基板４の端部において
電極１に探針３１を接触させ、支持治具３２により固定
されている。例えばクエン酸の水溶液の漕３３に基板４
等を浸漬し、同じく浸漬させている対向電極３４と電源
３５を介して電気的に接続されている。
電極１に探針３１を接触させ、支持治具３２により固定
されている。例えばクエン酸の水溶液の漕３３に基板４
等を浸漬し、同じく浸漬させている対向電極３４と電源
３５を介して電気的に接続されている。
【００３２】電源からの電圧を印加することによって、
電極１の表面は酸化され均一な酸化層が形成される。こ
れにより、電極１自身表面での耐電圧を持つため、上部
に誘電体層を形成すると誘電体層のみによる耐電圧以上
の耐電圧を有することができる。
電極１の表面は酸化され均一な酸化層が形成される。こ
れにより、電極１自身表面での耐電圧を持つため、上部
に誘電体層を形成すると誘電体層のみによる耐電圧以上
の耐電圧を有することができる。
【００３３】本実施の形態においては、電極１表面の酸
化処理を実施したが、メッキ処理等により表面に酸化膜
を形成してもよく、本実施例に限定されるものではな
い。
化処理を実施したが、メッキ処理等により表面に酸化膜
を形成してもよく、本実施例に限定されるものではな
い。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電極に
起因する誘電体の耐電圧の低下を防げるため、耐電圧の
高い放電特性が良好なガス放電パネルを安定して得られ
るという利点がある。
起因する誘電体の耐電圧の低下を防げるため、耐電圧の
高い放電特性が良好なガス放電パネルを安定して得られ
るという利点がある。
【図１】（ａ），（ｂ）本発明の実施の形態１に係るＰ
ＤＰの要部構成とその工程を示す概略断面図
ＤＰの要部構成とその工程を示す概略断面図
【図２】本発明の実施の形態１に係るＰＤＰの要部構成
とその工程を示す概略断面図
とその工程を示す概略断面図
【図３】本発明の実施の形態２に係るＰＤＰの要部構成
とその工程を示す概略断面図
とその工程を示す概略断面図
【図４】本発明の実施の形態３に係るＰＤＰの要部構成
とその工程を示す概略断面図
とその工程を示す概略断面図
【図５】本発明の実施の形態４に係るＰＤＰの要部構成
とその工程を示す概略断面図
とその工程を示す概略断面図
【図６】従来のＰＤＰを簡略化して示す破断斜視図
１ 電極
４ 基板
１４ 真空チャンバ
１５ ＲＦ電極（基板ホルダ）
１６ ＲＦ電源
１７ アルゴンガス導入手段
１８ 酸素ガス導入手段
１９ ガス導入手段
２０ 真空排気装置
２１ プラズマ
２２ ＲＦ用コイル（水冷）
２３ ガラス管
２４ プラズマ
２５ 基板ホルダ
２６ プラズマ
２７ 紫外線ランプ
２８ 基板ホルダ
２９ レ−ザ−発振器
３０ 光学手段
３１ 探針
３２ 支持治具
３３ クエン酸の水溶液の漕
３４ 対向電極
３５ 電源
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2001−118495（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 9/02
H01J 11/02
Claims (7)
- 【請求項１】電極、誘電体層が形成された基板を用いる
ガス放電パネルにおいて、前記電極を焼成した後、前記
誘電体層を形成する前に、前記電極をプラズマに曝すこ
とを特徴とするガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項２】電極、誘電体層が形成された基板を用いる
ガス放電パネルにおいて、前記電極を焼成した後、前記
誘電体層を形成する前に、前記電極を酸素を含むプラズ
マに曝すことを特徴とする請求項１記載のガス放電パネ
ルの製造方法。 - 【請求項３】電極、誘電体層が形成された基板を用いる
ガス放電パネルにおいて、前記電極を焼成した後、前記
誘電体層を形成する前に、前記電極をプラズマに曝す
際、前記電極に電圧を印加することを特徴とする請求項
１または２記載のガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項４】電極、誘電体層が形成された基板を用いる
ガス放電パネルにおいて、前記電極を焼成した後、前記
誘電体層を形成する前に、前記電極に対して酸素を含む
雰囲気中で紫外線ランプを照射することを特徴とするガ
ス放電パネルの製造方法。 - 【請求項５】電極、誘電体層が形成された基板を用いる
ガス放電パネルにおいて、前記電極を焼成した後、前記
誘電体層を形成する前に、前記電極およびその近傍をレ
ーザ掃引することを特徴とするガス放電パネルの製造方
法。 - 【請求項６】電極、誘電体層が形成された基板を用いる
ガス放電パネルにおいて、前記電極を焼成した後、前記
誘電体層を形成する前に、前記電極を陽極酸化処理する
ことを特徴とするガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項７】電極、誘電体層が形成された基板を用いる
ガス放電パネルにおいて、前記電極を焼成した後、前記
誘電体層を形成する前に、前記電極上にメッキ処理する
ことを特徴とするガス放電パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8113199A JP3399395B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | ガス放電パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8113199A JP3399395B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | ガス放電パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276080A JP2000276080A (ja) | 2000-10-06 |
| JP3399395B2 true JP3399395B2 (ja) | 2003-04-21 |
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ID=13737852
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|---|---|---|---|
| JP8113199A Expired - Fee Related JP3399395B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | ガス放電パネルの製造方法 |
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| JP (1) | JP3399395B2 (ja) |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP8113199A patent/JP3399395B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2000276080A (ja) | 2000-10-06 |
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