JP3399231B2 - イットリウムシリケート蛍光体の製造方法 - Google Patents
イットリウムシリケート蛍光体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イットリウムシリケー
ト蛍光体の製造方法に係り、特に、投写管用緑色発光蛍
光体として使用される、γ特性及び温度特性が良好で、
かつ長寿命なイットリウムシリケート蛍光体の製造方法
に関する。
ト蛍光体の製造方法に係り、特に、投写管用緑色発光蛍
光体として使用される、γ特性及び温度特性が良好で、
かつ長寿命なイットリウムシリケート蛍光体の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】大型画面用のカラーテレビは、青、緑、
赤のモノクロームＣＲＴ３個を用いてスクリーン上に拡
大投写し、カラー映像を写し出す投写型ディスプレイが
使用されている。大画面であって、しかも高輝度の映像
を実現するには、モノクロームＣＲＴ（投写管）の蛍光
面には高電圧、高電流が印加して使用される。その為に
蛍光面を構成する蛍光体には次のような特性が要求され
る。
赤のモノクロームＣＲＴ３個を用いてスクリーン上に拡
大投写し、カラー映像を写し出す投写型ディスプレイが
使用されている。大画面であって、しかも高輝度の映像
を実現するには、モノクロームＣＲＴ（投写管）の蛍光
面には高電圧、高電流が印加して使用される。その為に
蛍光面を構成する蛍光体には次のような特性が要求され
る。
【０００３】（１）投写管の内面に塗布される蛍光体に
は、高電流を流しても輝度が飽和しない輝度−電流特性
（γ特性）の良好な蛍光体が望まれる。これは、大画面
上にしかも高輝度に拡大投写する必要からの条件であ
る。
は、高電流を流しても輝度が飽和しない輝度−電流特性
（γ特性）の良好な蛍光体が望まれる。これは、大画面
上にしかも高輝度に拡大投写する必要からの条件であ
る。
【０００４】（２）高温でも安定に高輝度な発光を有す
る蛍光体である。（温度特性）投写管用蛍光体には上述
したように極めて大きな電力が投入される。これは通常
のＣＲＴに比べ、およそ１０００倍程度にも達する。そ
の為に、発光に使用されなかったエネルギーは全て熱を
発生する。その結果、投写管内部の蛍光体は１００℃以
上にも加熱されることとなり、高温でも輝度低下の起こ
りにくい蛍光体であることが要求される。
る蛍光体である。（温度特性）投写管用蛍光体には上述
したように極めて大きな電力が投入される。これは通常
のＣＲＴに比べ、およそ１０００倍程度にも達する。そ
の為に、発光に使用されなかったエネルギーは全て熱を
発生する。その結果、投写管内部の蛍光体は１００℃以
上にも加熱されることとなり、高温でも輝度低下の起こ
りにくい蛍光体であることが要求される。
【０００５】（３）高付加の条件で励起発光されても長
寿命である。さらに、このような大電流が流されて使用
される為に、結晶の破壊の起こり難くい安定した結晶構
造の蛍光体であることが要求される。
寿命である。さらに、このような大電流が流されて使用
される為に、結晶の破壊の起こり難くい安定した結晶構
造の蛍光体であることが要求される。
【０００６】蛍光体母体或いは付活剤が希土類元素で構
成される希土類蛍光体は、一般的にこれらの（１）〜
（３）の特性に優れているため投写管用に適しており、
投写管用緑色発光蛍光体としてテルビウムで付活された
高温度下での使用に比較的強いシリケート系蛍光体であ
る組成式がＹ2ＳｉＯ5：Ｔｂとして表現されるイットリ
ウムシリケート蛍光体が用いらる。
成される希土類蛍光体は、一般的にこれらの（１）〜
（３）の特性に優れているため投写管用に適しており、
投写管用緑色発光蛍光体としてテルビウムで付活された
高温度下での使用に比較的強いシリケート系蛍光体であ
る組成式がＹ2ＳｉＯ5：Ｔｂとして表現されるイットリ
ウムシリケート蛍光体が用いらる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ蛍光
体は上述した（１）〜（３）の特性を満たし、現在投写
管用緑色蛍光体として最も実用的な蛍光体の一つである
が、本発明の課題は、これらの特性を更に改善できるイ
ットリウムシリケート蛍光体を提供することにある。す
なわち、輝度−電流特性（γ特性）、温度特性、寿命特
性が更に良好であるイットリウムシリケート蛍光体を提
供することを目的とする。
体は上述した（１）〜（３）の特性を満たし、現在投写
管用緑色蛍光体として最も実用的な蛍光体の一つである
が、本発明の課題は、これらの特性を更に改善できるイ
ットリウムシリケート蛍光体を提供することにある。す
なわち、輝度−電流特性（γ特性）、温度特性、寿命特
性が更に良好であるイットリウムシリケート蛍光体を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決するには蛍光体そのものの結晶安定性を改善するこ
とがポイントであると考えた。そして、特に、希土類酸
化物原料の粒子的性質に着目して、これが最終の蛍光体
の上述した発光性能に大きく影響すると考え、多くの希
土類酸化物の粒子について鋭意検討した結果、蛍光体原
料として最適な粒子形状、粒径、粒度分布が存在し、最
適な焼成温度と組み合わせることで、上述した課題を解
決できることを見いだし本発明を完成させるに至った。
解決するには蛍光体そのものの結晶安定性を改善するこ
とがポイントであると考えた。そして、特に、希土類酸
化物原料の粒子的性質に着目して、これが最終の蛍光体
の上述した発光性能に大きく影響すると考え、多くの希
土類酸化物の粒子について鋭意検討した結果、蛍光体原
料として最適な粒子形状、粒径、粒度分布が存在し、最
適な焼成温度と組み合わせることで、上述した課題を解
決できることを見いだし本発明を完成させるに至った。
【０００９】すなわち、本発明のイットリウムシリケー
ト蛍光体の製造方法は、希土類酸化物と二酸化ケイ素か
らなる混合原料を焼成するイットリウムシリケート蛍光
体の製造方法において、前記希土類酸化物は、次の条件
を満たし、粒子形状が球状で粒のそろった粒度分布を持
ち、前記混合原料を１４００℃〜１６５０℃の範囲でフ
ラックスを添加せずに焼成することを特徴とする。 Ｄl／Ｄs≦１．５ ２．０≦Ｄa≦６．０ ２．０≦Ｄm≦１２．０ １．０≦Ｄm／Ｄa≦２．０ ０≦σlog≦０．３０ ここで、Ｄlは粒子の長径（μｍ）、Ｄsは短径（μ
ｍ）、Ｄaは平均粒径（μｍ）、Ｄmは中央粒径（μ
ｍ）、σlogは粒度分布の広がりを示す指標である。
ト蛍光体の製造方法は、希土類酸化物と二酸化ケイ素か
らなる混合原料を焼成するイットリウムシリケート蛍光
体の製造方法において、前記希土類酸化物は、次の条件
を満たし、粒子形状が球状で粒のそろった粒度分布を持
ち、前記混合原料を１４００℃〜１６５０℃の範囲でフ
ラックスを添加せずに焼成することを特徴とする。 Ｄl／Ｄs≦１．５ ２．０≦Ｄa≦６．０ ２．０≦Ｄm≦１２．０ １．０≦Ｄm／Ｄa≦２．０ ０≦σlog≦０．３０ ここで、Ｄlは粒子の長径（μｍ）、Ｄsは短径（μ
ｍ）、Ｄaは平均粒径（μｍ）、Ｄmは中央粒径（μ
ｍ）、σlogは粒度分布の広がりを示す指標である。
【００１０】特に、前記希土類酸化物は、イットリウム
（Ｙ）と、テルビウム（Ｔｂ）、またはＣｅ（セリウ
ム）から選ばれる少なくとも１種の共沈酸化物である場
合、Ｔｂ付活のイットリウムシリケート（Ｙ2ＳｉＯ5：
Ｔｂ蛍光体）、Ｃｅ付活イットリウムシリケート蛍光体
（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ蛍光体）とすることができる。
（Ｙ）と、テルビウム（Ｔｂ）、またはＣｅ（セリウ
ム）から選ばれる少なくとも１種の共沈酸化物である場
合、Ｔｂ付活のイットリウムシリケート（Ｙ2ＳｉＯ5：
Ｔｂ蛍光体）、Ｃｅ付活イットリウムシリケート蛍光体
（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ蛍光体）とすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明において使用する希土類酸
化物の粒子の特徴は、粒子形状が球形であり、粒子の大
きさが２．０〜６．０μｍ程度であり、粒のそろった粒
度分布を持つことが特徴である。このような粒子の特徴
を持つ希土類酸化物は、特開平３−２７１１１７号、特
開平３−２７１１１８号、及び特開平８−５９２３３号
公報に開示される方法により得ることができる。
化物の粒子の特徴は、粒子形状が球形であり、粒子の大
きさが２．０〜６．０μｍ程度であり、粒のそろった粒
度分布を持つことが特徴である。このような粒子の特徴
を持つ希土類酸化物は、特開平３−２７１１１７号、特
開平３−２７１１１８号、及び特開平８−５９２３３号
公報に開示される方法により得ることができる。
【００１２】例えば、特開平８−５９２３３号公報に
は、希土類イオンと蓚酸イオンとの反応において、反応
開始から濾別、水洗までの間、−５℃以上２０℃以下に
保つとともに有機塩基の共存下に希土類蓚酸塩を沈殿さ
せ、濾別水洗後−５℃以上２０℃以下の水蒸気未飽和の
空気流中におくこと、または、−２０℃以上２０℃以下
での真空乾燥あるいは凍結真空乾燥によって付着水を除
去した後、焼成する方法が開示されている。本発明にお
いて、これらの方法により得られる球状希土類酸化物を
そのまま利用することはできるが、この方法に限るもの
ではない。また、この酸化物を分級することによりさら
に粒度分布のシャープな希土類酸化物粒子を得ることが
できる。
は、希土類イオンと蓚酸イオンとの反応において、反応
開始から濾別、水洗までの間、−５℃以上２０℃以下に
保つとともに有機塩基の共存下に希土類蓚酸塩を沈殿さ
せ、濾別水洗後−５℃以上２０℃以下の水蒸気未飽和の
空気流中におくこと、または、−２０℃以上２０℃以下
での真空乾燥あるいは凍結真空乾燥によって付着水を除
去した後、焼成する方法が開示されている。本発明にお
いて、これらの方法により得られる球状希土類酸化物を
そのまま利用することはできるが、この方法に限るもの
ではない。また、この酸化物を分級することによりさら
に粒度分布のシャープな希土類酸化物粒子を得ることが
できる。
【００１３】このような方法で得られる希土類酸化物を
シリカと化学量論比で混合し、フラックス（融剤）を使
用せず、１４００℃〜１６５０℃の高温で、電気炉、坩
堝、或いは焼成量等の条件にもよるが、２〜１０時間焼
成することで、本発明の蛍光体を得ることができる。
シリカと化学量論比で混合し、フラックス（融剤）を使
用せず、１４００℃〜１６５０℃の高温で、電気炉、坩
堝、或いは焼成量等の条件にもよるが、２〜１０時間焼
成することで、本発明の蛍光体を得ることができる。
【００１４】＜粒子の形状＞粒子の形状が球状であるこ
とにより、焼成時のＳｉＯ2（シリカ）との反応が均一
となり、イットリウムシリケート蛍光体の異常成長が起
こり難く、高温度であるに関わらずフラックスを使用せ
ずに均質な製品を焼成することができる。また、球状で
あるためにＳｉＯ2との乾式混合が均一に行われ、その
結果、焼成品の組成のばらつきが小さくなる。球状であ
ることは、粒子を顕微鏡でみると分かるが、形状を客観
的な指標で評価するには、希土類酸化物粒子の顕微鏡写
真の代表的な複数個の粒子の長径Ｄlと、短径Ｄsを測定
して、Ｄl／Ｄsの値を計算し、Ｄl／Ｄs≦１．５の関係
を満たす範囲であることが球状の範囲であり、焼成反応
に良好に作用する。
とにより、焼成時のＳｉＯ2（シリカ）との反応が均一
となり、イットリウムシリケート蛍光体の異常成長が起
こり難く、高温度であるに関わらずフラックスを使用せ
ずに均質な製品を焼成することができる。また、球状で
あるためにＳｉＯ2との乾式混合が均一に行われ、その
結果、焼成品の組成のばらつきが小さくなる。球状であ
ることは、粒子を顕微鏡でみると分かるが、形状を客観
的な指標で評価するには、希土類酸化物粒子の顕微鏡写
真の代表的な複数個の粒子の長径Ｄlと、短径Ｄsを測定
して、Ｄl／Ｄsの値を計算し、Ｄl／Ｄs≦１．５の関係
を満たす範囲であることが球状の範囲であり、焼成反応
に良好に作用する。
【００１５】図１にＤl／Ｄsと、輝度−電流特性（相対
γ特性）の関係をプロットする。ここで、相対γ特性と
は次のように定義する。測定サンプル蛍光面をデマンタ
ブル装置に装着し、０．０５μＡ／ｃｍ2の電流密度の
電子線で蛍光面を走査したときの基準蛍光体に対する相
対発光輝度Ｌ0.05を測定し、５０μＡ／ｃｍ2の電流密
度の電子線で蛍光面を走査したときの基準蛍光体に対す
る相対発光輝度Ｌ50を測定した場合、γ＝Ｌ50／Ｌ0.05
×１００％を相対γ特性として定義する。図１より、Ｄ
l／Ｄsの値が１に近づくに従い、すなわち真球に近づく
ほどγ特性が向上していることが分かる。Ｄl／Ｄsの値
は１．５以下で相対γ特性は１０１％を越えて効果が確
認できるようになる。
γ特性）の関係をプロットする。ここで、相対γ特性と
は次のように定義する。測定サンプル蛍光面をデマンタ
ブル装置に装着し、０．０５μＡ／ｃｍ2の電流密度の
電子線で蛍光面を走査したときの基準蛍光体に対する相
対発光輝度Ｌ0.05を測定し、５０μＡ／ｃｍ2の電流密
度の電子線で蛍光面を走査したときの基準蛍光体に対す
る相対発光輝度Ｌ50を測定した場合、γ＝Ｌ50／Ｌ0.05
×１００％を相対γ特性として定義する。図１より、Ｄ
l／Ｄsの値が１に近づくに従い、すなわち真球に近づく
ほどγ特性が向上していることが分かる。Ｄl／Ｄsの値
は１．５以下で相対γ特性は１０１％を越えて効果が確
認できるようになる。
【００１６】＜粒子の大きさ＞希土類酸化物の粒子径
は、蛍光体の目標粒径に依存する。蛍光体を大きくする
場合は希土類酸化物の粒径を大きくすることで可能とな
る。希土類酸化物の粒径は下式の範囲が適当である。 ２．０≦Ｄa≦６．０ ２．０≦Ｄm≦１２．０ ここでＤaは空気透過法であるＦｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ−Ｓ
ｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒを用いて測定される平均径であ
り、Ｄaは酸化物の比表面積から測定され、顕微鏡写真
でみる大小関係に近い粒子径に相当し、基本粒径という
ことができる。これに対しＤmは電気抵抗法の粒度分布
測定装置であるＥＬＺＯＮＥ８０ｘｙを用いて測定され
る中央粒径である。これは測定原理から分散状態にある
か凝集状態にあるかの知見を含んだ粒径ということがで
きる。
は、蛍光体の目標粒径に依存する。蛍光体を大きくする
場合は希土類酸化物の粒径を大きくすることで可能とな
る。希土類酸化物の粒径は下式の範囲が適当である。 ２．０≦Ｄa≦６．０ ２．０≦Ｄm≦１２．０ ここでＤaは空気透過法であるＦｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ−Ｓ
ｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒを用いて測定される平均径であ
り、Ｄaは酸化物の比表面積から測定され、顕微鏡写真
でみる大小関係に近い粒子径に相当し、基本粒径という
ことができる。これに対しＤmは電気抵抗法の粒度分布
測定装置であるＥＬＺＯＮＥ８０ｘｙを用いて測定され
る中央粒径である。これは測定原理から分散状態にある
か凝集状態にあるかの知見を含んだ粒径ということがで
きる。
【００１７】＜粒子の分散性＞通常、ＤmはＤaより大き
くなり、このことは凝集傾向にあることを示している。
それで、Ｄm／Ｄaの値は１に近いほど高い分散状態にあ
ることを意味する。希土類酸化物はＳｉＯ2と理想的に
混合される為には分散性が高い方が望ましい。凝集すれ
ば、ＳｉＯ2との均一な混合は行われない。Ｄm／Ｄaの
値はγ特性にも影響を与えるが、特に温度特性を改善す
るのに効果がある。
くなり、このことは凝集傾向にあることを示している。
それで、Ｄm／Ｄaの値は１に近いほど高い分散状態にあ
ることを意味する。希土類酸化物はＳｉＯ2と理想的に
混合される為には分散性が高い方が望ましい。凝集すれ
ば、ＳｉＯ2との均一な混合は行われない。Ｄm／Ｄaの
値はγ特性にも影響を与えるが、特に温度特性を改善す
るのに効果がある。
【００１８】図２にＤm／Ｄaと、温度特性の関係をプロ
ットする。ここで、温度特性は常温での発光輝度に対す
る、１１０℃の温度下の相対発光輝度であり、測定セル
を加熱しながら輝度を測定する。図２はこれを各Ｄm／
Ｄaの値に対し測定した。図２より、Ｄm／Ｄaの値が１
に近づくに従い、すなわち分散性が良いほど温度特性が
向上していることが分かる。Ｄm／Ｄaの値は温度特性が
９５％以上となる範囲、すなわち、１．０≦Ｄm／Ｄa≦
２．０の範囲であることが好ましい。
ットする。ここで、温度特性は常温での発光輝度に対す
る、１１０℃の温度下の相対発光輝度であり、測定セル
を加熱しながら輝度を測定する。図２はこれを各Ｄm／
Ｄaの値に対し測定した。図２より、Ｄm／Ｄaの値が１
に近づくに従い、すなわち分散性が良いほど温度特性が
向上していることが分かる。Ｄm／Ｄaの値は温度特性が
９５％以上となる範囲、すなわち、１．０≦Ｄm／Ｄa≦
２．０の範囲であることが好ましい。
【００１９】＜粒度分布＞希土類酸化物の粒子の重要な
要件の一つに粒度分布がシャープであることがある。す
なわち、希土類酸化物の粒子の粒がそろっていることが
重要である。そのことでＳｉＯ2との均一な混合が成さ
れ、焼成されるイットリウムシリケートの発光性能を向
上することができる。粒度分布がシャープであることを
示す指標としてσlogを用いて表現することができる。
ここで、σlogは次式で定義された値である。
要件の一つに粒度分布がシャープであることがある。す
なわち、希土類酸化物の粒子の粒がそろっていることが
重要である。そのことでＳｉＯ2との均一な混合が成さ
れ、焼成されるイットリウムシリケートの発光性能を向
上することができる。粒度分布がシャープであることを
示す指標としてσlogを用いて表現することができる。
ここで、σlogは次式で定義された値である。
【００２０】
σlog＝［Σ｛Ｐi（ｌｏｇＤi−ｌｏｇＤG）2｝］1/2
但し、ｌｏｇＤG＝ΣＰiｌｏｇＤi、ここで、Ｄiは階級
値、Ｐiは相対頻度、ｌｏｇはｅを底とする自然対数で
ある。
値、Ｐiは相対頻度、ｌｏｇはｅを底とする自然対数で
ある。
【００２１】実際のσlogの値は、希土類酸化物を水懸
濁液として、電気抵抗式の粒度分布測定装置であるＥＬ
ＺＯＮＥ８０ｘｙを用いて希土類酸化物の重量基準分布
を測定して、コンピューターにより上記式を計算して求
める。
濁液として、電気抵抗式の粒度分布測定装置であるＥＬ
ＺＯＮＥ８０ｘｙを用いて希土類酸化物の重量基準分布
を測定して、コンピューターにより上記式を計算して求
める。
【００２２】この値の物理的な意味は、測定粒径の対数
値の標準偏差値であり、これが小さいほど粒度分布はシ
ャープである。本発明において、希土類酸化物粒子のσ
logの値は上述した発光性能の全てにおいて向上するこ
とができるが、特に温度特性の向上に効果がある。
値の標準偏差値であり、これが小さいほど粒度分布はシ
ャープである。本発明において、希土類酸化物粒子のσ
logの値は上述した発光性能の全てにおいて向上するこ
とができるが、特に温度特性の向上に効果がある。
【００２３】図３にσlogと、温度特性の関係をプロッ
トする。Ｄm／Ｄaの値が１に近づくに従い、すなわち粒
度分布がシャープなほど分散性が良いほど温度特性が向
上している。σlogの値は温度特性が９０％以上の値を
示す範囲、すなわち、０≦σl og≦０．３の範囲である
ことが好ましい。
トする。Ｄm／Ｄaの値が１に近づくに従い、すなわち粒
度分布がシャープなほど分散性が良いほど温度特性が向
上している。σlogの値は温度特性が９０％以上の値を
示す範囲、すなわち、０≦σl og≦０．３の範囲である
ことが好ましい。
【００２４】本発明において、イットリウムシリケート
蛍光体は、１４００℃〜１６５０℃の高温度で焼成しす
る。しかも焼成時にフラックス（融剤）を一切使用しな
い。もし、多量のフラックスを使用する蛍光体の場合、
反応が比較的均質に起こり、しかも、もっと低温で焼成
できるが、この蛍光体では、フラックス成分の残留が蛍
光体の発光性能を低下することからフラックスを使用し
ない。それで、特に蛍光体原料混合物が高度に均一に混
合されたものでなければ異常反応が起こりやすくなる。
この異常反応を防ぐには、希土類酸化物はより均一に混
合され易いことが重要である。そのことで、発光性能の
優れたイットリウムシリケート蛍光体を得ることができ
る。
蛍光体は、１４００℃〜１６５０℃の高温度で焼成しす
る。しかも焼成時にフラックス（融剤）を一切使用しな
い。もし、多量のフラックスを使用する蛍光体の場合、
反応が比較的均質に起こり、しかも、もっと低温で焼成
できるが、この蛍光体では、フラックス成分の残留が蛍
光体の発光性能を低下することからフラックスを使用し
ない。それで、特に蛍光体原料混合物が高度に均一に混
合されたものでなければ異常反応が起こりやすくなる。
この異常反応を防ぐには、希土類酸化物はより均一に混
合され易いことが重要である。そのことで、発光性能の
優れたイットリウムシリケート蛍光体を得ることができ
る。
【００２５】寿命特性はデマンタブル装置に測定試料を
装着し、３０ｋｖの電圧、８．６μＡ／ｃｍ2の電流密
度の電子線で２５０時間走査した場合の輝度維持率
（％）で定義する。
装着し、３０ｋｖの電圧、８．６μＡ／ｃｍ2の電流密
度の電子線で２５０時間走査した場合の輝度維持率
（％）で定義する。
【００２６】本発明は、母体組成がイットリウムシリケ
ートである蛍光体ならば、効果があり、例えば、付活剤
がＴｂであるＹ2ＳｉＯ5：Ｔｂ蛍光体だけでなく、付活
剤がＣｅであるＹ2ＳｉＯ5：Ｃｅ蛍光体の発光性能を向
上することができる。Ｔｂ、Ｃｅ以外の付活剤であって
も同様である。
ートである蛍光体ならば、効果があり、例えば、付活剤
がＴｂであるＹ2ＳｉＯ5：Ｔｂ蛍光体だけでなく、付活
剤がＣｅであるＹ2ＳｉＯ5：Ｃｅ蛍光体の発光性能を向
上することができる。Ｔｂ、Ｃｅ以外の付活剤であって
も同様である。
【００２７】
［実施例１］（Ｙ1.84Ｔｂ0.14）2Ｏ3の組成で、次の粒
子特性を持つ希土類酸化物を１００ｇに対し、 Ｄl／Ｄs＝１．１ Ｄa＝３．４ Ｄm＝５．７ Ｄm／Ｄa＝１．６８ σlog＝０．２４４ ＳｉＯ2（シリカ）（Ｄa＝０．５、Ｄm＝０．８）を２
７ｇをボールミルにより混合して、坩堝に詰め、還元雰
囲気で１５８０℃で４時間焼成した。得られた蛍光体を
通常行う分散、水洗、乾燥し、篩いを通して、Ｙ1.84Ｔ
ｂ0.14ＳｉＯ5蛍光体を得た。電流特性、温度特性、寿
命特性を測定し結果を表１にまとめる。
子特性を持つ希土類酸化物を１００ｇに対し、 Ｄl／Ｄs＝１．１ Ｄa＝３．４ Ｄm＝５．７ Ｄm／Ｄa＝１．６８ σlog＝０．２４４ ＳｉＯ2（シリカ）（Ｄa＝０．５、Ｄm＝０．８）を２
７ｇをボールミルにより混合して、坩堝に詰め、還元雰
囲気で１５８０℃で４時間焼成した。得られた蛍光体を
通常行う分散、水洗、乾燥し、篩いを通して、Ｙ1.84Ｔ
ｂ0.14ＳｉＯ5蛍光体を得た。電流特性、温度特性、寿
命特性を測定し結果を表１にまとめる。
【００２８】［実施例２］（Ｙ1.84Ｔｂ0.14）2Ｏ3の組
成で、次の粒子特性を持つ希土類酸化物を、 Ｄl／Ｄs＝１．１ Ｄa＝２．３ Ｄm＝４．２ Ｄm／Ｄa＝１．８３ σlog＝０．２７１ とすること以外、実施例１と同様にしてイットリウムシ
リケート蛍光体を得た。電流特性、温度特性、寿命特性
を測定し結果を表１にまとめる。
成で、次の粒子特性を持つ希土類酸化物を、 Ｄl／Ｄs＝１．１ Ｄa＝２．３ Ｄm＝４．２ Ｄm／Ｄa＝１．８３ σlog＝０．２７１ とすること以外、実施例１と同様にしてイットリウムシ
リケート蛍光体を得た。電流特性、温度特性、寿命特性
を測定し結果を表１にまとめる。
【００２９】［実施例３］（Ｙ1.84Ｔｂ0.14）2Ｏ3の組
成で、次の粒子特性を持つ希土類酸化物を、 Ｄl／Ｄs＝１．１ Ｄa＝５．４ Ｄm＝８．４ Ｄm／Ｄa＝１．７５ σlog＝０．２５０ とすること以外、実施例１と同様にしてイットリウムシ
リケート蛍光体を得た。電流特性、温度特性、寿命特性
を測定し結果を表１にまとめる。
成で、次の粒子特性を持つ希土類酸化物を、 Ｄl／Ｄs＝１．１ Ｄa＝５．４ Ｄm＝８．４ Ｄm／Ｄa＝１．７５ σlog＝０．２５０ とすること以外、実施例１と同様にしてイットリウムシ
リケート蛍光体を得た。電流特性、温度特性、寿命特性
を測定し結果を表１にまとめる。
【００３０】［比較例１］（Ｙ1.84Ｔｂ0.14）2Ｏ3の組
成で、次の粒子特性を持つ希土類酸化物を、 Ｄl／Ｄs＝１．８ Ｄa＝３．４ Ｄm＝１１．１ Ｄm／Ｄa＝３．２６ σlog＝０．３８６ とすること以外、実施例１と同様にしてイットリウムシ
リケート蛍光体を得た。電流特性、温度特性、寿命特性
を測定し結果を表１にまとめる。
成で、次の粒子特性を持つ希土類酸化物を、 Ｄl／Ｄs＝１．８ Ｄa＝３．４ Ｄm＝１１．１ Ｄm／Ｄa＝３．２６ σlog＝０．３８６ とすること以外、実施例１と同様にしてイットリウムシ
リケート蛍光体を得た。電流特性、温度特性、寿命特性
を測定し結果を表１にまとめる。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】本発明の蛍光体の製造方法に従えば、蛍
光体の結晶の結晶性を向上することで、高電流を流して
も輝度飽和の少ないγ特性の良好な、高温でも輝度低下
の起こりにくい、温度特性が良好で高付加の条件で励起
発光されても長寿命であるイットリウムシリケート蛍光
体が得られる。
光体の結晶の結晶性を向上することで、高電流を流して
も輝度飽和の少ないγ特性の良好な、高温でも輝度低下
の起こりにくい、温度特性が良好で高付加の条件で励起
発光されても長寿命であるイットリウムシリケート蛍光
体が得られる。
【００３３】この蛍光体を投写管の内面の蛍光膜、ある
いはそれ以外の高電流密度で使用される用途の蛍光膜に
用いられた場合、高性能な陰極線管を提供することがで
きる。
いはそれ以外の高電流密度で使用される用途の蛍光膜に
用いられた場合、高性能な陰極線管を提供することがで
きる。
【００３４】特に、希土類酸化物としてＹとＴｂの共沈
酸化物である場合、投写管用に適したＹ2ＳｉＯ5：Ｔｂ
蛍光体を得ることができる。
酸化物である場合、投写管用に適したＹ2ＳｉＯ5：Ｔｂ
蛍光体を得ることができる。
【図１】Ｄl／Ｄsの値と相対γ特性の関係を示す特性
図。
図。
【図２】Ｄm／Ｄaの値と温度特性の関係を示す特性図。
【図３】σlogの値と温度特性の関係を示す特性図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C09K 11/79
C09K 11/08
Claims (3)
- 【請求項１】 希土類酸化物と二酸化ケイ素からなる混
合原料を焼成するイットリウムシリケート蛍光体の製造
方法において、 前記希土類酸化物は、次の条件を満たし、粒子形状が球
状で粒のそろった粒度分布を持ち、前記混合原料を１４
００℃〜１６５０℃の範囲でフラックスを添加せずに焼
成することを特徴とするイットリウムシリケート蛍光体
の製造方法。 Ｄｌ／Ｄｓ≦１．５ ２．０≦Ｄａ≦６．０ ２．０≦Ｄｍ≦１２．０ １．０≦Ｄｍ／Ｄａ≦２．０ ０≦σｌｏｇ≦０．３０ ここで、Ｄlは粒子の長径（μｍ）、Ｄｓは短径（μ
ｍ）、Ｄａは平均粒径（μｍ）、Ｄｍは中央粒径（μ
ｍ）、σｌｏｇは粒度分布の広がりを示す指標である。 - 【請求項２】 前記希土類酸化物は、イットリウム
（Ｙ）と、テルビウム（Ｔｂ）、またはＣｅ（セリウ
ム）から選ばれる少なくとも１種の共沈酸化物であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のイットリウムシリケー
ト蛍光体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のイットリウムシリケー
ト蛍光体の製造方法により得られるイットリウムシリケ
ート蛍光体において、そのγ特性が９３．８％以上、温
度特性が９４．２％以上、寿命特性が８９．１％以上で
あることを特徴とするイットリウムシリケート蛍光体。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP13304196A JP3399231B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | イットリウムシリケート蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13304196A JP3399231B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | イットリウムシリケート蛍光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09316444A JPH09316444A (ja) | 1997-12-09 |
| JP3399231B2 true JP3399231B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=15095437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13304196A Expired - Fee Related JP3399231B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | イットリウムシリケート蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399231B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000345148A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル、蛍光体および蛍光体膜ならびに蛍光体の製造方法 |
| US6884367B2 (en) | 2001-12-19 | 2005-04-26 | Sumitomo Chemical Company Limited | Method for producing silicate phosphor |
| JP4023222B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2007-12-19 | 住友化学株式会社 | ケイ酸塩蛍光体の製造方法 |
| KR100496046B1 (ko) * | 2002-08-27 | 2005-06-16 | 한국화학연구원 | 실리케이트계 형광체 및 그의 제조방법 |
| JP3872472B2 (ja) | 2003-11-12 | 2007-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 投写管用緑色発光イットリウムシリケート蛍光体及びそれを用いた投写管 |
| CN103140898B (zh) * | 2011-10-03 | 2015-09-30 | 株式会社东芝 | X射线检测器用增光纸、x射线检测器、以及x射线检查装置 |
-
1996
- 1996-05-28 JP JP13304196A patent/JP3399231B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH09316444A (ja) | 1997-12-09 |
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