JP3397565B2 - 光伝達電子回路基板および光伝達電子回路基板装置 - Google Patents
光伝達電子回路基板および光伝達電子回路基板装置Info
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- electronic circuit
- circuit board
- transmission electronic
- optical transmission
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光伝達電子回路基
板及び光コンピューター等に用いられる光データバスラ
インを具備した光伝達電子回路基板装置に関する。
板及び光コンピューター等に用いられる光データバスラ
インを具備した光伝達電子回路基板装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の光データバスラインを具
備した光伝達電子回路基板装置を示した斜視図である。
この光伝達電子回路基板装置は、光伝達電子回路基板５
１，６１から成り、一方の光伝達電子回路基板５１に設
けられた電子回路５５…にて生成されたデータを他方の
光伝達電子回路基板６１に設けられた電子回路６５…に
伝送するデータ伝送を光データバスラインにて行うよう
になっている。
備した光伝達電子回路基板装置を示した斜視図である。
この光伝達電子回路基板装置は、光伝達電子回路基板５
１，６１から成り、一方の光伝達電子回路基板５１に設
けられた電子回路５５…にて生成されたデータを他方の
光伝達電子回路基板６１に設けられた電子回路６５…に
伝送するデータ伝送を光データバスラインにて行うよう
になっている。
【０００３】即ち、一方の光伝達電子回路基板５１は、
発光素子アレイ５２を備え、この発光素子アレイ５２の
任意の発光部５２ａからデータ伝送のための光を他方の
光伝達電子回路基板６１に向けて出射する。他方の光伝
達電子回路基板６１は、前記の発光素子アレイ５２の各
発光部５２ａに対応させて受光部６２ａを配置させた受
光素子アレイ６２を備えており、任意の受光部６２ａに
て前記光を受けることにより、データを取得する。
発光素子アレイ５２を備え、この発光素子アレイ５２の
任意の発光部５２ａからデータ伝送のための光を他方の
光伝達電子回路基板６１に向けて出射する。他方の光伝
達電子回路基板６１は、前記の発光素子アレイ５２の各
発光部５２ａに対応させて受光部６２ａを配置させた受
光素子アレイ６２を備えており、任意の受光部６２ａに
て前記光を受けることにより、データを取得する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
光伝達電子回路基板装置では、光によるデータ伝送を１
対１、即ち、光伝達電子回路基板５１と光伝達電子回路
基板６１との間でしか行うことができない。従って、光
伝達電子回路基板５１から伝送されてくるデータを利用
することになる処理回路を光伝達電子回路基板６１上に
全て備える必要がある。このため、光伝達電子回路基板
６１が多くの電子回路６５…を搭載しなければならず、
基板サイズが大きくなって機器の小型化が図れない。ま
た、配線が長くなることによる信号の遅延や電磁輻射が
動作に悪影響を及ぼす恐れがある。
光伝達電子回路基板装置では、光によるデータ伝送を１
対１、即ち、光伝達電子回路基板５１と光伝達電子回路
基板６１との間でしか行うことができない。従って、光
伝達電子回路基板５１から伝送されてくるデータを利用
することになる処理回路を光伝達電子回路基板６１上に
全て備える必要がある。このため、光伝達電子回路基板
６１が多くの電子回路６５…を搭載しなければならず、
基板サイズが大きくなって機器の小型化が図れない。ま
た、配線が長くなることによる信号の遅延や電磁輻射が
動作に悪影響を及ぼす恐れがある。
【０００５】そこで、光伝達電子回路基板６１にも発光
素子アレイを設け、前記受光素子アレイ６２にて電気信
号に変換されたデータを再び上記発光素子アレイにて伝
送光に変換し、この伝送光を、光伝達電子回路基板６１
の図中上側において重ねて配置した図示しない他の光伝
達電子回路基板に向けて出射することにより、発光側を
“１”受光側を“複数”とする１対複数の光データ伝送
を行うことが考えられる。しかし、これでは光伝達電子
回路基板６１が伝送光の中継のためだけに発光素子アレ
イを備えることになり、コスト高になるばかりか発光素
子アレイを備える分だけサイズが大きくなってしまう。
素子アレイを設け、前記受光素子アレイ６２にて電気信
号に変換されたデータを再び上記発光素子アレイにて伝
送光に変換し、この伝送光を、光伝達電子回路基板６１
の図中上側において重ねて配置した図示しない他の光伝
達電子回路基板に向けて出射することにより、発光側を
“１”受光側を“複数”とする１対複数の光データ伝送
を行うことが考えられる。しかし、これでは光伝達電子
回路基板６１が伝送光の中継のためだけに発光素子アレ
イを備えることになり、コスト高になるばかりか発光素
子アレイを備える分だけサイズが大きくなってしまう。
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑み、発光素子ア
レイからの光を、多段に配置した光伝達電子回路基板の
それぞれに直接的に与えることにより１対複数の光デー
タ伝送を低コスト且つ小サイズで実現する光伝達電子回
路基板及び光伝達電子回路基板回路を提供することを目
的とする。
レイからの光を、多段に配置した光伝達電子回路基板の
それぞれに直接的に与えることにより１対複数の光デー
タ伝送を低コスト且つ小サイズで実現する光伝達電子回
路基板及び光伝達電子回路基板回路を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光伝達電子回路
基板は、不透明基板と、前記基板に搭載された電子回路
で構成される電子回路領域と、前記基板に形成された開
口部と、前記開口部に載置固定された透明基板部と、前
記透明基板部の一部分に設けられた受光素子からなる受
光領域と、前記透明基板部の前記受光素子の非形成領域
で構成された光通過領域と、を備えたことを特徴とす
る。
基板は、不透明基板と、前記基板に搭載された電子回路
で構成される電子回路領域と、前記基板に形成された開
口部と、前記開口部に載置固定された透明基板部と、前
記透明基板部の一部分に設けられた受光素子からなる受
光領域と、前記透明基板部の前記受光素子の非形成領域
で構成された光通過領域と、を備えたことを特徴とす
る。
【０００８】そして、本発明の光伝達電子回路基板装置
は、上記の構成を有する光伝達電子回路基板が複数枚多
段に重ねて配置されるとともに、前記の各基板は他の基
板における受光素子の形成部分に対応する部分に光通過
領域が形成されて成り、複数枚多段に重ねて配置された
光伝達電子回路基板の各受光素子に、複数の発光素子の
うちの対応する発光素子の光が到達するようになってい
ることを特徴とする。
は、上記の構成を有する光伝達電子回路基板が複数枚多
段に重ねて配置されるとともに、前記の各基板は他の基
板における受光素子の形成部分に対応する部分に光通過
領域が形成されて成り、複数枚多段に重ねて配置された
光伝達電子回路基板の各受光素子に、複数の発光素子の
うちの対応する発光素子の光が到達するようになってい
ることを特徴とする。
【０００９】上記の構成であれば、発光素子アレイに最
も近い側に配置されている第１段目の光伝達電子回路基
板が必要とするデータは、それが備える受光素子が前記
発光素子アレイからの光を受光することによって直に受
け取ることができ、前記第１段目の光伝達電子回路基板
の後段に設けられている第２段目の光伝達電子回路基板
が必要とするデータは、それが備える受光素子が第１段
目の光伝達電子回路基板における光通過領域を通過した
伝送光を受光することによって直接的に得ることがで
き、同様に、第３段目、或いは第４段目といった後段の
光伝達電子回路基板もその前段の光伝達電子回路基板の
光通過領域を通過した伝送光を受光することによって直
接的にデータを受け取ることができる。
も近い側に配置されている第１段目の光伝達電子回路基
板が必要とするデータは、それが備える受光素子が前記
発光素子アレイからの光を受光することによって直に受
け取ることができ、前記第１段目の光伝達電子回路基板
の後段に設けられている第２段目の光伝達電子回路基板
が必要とするデータは、それが備える受光素子が第１段
目の光伝達電子回路基板における光通過領域を通過した
伝送光を受光することによって直接的に得ることがで
き、同様に、第３段目、或いは第４段目といった後段の
光伝達電子回路基板もその前段の光伝達電子回路基板の
光通過領域を通過した伝送光を受光することによって直
接的にデータを受け取ることができる。
【００１０】これにより、発光側を“１”受光側を“複
数”とする１対複数の光データ伝送を行うことができ、
各光伝達電子回路基板が備えるべき処理回路を少なく
し、基板サイズを小さくし、かかる基板を複数枚多段に
重ねて機器の小型化を図ることができる。また、光伝達
電子回路基板が伝送光の中継のためだけに発光素子アレ
イを備えることがないので、当該発光素子アレイを備え
ることによるコスト高やサイズの大型化も回避すること
ができる。
数”とする１対複数の光データ伝送を行うことができ、
各光伝達電子回路基板が備えるべき処理回路を少なく
し、基板サイズを小さくし、かかる基板を複数枚多段に
重ねて機器の小型化を図ることができる。また、光伝達
電子回路基板が伝送光の中継のためだけに発光素子アレ
イを備えることがないので、当該発光素子アレイを備え
ることによるコスト高やサイズの大型化も回避すること
ができる。
【００１１】
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１３】図１は、この実施の形態の光伝達電子回路
基板装置を示した斜視図である。この光伝達電子回路基
板装置は、光伝達電子回路基板１１，２１，３１，４１
から成り、光伝達電子回路基板１１に設けられた電子回
路１５…にて生成されたデータを他の光伝達電子回路基
板２１，３１，４１に設けられた電子回路２５…，３５
…，４５…に伝送するデータ伝送を光データバスライン
にて行う。
基板装置を示した斜視図である。この光伝達電子回路基
板装置は、光伝達電子回路基板１１，２１，３１，４１
から成り、光伝達電子回路基板１１に設けられた電子回
路１５…にて生成されたデータを他の光伝達電子回路基
板２１，３１，４１に設けられた電子回路２５…，３５
…，４５…に伝送するデータ伝送を光データバスライン
にて行う。
【００１４】光伝達電子回路基板１１は、発光素子アレ
イ１２を備え、この発光素子アレイ１２の任意の発光部
１２ａからデータ伝送のための伝送光を他の光伝達電子
回路基板２１，３１，４１に向けて出射するようになっ
ている。発光素子アレイ１２は、発光部１２ａとして独
立駆動される赤外面発光レーザーダイオード（波長８６
０ｎｍ）を用い、これらを３００μｍピッチの３×３配
列で設けて成るものである。そして、発光素子アレイ１
２の前面側には、各発光部１２ａから照射された光を平
行光化するためのコリメートレンズアレイ９を配置して
ある。
イ１２を備え、この発光素子アレイ１２の任意の発光部
１２ａからデータ伝送のための伝送光を他の光伝達電子
回路基板２１，３１，４１に向けて出射するようになっ
ている。発光素子アレイ１２は、発光部１２ａとして独
立駆動される赤外面発光レーザーダイオード（波長８６
０ｎｍ）を用い、これらを３００μｍピッチの３×３配
列で設けて成るものである。そして、発光素子アレイ１
２の前面側には、各発光部１２ａから照射された光を平
行光化するためのコリメートレンズアレイ９を配置して
ある。
【００１５】光伝達電子回路基板２１は、電子回路２５
…が搭載された電子回路領域と、受光素子アレイ２２が
形成された受光領域と、図示しない開口部に載置固定さ
れた透明ガラス基板部２３からなる光通過領域とを有す
る。電子回路２５…と受光素子アレイ２２とは配線２６
…にて接続されている。受光素子アレイ２２は、前記発
光素子アレイ１２の各発光部１２ａ…のうちの３つの発
光部１２ａ…に対応する３つの受光部２２ａ…を備えて
成り、これら受光部２２ａが伝送光を受けることによ
り、光伝達電子回路基板１１からデータを取得するよう
になっている。
…が搭載された電子回路領域と、受光素子アレイ２２が
形成された受光領域と、図示しない開口部に載置固定さ
れた透明ガラス基板部２３からなる光通過領域とを有す
る。電子回路２５…と受光素子アレイ２２とは配線２６
…にて接続されている。受光素子アレイ２２は、前記発
光素子アレイ１２の各発光部１２ａ…のうちの３つの発
光部１２ａ…に対応する３つの受光部２２ａ…を備えて
成り、これら受光部２２ａが伝送光を受けることによ
り、光伝達電子回路基板１１からデータを取得するよう
になっている。
【００１６】受光部２２ａ…は前記の透明ガラス基板部
２３上の全領域の一部分を使用して形成されている。そ
して、この透明ガラス基板部２３の領域のうち前記受光
部２２ａを形成していない領域が光通過領域とされてい
る。光通過領域を貫通孔で形成することも可能である
が、透明ガラス基板部２３を用いて光通過領域としてい
るので、貫通孔形成の工程は不要であり、貫通孔の形成
による基板の強度低下も防止できる。
２３上の全領域の一部分を使用して形成されている。そ
して、この透明ガラス基板部２３の領域のうち前記受光
部２２ａを形成していない領域が光通過領域とされてい
る。光通過領域を貫通孔で形成することも可能である
が、透明ガラス基板部２３を用いて光通過領域としてい
るので、貫通孔形成の工程は不要であり、貫通孔の形成
による基板の強度低下も防止できる。
【００１７】光伝達電子回路基板３１は、電子回路３５
…が搭載された電子回路領域と、受光素子アレイ３２が
形成された受光領域と、図示しない開口部に載置固定さ
れた透明ガラス基板部３３からなる光通過領域とを有す
る。電子回路３５…と受光素子アレイ３２とは配線３６
…によって接続されている。受光素子アレイ３２は、前
記発光素子アレイ１２の各発光部１２ａ…のうちの３つ
の発光部１２ａ…（前記光伝達電子回路基板２１に対応
するもの以外）に対応する３つの受光部３２ａ…を備え
て成り、これら受光部３２ａが伝送光を受けることによ
り、光伝達電子回路基板１１からデータを取得するよう
になっている。受光部３２ａ…は前記の透明ガラス基板
部３３上の全領域の一部分を使用して形成されている。
そして、この透明ガラス基板部３３の領域のうち前記受
光部３２ａを形成していない領域が光通過領域とされて
いる。
…が搭載された電子回路領域と、受光素子アレイ３２が
形成された受光領域と、図示しない開口部に載置固定さ
れた透明ガラス基板部３３からなる光通過領域とを有す
る。電子回路３５…と受光素子アレイ３２とは配線３６
…によって接続されている。受光素子アレイ３２は、前
記発光素子アレイ１２の各発光部１２ａ…のうちの３つ
の発光部１２ａ…（前記光伝達電子回路基板２１に対応
するもの以外）に対応する３つの受光部３２ａ…を備え
て成り、これら受光部３２ａが伝送光を受けることによ
り、光伝達電子回路基板１１からデータを取得するよう
になっている。受光部３２ａ…は前記の透明ガラス基板
部３３上の全領域の一部分を使用して形成されている。
そして、この透明ガラス基板部３３の領域のうち前記受
光部３２ａを形成していない領域が光通過領域とされて
いる。
【００１８】光伝達電子回路基板４１は、電子回路４５
…が搭載された電子回路領域と、受光素子アレイ４２が
形成された受光領域と、図示しない開口部に載置固定さ
れた透明ガラス基板部４３からなる光通過領域とを有す
る。電子回路４５…と受光素子アレイ４２とは配線４６
…によって接続されている。受光素子アレイ４２は、前
記発光素子アレイ１２の各発光部１２ａ…のうちの３つ
の発光部１２ａ…（前記光伝達電子回路基板２１及び光
伝達電子回路基板３１に対応するもの以外）に対応する
３つの受光部４２ａ…を備えて成り、これら受光部４２
ａが伝送光を受けることにより、光伝達電子回路基板１
１からデータを取得するようになっている。受光部４２
ａ…は前記の透明ガラス基板部４３上の全領域の一部分
を使用して形成されている。そして、この透明ガラス基
板部４３の領域のうち前記受光部４２ａを形成していな
い領域が光通過領域とされている。
…が搭載された電子回路領域と、受光素子アレイ４２が
形成された受光領域と、図示しない開口部に載置固定さ
れた透明ガラス基板部４３からなる光通過領域とを有す
る。電子回路４５…と受光素子アレイ４２とは配線４６
…によって接続されている。受光素子アレイ４２は、前
記発光素子アレイ１２の各発光部１２ａ…のうちの３つ
の発光部１２ａ…（前記光伝達電子回路基板２１及び光
伝達電子回路基板３１に対応するもの以外）に対応する
３つの受光部４２ａ…を備えて成り、これら受光部４２
ａが伝送光を受けることにより、光伝達電子回路基板１
１からデータを取得するようになっている。受光部４２
ａ…は前記の透明ガラス基板部４３上の全領域の一部分
を使用して形成されている。そして、この透明ガラス基
板部４３の領域のうち前記受光部４２ａを形成していな
い領域が光通過領域とされている。
【００１９】図２は、前記の透明ガラス基板部２３（３
３，４３）に形成された一つの受光部２２ａ（３２ａ，
４２ａ）を示した斜視図である。透明ガラス基板部２３
を構成する材料として石英ガラス（厚さ１ｍｍ程度）を
用いている。また、受光部２２ａとしてはフォトダイオ
ードやフォトトランジスタを用いることができるが、こ
こでは光伝導型フォトディテクタを用いた例について説
明する。
３，４３）に形成された一つの受光部２２ａ（３２ａ，
４２ａ）を示した斜視図である。透明ガラス基板部２３
を構成する材料として石英ガラス（厚さ１ｍｍ程度）を
用いている。また、受光部２２ａとしてはフォトダイオ
ードやフォトトランジスタを用いることができるが、こ
こでは光伝導型フォトディテクタを用いた例について説
明する。
【００２０】光伝導型フォトディテクタから成る受光素
子アレイ２２を形成するには、例えば、透明ガラス基板
上にノンドープのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）薄
膜をＣＶＤ法により膜厚１μｍ程度に成膜し、受光部パ
ターンに合わせて不要部分をＲＩＥ（リアクティブイオ
ンエッチング法）にて除去する。このとき、受光部分と
なる薄膜部分が２００×２００μｍ2 となるようにエッ
チングしている。その後、電極材料を真空蒸着法により
ａ−Ｓｉ薄膜上に形成し、フォトリソグラフィー工程を
用いて電極８を形成する。電極材料としてはＡｌを用い
た。また、ａ−Ｓｉ薄膜上の電極８の線幅を５μｍ、線
間隔を１０μｍ、本数を９本とした。
子アレイ２２を形成するには、例えば、透明ガラス基板
上にノンドープのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）薄
膜をＣＶＤ法により膜厚１μｍ程度に成膜し、受光部パ
ターンに合わせて不要部分をＲＩＥ（リアクティブイオ
ンエッチング法）にて除去する。このとき、受光部分と
なる薄膜部分が２００×２００μｍ2 となるようにエッ
チングしている。その後、電極材料を真空蒸着法により
ａ−Ｓｉ薄膜上に形成し、フォトリソグラフィー工程を
用いて電極８を形成する。電極材料としてはＡｌを用い
た。また、ａ−Ｓｉ薄膜上の電極８の線幅を５μｍ、線
間隔を１０μｍ、本数を９本とした。
【００２１】次に、上記のごとく構成された光伝達電子
回路基板において、光によるデータ伝送の動作説明を行
う。
回路基板において、光によるデータ伝送の動作説明を行
う。
【００２２】光伝達電子回路基板１１の電子回路１５…
によって生成されたデータが配線１６を介して発光素子
アレイ１２に供給されると、この発光素子アレイ１２の
任意の発光部１２ａが伝送光を光伝達電子回路基板２
１，３１，４１に向けて出射する。出射された伝送光
は、光通過領域に至ればこれを通過し、受光部に至れば
当該受光部にて捉えられる。
によって生成されたデータが配線１６を介して発光素子
アレイ１２に供給されると、この発光素子アレイ１２の
任意の発光部１２ａが伝送光を光伝達電子回路基板２
１，３１，４１に向けて出射する。出射された伝送光
は、光通過領域に至ればこれを通過し、受光部に至れば
当該受光部にて捉えられる。
【００２３】発光素子アレイ１２に最も近い側に配置さ
れている第１段目の光伝達電子回路基板２１が必要とす
るデータは、当該光伝達電子回路基板２１が備える受光
素子アレイ２２の受光部２２ａが前記発光素子アレイ１
２の発光部１２ａからの伝送光を受光することによって
直に受け取ることができる。
れている第１段目の光伝達電子回路基板２１が必要とす
るデータは、当該光伝達電子回路基板２１が備える受光
素子アレイ２２の受光部２２ａが前記発光素子アレイ１
２の発光部１２ａからの伝送光を受光することによって
直に受け取ることができる。
【００２４】また、前記第１段目の光伝達電子回路基板
２１の後段に設けられている第２段目の光伝達電子回路
基板３１が必要とするデータは、当該光伝達電子回路基
板３１が備える受光素子３２が第１段目の光伝達電子回
路基板２１における光通過領域２３を通過した伝送光を
受光することによって直接的に得ることができる。
２１の後段に設けられている第２段目の光伝達電子回路
基板３１が必要とするデータは、当該光伝達電子回路基
板３１が備える受光素子３２が第１段目の光伝達電子回
路基板２１における光通過領域２３を通過した伝送光を
受光することによって直接的に得ることができる。
【００２５】同様に、第３段目の光伝達電子回路基板４
１もその前段の光伝達電子回路基板３１の光通過領域３
３を通過した伝送光を受光することによって直接的にデ
ータを受け取ることができる。
１もその前段の光伝達電子回路基板３１の光通過領域３
３を通過した伝送光を受光することによって直接的にデ
ータを受け取ることができる。
【００２６】このように、発光側を“１”受光側を“複
数”とする１対複数の光データ伝送を行うことができる
ので、受光側となる光伝達電子回路基板が備えるべき処
理回路を少なくし、基板サイズを小さくし、かかる基板
を複数枚多段に重ねて機器の小型化を図ることができ
る。また、光伝達電子回路基板が伝送光の中継のためだ
けに発光素子アレイを備えることがないので、当該発光
素子アレイを備えることによるコスト高やサイズの大型
化も回避することができる。
数”とする１対複数の光データ伝送を行うことができる
ので、受光側となる光伝達電子回路基板が備えるべき処
理回路を少なくし、基板サイズを小さくし、かかる基板
を複数枚多段に重ねて機器の小型化を図ることができ
る。また、光伝達電子回路基板が伝送光の中継のためだ
けに発光素子アレイを備えることがないので、当該発光
素子アレイを備えることによるコスト高やサイズの大型
化も回避することができる。
【００２７】なお、上記の実施の形態では、基板１１、
２１、３１、４１は例えばエポキシ樹脂製基板等の不透
明基板であり、この場合、基板２１、３１、４１には開
口部（図示しない）が設けてあり、その開口部上に透明
ガラス基板部２３、３３、４３が載置されている。
２１、３１、４１は例えばエポキシ樹脂製基板等の不透
明基板であり、この場合、基板２１、３１、４１には開
口部（図示しない）が設けてあり、その開口部上に透明
ガラス基板部２３、３３、４３が載置されている。
【００２８】また、例えば、光伝達電子回路基板４１が
自身の電子回路で処理したデータを他の光伝達電子回路
基板２１に伝送するために、光伝達電子回路基板４１に
は発光素子アレイを設け、光伝達電子回路基板３１には
光通過部を設け、光伝達電子回路基板２１には受光素子
アレイを設けることが考えられる。
自身の電子回路で処理したデータを他の光伝達電子回路
基板２１に伝送するために、光伝達電子回路基板４１に
は発光素子アレイを設け、光伝達電子回路基板３１には
光通過部を設け、光伝達電子回路基板２１には受光素子
アレイを設けることが考えられる。
【００２９】また、この発明の光伝達電子回路基板は、
例えば、拡張スロットのような形態で光コンピューター
に用いられるものでもよいし、ＩＣカードのような形態
で用いられるものでもよい。また、複数の光伝達電子回
路基板を一つのパッケージ内に収容して外見上一つの回
路基板のごとく構成してもよいものである。
例えば、拡張スロットのような形態で光コンピューター
に用いられるものでもよいし、ＩＣカードのような形態
で用いられるものでもよい。また、複数の光伝達電子回
路基板を一つのパッケージ内に収容して外見上一つの回
路基板のごとく構成してもよいものである。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光伝達電子回路基板が備えるべき処理回路を少なくし、
基板サイズを小さくして機器の小型化を図ることができ
る。また、光伝達電子回路基板が伝送光の中継のためだ
けに発光素子アレイを備えることもないので、当該発光
素子アレイを備えることによるコスト高やサイズの大型
化も防止できるという効果を奏する。
光伝達電子回路基板が備えるべき処理回路を少なくし、
基板サイズを小さくして機器の小型化を図ることができ
る。また、光伝達電子回路基板が伝送光の中継のためだ
けに発光素子アレイを備えることもないので、当該発光
素子アレイを備えることによるコスト高やサイズの大型
化も防止できるという効果を奏する。
【図１】本発明の光伝達電子回路基板装置を示す斜視図
である。
である。
【図２】本発明の透明ガラス基板部に形成された一つの
受光部を示した斜視図である。
受光部を示した斜視図である。
【図３】従来の光伝達電子回路基板装置を示す斜視図で
ある。
ある。
１１，２１，３１，４１ 光伝達電子回路基板
１２ 発光素子アレイ
１２ａ 発光部
１５，２５，３５，４５ 電子回路
２２，３２，４２ 受光素子アレイ
２２ａ，３２ａ，４２ａ 受光部
２３，３３，４３ 透明ガラス基板部
フロントページの続き
(72)発明者 茨木 晃
大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号
三洋電機株式会社内
(56)参考文献 特開 平３−23671（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−169101（ＪＰ，Ａ)
実開 平３−70436（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 27/14
H01L 31/02
H01L 31/12
H04B 10/02
H04B 10/28
Claims (2)
- 【請求項１】 不透明基板と、前記基板に搭載された電
子回路で構成される電子回路領域と、前記基板に形成さ
れた開口部と、前記開口部に載置固定された透明基板部
と、前記透明基板部の一部分に設けられた受光素子から
なる受光領域と、前記透明基板部の前記受光素子の非形
成領域で構成された光通過領域と、を備えたことを特徴
とする光伝達電子回路基板。 - 【請求項２】 請求項１の光伝達電子回路基板が複数枚
多段に重ねて配置されるとともに、前記の各基板は他の
基板における受光素子の形成部分に対応する部分に光通
過領域が形成されて成り、複数枚多段に重ねて配置され
た光伝達電子回路基板の各受光素子に、複数の発光素子
のうちの対応する発光素子の光が到達するようになって
いることを特徴とする光伝達電子回路基板装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04756196A JP3397565B2 (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 光伝達電子回路基板および光伝達電子回路基板装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04756196A JP3397565B2 (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 光伝達電子回路基板および光伝達電子回路基板装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246509A JPH09246509A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3397565B2 true JP3397565B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=12778631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04756196A Expired - Lifetime JP3397565B2 (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 光伝達電子回路基板および光伝達電子回路基板装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3397565B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7342258B2 (en) | 2002-05-13 | 2008-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device for performing the transmission of a signal in the relevant device by means of an optical interconnect |
| US7385655B2 (en) | 2002-09-02 | 2008-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit device with optical sensors and optical shutters at specific locations |
| US7459726B2 (en) | 2003-02-12 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a light emitting element and a light receiving element |
| US7769253B2 (en) | 2002-09-02 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit device |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3959662B2 (ja) | 1999-03-23 | 2007-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 光信号伝送装置およびその製造方法 |
| JP2005039236A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8283679B2 (en) | 2003-06-30 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates |
| JP4652088B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2011-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP4654264B2 (ja) * | 2008-04-10 | 2011-03-16 | シャープ株式会社 | 光通信デバイスおよび電子機器 |
-
1996
- 1996-03-05 JP JP04756196A patent/JP3397565B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7342258B2 (en) | 2002-05-13 | 2008-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device for performing the transmission of a signal in the relevant device by means of an optical interconnect |
| US7385655B2 (en) | 2002-09-02 | 2008-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit device with optical sensors and optical shutters at specific locations |
| US7769253B2 (en) | 2002-09-02 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit device |
| US7459726B2 (en) | 2003-02-12 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a light emitting element and a light receiving element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09246509A (ja) | 1997-09-19 |
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