JP2000269585A - 面発光レーザーを用いた光送受信モジュール - Google Patents
面発光レーザーを用いた光送受信モジュールInfo
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- JP2000269585A JP2000269585A JP11064620A JP6462099A JP2000269585A JP 2000269585 A JP2000269585 A JP 2000269585A JP 11064620 A JP11064620 A JP 11064620A JP 6462099 A JP6462099 A JP 6462099A JP 2000269585 A JP2000269585 A JP 2000269585A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構造が簡単で部品数が少なく、さらに、多重
チャンネルを通した信号伝送の場合、モジュールの体積
が縮められる、面発光レーザーを用いた光送受信モジュ
ールを提供する。 【解決手段】 半導体物質層の積層方向に光を生成出射
する第１面発光レーザーと、前記第１面発光レーザー上
に一集に集積された第１光検出器を具備する第１送受信
モジュールと、半導体物質層の積層方向に光を生成出射
する第２面発光レーザーと、前記第２面発光レーザー上
に一体に集積された第２光検出器を具備する第２送受信
モジュールとを含み、前記第１面発光レーザーより出射
された第１光は前記第２光検出器で検出され、前記第２
面発光レーザーより出射された第２光は前記第１光検出
器で検出され、前記第１光及び第２光は同一な経路を通
じて伝送されることを特徴とする。これにより、光検出
器が一体に集積された面発光レーザーが採用され、信号
の送受信が同一な経路を通して行われる。
チャンネルを通した信号伝送の場合、モジュールの体積
が縮められる、面発光レーザーを用いた光送受信モジュ
ールを提供する。 【解決手段】 半導体物質層の積層方向に光を生成出射
する第１面発光レーザーと、前記第１面発光レーザー上
に一集に集積された第１光検出器を具備する第１送受信
モジュールと、半導体物質層の積層方向に光を生成出射
する第２面発光レーザーと、前記第２面発光レーザー上
に一体に集積された第２光検出器を具備する第２送受信
モジュールとを含み、前記第１面発光レーザーより出射
された第１光は前記第２光検出器で検出され、前記第２
面発光レーザーより出射された第２光は前記第１光検出
器で検出され、前記第１光及び第２光は同一な経路を通
じて伝送されることを特徴とする。これにより、光検出
器が一体に集積された面発光レーザーが採用され、信号
の送受信が同一な経路を通して行われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は面発光レーザーを用
いた光送受信モジュールに関する。
いた光送受信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は一般的な光を用いて信号を伝送す
る例である。第１送受信モジュール１と第２送受信モジ
ュール５との間の信号伝送は、第１光源３から出射され
た光信号が第１光検出器７により検出され、第２光源８
から出射された光信号が第２光検出器４により検出され
ることによって行われる。
る例である。第１送受信モジュール１と第２送受信モジ
ュール５との間の信号伝送は、第１光源３から出射され
た光信号が第１光検出器７により検出され、第２光源８
から出射された光信号が第２光検出器４により検出され
ることによって行われる。
【０００３】前記光源３、８と光検出器７、４との間に
は光繊維２が設けられて光を伝送する。そして、前記光
繊維２の両端には光伝送効率を高めるために集束レンズ
６が付着される。前記第１及び第２光送受信モジュール
１、５において、第１及び第２光源３、８として各々端
発光レーザーまたは発光ダイオードが採用される。前記
第１光源３から出射される光は伝送しようとするデータ
信号が適切に変調された光信号である。この光信号は前
記光繊維２を通じて伝送され、前記第１光検出器７で検
出されて電流信号に変換され、以降増幅回路などを経て
元の信号に復調される。
は光繊維２が設けられて光を伝送する。そして、前記光
繊維２の両端には光伝送効率を高めるために集束レンズ
６が付着される。前記第１及び第２光送受信モジュール
１、５において、第１及び第２光源３、８として各々端
発光レーザーまたは発光ダイオードが採用される。前記
第１光源３から出射される光は伝送しようとするデータ
信号が適切に変調された光信号である。この光信号は前
記光繊維２を通じて伝送され、前記第１光検出器７で検
出されて電流信号に変換され、以降増幅回路などを経て
元の信号に復調される。
【０００４】ところが、前述したような従来の光送受信
モジュールにおいて、二つのモジュール間の信号伝送の
ためにそれぞれのモジュールは二つのチャンネル、即ち
送信用チャンネル及び受信用チャンネルを備えるべきな
ので、その構造が複雑で部品数も多くて製作しにくい。
また、多重チャンネルデータ伝送の場合、送信及び受信
用チャンネルをさらに多く備えるべきなので問題点はさ
らに深刻になっていた。
モジュールにおいて、二つのモジュール間の信号伝送の
ためにそれぞれのモジュールは二つのチャンネル、即ち
送信用チャンネル及び受信用チャンネルを備えるべきな
ので、その構造が複雑で部品数も多くて製作しにくい。
また、多重チャンネルデータ伝送の場合、送信及び受信
用チャンネルをさらに多く備えるべきなので問題点はさ
らに深刻になっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点を
解決するために案出されたものであって、同一なチャン
ネルを通した信号の送信及び受信を可能にし、構造を簡
単にした光送受信モジュールを提供することにその目的
がある。
解決するために案出されたものであって、同一なチャン
ネルを通した信号の送信及び受信を可能にし、構造を簡
単にした光送受信モジュールを提供することにその目的
がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明による光送受信モジュールは、半導体物質層の
積層方向に光を生成出射する第１面発光レーザーと、前
記第１面発光レーザー上に一体に集積された第１光検出
器を具備する第１送受信モジュールと、半導体物質層の
積層方向に光を生成出射する第２面発光レーザーと、前
記第２面発光レーザー上に一体に集積された第２光検出
器を具備する第２送受信モジュールとを含み、前記第１
面発光レーザーより出射された第１光は前記第２光検出
器で検出され、前記第２面発光レーザーより出射された
第２光は前記第１光検出器で検出され、前記第１光及び
第２光は同一な経路を通じて伝送されることを特徴とす
る。
の本発明による光送受信モジュールは、半導体物質層の
積層方向に光を生成出射する第１面発光レーザーと、前
記第１面発光レーザー上に一体に集積された第１光検出
器を具備する第１送受信モジュールと、半導体物質層の
積層方向に光を生成出射する第２面発光レーザーと、前
記第２面発光レーザー上に一体に集積された第２光検出
器を具備する第２送受信モジュールとを含み、前記第１
面発光レーザーより出射された第１光は前記第２光検出
器で検出され、前記第２面発光レーザーより出射された
第２光は前記第１光検出器で検出され、前記第１光及び
第２光は同一な経路を通じて伝送されることを特徴とす
る。
【０００７】ここで、前記第１及び第２面発光レーザー
は各々、基板と、前記基板の上面に形成された第１反射
層と、前記第１反射層の上面に形成されて光を生成する
活性層と、前記活性層の上面に形成されて前記生成され
た光を反射させることにより前記第１反射層と共に光を
共振させる第２反射層と、前記基板の下面と前記第２反
射層の上面の一部に各々形成された第１及び第２電極と
を含む。
は各々、基板と、前記基板の上面に形成された第１反射
層と、前記第１反射層の上面に形成されて光を生成する
活性層と、前記活性層の上面に形成されて前記生成され
た光を反射させることにより前記第１反射層と共に光を
共振させる第２反射層と、前記基板の下面と前記第２反
射層の上面の一部に各々形成された第１及び第２電極と
を含む。
【０００８】また、前記第１及び第２光検出器は各々、
前記第２反射層上に積層形成された第１半導体物質層
と、前記第１半導体物質層上に積層形成されて入射光を
吸収する吸収層と、前記吸収層上に積層形成される第２
半導体物質層と、前記第２半導体物質層の上面の一部に
形成されて検出信号を出力する第３電極とを含む。本発
明の他の側面によれば、半導体物質層の積層方向に光を
生成出射する第１面発光レーザーと、前記第１面発光レ
ーザー上に一体に集積された第１光検出器を具備する複
数個の第１送受信モジュールと、半導体物質層の積層方
向に光を生成出射する第２面発光レーザーと、前記第２
面発光レーザー上に一体に集積された第２光検出器を具
備する複数個の第２送受信モジュールとを含み、前記第
１面発光レーザーより出射された第１光は前記第２光検
出器で検出され、前記第２面発光レーザーより出射され
た第２光は前記第１光検出器で検出され、前記第１光及
び第２光は同一な経路を通じて伝送されることを特徴と
する光送受信モジュールが提供される。
前記第２反射層上に積層形成された第１半導体物質層
と、前記第１半導体物質層上に積層形成されて入射光を
吸収する吸収層と、前記吸収層上に積層形成される第２
半導体物質層と、前記第２半導体物質層の上面の一部に
形成されて検出信号を出力する第３電極とを含む。本発
明の他の側面によれば、半導体物質層の積層方向に光を
生成出射する第１面発光レーザーと、前記第１面発光レ
ーザー上に一体に集積された第１光検出器を具備する複
数個の第１送受信モジュールと、半導体物質層の積層方
向に光を生成出射する第２面発光レーザーと、前記第２
面発光レーザー上に一体に集積された第２光検出器を具
備する複数個の第２送受信モジュールとを含み、前記第
１面発光レーザーより出射された第１光は前記第２光検
出器で検出され、前記第２面発光レーザーより出射され
た第２光は前記第１光検出器で検出され、前記第１光及
び第２光は同一な経路を通じて伝送されることを特徴と
する光送受信モジュールが提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明を詳しく説明する。図２を参照するに、本発明の望ま
しい一実施例による面発光レーザーを用いた光送受信モ
ジュールは、第１面発光レーザー２０と前記第１面発光
レーザー２０上に一体に集積された第１光検出器５０を
具備する第１送受信モジュール１０と、第２面発光レー
ザー６０と前記第２面発光レーザー６０上に一体に集積
された第２光検出器７０とを具備する第２送受信モジュ
ール１５を含んで構成される。
明を詳しく説明する。図２を参照するに、本発明の望ま
しい一実施例による面発光レーザーを用いた光送受信モ
ジュールは、第１面発光レーザー２０と前記第１面発光
レーザー２０上に一体に集積された第１光検出器５０を
具備する第１送受信モジュール１０と、第２面発光レー
ザー６０と前記第２面発光レーザー６０上に一体に集積
された第２光検出器７０とを具備する第２送受信モジュ
ール１５を含んで構成される。
【００１０】前記第１及び第２面発光レーザー２０、６
０は半導体物質層の積層方向に光を出射し、各々は図３
に示されたように、基板２２と、前記基板２２上に順次
に積層された第１反射層２３、活性層２５及び第２反射
層２７と、前記基板２２の下面と前記第２反射層２７の
上面の一部に各々形成された第１及び第２電極２１、３
０を含んで構成される。
０は半導体物質層の積層方向に光を出射し、各々は図３
に示されたように、基板２２と、前記基板２２上に順次
に積層された第１反射層２３、活性層２５及び第２反射
層２７と、前記基板２２の下面と前記第２反射層２７の
上面の一部に各々形成された第１及び第２電極２１、３
０を含んで構成される。
【００１１】前記第１及び第２反射層２３、２７は半導
体化合物を交替に積層することで形成され、前記活性層
２５より発生した光を共振させて特定波長のレーザー光
を出射させる。ここで、前記第１反射層２３はｎ−型反
射層、第２反射層２７はｐ−型反射層であることが望ま
しく、その反射率は半導体化合物の積層数による。従っ
て、前記第１及び第２電極２１、３０に順方向バイアス
をかけると電流は前記活性層２５を通じて流れ、前記活
性層２５で電子と正孔の結合によりレーザー光が発生す
る。前記発生された光の中、第１及び第２反射層２３、
２７による共振条件に合う波長の光のみが増幅され、前
記第１または第２反射層２３、２７を透過して前記第１
及び第２面発光レーザー２０、６０の下面または上面に
出射される。
体化合物を交替に積層することで形成され、前記活性層
２５より発生した光を共振させて特定波長のレーザー光
を出射させる。ここで、前記第１反射層２３はｎ−型反
射層、第２反射層２７はｐ−型反射層であることが望ま
しく、その反射率は半導体化合物の積層数による。従っ
て、前記第１及び第２電極２１、３０に順方向バイアス
をかけると電流は前記活性層２５を通じて流れ、前記活
性層２５で電子と正孔の結合によりレーザー光が発生す
る。前記発生された光の中、第１及び第２反射層２３、
２７による共振条件に合う波長の光のみが増幅され、前
記第１または第２反射層２３、２７を透過して前記第１
及び第２面発光レーザー２０、６０の下面または上面に
出射される。
【００１２】この際、前記第１及び第２面発光レーザー
２０、６０より出射された光は第１及び第２送受信モジ
ュール１０、１５の間に伝送されるデータ信号に相応す
るように所定の駆動回路（図示せず）により変調され
る。また、前記第１及び第２光検出器５０、７０は各
々、前記第１面発光レーザー２０の第２反射層２７上に
順次に積層された第１半導体物質層５１、吸収層５７及
び第２半導体物質層５８と、前記第２半導体物質層５８
の上面の一部に形成されて検出信号を出力する第３電極
５９で構成される。ここで、前記第１半導体物質層５１
はｐ−型半導体物質層であり、前記第２半導体物質層５
８はｎ−型半導体物質層であることが望ましい。
２０、６０より出射された光は第１及び第２送受信モジ
ュール１０、１５の間に伝送されるデータ信号に相応す
るように所定の駆動回路（図示せず）により変調され
る。また、前記第１及び第２光検出器５０、７０は各
々、前記第１面発光レーザー２０の第２反射層２７上に
順次に積層された第１半導体物質層５１、吸収層５７及
び第２半導体物質層５８と、前記第２半導体物質層５８
の上面の一部に形成されて検出信号を出力する第３電極
５９で構成される。ここで、前記第１半導体物質層５１
はｐ−型半導体物質層であり、前記第２半導体物質層５
８はｎ−型半導体物質層であることが望ましい。
【００１３】前記吸収層５７は真性半導体物質層であ
り、前記第１及び第２面発光レーザー２０、６０の上面
に出射される光の一部を吸収し、その光出力をモニタリ
ングし、前記モニタリングされた光出力信号に応じて前
記第１及び第２面発光レーザー２０、６０の駆動回路に
は再びフィードバック信号が伝送され、光出力及び信号
レベルを制御しうる。
り、前記第１及び第２面発光レーザー２０、６０の上面
に出射される光の一部を吸収し、その光出力をモニタリ
ングし、前記モニタリングされた光出力信号に応じて前
記第１及び第２面発光レーザー２０、６０の駆動回路に
は再びフィードバック信号が伝送され、光出力及び信号
レベルを制御しうる。
【００１４】前記第１及び第２光検出器５０、７０が第
１及び第２面発光レーザー２０、６０の上面に集積され
る場合、レーザー光の大部分を面発光レーザー２０、６
０の上面側に出射できるように前記第１反射層２３の積
層数を第２反射層２７より多くして第１反射層２３の反
射率が第２反射層２７のそれより高くすることが望まし
い。
１及び第２面発光レーザー２０、６０の上面に集積され
る場合、レーザー光の大部分を面発光レーザー２０、６
０の上面側に出射できるように前記第１反射層２３の積
層数を第２反射層２７より多くして第１反射層２３の反
射率が第２反射層２７のそれより高くすることが望まし
い。
【００１５】前述したような構造を有する第１及び第２
送受信モジュール１０、１５において信号伝送は次の通
り行われる。まず、第１送受信モジュール１０から第２
送受信モジュール１５方向に信号を伝送しようとする場
合、前記第１面発光レーザー２０を駆動して情報信号を
含む変調された光を出射させる。この第１面発光レーザ
ー２０より出射された光は前記第２送受信モジュール１
５の第２光検出器７０に入射され、その吸収層５７で検
出される。この検出信号は電流信号に変換され、増幅回
路などを経て元の信号に復元される。
送受信モジュール１０、１５において信号伝送は次の通
り行われる。まず、第１送受信モジュール１０から第２
送受信モジュール１５方向に信号を伝送しようとする場
合、前記第１面発光レーザー２０を駆動して情報信号を
含む変調された光を出射させる。この第１面発光レーザ
ー２０より出射された光は前記第２送受信モジュール１
５の第２光検出器７０に入射され、その吸収層５７で検
出される。この検出信号は電流信号に変換され、増幅回
路などを経て元の信号に復元される。
【００１６】前記第２送受信モジュール１５から第１送
受信モジュール１０方向に信号を伝送しようとする場合
にも同じ方法で動作される。本発明によれば、前記第１
送受信モジュール１０から第２送受信モジュール１５へ
の信号伝送と、前記第２送受信モジュール１５から前記
第１送受信モジュール１０への信号伝送は全て一つの経
路に沿って行われうる。従って、第１及び第２送受信モ
ジュール１０、１５の間の信号伝送のためのチャンネル
は１つだけでよい。
受信モジュール１０方向に信号を伝送しようとする場合
にも同じ方法で動作される。本発明によれば、前記第１
送受信モジュール１０から第２送受信モジュール１５へ
の信号伝送と、前記第２送受信モジュール１５から前記
第１送受信モジュール１０への信号伝送は全て一つの経
路に沿って行われうる。従って、第１及び第２送受信モ
ジュール１０、１５の間の信号伝送のためのチャンネル
は１つだけでよい。
【００１７】望ましくは、図４に示されたように、前記
第１送受信モジュール１０と第２送受信モジュール１５
との間の信号伝送はそれらの間に設けられた光繊維１３
を通して行われる。前記第２送受信モジュール１５から
第１送受信モジュール１０への信号伝送も前述のような
過程を経て行われる。もし、第１及び第２光検出器５
０、７０の吸収率をα、前記第１及び第２面発光レーザ
ー２０、６０の光出力をＰ、光繊維１３の結合係数をβ
とすれば、前記第１面発光レーザー２０から出射されて
前記第１光検出器５０を経由した光量はＰ（１−α）と
なる。従って、光繊維１３を経由し、前記第２光検出器
７０に入射されて吸収される光量はＰβ（１−α）αと
なり、第２光検出器７０を透過する光量はＰβ（１−
α）2 となる。
第１送受信モジュール１０と第２送受信モジュール１５
との間の信号伝送はそれらの間に設けられた光繊維１３
を通して行われる。前記第２送受信モジュール１５から
第１送受信モジュール１０への信号伝送も前述のような
過程を経て行われる。もし、第１及び第２光検出器５
０、７０の吸収率をα、前記第１及び第２面発光レーザ
ー２０、６０の光出力をＰ、光繊維１３の結合係数をβ
とすれば、前記第１面発光レーザー２０から出射されて
前記第１光検出器５０を経由した光量はＰ（１−α）と
なる。従って、光繊維１３を経由し、前記第２光検出器
７０に入射されて吸収される光量はＰβ（１−α）αと
なり、第２光検出器７０を透過する光量はＰβ（１−
α）2 となる。
【００１８】この際、前記第２面発光レーザー６０の第
２反射層２７の反射率が約１なので、前記第２光検出器
７０を透過した光は前記第２反射層２７で全反射され、
前記第２光検出器７０で吸収される。従って、前記第２
光検出器７０で検出される光量は前記初期に吸収された
光量Ｐβ（１−α）αと、第２反射層２７で反射され吸
収された光量Ｐβ（１−α）2 αの和のＰβα（１−
α）（２−α）となる。
２反射層２７の反射率が約１なので、前記第２光検出器
７０を透過した光は前記第２反射層２７で全反射され、
前記第２光検出器７０で吸収される。従って、前記第２
光検出器７０で検出される光量は前記初期に吸収された
光量Ｐβ（１−α）αと、第２反射層２７で反射され吸
収された光量Ｐβ（１−α）2 αの和のＰβα（１−
α）（２−α）となる。
【００１９】また、前記第１送受信モジュール１０の第
１光検出器５０で第１面発光レーザー２０のモニタリン
グ用として検出される光量はＰαで第１光検出器５０の
吸収率αの大きさに応じて出力信号値の大きさが決定さ
れる。ここで、受信部の信号値を極大化するために前記
第１及び第２光検出器５０、７０の吸収率αは約０．４
であることが望ましい。
１光検出器５０で第１面発光レーザー２０のモニタリン
グ用として検出される光量はＰαで第１光検出器５０の
吸収率αの大きさに応じて出力信号値の大きさが決定さ
れる。ここで、受信部の信号値を極大化するために前記
第１及び第２光検出器５０、７０の吸収率αは約０．４
であることが望ましい。
【００２０】ここで、前記第１送受信モジュール１０と
第２送受信モジュール１５との間の信号伝送が光繊維１
３を通して行われず、自由空間を通して行われる場合に
は前記光繊維１３の結合係数βの値を１とする。図５は
本発明の他の実施例に係る面発光レーザーを用いた光送
受信モジュールを示す。図面を参照するに、本実施例の
光送受信モジュールは、複数の第１面発光レーザー２
０’と前記第１面発光レーザー２０’上に各々一体に集
積された複数の第１光検出器５０’を具備する第１送受
信モジュール１１０と、複数の第２面発光レーザー６
０’と前記第２面発光レーザー６０’上に各々一体に集
積された複数の第２光検出器７０’を備える第２送受信
モジュール１１５とを含む。
第２送受信モジュール１５との間の信号伝送が光繊維１
３を通して行われず、自由空間を通して行われる場合に
は前記光繊維１３の結合係数βの値を１とする。図５は
本発明の他の実施例に係る面発光レーザーを用いた光送
受信モジュールを示す。図面を参照するに、本実施例の
光送受信モジュールは、複数の第１面発光レーザー２
０’と前記第１面発光レーザー２０’上に各々一体に集
積された複数の第１光検出器５０’を具備する第１送受
信モジュール１１０と、複数の第２面発光レーザー６
０’と前記第２面発光レーザー６０’上に各々一体に集
積された複数の第２光検出器７０’を備える第２送受信
モジュール１１５とを含む。
【００２１】前記第１及び第２面発光レーザー２０’、
６０’は半導体物質層の積層方向に光を生成出射するの
で単一基板（図３の２２参照）上にアレイ状に配列され
うる。ここで、前記第１及び第２面発光レーザー２
０’、６０’の構成は図２及び図３に基づいて説明した
第１実施例と同一である。
６０’は半導体物質層の積層方向に光を生成出射するの
で単一基板（図３の２２参照）上にアレイ状に配列され
うる。ここで、前記第１及び第２面発光レーザー２
０’、６０’の構成は図２及び図３に基づいて説明した
第１実施例と同一である。
【００２２】本実施例の光送受信モジュールによれば、
第１及び第２送受信モジュール１１０、１１５の間の信
号伝送は複数のチャンネルを通じて行われうる。一方、
前記第１送受信モジュール１１０と第２送受信モジュー
ル１１５との間の信号伝送は、図６に示されたように、
それらの間に設けられる光繊維１３’を通して行われる
ことが望ましい。
第１及び第２送受信モジュール１１０、１１５の間の信
号伝送は複数のチャンネルを通じて行われうる。一方、
前記第１送受信モジュール１１０と第２送受信モジュー
ル１１５との間の信号伝送は、図６に示されたように、
それらの間に設けられる光繊維１３’を通して行われる
ことが望ましい。
【００２３】
【発明の効果】本発明の面発光レーザーを用いた光送受
信モジュールによれば、光検出器が一体に集積された面
発光レーザーが採用され、信号の送受信が同一な経路を
通して行われるので、構造が簡単で部品数が少ない。さ
らに、多重チャンネルを通した信号伝送の場合、モジュ
ールの体積が縮められる。
信モジュールによれば、光検出器が一体に集積された面
発光レーザーが採用され、信号の送受信が同一な経路を
通して行われるので、構造が簡単で部品数が少ない。さ
らに、多重チャンネルを通した信号伝送の場合、モジュ
ールの体積が縮められる。
【図１】従来の光送受信モジュールを概略的に示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の一実施例による光送受信モジュールを
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
【図３】図２の光送受信モジュールに採用された光検出
器及び面発光レーザーを概略的に示す断面図である。
器及び面発光レーザーを概略的に示す断面図である。
【図４】図２の光送受信モジュールに光繊維が採用され
た例を示す図である。
た例を示す図である。
【図５】本発明の他の実施例による光送受信モジュール
を示す図である。
を示す図である。
【図６】図５の光送受信モジュールに光繊維が採用され
た例を示す図である。
た例を示す図である。
【符号の説明】 １０ 第１送受信モジュール １３ 光繊維 １５ 第２送受信モジュール ２０ 第１面発光レーザー ２１ 第１電極 ２２ 基板 ２３ 第１反射層 ２５ 活性層 ２７ 第２反射層 ３０ 第２電極 ５０ 第１光検出器 ５１ 第１半導体物質層 ５７ 吸収層 ５８ 第２半導体物質層 ５９ 第３電極 ６０ 第２面発光レーザー ７０ 第２光検出器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年５月２２日（２０００．５．２
２）
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/13 10/12
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体物質層の積層方向に光を生成出射
する第１面発光レーザーと、前記第１面発光レーザー上
に一体に集積された第１光検出器を具備する第１送受信
モジュールと、 半導体物質層の積層方向に光を生成出射する第２面発光
レーザーと、前記第２面発光レーザー上に一体に集積さ
れた第２光検出器を具備する第２送受信モジュールとを
含み、 前記第１面発光レーザーより出射された第１光は前記第
２光検出器で検出され、前記第２面発光レーザーより出
射された第２光は前記第１光検出器で検出され、前記第
１光及び第２光は同一な経路を通じて伝送されることを
特徴とする光送受信モジュール。 - 【請求項２】 前記第１及び第２光検出器は各々前記第
１及び第２面発光レーザーの出射光量をモニタリングす
ることを特徴とする請求項１に記載の光送受信モジュー
ル。 - 【請求項３】 前記第１及び第２面発光レーザーは各
々、 基板と、 前記基板の上面に形成された第１反射層と、 前記第１反射層の上面に形成されて光を生成する活性層
と、 前記活性層の上面に形成されて前記生成された光を反射
させることにより前記第１反射層と共に光を共振させる
第２反射層と、 前記基板の下面と前記第２反射層の上面の一部に各々形
成された第１及び第２電極とを含むことを特徴とする請
求項１に記載の光送受信モジュール。 - 【請求項４】 前記第１及び第２光検出器は各々、 前記第２反射層上に積層形成された第１半導体物質層
と、 前記第１半導体物質層上に積層形成されて入射光を吸収
する吸収層と、 前記吸収層上に積層形成される第２半導体物質層と、 前記第２半導体物質層の上面の一部に形成されて検出信
号を出力する第３電極とを含むことを特徴とする請求項
３に記載の光送受信モジュール。 - 【請求項５】 前記第１及び第２送受信モジュールの間
の光路上に設けられて光を伝送させる光繊維をさらに含
むことを特徴とする請求項１に記載の光送受信モジュー
ル。 - 【請求項６】 半導体物質層の積層方向に光を生成出射
する第１面発光レーザーと、 前記第１面発光レーザー上に一体に集積された第１光検
出器を具備する複数個の第１送受信モジュールと、 半導体物質層の積層方向に光を生成出射する第２面発光
レーザーと、前記第２面発光レーザー上に一体に集積さ
れた第２光検出器を具備する複数個の第２送受信モジュ
ールとを含み、 前記第１面発光レーザーより出射された第１光は前記第
２光検出器で検出され、前記第２面発光レーザーより出
射された第２光は前記第１光検出器で検出され、前記第
１光及び第２光は同一な経路を通じて伝送されることを
特徴とする光送受信モジュール。 - 【請求項７】 前記複数の第１及び第２送受信モジュー
ルの前記第１及び第２面発光レーザーは各々単一基板上
にアレイ状に集積されたことを特徴とする請求項６に記
載の光送受信モジュール。 - 【請求項８】 前記第１及び第２光検出器は各々前記第
１及び第２面発光レーザーの出射光量をモニタリングす
ることを特徴とする請求項６に記載の光送受信モジュー
ル。 - 【請求項９】 前記第１及び第２面発光レーザーは各
々、 基板と、 前記基板の上面に形成された第１反射層と、 前記第１反射層の上面に形成されて光を生成する活性層
と、 前記活性層の上面に形成されて前記生成された光を反射
させることにより前記第１反射層と共に光を共振させる
第２反射層と、 前記基板の下面と前記第２反射層の上面の一部に各々形
成された第１及び第２電極とを含むことを特徴とする請
求項６に記載の光送受信モジュール。 - 【請求項１０】 前記第１及び第２光検出器は各々、 前記第２反射層上に積層形成された第１半導体物質層
と、 前記第１半導体物質層上に積層形成されて入射光を吸収
する吸収層と、 前記吸収層上に積層形成される第２半導体物質層と、 前記第２半導体物質層の上面の一部に形成されて検出信
号を出力する第３電極とを含むことを特徴とする請求項
９に記載の光送受信モジュール。 - 【請求項１１】 前記第１及び第２送受信モジュールの
間の光路上に設けられて光を伝送させる複数の光繊維を
さらに含むことを特徴とする請求項６に記載の光送受信
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064620A JP2000269585A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 面発光レーザーを用いた光送受信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064620A JP2000269585A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 面発光レーザーを用いた光送受信モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269585A true JP2000269585A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13263497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11064620A Pending JP2000269585A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 面発光レーザーを用いた光送受信モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1501160A2 (en) * | 2003-07-23 | 2005-01-26 | Seiko Epson Corporation | Optoelectronic element and method of manufacturing it, optical module and method of driving it |
| JP2008097569A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-04-24 | Yokogawa Electric Corp | データ伝送装置 |
| US7643531B2 (en) | 2005-12-20 | 2010-01-05 | Seiko Epson Corporation | Optical semiconductor element including photodetecting element with comb-tooth structure |
-
1999
- 1999-03-11 JP JP11064620A patent/JP2000269585A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1501160A2 (en) * | 2003-07-23 | 2005-01-26 | Seiko Epson Corporation | Optoelectronic element and method of manufacturing it, optical module and method of driving it |
| EP1501160A3 (en) * | 2003-07-23 | 2005-10-19 | Seiko Epson Corporation | Optoelectronic element and method of manufacturing it, optical module and method of driving it |
| US7220952B2 (en) | 2003-07-23 | 2007-05-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical element and method for manufacturing thereof, optical module and method for driving thereof |
| CN100407522C (zh) * | 2003-07-23 | 2008-07-30 | 精工爱普生株式会社 | 光学元件及其制造方法、光模块及光模块的驱动方法 |
| US7446293B2 (en) | 2003-07-23 | 2008-11-04 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical element and method for manufacturing thereof, optical module and method for driving thereof |
| US7643531B2 (en) | 2005-12-20 | 2010-01-05 | Seiko Epson Corporation | Optical semiconductor element including photodetecting element with comb-tooth structure |
| JP2008097569A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-04-24 | Yokogawa Electric Corp | データ伝送装置 |
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