JP3395507B2 - 加硫ゴムの表面処理方法及びゴム系複合材料の製造方法 - Google Patents
加硫ゴムの表面処理方法及びゴム系複合材料の製造方法Info
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- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加硫ゴムの表面処
理方法及びゴム系複合材料の製造方法に関する。
理方法及びゴム系複合材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
基材表面を処理して親水性、撥水性、接着性等を与える
ための表面改質方法（表面処理方法）は種々の分野で応
用されている。例えば、加硫ゴムの表面処理は、加硫ゴ
ムをゴム材料や金属、樹脂等の他材料と接合して複合材
料を製造したり、加硫ゴムに塗装を施すための前処理な
どとして採用されており、従来種々の表面処理方法があ
る。
基材表面を処理して親水性、撥水性、接着性等を与える
ための表面改質方法（表面処理方法）は種々の分野で応
用されている。例えば、加硫ゴムの表面処理は、加硫ゴ
ムをゴム材料や金属、樹脂等の他材料と接合して複合材
料を製造したり、加硫ゴムに塗装を施すための前処理な
どとして採用されており、従来種々の表面処理方法があ
る。
【０００３】加硫ゴムの表面処理方法としては、加硫ゴ
ムに接着性を付与するために加硫ゴムの表面を強酸、強
酸化剤で強力に酸化して表面全体に微細な亀裂を発生さ
せる方法が知られているが、この方法は強酸、強酸化剤
の取り扱いに十分な注意を要し、また強酸、強酸化剤に
よって加硫ゴムの表面が著しく損われ、しかも十分な接
着力を与え難いという問題点がある。
ムに接着性を付与するために加硫ゴムの表面を強酸、強
酸化剤で強力に酸化して表面全体に微細な亀裂を発生さ
せる方法が知られているが、この方法は強酸、強酸化剤
の取り扱いに十分な注意を要し、また強酸、強酸化剤に
よって加硫ゴムの表面が著しく損われ、しかも十分な接
着力を与え難いという問題点がある。
【０００４】また、加硫ゴムを塩素ガスにさらしたり、
塩素ガスを通した水に浸漬する塩素処理法、擬ハロゲン
化合物を用いて表面処理する方法（特公昭５２−３６９
１０号公報参照）も提案されている。これらの方法は、
いずれもゴム中の二重結合を攻撃し、Ｃｌ基を形成して
接着し易い表面にする表面処理方法であるが、これらの
方法で加硫ゴムの表面処理を行った場合、例えば金属や
樹脂などの他材料と複合化して防振ゴム（ＮＲ／ＳＢＲ
系）を製造する際に被処理表面が樹脂化してしまうの
で、接着性、耐熱性が不良となるという問題点がある。
また、被処理表面が黄変するという問題点もあり、例え
ばこの方法を用いてバラタ材（トランスポリイソプレ
ン）を主成分とする加硫ゴムからなるゴルフボールカバ
ーに表面処理を施し、塗装してゴルフボールを製造した
場合、ゴルフボールの外観が損われるという問題点があ
る。更に、塩素ガスや擬ハロゲン化合物は環境破壊を引
き起こすという問題点もある。
塩素ガスを通した水に浸漬する塩素処理法、擬ハロゲン
化合物を用いて表面処理する方法（特公昭５２−３６９
１０号公報参照）も提案されている。これらの方法は、
いずれもゴム中の二重結合を攻撃し、Ｃｌ基を形成して
接着し易い表面にする表面処理方法であるが、これらの
方法で加硫ゴムの表面処理を行った場合、例えば金属や
樹脂などの他材料と複合化して防振ゴム（ＮＲ／ＳＢＲ
系）を製造する際に被処理表面が樹脂化してしまうの
で、接着性、耐熱性が不良となるという問題点がある。
また、被処理表面が黄変するという問題点もあり、例え
ばこの方法を用いてバラタ材（トランスポリイソプレ
ン）を主成分とする加硫ゴムからなるゴルフボールカバ
ーに表面処理を施し、塗装してゴルフボールを製造した
場合、ゴルフボールの外観が損われるという問題点があ
る。更に、塩素ガスや擬ハロゲン化合物は環境破壊を引
き起こすという問題点もある。
【０００５】更に別の表面処理方法として、Ｏ2やＣＦ4
とＯ2との混合ガス等のガスを用い、低圧グロープラズ
マ処理法により加硫ゴムの表面をエッチングして活性化
する方法がある。しかし、低圧グロープラズマ処理で
は、処理むらの少ない均一な表面処理ができるが、低圧
プラズマ処理は通常１０Ｔｏｒｒ以下の低圧において行
われるため、これを工業的に実施する場合、大型の真空
装置が必要となり、また、連続処理を行うためには、設
備費や処理コストが大きくなる。更に、減圧雰囲気中は
加硫ゴム表面からオイル、水等が放出され、このためプ
ラズマ処理において目的とする性能や機能が得られない
場合もある。しかも、このようなプラズマ処理では、処
理中に熱が発生し易く、このため低融点物質からなる被
処理物には適用し難いという問題点がある。
とＯ2との混合ガス等のガスを用い、低圧グロープラズ
マ処理法により加硫ゴムの表面をエッチングして活性化
する方法がある。しかし、低圧グロープラズマ処理で
は、処理むらの少ない均一な表面処理ができるが、低圧
プラズマ処理は通常１０Ｔｏｒｒ以下の低圧において行
われるため、これを工業的に実施する場合、大型の真空
装置が必要となり、また、連続処理を行うためには、設
備費や処理コストが大きくなる。更に、減圧雰囲気中は
加硫ゴム表面からオイル、水等が放出され、このためプ
ラズマ処理において目的とする性能や機能が得られない
場合もある。しかも、このようなプラズマ処理では、処
理中に熱が発生し易く、このため低融点物質からなる被
処理物には適用し難いという問題点がある。
【０００６】また、工業的に実用化されている従来のコ
ロナ処理法を用いた場合も同様に十分な処理効果が得ら
れないことが多い。
ロナ処理法を用いた場合も同様に十分な処理効果が得ら
れないことが多い。
【０００７】これらの問題点を解決する手段として、ハ
ロゲン原子を含む分子からなるガス又は酸素原子を含む
分子からなるガスを用いて加硫ゴムの表面を大気圧プラ
ズマ処理する方法（特開平５−２０２２０８号公報）が
本出願人により提案されている。この場合、溶剤を用い
ていないので、クリーンな環境で簡単に表面処理を行う
ことができ、低圧グロープラズマ処理した場合などの従
来法と比較してはるかに良好な接着性表面を有する加硫
ゴムを得ることができ、また、ごく表面のみに処理が施
されるため加硫ゴム自体の物性を損うことがない。
ロゲン原子を含む分子からなるガス又は酸素原子を含む
分子からなるガスを用いて加硫ゴムの表面を大気圧プラ
ズマ処理する方法（特開平５−２０２２０８号公報）が
本出願人により提案されている。この場合、溶剤を用い
ていないので、クリーンな環境で簡単に表面処理を行う
ことができ、低圧グロープラズマ処理した場合などの従
来法と比較してはるかに良好な接着性表面を有する加硫
ゴムを得ることができ、また、ごく表面のみに処理が施
されるため加硫ゴム自体の物性を損うことがない。
【０００８】しかしながら、大気圧プラズマ法において
は、放電を安定化させるために処理ガスを希釈ガスで希
釈することが好ましいが、この場合、ヘリウムガス等の
高価なガスを大量に用いることが必要であり、また、放
電時のインピーダンスがコロナ放電に比べて低く、かつ
低圧プラズマに比べて高いため、汎用のコロナ電源や低
圧プラズマ用電源をそのままで使用することが難しく、
大気圧プラズマ用の特殊電源を必要とする場合が多い。
このため、処理コストが高くなるという問題点がある。
は、放電を安定化させるために処理ガスを希釈ガスで希
釈することが好ましいが、この場合、ヘリウムガス等の
高価なガスを大量に用いることが必要であり、また、放
電時のインピーダンスがコロナ放電に比べて低く、かつ
低圧プラズマに比べて高いため、汎用のコロナ電源や低
圧プラズマ用電源をそのままで使用することが難しく、
大気圧プラズマ用の特殊電源を必要とする場合が多い。
このため、処理コストが高くなるという問題点がある。
【０００９】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
加硫ゴムの表面処理を効率よく行うことができると共
に、良好な処理表面を得ることができる加硫ゴムの表面
処理方法及びゴム系複合材料の製造方法を提供すること
を目的とする。
加硫ゴムの表面処理を効率よく行うことができると共
に、良好な処理表面を得ることができる加硫ゴムの表面
処理方法及びゴム系複合材料の製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、大気圧下、簡便な装置で良好な表面処理（改質）
を可能とする方法を見い出したものである。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、大気圧下、簡便な装置で良好な表面処理（改質）
を可能とする方法を見い出したものである。
【００１１】即ち、本発明は、チャンバーを有さないプ
ラズマ発生装置のカソードとアノードとの間に絶縁誘電
体を介在させ、この誘電体とカソードとの間に希ガス又
は希ガスと反応ガスとの混合ガスを流して大気圧下で非
平衡低温プラズマを発生させ、この非平衡低温プラズマ
に近接して上記誘電体とカソードの外側に設置された加
硫ゴム表面を表面処理することを特徴とする加硫ゴムの
表面処理方法を提供する。また、本発明は、かかる方法
で表面処理された加硫ゴムの該表面に直接又は接着剤を
介して他材料を接合することを特徴とするゴム系複合材
料の製造方法を提供する。
ラズマ発生装置のカソードとアノードとの間に絶縁誘電
体を介在させ、この誘電体とカソードとの間に希ガス又
は希ガスと反応ガスとの混合ガスを流して大気圧下で非
平衡低温プラズマを発生させ、この非平衡低温プラズマ
に近接して上記誘電体とカソードの外側に設置された加
硫ゴム表面を表面処理することを特徴とする加硫ゴムの
表面処理方法を提供する。また、本発明は、かかる方法
で表面処理された加硫ゴムの該表面に直接又は接着剤を
介して他材料を接合することを特徴とするゴム系複合材
料の製造方法を提供する。
【００１２】本発明の表面処理方法によれば、大気圧下
で表面処理するので、大規模な装置や複雑な周辺機器を
必要とせず、加硫ゴムの連続処理も可能であり、本発明
による方法では、加硫ゴム表面の活性化（親水化、易接
着化（接着剤、その他との親和性）など）が可能であ
る。
で表面処理するので、大規模な装置や複雑な周辺機器を
必要とせず、加硫ゴムの連続処理も可能であり、本発明
による方法では、加硫ゴム表面の活性化（親水化、易接
着化（接着剤、その他との親和性）など）が可能であ
る。
【００１３】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の表面処理方法は、図１，２に示したよう
に、カソード１とアノード２との間に絶縁誘電体３を介
在させ、この誘電体３と上記カソード１との間に大気圧
下で非平衡低温プラズマ４を発生させると共に、非平衡
低温プラズマ領域中又は非平衡低温プラズマ領域に近接
して設置された加硫ゴム５を表面処理するものである。
なお、図中６はスペーサー、７は高周波電源、８はガス
導入口である。
と、本発明の表面処理方法は、図１，２に示したよう
に、カソード１とアノード２との間に絶縁誘電体３を介
在させ、この誘電体３と上記カソード１との間に大気圧
下で非平衡低温プラズマ４を発生させると共に、非平衡
低温プラズマ領域中又は非平衡低温プラズマ領域に近接
して設置された加硫ゴム５を表面処理するものである。
なお、図中６はスペーサー、７は高周波電源、８はガス
導入口である。
【００１４】ここで、カソードとしては、耐食性に優れ
た金属などの導電性材料が用いられ、例えばＡｌ，Ｔ
ｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｗ，Ｐｔ，Ｐｄ及び合金（特に
ＳＵＳ，Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｃｎ等）など
が使用し得る。これらの中ではＰｔ，Ｐｄ ，Ｗ，ＳＵ
Ｓが好適に用いられ、特に好ましくはＰｔである。
た金属などの導電性材料が用いられ、例えばＡｌ，Ｔ
ｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｗ，Ｐｔ，Ｐｄ及び合金（特に
ＳＵＳ，Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｃｎ等）など
が使用し得る。これらの中ではＰｔ，Ｐｄ ，Ｗ，ＳＵ
Ｓが好適に用いられ、特に好ましくはＰｔである。
【００１５】また、アノード材料としては、主にＣｕ，
Ａｌ，ステンレススチール，スチール，黄銅などが用い
られるが、導電性を有するものであればこれらに限られ
ず、あらゆるものが使用可能である。
Ａｌ，ステンレススチール，スチール，黄銅などが用い
られるが、導電性を有するものであればこれらに限られ
ず、あらゆるものが使用可能である。
【００１６】絶縁誘電体は、大気圧下で安定に非平衡低
温プラズマを発生、持続させる作用をするもので、石
英、Ａｌ2Ｏ3，ＹＳＺ，ＳｒＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3−Ｐ
ｂＺｎＯ、パイレックスガラス等により形成することが
できるが、特にＡｌ2Ｏ3、石英、パイレックスガラスが
一般的に用いられる。
温プラズマを発生、持続させる作用をするもので、石
英、Ａｌ2Ｏ3，ＹＳＺ，ＳｒＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3−Ｐ
ｂＺｎＯ、パイレックスガラス等により形成することが
できるが、特にＡｌ2Ｏ3、石英、パイレックスガラスが
一般的に用いられる。
【００１７】本発明に従って非平衡低温プラズマを発生
する場合、電源としては交流電源が用いられる。この場
合、周波数は１Ｈｚ〜１０10Ｈｚとすることができ、例
えば工業的によく用いられる１３．５６ＭＨｚのものを
使用することができる。
する場合、電源としては交流電源が用いられる。この場
合、周波数は１Ｈｚ〜１０10Ｈｚとすることができ、例
えば工業的によく用いられる１３．５６ＭＨｚのものを
使用することができる。
【００１８】ガスとしては、平易に安定な放電を得るた
めには、Ｈｅ，Ａｒ等の希ガスが好適に用いられ、特に
メインガスとしてはＡｒを用いることが有効であり、こ
のメインガスを装置内に通気し、交流電源（高周波発信
機）に通電してプラズマを立てることができる。また、
安定な放電が得られれば、ＨｅやＡｒに限られず、より
汎用な空気、Ｎ2，Ｏ2などをメインガスとすることもで
きる。
めには、Ｈｅ，Ａｒ等の希ガスが好適に用いられ、特に
メインガスとしてはＡｒを用いることが有効であり、こ
のメインガスを装置内に通気し、交流電源（高周波発信
機）に通電してプラズマを立てることができる。また、
安定な放電が得られれば、ＨｅやＡｒに限られず、より
汎用な空気、Ｎ2，Ｏ2などをメインガスとすることもで
きる。
【００１９】この場合、ＡｒガスやＨｅガスなどに対
し、更に以下に述べる反応ガスを混入することができ
る。この反応ガスの供給量は、メインのＡｒガスの１０
０容量部に対して１０００容量部以下、特に１００容量
部以下、更に好ましくは１０容量部以下がよい。反応ガ
スの混入は、加硫ゴム表面への官能基の導入をめざした
ものである。
し、更に以下に述べる反応ガスを混入することができ
る。この反応ガスの供給量は、メインのＡｒガスの１０
０容量部に対して１０００容量部以下、特に１００容量
部以下、更に好ましくは１０容量部以下がよい。反応ガ
スの混入は、加硫ゴム表面への官能基の導入をめざした
ものである。
【００２０】表面の活性化のための反応ガスとしては、
Ｎ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏ，ＣＯ2，ＣＯ，Ｈ2，ＮＨ3，空気など
の汎用ガス、ＣＦ4，ＳＦ6，ＮＦ3，フロンガス、シラ
ン，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，ケトン，フェノール類，アルコー
ル類，エーテル類，ハロゲン（特に塩素化炭化水素（Ｃ
Ｃｌ4，ＣＨＣｌ3，ＣＨ2Ｃｌ2等））などの通常のプロ
セスプラズマで使用されるあらゆるガスを使用すること
ができる。以上の中では、コスト、環境上の問題点から
Ｎ2，Ｏ2，空気の使用が好ましく、特にＯ2が好まし
い。
Ｎ2，Ｏ2，Ｈ2Ｏ，ＣＯ2，ＣＯ，Ｈ2，ＮＨ3，空気など
の汎用ガス、ＣＦ4，ＳＦ6，ＮＦ3，フロンガス、シラ
ン，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，ケトン，フェノール類，アルコー
ル類，エーテル類，ハロゲン（特に塩素化炭化水素（Ｃ
Ｃｌ4，ＣＨＣｌ3，ＣＨ2Ｃｌ2等））などの通常のプロ
セスプラズマで使用されるあらゆるガスを使用すること
ができる。以上の中では、コスト、環境上の問題点から
Ｎ2，Ｏ2，空気の使用が好ましく、特にＯ2が好まし
い。
【００２１】なお、ガス流量は装置の大きさ、必要とす
る処理等により選定され、特に制限されない。例えば、
５０〜１０００ｓｃｃｍ、好ましくは１００〜６００ｓ
ｃｃｍとすることができるが、装置の拡大、縮小により
流量も変化するので、これに限定されない。
る処理等により選定され、特に制限されない。例えば、
５０〜１０００ｓｃｃｍ、好ましくは１００〜６００ｓ
ｃｃｍとすることができるが、装置の拡大、縮小により
流量も変化するので、これに限定されない。
【００２２】本発明において、非平衡低温プラズマは大
気圧（７６０Ｔｏｒｒ程度）で形成し、この大気圧下で
処理を行う。この場合、入力電力が大きい、処理時間が
長いなどのため基材が熱的ダメージを受ける可能性があ
る場合は、必要に応じ基材を冷却しながら処理を行うこ
とができる。
気圧（７６０Ｔｏｒｒ程度）で形成し、この大気圧下で
処理を行う。この場合、入力電力が大きい、処理時間が
長いなどのため基材が熱的ダメージを受ける可能性があ
る場合は、必要に応じ基材を冷却しながら処理を行うこ
とができる。
【００２３】本発明で用いるプラズマ発生装置は、上記
図１，２に示す如きもので、図２はシート状にプラズマ
を発生させることができるものであるが、このようなプ
ラズマ発生装置としては、具体的に特開平４−２１２２
５３号、同４−２４２９２４号公報やＡｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．，６０（７），１７，Ｆｅｂ．，１９９
２に記載のものなどを用いることができる。
図１，２に示す如きもので、図２はシート状にプラズマ
を発生させることができるものであるが、このようなプ
ラズマ発生装置としては、具体的に特開平４−２１２２
５３号、同４−２４２９２４号公報やＡｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．，６０（７），１７，Ｆｅｂ．，１９９
２に記載のものなどを用いることができる。
【００２４】この場合、加硫ゴムは非平衡低温プラズマ
領域中又は非平衡低温プラズマ領域に近接した位置に置
かれるが、該加硫ゴム又はプラズマ発生装置を走査して
線状、帯状等に処理することができる。また、カソード
が消耗する場合にはこれに合わせてカソードを機械的に
供給することも可能である。
領域中又は非平衡低温プラズマ領域に近接した位置に置
かれるが、該加硫ゴム又はプラズマ発生装置を走査して
線状、帯状等に処理することができる。また、カソード
が消耗する場合にはこれに合わせてカソードを機械的に
供給することも可能である。
【００２５】ここで、上記のように表面処理される加硫
ゴムの種類は特に制限されず、例えばＮＢ，ＳＢＲ，Ｎ
ＢＲ，ＣＲ，ＩＲ，ＩＩＲ，ＥＰＤＭ，ＢＲなどを挙げ
ることができる。
ゴムの種類は特に制限されず、例えばＮＢ，ＳＢＲ，Ｎ
ＢＲ，ＣＲ，ＩＲ，ＩＩＲ，ＥＰＤＭ，ＢＲなどを挙げ
ることができる。
【００２６】また、上記のように非平衡低温プラズマに
より表面処理された加硫ゴム表面は高度に活性化してお
り、その表面処理面に直接又は接着剤を介して他材料を
接合、複合化することが容易である。この他材料として
は、上記表面処理された加硫ゴムと同種又は異種のゴ
ム、各種樹脂、金属、セラミックス、半導体などを挙げ
ることができる。この場合、ゴムを複合化する場合は、
上記加硫ゴムの処理表面に未加硫ゴムを被せ、加熱圧着
することができ、ナイロン等の樹脂、金属、半導体など
は接着剤を用いて接合できる。樹脂は、後述するように
処理表面にナイロンなどの樹脂をインジェクションし、
接着剤を用いず直接接着することも可能である。接着剤
としては、天然系、合成系のいずれのものでもよく、そ
の用途に応じて適宜選定することができるが、なかでも
ポリウレタン系の接着剤が好ましい。
より表面処理された加硫ゴム表面は高度に活性化してお
り、その表面処理面に直接又は接着剤を介して他材料を
接合、複合化することが容易である。この他材料として
は、上記表面処理された加硫ゴムと同種又は異種のゴ
ム、各種樹脂、金属、セラミックス、半導体などを挙げ
ることができる。この場合、ゴムを複合化する場合は、
上記加硫ゴムの処理表面に未加硫ゴムを被せ、加熱圧着
することができ、ナイロン等の樹脂、金属、半導体など
は接着剤を用いて接合できる。樹脂は、後述するように
処理表面にナイロンなどの樹脂をインジェクションし、
接着剤を用いず直接接着することも可能である。接着剤
としては、天然系、合成系のいずれのものでもよく、そ
の用途に応じて適宜選定することができるが、なかでも
ポリウレタン系の接着剤が好ましい。
【００２７】次に、本発明の応用例を挙げると、バラタ
カバーゴルフボールなどのゴルフボールにウレタン系、
エポキシ樹脂系、ポリアミド系などの塗装を施す場合、
塗膜とボール表面との密着が要求されるが、かかる場
合、ボールの表面処理方法として本発明方法を適用する
ことができる。
カバーゴルフボールなどのゴルフボールにウレタン系、
エポキシ樹脂系、ポリアミド系などの塗装を施す場合、
塗膜とボール表面との密着が要求されるが、かかる場
合、ボールの表面処理方法として本発明方法を適用する
ことができる。
【００２８】また、防振ゴムを製造する場合、加硫ゴム
を上記のように表面処理した後、 処理表面にナイロンなどの樹脂をインジェクション
し、直接接着させる、 処理表面にフェノール系などの接着剤を塗布後、樹脂
をインジェクションする（の場合より強固に接着可能
である）、 処理表面に接着剤を塗布し、金属などを被せて接着す
るなどの方法を採用することができる。
を上記のように表面処理した後、 処理表面にナイロンなどの樹脂をインジェクション
し、直接接着させる、 処理表面にフェノール系などの接着剤を塗布後、樹脂
をインジェクションする（の場合より強固に接着可能
である）、 処理表面に接着剤を塗布し、金属などを被せて接着す
るなどの方法を採用することができる。
【００２９】更に、加硫ゴムを表面処理した後、これに
未加硫トレッドゴムを被せ、加熱圧着して更生タイヤを
得るなど、各種のゴム系複合製品を好適に得ることがで
きる。
未加硫トレッドゴムを被せ、加熱圧着して更生タイヤを
得るなど、各種のゴム系複合製品を好適に得ることがで
きる。
【００３０】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００３１】〔実施例１〜９、比較例〕下記組成のゴム
組成物をシート状に成形し、１５０℃で３０分加硫し
て、１５ｍｍ×８０ｍｍ×２．０ｍｍのシートを得た。ゴム組成物の配合 ＮＲ ８０ 重量部 ＳＢＲ ２０ 硫黄 ５ 亜鉛華 １０ ステアリン酸 １ カーボンブラック ３０ 白艶華 １００ 促進剤（スルフェンアミド系） ０．２ 促進剤（チアゾール系） ２．０ 次に、得られたシートを表１に示す条件で表面処理した
後、２枚の表面処理シートの処理面にそれぞれポリウレ
タン系接着剤を塗布し、塗布面同士を重ね合わせ、室温
で７２時間接着剤をキュアした。得られたサンプルにつ
きＴ字剥離テストを行い、その接着力を評価した。結果
を表１に示す。
組成物をシート状に成形し、１５０℃で３０分加硫し
て、１５ｍｍ×８０ｍｍ×２．０ｍｍのシートを得た。ゴム組成物の配合 ＮＲ ８０ 重量部 ＳＢＲ ２０ 硫黄 ５ 亜鉛華 １０ ステアリン酸 １ カーボンブラック ３０ 白艶華 １００ 促進剤（スルフェンアミド系） ０．２ 促進剤（チアゾール系） ２．０ 次に、得られたシートを表１に示す条件で表面処理した
後、２枚の表面処理シートの処理面にそれぞれポリウレ
タン系接着剤を塗布し、塗布面同士を重ね合わせ、室温
で７２時間接着剤をキュアした。得られたサンプルにつ
きＴ字剥離テストを行い、その接着力を評価した。結果
を表１に示す。
【００３２】
【表１】
表１の結果より、実施例のものは、未処理（比較例）の
ものと比べいずれも接着力が著しく向上したことが認め
られる。
ものと比べいずれも接着力が著しく向上したことが認め
られる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、大気圧下（大気中）に
おいて、加硫ゴム表面を好適に処理し、活性化すること
により、他材料との複合化を容易にするものである。
おいて、加硫ゴム表面を好適に処理し、活性化すること
により、他材料との複合化を容易にするものである。
【図１】本発明の実施に用いる装置の一例を示す概略断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施に用いる装置の他の例を示す概略
斜視図である。
斜視図である。
１ カソード
２ アノード
３ 絶縁誘電体
４ 非平衡低温プラズマ
５ 加硫ゴム
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 加藤 信子
東京都小平市喜平町３−２−６−108
(72)発明者 内藤 壽夫
神奈川県川崎市宮前区馬絹969−１
(56)参考文献 特開 平５−202208（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−143930（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−248098（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08J 7/00 - 7/18
Claims (4)
- 【請求項１】 チャンバーを有さないプラズマ発生装置
のカソードとアノードとの間に絶縁誘電体を介在させ、
この誘電体とカソードとの間に希ガス又は希ガスと反応
ガスとの混合ガスを流して大気圧下で非平衡低温プラズ
マを発生させ、この非平衡低温プラズマに近接して上記
誘電体とカソードの外側に設置された加硫ゴム表面を表
面処理することを特徴とする加硫ゴムの表面処理方法。 - 【請求項２】 アルゴンガス又はアルゴンガスとＯ2、
Ｎ2、ＣＦ4又はＨ2Ｏとの混合ガス雰囲気において非平
衡低温プラズマを発生させるようにした請求項１記載の
表面処理方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の方法により表面処
理された加硫ゴムの該表面処理面に直接又は接着剤を介
して他材料を接合することを特徴とするゴム系複合材料
の製造方法。 - 【請求項４】 他材料が上記表面処理された加硫ゴムと
同種又は異種のゴム、樹脂、金属、セラミックス、又は
半導体である請求項３記載の製造方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP04666196A JP3395507B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 加硫ゴムの表面処理方法及びゴム系複合材料の製造方法 |
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Family
ID=12753529
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| JPH05275193A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ発生装置 |
| JPH05275190A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
| US5549780A (en) * | 1990-10-23 | 1996-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for plasma processing and apparatus for plasma processing |
| US5316739A (en) * | 1991-08-20 | 1994-05-31 | Bridgestone Corporation | Method and apparatus for surface treatment |
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| US5466424A (en) * | 1992-12-28 | 1995-11-14 | Bridgestone Corporation | Corona discharge surface treating method |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP04666196A patent/JP3395507B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-05 DE DE69705556T patent/DE69705556T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-05 EP EP97101795A patent/EP0788870B1/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
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| EP0788870B1 (en) | 2001-07-11 |
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