JP3388731B2 - コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置 - Google Patents
コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置Info
- Publication number
- JP3388731B2 JP3388731B2 JP2001075954A JP2001075954A JP3388731B2 JP 3388731 B2 JP3388731 B2 JP 3388731B2 JP 2001075954 A JP2001075954 A JP 2001075954A JP 2001075954 A JP2001075954 A JP 2001075954A JP 3388731 B2 JP3388731 B2 JP 3388731B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- combinatorial
- thermoelectric
- temperature gradient
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンビナトリアル
試料の熱電特性測定方法及びその装置に関するものであ
る。
試料の熱電特性測定方法及びその装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、化石エネルギー源の枯渇、あるい
は温暖化現象・大気汚染などのため、余剰エネルギーの
再利用が非常に重視されつつある。熱電材料は余剰熱を
電気エネルギーに変換することができるため、従来の発
電システムなどに取り付けることにより、新たな電気エ
ネルギーを効率よく取り出せることになるため、より高
効率の熱電材料の出現が期待されている。また、熱電材
料に電流を流すと、ペルティエ効果によって一つの接合
部が冷却されるため、新たな冷却システムとして利用さ
れつつあり、より高効率な熱電材料が望まれている。
は温暖化現象・大気汚染などのため、余剰エネルギーの
再利用が非常に重視されつつある。熱電材料は余剰熱を
電気エネルギーに変換することができるため、従来の発
電システムなどに取り付けることにより、新たな電気エ
ネルギーを効率よく取り出せることになるため、より高
効率の熱電材料の出現が期待されている。また、熱電材
料に電流を流すと、ペルティエ効果によって一つの接合
部が冷却されるため、新たな冷却システムとして利用さ
れつつあり、より高効率な熱電材料が望まれている。
【０００３】また、近年、ワイドギャップ半導体、透明
半導体、有機半導体など、新規な半導体の開発が急ピッ
チで進められている。このような半導体をデバイスとし
て利用していくには、そのキャリア制御が重要である。
例えば正孔キャリア型半導体と電子キャリア型半導体の
接合（ｐｎ接合）などを形成することによって、トラン
ジスター、ＦＥＴ、ダイオード、太陽電池、レーザー発
振など、様々な特性のデバイスが生み出されることか
ら、特にキャリア符号は重要な特性パラメーターであ
る。
半導体、有機半導体など、新規な半導体の開発が急ピッ
チで進められている。このような半導体をデバイスとし
て利用していくには、そのキャリア制御が重要である。
例えば正孔キャリア型半導体と電子キャリア型半導体の
接合（ｐｎ接合）などを形成することによって、トラン
ジスター、ＦＥＴ、ダイオード、太陽電池、レーザー発
振など、様々な特性のデバイスが生み出されることか
ら、特にキャリア符号は重要な特性パラメーターであ
る。
【０００４】通常、キャリア制御は、ドープされていな
い試料を作製中もしくは作製後に不純物置換や不純物ガ
ス雰囲気化での熱処理などによって行われるが、一般に
ドープされる量は非常に微量であるため、制御が容易で
はなく試行錯誤となることが多い。とくにワイドギャッ
プ半導体では、ｐ・ｎのどちらか特定の符号になりやす
い傾向があるため、これまでどちらかの型しか作製され
ていなかったり、作製条件の範囲が非常に狭かったりし
て、より精密な成長条件・ドープ条件探索が必要とされ
る。
い試料を作製中もしくは作製後に不純物置換や不純物ガ
ス雰囲気化での熱処理などによって行われるが、一般に
ドープされる量は非常に微量であるため、制御が容易で
はなく試行錯誤となることが多い。とくにワイドギャッ
プ半導体では、ｐ・ｎのどちらか特定の符号になりやす
い傾向があるため、これまでどちらかの型しか作製され
ていなかったり、作製条件の範囲が非常に狭かったりし
て、より精密な成長条件・ドープ条件探索が必要とされ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
で熱電材料の探索は、主に一つ一つ作製したものについ
て個々に熱電特性を評価していくため、多大な時間が浪
費されていた。
で熱電材料の探索は、主に一つ一つ作製したものについ
て個々に熱電特性を評価していくため、多大な時間が浪
費されていた。
【０００６】特に、コンビナトリアル薄膜合成法を取り
入れた場合、隘路となるのは、熱電特性の評価方法であ
り、微小に多数作製された試料を滞りなく高速に測定す
る必要性がある。
入れた場合、隘路となるのは、熱電特性の評価方法であ
り、微小に多数作製された試料を滞りなく高速に測定す
る必要性がある。
【０００７】また、これまで半導体のキャリアドープ条
件の探索は、主に一つ一つ作製したものを個々にホール
抵抗・電気抵抗測定することによって行われてきたが、
この場合、問題点として、（１）一つ一つ測定するた
め、評価時間が多大にかかる、（２）大きな磁場発生装
置を必要とするために、装置が高価・巨大になり、簡便
な評価が出来ない、ということが挙げられる。
件の探索は、主に一つ一つ作製したものを個々にホール
抵抗・電気抵抗測定することによって行われてきたが、
この場合、問題点として、（１）一つ一つ測定するた
め、評価時間が多大にかかる、（２）大きな磁場発生装
置を必要とするために、装置が高価・巨大になり、簡便
な評価が出来ない、ということが挙げられる。
【０００８】本発明は、上記状況に鑑みて、測定試料の
評価を迅速に進めるとともに、熱電材料の探索、半導体
のキャリア制御等において有効なコンビナトリアル試料
の熱電特性測定方法及びその装置を提供することを目的
とする。
評価を迅速に進めるとともに、熱電材料の探索、半導体
のキャリア制御等において有効なコンビナトリアル試料
の熱電特性測定方法及びその装置を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法におい
て、パターニングされたコンビナトリアル試料を、二つ
以上の熱浴間に取り付けることにより微小な温度勾配を
かけ、前記コンビナトリアル試料から温度勾配方向の電
気信号を多数取り出せるようにしたことを特徴とする。
成するために、 〔１〕コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法におい
て、パターニングされたコンビナトリアル試料を、二つ
以上の熱浴間に取り付けることにより微小な温度勾配を
かけ、前記コンビナトリアル試料から温度勾配方向の電
気信号を多数取り出せるようにしたことを特徴とする。
【００１０】〔２〕コンビナトリアル試料の熱電特性測
定装置において、パターニングされたコンビナトリアル
試料と、この試料に微小な温度勾配をかけるための二つ
以上の熱浴と、前記温度勾配を測定する手段と、前記試
料に接触もしくは接続し、温度勾配方向の電気信号を多
数取り出せる部品を具備することを特徴とする。
定装置において、パターニングされたコンビナトリアル
試料と、この試料に微小な温度勾配をかけるための二つ
以上の熱浴と、前記温度勾配を測定する手段と、前記試
料に接触もしくは接続し、温度勾配方向の電気信号を多
数取り出せる部品を具備することを特徴とする。
【００１１】なお、ここで、熱浴とは、試料台の部分を
指す。ただし、単なる（試料）台ではなく、測定中に温
度が一定に保たれるように、ある程度熱容量が大きいも
のを指す（実際には銅などの金属でつくることが多く、
例えば熱容量の小さなプラスチックなどは用いられな
い）。通常の電気抵抗測定の温度依存性測定では、熱浴
は一つであるが、熱電特性測定には、必ず二つ以上必要
になる。
指す。ただし、単なる（試料）台ではなく、測定中に温
度が一定に保たれるように、ある程度熱容量が大きいも
のを指す（実際には銅などの金属でつくることが多く、
例えば熱容量の小さなプラスチックなどは用いられな
い）。通常の電気抵抗測定の温度依存性測定では、熱浴
は一つであるが、熱電特性測定には、必ず二つ以上必要
になる。
【００１２】より具体的な本発明の構成は、コンビナト
リアル試料の熱電特性測定方法において、フォトリソグ
ラフィー技術によってパターンニングされたコンビナト
リアル試料に、微小な温度勾配をかけ、さらにワイヤボ
ンディングによって、前記コンビナトリアル試料から多
数の電気信号を取り出せるようにしたことを特徴とす
る。
リアル試料の熱電特性測定方法において、フォトリソグ
ラフィー技術によってパターンニングされたコンビナト
リアル試料に、微小な温度勾配をかけ、さらにワイヤボ
ンディングによって、前記コンビナトリアル試料から多
数の電気信号を取り出せるようにしたことを特徴とす
る。
【００１３】また、コンビナトリアル試料の熱電特性測
定装置において、フォトリソグラフィー技術によってパ
ターンニングされた試料と、この試料に微小な温度勾配
をかける１対の試料台と、前記温度勾配を測定する手段
と、前記試料に接続されるワイヤボンディング手段とを
具備することを特徴とする。
定装置において、フォトリソグラフィー技術によってパ
ターンニングされた試料と、この試料に微小な温度勾配
をかける１対の試料台と、前記温度勾配を測定する手段
と、前記試料に接続されるワイヤボンディング手段とを
具備することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の実施例を示すコンビナトリ
アル熱電特性測定装置のブロック図である。
アル熱電特性測定装置のブロック図である。
【００１６】この図において、１は試料ステージ、２は
温度コントローラ、３は温度差コントローラ、４は電圧
計、５は電流計、６は配線切り替え装置、７はコンピュ
ータである。
温度コントローラ、３は温度差コントローラ、４は電圧
計、５は電流計、６は配線切り替え装置、７はコンピュ
ータである。
【００１７】図２は本発明の第１実施例を示すコンビナ
トリアル熱電特性測定システムの測定部の斜視図であ
る。
トリアル熱電特性測定システムの測定部の斜視図であ
る。
【００１８】この図において、１０は金属マスクを用い
てパターンニングされた２次元コンビナトリアル測定試
料（微小試料）、１１，１２はその測定試料１０を載置
する１対の試料台、１３はその試料台の外側面に配置さ
れるヒーター、１４は１対の試料台１１，１２間に配置
される熱電対、１５は複数列に配置されたコンビナトリ
アル測定試料１０に一度に接続するように配置されるプ
ローブピンアレイである。
てパターンニングされた２次元コンビナトリアル測定試
料（微小試料）、１１，１２はその測定試料１０を載置
する１対の試料台、１３はその試料台の外側面に配置さ
れるヒーター、１４は１対の試料台１１，１２間に配置
される熱電対、１５は複数列に配置されたコンビナトリ
アル測定試料１０に一度に接続するように配置されるプ
ローブピンアレイである。
【００１９】そこで、金属マスクを用いてパターンニン
グされた測定試料１０に、ヒーター１３により、微小な
温度勾配（例えば、試料台１１より試料台１２の温度を
３℃高くする）をかけ、さらにプローブピンアレイ１５
による接触によって、コンビナトリアル測定試料１０か
ら多数の電気信号を取り出せるようにする。
グされた測定試料１０に、ヒーター１３により、微小な
温度勾配（例えば、試料台１１より試料台１２の温度を
３℃高くする）をかけ、さらにプローブピンアレイ１５
による接触によって、コンビナトリアル測定試料１０か
ら多数の電気信号を取り出せるようにする。
【００２０】例えば、一列に４本のプローブピン１５
ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄを立てて、プローブピン１
５ａと１５ｄ間に電流を流すことにより、プローブピン
１５ｂと１５ｃとで、その電位差を測定して測定試料の
コンビナトリアル熱電特性測定を同じ測定条件で一度に
同時に測定することができる。
ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄを立てて、プローブピン１
５ａと１５ｄ間に電流を流すことにより、プローブピン
１５ｂと１５ｃとで、その電位差を測定して測定試料の
コンビナトリアル熱電特性測定を同じ測定条件で一度に
同時に測定することができる。
【００２１】測定された２次元的コンビナトリアル試料
は試料台１１，１２から取り外して、新たな２次元的コ
ンビナトリアル試料を載置して同じ条件で測定を行うこ
とができる。
は試料台１１，１２から取り外して、新たな２次元的コ
ンビナトリアル試料を載置して同じ条件で測定を行うこ
とができる。
【００２２】図３は本発明の第２実施例を示すコンビナ
トリアル熱電特性測定システムの測定部の斜視図であ
る。
トリアル熱電特性測定システムの測定部の斜視図であ
る。
【００２３】この実施例では、第１実施例のプローブピ
ンアレイに換えて、ボンディングワイヤによる接続を行
うようにしている。
ンアレイに換えて、ボンディングワイヤによる接続を行
うようにしている。
【００２４】この図において、２０はフォトリソグラフ
ィー技術によってパターンニングされた、２次元的に配
置されたコンビナトリアル測定試料、２１，２２はその
測定試料２０を載置する１対の試料台、２３はその試料
台の外側面に配置されるヒーター、２４は１対の試料台
２１，２２間に配置される熱電対、２５はボンディング
用ターミナル、２６はそのボンディング用ターミナル２
５と測定試料２０間に設けられるボンディングワイヤで
ある。
ィー技術によってパターンニングされた、２次元的に配
置されたコンビナトリアル測定試料、２１，２２はその
測定試料２０を載置する１対の試料台、２３はその試料
台の外側面に配置されるヒーター、２４は１対の試料台
２１，２２間に配置される熱電対、２５はボンディング
用ターミナル、２６はそのボンディング用ターミナル２
５と測定試料２０間に設けられるボンディングワイヤで
ある。
【００２５】そこで、フォトリソグラフィー技術によっ
てパターンニングされた試料２０に、ヒーター２３によ
り、微小な温度勾配をかけ、ボンディングワイヤ２６に
よるワイヤーボンディングを用いてコンビナトリアル測
定試料２０からボンディング用ターミナル２５を介して
多数の電気信号を取り出せるようにする。
てパターンニングされた試料２０に、ヒーター２３によ
り、微小な温度勾配をかけ、ボンディングワイヤ２６に
よるワイヤーボンディングを用いてコンビナトリアル測
定試料２０からボンディング用ターミナル２５を介して
多数の電気信号を取り出せるようにする。
【００２６】図４は本発明の装置によって測定された熱
起電力の結果を示す図であり、横軸は温度差〔ΔＴ
（℃）〕、縦軸は熱起電力（μＶ）である。
起電力の結果を示す図であり、横軸は温度差〔ΔＴ
（℃）〕、縦軸は熱起電力（μＶ）である。
【００２７】この図から明らかなように、温度差に対し
て熱起電力が線形に変化していることから、正しく測定
されていることがわかる。
て熱起電力が線形に変化していることから、正しく測定
されていることがわかる。
【００２８】すなわち、本発明によれば、
（１）金属マスクを用いてパターンニングされた試料
に、微小な温度勾配をかけ、さらにプローブピンによる
接触によって、コンビナトリアル測定試料から多数の電
気信号を取り出すことができる。
に、微小な温度勾配をかけ、さらにプローブピンによる
接触によって、コンビナトリアル測定試料から多数の電
気信号を取り出すことができる。
【００２９】（２）フォトリソグラフィー技術によって
パターンニングされた試料に、微小な温度勾配をかけ、
ワイヤーボンディングを用いてコンビナトリアル測定試
料から多数の電気信号を取り出すことができる。
パターンニングされた試料に、微小な温度勾配をかけ、
ワイヤーボンディングを用いてコンビナトリアル測定試
料から多数の電気信号を取り出すことができる。
【００３０】本発明によって、コンビナトリアル薄膜合
成された測定試料は、同時に多数の熱起電力・電気抵抗
測定が可能となり、熱電材料の探索における高速スクリ
ーニングが可能となった。よって、本発明に基づく、こ
の装置は、熱電材料探索において重要な要素技術であ
る。
成された測定試料は、同時に多数の熱起電力・電気抵抗
測定が可能となり、熱電材料の探索における高速スクリ
ーニングが可能となった。よって、本発明に基づく、こ
の装置は、熱電材料探索において重要な要素技術であ
る。
【００３１】すなわち、マスク機構を利用したコンビナ
トリアル薄膜合成は、高速な材料探索手段として、急速
に広まりつつある。この手法を用いて、熱電材料探索を
行った場合、作製された薄膜を評価するために、熱電特
性測定が必要とされるが、これまで個別に測定してきて
おり、評価時間が非常にかかっていた。
トリアル薄膜合成は、高速な材料探索手段として、急速
に広まりつつある。この手法を用いて、熱電材料探索を
行った場合、作製された薄膜を評価するために、熱電特
性測定が必要とされるが、これまで個別に測定してきて
おり、評価時間が非常にかかっていた。
【００３２】本発明により、コンビナトリアル合成され
た薄膜の熱起電力と電気特性を同時に測定することが可
能となるため、高速な熱電特性の評価を行うことが可能
となった。この装置は、半導体におけるキャリアドープ
においても、導入されたキャリアの荷電の正負を容易に
評価することもできるなど、幅広く応用ができる。
た薄膜の熱起電力と電気特性を同時に測定することが可
能となるため、高速な熱電特性の評価を行うことが可能
となった。この装置は、半導体におけるキャリアドープ
においても、導入されたキャリアの荷電の正負を容易に
評価することもできるなど、幅広く応用ができる。
【００３３】なお、上記実施例では、熱浴は、二つのも
のとして説明したが、二つ以上であってもよい。
のとして説明したが、二つ以上であってもよい。
【００３４】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、コンビナトリアル合成された薄膜の熱起電力と
電気特性を同時に測定することが可能となるため、高速
な熱電特性評価を行うことができる。よって、本発明に
基づく装置は、熱電材料探索において重要な要素技術で
ある。
よれば、コンビナトリアル合成された薄膜の熱起電力と
電気特性を同時に測定することが可能となるため、高速
な熱電特性評価を行うことができる。よって、本発明に
基づく装置は、熱電材料探索において重要な要素技術で
ある。
【００３６】また、本発明は、半導体におけるキャリア
ドープにおいても、導入されたキャリアの荷電の正負を
容易に評価することもできるなど、幅広く応用ができ
る。
ドープにおいても、導入されたキャリアの荷電の正負を
容易に評価することもできるなど、幅広く応用ができ
る。
【図１】本発明の実施例を示すコンビナトリアル熱電特
性測定装置のブロック図である。
性測定装置のブロック図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すプローブピンアレイ
を用いた方式のコンビナトリアル熱電特性測定装置の斜
視図である。
を用いた方式のコンビナトリアル熱電特性測定装置の斜
視図である。
【図３】本発明の第２実施例を示すワイヤーボンディン
グを用いた方式のコンビナトリアル熱電特性測定装置の
斜視図である。
グを用いた方式のコンビナトリアル熱電特性測定装置の
斜視図である。
【図４】本発明の装置によって、測定された熱起電力の
結果を示す図である。
結果を示す図である。
１ 試料ステージ
２ 温度コントローラ
３ 温度差コントローラ
４ 電圧計
５ 電流計
６ 配線切り替え装置
７ コンピュータ
１０ 金属マスクを用いてパターンニングされた２次
元コンビナトリアル測定試料 １１，１２，２１，２２ １対の試料台 １３，２３ ヒーター １４，２４ 熱電対 １５ プローブピンアレイ １５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ プローブピン ２０ フォトリソグラフィー技術によってパターンニ
ングされた、２次元的に配置されたコンビナトリアル測
定試料 ２５ ボンディング用ターミナル ２６ ボンディングワイヤ
元コンビナトリアル測定試料 １１，１２，２１，２２ １対の試料台 １３，２３ ヒーター １４，２４ 熱電対 １５ プローブピンアレイ １５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ プローブピン ２０ フォトリソグラフィー技術によってパターンニ
ングされた、２次元的に配置されたコンビナトリアル測
定試料 ２５ ボンディング用ターミナル ２６ ボンディングワイヤ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−52783（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−22403（ＪＰ，Ａ)
特表 平10−512840（ＪＰ，Ａ)
鯉沼秀臣他１名，「先導プログラム
（コンビナトリアル技術）」，ＭＡＴＥ
ＲＩＡＬＳ ＩＮＴＥＧＲＡＴＩＯＮ,
日本，株式会社ティー・アイ・シィー,
2000年７月25日，第13巻第８号，第39−
44頁
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 27/00 - 27/24
H01L 21/66
G01N 37/00 103
G01R 27/00 - 27/32
Claims (2)
- 【請求項１】 パターニングされたコンビナトリアル試
料を、二つ以上の熱浴間に取り付けることにより微小な
温度勾配をかけ、前記コンビナトリアル試料から温度勾
配方向の電気信号を多数取り出せるようにしたことを特
徴とするコンビナトリアル試料の熱電特性測定方法。 - 【請求項２】（ａ）パターニングされたコンビナトリア
ル試料と、（ｂ）該試料に微小な温度勾配をかけるため
の二つ以上の熱浴と、（ｃ）前記温度勾配を測定する手
段と、（ｄ）前記試料に接触もしくは接続し、温度勾配
方向の電気信号を多数取り出せる部品を具備することを
特徴とするコンビナトリアル試料の熱電特性測定装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001075954A JP3388731B2 (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置 |
| PCT/JP2002/002415 WO2002075297A1 (fr) | 2001-03-16 | 2002-03-14 | Procede et dispositif destines a la mesure de caracteristiques thermoelectriques d'un objet combinatoire |
| US10/450,709 US6902317B2 (en) | 2001-03-16 | 2002-03-14 | Method and device for measuring thermoelectric characteristics of combinatorial specimen |
| EP02705181.2A EP1400804B1 (en) | 2001-03-16 | 2002-03-14 | Method and device for measuring thermoelectric characteristics of combinatorial specimen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001075954A JP3388731B2 (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002277422A JP2002277422A (ja) | 2002-09-25 |
| JP3388731B2 true JP3388731B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=18932962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001075954A Expired - Fee Related JP3388731B2 (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6902317B2 (ja) |
| EP (1) | EP1400804B1 (ja) |
| JP (1) | JP3388731B2 (ja) |
| WO (1) | WO2002075297A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4560628B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2010-10-13 | 国立大学法人東京工業大学 | コンビナトリアルマテリアル用評価基板 |
| JP2007024603A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Toyota Motor Corp | 薄膜状試料の測定方法 |
| CN1975448B (zh) * | 2006-12-11 | 2010-08-11 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种热电发电元器件性能测量装置及其方法 |
| US8087823B2 (en) * | 2008-08-18 | 2012-01-03 | International Business Machines Corporation | Method for monitoring thermal control |
| US9448121B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-09-20 | Industrial Technology Research Institute | Measurement method, measurement apparatus, and computer program product |
| RU2646537C2 (ru) * | 2015-11-30 | 2018-03-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО ТГТУ | Устройство для измерения коэффициента термоэлектродвижущей силы материалов |
| EP3340287B1 (en) * | 2016-12-23 | 2020-10-28 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Pattern-based temperature measurement for a bonding device and a bonding system |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3733887A (en) * | 1972-01-31 | 1973-05-22 | Borg Warner | Method and apparatus for measuring the thermal conductivity and thermo-electric properties of solid materials |
| US4320344A (en) * | 1978-07-24 | 1982-03-16 | Nicholas William R | Metal-alloy thermoelectric characteristic analyzer |
| HU189716B (en) * | 1983-07-14 | 1986-07-28 | Budapesti Mueszaki Egyetem,Hu | Method and appaeatus for non-destructive testing the heat physical characteristics of materials |
| GB2233457A (en) * | 1989-06-21 | 1991-01-09 | Schlumberger Technologies Ltd | Temperature reference junction for a multichannel temperature sensing system. |
| JPH0518913A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-26 | Tokuyama Soda Co Ltd | 熱起電力の測定方法および装置 |
| JPH0552783A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-02 | Tokuyama Soda Co Ltd | 熱電特性測定装置 |
| JP2730662B2 (ja) * | 1993-03-16 | 1998-03-25 | 株式会社ジャパンエナジー | 温度測定素子及び温度測定方法 |
| JPH06300719A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Tokuyama Soda Co Ltd | 熱電変換特性の測定方法及び装置 |
| JPH0755739A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Shinku Riko Kk | 熱電特性測定方法及び装置 |
| JPH07324991A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Ohara Inc | 熱電特性測定装置 |
| US5985356A (en) * | 1994-10-18 | 1999-11-16 | The Regents Of The University Of California | Combinatorial synthesis of novel materials |
| JPH09222403A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Hitachi Ltd | 物性値測定装置 |
| DE19635264C1 (de) * | 1996-08-30 | 1998-04-16 | Max Planck Gesellschaft | Thermoelektrische Mikrosonde |
| AU3691700A (en) * | 1998-12-11 | 2000-07-03 | Symyx Technologies, Inc. | Sensor array-based system and method for rapid materials characterization |
| US6487515B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-11-26 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring thermal and electrical properties of thermoelectric materials |
-
2001
- 2001-03-16 JP JP2001075954A patent/JP3388731B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-14 US US10/450,709 patent/US6902317B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-14 EP EP02705181.2A patent/EP1400804B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-14 WO PCT/JP2002/002415 patent/WO2002075297A1/ja active Application Filing
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 鯉沼秀臣他１名，「先導プログラム（コンビナトリアル技術）」，ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＩＮＴＥＧＲＡＴＩＯＮ，日本，株式会社ティー・アイ・シィー，２０００年７月２５日，第１３巻第８号，第３９−４４頁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040047398A1 (en) | 2004-03-11 |
| JP2002277422A (ja) | 2002-09-25 |
| EP1400804A1 (en) | 2004-03-24 |
| US6902317B2 (en) | 2005-06-07 |
| EP1400804A4 (en) | 2010-03-03 |
| EP1400804B1 (en) | 2016-01-13 |
| WO2002075297A1 (fr) | 2002-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3979671A (en) | Test fixture for use in a high speed electronic semiconductor chip test system | |
| US8101449B2 (en) | Process for altering thermoelectric properties of a material | |
| Tainoff et al. | Network of thermoelectric nanogenerators for low power energy harvesting | |
| Beaudoin et al. | Principles of thermal laser stimulation techniques | |
| JP3388731B2 (ja) | コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置 | |
| US20140163714A1 (en) | Thermoelectric evaluation and manufacturing methods | |
| US6448575B1 (en) | Temperature control structure | |
| Nandihalli | A short account of thermoelectric film characterization techniques | |
| Narjis et al. | Design of a simple apparatus for the measurement of the seebeck coefficient | |
| Mulla et al. | An easily constructed and inexpensive tool to evaluate the Seebeck coefficient | |
| Shih et al. | High sensitive and wide detecting range MOS tunneling temperature sensors for on-chip temperature detection | |
| Platzek et al. | Seebeck scanning microprobe for thermoelectric FGM | |
| Lipe | A new generation of multijunction thermal current converters | |
| CN111289559B (zh) | 一种基于stm-bj的单分子结热电势测量方法及其设备 | |
| US6215323B1 (en) | Method and apparatus for temperature-controlled testing of integrated circuits | |
| CN111243973B (zh) | 试验用晶圆及其制造方法 | |
| Boulouz et al. | Fabrication of Thermoelectric Sensor and Cooling Devices Based on Elaborated Bismuth‐Telluride Alloy Thin Films | |
| US11796590B2 (en) | Localized heating/cooling using thermocouple between probe pins | |
| CN113447785A (zh) | 一种有机半导体材料帕尔帖效应测试方法 | |
| US12000790B2 (en) | Physical property evaluation device | |
| Salinas et al. | Probe Design for Thermopower Measurements Using a Differential Thermocouple | |
| Chaikin et al. | Apparatus for thermopower measurements of organic conductors under pressure | |
| Koyama et al. | Novel variable‐temperature chuck for use in the detection of deep levels in processed semiconductor wafers | |
| KR20030075746A (ko) | 탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기 | |
| Yan et al. | Micro-Scale 2D Thermal Gradiometer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021224 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090117 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100117 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100117 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110117 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120117 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130117 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140117 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |