JP3384357B2 - 液晶ポリマーテープの接着方法、およびリードフレームへの半導体チップの搭載方法 - Google Patents
液晶ポリマーテープの接着方法、およびリードフレームへの半導体チップの搭載方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ポリマーテー
プの接着方法、およびリードフレームへの半導体チップ
の搭載方法に関し、特に、線膨張係数の変動を抑制し得
る液晶ポリマーテープの接着方法とそれに基づいたリー
ドフレームへの半導体チップの搭載方法に関する。
プの接着方法、およびリードフレームへの半導体チップ
の搭載方法に関し、特に、線膨張係数の変動を抑制し得
る液晶ポリマーテープの接着方法とそれに基づいたリー
ドフレームへの半導体チップの搭載方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱溶融接着の用途に使用されるポリマー
として、液晶ポリマーが有用である。このポリマーは、
吸湿性が小さいことによって特徴づけられており、従っ
て、たとえば、半導体パッケージのような水分を嫌う用
途に適している。具体的には、リードフレームに半導体
チップを搭載するときの接着剤としての用途が好適であ
る。
として、液晶ポリマーが有用である。このポリマーは、
吸湿性が小さいことによって特徴づけられており、従っ
て、たとえば、半導体パッケージのような水分を嫌う用
途に適している。具体的には、リードフレームに半導体
チップを搭載するときの接着剤としての用途が好適であ
る。
【０００３】この液晶ポリマーを接着剤として組み込ん
だ半導体パッケージによると、それ以前のポリイミドテ
ープなどを接着剤とした半導体パッケージに比べ、ヒー
トサイクル等の耐熱特性において優れた特質を示すこと
が知られている。
だ半導体パッケージによると、それ以前のポリイミドテ
ープなどを接着剤とした半導体パッケージに比べ、ヒー
トサイクル等の耐熱特性において優れた特質を示すこと
が知られている。
【０００４】従来のポリイミドテープを使用した半導体
パッケージにおいては、リードフレームと半導体チップ
の線膨張係数が３〜５×１０-6／℃であるのに対し、ポ
リイミドテープは２０〜７０×１０-6／℃と大きく、従
って、この差が原因して、信頼性試験時のヒートサイク
ルあるいはデバイス作動時の発熱等が作用したときに、
ポリイミドテープの部分からパッケージ内に割れを発生
させることが問題視されてきたが、液晶ポリマーを使用
するときには、線膨張係数の違いを原因としたこのよう
な現象を防げるとされている。
パッケージにおいては、リードフレームと半導体チップ
の線膨張係数が３〜５×１０-6／℃であるのに対し、ポ
リイミドテープは２０〜７０×１０-6／℃と大きく、従
って、この差が原因して、信頼性試験時のヒートサイク
ルあるいはデバイス作動時の発熱等が作用したときに、
ポリイミドテープの部分からパッケージ内に割れを発生
させることが問題視されてきたが、液晶ポリマーを使用
するときには、線膨張係数の違いを原因としたこのよう
な現象を防げるとされている。
【０００５】以下に、リードフレームへの半導体チップ
の搭載手順を示す。図５（ａ）は、リードフレームに半
導体チップを搭載するときの設備構成の概要を示したも
ので、リードフレーム１は、予備加熱炉２において所定
の温度に加熱された後、ヒートブロック３により保温さ
れた状態でボンディングヘッド４の下方位置に送り込ま
れる。
の搭載手順を示す。図５（ａ）は、リードフレームに半
導体チップを搭載するときの設備構成の概要を示したも
ので、リードフレーム１は、予備加熱炉２において所定
の温度に加熱された後、ヒートブロック３により保温さ
れた状態でボンディングヘッド４の下方位置に送り込ま
れる。
【０００６】図５（ｂ）に示されるように、ボンディン
グヘッド４の下方には、外部において半導体チップ５を
載せられたボンディングステージ６が引き込まれ、この
状態においてボンディングステージ６が上昇する。
グヘッド４の下方には、外部において半導体チップ５を
載せられたボンディングステージ６が引き込まれ、この
状態においてボンディングステージ６が上昇する。
【０００７】リードフレーム１には、その表面の所定の
位置に予め配線単位ごとに接着用テープ７が貼り付けら
れており、リードフレーム１と半導体チップ５は、この
接着用テープ７を間にした状態で同じ温度に加熱された
ボンディングヘッド４とステージ６によって加圧され
る。
位置に予め配線単位ごとに接着用テープ７が貼り付けら
れており、リードフレーム１と半導体チップ５は、この
接着用テープ７を間にした状態で同じ温度に加熱された
ボンディングヘッド４とステージ６によって加圧され
る。
【０００８】予備加熱炉２における予熱、ヒートブロッ
ク３による保温、ボンディングヘッド４からの熱、およ
び半導体チップ５を介したボンディングステージ６から
の熱によって充分に加熱された接着用テープ７は、確実
に熱溶融することになり、この結果、リードフレーム１
と半導体チップ５は、溶融したテープ７を介して接合さ
れることになる。
ク３による保温、ボンディングヘッド４からの熱、およ
び半導体チップ５を介したボンディングステージ６から
の熱によって充分に加熱された接着用テープ７は、確実
に熱溶融することになり、この結果、リードフレーム１
と半導体チップ５は、溶融したテープ７を介して接合さ
れることになる。
【０００９】ボンディングヘッド４とボンディングステ
ージ６による加圧は、必要によっては再度行われること
もあり、いずれにしても接着用テープ７を完全に溶融さ
せた状態で加圧が行われることから、この接合方法は、
リードフレーム１への半導体チップ５の搭載方法として
接合が確実であると同時に効率的に優れており、従っ
て、接着剤の材質に関係なく多くの場合に採用されてい
る。
ージ６による加圧は、必要によっては再度行われること
もあり、いずれにしても接着用テープ７を完全に溶融さ
せた状態で加圧が行われることから、この接合方法は、
リードフレーム１への半導体チップ５の搭載方法として
接合が確実であると同時に効率的に優れており、従っ
て、接着剤の材質に関係なく多くの場合に採用されてい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこのよ
うな半導体チップの搭載方法によると、接着用テープ７
として液晶ポリマーテープを使用するとき、線膨張係数
の増大と接着部分への空隙の発生を招くことが多い。
うな半導体チップの搭載方法によると、接着用テープ７
として液晶ポリマーテープを使用するとき、線膨張係数
の増大と接着部分への空隙の発生を招くことが多い。
【００１１】前者の問題は、液晶ポリマーテープの線膨
張係数をリードフレームおよび半導体チップと近似の水
準に設定することによってリードフレームと液晶ポリマ
ーテープ、および液晶ポリマーテープと半導体チップの
熱歪みを低減し、これによって割れの発生を抑制しよう
とする効果が失われることを意味する。
張係数をリードフレームおよび半導体チップと近似の水
準に設定することによってリードフレームと液晶ポリマ
ーテープ、および液晶ポリマーテープと半導体チップの
熱歪みを低減し、これによって割れの発生を抑制しよう
とする効果が失われることを意味する。
【００１２】この原因は、液晶ポリマーテープが充分な
熱作用のもとに液晶転位温度以上に加熱されることにあ
り、これによって液晶ポリマーテープの線膨張係数が上
昇し、条件によっては、当初の５×１０-6／℃程度の水
準から５０〜７０×１０-6／℃の水準にまで上昇するこ
とがある。
熱作用のもとに液晶転位温度以上に加熱されることにあ
り、これによって液晶ポリマーテープの線膨張係数が上
昇し、条件によっては、当初の５×１０-6／℃程度の水
準から５０〜７０×１０-6／℃の水準にまで上昇するこ
とがある。
【００１３】図６は、後者の問題である空隙の発生状況
を示したものである。液晶ポリマーテープ７が過剰に加
熱される結果、変形に対する抵抗力が減少し、このた
め、リード９と９の間に弛み１０が発生し、これが原因
となって未接着の空隙１１が発生する。この空隙１１
は、半導体パッケージを搭載したデバイス装置にとって
は重大欠陥であり、発生してはならない現象である。図
中、８はパッケージの樹脂モールド部を示す。
を示したものである。液晶ポリマーテープ７が過剰に加
熱される結果、変形に対する抵抗力が減少し、このた
め、リード９と９の間に弛み１０が発生し、これが原因
となって未接着の空隙１１が発生する。この空隙１１
は、半導体パッケージを搭載したデバイス装置にとって
は重大欠陥であり、発生してはならない現象である。図
中、８はパッケージの樹脂モールド部を示す。
【００１４】従って、本発明の目的は、液晶ポリマーテ
ープの線膨張係数を増大させることがなく、さらに、液
晶ポリマーテープの接合部に空隙を発生させることのな
い液晶ポリマーテープの接着方法と、これに基づいたリ
ードフレームへの半導体チップの搭載方法を提供するこ
とにある。
ープの線膨張係数を増大させることがなく、さらに、液
晶ポリマーテープの接合部に空隙を発生させることのな
い液晶ポリマーテープの接着方法と、これに基づいたリ
ードフレームへの半導体チップの搭載方法を提供するこ
とにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、熱溶融型の液晶ポリマーテープを被接着
対象物に加熱接着する液晶ポリマーテープの接着方法に
おいて、前記液晶ポリマーテープと前記被接着対象物の
うち、前記被接着対象物のみを前記液晶ポリマーテープ
の液晶転位温度以上に加熱し、加熱された前記被接着対
象物を前記液晶ポリマーテープに接触させることを特徴
とする液晶ポリマーテープの接着方法を提供するもので
ある。
達成するため、熱溶融型の液晶ポリマーテープを被接着
対象物に加熱接着する液晶ポリマーテープの接着方法に
おいて、前記液晶ポリマーテープと前記被接着対象物の
うち、前記被接着対象物のみを前記液晶ポリマーテープ
の液晶転位温度以上に加熱し、加熱された前記被接着対
象物を前記液晶ポリマーテープに接触させることを特徴
とする液晶ポリマーテープの接着方法を提供するもので
ある。
【００１６】また、本発明は、上記の目的を達成するた
め、表面に熱溶融型の液晶ポリマーテープを有するリー
ドフレームを前記液晶ポリマーテープを介して半導体チ
ップに加熱接着するリードフレームへの半導体チップの
搭載方法において、前記液晶ポリマーテープと前記半導
体チップのうち、前記半導体チップのみを前記液晶ポリ
マーテープの液晶転位温度以上に加熱し、加熱された前
記半導体チップを前記液晶ポリマーテープに接触させる
ことによって前記リードフレームと前記半導体チップを
接着することを特徴とするリードフレームへの半導体チ
ップの搭載方法を提供するものである。
め、表面に熱溶融型の液晶ポリマーテープを有するリー
ドフレームを前記液晶ポリマーテープを介して半導体チ
ップに加熱接着するリードフレームへの半導体チップの
搭載方法において、前記液晶ポリマーテープと前記半導
体チップのうち、前記半導体チップのみを前記液晶ポリ
マーテープの液晶転位温度以上に加熱し、加熱された前
記半導体チップを前記液晶ポリマーテープに接触させる
ことによって前記リードフレームと前記半導体チップを
接着することを特徴とするリードフレームへの半導体チ
ップの搭載方法を提供するものである。
【００１７】上記した熱溶融型の液晶ポリマーとして
は、液晶性芳香族ポリエステル樹脂、液晶性芳香族ポリ
アミド樹脂、あるいは液晶性ポリイミド樹脂等が使用さ
れる。被接着対象物としては、金属板、金属箔、あるい
は耐熱有機材料の板、フィルム状物等が挙げられ、これ
らへの液晶ポリマーテープの接着は、液晶ポリマーの液
晶転位温度以上に加熱された被接着対象物に対して、液
晶ポリマーテープを添わせ、これに、たとえば、圧着ロ
ール、あるいはプレス等による適度な圧力を加えること
によって行われる。
は、液晶性芳香族ポリエステル樹脂、液晶性芳香族ポリ
アミド樹脂、あるいは液晶性ポリイミド樹脂等が使用さ
れる。被接着対象物としては、金属板、金属箔、あるい
は耐熱有機材料の板、フィルム状物等が挙げられ、これ
らへの液晶ポリマーテープの接着は、液晶ポリマーの液
晶転位温度以上に加熱された被接着対象物に対して、液
晶ポリマーテープを添わせ、これに、たとえば、圧着ロ
ール、あるいはプレス等による適度な圧力を加えること
によって行われる。
【００１８】リードフレームの構成材としては、銅、銅
合金、あるいは４２合金等が使用される。リードフレー
ムへの半導体チップの搭載は、ボンディングヘッドとボ
ンディングステージの組み合わせによるダイアタッチに
よって行うことが好ましく、その場合、予備加熱炉は使
用しなくともよい。また、ダイアタッチ部においては、
ボンディングステージのみが液晶転位温度以上に加熱さ
れ、ボンディングヘッドの加熱は不要となる。
合金、あるいは４２合金等が使用される。リードフレー
ムへの半導体チップの搭載は、ボンディングヘッドとボ
ンディングステージの組み合わせによるダイアタッチに
よって行うことが好ましく、その場合、予備加熱炉は使
用しなくともよい。また、ダイアタッチ部においては、
ボンディングステージのみが液晶転位温度以上に加熱さ
れ、ボンディングヘッドの加熱は不要となる。
【００１９】液晶転位温度よりも低い温度であればボン
ディングヘッドの加熱は可能であるが、搭載作業の進行
とともに昇温するのを防ぐ意味から、冷却手段を組み入
れて常に常温等の一定温度に維持することが好ましい。
昇温による作業条件の変動が防止されることになるの
で、実際的である。
ディングヘッドの加熱は可能であるが、搭載作業の進行
とともに昇温するのを防ぐ意味から、冷却手段を組み入
れて常に常温等の一定温度に維持することが好ましい。
昇温による作業条件の変動が防止されることになるの
で、実際的である。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明による液晶ポリマー
テープの接着方法、およびリードフレームへの半導体チ
ップの搭載方法の実施の形態を説明する。
テープの接着方法、およびリードフレームへの半導体チ
ップの搭載方法の実施の形態を説明する。
【００２１】
【準備材料および設備構成】
・リードフレーム ：材質４２合金、厚さ０．１２５ｍｍ、５４ピン
ＴＳＯＰ ６４Ｍ ＤＲＡＭ用。
・液晶ポリマーテープ：厚さ５０μｍ、液晶転移温度約３５０℃、表面プラズマ
処理、初期線膨張係数１０〜１７×１０-6／℃（平均１
３．５×１０-6／℃）。
・半導体チップ ：Ｓｉチップ、表面ポリアミドイミドコーティング付。
・設備構成 ：図５（ｂ）。
ボンディングヘッド４とボンディングステージ６による
加圧力２ｋｇｆ／ｃｍ2 、同加圧時間１秒、ボンディン
グヘッド４の加熱なし（常に常温に維持）。
【００２２】図５のダイアタッチ構成において、予め表
面に熱溶融型の液晶ポリマーテープ７を貼り付けたリー
ドフレーム１を、予備加熱炉２およびヒートブロック３
を経ずしてボンディングヘッド４とボンディングステー
ジ６の間に導入する一方、所定の温度に加熱されたボン
ディングステージ６の上に半導体チップ５を載せること
によって半導体チップ５の温度上昇が飽和するまで加熱
し、この状態でボンディングステージ６を上昇させるこ
とによってリードフレーム１と半導体チップ５を加圧し
た後、ボンディングステージ６を下降させ、これを繰り
返すことによってリードフレーム１への半導体チップ５
の搭載作業を連続して進めた。
面に熱溶融型の液晶ポリマーテープ７を貼り付けたリー
ドフレーム１を、予備加熱炉２およびヒートブロック３
を経ずしてボンディングヘッド４とボンディングステー
ジ６の間に導入する一方、所定の温度に加熱されたボン
ディングステージ６の上に半導体チップ５を載せること
によって半導体チップ５の温度上昇が飽和するまで加熱
し、この状態でボンディングステージ６を上昇させるこ
とによってリードフレーム１と半導体チップ５を加圧し
た後、ボンディングステージ６を下降させ、これを繰り
返すことによってリードフレーム１への半導体チップ５
の搭載作業を連続して進めた。
【００２３】図１は、このときの液晶ポリマーテープ７
の、リードフレーム１との接合面から半導体チップ５と
の接合面の間における各厚さ位置の温度分布を示したも
のである。液晶ポリマーテープ７の厚さ方向における温
度は、常温に維持されたボンディングヘッド４の温度
（ＢＨ温度）からボンディングステージ６の設定温度
（ＢＳ温度）まで分布する。
の、リードフレーム１との接合面から半導体チップ５と
の接合面の間における各厚さ位置の温度分布を示したも
のである。液晶ポリマーテープ７の厚さ方向における温
度は、常温に維持されたボンディングヘッド４の温度
（ＢＨ温度）からボンディングステージ６の設定温度
（ＢＳ温度）まで分布する。
【００２４】従って、ボンディングステージ６の温度を
一定温度に設定すれば、液晶転位温度に達する部分は、
常に液晶ポリマーテープ７の表面部のみとなり、この結
果、テープ７全体を液晶転位温度以上に加熱する従来の
搭載方法におけるような、線膨張係数の増大は防止され
ることになる。
一定温度に設定すれば、液晶転位温度に達する部分は、
常に液晶ポリマーテープ７の表面部のみとなり、この結
果、テープ７全体を液晶転位温度以上に加熱する従来の
搭載方法におけるような、線膨張係数の増大は防止され
ることになる。
【００２５】図２は、
【００２１】の条件に加えてボンディングステージ６の
温度を４３０℃に一律に設定し、ボンディングヘッド４
の温度を変更したときの液晶ポリマーテープ７の線膨張
係数の変動を示したものである。ボンディングヘッド４
の温度が１８０℃までは初期の線膨張係数が維持されて
いるのに比べ、１８０℃以上においては線膨張係数の増
加が認められる。
温度を４３０℃に一律に設定し、ボンディングヘッド４
の温度を変更したときの液晶ポリマーテープ７の線膨張
係数の変動を示したものである。ボンディングヘッド４
の温度が１８０℃までは初期の線膨張係数が維持されて
いるのに比べ、１８０℃以上においては線膨張係数の増
加が認められる。
【００２６】従って、ボンディングヘッド４を１８０℃
よりも低い温度に維持し、ボンディングステージ６を一
定の温度に設定し、さらに、これらによる加圧時間を一
定に維持すれば、線膨張係数の増大のない状態のもとに
半導体チップ５の搭載を行うことができる。
よりも低い温度に維持し、ボンディングステージ６を一
定の温度に設定し、さらに、これらによる加圧時間を一
定に維持すれば、線膨張係数の増大のない状態のもとに
半導体チップ５の搭載を行うことができる。
【００２７】図３は、リードフレーム１と半導体チップ
５の剪断接着強度と液晶ポリマーテープ７の線膨張係数
におよぼすボンディングステージ６における設定温度の
影響をまとめたものである。ボンディングステージ６の
温度を３７５〜４７５℃に設定したときの剪断接着強度
と線膨張係数の変化を示したもので、４２５℃を境にし
て剪断接着強度が飽和し、一方、線膨張係数は４５０℃
から上昇に転じていることが認められる。
５の剪断接着強度と液晶ポリマーテープ７の線膨張係数
におよぼすボンディングステージ６における設定温度の
影響をまとめたものである。ボンディングステージ６の
温度を３７５〜４７５℃に設定したときの剪断接着強度
と線膨張係数の変化を示したもので、４２５℃を境にし
て剪断接着強度が飽和し、一方、線膨張係数は４５０℃
から上昇に転じていることが認められる。
【００２８】従って、このことから、
【００２１】の条件のもとでボンディングステージ６の
加熱温度を４２５〜４５０℃に設定すれば、線膨張係数
の増大を招くことなく、良好なチップ接合強度を備えた
半導体パッケージを得ることができる。
加熱温度を４２５〜４５０℃に設定すれば、線膨張係数
の増大を招くことなく、良好なチップ接合強度を備えた
半導体パッケージを得ることができる。
【００２９】図４は、ボンディングヘッド４とボンディ
ングステージ６による加圧部を拡大して示したものであ
る。液晶ポリマーテープ７は、ボンディングステージ６
に載せられて加熱された半導体チップ５に接触した表面
部Ａのみが液晶転位温度以上に加熱され、この表面部Ａ
のみによって接着が行われる。
ングステージ６による加圧部を拡大して示したものであ
る。液晶ポリマーテープ７は、ボンディングステージ６
に載せられて加熱された半導体チップ５に接触した表面
部Ａのみが液晶転位温度以上に加熱され、この表面部Ａ
のみによって接着が行われる。
【００３０】そして、液晶転位温度に達しない部分Ｂ
は、ボンディングヘッド４に近づくほど低温になること
から、ボンディングヘッド４に近づくほど剛性を増すこ
とになり、従って、液晶ポリマーテープ７の平坦性は、
この剛性によって保たれることになる。この結果、図６
に示されるような弛み１０および空隙１１の発生は防止
されることになる。
は、ボンディングヘッド４に近づくほど低温になること
から、ボンディングヘッド４に近づくほど剛性を増すこ
とになり、従って、液晶ポリマーテープ７の平坦性は、
この剛性によって保たれることになる。この結果、図６
に示されるような弛み１０および空隙１１の発生は防止
されることになる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による液晶
ポリマーテープの接着方法、およびリードフレームへの
半導体チップの搭載方法によれば、熱溶融型の液晶ポリ
マーテープと半導体チップ等の被接着対象物の接着にお
いて、これら両者のうち、被接着対象物のみを液晶ポリ
マーテープの液晶転位温度以上に加熱し、加熱された被
接着対象物を液晶ポリマーテープに接触させることによ
って接着を行うため、液晶ポリマーテープは、その表面
部だけが液晶転位温度に達することになり、従って、従
来のように液晶ポリマーテープ全体を液晶転位温度以上
に加熱することを原因とした線膨張係数の増大による割
れの発生、あるいは接合部分における空隙の発生を未然
に防止することができる。
ポリマーテープの接着方法、およびリードフレームへの
半導体チップの搭載方法によれば、熱溶融型の液晶ポリ
マーテープと半導体チップ等の被接着対象物の接着にお
いて、これら両者のうち、被接着対象物のみを液晶ポリ
マーテープの液晶転位温度以上に加熱し、加熱された被
接着対象物を液晶ポリマーテープに接触させることによ
って接着を行うため、液晶ポリマーテープは、その表面
部だけが液晶転位温度に達することになり、従って、従
来のように液晶ポリマーテープ全体を液晶転位温度以上
に加熱することを原因とした線膨張係数の増大による割
れの発生、あるいは接合部分における空隙の発生を未然
に防止することができる。
【図１】本発明による半導体チップの搭載方法の実施の
形態において、液晶ポリマーテープの厚さ方向における
温度分布を示す説明図。
形態において、液晶ポリマーテープの厚さ方向における
温度分布を示す説明図。
【図２】本発明による半導体チップの搭載方法の実施の
形態において、ボンディングヘッドの温度と線膨張係数
の関係を示す説明図。
形態において、ボンディングヘッドの温度と線膨張係数
の関係を示す説明図。
【図３】本発明による半導体チップの搭載方法の実施の
形態において、液晶ポリマーテープの線膨張係数、およ
び半導体チップとリードフレームの剪断接着強度におよ
ぼす、ボンディングステージの温度の影響を示す説明
図。
形態において、液晶ポリマーテープの線膨張係数、およ
び半導体チップとリードフレームの剪断接着強度におよ
ぼす、ボンディングステージの温度の影響を示す説明
図。
【図４】本発明による半導体チップの搭載方法の実施の
形態において、ボンディングヘッドとボンディングステ
ージによる加圧部を拡大して示した説明図。
形態において、ボンディングヘッドとボンディングステ
ージによる加圧部を拡大して示した説明図。
【図５】リードフレームへの半導体チップの搭載方法を
示す説明図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の
丸囲部の拡大図を示す。
示す説明図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の
丸囲部の拡大図を示す。
【図６】従来の半導体チップの搭載方法における問題点
の説明図。
の説明図。
１ リードフレーム
４ ボンディングヘッド
５ 半導体チップ
６ ボンディングステージ
７ 液晶ポリマーテープ
９ リード
１０ 弛み
１１ 空隙
Ａ 表面部（液晶転位）
Claims (4)
- 【請求項１】熱溶融型の液晶ポリマーテープを被接着対
象物に加熱接着する液晶ポリマーテープの接着方法にお
いて、 前記液晶ポリマーテープと前記被接着対象物のうち、前
記被接着対象物のみを前記液晶ポリマーテープの液晶転
位温度以上に加熱し、 加熱された前記被接着対象物を前記液晶ポリマーテープ
に接触させることを特徴とする液晶ポリマーテープの接
着方法。 - 【請求項２】表面に熱溶融型の液晶ポリマーテープを有
するリードフレームを前記液晶ポリマーテープを介して
半導体チップに加熱接着するリードフレームへの半導体
チップの搭載方法において、 前記液晶ポリマーテープと前記半導体チップのうち、前
記半導体チップのみを前記液晶ポリマーテープの液晶転
位温度以上に加熱し、 加熱された前記半導体チップを前記液晶ポリマーテープ
に接触させることによって前記リードフレームと前記半
導体チップを接着することを特徴とするリードフレーム
への半導体チップの搭載方法。 - 【請求項３】前記半導体チップは、ボンディングヘッド
とボンディングステージから構成されるダイアタッチ部
の加熱された前記ボンディングステージの上に載せられ
ることによって加熱され、 前記液晶ポリマーテープは、前記リードフレームおよび
半導体チップが前記ボンディングヘッドおよびボンディ
ングステージにより加圧されることによって前記半導体
チップに接触させられることを特徴とする請求項２項記
載のリードフレームへの半導体チップの搭載方法。 - 【請求項４】前記ボンディングヘッドは、常温等の一定
温度に保持されることを特徴とする請求項３項記載のリ
ードフレームへの半導体チップの搭載方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10482299A JP3384357B2 (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 液晶ポリマーテープの接着方法、およびリードフレームへの半導体チップの搭載方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10482299A JP3384357B2 (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 液晶ポリマーテープの接着方法、およびリードフレームへの半導体チップの搭載方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299328A JP2000299328A (ja) | 2000-10-24 |
| JP3384357B2 true JP3384357B2 (ja) | 2003-03-10 |
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ID=14391102
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| JP (1) | JP3384357B2 (ja) |
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| KR102485700B1 (ko) * | 2020-12-23 | 2023-01-06 | 주식회사 두산 | 반도체 패키지용 언더필 필름 및 이를 이용하는 반도체 패키지의 제조방법 |
-
1999
- 1999-04-13 JP JP10482299A patent/JP3384357B2/ja not_active Expired - Fee Related
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