JP3382101B2

JP3382101B2 - 電解イオン水生成方法

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Publication number: JP3382101B2
Application number: JP27735496A
Authority: JP
Inventors: 淳高安; 直人宮下
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1996-09-28
Filing date: 1996-09-28
Publication date: 2003-03-04
Anticipated expiration: 2016-09-28
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Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電解イオン水生成
方法に係り、特に電気分解に用いる電極及び支持電解質
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から電解イオン水生成装置により生
成されたイオン水は、各分野に利用され、とくに半導体
装置の製造や液晶の製造などに多く用いられている。半
導体装置の製造においては、純水や超純水を電気分解し
て得られたイオン水でシリコン半導体などの半導体基板
を洗浄したり、ポリッシング等に利用されている。これ
まで半導体装置の製造において半導体基板の洗浄などに
は、フロンなどの弗素系溶剤が用いられていたが、生活
環境に悪影響を及ぼすので敬遠され始め、代わりに純水
や超純水などの水が最も安全な溶剤として利用されるよ
うになった。純水は、イオン、微粒子、微生物、有機物
などの不純物をほとんど除去した抵抗率が５〜１８ＭΩ
ｃｍ程度の高純度の水である。超純水は、超純水製造装
置により水中の懸濁物質、溶解物質及び高効率に取り除
いた純水よりさらに純度の高い極めて高純度の水であ
る。これらの水（以下、これらをまとめて純水という）
を電気分解することによって酸化性の強い陽極イオン水
（酸性水）や還元性の強い陰極イオン水（アルカリ性
水）などの電解イオン水が生成される。半導体装置や液
晶などの製造においては、これら純水や超純水の陽極イ
オン水や陰極イオン水などを用いて基板の表面を洗浄す
ることも検討されている。

【０００３】従来の電解イオン水を生成する電解イオン
水生成装置を図１１に示す。電解槽５０は、陰極室５２
と陽極室５３とを備え、陰極室５２には陰極５４１が配
置され、陽極室５３には陽極５４２が配置されている。
そして、これら電極５４（陰極５４１、陽極５４２）は
共に白金又はチタンなどから構成されている。陰極室５
２で形成される陰極イオン水５８及び陽極室５３で形成
される陽極イオン水５９とを効率よく分離するために陰
極室と陽極室とはセラミックや高分子などの多孔質の隔
膜５６で仕切られている。電解槽５０の陰極５４１は、
直流電源６６の負極６７に接続され、陽極５４２は、そ
の正極６８に接続されている。電解槽５０では電源６６
からの電源電圧を印加して電解槽５０の超純水供給ライ
ン６１から供給された純水に、例えば、塩化アンモニウ
ムなどの支持電解質を添加した希釈電解質溶液５１を電
気分解する。この電気分解の結果陰極５４１側で生成さ
れる陰極イオン水はアルカリ性水であり、陽極５４２側
で生成される陽極イオン水は酸性水である。

【０００４】陰極室５２で生成された陰極イオン水５８
は、陰極イオン水供給ライン６２から外部に供給され、
陽極室５３で生成された陽極イオン水５９は、陽極イオ
ン水供給ライン６３から外部に供給される。通常は陰極
室５２でアルカリ性水が生成されるので、例えば、半導
体装置の製造に用いられるポリッシング装置を使用する
場合、アルカリ性水を用いてポリッシングを行うには、
電解槽５０に接続された陰極イオン水供給ライン６２を
イオン水供給ラインとしてアルカリ性水をポリッシング
装置の研磨布に供給する。この場合、陽極室５３で生成
される酸性水は不要なので廃棄される。したがって、陽
極イオン水供給ライン６３はイオン水を排出するイオン
水排出ラインに接続される。また、酸性水を用いてポリ
ッシングを行うには、電解槽５０に接続された陽極イオ
ン水供給ライン６３がイオン水供給ラインとなって酸性
水を研磨布に供給する。この場合、陰極室５２で生成さ
れるアルカリ性水は不要なので廃棄される。従って陰極
イオン水供給ライン６２がイオン水を排出するイオン水
排出ラインに接続される。以上のように、電解槽５０
は、隔膜５６により２槽に分離され、各電極は分離され
たそれぞれの槽に配置されるので、それぞれの槽からア
ルカリ性水又は酸性水を目的に応じて取り出すことがで
きる。

【０００５】前述のように電解イオン水には、アルカリ
性水と酸性水があり、電解槽内で希釈された、例えば、
ＨＣｌ、ＨＮＯ₃、ＮＨ₄Ｃｌ、ＮＨ₄Ｆなどの電解質
溶液を電解することによって任意のｐＨのイオン水が生
成される。しかしこの方法では、電解質溶液に含まれる
金属イオンや電極から発生する金属イオンも電極で発生
する電界に引かれ、電解槽、特にアルカリ槽（陰極室）
内に多く入り込み、電解イオン水の純度を低下させてい
た。最近電解イオン水を半導体装置の製造におけるウェ
ーハなどの洗浄用として使用する要求が強くなってき
た。このような現状において半導体装置では微量な金属
不純物がデバイス特性に大きな影響を与えるために電解
イオン水の高純度化が必要となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】半導体基板の洗浄に電
解イオン水を使用する際、パーティクル、金属汚染など
のないことが不可欠である。金属電極を用いた場合、電
極は通常一般室で製造されており、様々な金属元素が電
極中に含有されている。耐酸化性の高いＰｔ等の貴金属
でコーティングされているような電極を使用しても、陽
極側では微量ながらＰｔを含めて多種の金属元素が溶出
してきて、生成される電解イオン水中に含まれてしま
う。このような現象は、金属酸化物から構成された電極
を用いても同様である。また、電極に炭素を用いること
も知られているが、炭素電極を電解槽に用いると、水の
電気分解によって酸素が発生し、とくに陽極側では次式
（１）示すように炭素が発生した酸素と反応して電極が
著しく消耗する。Ｃ＋Ｏ₂→ＣＯ₂↑ ・・・（１）その結果電極表面が侵されて炭素片が電極からこぼれ落
ちる。この炭素片がパーティクルの原因となってしま
う。本発明は、洗浄工程におけるランニングコストの削
減及び排水の無公害化、作業環境安全性の向上を可能に
する電解イオン水生成装置を利用した電解イオン水の生
成方法を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上のような
課題を解決するために、結晶性炭素の成形体及びその表
面に形成されたアモルファス炭素層から構成され、炭素
片の欠落することの少ない炭素電極を有する電解イオン
水生成装置を用いて高濃度の塩酸からなる支持電解質を
有する電解質溶液を電気分解して金属汚染のない電解イ
オン水を生成することを特徴としている。すなわち、請
求項１の発明は、純水又は超純水に支持電解質を加えて
高濃度の電解質溶液を形成する工程と、陽極が収容され
ている陽極室及び陰極が収容されている陰極室からなる
電気分解用電解槽に前記電解質溶液を供給する工程と、
前記電解槽内において前記電解質溶液を電気分解して電
解イオン水を生成する工程ととを備え、前記陽極及び陰
極からなる電極が結晶性炭素の成形体及びその表面に形
成されたアモルファス炭素層から構成されている電解イ
オン水生成方法を特徴とする。請求項２の発明は、前記
電極が少なくとも一部が所定の間隔をおいてフィルタに
覆われている請求項１に記載の電解イオン水生成方法を
特徴とする。請求項３の発明は、前記電解質溶液が塩酸
を支持電解質としその濃度が１０００〜１０００００ｐ
ｐｍである請求項１又は請求項２に記載の電解イオン水
生成方法を特徴とする。

【０００８】請求項４の発明は、前記塩酸を支持電解質
とする電解質溶液が前記陽極室に供給される請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載の電解イオン水生成方法を
特徴とする。請求項５の発明は、前記塩酸を支持電解質
とする電解質溶液が前記陽極室に供給される場合におい
て、アンモニアを支持電解質とする電解質溶液を陰極室
に供給する請求項４に記載の電解イオン水生成方法を特
徴とする。請求項６の発明は、前記アンモニアを支持電
解質とする電解質溶液のアンモニアの濃度が前記塩酸を
支持電解質とする電解質溶液の塩酸濃度より薄い請求項
５に記載の電解イオン水生成方法を特徴とする。請求項
７の発明は、前記アンモニアを支持電解質とする電解質
溶液にこのアンモニア濃度と同程度の塩酸を添加する請
求項５又は請求項６に記載の電解イオン水生成方法を特
徴とする。焼成などにより成形したグラファイトなどの
結晶性炭素電極は、多くの細孔があり、表面には凹凸面
が形成されている。炭素電極は、表面積が広いので電解
効率が上がる点でも望ましい材料である。そこで電極の
成形体を形成後にアモルファスなどの炭素層を表面に形
成する。成形体表面の細孔内部にまで炭素層が堆積して
いるので炭素元素同志の結合を強めて炭素片を欠落し難
くしている。

【０００９】また、電極表面などにフィルタで覆うこと
により炭素片が欠落したとしても、フィルタに捕獲して
電極イオン水中へのパーティクル混入を防ぐようにする
こともできる。支持電解質である塩酸を高濃度で添加す
ることにより、電極反応において前記（１）式の反応が
著しく少なくなり、酸素発生主体の反応から塩素発生主
体の反応となるのでとくに陽極側で問題となる炭素欠落
を十分抑制できる。また陽極では、酸素が発生する
（（２）式）他に支持電解質である塩酸中の塩素イオン
が陽極で反応して塩素が発生する（（３）式）。２Ｈ₂Ｏ→４Ｈ^＋＋Ｏ₂↑＋２ｅ⁻ ・・・（２）２Ｃｌ⁻→Ｃｌ₂↑＋２ｅ⁻ ・・・（３）上記表面に炭素層を形成した本願発明の炭素電極を用
い、１％ｗｔ以上の高濃度塩酸を含む電解質溶液を電気
分解すると前記のように塩素発生が支配的になり酸素発
生が少なくなって酸素による悪影響が著しく少なくな
る。その結果電極から欠落してくるパ−ティクルが含ま
れない高純度の電解イオン水を生成することができる。
本発明の電解イオン水生成方法で生成された電解イオン
水は、電位に影響のない範囲で希釈して半導体装置の製
造方法などに用いる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して発明の実施の
形態を説明する。図１は、本発明の電解イオン水生成方
法に用いる電解イオン水生成装置の電解槽の概略断面図
である。電解槽１は、陽極室２と陰極室３とに分かれて
おり、両者は、その境界に配置されたイオン交換膜６で
分離されている。電解槽１には、本発明の特徴である炭
素電極が設置されている。炭素電極は、陽極４と陰極５
とからなり、陽極４は陽極室２、陰極５は陰極室３に配
置されている。陽極４及び陰極５の一端はいずれも電解
槽１の上蓋に固定されている。図示はしないが、陽極４
は、電源の正極に接続され、陰極５は、電源の負極に接
続されている。電解槽１の下部から支持電解質の添加さ
れた超純水もしくは純水が電解質添加超純水供給ライン
８、９を介して供給される。陽極室２には第１の電解質
添加超純水供給ライン８が接続されており、陰極室３に
は第２の電解質添加超純水供給ライン９が接続されてい
る。電極４、５間に通電して供給ライン８、９から供給
される支持電解質の添加された超純水、すなわち、電解
質溶液を電気分解することによって電解イオン水を生成
する。陽極４のある陽極室２では酸性水が生成され、陰
極５のある陰極室３ではアルカリ性水が生成される。

【００１１】陽極室２及び陰極室３にはそれぞれ電解イ
オン水排水ライン１０、１１（すなわち、酸性水排水ラ
イン１０及びアルカリ性水排水ライン１１）が形成さ
れ、そこから電解イオン水が排出される。電解質溶液の
電解質濃度は、陽極室側の電解質溶液が塩酸１０００〜
１０００００ｐｐｍ程度、陰極室側の電解質溶液がアン
モニア１０〜５００ｐｐｍ程度にするのが適当である。
導電性を上げるには陰極室側へ供給される電解質溶液に
さらに塩酸を１０〜５００ｐｐｍ程度アンモニアの量に
合わせて添加すると良い。電解質溶液のｐＨは、８〜９
程度になるようにする。電解イオン水排水ライン１０、
１１は、ウェーハ洗浄装置などの他の装置へ電解イオン
水を供給する電解イオン水供給ラインでもある。電気分
解を行っている間は、電解イオン水排出ライン１０、１
１の開閉バルブ１８、１９は開き、電解イオン水排出ラ
イン１０、１１の分岐ラインである酸性水分岐ライン２
７及びアルカリ性水分岐ライン２８の開閉バルブ２０、
２１は閉じておく。図３は、電極（陽極）の斜視図及び
部分側面図である。この発明の実施の形態における陽極
４は、図示のように板状である。本発明で用いられる形
状は様々である。板状はもとより、丸棒状、多角柱など
を用いることができる。陽極は、グラファイトなどの結
晶性炭素を成型し、１０００℃〜１２００℃程度の熱で
数時間から数１００時間焼成して得られる。

【００１２】焼成した成型体４１は、多孔性であり、そ
の表面には凹凸が生じている。成型体４１は、アモルフ
ァス炭素材料に浸漬され焼成されて、細孔の中にまで炭
素層４２が形成されている。炭素層４２は、成型体４１
表面の凹凸に沿って密着しているので、炭素元素同志の
結合を強め、炭素片を欠落し難くしている。炭素層４２
を形成する手段としては、この他に、減圧ＣＶＤ法や真
空蒸着法などが用いられる。電解槽１内の電極（陽極４
及び陰極５）は、例えば、シリカ性の清浄度の高いフィ
ルタ７で覆われている。覆われている度合いは、一部で
も全体でも構わない。図では、一部覆われているものを
示す。電極とフィルターの間には３〜１０ｍｍ程度の間
隔が開いている。フィルタ７と電解槽１本体とは、例え
ば、間にパッキン２４、２５を挟み、ネジ２６で止める
ことによって接合されている。電気分解により陽極４や
陰極５から炭素片の欠落が予想されるが、欠落した炭素
片は、フィルタ７に捕獲され、電解イオン水中には含ま
れない。フィルタ７の材料としては、例えば、ドライフ
ィルタに用いられる石英を焼き固めたセラミックフィル
タがある。セラミックフィルタは、例えば、粒径の異な
る３層の成型体からなり、不純物を十分取り除くことが
できる。図４は、フィルタ７の斜視図である。

【００１３】本発明による電極構造の改良により電極か
らの炭素片の欠落は著しく減少するが、電気分解を長時
間続けるとフィルタ７内の炭素片は多少とも残ってい
る。これを排除するため、電解槽１に洗浄用超純水供給
ライン及び排水ラインを取り付ける。陽極室４上部に
は、第１の洗浄用超純水供給ライン１２を接続し、下部
には第１の洗浄用超純水排水ライン１４を接続する。陰
極室５上部には、第２の洗浄用超純水供給ライン１３を
接続し、下部には第２の洗浄用超純水排水ライン１５を
接続する。フィルタ内を洗浄する時には電気分解処理を
止め、電解イオン水排出ライン１０、１１の開閉バルブ
１８、１９を閉める。そして洗浄用超純水供給ライン１
２、１３の開閉バルブ１６、１７を開き、酸性水分岐ラ
イン２７及びアルカリ性水分岐ライン２８の開閉バルブ
２０、２１及び洗浄用超純水供給ライン１４、１５の開
閉バルブ２２、２３を開く。フィルター内の炭素片を洗
い流した後は、前記開閉バルブ１６、１７及び２０〜２
３を閉め、前記電解イオン水排出ライン１０、１１の開
閉バルブ１８、１９を開いて電気分解を行う。さらに万
一のために電解イオン水排水ライン１０、１１にパーテ
ィクルフィルタ２９、３０を設置する。

【００１４】図５は、図１のＡ−Ａ′線に沿う部分の断
面図である。図に示す様に陽極４及び陰極５からなる電
極は、複数個の成型体から構成されている。フィルタ７
は、各電極の各成型体の周囲を囲んでいる。図６は、フ
ィルタに関する他の実施例である。電極から生じる不純
物を取り除くのは、この不純物が生成された電解イオン
水に入り込まないようにするためである。したがって、
電解イオン水を外部に供給する電解イオン水排水ライン
に取り付ければ、とくに電極に囲むように配置する必要
はない。したがって、ここでは、高純度セラミックから
なるフィルタ７は、電解イオン水排水ラインに取り付け
られている。図７は、図５及び図６のいずれの場合とも
異なり、電解槽１の内部表面に固定してある。炭素片の
電解イオン水への混入は少ない。図２は、図１に示した
電解イオン水生成装置を半導体ウェーハの洗浄に適用し
た半導体製造装置のシステム図である。このシステム
は、基本的には、超純水もしくは純水を収容している超
純水タンク４５、電解槽１を含む電解イオン水生成装置
及び半導体ウェーハ洗浄槽３９から構成されている。蝶
純水タンク４５には、超純水もしくは純水を水の電気分
解用電解槽や半導体装置を製造するための洗浄装置など
に供給するために超純水ライン３１、３２が接続されて
いる。

【００１５】この超純水ライン３１、３２は電解槽１や
洗浄槽３９に超純水もしくは純水を供給するために適宜
分岐されている。電解槽１に接続されている図１に示さ
れた洗浄用超純水供給ライン及び排水ラインは、半導体
ウェーハの洗浄に直接関わっていないのでこの図２では
記載を省略する。電解質溶液供給ライン８は、電解質タ
ンク４８から供給された塩酸（ＨＣｌ）と超純水とをミ
キサー４６でミキシングされて形成された電解質溶液を
電解槽１に供給する。電解質溶液供給ライン９は、電解
質タンク４３から供給された塩酸（ＨＣｌ）と電解質タ
ンク４９から供給されたアンモニア（ＮＨ₃）と超純水
とをミキサー４７でミキシングして形成された電解質溶
液を電解槽１に供給する。洗浄については、パーティク
ルや金属コンタミの除去効果を上げるため、弗酸、硝
酸、塩酸等のほかの薬液と組み合わせて使用する。アル
カリ性水も界面活性剤などの薬液と組み合わせて使用す
る。ほか薬液の濃度は、０．１〜５％程度が適当であ
る。これらは薬液タンク３３、３４からポンプ３５、３
６により吸い上げられ混合される。ミキサー３７、３８
により均一に混合された電解イオン水は、洗浄槽３９へ
供給され、半導体基板４０の洗浄を行う。

【００１６】電解イオン水を半導体ウェーハの洗浄に用
いる場合、金属系電極を用いればパーティクルは抑えら
れるものの、金属がイオンとなって陽極から溶出してく
る。炭素電極単体では、陽極が酸化すること（ＣＯ₂発
生）により表面が浸食され、炭素片が欠落し多量のパー
ティクルが発生してしまう。次に、図８のプロセス図を
参照して超純水から電解イオン水生成を生成し、この電
解イオン水を用いてウェーハを洗浄するまでのプロセス
を説明する。支持電解質（２）は、超純水もしくは純水
（１）に添加されて電解質溶液（３）が形成される。電
解槽の陽極室には塩酸（ＨＣｌ）の電解質溶液を供給
し、陰極室にはアンモニア（ＮＨ₃）と必要に応じて塩
酸（ＨＣｌ）とを添加した電解質溶液を供給する。電解
質溶液は、電解槽で電気分解（４）され、陽極室で酸性
イオン水が生成され、陰極室でアルカリ性イオン水が生
成される。生成された電解イオン水は、必要に応じて薬
液（５）が添加される。すなわち、酸性イオン水には界
面活性剤などが添加され、アルカリ性イオン水には硝酸
もしくは弗酸が供給される。

【００１７】図９は、本発明の特性を説明する電解イオ
ン水中のパーティクル数の電解質溶液中のＨＣｌ濃度依
存性を示す特性図である。縦軸に生成される電解イオン
水中のパ−ティクル数（個／１０ｍｌ）を表し、横軸に
電気分解される電解質溶液中のＨＣｌ濃度（ｐｐｍ）を
表している。従来は、電気分解に必要な濃度１０００ｐ
ｐｍ以下で電解質溶液を電気分解していたが、本発明で
は、１０００ｐｐｍを越える高濃度で電気分解を行うの
で、電極反応が前述のように塩素発生主体になり、炭素
欠落が著しく減少する。ＨＣｌ濃度が１００００ｐｐ
ｍ、２００００ｐｐｍになるとパーティクル数が極端に
減少する。図１０は、生成された電解イオン水の酸化還
元電位（ＯＲＰ）とｐＨの経時変化を説明する特性図で
ある。縦軸の左側は、この酸化還元電位（ｍＶ）を表
し、右側は、電解イオン水のｐＨを表す。横軸は、本発
明で行われる電気分解の電解時間（ｈ）を表す。電気分
解を５００時間連続して行っても生成される電解イオン
水のＯＲＰやｐＨなどの特性には殆ど変化は認められな
かった。このように、本発明では、電気分解するための
電解槽の電極にアモルファス炭素層で被覆された結晶性
の炭素成形体を用い、電解槽で電気分解される電解質溶
液中の塩素濃度を１０００〜１０００００ｐｐｍの高濃
度にすることにより電極の炭素欠落を抑制することがで
きる。また、電極周りにフィルターを設置し、発生する
パーティクルを捕集することもできる。

【００１８】

【発明の効果】本発明の方法によれば、超純水を電気分
解する際に生じるパーティクル発生、金属汚染を抑え、
半導体ウェーハの洗浄への使用に耐え得る高清浄な電解
イオン水を生成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電解イオン水生成装置における電解槽
の概略断面図。

【図２】本発明の電解イオン水生成装置及び洗浄装置の
概略システム図。

【図３】本発明の陽極の斜視図及び断面図。

【図４】本発明に用いる高純度フィルタの斜視図。

【図５】図１のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。

【図６】本発明の電解槽の断面図。

【図７】本発明の電解槽の断面図。

【図８】本発明の電解イオン水生成方法を説明するフロ
ーチャート図。

【図９】本発明の特性を説明する電解イオン水中のパー
ティクル数の電解質溶液中のＨＣｌ濃度依存性を示す特
性図。

【図１０】本発明の特性を説明する電解イオン水の酸化
還元電位とｐＨの経時変化を説明する特性図。

【図１１】従来の電解槽の断面図。

【符号の説明】

１・・・電解槽、２・・・陽極室、３・・・陰
極室、４・・・陽極、５・・・陰極、６・・・
イオン交換膜、７・・・高純度フィルタ、８、９・
・・電解質添加超純水供給ライン、１０・・・酸性水排
水ライン、１１・・・アルカリ性水排水ライン、１
２、１３・・・洗浄用超純水供給ライン、１４、１５・
・・洗浄用超純水排水ライン、１６、１７、１８、１
９、２０、２１、２２、２３・・・開閉バルブ、２４、
２５・・・パッキン、２６・・固定ネジ、２７・・
・酸性水分岐ライン、２８・・・アルカリ性水分岐
ライン、２９、３０・・・パーティクルフイルタ、３
１、３２・・・超純水ライン、３３、３４・・・薬
液タンク、３５、３６、４９、４４、７０・・・ポン
プ、３７、３８、４６、４７・・・ミキサー、３９・・
・洗浄槽、４０・・・半導体ウェーハ、４１・・・
成型体、４２・・・炭素層、４５・・・超純水
タンク、４８、４３、４９・・・支持電解質タンク。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C02F 1/46 C25B 9/00 C25B 11/12

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】純水又は超純水に支持電解質を加えて高
濃度の電解質溶液を形成する工程と、陽極が収容されている陽極室及び陰極が収容されている
陰極室からなる電気分解用電解槽に前記電解質溶液を供
給する工程と、前記電解槽内において前記電解質溶液を電気分解して電
解イオン水を生成する工程とを備え、前記陽極及び陰極からなる電極は、結晶性炭素の成形体
及びその表面に形成されたアモルファス炭素層から構成
されていることを特徴とする電解イオン水生成方法。
【請求項２】前記電極は、少なくとも一部が所定の間
隔をおいてフィルタに覆われていることを特徴とする請
求項１に記載の電解イオン水生成方法。
【請求項３】前記電解質溶液は、塩酸を支持電解質と
しその濃度は、１０００〜１０００００ｐｐｍであるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電解イオ
ン水生成方法。
【請求項４】前記塩酸を支持電解質とする電解質溶液
は、前記陽極室に供給されることを特徴とする請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載の電解イオン水生成方
法。
【請求項５】前記塩酸を支持電解質とする電解質溶液
が前記陽極室に供給される場合において、アンモニアを
支持電解質とする電解質溶液を陰極室に供給することを
特徴とする請求項４に記載の電解イオン水生成方法。
【請求項６】前記アンモニアを支持電解質とする電解
質溶液のアンモニアの濃度は、前記塩酸を支持電解質と
する電解質溶液の塩酸濃度より薄いことを特徴とする請
求項５に記載の電解イオン水生成方法。
【請求項７】前記アンモニアを支持電解質とする電解
質溶液にこのアンモニア濃度と同程度の塩酸を添加する
ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電解イ
オン水生成方法。