JP3379074B2 - 光ファイバの製造方法 - Google Patents
光ファイバの製造方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
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- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01205—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments
- C03B37/01225—Means for changing or stabilising the shape, e.g. diameter, of tubes or rods in general, e.g. collapsing
- C03B37/0124—Means for reducing the diameter of rods or tubes by drawing, e.g. for preform draw-down
- C03B37/01245—Means for reducing the diameter of rods or tubes by drawing, e.g. for preform draw-down by drawing and collapsing
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
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- C03B2201/82—Fluoride glasses, e.g. ZBLAN glass
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低損失で機械強度に優
れた光ファイバの製造方法に関するものである。
れた光ファイバの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】希土類元素をコア中に添加した多成分ガ
ラス光ファイバ、特にフッ化物光ファイバは、レーザや
光ファイバ増幅器の活性媒体として注目されている。特
に、Ｐｒ3+（プラセオジムイオン）を添加したもので
は、１．３μｍ帯光ファイバ増幅器の活性媒体として、
近年研究が盛んである（大石ら。応用物理、第６２巻、
第１号、ｐ．３６、１９９３）。
ラス光ファイバ、特にフッ化物光ファイバは、レーザや
光ファイバ増幅器の活性媒体として注目されている。特
に、Ｐｒ3+（プラセオジムイオン）を添加したもので
は、１．３μｍ帯光ファイバ増幅器の活性媒体として、
近年研究が盛んである（大石ら。応用物理、第６２巻、
第１号、ｐ．３６、１９９３）。
【０００３】ところで、光ファイバを実用に供するため
には、機械強度が重要なパラメータとなる。石英系の光
ファイバでは、５〜６ＧＰａ（ギガパスカル）程度の高
強度が得られている。これに対し、フッ化物系の光ファ
イバの場合は、そのフッ化物ガラス自体の固有の機械強
度が石英ガラスの約３分の１程度と低いこと、およびフ
ッ化物ガラスが結晶化し易いため、その後の母材の加熱
延伸工程あるいは線引き工程においてガラスの一部が結
晶化してしまう不都合がある。このため現状では、高強
度のフッ化物系の光ファイバを製造するのが困難であ
る。
には、機械強度が重要なパラメータとなる。石英系の光
ファイバでは、５〜６ＧＰａ（ギガパスカル）程度の高
強度が得られている。これに対し、フッ化物系の光ファ
イバの場合は、そのフッ化物ガラス自体の固有の機械強
度が石英ガラスの約３分の１程度と低いこと、およびフ
ッ化物ガラスが結晶化し易いため、その後の母材の加熱
延伸工程あるいは線引き工程においてガラスの一部が結
晶化してしまう不都合がある。このため現状では、高強
度のフッ化物系の光ファイバを製造するのが困難であ
る。
【０００４】希土類元素添加フッ化物系の光ファイバを
光増幅器の活性媒体として用いる場合には、上記光増幅
器内への実装に耐えられるだけの十分な光ファイバ強度
を確保する必要がある。フッ化物系の光ファイバの中で
も、母材を直接、線引きして得られる多モード光ファイ
バでは、７００ＭＰａ（メガパスカル）程度と、実装に
耐え得るのに十分な光ファイバが得られている。一方、
光ファイバ増幅器に用いるフッ化物系の単一モード光フ
ァイバの強度は、３００ＭＰａ程度であり、実装に耐え
得るというレベルには、まだ達していないのが現状であ
る。
光増幅器の活性媒体として用いる場合には、上記光増幅
器内への実装に耐えられるだけの十分な光ファイバ強度
を確保する必要がある。フッ化物系の光ファイバの中で
も、母材を直接、線引きして得られる多モード光ファイ
バでは、７００ＭＰａ（メガパスカル）程度と、実装に
耐え得るのに十分な光ファイバが得られている。一方、
光ファイバ増幅器に用いるフッ化物系の単一モード光フ
ァイバの強度は、３００ＭＰａ程度であり、実装に耐え
得るというレベルには、まだ達していないのが現状であ
る。
【０００５】このようなフッ化物系の単一モード光ファ
イバを製造するための従来の方法は、ジャケット管に、
このジャケット管より高い屈折率部分を少なくとも一部
に有するフッ化物ガラスよりなるロッドを挿入して複合
体を得、該複合体を加熱し延伸して母材を得る工程と、
該母材を加熱し線引きして、または該母材をジャケット
管に挿入して加熱し線引きして、光ファイバを得る工程
とを含むものである。
イバを製造するための従来の方法は、ジャケット管に、
このジャケット管より高い屈折率部分を少なくとも一部
に有するフッ化物ガラスよりなるロッドを挿入して複合
体を得、該複合体を加熱し延伸して母材を得る工程と、
該母材を加熱し線引きして、または該母材をジャケット
管に挿入して加熱し線引きして、光ファイバを得る工程
とを含むものである。
【０００６】しかしながら、上記加熱延伸工程または線
引き工程は、ジャケット管内を減圧して行われていたた
め、ジャケット管に挿入されたロッドまたは複合体への
熱の移動が悪く、ジャケット管のみが必要以上に加熱さ
れ、その加熱部分の結晶化が進んでしまう。このため、
上述したように、得られる光ファイバの強度は３００Ｍ
Ｐａ程度と低いものであった。
引き工程は、ジャケット管内を減圧して行われていたた
め、ジャケット管に挿入されたロッドまたは複合体への
熱の移動が悪く、ジャケット管のみが必要以上に加熱さ
れ、その加熱部分の結晶化が進んでしまう。このため、
上述したように、得られる光ファイバの強度は３００Ｍ
Ｐａ程度と低いものであった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フッ
化物ガラス等からなる高強度の単一モード光ファイバの
製造方法を提供することにある。
化物ガラス等からなる高強度の単一モード光ファイバの
製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、ジャケット管に、該ジャケ
ット管より高い屈折率部分を少なくとも一部に有するガ
ラスロッドを挿入して該ガラスロッドと前記ジャケット
管との複合体を得る第１の工程と、該複合体を加熱し延
伸して母材を得る第２の工程と、該母材を加熱し線引き
して光ファイバを得る第３の工程とを含む、フッ化物ガ
ラス、テルライトガラスまたはカルコゲナイドガラスか
らなる光ファイバの製造方法であって、前記第２の工程
は、前記複合体の内部を陰圧に保ちつつ、該複合体の内
部にヘリウム、水素および重水素からなる群より選択さ
れた少なくとも１種のガスを含むガスを導入して行うこ
とを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、ジャケット管に、該ジャケ
ット管より高い屈折率部分を少なくとも一部に有するガ
ラスロッドを挿入して該ガラスロッドと前記ジャケット
管との複合体を得る第１の工程と、該複合体を加熱し延
伸して母材を得る第２の工程と、該母材を加熱し線引き
して光ファイバを得る第３の工程とを含む、フッ化物ガ
ラス、テルライトガラスまたはカルコゲナイドガラスか
らなる光ファイバの製造方法であって、前記第２の工程
は、前記複合体の内部を陰圧に保ちつつ、該複合体の内
部にヘリウム、水素および重水素からなる群より選択さ
れた少なくとも１種のガスを含むガスを導入して行うこ
とを特徴とする。
【０００９】請求項５記載の発明は、第１のジャケット
管に、該第１のジャケット管より高い屈折率部分を少な
くとも一部に有するガラスロッドを挿入して該ガラスロ
ッドと前記第１のジャケット管との第１の複合体を得る
第１の工程と、該第１の複合体を加熱し延伸して母材を
得る第２の工程と、該母材を第２のジャケット管に挿入
して該第２のジャケット管と前記母材との第２の複合体
を得る第３の工程と、該第２の複合体を加熱し線引きし
て光ファイバを得る第４の工程とを含む、フッ化物ガラ
ス、テルライトガラスまたはカルコゲナイドガラスから
なる光ファイバの製造方法であって、前記第２の工程お
よび前記第４の工程のうち少なくとも一方の工程は、前
記第１の複合体または前記第２の複合体の内部を陰圧に
保ちつつ、該複合体の内部にヘリウム、水素および重水
素からなる群より選択された少なくとも１種のガスを含
むガスを導入して行うことを特徴とする。
管に、該第１のジャケット管より高い屈折率部分を少な
くとも一部に有するガラスロッドを挿入して該ガラスロ
ッドと前記第１のジャケット管との第１の複合体を得る
第１の工程と、該第１の複合体を加熱し延伸して母材を
得る第２の工程と、該母材を第２のジャケット管に挿入
して該第２のジャケット管と前記母材との第２の複合体
を得る第３の工程と、該第２の複合体を加熱し線引きし
て光ファイバを得る第４の工程とを含む、フッ化物ガラ
ス、テルライトガラスまたはカルコゲナイドガラスから
なる光ファイバの製造方法であって、前記第２の工程お
よび前記第４の工程のうち少なくとも一方の工程は、前
記第１の複合体または前記第２の複合体の内部を陰圧に
保ちつつ、該複合体の内部にヘリウム、水素および重水
素からなる群より選択された少なくとも１種のガスを含
むガスを導入して行うことを特徴とする。
【００１０】ここで、請求項１または５に記載の光ファ
イバの製造方法において、前記導入ガスは、不活性ガス
または含フッ素ガスを含む混合ガスであってもよい。
イバの製造方法において、前記導入ガスは、不活性ガス
または含フッ素ガスを含む混合ガスであってもよい。
【００１１】請求項９に記載の発明は、ジャケット管
に、該ジャケット管より高い屈折率部分を少なくとも一
部に有するガラスロッドを挿入して該ガラスロッドと前
記ジャケット管との複合体を得る第１の工程と、該複合
体を加熱し延伸して母材を得る第２の工程と、該母材を
加熱して線引きして光ファイバを得る第３の工程とを含
む、フッ化物ガラス、テルライトガラスまたはカルコゲ
ナイドガラスからなる光ファイバの製造法であって、前
記第２の工程は、前記複合体の内部を陰圧に保ちつつ、
該複合体の内部に、高分子物質、低融点半田、インジウ
ムメタルまたは水銀から選択された少なくとも一種の液
体を導入して行うことを特徴とする。
に、該ジャケット管より高い屈折率部分を少なくとも一
部に有するガラスロッドを挿入して該ガラスロッドと前
記ジャケット管との複合体を得る第１の工程と、該複合
体を加熱し延伸して母材を得る第２の工程と、該母材を
加熱して線引きして光ファイバを得る第３の工程とを含
む、フッ化物ガラス、テルライトガラスまたはカルコゲ
ナイドガラスからなる光ファイバの製造法であって、前
記第２の工程は、前記複合体の内部を陰圧に保ちつつ、
該複合体の内部に、高分子物質、低融点半田、インジウ
ムメタルまたは水銀から選択された少なくとも一種の液
体を導入して行うことを特徴とする。
【００１２】請求項１０に記載の発明は、第１のジャケ
ット管に、該第１のジャケット管より高い屈折率部分を
少なくとも一部に有するガラスロッドを挿入して該ガラ
スロッドと前記第１のジャケット管との第１の複合体を
得る第１の工程と、該第１の複合体を加熱し延伸して母
材を得る第２の工程と、該母材を第２のジャケット管に
挿入して該第２のジャケット管と前記母材との第２の複
合体を得る第３の工程と、該第２の複合体を加熱し線引
きして光ファイバを得る第４の工程とを含む、フッ化物
ガラス、テルライトガラスまたはカルコゲナイドガラス
からなる光ファイバの製造方法であって、前記第２の工
程および第４の工程のうち少なくとも一方の工程は、前
記第１の複合体または前記第２の複合体の内部を陰圧に
保ちつつ、該複合体の内部に、高分子物質、低融点半
田、インジウムメタルまたは水銀から選択された少なく
とも一種の液体を導入して行うことを特徴とする。
ット管に、該第１のジャケット管より高い屈折率部分を
少なくとも一部に有するガラスロッドを挿入して該ガラ
スロッドと前記第１のジャケット管との第１の複合体を
得る第１の工程と、該第１の複合体を加熱し延伸して母
材を得る第２の工程と、該母材を第２のジャケット管に
挿入して該第２のジャケット管と前記母材との第２の複
合体を得る第３の工程と、該第２の複合体を加熱し線引
きして光ファイバを得る第４の工程とを含む、フッ化物
ガラス、テルライトガラスまたはカルコゲナイドガラス
からなる光ファイバの製造方法であって、前記第２の工
程および第４の工程のうち少なくとも一方の工程は、前
記第１の複合体または前記第２の複合体の内部を陰圧に
保ちつつ、該複合体の内部に、高分子物質、低融点半
田、インジウムメタルまたは水銀から選択された少なく
とも一種の液体を導入して行うことを特徴とする。
【００１３】
【００１４】また、前記液体は、フッ化物ガラスが軟化
する温度およそ２８０℃付近において液体状態を保つこ
とができる高分子物質（例えば、高分子材料便覧、高分
子学会編、ｐ１０３〜ｐ１０５に記載されているポリス
チレン、ポリメチルアクリレート、ポリエチルアクリレ
ート、ポリプロピルアクリレート、ポリメチルメタクリ
レート、ポリプロピルメタクリレート、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリ塩化酢酸ビニル、ポリプロピオン酢酸ビニルな
どの無定形高分子、または対称性高分子（ポリジメチル
シロキサン、ポリエチレン、ポリイソブチレン、ポリ塩
化ビニリデン、ポリ四フッ化エチレン等）、非対称性高
分子（ヘベアゴム、ポリクロロプレン、グッタベルカ、
ポリビニルイソブチルエーテル、ポリ塩化三フッ化エチ
レン等）、縮合高分子（ポリエチレンアジペート、ポリ
１，４−ブタンジオールアジペート、ポリエチレンセバ
ケート、チオコール、セルローストリブチレート、ナイ
ロン６−１０、テリレン、セバコイルピペラジン、ジイ
ソシアネートポリウレタン１，４−ブタンジオールヘキ
サン等）などの結晶性高分子）の他、フッ素樹脂（高分
子材料便覧、高分子学会編、ｐ１３０）、低融点半田、
インジウムメタルまたは水銀であるいことが望ましい。
する温度およそ２８０℃付近において液体状態を保つこ
とができる高分子物質（例えば、高分子材料便覧、高分
子学会編、ｐ１０３〜ｐ１０５に記載されているポリス
チレン、ポリメチルアクリレート、ポリエチルアクリレ
ート、ポリプロピルアクリレート、ポリメチルメタクリ
レート、ポリプロピルメタクリレート、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリ塩化酢酸ビニル、ポリプロピオン酢酸ビニルな
どの無定形高分子、または対称性高分子（ポリジメチル
シロキサン、ポリエチレン、ポリイソブチレン、ポリ塩
化ビニリデン、ポリ四フッ化エチレン等）、非対称性高
分子（ヘベアゴム、ポリクロロプレン、グッタベルカ、
ポリビニルイソブチルエーテル、ポリ塩化三フッ化エチ
レン等）、縮合高分子（ポリエチレンアジペート、ポリ
１，４−ブタンジオールアジペート、ポリエチレンセバ
ケート、チオコール、セルローストリブチレート、ナイ
ロン６−１０、テリレン、セバコイルピペラジン、ジイ
ソシアネートポリウレタン１，４−ブタンジオールヘキ
サン等）などの結晶性高分子）の他、フッ素樹脂（高分
子材料便覧、高分子学会編、ｐ１３０）、低融点半田、
インジウムメタルまたは水銀であるいことが望ましい。
【００１５】また、請求項１１記載の発明は、第１のジ
ャケット管に、該第１のジャケット管より高い屈折率部
分を少なくとも一部に有するガラスロッドを挿入して該
ガラスロッドと前記第１のジャケット管との第１の複合
体を得る第１の工程と、該第１の複合体を加熱し延伸し
て母材を得る第２の工程と、該母材を第２のジャケット
管に挿入して該第２のジャケット管と前記母材との第２
の複合体を得る第３の工程と、該第２の複合体を加熱し
線引きして光ファイバを得る第４の工程とを含む、フッ
化物ガラス、テルライトガラスまたはカルコゲナイドガ
ラスからなる光ファイバの製造方法であって、前記第２
の工程および第４の工程のうち一方の工程は、前記第１
の複合体または前記第２の複合体の内部を陰圧に保ちつ
つ、該複合体の内部に、高分子物質、低融点半田、イン
ジウムメタルまたは水銀から選択された少なくとも一種
の液体を導入して行い、かつ、他方の工程は、複合体の
内部を陰圧に保ちつつ、該複合体の内部にヘリウム、水
素および重水素からなる群より選択された少なくとも一
種のガスを含むガスを導入して行うことを特徴とする。
ャケット管に、該第１のジャケット管より高い屈折率部
分を少なくとも一部に有するガラスロッドを挿入して該
ガラスロッドと前記第１のジャケット管との第１の複合
体を得る第１の工程と、該第１の複合体を加熱し延伸し
て母材を得る第２の工程と、該母材を第２のジャケット
管に挿入して該第２のジャケット管と前記母材との第２
の複合体を得る第３の工程と、該第２の複合体を加熱し
線引きして光ファイバを得る第４の工程とを含む、フッ
化物ガラス、テルライトガラスまたはカルコゲナイドガ
ラスからなる光ファイバの製造方法であって、前記第２
の工程および第４の工程のうち一方の工程は、前記第１
の複合体または前記第２の複合体の内部を陰圧に保ちつ
つ、該複合体の内部に、高分子物質、低融点半田、イン
ジウムメタルまたは水銀から選択された少なくとも一種
の液体を導入して行い、かつ、他方の工程は、複合体の
内部を陰圧に保ちつつ、該複合体の内部にヘリウム、水
素および重水素からなる群より選択された少なくとも一
種のガスを含むガスを導入して行うことを特徴とする。
【００１６】
【作用】請求項１記載の発明によれば、母材の加熱延伸
工程である第２の工程を、複合体の内部にヘリウムガ
ス、水素ガスまたは重水素ガス等の熱伝導度の高いガス
を導入しつつ行うので、そのガスにより、複合体の外側
のジャケット管から内側のロッドへの熱の移動が促進さ
れる。従って、外部から熱せられたジャケット管に熱が
不必要に滞留することを防止できるので、得られる光フ
ァイバの結晶化の進行を抑制できると共に、内部のロッ
ドを効率よく加熱できるので、上記ガスを導入しない従
来の方法に比べて短時間で処理加工を行うことができ
る。
工程である第２の工程を、複合体の内部にヘリウムガ
ス、水素ガスまたは重水素ガス等の熱伝導度の高いガス
を導入しつつ行うので、そのガスにより、複合体の外側
のジャケット管から内側のロッドへの熱の移動が促進さ
れる。従って、外部から熱せられたジャケット管に熱が
不必要に滞留することを防止できるので、得られる光フ
ァイバの結晶化の進行を抑制できると共に、内部のロッ
ドを効率よく加熱できるので、上記ガスを導入しない従
来の方法に比べて短時間で処理加工を行うことができ
る。
【００１７】請求項５記載の発明によれば、母材の加熱
延伸工程である第２の工程および線引き工程である第４
の工程のうち少なくとも一方の工程を、第１または第２
の複合体の内部にヘリウム等の熱伝導度の高いガスを導
入しつつ行うので、そのガスにより、第１または第２の
複合体の外側のジャケット管から内側のロッドまたは第
１の複合体への熱の移動が促進される。従って、請求項
１記載の発明とほぼ同様に、外部から熱せられたジャケ
ット管に熱が不必要に滞留することを防止できるので、
得られる光ファイバの結晶化の進行を抑制できると共
に、内部のロッドまたは第１の複合体を効率よく加熱で
きるので、上記ガスを導入しない従来の方法に比べて短
時間で処理加工を行うことができる。
延伸工程である第２の工程および線引き工程である第４
の工程のうち少なくとも一方の工程を、第１または第２
の複合体の内部にヘリウム等の熱伝導度の高いガスを導
入しつつ行うので、そのガスにより、第１または第２の
複合体の外側のジャケット管から内側のロッドまたは第
１の複合体への熱の移動が促進される。従って、請求項
１記載の発明とほぼ同様に、外部から熱せられたジャケ
ット管に熱が不必要に滞留することを防止できるので、
得られる光ファイバの結晶化の進行を抑制できると共
に、内部のロッドまたは第１の複合体を効率よく加熱で
きるので、上記ガスを導入しない従来の方法に比べて短
時間で処理加工を行うことができる。
【００１８】請求項９に記載の発明によれば、第３の工
程である母材の加熱延伸工程を、複合体の内部に熱伝導
度の高い液体を導入して行うので、その液体により複合
体の外部のジャケット管から内側のロッドへの熱の移動
が促進され、外部から熱せられたジャケット管に熱が不
必要に滞留することを防止できる。従って、得られる光
ファイバの結晶化の進行を抑制できると共に内部のロッ
ドを効率よく加熱できるので、上記熱伝導性液体を導入
しない従来の方法に比べて短時間で処理可能を行うこと
ができる。
程である母材の加熱延伸工程を、複合体の内部に熱伝導
度の高い液体を導入して行うので、その液体により複合
体の外部のジャケット管から内側のロッドへの熱の移動
が促進され、外部から熱せられたジャケット管に熱が不
必要に滞留することを防止できる。従って、得られる光
ファイバの結晶化の進行を抑制できると共に内部のロッ
ドを効率よく加熱できるので、上記熱伝導性液体を導入
しない従来の方法に比べて短時間で処理可能を行うこと
ができる。
【００１９】請求項１０に記載の発明によれば、第２の
工程である母材の加熱延伸工程および第４の工程である
線引き工程のうち少なくとも一方の工程を、第１または
第２の複合体の内部に熱伝導性のよい液体を導入して行
うので、その液体により、第１または第２の複合体の外
側のジャケット管から内側のロッドまたは第１の複合体
への熱の移動が促進される。従って、請求項９に記載の
発明とほぼ同様に、外部から熱せられたジャケット管に
熱が不必要に滞留することを防止できるので、得られる
光ファイバの結晶化の進行を抑制できると共に、内部の
ロッドまたは第１の複合体を効率よく加熱できるので、
上記液体を導入しない従来の方法に比べて短時間で処理
加工を行うことができる。
工程である母材の加熱延伸工程および第４の工程である
線引き工程のうち少なくとも一方の工程を、第１または
第２の複合体の内部に熱伝導性のよい液体を導入して行
うので、その液体により、第１または第２の複合体の外
側のジャケット管から内側のロッドまたは第１の複合体
への熱の移動が促進される。従って、請求項９に記載の
発明とほぼ同様に、外部から熱せられたジャケット管に
熱が不必要に滞留することを防止できるので、得られる
光ファイバの結晶化の進行を抑制できると共に、内部の
ロッドまたは第１の複合体を効率よく加熱できるので、
上記液体を導入しない従来の方法に比べて短時間で処理
加工を行うことができる。
【００２０】上記いずれの発明においても、光ファイバ
の結晶化の進行を抑制できることから、高い機械強度を
有する光ファイバを製造することができる。
の結晶化の進行を抑制できることから、高い機械強度を
有する光ファイバを製造することができる。
【００２１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の光ファイ
バの製造方法の実施例を詳細に説明する。
バの製造方法の実施例を詳細に説明する。
【００２２】まず、図１を参照して本発明の光ファイバ
の製造方法を実施するのに好適な製造装置の一例を説明
する。
の製造方法を実施するのに好適な製造装置の一例を説明
する。
【００２３】図１の（Ａ）〜（Ｄ）は、上記製造方法に
係る各工程を示す断面図である。そのうち、図１の
（Ａ）において、符号１はコアとクラッドとが例えばフ
ッ化物ガラスからなるガラス母材である。このガラス母
材１の表面エッチングは、エッチング浴６内で行われ
る。表面エッチング処理後のガラス母材１を、このガラ
ス母材１と同一組成のフッ化物ガラスからなるジャケッ
ト管２内に挿入して複合体を作製する。この複合体の作
製に際しては、ガラス母材１とジャケット管２との双方
の表面上の水分を十分に除去しておく必要がある。水分
の存在は、後述の加熱延伸工程中のフッ化物ガラスの結
晶化を促進してしまうからである。
係る各工程を示す断面図である。そのうち、図１の
（Ａ）において、符号１はコアとクラッドとが例えばフ
ッ化物ガラスからなるガラス母材である。このガラス母
材１の表面エッチングは、エッチング浴６内で行われ
る。表面エッチング処理後のガラス母材１を、このガラ
ス母材１と同一組成のフッ化物ガラスからなるジャケッ
ト管２内に挿入して複合体を作製する。この複合体の作
製に際しては、ガラス母材１とジャケット管２との双方
の表面上の水分を十分に除去しておく必要がある。水分
の存在は、後述の加熱延伸工程中のフッ化物ガラスの結
晶化を促進してしまうからである。
【００２４】次に、図１の（Ｃ）に示すように、上記複
合体を加熱炉ボックス８内に収容し、その複合体のジャ
ケット管２の上部をＯ−リング１０を介して保持するジ
ャケット管保持具７により吊り下げた状態に保持する。
この保持具７は図示しないエレベータにより昇降可能で
ある。保持具７の下方には、円筒状の加熱炉３が配設さ
れており、この加熱炉３により、上記複合体の下部を軟
化させ、延伸させることができる。保持具７の中央部に
は、複合体のジャケット管２の内部を減圧にするための
減圧装置１１が減圧パイプ１１ａを介して接続されてい
る。この減圧パイプ１１ａには、減圧されたジャケット
管２の内部に熱伝導性の高いガス（ヘリウムガス、水素
ガス、重水素ガス等）または液体（後述）を導入するた
めの供給装置１３が分岐パイプとしての導入管１３ａを
介して接続されている。
合体を加熱炉ボックス８内に収容し、その複合体のジャ
ケット管２の上部をＯ−リング１０を介して保持するジ
ャケット管保持具７により吊り下げた状態に保持する。
この保持具７は図示しないエレベータにより昇降可能で
ある。保持具７の下方には、円筒状の加熱炉３が配設さ
れており、この加熱炉３により、上記複合体の下部を軟
化させ、延伸させることができる。保持具７の中央部に
は、複合体のジャケット管２の内部を減圧にするための
減圧装置１１が減圧パイプ１１ａを介して接続されてい
る。この減圧パイプ１１ａには、減圧されたジャケット
管２の内部に熱伝導性の高いガス（ヘリウムガス、水素
ガス、重水素ガス等）または液体（後述）を導入するた
めの供給装置１３が分岐パイプとしての導入管１３ａを
介して接続されている。
【００２５】供給装置１３または導入管１３ａの少なく
とも一方には、開閉バルブ（図示略）が取り付けられて
いる。減圧装置１１の真空引きによりジャケット管２の
内部が所定の圧力まで減圧される過程では、当然に開閉
バルブは閉じられ、その真空引きが終了した後、供給装
置１３から高熱伝導性ガスまたは液体がジャケット管２
の内部に供給される際には開閉バルブは開放される。
とも一方には、開閉バルブ（図示略）が取り付けられて
いる。減圧装置１１の真空引きによりジャケット管２の
内部が所定の圧力まで減圧される過程では、当然に開閉
バルブは閉じられ、その真空引きが終了した後、供給装
置１３から高熱伝導性ガスまたは液体がジャケット管２
の内部に供給される際には開閉バルブは開放される。
【００２６】また、加熱炉ボックス８の上部壁には、ボ
ックス８内に所望の不活性ガスを供給するための不活性
ガス供給装置１２が接続されている。
ックス８内に所望の不活性ガスを供給するための不活性
ガス供給装置１２が接続されている。
【００２７】このような構成からなる加熱炉ボックス８
内で加熱延伸されて得られた光ファイバ母材４は、図１
の（Ｄ）に示すような別のボックス８内で、母材保持具
９により吊り下げられた状態で、さらに加熱炉３により
加熱延伸されて光ファイバ５となる。この別のボックス
８には、図１の（Ｃ）に示した不活性ガス供給装置１２
のみが接続されているが、母材保持具９には供給装置は
接続されていない。なお、母材保持具９も、上記ジャケ
ット管保持具７と同様に、図示しないエレベータにより
昇降可能である。
内で加熱延伸されて得られた光ファイバ母材４は、図１
の（Ｄ）に示すような別のボックス８内で、母材保持具
９により吊り下げられた状態で、さらに加熱炉３により
加熱延伸されて光ファイバ５となる。この別のボックス
８には、図１の（Ｃ）に示した不活性ガス供給装置１２
のみが接続されているが、母材保持具９には供給装置は
接続されていない。なお、母材保持具９も、上記ジャケ
ット管保持具７と同様に、図示しないエレベータにより
昇降可能である。
【００２８】また、上記ガラス母材１とジャケット管２
とからなる複合体を加熱延伸して直接得られる光ファイ
バ５の作製は、例えば図２の（Ａ）に示すジャケット管
２内にガラス母材１を挿入して複合体を作製し、その複
合体を図２の（Ｂ）に示す加熱炉ボックス８内で加熱延
伸することにより達成される。このボックス８は、図１
の（Ｃ）に示したボックス８と構成上、同一である。加
熱条件および延伸条件などの製造条件により上記複合体
からの光ファイバ５の線引きが可能となる。
とからなる複合体を加熱延伸して直接得られる光ファイ
バ５の作製は、例えば図２の（Ａ）に示すジャケット管
２内にガラス母材１を挿入して複合体を作製し、その複
合体を図２の（Ｂ）に示す加熱炉ボックス８内で加熱延
伸することにより達成される。このボックス８は、図１
の（Ｃ）に示したボックス８と構成上、同一である。加
熱条件および延伸条件などの製造条件により上記複合体
からの光ファイバ５の線引きが可能となる。
【００２９】以下、上記の構成の製造装置を用いて本発
明に係る高強度の光ファイバを製造することができる。
明に係る高強度の光ファイバを製造することができる。
【００３０】（実施例１）内径７ｍｍのモールドを用い
て、コアが５６．５ＺｒＦ4 −１２ＢａＦ2 −１７．５
ＰｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3
−６ＬｉＦ（ｍｏｌ％）、クラッドが４７．５ＺｒＦ4
−２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −
４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）からなるフッ
化物ガラス母材（外径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍｍ，比
屈折率差Δｎ＝４．２％）をサクション・キャスティン
グ法で作製する一方、内径１５ｍｍのモールドを用い
て、母材のクラッドガラスと同一組成のフッ化物ジャケ
ット管（外径１５ｍｍ，内径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍ
ｍ）をローティーショナル・キャスティング法で作製し
た。ガラス母材およびジャケット管の外面を研磨・エッ
チングした後、両者を真空脱気することにより表面の水
分を除去した。ガラス母材に対する表面エッチングは、
例えば図１の（Ａ）に示すようにガラス母材１をエッチ
ング浴６内に収容して行うことができる。
て、コアが５６．５ＺｒＦ4 −１２ＢａＦ2 −１７．５
ＰｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3
−６ＬｉＦ（ｍｏｌ％）、クラッドが４７．５ＺｒＦ4
−２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −
４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）からなるフッ
化物ガラス母材（外径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍｍ，比
屈折率差Δｎ＝４．２％）をサクション・キャスティン
グ法で作製する一方、内径１５ｍｍのモールドを用い
て、母材のクラッドガラスと同一組成のフッ化物ジャケ
ット管（外径１５ｍｍ，内径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍ
ｍ）をローティーショナル・キャスティング法で作製し
た。ガラス母材およびジャケット管の外面を研磨・エッ
チングした後、両者を真空脱気することにより表面の水
分を除去した。ガラス母材に対する表面エッチングは、
例えば図１の（Ａ）に示すようにガラス母材１をエッチ
ング浴６内に収容して行うことができる。
【００３１】次に、例えば図１の（Ｃ）に示した不活性
ガス供給装置１２により供給された露点−８０℃の不活
性ガスの雰囲気下において、母材をジャケット管に挿入
し、ジャケット管内に例えば供給装置１３によりヘリウ
ムガスを導入し、ジャケット管内圧を７５０Ｔｏｒｒに
保持し、２ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から２
８６℃に設定した加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に
引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。この延伸で得た母材
からコア径が０．４ｍｍの部分を切りだし、次の延伸用
の母材とした。
ガス供給装置１２により供給された露点−８０℃の不活
性ガスの雰囲気下において、母材をジャケット管に挿入
し、ジャケット管内に例えば供給装置１３によりヘリウ
ムガスを導入し、ジャケット管内圧を７５０Ｔｏｒｒに
保持し、２ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から２
８６℃に設定した加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に
引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。この延伸で得た母材
からコア径が０．４ｍｍの部分を切りだし、次の延伸用
の母材とした。
【００３２】延伸中の、加熱されたジャケット管の内面
およびジャケット管内部のガラス母材表面は透明状態を
保ったままであり、得られた母材の表面および形成され
たジャケット界面はいずれも透明で、目視では欠陥は観
察されなかった。
およびジャケット管内部のガラス母材表面は透明状態を
保ったままであり、得られた母材の表面および形成され
たジャケット界面はいずれも透明で、目視では欠陥は観
察されなかった。
【００３３】さらに、ここで得られた母材を２本に切断
し、そのうちの１本の母材をエッチングして表面層を
０．０５ｍｍ取り除いた後、外面を研磨・エッチングし
たジャケット管と共に、真空脱気することにより表面の
水分を除去した。次に、母材をジャケット管に挿入し
て、露点−８０℃の不活性ガス雰囲気下において、ジャ
ケット管内に供給装置１３によりヘリウムガスを導入
し、管内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ／分の速
度で母材を上方から２７６℃に設定した加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍの光フ
ァイバに線引いた。得られた光ファイバは引っ張り強度
が７５０ＭＰａであった。
し、そのうちの１本の母材をエッチングして表面層を
０．０５ｍｍ取り除いた後、外面を研磨・エッチングし
たジャケット管と共に、真空脱気することにより表面の
水分を除去した。次に、母材をジャケット管に挿入し
て、露点−８０℃の不活性ガス雰囲気下において、ジャ
ケット管内に供給装置１３によりヘリウムガスを導入
し、管内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ／分の速
度で母材を上方から２７６℃に設定した加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍの光フ
ァイバに線引いた。得られた光ファイバは引っ張り強度
が７５０ＭＰａであった。
【００３４】（比較例１）実施例１と同様に、同一組成
・寸法のガラス母材とジャケット管を同一方法で作製し
た。それらのガラス母材およびジャケット管に、実施例
１と同様の表面処理を施し、そのまま露点−８０℃の不
活性ガス雰囲気下におき、母材をジャケット管に挿入
し、ジャケット管内を真空に引きながら、２ｍｍ／分の
速度でジャケット管を上方から２８６℃に設定した。実
施例１と同一の加熱炉へ送り込み、ジャケット管内を真
空に引きつつ、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍ
に延伸した。
・寸法のガラス母材とジャケット管を同一方法で作製し
た。それらのガラス母材およびジャケット管に、実施例
１と同様の表面処理を施し、そのまま露点−８０℃の不
活性ガス雰囲気下におき、母材をジャケット管に挿入
し、ジャケット管内を真空に引きながら、２ｍｍ／分の
速度でジャケット管を上方から２８６℃に設定した。実
施例１と同一の加熱炉へ送り込み、ジャケット管内を真
空に引きつつ、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍ
に延伸した。
【００３５】実施例１で作製した母材の残りの１本をそ
のまま露点−８０℃の不活性ガス雰囲気下において、２
ｍｍ／分の速度で母材を上方から２７６℃に設定した、
実施例１と同一の加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に
引っ張り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。得
られた光ファイバの引っ張り強度は３５０ＭＰａと低か
った。本比較例と実施例１との光ファイバ強度の差は、
ジャケット管内へのヘリウムガスの導入の有無にのみ起
因する。即ち、実施例１で光ファイバ強度が向上したの
は、ジャケット管内に導入したヘリウムガスにより、ジ
ャケット管から母材への熱の移動を起こさせ、ジャケッ
ト管の結晶化を抑制したためである。
のまま露点−８０℃の不活性ガス雰囲気下において、２
ｍｍ／分の速度で母材を上方から２７６℃に設定した、
実施例１と同一の加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に
引っ張り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。得
られた光ファイバの引っ張り強度は３５０ＭＰａと低か
った。本比較例と実施例１との光ファイバ強度の差は、
ジャケット管内へのヘリウムガスの導入の有無にのみ起
因する。即ち、実施例１で光ファイバ強度が向上したの
は、ジャケット管内に導入したヘリウムガスにより、ジ
ャケット管から母材への熱の移動を起こさせ、ジャケッ
ト管の結晶化を抑制したためである。
【００３６】（実施例２）内径７ｍｍのモールドを用い
て、実施例１と同一組成、同一寸法のガラス母材（以
下、第１のガラス母材という）とジャケット管を同一方
法で作製した。なお、ジャケット管は同一組成のものを
３本用意した。第１のガラス母材および１本目のジャケ
ット管の外面をそれぞれ研磨・エッチングした後、両者
を真空脱気することにより表面の水分を除去した。ガラ
ス母材に対する表面エッチングは、実施例１と同様に、
例えば図１の（Ａ）に示すようにガラス母材１をエッチ
ング浴６内に収容して行うことができる。
て、実施例１と同一組成、同一寸法のガラス母材（以
下、第１のガラス母材という）とジャケット管を同一方
法で作製した。なお、ジャケット管は同一組成のものを
３本用意した。第１のガラス母材および１本目のジャケ
ット管の外面をそれぞれ研磨・エッチングした後、両者
を真空脱気することにより表面の水分を除去した。ガラ
ス母材に対する表面エッチングは、実施例１と同様に、
例えば図１の（Ａ）に示すようにガラス母材１をエッチ
ング浴６内に収容して行うことができる。
【００３７】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下のグローブボックス内において、第１のガラス母材を
上記１本目のジャケット管に挿入し、ジャケット管内に
例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりヘリウ
ムガスを導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍ
ｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸し
た。
下のグローブボックス内において、第１のガラス母材を
上記１本目のジャケット管に挿入し、ジャケット管内に
例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりヘリウ
ムガスを導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍ
ｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸し
た。
【００３８】ここで、ガラス母材１のジャケット管２内
への挿入は、例えば図１の（Ｂ）に示すような状態で行
うことができ、ガラス母材１とジャケット管２とからな
る複合体は、例えば図１の（Ｃ）に示すように加熱炉ボ
ックス８において延伸することができる。
への挿入は、例えば図１の（Ｂ）に示すような状態で行
うことができ、ガラス母材１とジャケット管２とからな
る複合体は、例えば図１の（Ｃ）に示すように加熱炉ボ
ックス８において延伸することができる。
【００３９】次いで、上記の延伸で得た母材からコア径
が０．４ｍｍの部分を切りだし、次の延伸用の母材とし
た。この第２のガラス母材および２本目のジャケット管
の外面を図１に示すように研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
が０．４ｍｍの部分を切りだし、次の延伸用の母材とし
た。この第２のガラス母材および２本目のジャケット管
の外面を図１に示すように研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
【００４０】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下のグローブボックス内において、第２のガラス母材を
上記２本目のジャケット管内に挿入し、ジャケット管内
に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりヘリ
ウムガスを導入し、内圧を１０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍ
ｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸し
た。この２回目の延伸で得た母材からコア径が０．２ｍ
ｍの部分を切りだし、第３回目の延伸用の母材とした。
この第３のガラス母材および３本目のジャケット管の外
面を研磨・エッチングした後、両者を真空脱気すること
により表面の水分を除去した。
下のグローブボックス内において、第２のガラス母材を
上記２本目のジャケット管内に挿入し、ジャケット管内
に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりヘリ
ウムガスを導入し、内圧を１０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍ
ｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸し
た。この２回目の延伸で得た母材からコア径が０．２ｍ
ｍの部分を切りだし、第３回目の延伸用の母材とした。
この第３のガラス母材および３本目のジャケット管の外
面を研磨・エッチングした後、両者を真空脱気すること
により表面の水分を除去した。
【００４１】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下のグローブボックス内において、第３のガラス母材を
上記３本目のジャケット管に挿入し、ジャケット管内に
例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりヘリウ
ム−アルゴン混合ガス（混合比Ｈｅ：Ａｒ＝７：３）を
導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ／分の
速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化
させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。３回目
の延伸で得た光ファイバ母材をエッチングして表面層を
０．１ｍｍ取り除いた後、真空脱気することにより表面
の水分を除去した。
下のグローブボックス内において、第３のガラス母材を
上記３本目のジャケット管に挿入し、ジャケット管内に
例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりヘリウ
ム−アルゴン混合ガス（混合比Ｈｅ：Ａｒ＝７：３）を
導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ／分の
速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化
させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。３回目
の延伸で得た光ファイバ母材をエッチングして表面層を
０．１ｍｍ取り除いた後、真空脱気することにより表面
の水分を除去した。
【００４２】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下において、２ｍｍ／分の速度で光ファイバ母材を上方
から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外
径１２５μｍの光ファイバに線引いた。図１において符
号４は光ファイバ線引き工程に供される光ファイバ母材
である。この光ファイバ母材４は、図１の（Ｄ）に示す
ように母材保持具９により保持される。この保持具９
は、上記保持具７と同様に所定速度で下降するエレベー
タ（図示略）により昇降が可能である。上記光ファイバ
母材４からは光ファイバ５が線引きされる。
下において、２ｍｍ／分の速度で光ファイバ母材を上方
から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外
径１２５μｍの光ファイバに線引いた。図１において符
号４は光ファイバ線引き工程に供される光ファイバ母材
である。この光ファイバ母材４は、図１の（Ｄ）に示す
ように母材保持具９により保持される。この保持具９
は、上記保持具７と同様に所定速度で下降するエレベー
タ（図示略）により昇降が可能である。上記光ファイバ
母材４からは光ファイバ５が線引きされる。
【００４３】なお、延伸および線引きには同一の加熱炉
を用いており、延伸時の炉温は２８６℃、線引き時の炉
温は２７６℃であった。得られた光ファイバは、長さ５
００ｍ、コア径が１．７μｍで、１．００μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は０．０８ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得
られた光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａと高強
度を示した。
を用いており、延伸時の炉温は２８６℃、線引き時の炉
温は２７６℃であった。得られた光ファイバは、長さ５
００ｍ、コア径が１．７μｍで、１．００μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は０．０８ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得
られた光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａと高強
度を示した。
【００４４】（比較例２）実施例２の第２回目の延伸で
得られた母材の残りの一部を用いて次のようにジャケッ
ト線引きした。そのガラス母材および外径１５ｍｍ，内
径７ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチングした
後、両者を真空脱気することにより表面の水分を除去し
た。次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気下のグロ
ーブボックス内において、母材をジャケット管に挿入
し、ジャケット管内を真空に引きながら、ジャケット管
を上方から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張
り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。ガラス母
材１のジャケット管２への挿入は、例えば図２の（Ａ）
に示すように行い、線引きには図２の（Ｂ）に示すよう
な実施例２と同一の加熱炉を用いており、線引きの前半
の送り速度は０．６ｍｍ／分、後半は２ｍｍ／分とし
た。この時、光ファイバに線引くのに必要な炉温はそれ
ぞれ３００℃，３１０℃であった。得られた光ファイバ
の強度は３００ＭＰａであった。実施例２と比較する
と、ヘリウムガスを含む混合ガスをジャケット管内に導
入せずに線引きを行ったため、必要な光ファイバ強度を
得ることができなかったことがわかる。
得られた母材の残りの一部を用いて次のようにジャケッ
ト線引きした。そのガラス母材および外径１５ｍｍ，内
径７ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチングした
後、両者を真空脱気することにより表面の水分を除去し
た。次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気下のグロ
ーブボックス内において、母材をジャケット管に挿入
し、ジャケット管内を真空に引きながら、ジャケット管
を上方から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張
り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。ガラス母
材１のジャケット管２への挿入は、例えば図２の（Ａ）
に示すように行い、線引きには図２の（Ｂ）に示すよう
な実施例２と同一の加熱炉を用いており、線引きの前半
の送り速度は０．６ｍｍ／分、後半は２ｍｍ／分とし
た。この時、光ファイバに線引くのに必要な炉温はそれ
ぞれ３００℃，３１０℃であった。得られた光ファイバ
の強度は３００ＭＰａであった。実施例２と比較する
と、ヘリウムガスを含む混合ガスをジャケット管内に導
入せずに線引きを行ったため、必要な光ファイバ強度を
得ることができなかったことがわかる。
【００４５】（実施例３）内径１０ｍｍのモールドを用
いて、コアが５６ＺｒＦ4 −１４ＢａＦ2 −１５ＰｂＦ
2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７Ｌ
ｉＦ（ｍｏｌ％）、クラッドが４７．５ＺｒＦ4 −２
３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．
５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）からなるフッ化物
ガラス母材（外径１０ｍｍ，長さ１００ｍｍ，比屈折率
差Δｎ＝３．７％）をサクション・キャスティング法で
作製する一方、内径２０ｍｍのモールドを用いて、母材
のクラッドガラスと同一組成の３本のフッ化物ジャケッ
ト管（外径２０ｍｍ，内径１０ｍｍ，長さ１００ｍｍ）
をローティーショナル・キャスティング法で作製した。
ガラス母材および１本目のジャケット管の外面を研磨・
エッチングした後、両者を真空脱気することにより表面
の水分を除去した。
いて、コアが５６ＺｒＦ4 −１４ＢａＦ2 −１５ＰｂＦ
2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７Ｌ
ｉＦ（ｍｏｌ％）、クラッドが４７．５ＺｒＦ4 −２
３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．
５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）からなるフッ化物
ガラス母材（外径１０ｍｍ，長さ１００ｍｍ，比屈折率
差Δｎ＝３．７％）をサクション・キャスティング法で
作製する一方、内径２０ｍｍのモールドを用いて、母材
のクラッドガラスと同一組成の３本のフッ化物ジャケッ
ト管（外径２０ｍｍ，内径１０ｍｍ，長さ１００ｍｍ）
をローティーショナル・キャスティング法で作製した。
ガラス母材および１本目のジャケット管の外面を研磨・
エッチングした後、両者を真空脱気することにより表面
の水分を除去した。
【００４６】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＨ
ｅ（ヘリウム）ガスを導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに
保持して、２ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から
加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１
０ｍｍに延伸した。この延伸で得た母材からコア径が
０．６ｍｍの部分を切りだし、次工程の延伸用の母材と
した。このガラス母材および２本目のジャケット管の外
面を研磨・エッチングした後、両者を真空脱気すること
により表面の水分を除去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＨ
ｅ（ヘリウム）ガスを導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに
保持して、２ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から
加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１
０ｍｍに延伸した。この延伸で得た母材からコア径が
０．６ｍｍの部分を切りだし、次工程の延伸用の母材と
した。このガラス母材および２本目のジャケット管の外
面を研磨・エッチングした後、両者を真空脱気すること
により表面の水分を除去した。
【００４７】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＤ
2 （重水素）ガスを導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保
持し、２ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱
炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１０ｍ
ｍに延伸した。この２回目の延伸で得た母材からコア径
が０．３ｍｍの部分を切りだし、第３回目の延伸用の母
材とした。このガラス母材および３本目のジャケット管
の外面を研磨・エッチングした後、両者を真空脱気する
ことにより表面の水分を除去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＤ
2 （重水素）ガスを導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保
持し、２ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱
炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１０ｍ
ｍに延伸した。この２回目の延伸で得た母材からコア径
が０．３ｍｍの部分を切りだし、第３回目の延伸用の母
材とした。このガラス母材および３本目のジャケット管
の外面を研磨・エッチングした後、両者を真空脱気する
ことにより表面の水分を除去した。
【００４８】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＨ
2 −Ｎ2 混合ガス（混合比Ｈ2 ：Ｎ2 ＝７：３）を導入
し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持して、２ｍｍ／分の速
度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化さ
せて下方に引っ張り、外径１０ｍｍに延伸した。３回目
の延伸で得た母材をエッチングして表面層を０．１ｍｍ
取り除いた後、真空脱気することにより表面の水分を除
去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＨ
2 −Ｎ2 混合ガス（混合比Ｈ2 ：Ｎ2 ＝７：３）を導入
し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持して、２ｍｍ／分の速
度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化さ
せて下方に引っ張り、外径１０ｍｍに延伸した。３回目
の延伸で得た母材をエッチングして表面層を０．１ｍｍ
取り除いた後、真空脱気することにより表面の水分を除
去した。
【００４９】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、２ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍ
の光ファイバに線引いた。
において、２ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍ
の光ファイバに線引いた。
【００５０】なお、延伸および線引きには同一の加熱炉
を用いており、延伸時の炉温は２９３℃、線引き時の炉
温は２８８℃であった。得られた光ファイバは、長さ８
００ｍ、コア径が１．９μｍで、１．０５μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は０．１６ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得
られた光ファイバは引っ張り強度が６５０ＭＰａであっ
た。
を用いており、延伸時の炉温は２９３℃、線引き時の炉
温は２８８℃であった。得られた光ファイバは、長さ８
００ｍ、コア径が１．９μｍで、１．０５μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は０．１６ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得
られた光ファイバは引っ張り強度が６５０ＭＰａであっ
た。
【００５１】（比較例３）実施例３の第２回目の延伸で
得られた母材の残りの一部を用いて次のようにジャケッ
ト線引きした。そのガラス母材および外径２０ｍｍ，内
径１０ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチングし
た後、真空脱気することにより表面の水分を除去した。
次に、露点−７０℃の不活性ガス雰囲気下において、母
材をジャケット管に挿入し、ジャケット管内を真空に引
きながら、ジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、
軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍの光ファイ
バに線引いた。
得られた母材の残りの一部を用いて次のようにジャケッ
ト線引きした。そのガラス母材および外径２０ｍｍ，内
径１０ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチングし
た後、真空脱気することにより表面の水分を除去した。
次に、露点−７０℃の不活性ガス雰囲気下において、母
材をジャケット管に挿入し、ジャケット管内を真空に引
きながら、ジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、
軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍの光ファイ
バに線引いた。
【００５２】なお、線引きには実施例４と同一の加熱炉
を用いており、線引きの前半の送り速度は０．５ｍｍ／
分、後半は１．５ｍｍ／分とした。この時、光ファイバ
に線引くのに必要な炉温はそれぞれ３０４℃，３１３℃
であった。得られた光ファイバは、コア径が２．０μｍ
で、１．１１μｍにカットオフ波長を持つ単一モード光
ファイバで、１．３μｍの損失値は光ファイバの前半部
の３００ｍは５０ｄＢ／ｍ、後半部の３００ｍは３０ｄ
Ｂ／ｍと非常に大きかった。この比較例３も、従来のジ
ャケット線引き法では、熱安定性に劣る高Δｎ用のコア
ガラスが結晶化することを示している。また、ジャケッ
ト管内を真空引きしたため、光ファイバの引っ張り強度
は２３０ＭＰａと低下した。
を用いており、線引きの前半の送り速度は０．５ｍｍ／
分、後半は１．５ｍｍ／分とした。この時、光ファイバ
に線引くのに必要な炉温はそれぞれ３０４℃，３１３℃
であった。得られた光ファイバは、コア径が２．０μｍ
で、１．１１μｍにカットオフ波長を持つ単一モード光
ファイバで、１．３μｍの損失値は光ファイバの前半部
の３００ｍは５０ｄＢ／ｍ、後半部の３００ｍは３０ｄ
Ｂ／ｍと非常に大きかった。この比較例３も、従来のジ
ャケット線引き法では、熱安定性に劣る高Δｎ用のコア
ガラスが結晶化することを示している。また、ジャケッ
ト管内を真空引きしたため、光ファイバの引っ張り強度
は２３０ＭＰａと低下した。
【００５３】（実施例４）内径７ｍｍのモールドを用い
て、コアが５７ＺｒＦ4 −１０ＢａＦ2 −２０ＰｂＦ2
−３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −５Ｌｉ
Ｆ（ｍｏｌ％）、クラッドが４７．５ＺｒＦ4 −２３．
５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．５Ａ
ｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）からなるフッ化物ガラ
ス母材（外径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍｍ，比屈折率差
Δｎ＝４．６％）をサクション・キャスティング法で作
製し、内径１２ｍｍのモールドを用いて、母材のクラッ
ドガラスと同一組成の４本のフッ化物ジャケット管（外
径１２ｍｍ，内径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍｍ）をロー
ティーショナル・キャスティング法で作製した。ガラス
母材および１本目のジャケット管の外面を研磨・エッチ
ングした後、両者を真空脱気することにより表面の水分
を除去した。
て、コアが５７ＺｒＦ4 −１０ＢａＦ2 −２０ＰｂＦ2
−３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −５Ｌｉ
Ｆ（ｍｏｌ％）、クラッドが４７．５ＺｒＦ4 −２３．
５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．５Ａ
ｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）からなるフッ化物ガラ
ス母材（外径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍｍ，比屈折率差
Δｎ＝４．６％）をサクション・キャスティング法で作
製し、内径１２ｍｍのモールドを用いて、母材のクラッ
ドガラスと同一組成の４本のフッ化物ジャケット管（外
径１２ｍｍ，内径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍｍ）をロー
ティーショナル・キャスティング法で作製した。ガラス
母材および１本目のジャケット管の外面を研磨・エッチ
ングした後、両者を真空脱気することにより表面の水分
を除去した。
【００５４】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＨ
ｅ−Ｈ2 混合ガス（混合比Ｈｅ：Ｈ2 ＝５：５）を導入
し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持して、３ｍｍ／分の速
度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化さ
せて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。この延伸
で得た母材からコア径が０．７ｍｍの部分を切りだし、
次の延伸用の母材とした。このガラス母材および２本目
のジャケット管の外面を研磨・エッチングした後、両者
を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＨ
ｅ−Ｈ2 混合ガス（混合比Ｈｅ：Ｈ2 ＝５：５）を導入
し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持して、３ｍｍ／分の速
度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化さ
せて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。この延伸
で得た母材からコア径が０．７ｍｍの部分を切りだし、
次の延伸用の母材とした。このガラス母材および２本目
のジャケット管の外面を研磨・エッチングした後、両者
を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
【００５５】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、上記混合ガス
に代えてＨｅガスを導入する以外は、上記１回目の延伸
工程と同一の条件で２回目の延伸工程を行い、外径７ｍ
ｍの母材を得た。この母材のうち、コア径が０．３ｍｍ
の部分を切りだし、第３回目の延伸用の母材とした。こ
のガラス母材および３本目のジャケット管の外面を研磨
・エッチングした後、両者を真空脱気することにより表
面の水分を除去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、上記混合ガス
に代えてＨｅガスを導入する以外は、上記１回目の延伸
工程と同一の条件で２回目の延伸工程を行い、外径７ｍ
ｍの母材を得た。この母材のうち、コア径が０．３ｍｍ
の部分を切りだし、第３回目の延伸用の母材とした。こ
のガラス母材および３本目のジャケット管の外面を研磨
・エッチングした後、両者を真空脱気することにより表
面の水分を除去した。
【００５６】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内を真空に引きながら、３ｍｍ／分の速度でジャケット
管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ
張り、外径７ｍｍに延伸した。この３回目の延伸で得た
母材からコア径が０．１５ｍｍの部分を切りだし、第４
回目の延伸用の母材とした。このガラス母材および４本
目のジャケット管の外面を研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内を真空に引きながら、３ｍｍ／分の速度でジャケット
管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ
張り、外径７ｍｍに延伸した。この３回目の延伸で得た
母材からコア径が０．１５ｍｍの部分を切りだし、第４
回目の延伸用の母材とした。このガラス母材および４本
目のジャケット管の外面を研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
【００５７】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、上記２回目の
延伸工程と同一の条件で４回目の延伸工程を行い、外径
７ｍｍの母材を得た。４回目の延伸で得た母材をエッチ
ングして表面層を０．１ｍｍ取り除いた後、真空脱気す
ることにより表面の水分を除去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、上記２回目の
延伸工程と同一の条件で４回目の延伸工程を行い、外径
７ｍｍの母材を得た。４回目の延伸で得た母材をエッチ
ングして表面層を０．１ｍｍ取り除いた後、真空脱気す
ることにより表面の水分を除去した。
【００５８】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、３ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍ
の光ファイバに線引いた。
において、３ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍ
の光ファイバに線引いた。
【００５９】なお、延伸および線引きには同一の加熱炉
を用いており、延伸時の炉温は２８６℃、線引き時の炉
温は２８０℃であった。得られた光ファイバは、長さ３
００，コア径が１．６μｍで、０．９９μｍにカットオ
フ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの損
失値は０．０１ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得ら
れた光ファイバは引っ張り強度が６３０ＭＰａと高強度
を示した。
を用いており、延伸時の炉温は２８６℃、線引き時の炉
温は２８０℃であった。得られた光ファイバは、長さ３
００，コア径が１．６μｍで、０．９９μｍにカットオ
フ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの損
失値は０．０１ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得ら
れた光ファイバは引っ張り強度が６３０ＭＰａと高強度
を示した。
【００６０】（比較例４）実施例４の第３回目の延伸で
得られた母材の残りの一部を用いて次のようにジャケッ
ト線引きした。そのガラス母材および外径１２ｍｍ，内
径７ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチングした
後、両者を真空脱気することにより表面の水分を除去し
た。次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下におい
て、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管内を真
空に引きながら、ジャケット管を上方から加熱炉へ送り
込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍの光
ファイバに線引いた。
得られた母材の残りの一部を用いて次のようにジャケッ
ト線引きした。そのガラス母材および外径１２ｍｍ，内
径７ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチングした
後、両者を真空脱気することにより表面の水分を除去し
た。次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下におい
て、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管内を真
空に引きながら、ジャケット管を上方から加熱炉へ送り
込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍの光
ファイバに線引いた。
【００６１】なお、線引きには例えば図２の（Ｂ）に示
すような実施例４と同一の加熱炉を用いており、線引き
の前半の送り速度は１．５ｍｍ／分、後半は３ｍｍ／分
とした。この時、光ファイバに線引くのに必要な炉温は
それぞれ３００℃，３１０℃であった。得られた光ファ
イバは、コア径が１．８μｍで、１．１１μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は光ファイバの前半部の１００ｍは２８ｄＢ／
ｍ、後半部の２００ｍは９ｄＢ／ｍと非常に大きく、ま
た引っ張り強度は３００ＭＰａであった。
すような実施例４と同一の加熱炉を用いており、線引き
の前半の送り速度は１．５ｍｍ／分、後半は３ｍｍ／分
とした。この時、光ファイバに線引くのに必要な炉温は
それぞれ３００℃，３１０℃であった。得られた光ファ
イバは、コア径が１．８μｍで、１．１１μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は光ファイバの前半部の１００ｍは２８ｄＢ／
ｍ、後半部の２００ｍは９ｄＢ／ｍと非常に大きく、ま
た引っ張り強度は３００ＭＰａであった。
【００６２】（実施例５）内径５ｍｍのモールドを用い
て、実施例１と同一組成のコアとクラッドからなるフッ
化物ガラス母材（外径５．０ｍｍ，長さ１００ｍｍ，比
屈折率差Δｎ＝４．２％）をサクション・キャスティン
グ法で作製し、内径１２ｍｍのモールドを用いて、母材
のクラッドガラスと同一組成の２本のフッ化物ジャケッ
ト管（外径１２ｍｍ，内径５ｍｍ，長さ１００ｍｍと外
径１２ｍｍ，内径３ｍｍ，長さ１００ｍｍ）をローティ
ーショナル・キャスティング法で作製した。ガラス母材
および内径５ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチ
ングした後、両者を真空脱気することにより表面の水分
を除去した。
て、実施例１と同一組成のコアとクラッドからなるフッ
化物ガラス母材（外径５．０ｍｍ，長さ１００ｍｍ，比
屈折率差Δｎ＝４．２％）をサクション・キャスティン
グ法で作製し、内径１２ｍｍのモールドを用いて、母材
のクラッドガラスと同一組成の２本のフッ化物ジャケッ
ト管（外径１２ｍｍ，内径５ｍｍ，長さ１００ｍｍと外
径１２ｍｍ，内径３ｍｍ，長さ１００ｍｍ）をローティ
ーショナル・キャスティング法で作製した。ガラス母材
および内径５ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチ
ングした後、両者を真空脱気することにより表面の水分
を除去した。
【００６３】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＨ
ｅガスを導入し、内圧を７４０Ｔｏｒｒに保持して、３
ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り
込み、軟化させて下方に引っ張り、外径３ｍｍに延伸し
た。この延伸で得た母材のうち、コア径が０．１５ｍｍ
の部分を切りだし、次の延伸用の母材とした。このガラ
ス母材および内径３．０ｍｍのジャケット管の外面をそ
れぞれ研磨・エッチングした後、両者を真空脱気するこ
とにより表面の水分を除去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット管
内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３によりＨ
ｅガスを導入し、内圧を７４０Ｔｏｒｒに保持して、３
ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り
込み、軟化させて下方に引っ張り、外径３ｍｍに延伸し
た。この延伸で得た母材のうち、コア径が０．１５ｍｍ
の部分を切りだし、次の延伸用の母材とした。このガラ
ス母材および内径３．０ｍｍのジャケット管の外面をそ
れぞれ研磨・エッチングした後、両者を真空脱気するこ
とにより表面の水分を除去した。
【００６４】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、上記１回目の
延伸工程と同一の条件で２回目の延伸工程を行い、外径
３ｍｍの母材を得た。この母材をエッチングして表面層
を０．０５ｍｍ取り除いた後、真空脱気することにより
表面の水分を除去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、上記１回目の
延伸工程と同一の条件で２回目の延伸工程を行い、外径
３ｍｍの母材を得た。この母材をエッチングして表面層
を０．０５ｍｍ取り除いた後、真空脱気することにより
表面の水分を除去した。
【００６５】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、９ｍｍ／分の速度で２回目の延伸で得た母材
を上方から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張
り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。
において、９ｍｍ／分の速度で２回目の延伸で得た母材
を上方から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張
り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。
【００６６】なお、上記延伸および線引き工程は同一の
加熱炉を用いており、延伸時の炉温は２８８℃、線引き
時の炉温は２８０℃であった。得られた光ファイバは、
長さ１７０ｍ、コア径が１．６μｍで、０．９５μｍに
カットオフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３
μｍの損失値は０．０７ｄＢ／ｍと低損失であった。ま
た、得られた光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａ
と高強度を示した。
加熱炉を用いており、延伸時の炉温は２８８℃、線引き
時の炉温は２８０℃であった。得られた光ファイバは、
長さ１７０ｍ、コア径が１．６μｍで、０．９５μｍに
カットオフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３
μｍの損失値は０．０７ｄＢ／ｍと低損失であった。ま
た、得られた光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａ
と高強度を示した。
【００６７】（比較例５）実施例５と全く同一条件で２
回の延伸を行って外径３ｍｍの母材を作製したが、母材
表面の研磨・エッチング工程を省略して、そのまま真空
脱気することにより表面の水分を除去した。次に、ジャ
ケット管内を真空に引きながら、露点−９０℃の不活性
ガス雰囲気下において、９ｍｍ／分の速度で母材を上方
から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外
径１２５μｍの光ファイバに線引いた。
回の延伸を行って外径３ｍｍの母材を作製したが、母材
表面の研磨・エッチング工程を省略して、そのまま真空
脱気することにより表面の水分を除去した。次に、ジャ
ケット管内を真空に引きながら、露点−９０℃の不活性
ガス雰囲気下において、９ｍｍ／分の速度で母材を上方
から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外
径１２５μｍの光ファイバに線引いた。
【００６８】なお、線引き時の炉温は２８０℃であっ
た。得られた光ファイバは、長さ１７０ｍ、コア径が
１．５μｍで、０．８９μｍにカットオフ波長を持つ単
一モード光ファイバで、１．３μｍの損失値は０．０８
ｄＢ／ｍと低損失であったが、引っ張り強度は２６０Ｍ
Ｐａと低かった。この強度の低下は母材の表面層の延伸
時の結晶化に起因しており、単一モード光ファイバの高
強度化には延伸前に母材の表面層を取り除き、かつ、ジ
ャケット管内にＨｅ又はＨ2 ガスを導入する必要がある
ことを示している。
た。得られた光ファイバは、長さ１７０ｍ、コア径が
１．５μｍで、０．８９μｍにカットオフ波長を持つ単
一モード光ファイバで、１．３μｍの損失値は０．０８
ｄＢ／ｍと低損失であったが、引っ張り強度は２６０Ｍ
Ｐａと低かった。この強度の低下は母材の表面層の延伸
時の結晶化に起因しており、単一モード光ファイバの高
強度化には延伸前に母材の表面層を取り除き、かつ、ジ
ャケット管内にＨｅ又はＨ2 ガスを導入する必要がある
ことを示している。
【００６９】（実施例６）内径７ｍｍのモールドを用い
て、コアがＰｒ3+を５００ｐｐｍドープした５６ＺｒＦ
4 −１４ＢａＦ2 −１５ＰｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２
ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７ＬｉＦ（ｍｏｌ％）、クラ
ッドが４７．５ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −２．５Ｌ
ａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ
（ｍｏｌ％）からなるフッ化物ガラス母材（外径７．０
ｍｍ，長さ１５０ｍｍ，比屈折率差Δｎ＝３．７％）を
サクション・キャスティング法で作製し、内径１５ｍｍ
のモールドを用いて、母材のクラッドガラスと同一組成
のフッ化物ジャケット管（外径１５ｍｍ，内径３ｍｍ，
長さ１００ｍｍ）をローティーショナル・キャスティン
グ法で作製した。まず、ガラス母材は、外面を研磨・エ
ッチングした後、真空脱気することにより表面の水分を
除去した。
て、コアがＰｒ3+を５００ｐｐｍドープした５６ＺｒＦ
4 −１４ＢａＦ2 −１５ＰｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２
ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ3 −７ＬｉＦ（ｍｏｌ％）、クラ
ッドが４７．５ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −２．５Ｌ
ａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ
（ｍｏｌ％）からなるフッ化物ガラス母材（外径７．０
ｍｍ，長さ１５０ｍｍ，比屈折率差Δｎ＝３．７％）を
サクション・キャスティング法で作製し、内径１５ｍｍ
のモールドを用いて、母材のクラッドガラスと同一組成
のフッ化物ジャケット管（外径１５ｍｍ，内径３ｍｍ，
長さ１００ｍｍ）をローティーショナル・キャスティン
グ法で作製した。まず、ガラス母材は、外面を研磨・エ
ッチングした後、真空脱気することにより表面の水分を
除去した。
【００７０】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下において、３ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉
へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径３ｍｍに
延伸し、コア径が０．２ｍｍの部分を切りだし、次の延
伸用母材とした。このガラス母材およびジャケット管の
外面をそれぞれ研磨・エッチングした後、両者を真空脱
気することにより表面の水分を除去した。
下において、３ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉
へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径３ｍｍに
延伸し、コア径が０．２ｍｍの部分を切りだし、次の延
伸用母材とした。このガラス母材およびジャケット管の
外面をそれぞれ研磨・エッチングした後、両者を真空脱
気することにより表面の水分を除去した。
【００７１】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット
管内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３により
Ｈｅ−Ｆ2 混合ガス（混合比Ｈｅ：Ｆ2 ＝７：３）を導
入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持して、３ｍｍ／分の
速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化
させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。この延
伸で得た母材をエッチングして表面層を０．０５ｍｍ取
り除いた後、真空脱気することにより表面の水分を除去
した。
下において、母材をジャケット管に挿入し、ジャケット
管内に例えば図１の（Ｃ）に示した供給装置１３により
Ｈｅ−Ｆ2 混合ガス（混合比Ｈｅ：Ｆ2 ＝７：３）を導
入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持して、３ｍｍ／分の
速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化
させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。この延
伸で得た母材をエッチングして表面層を０．０５ｍｍ取
り除いた後、真空脱気することにより表面の水分を除去
した。
【００７２】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下において、３ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉
へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μ
ｍの光ファイバに線引いた。
下において、３ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉
へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μ
ｍの光ファイバに線引いた。
【００７３】なお、上記延伸および線引き工程は同一の
加熱炉を用いており、最初の延伸時の炉温は２７５℃、
２回目の延伸時の炉温は２９０℃、線引き時の炉温は２
８０℃であった。得られた光ファイバは、長さ４９０
ｍ、コア径が１．７μｍで、０．９５μｍにカットオフ
波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの損失
値は０．２ｄＢ／ｍ（図３参照）と低損失であった。
加熱炉を用いており、最初の延伸時の炉温は２７５℃、
２回目の延伸時の炉温は２９０℃、線引き時の炉温は２
８０℃であった。得られた光ファイバは、長さ４９０
ｍ、コア径が１．７μｍで、０．９５μｍにカットオフ
波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの損失
値は０．２ｄＢ／ｍ（図３参照）と低損失であった。
【００７４】なお、図３中の大きなピークはＰｒ3+に起
因する吸収である。また、得られた光ファイバは引っ張
り強度が７５０ＭＰａと高強度を示した。本実施例で得
た光ファイバを用いて、波長１．０１７μｍの光励起に
よる波長１．３１μｍの信号光の増幅器を構成したとこ
ろ、０．２ｄＢ／ｍＷの利得係数を得た。このほか、前
記導入ガスとしてＨＦ，ＮＦ3 ，ＳＦ6 ，ＣＦ4 ，Ｃ2
Ｆ6 ，ＸｅＦ2 とＨｅの混合ガスを用いた場合について
も同様の結果を得ることができた。
因する吸収である。また、得られた光ファイバは引っ張
り強度が７５０ＭＰａと高強度を示した。本実施例で得
た光ファイバを用いて、波長１．０１７μｍの光励起に
よる波長１．３１μｍの信号光の増幅器を構成したとこ
ろ、０．２ｄＢ／ｍＷの利得係数を得た。このほか、前
記導入ガスとしてＨＦ，ＮＦ3 ，ＳＦ6 ，ＣＦ4 ，Ｃ2
Ｆ6 ，ＸｅＦ2 とＨｅの混合ガスを用いた場合について
も同様の結果を得ることができた。
【００７５】（実施例７）内径５ｍｍのモールドを用い
て、コア用の５５．５ＺｒＦ4 −１６ＢａＦ2 −１２．
５ＰｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ
3 −８ＬｉＦ（ｍｏｌ％）組成のガラスロッド（外径
５．０ｍｍ，長さ５０ｍｍ）を作製した。クラッド用の
ガラス管は、内径２０ｍｍのモールドを用いて、４７．
５ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．
５ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）組
成のガラスロッド（外径２０．０ｍｍ，長さ５０ｍｍ）
を作製し、超音波加工により内径０．５ｍｍのガラス管
に加工した。
て、コア用の５５．５ＺｒＦ4 −１６ＢａＦ2 −１２．
５ＰｂＦ2 −３．５ＬａＦ3 −２ＹＦ3 −２．５ＡｌＦ
3 −８ＬｉＦ（ｍｏｌ％）組成のガラスロッド（外径
５．０ｍｍ，長さ５０ｍｍ）を作製した。クラッド用の
ガラス管は、内径２０ｍｍのモールドを用いて、４７．
５ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −２．５ＬａＦ3 −２．
５ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）組
成のガラスロッド（外径２０．０ｍｍ，長さ５０ｍｍ）
を作製し、超音波加工により内径０．５ｍｍのガラス管
に加工した。
【００７６】まず、コア用ガラスロッドは、外面を研磨
・エッチングした後、真空脱気することにより表面の水
分を除去した。
・エッチングした後、真空脱気することにより表面の水
分を除去した。
【００７７】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、上記コア用ガラスロッドとクラッド用ガラス
管をそれぞれ母材とし、これを３ｍｍ／分の速度で上方
から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外
径０．５ｍｍに延伸した。延伸したコア用ガラスロッド
とクラッド用ガラス管の表面をそれぞれ研磨・エッチン
グした後、両者をフッ化水素ガスとフッ素ガスとアルゴ
ンガスの混合ガス雰囲気で１８０℃に加熱することによ
り表面の水分と水酸化物を除去した。
において、上記コア用ガラスロッドとクラッド用ガラス
管をそれぞれ母材とし、これを３ｍｍ／分の速度で上方
から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外
径０．５ｍｍに延伸した。延伸したコア用ガラスロッド
とクラッド用ガラス管の表面をそれぞれ研磨・エッチン
グした後、両者をフッ化水素ガスとフッ素ガスとアルゴ
ンガスの混合ガス雰囲気で１８０℃に加熱することによ
り表面の水分と水酸化物を除去した。
【００７８】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、コア用ガラスロッドをクラッド用ガラス管に
挿入し、管内に実施例６と同様、例えば図１の（Ｃ）に
示した供給装置１３によりＨｅ−Ｆ2 混合ガスを導入し
て、２ｍｍ／分の速度で管を上方から加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径６ｍｍに延伸し
た。延伸で得られた母材をエッチングして表面層を０．
０５ｍｍ取り除いた後、真空脱気することにより表面の
水分を除去した。
において、コア用ガラスロッドをクラッド用ガラス管に
挿入し、管内に実施例６と同様、例えば図１の（Ｃ）に
示した供給装置１３によりＨｅ−Ｆ2 混合ガスを導入し
て、２ｍｍ／分の速度で管を上方から加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径６ｍｍに延伸し
た。延伸で得られた母材をエッチングして表面層を０．
０５ｍｍ取り除いた後、真空脱気することにより表面の
水分を除去した。
【００７９】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、４ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍ
の光ファイバに線引いた。
において、４ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍ
の光ファイバに線引いた。
【００８０】なお、延伸および線引きには同一の加熱炉
を用いており、最初の延伸時の炉温は２７２℃、２回目
の延伸時の炉温は２９５℃、線引き時の炉温は２７８℃
であった。得られた光ファイバは、長さが１５０ｍ，Δ
ｎが３．８％、コア径が２．４μｍで、１．２５μｍに
カットオフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３
μｍの損失値は０．１２ｄＢ／ｍと低損失であった。ま
た、得られた光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａ
と高強度を示した。
を用いており、最初の延伸時の炉温は２７２℃、２回目
の延伸時の炉温は２９５℃、線引き時の炉温は２７８℃
であった。得られた光ファイバは、長さが１５０ｍ，Δ
ｎが３．８％、コア径が２．４μｍで、１．２５μｍに
カットオフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３
μｍの損失値は０．１２ｄＢ／ｍと低損失であった。ま
た、得られた光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａ
と高強度を示した。
【００８１】（実施例８）内径５ｍｍのモールドを用い
て、実施例６と同一組成、同一寸法のコア用ガラスロッ
ドを作製した。クラッド用とジャケット用の２本のガラ
ス管は、内径１２ｍｍのモールドを用いて、実施例７と
同一組成のガラスロッド（外径１２．０ｍｍ，長さ５０
ｍｍ）を作製し、超音波加工により内径１．５ｍｍのガ
ラス管に加工して作製した。
て、実施例６と同一組成、同一寸法のコア用ガラスロッ
ドを作製した。クラッド用とジャケット用の２本のガラ
ス管は、内径１２ｍｍのモールドを用いて、実施例７と
同一組成のガラスロッド（外径１２．０ｍｍ，長さ５０
ｍｍ）を作製し、超音波加工により内径１．５ｍｍのガ
ラス管に加工して作製した。
【００８２】まず、コア用ガラスロッドは、外面を研磨
・エッチングした後、真空脱気することにより表面の水
分を除去した。
・エッチングした後、真空脱気することにより表面の水
分を除去した。
【００８３】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、上記コア用ガラスロッドとガラス管をそれぞ
れ母材とし、これを３ｍｍ／分の速度で上方から加熱炉
へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１．５ｍ
ｍに延伸した。延伸したコア用ガラスロッドとクラッド
用ガラス管の表面をそれぞれ研磨・エッチングした後、
両者をフッ化水素ガスとフッ素ガスとアルゴンガスの混
合ガス雰囲気で１８０℃に加熱することにより表面の水
分と水酸化物を除去した。
において、上記コア用ガラスロッドとガラス管をそれぞ
れ母材とし、これを３ｍｍ／分の速度で上方から加熱炉
へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１．５ｍ
ｍに延伸した。延伸したコア用ガラスロッドとクラッド
用ガラス管の表面をそれぞれ研磨・エッチングした後、
両者をフッ化水素ガスとフッ素ガスとアルゴンガスの混
合ガス雰囲気で１８０℃に加熱することにより表面の水
分と水酸化物を除去した。
【００８４】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、コア用ガラスロッドをクラッド用ガラス管に
挿入し、管内に実施例７と同様、例えば図１の（Ｃ）に
示した供給装置１３によりＨｅ−Ｆ2 混合ガスを導入
し、３ｍｍ／分の速度で管を上方から加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径１．５ｍｍに延伸
した。延伸したガラス母材およびジャケット管の外面を
それぞれ研磨・エッチングした後、両者を真空脱気する
ことにより表面の水分を除去した。
において、コア用ガラスロッドをクラッド用ガラス管に
挿入し、管内に実施例７と同様、例えば図１の（Ｃ）に
示した供給装置１３によりＨｅ−Ｆ2 混合ガスを導入
し、３ｍｍ／分の速度で管を上方から加熱炉へ送り込
み、軟化させて下方に引っ張り、外径１．５ｍｍに延伸
した。延伸したガラス母材およびジャケット管の外面を
それぞれ研磨・エッチングした後、両者を真空脱気する
ことにより表面の水分を除去した。
【００８５】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、母材をジャケット管に挿入し、上記Ｈｅ−Ｆ
2 混合ガスを用いた延伸工程と同一の条件で延伸工程を
行い、外径５ｍｍの母材を得た。延伸で得た母材をエッ
チングして表面層を０．０５ｍｍ取り除いた後、真空脱
気することにより表面の水分を除去した。
において、母材をジャケット管に挿入し、上記Ｈｅ−Ｆ
2 混合ガスを用いた延伸工程と同一の条件で延伸工程を
行い、外径５ｍｍの母材を得た。延伸で得た母材をエッ
チングして表面層を０．０５ｍｍ取り除いた後、真空脱
気することにより表面の水分を除去した。
【００８６】次に、露点−９０℃の不活性ガス雰囲気下
において、５ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍ
の光ファイバに線引いた。
において、５ｍｍ／分の速度で母材を上方から加熱炉へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍ
の光ファイバに線引いた。
【００８７】なお、延伸および線引きには同一の加熱炉
を用いており、最初の延伸時の炉温は２７１℃、２回目
の延伸時の炉温は２９０℃、３回目の延伸時の炉温は２
８７℃、線引き時の炉温は２７８℃であった。得られた
光ファイバは、長さが１６０ｍ，Δｎが３．８％、コア
径が１．８μｍで、０．９３μｍにカットオフ波長を持
つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの損失値は０．
１３ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得られた光ファ
イバは引っ張り強度が７００ＭＰａと高強度を示した。
を用いており、最初の延伸時の炉温は２７１℃、２回目
の延伸時の炉温は２９０℃、３回目の延伸時の炉温は２
８７℃、線引き時の炉温は２７８℃であった。得られた
光ファイバは、長さが１６０ｍ，Δｎが３．８％、コア
径が１．８μｍで、０．９３μｍにカットオフ波長を持
つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの損失値は０．
１３ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得られた光ファ
イバは引っ張り強度が７００ＭＰａと高強度を示した。
【００８８】上記各実施例においては、フッ化物光ファ
イバの作製を適用例とした。本発明は、単にフッ化物光
ファイバ同様、結晶化による強度劣化が問題となるテル
ライドガラス光ファイバやカルコゲナイドガラス光ファ
イバなどについても有効である。
イバの作製を適用例とした。本発明は、単にフッ化物光
ファイバ同様、結晶化による強度劣化が問題となるテル
ライドガラス光ファイバやカルコゲナイドガラス光ファ
イバなどについても有効である。
【００８９】また、ジャケット管内の圧力は、上記実施
例では７４０Ｔｏｒｒ〜７５０Ｔｏｒｒの範囲とした
が、この範囲に限定されるものではない。あまり圧力を
下げると、Ｈｅ，Ｈ2 ，Ｄ2 等がジャケット管内に入っ
ていても、熱伝導度が低下してしまうので、効果がな
い。従って、ジャケット管が加熱され軟化して、外気に
押されて内部に挿入したロッドに接触し、一体化するの
に不都合でない程度に減圧されていればよい。また、Ｈ
ｅ，Ｈ2 ，Ｄ2 の希釈混合ガスはＨ2 Ｏ以外のものであ
れば、特に限定はされない。ちなみに、Ｈ2 Ｏはフッ化
物ガラスと反応して結晶化を促進させるため、使用でき
ない。
例では７４０Ｔｏｒｒ〜７５０Ｔｏｒｒの範囲とした
が、この範囲に限定されるものではない。あまり圧力を
下げると、Ｈｅ，Ｈ2 ，Ｄ2 等がジャケット管内に入っ
ていても、熱伝導度が低下してしまうので、効果がな
い。従って、ジャケット管が加熱され軟化して、外気に
押されて内部に挿入したロッドに接触し、一体化するの
に不都合でない程度に減圧されていればよい。また、Ｈ
ｅ，Ｈ2 ，Ｄ2 の希釈混合ガスはＨ2 Ｏ以外のものであ
れば、特に限定はされない。ちなみに、Ｈ2 Ｏはフッ化
物ガラスと反応して結晶化を促進させるため、使用でき
ない。
【００９０】（実施例９）フッ化物ガラス母材のクラッ
ドガラス組成を４６．５ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −
２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０
ＮａＦ（ｍｏｌ％）とし、かつ、フッ化物ガラス母材を
ジャケット管内に挿入する際にヘリウムガスに代えてポ
リジメチルシロキサン（シリコーン）を導入した以外は
先の実施例１と同一条件で加熱延伸した。この延伸で得
た母材からコア径が０．４ｍｍの部分を切り出し、次の
延伸用母材とした。
ドガラス組成を４６．５ＺｒＦ4 −２３．５ＢａＦ2 −
２．５ＬａＦ3 −２．５ＹＦ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０
ＮａＦ（ｍｏｌ％）とし、かつ、フッ化物ガラス母材を
ジャケット管内に挿入する際にヘリウムガスに代えてポ
リジメチルシロキサン（シリコーン）を導入した以外は
先の実施例１と同一条件で加熱延伸した。この延伸で得
た母材からコア径が０．４ｍｍの部分を切り出し、次の
延伸用母材とした。
【００９１】延伸中の、加熱されたジャケット管の内面
およびジャケット管内部のガラス母材表面は透明状態を
保ったままであり、得られた母材の表面および形成され
たジャケット界面はいずれも透明で、目視では欠陥は観
察されなかった。
およびジャケット管内部のガラス母材表面は透明状態を
保ったままであり、得られた母材の表面および形成され
たジャケット界面はいずれも透明で、目視では欠陥は観
察されなかった。
【００９２】さらに、ここで得られた母材を２本に切断
し、そのうち１本の母材をエッチングして表面層を０．
０５ｍｍ取り除いた後、外面を研磨エッチングした他の
ジャケット管と共に、真空脱気することにより表面の水
分を除去した。次に、母材をジャケット管に挿入して、
露点−８０℃の不活性ガス雰囲気下におき、ジャケット
管内を真空に引きつつ、軟化させて下方に引っ張り、外
径７ｍｍに延伸した。得られた光ファイバは引っ張り強
度が７５０ＭＰａであった。
し、そのうち１本の母材をエッチングして表面層を０．
０５ｍｍ取り除いた後、外面を研磨エッチングした他の
ジャケット管と共に、真空脱気することにより表面の水
分を除去した。次に、母材をジャケット管に挿入して、
露点−８０℃の不活性ガス雰囲気下におき、ジャケット
管内を真空に引きつつ、軟化させて下方に引っ張り、外
径７ｍｍに延伸した。得られた光ファイバは引っ張り強
度が７５０ＭＰａであった。
【００９３】このほか、ジャケット管内部に導入する液
体として前出の高分子材料便覧ｐ１０３〜１０５に掲載
されている高分子物質を用いた場合においても同様の効
果を確認することができた。
体として前出の高分子材料便覧ｐ１０３〜１０５に掲載
されている高分子物質を用いた場合においても同様の効
果を確認することができた。
【００９４】（比較例６）実施例９で延伸された母材の
うち残りの１本の母材を用い、それをそのまま露点−８
０℃の不活性ガス雰囲気下において、２ｍｍ／分の速度
で母材を上方から実施例１と同一の加熱炉（３７６℃）
へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μ
ｍの光ファイバに線引きした。得られた光ファイバの引
っ張り強度は３５０ＭＰａと低かった。本比較例と実施
例１との光ファイバ強度の差は、ジャケット管内へのシ
リコーンの導入の有無に起因する。すなわち、実施例１
で光ファイバ強度が向上したのは、ジャケット管内に導
入したシリコーンにより、ジャケット管からその内部の
母材への熱の移動を起こさせ、ジャケット管の結晶化を
抑制したためである。
うち残りの１本の母材を用い、それをそのまま露点−８
０℃の不活性ガス雰囲気下において、２ｍｍ／分の速度
で母材を上方から実施例１と同一の加熱炉（３７６℃）
へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μ
ｍの光ファイバに線引きした。得られた光ファイバの引
っ張り強度は３５０ＭＰａと低かった。本比較例と実施
例１との光ファイバ強度の差は、ジャケット管内へのシ
リコーンの導入の有無に起因する。すなわち、実施例１
で光ファイバ強度が向上したのは、ジャケット管内に導
入したシリコーンにより、ジャケット管からその内部の
母材への熱の移動を起こさせ、ジャケット管の結晶化を
抑制したためである。
【００９５】（実施例１０）クラッド組成が４６．５Ｚ
ｒＦ4 −２３．５ＬａＦ3 −２．５ＬａＦ3 −２．５Ｙ
Ｆ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）である
以外は、実施例１と同一の方法でフッ化物ガラス母材
（外径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍｍ，比屈折率差Δｎ＝
４．２％）を作製し、内径１５ｍｍのモールドを用い
て、母材のクラッドガラスと同一組成のフッ化物ジャケ
ット（外径１５ｍｍ，内径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍ
ｍ）を実施例１と同一の方法で作製した。ガラス母材お
よびジャケット管の外面を研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。ガ
ラス母材に対する表面エッチングは、例えば図１の
（Ａ）に示すようにガラス母材１をエッチング浴６内に
収容して行うことができる。
ｒＦ4 −２３．５ＬａＦ3 −２．５ＬａＦ3 −２．５Ｙ
Ｆ3 −４．５ＡｌＦ3 −２０ＮａＦ（ｍｏｌ％）である
以外は、実施例１と同一の方法でフッ化物ガラス母材
（外径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍｍ，比屈折率差Δｎ＝
４．２％）を作製し、内径１５ｍｍのモールドを用い
て、母材のクラッドガラスと同一組成のフッ化物ジャケ
ット（外径１５ｍｍ，内径７．０ｍｍ，長さ１５０ｍ
ｍ）を実施例１と同一の方法で作製した。ガラス母材お
よびジャケット管の外面を研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。ガ
ラス母材に対する表面エッチングは、例えば図１の
（Ａ）に示すようにガラス母材１をエッチング浴６内に
収容して行うことができる。
【００９６】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下のグローブボックス内において、第１のガラス母材を
上記ジャケット管に挿入し、ジャケット管内に例えば図
１の（Ｃ）に示した熱伝導性液体供給装置１３によりシ
リコーンを導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２
ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り
込み、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸し
た。
下のグローブボックス内において、第１のガラス母材を
上記ジャケット管に挿入し、ジャケット管内に例えば図
１の（Ｃ）に示した熱伝導性液体供給装置１３によりシ
リコーンを導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２
ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉へ送り
込み、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸し
た。
【００９７】ここで、ガラス母材１のジャケット管２内
への挿入は、例えば図１の（Ｂ）に示すような状態で行
うことができ、ガラス母材１とジャケット管２とからな
る複合体を、例えば図１の（Ｃ）に示すように加熱炉ボ
ックス８において延伸することができる。
への挿入は、例えば図１の（Ｂ）に示すような状態で行
うことができ、ガラス母材１とジャケット管２とからな
る複合体を、例えば図１の（Ｃ）に示すように加熱炉ボ
ックス８において延伸することができる。
【００９８】次いで、上記の延伸で得た母材からコア径
が０．４ｍｍの部分を切り出し、次の延伸用の母材とし
た。この第２のガラス母材および２本目のジャケット管
の外面を図１に示すように研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
が０．４ｍｍの部分を切り出し、次の延伸用の母材とし
た。この第２のガラス母材および２本目のジャケット管
の外面を図１に示すように研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
【００９９】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下のグローブボックス内において、第２のガラス母材を
上記ジャケット管内に挿入し、ジャケット管内に例えば
図１の（Ｃ）に示した熱伝導性液体供給装置１３により
低融点半田を導入し、内圧を１０Ｔｏｒｒに保持し、２
ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉の中へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延
伸した。この２回目の延伸で得た母材からコア径が０．
２ｍｍの部分を切り出し、第３回目の延伸用の母材とし
た。この第３のガラス母材および３本目のジャケット管
の外面を研磨・エッチングした後、両者を真空脱気する
ことにより表面の水分を除去した。
下のグローブボックス内において、第２のガラス母材を
上記ジャケット管内に挿入し、ジャケット管内に例えば
図１の（Ｃ）に示した熱伝導性液体供給装置１３により
低融点半田を導入し、内圧を１０Ｔｏｒｒに保持し、２
ｍｍ／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉の中へ
送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延
伸した。この２回目の延伸で得た母材からコア径が０．
２ｍｍの部分を切り出し、第３回目の延伸用の母材とし
た。この第３のガラス母材および３本目のジャケット管
の外面を研磨・エッチングした後、両者を真空脱気する
ことにより表面の水分を除去した。
【０１００】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下のグローブボックス内において、第３のガラス母材を
ジャケット管に挿入し、ジャケット管内に例えば図１の
（Ｃ）に示した熱伝導性液体供給装置１３により水銀を
導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ／分の
速度でジャケット管を上方から加熱炉の中へ送り込み、
軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。３
回目の延伸で得た光ファイバ母材をエッチングして表面
層を０．１ｍｍ取り除いた後、真空脱気することにより
表面の水分を除去した。次に露点−１００℃の不活性ガ
ス雰囲気下において、２ｍｍ／分の速度で光ファイバ母
材を上方から加熱炉の中へ送り込み、軟化させて下方に
引っ張り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。図
１において符号４は図１の（Ｄ）に示すように母材保持
具９により保持される。この保持具９は上記保持具７と
同様に所定の速度で下降するエレベータ（図示略）によ
り昇降が可能である。上記光ファイバ母材４からは光フ
ァイバ５が線引きされる。
下のグローブボックス内において、第３のガラス母材を
ジャケット管に挿入し、ジャケット管内に例えば図１の
（Ｃ）に示した熱伝導性液体供給装置１３により水銀を
導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ／分の
速度でジャケット管を上方から加熱炉の中へ送り込み、
軟化させて下方に引っ張り、外径７ｍｍに延伸した。３
回目の延伸で得た光ファイバ母材をエッチングして表面
層を０．１ｍｍ取り除いた後、真空脱気することにより
表面の水分を除去した。次に露点−１００℃の不活性ガ
ス雰囲気下において、２ｍｍ／分の速度で光ファイバ母
材を上方から加熱炉の中へ送り込み、軟化させて下方に
引っ張り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。図
１において符号４は図１の（Ｄ）に示すように母材保持
具９により保持される。この保持具９は上記保持具７と
同様に所定の速度で下降するエレベータ（図示略）によ
り昇降が可能である。上記光ファイバ母材４からは光フ
ァイバ５が線引きされる。
【０１０１】なお、延伸および線引き工程は同一の加熱
炉を用いており、延伸時の炉温は２８６℃、線引き時の
炉温は２７６℃であった。得られた光ファイバは、長さ
５００ｍ、コア径が１．７μｍで、１．０μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は０．０８ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得
られた光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａと高強
度であった。
炉を用いており、延伸時の炉温は２８６℃、線引き時の
炉温は２７６℃であった。得られた光ファイバは、長さ
５００ｍ、コア径が１．７μｍで、１．０μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は０．０８ｄＢ／ｍと低損失であった。また、得
られた光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａと高強
度であった。
【０１０２】このほか、延伸あるいは線引き工程におい
てジャケット管内部に導入する液体としてインジウムメ
タルを用いた場合においても、また工程の一部をヘリウ
ム、水素、重水素からなる群より選択された少なくとも
一種のガスを含むガスに置き換えた場合においても、同
様に高強度のファバを作製することができた。
てジャケット管内部に導入する液体としてインジウムメ
タルを用いた場合においても、また工程の一部をヘリウ
ム、水素、重水素からなる群より選択された少なくとも
一種のガスを含むガスに置き換えた場合においても、同
様に高強度のファバを作製することができた。
【０１０３】（比較例７）実施例１０の２回目の延伸で
得られた母材の残りの一部を用いて次のようにジャケッ
ト線引きを行った。残りのガラス母材および外径１５ｍ
ｍ、内径７ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチン
グした後、両者を真空脱気することにより表面の水分を
除去した。次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気下
のグローブボックス内において、母材をジャケット管に
挿入し、ジャケット管内を真空に引きながら、ジャケッ
ト管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引
っ張り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。ガラ
ス母材１のジャケット管２への挿入は例えば、図２の
（Ａ）に示すように行い、線引きには図２の（Ｂ）に示
すような実施例２と同一の加熱炉を用いており、線引き
の前半の送り速度は０．６ｍｍ／分、後半は２ｍｍ／分
とした。この時光ファイバを線引くのに必要な温度はそ
れぞれ３００℃、３１０℃であった。得られた光ファイ
バの強度は３００ＭＰａであった。シリコーン、低融半
田、水銀、またはインジウムメタルをジャケット管内に
導入して延伸することにより、得られる光ファイバの強
度を向上できることがわかる。
得られた母材の残りの一部を用いて次のようにジャケッ
ト線引きを行った。残りのガラス母材および外径１５ｍ
ｍ、内径７ｍｍのジャケット管の外面を研磨・エッチン
グした後、両者を真空脱気することにより表面の水分を
除去した。次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気下
のグローブボックス内において、母材をジャケット管に
挿入し、ジャケット管内を真空に引きながら、ジャケッ
ト管を上方から加熱炉へ送り込み、軟化させて下方に引
っ張り、外径１２５μｍの光ファイバに線引いた。ガラ
ス母材１のジャケット管２への挿入は例えば、図２の
（Ａ）に示すように行い、線引きには図２の（Ｂ）に示
すような実施例２と同一の加熱炉を用いており、線引き
の前半の送り速度は０．６ｍｍ／分、後半は２ｍｍ／分
とした。この時光ファイバを線引くのに必要な温度はそ
れぞれ３００℃、３１０℃であった。得られた光ファイ
バの強度は３００ＭＰａであった。シリコーン、低融半
田、水銀、またはインジウムメタルをジャケット管内に
導入して延伸することにより、得られる光ファイバの強
度を向上できることがわかる。
【０１０４】（実施例１１）内径５ｍｍのモールドを用
いて、実施例６と同一組成、同一寸法のガラス母材（比
屈折率差Δｎ＝４．２％）を同一の方法で作製した。ま
た、実施例６と同様に、内径１５ｍｍのモールドを用い
て、母材のクラッドガラスと同一組成のフッ化物ジャケ
ット管（外径１５ｍｍ，内径５．０ｍｍ，長さ１５０ｍ
ｍ）を実施例６と同一方法で作製した。ガラス母材およ
びジャケット管の外面の処理を実施例１０と同様に行
い、表面の水分を除去した。ガラス母材に対する表面エ
ッチングは、例えば図１の（Ａ）に示すようにガラス母
材１をエッチング浴６内に収容して行うことができる。
いて、実施例６と同一組成、同一寸法のガラス母材（比
屈折率差Δｎ＝４．２％）を同一の方法で作製した。ま
た、実施例６と同様に、内径１５ｍｍのモールドを用い
て、母材のクラッドガラスと同一組成のフッ化物ジャケ
ット管（外径１５ｍｍ，内径５．０ｍｍ，長さ１５０ｍ
ｍ）を実施例６と同一方法で作製した。ガラス母材およ
びジャケット管の外面の処理を実施例１０と同様に行
い、表面の水分を除去した。ガラス母材に対する表面エ
ッチングは、例えば図１の（Ａ）に示すようにガラス母
材１をエッチング浴６内に収容して行うことができる。
【０１０５】次に、実施例１０の１回目の延伸工程と同
一の条件で延伸工程を行い、外径５ｍｍの第２のガラス
母材を得た。
一の条件で延伸工程を行い、外径５ｍｍの第２のガラス
母材を得た。
【０１０６】次いで、上記の延伸で得た母材からコア径
が０．２ｍｍの部分を切り出し、次の延伸用の母材とし
た。この第２のガラス母材および２本目のジャケット管
の外面を図１に示すように研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
が０．２ｍｍの部分を切り出し、次の延伸用の母材とし
た。この第２のガラス母材および２本目のジャケット管
の外面を図１に示すように研磨・エッチングした後、両
者を真空脱気することにより表面の水分を除去した。
【０１０７】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下のグローブボックス内において、第２のガラス母材を
上記ジャケット管内に挿入し、ジャケット管内に例えば
図１の（Ｃ）に示した熱伝導性液体供給装置１３により
水銀を導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ
／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉の中へ送り
込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍの光
ファイバに線引いた。
下のグローブボックス内において、第２のガラス母材を
上記ジャケット管内に挿入し、ジャケット管内に例えば
図１の（Ｃ）に示した熱伝導性液体供給装置１３により
水銀を導入し、内圧を７５０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ
／分の速度でジャケット管を上方から加熱炉の中へ送り
込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５μｍの光
ファイバに線引いた。
【０１０８】なお、延伸および線引き工程は同一の加熱
炉を用いており、延伸時の炉温は２７５℃、線引き時の
炉温は２８５℃であった。得られた光ファイバは、長さ
５００ｍ、コア径が１．７μｍで、０．９５μｍにカッ
トオフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍ
の損失値は０．２ｄＢ／ｍ（図３参照）と低損失であっ
た。
炉を用いており、延伸時の炉温は２７５℃、線引き時の
炉温は２８５℃であった。得られた光ファイバは、長さ
５００ｍ、コア径が１．７μｍで、０．９５μｍにカッ
トオフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍ
の損失値は０．２ｄＢ／ｍ（図３参照）と低損失であっ
た。
【０１０９】なお、図３中の大きなピークはＰｒ3+に起
因する吸収であった。また、得られた光ファイバは引っ
張り強度が７５０ＭＰａと高強度であった。本実施例で
得られた光ファイバを用いて、波長１．０１７μｍの光
励起による波長１．３１μｍの信号光の増幅器を構成し
たところ、０．２ｄＢ／ｍＷの利得係数を得た。
因する吸収であった。また、得られた光ファイバは引っ
張り強度が７５０ＭＰａと高強度であった。本実施例で
得られた光ファイバを用いて、波長１．０１７μｍの光
励起による波長１．３１μｍの信号光の増幅器を構成し
たところ、０．２ｄＢ／ｍＷの利得係数を得た。
【０１１０】（実施例１２）内径５ｍｍのモールドを用
いて、実施例３と同一組成のコア用ガラスロッド（外径
５．０ｍｍ，長さ５０ｍｍ）を作製した。クラッド用の
ガラス管は、内径２０ｍｍのモールドを用いて実施例９
と同一組成のガラスロッドを作製し、超音波加工により
内径０．５ｍｍのガラス管に加工した。コア用ガラスロ
ッドの外面を研磨・エッチングした後、真空脱気するこ
とにより表面の水分を除去した。
いて、実施例３と同一組成のコア用ガラスロッド（外径
５．０ｍｍ，長さ５０ｍｍ）を作製した。クラッド用の
ガラス管は、内径２０ｍｍのモールドを用いて実施例９
と同一組成のガラスロッドを作製し、超音波加工により
内径０．５ｍｍのガラス管に加工した。コア用ガラスロ
ッドの外面を研磨・エッチングした後、真空脱気するこ
とにより表面の水分を除去した。
【０１１１】次に、露点−１００℃の不活性ガス雰囲気
下において、コア用のガラスロッドを３ｍｍ／分の速度
で母材を上方から加熱炉に送り込み、軟化させて下方に
引っ張り、外径０．５ｍｍに延伸した。延伸したコア用
ガラスロッドとクラッド用ガラス管の表面を研磨エッチ
ングした後、両者をフッ化水素ガスとフッ素ガスとアル
ゴンガスの混合ガス雰囲気下で２００℃に加熱すること
により表面の水酸化物を除去した。
下において、コア用のガラスロッドを３ｍｍ／分の速度
で母材を上方から加熱炉に送り込み、軟化させて下方に
引っ張り、外径０．５ｍｍに延伸した。延伸したコア用
ガラスロッドとクラッド用ガラス管の表面を研磨エッチ
ングした後、両者をフッ化水素ガスとフッ素ガスとアル
ゴンガスの混合ガス雰囲気下で２００℃に加熱すること
により表面の水酸化物を除去した。
【０１１２】グローブボックス内において、コア用ガラ
スロッドを上記クラッド用ガラス管に挿入し、クラッド
用ガラス管内に例えば図１の（Ｃ）に示した熱伝導性液
体供給装置１３によりシリコーンを導入し、内圧を７５
０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ／分の速度で上方から加熱
炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５
μｍの光ファイバに線引いた。
スロッドを上記クラッド用ガラス管に挿入し、クラッド
用ガラス管内に例えば図１の（Ｃ）に示した熱伝導性液
体供給装置１３によりシリコーンを導入し、内圧を７５
０Ｔｏｒｒに保持し、２ｍｍ／分の速度で上方から加熱
炉へ送り込み、軟化させて下方に引っ張り、外径１２５
μｍの光ファイバに線引いた。
【０１１３】なお、延伸および線引きには同一の加熱炉
を用いており、延伸時の炉温は２７５℃、線引き時の炉
温は２８５℃であった。得られた光ファイバは、長さ５
００ｍ、コア径が１．７μｍで、０．９５μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は０．２ｄＢ／ｍと低損失であった。また得られ
た光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａと高強度を
示した。
を用いており、延伸時の炉温は２７５℃、線引き時の炉
温は２８５℃であった。得られた光ファイバは、長さ５
００ｍ、コア径が１．７μｍで、０．９５μｍにカット
オフ波長を持つ単一モード光ファイバで、１．３μｍの
損失値は０．２ｄＢ／ｍと低損失であった。また得られ
た光ファイバは引っ張り強度が７５０ＭＰａと高強度を
示した。
【０１１４】このほか、クラッド用ガラス管内に導入す
る液体として前出の高分子便覧ｐ１３０に示されている
ようなフッ素樹脂を用いた場合においても同様に高強度
のファイバを作製することができた。
る液体として前出の高分子便覧ｐ１３０に示されている
ようなフッ素樹脂を用いた場合においても同様に高強度
のファイバを作製することができた。
【０１１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低損失で、かつ高強度を有する高Δｎフッ化物単一モー
ド光ファイバが得られる。この光ファイバを用いた光増
幅器は、大幅な特性向上が可能になるため、光通信シス
テムの低コスト化および高性能化が図れるという利点が
ある。
低損失で、かつ高強度を有する高Δｎフッ化物単一モー
ド光ファイバが得られる。この光ファイバを用いた光増
幅器は、大幅な特性向上が可能になるため、光通信シス
テムの低コスト化および高性能化が図れるという利点が
ある。
【図１】本発明の光ファイバの製造方法の一実施例にお
ける各工程を示す模式的断面図である。
ける各工程を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の光ファイバの製造方法の他の実施例に
おける各工程を示す模式的断面図である。
おける各工程を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の光ファイバの製造方法の他の実施例
（実施例６または１１）により得られた光ファイバの損
失特性を示す特性図である。
（実施例６または１１）により得られた光ファイバの損
失特性を示す特性図である。
１ ガラス母材
２ ジャケット管
３ 加熱炉
４ 光ファイバ母材
５ 光ファイバ
６ エッチング浴
７ ジャケット管保持具
８ 加熱炉ボックス
９ 母材保持具
１０ Ｏ−リング
１１ 減圧装置
１１ａ パイプ
１２ 不活性ガス供給装置
１３ 供給装置
１３ａ 導入管
フロントページの続き
(72)発明者 照沼 幸雄
東京都千代田区内幸町１丁目１番６号
日本電信電話株式会社内
(72)発明者 藤浦 和夫
東京都千代田区内幸町１丁目１番６号
日本電信電話株式会社内
(72)発明者 須藤 昭一
東京都千代田区内幸町１丁目１番６号
日本電信電話株式会社内
(56)参考文献 特開 昭55−10458（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−148722（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−291829（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−59545（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−46931（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−293342（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−56453（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C03B 37/012
Claims (11)
- 【請求項１】 ジャケット管に、該ジャケット管より高
い屈折率部分を少なくとも一部に有するガラスロッドを
挿入して該ガラスロッドと前記ジャケット管との複合体
を得る第１の工程と、該複合体を加熱し延伸して母材を
得る第２の工程と、該母材を加熱し線引きして光ファイ
バを得る第３の工程とを含む、フッ化物ガラス、テルラ
イトガラスまたはカルコゲナイドガラスからなる光ファ
イバの製造方法であって、 前記第２の工程は、前記複合体の内部を陰圧に保ちつ
つ、該複合体の内部にヘリウム、水素および重水素から
なる群より選択された少なくとも１種のガスを含むガス
を導入して行うことを特徴とする光ファイバの製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の製造方法において、前
記導入ガスは、不活性ガスを含むことを特徴とする光フ
ァイバの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の製造方法において、前
記導入ガスは、含フッ素ガスを含むことを特徴とする光
ファイバの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の製造方法において、前記
含フッ素ガスは、Ｆ２，ＨＦ，ＮＦ３，ＳＦ６，ＣＦ
４，Ｃ２Ｆ６，ＸｅＦ２からなる群より選択された少な
くとも一種のガスであることを特徴とする光ファイバの
製造方法。 - 【請求項５】 第１のジャケット管に、該第１のジャケ
ット管より高い屈折率部分を少なくとも一部に有するガ
ラスロッドを挿入して該ガラスロッドと前記第１のジャ
ケット管との第１の複合体を得る第１の工程と、該第１
の複合体を加熱し延伸して母材を得る第２の工程と、該
母材を第２のジャケット管に挿入して該第２のジャケッ
ト管と前記母材との第２の複合体を得る第３の工程と、
該第２の複合体を加熱し線引きして光ファイバを得る第
４の工程とを含む、フッ化物ガラス、テルライトガラス
またはカルコゲナイドガラスからなる光ファイバの製造
方法であって、 前記第２の工程および前記第４の工程のうち少なくとも
一方の工程は、前記第１の複合体または前記第２の複合
体の内部を陰圧に保ちつつ、該複合体の内部にヘリウ
ム、水素および重水素からなる群より選択された少なく
とも１種のガスを含むガスを導入して行うことを特徴と
する光ファイバの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の製造方法において、前
記導入ガスは、不活性ガスを含むことを特徴とする光フ
ァイバの製造方法。 - 【請求項７】 請求項５に記載の製造方法において、前
記導入ガスは、含フッ素ガスを含むことを特徴とする光
ファイバの製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の製造方法において、前記
含フッ素ガスは、Ｆ２，ＨＦ，ＮＦ３，ＳＦ６，ＣＦ
４，Ｃ２Ｆ６，ＸｅＦ２からなる群より選択された少な
くとも一種のガスであることを特徴とする光ファイバの
製造方法。 - 【請求項９】 ジャケット管に、該ジャケット管より高
い屈折率部分を少なくとも一部に有するガラスロッドを
挿入して該ガラスロッドと前記ジャケット管との複合体
を得る第１の工程と、該複合体を加熱し延伸して母材を
得る第２の工程と、該母材を加熱して線引きして光ファ
イバを得る第３の工程とを含む、フッ化物ガラス、テル
ライトガラスまたはカルコゲナイドガラスからなる光フ
ァイバの製造法であって、 前記第２の工程は、前記複合体の内部を陰圧に保ちつ
つ、該複合体の内部に、高分子物質、低融点半田、イン
ジウムメタルまたは水銀から選択された少なくとも一種
の液体を導入して行うことを特徴とする光ファイバの製
造方法。 - 【請求項１０】 第１のジャケット管に、該第１のジャ
ケット管より高い屈折率部分を少なくとも一部に有する
ガラスロッドを挿入して該ガラスロッドと前記第１のジ
ャケット管との第１の複合体を得る第１の工程と、該第
１の複合体を加熱し延伸して母材を得る第２の工程と、
該母材を第２のジャケット管に挿入して該第２のジャケ
ット管と前記母材との第２の複合体を得る第３の工程
と、該第２の複合体を加熱し線引きして光ファイバを得
る第４の工程とを含む、フッ化物ガラス、テルライトガ
ラスまたはカルコゲナイドガラスからなる光ファイバの
製造方法であって、 前記第２の工程および第４の工程のうち少なくとも一方
の工程は、前記第１の複合体または前記第２の複合体の
内部を陰圧に保ちつつ、該複合体の内部に、高分子物
質、低融点半田、インジウムメタルまたは水銀から選択
された少なくとも一種の液体を導入して行うことを特徴
とする光ファイバの製造方法。 - 【請求項１１】 第１のジャケット管に、該第１のジャ
ケット管より高い屈折率部分を少なくとも一部に有する
ガラスロッドを挿入して該ガラスロッドと前記第１のジ
ャケット管との第１の複合体を得る第１の工程と、該第
１の複合体を加熱し延伸して母材を得る第２の工程と、
該母材を第２のジャケット管に挿入して該第２のジャケ
ット管と前記母材との第２の複合体を得る第３の工程
と、該第２の複合体を加熱し線引きして光ファイバを得
る第４の工程とを含む、フッ化物ガラス、テルライトガ
ラスまたはカルコゲナイドガラスからなる光ファイバの
製造方法であって、 前記第２の工程および第４の工程のうち一方の工程は、
前記第１の複合体または前記第２の複合体の内部を陰圧
に保ちつつ、該複合体の内部に、高分子物質、低融点半
田、インジウムメタルまたは水銀から選択された少なく
とも一種の液体を導入して行い、かつ、他方の工程は、
複合体の内部を陰圧に保ちつつ、該複合体の内部にヘリ
ウム、水素および重水素からなる群より選択された少な
くとも一種のガスを含むガスを導入して行うことを特徴
とする光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP518495A JP3379074B2 (ja) | 1994-04-25 | 1995-01-17 | 光ファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8662894 | 1994-04-25 | ||
| JP6-86628 | 1994-04-25 | ||
| JP518495A JP3379074B2 (ja) | 1994-04-25 | 1995-01-17 | 光ファイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0812363A JPH0812363A (ja) | 1996-01-16 |
| JP3379074B2 true JP3379074B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=26339091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP518495A Expired - Lifetime JP3379074B2 (ja) | 1994-04-25 | 1995-01-17 | 光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3379074B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7673477B2 (en) | 2004-04-15 | 2010-03-09 | Fujikura Ltd. | Optical fiber processing apparatus |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1203755B1 (en) * | 1999-06-22 | 2012-10-10 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Production method for optical fiber base material |
| CN109678339B (zh) * | 2018-12-29 | 2023-10-20 | 通鼎互联信息股份有限公司 | 一种使用h2的光纤拉丝加热炉装置和方法 |
| JP7419670B2 (ja) * | 2019-05-23 | 2024-01-23 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバの製造方法、および光ファイバの製造装置 |
-
1995
- 1995-01-17 JP JP518495A patent/JP3379074B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7673477B2 (en) | 2004-04-15 | 2010-03-09 | Fujikura Ltd. | Optical fiber processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812363A (ja) | 1996-01-16 |
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Legal Events
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