JP3374760B2 - Printed wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

Printed wiring board and manufacturing method thereof

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JP3374760B2 JP25728898A JP25728898A JP3374760B2 JP 3374760 B2 JP3374760 B2 JP 3374760B2 JP 25728898 A JP25728898 A JP 25728898A JP 25728898 A JP25728898 A JP 25728898A JP 3374760 B2 JP3374760 B2 JP 3374760B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、プリント配線基
板およびその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed wiring board and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子装置の小型化およびその搭載
基板における部品実装の高密度化は著しく進展してきて
いる。それと同時に、製品に対する信頼性はますます厳
しさを増してきている。
2. Description of the Related Art In recent years, the miniaturization of electronic devices and the high density mounting of components on their mounting boards have made remarkable progress. At the same time, product reliability is becoming increasingly severe.

【0003】特に、実装部品としては、高密度実装に対
応してフリップチップを始めとして、CSP(Chip Siz
e Package ),BGA(Ball Grid Array ),MCM
(Multi Chip Module )等の半導体素子あるいは半導体
パッケージを表面実装することが一般的になってきてい
る。
In particular, as mounting components, flip chips and other CSP (Chip Siz
e Package), BGA (Ball Grid Array), MCM
Surface mounting of semiconductor elements such as (Multi Chip Module) or semiconductor packages has become common.

【0004】これらの半導体素子および半導体パッケー
ジは、高密度実装に対応するため、これらを実装する基
板に対して非常に狭ピッチの電極を要求することにな
る。その結果、電極間に存在するはんだレジストまたは
絶縁層に発生する応力は従来以上に増大している。その
ため、これらの箇所に一般的なアクリル系またはエポキ
シ系の樹脂材料を使用しているプリント配線基板の場
合、一定の使用環境下や部品実装時のはんだ付けにおい
て、クラックや剥離等の問題を発生しやすくなる。一定
の使用環境下とは、詳しくは、熱的・機械的ストレスが
加わる時や湿度雰囲気下で使用する場合等である。この
ような問題は、部品実装が行われるプリント配線基板の
最表面のみならず、高密度配線を行ったプリント配線基
板の内層においても同様であり、同様に内層クラックや
内層剥離の問題が発生する。
Since these semiconductor elements and semiconductor packages are compatible with high-density mounting, the substrates on which they are mounted require electrodes with a very narrow pitch. As a result, the stress generated in the solder resist or the insulating layer existing between the electrodes has increased more than before. Therefore, in the case of a printed wiring board that uses a general acrylic or epoxy resin material for these parts, problems such as cracks and peeling may occur when soldering when mounting components under a certain operating environment. Easier to do. To be more specific, the term "under a constant use environment" means, for example, a case where thermal / mechanical stress is applied or a case where the environment is used in a humid atmosphere. Such problems occur not only on the outermost surface of the printed wiring board on which components are mounted, but also on the inner layer of the printed wiring board on which high-density wiring is performed, and similarly, problems of inner layer cracks and inner layer peeling occur. .

【0005】更に、上記のような高密度プリント配線基
板用途の一部として、近年、携帯電話、コンピュータ等
の高周波回路やデジタル回路を駆使した製品の開発が盛
んに行われている。これらの製品分野では、従来のガラ
エポ基板を使用しながら小型化・高密度実装化を行う
と、配線間でのクロストークノイズ等の問題により、製
品特性が低下することは避けられない。即ち、高周波特
性の向上が必須課題となってきている。
Further, in recent years, as part of the above-mentioned applications for high-density printed wiring boards, products using high-frequency circuits and digital circuits such as mobile phones and computers have been actively developed. In these product fields, if miniaturization and high-density mounting are performed while using a conventional glass epoxy substrate, it is unavoidable that the product characteristics deteriorate due to problems such as crosstalk noise between wirings. That is, improvement of high frequency characteristics has become an essential issue.

【0006】以上の問題点のうち、前者のクラックや剥
離の問題に対して、従来、特開平4−53297号公報
では、ポリイミド樹脂による絶縁層の積層形成工程にお
いて、前工程での加熱温度を最終ベーキング温度よりも
低温とすることで、熱ストレスを緩和することが提案さ
れている。しかし、これはプリント基板の製造工程での
信頼性を向上することにはなっても、より高温での熱ス
トレスが予想されるはんだ付け時や長期の耐久信頼性試
験においては、以後の工程の熱処理温度が低くなること
が必ずしも有利であるとは限らない。特に、硬化温度が
著しく高いポリイミド樹脂系材料の場合に限り、有効と
なることも考えられるが、この場合、ポリイミド樹脂で
は吸水率が大きく、耐湿信頼性の点で問題が残る。他
に、特開平8−248630号公報のように絶縁層材料
中にゴム成分を配合して低応力化を図った例がある。し
かし、一般に、ポリブタジエンやポリウレタン等のゴム
成分は耐熱性および耐湿性の点で劣るために、低応力化
を図るために配合量を増加するに従ってこれら特性の劣
化を招き、低応力化と信頼性の両立は必ずしも充分に達
成できない、といった問題が生じる。
Regarding the former problem of cracking and peeling among the above problems, conventionally, in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 4-53297, the heating temperature in the previous process is set in the step of forming a laminated insulating layer of a polyimide resin. It has been proposed to reduce the thermal stress by making the temperature lower than the final baking temperature. However, even if this improves the reliability in the manufacturing process of the printed circuit board, in the soldering and long-term durability reliability tests where thermal stress at higher temperatures is expected, Lower heat treatment temperatures are not always advantageous. In particular, it can be considered to be effective only in the case of a polyimide resin material having a remarkably high curing temperature, but in this case, the polyimide resin has a large water absorption rate and a problem remains in terms of moisture resistance reliability. In addition, as in JP-A-8-248630, there is an example in which a rubber component is mixed in an insulating layer material to reduce stress. However, since rubber components such as polybutadiene and polyurethane are generally inferior in heat resistance and moisture resistance, as the compounding amount is increased in order to reduce stress, these characteristics are deteriorated, resulting in low stress and reliability. However, there is a problem that the compatibility of the two cannot always be achieved sufficiently.

【0007】また、後者の問題点については、従来、ポ
リイミド樹脂系材料を絶縁層材料として使用した例が多
く提案されてきたが、耐湿信頼性が低い点や硬化温度が
著しく高くなる点から用途拡大が遅れている。これに対
して、近年、特開平9−172234号公報のようにガ
ラエポ基板よりも低誘電率で、耐湿性も良好なベンゾシ
クロブテンを絶縁層に使用した例が提案されている。こ
の材料はこれらの特性に加えて、硬化温度もポリイミド
樹脂よりも低温に抑えることが可能とされている。しか
し、200℃程度の硬化温度は必要となり、プリント配
線基板製造工程での残留応力による信頼性面からの歩留
り低下の問題に対しても、充分な工程管理へ配慮が必要
である。更に、現在はなおも特殊な材料であることから
工業的には供給体制も含めて充分に確立されてはおら
ず、コスト面でも問題が残っている。
Regarding the latter problem, many cases have been proposed in which a polyimide resin material is used as an insulating layer material. However, the moisture resistance reliability is low and the curing temperature is extremely high. Expansion is delayed. On the other hand, in recent years, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-172234, an example has been proposed in which benzocyclobutene having a lower dielectric constant than a glass epoxy substrate and good moisture resistance is used for an insulating layer. In addition to these characteristics, this material is also capable of suppressing the curing temperature to be lower than that of the polyimide resin. However, a curing temperature of about 200 ° C. is required, and it is necessary to pay sufficient attention to process control even with respect to the problem of yield reduction from the viewpoint of reliability due to residual stress in the printed wiring board manufacturing process. Furthermore, since it is still a special material at present, it has not been industrially fully established, including the supply system, and there remains a problem in terms of cost.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、使用環境下での耐熱・耐湿信頼性を確保できると
ともにポリイミド樹脂並の低誘電率化による高周波特性
の向上を図ることができるプリント配線基板を提供する
ことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a print that can ensure heat resistance and humidity resistance under the use environment and can improve high frequency characteristics by lowering the dielectric constant of polyimide resin. To provide a wiring board.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1乃至7に記載の
発明は、弾性率が−50℃から200℃までの温度領域
において100kgf/mm以下であるシリコーン樹
脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いたことを
特徴としている。
Means for Solving the Problems The invention described in claims 1 to 7, a silicone resin material is 100 kgf / mm 2 or less in a temperature range up to 200 ° C. elastic modulus from -50 ° C., a solder resist layer or It is characterized by being used for the insulating layer.

【0010】ここで、シリコーン樹脂は低応力、高耐
熱、低誘電率、且つ安価な材料であり、この材料をプリ
ント配線基板のはんだレジスト層または絶縁層材料に使
用すると、使用環境下での耐熱・耐湿信頼性確保とポリ
イミド樹脂並の低誘電率化による高周波特性の向上およ
びコスト面でのメリットを満足した高密度実装対応製品
を安価に得ることが可能となる。
Here, the silicone resin is a low stress, high heat resistance, low dielectric constant and inexpensive material. When this material is used as a solder resist layer or an insulating layer material of a printed wiring board, it is heat resistant under the use environment. -It is possible to obtain a high-density packaging-compatible product at low cost that satisfies the advantages of high-frequency characteristics and cost advantages by securing moisture-proof reliability and lowering the dielectric constant as high as that of polyimide resin.

【0011】ここで、請求項1,2に記載のように、前
記絶縁層は、多層基板における層間絶縁層のうちの最表
の絶縁層であったり、多層基板における配線パターンが
形成された各層のうちの最表の絶縁層であったり、ま
た、請求項に記載のように、前記シリコーン樹脂材
は、80wt%以上のマトリックス樹脂を含み、その全
てがシリコーン樹脂から成るものであり、前記シリコー
ン樹脂材は、光硬化型シリコーン樹脂、若しくは熱硬化
型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂との少な
くとも一方と光硬化型シリコーン樹脂との組み合わせか
らなり、熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコー
ン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコーン樹脂と
を組み合わせる場合、前記シリコーン樹脂材は熱硬化型
シリコーン樹脂または湿気硬化型シリコーン樹脂を10
〜80wt%含むものであるとしたり、請求項に記載
のように、請求項1〜のいずれか1項に記載のプリン
ト配線基板において、前記シリコーン樹脂材は、ポリイ
ソブチレンを主骨格としたシリコーン樹脂を含むものと
する。といったようにすると、実用上好ましいものとな
る。
Here, as described in claims 1 and 2 , the insulating layer is the outermost insulating layer of the interlayer insulating layers in the multilayer substrate, or each layer in which the wiring pattern is formed in the multilayer substrate. outermost or an insulating layer, also of, as described in claim 3, the pre-Symbol silicone resin material, comprises 80 wt% or more of the matrix resin, which all of them are made of a silicone resin, The silicone resin material comprises a photocurable silicone resin, or a combination of a photocurable silicone resin and at least one of a thermosetting silicone resin and a moisture curable silicone resin, and a thermosetting silicone resin and a moisture curable silicone resin. When at least one of the resin and the photocurable silicone resin is combined, the silicone resin material is a thermosetting silicone resin or Gas-curable silicone resin 10
Or that one containing 80 wt%, as described in claim 4, in the printed wiring board according to any one of claims 1 to 3, wherein the silicone resin is a silicone resin in which the polyisobutylene as a main skeleton Shall be included. By doing so, it is preferable for practical use.

【0012】また、請求項に記載のように、はんだレ
ジスト層または絶縁層として、弾性率が−50℃から2
00℃までの温度領域において100kgf/mm
下であるシリコーン樹脂材を用いた層と、弾性率が−5
0℃から200℃までの温度領域において100kgf
/mmより大きい樹脂材を用いた層とを組み合わせる
と、基板全体の柔軟性として任意の特性を得ることが可
能となる。
Further, as described in claim 5, as a resist layer or an insulating layer has a modulus of elasticity of from -50 ° C. 2
A layer using a silicone resin material of 100 kgf / mm 2 or less in a temperature range up to 00 ° C., and an elastic modulus of −5.
100kgf in the temperature range from 0 ℃ to 200 ℃
When combined with a layer made of a resin material having a size larger than / mm 2, it is possible to obtain arbitrary characteristics as the flexibility of the entire substrate.

【0013】つまり、請求項に記載のように、前記1
00kgf/mm以下であるシリコーン樹脂材を用い
た層と、100kgf/mmより大きい樹脂材を用い
た層との積層順序を変えることにより、基板全体の柔軟
性として任意の特性を得るようにしたり、請求項に記
載のように、前記100kgf/mm以下であるシリ
コーン樹脂材を用いた層と、100kgf/mmより
大きい樹脂材を用いた層との積層層数を変えることによ
り、基板全体の柔軟性として任意の特性を得ることがで
きる。
That is, as described in claim 6 , the 1
By changing the stacking order of the layer using the silicone resin material of 00 kgf / mm 2 or less and the layer using the resin material greater than 100 kgf / mm 2 , it is possible to obtain an arbitrary property as the flexibility of the entire substrate. Alternatively, as described in claim 7 , by changing the number of laminated layers of the layer using the silicone resin material of 100 kgf / mm 2 or less and the layer using the resin material larger than 100 kgf / mm 2 . Arbitrary characteristics can be obtained as the flexibility of the entire substrate.

【0014】また、プリント配線基板の製造方法とし
て、請求項8,9に記載のように、基材の表面に、硬化
後の弾性率が−50℃から200℃までの温度領域にお
いて100kgf/mm以下であり、かつ、熱硬化成
分または湿気硬化成分の少なくともいずれか一方と光硬
化成分を有するペースト状のシリコーン樹脂材を塗布す
る。そして、前記シリコーン樹脂材の全面に弱い露光を
行う。これにより、表面タック性が消失する。さらに、
前記シリコーン樹脂材に対しマスクを用いた露光を行う
とともに現像を行いシリコーン樹脂材での所望の領域を
開口させる。引き続き、前記シリコーン樹脂材の開口部
に配線をパターニングする。
Further, as a method for manufacturing a printed wiring board, as described in claims 8 and 9 , 100 kgf / mm is applied to the surface of the base material in a temperature range where the elastic modulus after curing is from -50 ° C to 200 ° C. A paste-like silicone resin material having a number of 2 or less and having at least one of a thermosetting component and a moisture curing component and a photocuring component is applied. Then, weak exposure is performed on the entire surface of the silicone resin material. As a result, the surface tackiness disappears. further,
The silicone resin material is exposed using a mask and is developed to open a desired region of the silicone resin material. Subsequently, wiring is patterned in the opening of the silicone resin material.

【0015】このように、熱硬化成分または湿気硬化成
分の少なくともいずれか一方と光硬化成分を有するペー
スト状のシリコーン樹脂材を用いて、より実用的なプリ
ント配線基板の製造方法とすることができる。
As described above, the paste-like silicone resin material containing at least one of the thermosetting component and the moisture curing component and the photo-curing component can be used as a more practical method for producing a printed wiring board. .

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図1には、本実施形態
におけるプリント配線基板の断面図を示す。本例のプリ
ント配線基板は多層プリント配線基板であり、基板の表
裏両面に3層の配線パターンがそれぞれ形成されてい
る。そして、基板の両面に、電子部品であるフリップチ
ップ8、CSP(Chip Size Package )9およびMCM
(Multi Chip Module)14が表面実装されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional view of the printed wiring board in this embodiment. The printed wiring board of this example is a multilayer printed wiring board, and three layers of wiring patterns are formed on both front and back surfaces of the board. The flip chip 8, the CSP (Chip Size Package) 9 and the MCM, which are electronic components, are provided on both sides of the substrate.
(Multi Chip Module) 14 is surface-mounted.

【0017】以下、詳しく説明する。コア基板1として
ガラスエポキシ基板が用いられている。このコア基板1
にはスルーホール4が形成されるとともにスルーホール
4内にはスルーホールメッキ5が形成されている。な
お、スルーホールメッキ5の代わりに導電ペーストを用
いてもよい。
A detailed description will be given below. A glass epoxy substrate is used as the core substrate 1. This core board 1
Through holes 4 are formed in the through holes 4 and through hole plating 5 is formed in the through holes 4. A conductive paste may be used instead of the through hole plating 5.

【0018】コア基板1の上面には、配線パターンが形
成された絶縁層(以下、レジスト層という)と層間絶縁
層とが3層ずつ交互にが積層されている。つまり、上か
ら下に向かって第1層レジスト層L1R 、第1層絶縁層
L1i 、第2層レジスト層L2R 、第2層絶縁層L2i
、第3層レジスト層L3R 、第3層絶縁層L3i が形
成されている。また、コア基板1の下面には、配線パタ
ーンが形成された絶縁層(以下、レジスト層という)と
層間絶縁層とが3層ずつ交互にが積層されている。つま
り、上から下に向かって第4層絶縁層L4i 、第4層レ
ジスト層L4R 、第5層絶縁層L5i 、第5層レジスト
層L5R 、第6層絶縁層L6i 、第6層レジスト層L6
R が形成されている。
On the upper surface of the core substrate 1, an insulating layer having a wiring pattern (hereinafter referred to as a resist layer) and an interlayer insulating layer are alternately laminated in three layers. That is, from the top to the bottom, the first layer resist layer L1R, the first layer insulating layer L1i, the second layer resist layer L2R, and the second layer insulating layer L2i.
, A third resist layer L3R and a third insulating layer L3i are formed. Further, on the lower surface of the core substrate 1, an insulating layer having a wiring pattern (hereinafter referred to as a resist layer) and an interlayer insulating layer are alternately laminated in three layers. That is, from the top to the bottom, the fourth insulating layer L4i, the fourth resist layer L4R, the fifth insulating layer L5i, the fifth resist layer L5R, the sixth insulating layer L6i, and the sixth resist layer L6.
R is formed.

【0019】レジスト層L1R ,L2R ,L3R ,L4
R ,L5R ,L6R には銅メッキ回路配線(配線パター
ン)6が配置されている。絶縁層L1i ,L2i ,L3
i ,L4i ,L5i ,L6i には層間接合のための銅め
っきビアホール(IVH(Interstitial Via Hole))7
が形成され、このIVH7を通して層間での導通がとら
れている。但し、L3i とL4i の各層の一方または両
方が無くても構わない。
Resist layers L1R, L2R, L3R, L4
Copper-plated circuit wiring (wiring pattern) 6 is arranged on R, L5R, and L6R. Insulating layers L1i, L2i, L3
Copper plated via holes (IVH (Interstitial Via Holes)) 7 for interlayer joining are provided at i, L4i, L5i, and L6i.
Are formed, and conduction is established between the layers through this IVH7. However, one or both of the layers L3i and L4i may be omitted.

【0020】コア基板1の表面(上面)に形成した絶縁
層の積層体2における第1層レジスト層L1R の上に
は、フリップチップ8およびCSP9が配置されてい
る。フリップチップ8は電極10にて第1層レジスト層
L1R における配線パターン11と電気的に接続され、
CSP9は電極12にて第1層レジスト層L1R におけ
る配線パターン11と電気的に接続されている。詳しく
は、第1層レジスト層L1R の上に、はんだレジスト層
13が形成され、このはんだレジスト層13を用いて電
極10,12と配線パターン11とがはんだ付け(ボン
ディング)されている。
A flip chip 8 and a CSP 9 are arranged on the first-layer resist layer L1R in the laminated body 2 of insulating layers formed on the surface (upper surface) of the core substrate 1. The flip chip 8 is electrically connected to the wiring pattern 11 in the first resist layer L1R by the electrode 10,
The CSP 9 is electrically connected to the wiring pattern 11 in the first resist layer L1R by the electrode 12. Specifically, the solder resist layer 13 is formed on the first layer resist layer L1R, and the electrodes 10 and 12 and the wiring pattern 11 are soldered (bonded) by using the solder resist layer 13.

【0021】なお、CSP9の代わりに、BGA(Ball
Grid Array )を用いてもよい。同様に、コア基板1の
裏面に形成した絶縁層の積層体3における第6層レジス
ト層L6R の表面側には、MCM14が配置されてい
る。MCM14は電極15にて表層の第6層レジスト層
L6R における配線パターン16と電気的に接続されて
いる。詳しくは、レジスト層L6R の上(表面側)に、
はんだレジスト層17が形成され、このはんだレジスト
層17を用いて電極15と配線パターン16とがはんだ
付け(ボンディング)されている。
Instead of CSP9, BGA (Ball
Grid Array) may be used. Similarly, the MCM 14 is arranged on the front surface side of the sixth-layer resist layer L6R in the laminated body 3 of insulating layers formed on the back surface of the core substrate 1. The MCM 14 is electrically connected to the wiring pattern 16 in the sixth layer resist layer L6R on the surface layer by the electrode 15. Specifically, on the resist layer L6R (front surface side),
The solder resist layer 17 is formed, and the electrodes 15 and the wiring patterns 16 are soldered (bonded) using the solder resist layer 17.

【0022】ここで、はんだレジスト層13、第1層レ
ジスト層L1R 、第1層絶縁層L1i 、はんだレジスト
層17、第6層レジスト層L6R 、第6層絶縁層L6i
のうちの少なくとも1つは、次のような構成となってい
る。
Here, the solder resist layer 13, the first-layer resist layer L1R, the first-layer insulating layer L1i, the solder resist layer 17, the sixth-layer resist layer L6R, and the sixth-layer insulating layer L6i.
At least one of them has the following configuration.

【0023】弾性率が−50℃から200℃までの温度
領域において100kgf/mm2以下であるシリコー
ン樹脂を含み、詳しくは、 (i )光硬化型シリコーン樹脂 (ii)光硬化型シリコーン樹脂+湿気硬化型シリコーン
樹脂、 (iii)光硬化型シリコーン樹脂+熱硬化型シリコーン樹
脂、 (iv) 光硬化型シリコーン樹脂+湿気硬化型シリコーン
樹脂+熱硬化型シリコーン樹脂、 のいずれかの組み合わせをなし、かつ、シリコーン樹脂
材は、80wt%以上のマトリックス樹脂を含み、その
全てがシリコーン樹脂から成るものであり、前記シリコ
ーン樹脂材は、熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シ
リコーン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコーン
樹脂とを組み合せる場合は熱硬化型シリコーン樹脂また
は湿気硬化型シリコーン樹脂を10〜80wt%含むと
ともに、光硬化型シリコーン樹脂を含み、かつ、このシ
リコーン樹脂材は、ポリイソブチレンを主骨格としたシ
リコーン樹脂を含んでいる。
A silicone resin having a modulus of elasticity of 100 kgf / mm 2 or less in a temperature range of -50 ° C to 200 ° C is included. Specifically, (i) a photocurable silicone resin (ii) a photocurable silicone resin + moisture curing Silicone resin, (iii) photocurable silicone resin + thermosetting silicone resin, (iv) photocurable silicone resin + moisture curable silicone resin + thermosetting silicone resin, and silicone resin material comprises 80 wt% or more of the matrix resin, which all of them are made of a silicone resin, the silicone
The resin material is a thermosetting silicone resin and a moisture curing type resin.
At least one of silicone resin and photocurable silicone
Together when combining a resin containing 10~80Wt% heat-curable silicone resin or a moisture-curable silicone resin, saw including a photocurable silicone resin and the silicone resin was polyisobutylene as a main skeleton Contains silicone resin.

【0024】また、はんだレジスト層13,17および
第1〜第6のレジスト・絶縁層(L1R 〜L6R ,L1
i 〜L6i )は、弾性率が−50℃から200℃までの
温度領域において100kgf/mm2 以下であるシリ
コーン樹脂材を用いた層と、弾性率が−50℃から20
0℃までの温度領域において100kgf/mm2 より
大きい樹脂材を用いた層とを組み合わており、詳しく
は、積層順序を変えたり、積層層数を変えることによ
り、基板全体の柔軟性として任意の特性を得ている。
Further, the solder resist layers 13 and 17 and the first to sixth resist / insulating layers (L1R to L6R and L1).
i to L6i) are a layer using a silicone resin material having an elastic modulus of 100 kgf / mm 2 or less in the temperature range of −50 ° C. to 200 ° C., and an elastic modulus of −50 ° C. to 20 ° C.
In the temperature range up to 0 ° C., a layer made of a resin material larger than 100 kgf / mm 2 is combined, and more specifically, by changing the stacking order or the number of stacked layers, the flexibility of the entire substrate can be arbitrarily adjusted. It has the characteristics.

【0025】次に、このように構成した電子装置の製造
方法について、図2〜図9を用いて説明する。この製造
方法の説明においては、図1でのレジスト層L3R ,L
4R に、前述の特性を有するシリコーン樹脂材を用いた
場合を想定している。
Next, a method of manufacturing the electronic device having the above structure will be described with reference to FIGS. In the description of this manufacturing method, the resist layers L3R and L3 shown in FIG.
It is assumed that a silicone resin material having the above-mentioned characteristics is used for 4R.

【0026】まず、図2に示すように、コア基材20を
用意し、図3に示すように、その上下の両面に樹脂層2
1,22を貼り合わせて中心基材層を形成する。この中
心基材層の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂を用い
る。そして、図4に示すように、中心基材層(コア基材
20と樹脂層21,22の積層体)にスルーホール23
を形成する。
First, as shown in FIG. 2, a core base material 20 is prepared, and as shown in FIG.
1, 22 are bonded together to form a central base material layer. As the constituent material of the central base material layer, for example, an epoxy resin,
Phenol resin, acrylic resin, and silicone resin are used. Then, as shown in FIG. 4, through holes 23 are formed in the central base material layer (a laminated body of the core base material 20 and the resin layers 21 and 22).
To form.

【0027】その後、図5に示すように、スルーホール
23に対し導電ペースト24を充填し、この導電ペース
ト24を硬化する。そして、中心基材層(コア基材20
と樹脂層21,22の積層体)の上下の両面に、触媒を
塗布し(触媒処理し)、さらに、ペースト状のシリコー
ン樹脂材25,26を塗布する。このシリコーン樹脂材
25,26は、硬化後の弾性率が−50℃から200℃
までの温度領域において100kgf/mm2 以下であ
り、かつ、熱硬化型シリコーン樹脂成分と、光硬化型シ
リコーン樹脂成分を有する。なお、シリコーン樹脂材2
5,26は、熱硬化成分または湿気硬化成分の少なくと
もいずれか一方と光硬化成分を有すればよい。
Thereafter, as shown in FIG. 5, the conductive paste 24 is filled in the through holes 23 and the conductive paste 24 is hardened. Then, the central base material layer (core base material 20
A catalyst is applied (catalyst treatment) to both upper and lower surfaces of the laminated body of the resin layers 21 and 22, and the pasty silicone resin materials 25 and 26 are further applied. The silicone resin materials 25 and 26 have an elastic modulus after curing of -50 ° C to 200 ° C.
Is 100 kgf / mm 2 or less in the temperature range up to, and has a thermosetting silicone resin component and a photocuring silicone resin component. The silicone resin material 2
5, 26 may have at least one of a thermosetting component and a moisture curing component and a photo-curing component.

【0028】ここで、シリコーン樹脂材料に関し、より
詳しくは、熱硬化型シリコーン樹脂材料として、含有樹
脂成分として白金触媒による付加反応型シリコーン樹
脂、特にポリジメチルおよびポリメチルフェニルポリシ
ロキサン樹脂(材料品番:信越化学工業製「KE184
3」)100重量部、紫外線硬化型シリコーン樹脂材料
として末端アクリロキシ基ポリジアルキルシロキサン樹
脂材料(材料品番:スリーボンド製「3161」)80
重量部を均一混合する。混合は真空プラネタリー中にて
実施する。得られた材料をFR−4コア基材表面に約4
0μmの厚みで塗布する。
The silicone resin material, more specifically, as a thermosetting silicone resin material, an addition reaction type silicone resin with a platinum catalyst as a contained resin component, particularly polydimethyl and polymethylphenylpolysiloxane resin (material part number: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KE184
3 ") 100 parts by weight, a terminal acryloxy group polydialkylsiloxane resin material as an ultraviolet-curable silicone resin material (material part number:" 3161 "manufactured by ThreeBond) 80
Mix parts by weight uniformly. Mixing is done in a vacuum planetary. The resulting material is applied to the surface of the FR-4 core substrate in about 4
Apply with a thickness of 0 μm.

【0029】その後、図6に示すように、ペースト状の
シリコーン樹脂材25,26に対し短時間の全面露光、
つまり、弱い露光を行い、一部を硬化する。短時間の全
面露光は、例えば500mJ/cm2 とする。これによ
り、表面タック性(ベタツキ)が消失し、以後の工程を
容易に行うことができるようになる。
Thereafter, as shown in FIG. 6, the entire surface of the silicone resin material 25, 26 in paste form is exposed for a short time.
That is, weak exposure is performed and a part is cured. The overall exposure for a short time is, for example, 500 mJ / cm 2 . As a result, the surface tackiness (stickiness) disappears, and the subsequent steps can be easily performed.

【0030】そして、図7に示すように、シリコーン樹
脂材25,26に対しフォトマスク27,28を用いて
非パターン部を露光する。これにより、露光部の光硬化
型シリコーン樹脂は完全に硬化する。さらに、図8に示
すように、現像を行った後、シリコーン樹脂材25,2
6に対し全面露光し(例えば2000mJ/cm2 )、
さらに、加熱硬化して、全てのシリコーン樹脂成分を硬
化させる。
Then, as shown in FIG. 7, the non-patterned portions are exposed to the silicone resin materials 25 and 26 by using photomasks 27 and 28. As a result, the photocurable silicone resin in the exposed area is completely cured. Further, as shown in FIG. 8, after developing, the silicone resin materials 25, 2
6 whole surface exposure (eg 2000 mJ / cm 2 ),
Further, it is heat-cured to cure all silicone resin components.

【0031】このように露光現像を行うことによりシリ
コーン樹脂材25,26での所望の領域がパターン部2
9,30として開口する。引き続き、図9に示すよう
に、シリコーン樹脂材25,26において得られた開口
部29,30に対してめっきをすることによって銅配線
パターン31,32を形成する。つまり、配線・実装パ
ターンを形成する(配線31,32をパターニングす
る)。
By performing the exposure and development in this way, the desired area of the silicone resin material 25, 26 is formed in the pattern portion 2.
Open as 9, 30. Subsequently, as shown in FIG. 9, copper wiring patterns 31 and 32 are formed by plating the openings 29 and 30 obtained in the silicone resin materials 25 and 26. That is, the wiring / mounting pattern is formed (the wirings 31 and 32 are patterned).

【0032】そして、フリップチップ等の実装を行う。
このようにして電子装置が完成する。以下、プリント配
線基板に使用する材料に関する説明を行う。
Then, a flip chip or the like is mounted.
In this way, the electronic device is completed. Hereinafter, the materials used for the printed wiring board will be described.

【0033】プリント配線基板に使用されるはんだレジ
スト材料または絶縁材料は、従来、エポキシ樹脂系、ア
クリル樹脂系、ポリイミド樹脂系、フェノール樹脂系、
ポリエステル樹脂系の材料が大部分で、耐熱性・耐湿性
・低応力性・電気特性・低コストを全て満足することが
困難であった。
Solder resist materials or insulating materials used for printed wiring boards are conventionally epoxy resin-based, acrylic resin-based, polyimide resin-based, phenol resin-based,
Most of the polyester resin materials were difficult to satisfy all of heat resistance, moisture resistance, low stress, electrical characteristics, and low cost.

【0034】本実施形態においては、これらの要求特性
を充分満足することが可能なシリコーン樹脂材料をプリ
ント配線基板に使用している。シリコーン樹脂材料に関
し、まず、シリコーン樹脂材料は低弾性率であるために
熱応力や落下衝撃や曲げ等の機械的応力を緩和する能力
に優れており、厳しい信頼性評価や高温はんだを使用し
た部品実装工程での配線表面あるいは配線エッジ部での
剥離やクラックの発生を抑えることが可能になる。ま
た、主骨格のSi−O結合の結合エネルギー(106kc
al/mol)がエポキシ樹脂における主骨格C−C結合(8
5kcal/mol)の結合エネルギーに比べて大きく、300
℃程度までの耐熱性を保証することが可能である。更
に、耐湿性の点でも優れ、また従来、半導体の封止にも
使用されてきた材料であることから、電気特性にも優れ
ている。絶縁特性は勿論であるが、誘電率:2.6〜
2.8、誘電正接:0.002〜0.004とポリイミ
ド樹脂以上の高周波特性を示す。その上、工業的に大量
生産されているシリコーン樹脂原料を使用することにな
るため、コスト面でも問題はない。
In the present embodiment, a silicone resin material capable of sufficiently satisfying these required characteristics is used for the printed wiring board. Regarding silicone resin materials, first of all, since silicone resin materials have a low elastic modulus, they have excellent ability to relieve mechanical stress such as thermal stress, drop impact, bending, etc. It is possible to suppress the occurrence of peeling or cracks on the wiring surface or the wiring edge portion in the mounting process. In addition, the Si-O bond energy of the main skeleton (106 kc
al / mol) is the main skeleton CC bond (8) in the epoxy resin.
Greater than the binding energy of 5 kcal / mol), 300
It is possible to guarantee heat resistance up to about ℃. Further, it is also excellent in moisture resistance, and is also excellent in electrical characteristics because it is a material that has been conventionally used for sealing a semiconductor. Dielectric constant: 2.6-
2.8, dielectric loss tangent: 0.002 to 0.004, showing high frequency characteristics higher than that of polyimide resin. Moreover, since a silicone resin raw material that is industrially mass-produced is used, there is no problem in terms of cost.

【0035】但し、本実施形態ではこのようなシリコー
ン樹脂の中から、プリント配線基板用のはんだレジスト
材料または絶縁層材料として適したものとするために、
熱硬化型シリコーン樹脂、湿気硬化型シリコーン樹脂お
よび光硬化型シリコーン樹脂を選択した。特に、配線パ
ターン部を露光・現像工程によって形成可能とすること
も考慮する場合には、光硬化型シリコーン樹脂材料を配
合することが有効である。この場合、光硬化型シリコー
ン樹脂に対して配合する熱硬化型シリコーン樹脂または
湿気硬化型シリコーン樹脂の量を変えることにより、露
光後のシリコーン樹脂全体の中に占める未硬化部分の比
率を変えることが可能となる。これによって、露光量に
応じた現像工程での溶解のされ易さを変えることができ
る。このようにして、現像後には後工程でのアディティ
ブめっき等により配線形成するための溝(図8での開口
部29,30)が形成される。従って、従来の紫外線硬
化による絶縁層形成またはレジスト層形成が可能な材料
と同様の工程により取り扱うことが可能となる。
However, in the present embodiment, in order to make such a silicone resin suitable as a solder resist material or an insulating layer material for a printed wiring board,
A thermosetting silicone resin, a moisture curable silicone resin and a photocurable silicone resin were selected. In particular, when considering that the wiring pattern portion can be formed by the exposure / development process, it is effective to add a photocurable silicone resin material. In this case, it is possible to change the ratio of the uncured portion in the entire silicone resin after exposure by changing the amount of the heat-curable silicone resin or the moisture-curable silicone resin blended with the photocurable silicone resin. It will be possible. This makes it possible to change the ease of dissolution in the developing process depending on the exposure amount. In this way, after development, grooves (openings 29, 30 in FIG. 8) for forming wiring are formed by additive plating or the like in a later step. Therefore, it becomes possible to handle by the same process as the conventional material capable of forming an insulating layer or a resist layer by ultraviolet curing.

【0036】なお、図6に示したように、プリント配線
基板表面の全体に塗布した上記シリコーン樹脂材料2
5,26の表面全体に対して、表面タック性(ベタツ
キ)が無くなる程度に露光した後、図7に示したよう
に、マスク27,28を使用した露光を行うことで、マ
スク使用での露光時におけるマスク汚染等の問題は避け
られる。
As shown in FIG. 6, the silicone resin material 2 is applied to the entire surface of the printed wiring board.
After exposing the entire surfaces of Nos. 5 and 26 to the extent that surface tackiness (stickiness) disappears, exposure using the masks 27 and 28 is performed as shown in FIG. Problems such as mask contamination at times can be avoided.

【0037】更に、本実施形態では熱硬化型シリコーン
樹脂または湿気硬化型シリコーン樹脂の一部または全て
に、ポリイソブチレンを主骨格としたシリコーン樹脂を
使用している。これにより、従来の一般的なシリコーン
樹脂の欠点であった透湿性を著しく低減することがで
き、製品の耐湿信頼性の向上が可能となる。
Further, in this embodiment, a silicone resin having polyisobutylene as a main skeleton is used as a part or all of the thermosetting silicone resin or the moisture curing silicone resin. As a result, the moisture permeability, which is a drawback of conventional general silicone resins, can be significantly reduced, and the moisture resistance reliability of the product can be improved.

【0038】本実施形態に適用可能な各シリコーン樹脂
としては次のようなものが挙げられる。熱硬化型シリコ
ーン樹脂としては、ベンゾイルパーオキサイド、2,4
−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、p−クロロベン
ゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジt
ert−ブチルパーオキサイドあるいは2,5−ジメチ
ル−2,5−ジ(tert−ブチルパーオキシ)ヘキサ
ン等を重合開始剤とした過酸化物架橋タイプのシリコー
ンポリマー、および1,n−ジビニル−ポリジメチルシ
ロキサン、1,n−ジビニル−ポリメチルビニルシロキ
サン、1,n−ジビニル−ポリメチルフェニルシロキサ
ン等の末端不飽和結合を持ったポリシロキサンを末端ヒ
ドロシリル基を持った架橋剤によって白金系化合物のSp
eier's触媒存在下に重合させる付加反応架橋タイプのシ
リコーンポリマーがある。
The silicone resins applicable to this embodiment include the following. Examples of thermosetting silicone resins include benzoyl peroxide, 2,4
-Dichlorobenzoyl peroxide, p-chlorobenzoyl peroxide, dicumyl peroxide, di-t
Peroxide cross-linking type silicone polymer using ert-butyl peroxide or 2,5-dimethyl-2,5-di (tert-butylperoxy) hexane as a polymerization initiator, and 1, n-divinyl-polydimethyl Polysiloxane having a terminal unsaturated bond such as siloxane, 1, n-divinyl-polymethylvinylsiloxane, and 1, n-divinyl-polymethylphenylsiloxane can be used as a platinum-based compound Sp by a crosslinking agent having a terminal hydrosilyl group.
There is an addition reaction cross-linking type silicone polymer which is polymerized in the presence of eier's catalyst.

【0039】また、特に付加反応架橋タイプのシリコー
ンポリマーとしては、上記のジアルキルまたはアルキル
アリールシロキサン主骨格タイプ以外にポリイソブチレ
ン主骨格のものが適用可能である。
Further, as the addition reaction cross-linking type silicone polymer, a polyisobutylene main skeleton other than the above-mentioned dialkyl or alkylaryl siloxane main skeleton type can be applied.

【0040】さらに、湿気硬化型シリコーン樹脂として
は末端アルコキシ基、末端アセトキシキ基、末端アセト
アミド基または末端1−メチルビニロキシ基であるシラ
ン、あるいはジアルキルアミノキシ環状ポリシロキサン
等を架橋剤として、末端にシラノール基を持ったベース
ポリマーを重合させるものが適用可能である。この湿気
硬化型シリコーン樹脂についても前述の加熱硬化型シリ
コーン樹脂と同様に、ベースポリマーの主鎖にポリイソ
ブチレン骨格を導入したものも適用可能である。
Further, as the moisture-curable silicone resin, a silane having a terminal alkoxy group, a terminal acetoxy group, a terminal acetamide group or a terminal 1-methylvinyloxy group, or a dialkylaminoxy cyclic polysiloxane is used as a crosslinking agent at the terminal. The thing which polymerizes the base polymer which has a silanol group is applicable. As for the moisture-curable silicone resin, the one in which a polyisobutylene skeleton is introduced into the main chain of the base polymer is also applicable, as in the above-mentioned heat-curable silicone resin.

【0041】さらに、紫外線硬化型シリコーン樹脂とし
ては、末端にビニル基を持ったポリシロキサンをチオー
ルアルキルポリシロキサンによって光増感剤の存在下に
架橋するか、または末端アクリロキシアルキル基や末端
ビニルアミド基のポリシロキサンを架橋剤無しで重合す
る組成としたもの、さらに、エポキシ変性シリコーン樹
脂をオニウム塩によって重合するものが適用可能であ
る。
Further, as the UV-curable silicone resin, a polysiloxane having a vinyl group at the terminal is crosslinked with a thiolalkylpolysiloxane in the presence of a photosensitizer, or a terminal acryloxyalkyl group or a terminal vinylamide group. A composition obtained by polymerizing the above polysiloxane without a cross-linking agent, and a composition obtained by polymerizing an epoxy-modified silicone resin with an onium salt are applicable.

【0042】表1には、熱硬化型シリコーン樹脂(第1
成分)と光硬化型シリコーン樹脂(第2成分)とフィラ
等(樹脂成分以外の第3成分の添加物)を含んだレジス
ト材における、熱硬化型シリコーン樹脂/レジスト材中
の全てのシリコーン樹脂(wt%)を変えたときの30
0μm幅以下の溝の現像による形成の可否の観察結果を
示す。熱硬化型シリコーン樹脂/レジスト材中の全ての
シリコーン樹脂が5wt%および90wt%では、不良
であった。また、熱硬化型シリコーン樹脂/レジスト材
中の全てのシリコーン樹脂が20wt%および50wt
%では、良であり、10wt%および80wt%では良
と不良が混在した。
Table 1 shows the thermosetting silicone resin (first
Component), a photocurable silicone resin (second component), a filler, etc. (additive of the third component other than the resin component), in the thermosetting silicone resin / all the silicone resins in the resist material ( wt%) when changing 30
The observation result of whether a groove having a width of 0 μm or less can be formed by development is shown. All the silicone resins in the thermosetting silicone resin / resist material were defective at 5 wt% and 90 wt%. Further, all the silicone resins in the thermosetting silicone resin / resist material are 20 wt% and 50 wt.
%, It was good, and 10 wt% and 80 wt% mixed good and bad.

【0043】この結果から、熱硬化型シリコーン樹脂/
レジスト材中の全てのシリコーン樹脂(wt%)の混合
割合としては、10〜80wt%の範囲が好ましく、2
0〜50wt%の範囲がより好ましいことが分かる。
From these results, thermosetting silicone resin /
The mixing ratio of all silicone resins (wt%) in the resist material is preferably in the range of 10 to 80 wt%.
It can be seen that the range of 0 to 50 wt% is more preferable.

【0044】[0044]

【表1】 このように本実施形態は、下記の特徴を有する。 (イ)高密度実装プリント配線基板において、耐熱応力
性および耐湿性の向上と良好な高周波特性の確保が可能
となる。これにより、従来、問題となっていた電子装置
における小型化・高密度化と高信頼性および高機能化を
より安価に満足させることが可能となる。 (ロ)シリコーン樹脂材料を適用する絶縁層の層数や積
層順序によって、プリント配線基板の屈曲性をコントロ
ールすることも可能であり、筐体内等の限られた空間に
これを納める場合等には折り曲げることも可能となるた
め、製品のより小型化が可能となる。
[Table 1] As described above, the present embodiment has the following features. (A) In a high-density mounted printed wiring board, it is possible to improve heat stress resistance and moisture resistance and secure good high frequency characteristics. As a result, it becomes possible to satisfy the problems of miniaturization, high density, high reliability, and high functionality of an electronic device, which has been a problem in the past, at a lower cost. (B) The flexibility of the printed wiring board can be controlled by the number of insulating layers to which the silicone resin material is applied and the stacking order. Since it can be bent, the product can be made smaller.

【0045】つまり、図1に示すように、上から下に、
第1層レジスト層L1R 、第1層絶縁層L1i 、第2層
レジスト層L2R 、第2層絶縁層L2i 、第3層レジス
ト層L3R 、第3層絶縁層L3i 、第4層絶縁層L4i
、第4層レジスト層L4R 、第5層絶縁層L5i 、第
5層レジスト層L5R 、第6層絶縁層L6i 、第6層レ
ジスト層L6R を積層した場合において、例えば、第1
・第6レジスト層および絶縁層L1R ,L1i ,L6R
,L6i のマトリックス樹脂がシリコーン樹脂から成
り、その弾性率が−50℃から200℃までの温度領域
において100kgf/mm2 以下であり、かつ、前記
シリコーン樹脂材は、光硬化型シリコーン樹脂、若しく
は熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂
との少なくとも一方と光硬化型シリコーン樹脂との組み
合わせからなり、熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型
シリコーン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコー
ン樹脂とを組み合せる場合、前記シリコーン樹脂材は
硬化型シリコーン樹脂または湿気硬化型シリコーン樹脂
10〜80wt%および光硬化型シリコーン樹脂を含む
ようにすると、以下の効果を奏する。つまり、温度サイ
クルまたは製品落下時の部品実装用電極近傍でのはんだ
レジスト層またはその直下の絶縁層のクラックを防止す
ることができる。
That is, as shown in FIG. 1, from top to bottom,
First layer resist layer L1R, first layer insulating layer L1i, second layer resist layer L2R, second layer insulating layer L2i, third layer resist layer L3R, third layer insulating layer L3i, fourth layer insulating layer L4i
In the case where the fourth layer resist layer L4R, the fifth layer insulating layer L5i, the fifth layer resist layer L5R, the sixth layer insulating layer L6i, and the sixth layer resist layer L6R are laminated, for example, the first layer
.Sixth resist layer and insulating layers L1R, L1i, L6R
, Matrix resin L6i is made of a silicone resin, not more than 100 kgf / mm @ 2 in a temperature range up to the 200 ° C. modulus from -50 ° C., and the
Silicone resin material is photocurable silicone resin,
Is a thermosetting silicone resin and a moisture-curing silicone resin
Of at least one of the above and a photocurable silicone resin
Combined, thermosetting silicone resin and moisture curing type
At least one of silicone resin and photocurable silicone
When combining and down resin and the silicone resin material to contain the heat-curable silicone resin or a moisture-curable silicone resin 10~80Wt% and a light-curable silicone resins, the following effects. That is, it is possible to prevent cracks in the solder resist layer or the insulating layer immediately below the solder resist layer in the vicinity of the component mounting electrode during temperature cycling or product drop.

【0046】また、他の例としては、第1・2・5・6
層のレジスト層および絶縁層(L1R ,L1i ,L2R
,L2i ,L5R ,L5i ,L6R ,L6i )、また
は、第1・2・3・4・5・6層のレジスト層および絶
縁層(L1R 〜L6R ,L1i〜L6i )のマトリック
ス樹脂が、シリコーン樹脂から成り、その弾性率が−5
0℃から200℃までの温度領域において100kgf
/mm2 以下であり、かつ、前記シリコーン樹脂材は、
光硬化型シリコーン樹脂、若しくは熱硬化型シリコーン
樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂との少なくとも一方と
光硬化型シリコーン樹脂との組み合わせからなり、熱硬
化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シリコーン樹脂との少
なくとも一方と光硬化型シリコーン樹脂とを組み合せる
場合、前記シリコーン樹脂材は熱硬化型シリコーン樹脂
または湿気硬化型シリコーン樹脂10〜80wt%およ
び光硬化型シリコーン樹脂を含むようにすると、以下の
効果を奏する。つまり、前述したように、温度サイクル
または製品落下時の部品実装用電極近傍でのはんだレジ
スト層またはその直下の絶縁層のクラックを防止するこ
とができることに加え、基板屈曲性があるために種種の
形状の製品筐体内に基板を収納することができる。例え
ば、図10に示すように製品の筐体40の構造として、
屈曲した形状のプレート41,42,43,44にて天
井面形成用板材を構成した場合において、上述した屈曲
性プリント配線基板51の上に部品52を実装した電子
部品50をプレート41,42,43,44の形状に合
わせて折り曲げて筐体40の内部においてプレート4
1,42,43,44と一定の間隔をおいて配置するこ
とができる。
Further, as another example, the first, second, fifth, sixth
Layer resist layer and insulating layer (L1R, L1i, L2R
, L2i, L5R, L5i, L6R, L6i), or the matrix resin of the 1st, 2nd, 3rd, 4th, 5th, and 6th resist layers and the insulating layers (L1R to L6R, L1i to L6i) is made of a silicone resin. And its elastic modulus is -5
100kgf in the temperature range from 0 ℃ to 200 ℃
/ Mm2 or less, and the silicone resin material is
Photocurable silicone resin or thermosetting silicone
At least one of resin and moisture-curable silicone resin
Combining with photo-curable silicone resin,
Of silicone resin and moisture-curable silicone resin
Combine one side with a photo-curable silicone resin
If, when the silicone resin material to contain the heat-curable silicone resin or a moisture-curable silicone resin 10~80Wt% and a light-curable silicone resins, the following effects. In other words, as described above, in addition to being able to prevent cracks in the solder resist layer or the insulating layer immediately thereunder in the vicinity of the component mounting electrode during temperature cycling or product drop, in addition to substrate flexibility, The board can be housed in a shaped product housing. For example, as shown in FIG. 10, as the structure of the product casing 40,
In the case where the ceiling surface forming plate material is configured by the bent plates 41, 42, 43, 44, the electronic component 50 in which the component 52 is mounted on the flexible printed wiring board 51 described above is mounted on the plates 41, 42, The plate 4 is bent inside the housing 40 by being bent according to the shapes of 43 and 44.
1, 42, 43, and 44 can be arranged at a constant interval.

【0047】また、シリコーン樹脂材は、マトリックス
樹脂としてのシリコーン樹脂が少なくとも80wt%以
上含有されていればよく、マトリックス樹脂成分以外
に、フィラや分散剤等の添加物が含有されていてもよ
い。
The silicone resin material may contain at least 80 wt% of a silicone resin as a matrix resin, and may contain additives such as fillers and dispersants in addition to the matrix resin component.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 実施形態における電子装置の断面図。FIG. 1 is a sectional view of an electronic device according to an embodiment.

【図2】 プリント配線基板の製造工程図。FIG. 2 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board.

【図3】 プリント配線基板の製造工程図。FIG. 3 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board.

【図4】 プリント配線基板の製造工程図。FIG. 4 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board.

【図5】 プリント配線基板の製造工程図。FIG. 5 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board.

【図6】 プリント配線基板の製造工程図。FIG. 6 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board.

【図7】 プリント配線基板の製造工程図。FIG. 7 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board.

【図8】 プリント配線基板の製造工程図。FIG. 8 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board.

【図9】 プリント配線基板の製造工程図。FIG. 9 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board.

【図10】 筐体の内部に配置された状態でのプリント
配線基板を説明するための図。
FIG. 10 is a diagram for explaining the printed wiring board in a state of being arranged inside the housing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…コア基板、4…スルーホール、5…スルーホールメ
ッキ、6…銅メッキ回路配線、7…銅めっきビアホー
ル、8…フリップチップ、9…CSP、10…電極、1
1…配線パターン、12…電極、13…はんだレジスト
層、14…MCM、15…電極、16…配線パターン、
17…はんだレジスト層、L1R 〜L6R…レジスト
層、L1i 〜L6i …絶縁層。
1 ... Core substrate, 4 ... Through hole, 5 ... Through hole plating, 6 ... Copper plating circuit wiring, 7 ... Copper plating via hole, 8 ... Flip chip, 9 ... CSP, 10 ... Electrode, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring pattern, 12 ... Electrode, 13 ... Solder resist layer, 14 ... MCM, 15 ... Electrode, 16 ... Wiring pattern,
17 ... Solder resist layer, L1R to L6R ... Resist layer, L1i to L6i ... Insulating layer.

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 弾性率が−50℃から200℃までの温
度領域において100kgf/mm 以下であるシリコ
ーン樹脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いた
ことを特徴とするプリント配線基板であって、 前記絶縁層は、多層基板における層間絶縁層のうちの最
表の絶縁層であるプリント配線基板。
1. An elastic modulus at a temperature of -50 ° C. to 200 ° C.
Silicone less than 100 kgf / mm 2 in degree range
Resin material used for solder resist layer or insulation layer
The printed wiring board according to claim 1, wherein the insulating layer is the outermost insulating layer among the interlayer insulating layers in the multilayer board.
【請求項2】 弾性率が−50℃から200℃までの温
度領域において100kgf/mm 以下であるシリコ
ーン樹脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いた
ことを特徴とするプリント配線基板であって、 前記絶縁層は、多層基板における配線パターンが形成さ
れた各層のうちの最表の絶縁層であるプリント配線基
板。
2. An elastic modulus at a temperature of -50 ° C. to 200 ° C.
Silicone less than 100 kgf / mm 2 in degree range
Resin material used for solder resist layer or insulation layer
The printed wiring board according to claim 1, wherein the insulating layer is the outermost insulating layer among the layers on which the wiring pattern is formed in the multilayer board.
【請求項3】 弾性率が−50℃から200℃までの温
度領域において100kgf/mm 以下であるシリコ
ーン樹脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いた
ことを特徴とするプリント配線基板であって、 前記シリコーン樹脂材は、80wt%以上のマトリック
ス樹脂を含み、その全てがシリコーン樹脂から成るもの
であり、前記シリコーン樹脂材は、光硬化型シリコーン
樹脂、若しくは熱硬化型シリコーン樹脂と湿気硬化型シ
リコーン樹脂との少なくとも一方と光硬化型シリコーン
樹脂との組み合わせからなり、熱硬化型シリコーン樹脂
と湿気硬化型シリコーン樹脂との少なくとも一方と光硬
化型シリコーン樹脂とを組み合わせる場合、前記シリコ
ーン樹脂材は熱硬化型シリコーン樹脂または湿気硬化型
シリコーン樹脂を10〜80wt%含むものであるプリ
ント配線基板。
3. A temperature of which the elastic modulus is from -50 ° C. to 200 ° C.
Silicone less than 100 kgf / mm 2 in degree range
Resin material used for solder resist layer or insulation layer
The printed wiring board is characterized in that the silicone resin material contains 80 wt% or more of a matrix resin, all of which is made of a silicone resin, and the silicone resin material is a photocurable silicone resin, Alternatively, it is composed of a combination of at least one of a thermosetting silicone resin and a moisture curing silicone resin and a photocuring silicone resin, and at least one of a thermosetting silicone resin and a moisture curing silicone resin and a photocuring silicone resin. The printed wiring board, wherein the silicone resin material contains 10 to 80 wt% of a thermosetting silicone resin or a moisture curing silicone resin.
【請求項4】 請求項1〜のいずれか1項に記載のプ
リント配線基板において、 前記シリコーン樹脂材は、ポリイソブチレンを主骨格と
したシリコーン樹脂を含むものであるプリント配線基
板。
In the printed wiring board according to claim 4] any one of claims 1 to 3, wherein the silicone resin material, the printed wiring board is intended to include silicone resins polyisobutylene as a main skeleton.
【請求項5】 弾性率が−50℃から200℃までの温
度領域において100kgf/mm 以下であるシリコ
ーン樹脂材を、はんだレジスト層または絶縁層に用いた
ことを特徴とするプリント配線基板であって、 はんだレジスト層または絶縁層として、弾性率が−50
℃から200℃までの温度領域において100kgf/
mm以下であるシリコーン樹脂材を用いた層と、弾性
率が−50℃から200℃までの温度領域において10
0kgf/mmより大きい樹脂材を用いた層とを組み
合わせたプリント配線基板。
5. A temperature of which the elastic modulus is from -50 ° C. to 200 ° C.
Silicone less than 100 kgf / mm 2 in degree range
Resin material used for solder resist layer or insulation layer
A printed wiring board having a modulus of elasticity of -50 as a solder resist layer or an insulating layer.
100kgf / in the temperature range from ℃ to 200 ℃
A layer made of a silicone resin material having a size of 2 mm 2 or less, and an elastic modulus of 10 in a temperature range of −50 ° C. to 200 ° C.
A printed wiring board in combination with a layer using a resin material larger than 0 kgf / mm 2 .
【請求項6】 請求項に記載のプリント配線基板にお
いて、 前記100kgf/mm以下であるシリコーン樹脂材
を用いた層と、100kgf/mmより大きい樹脂材
を用いた層との積層順序を変えることにより、基板全体
の柔軟性として任意の特性を得るようにしたプリント配
線基板。
6. The printed wiring board according to claim 5 , wherein a layer made of the silicone resin material having a weight of 100 kgf / mm 2 or less and a layer made of a resin material having a weight greater than 100 kgf / mm 2 are laminated in order. A printed wiring board that can be changed to obtain any desired flexibility.
【請求項7】 請求項に記載のプリント配線基板にお
いて、 前記100kgf/mm以下であるシリコーン樹脂材
を用いた層と、100kgf/mmより大きい樹脂材
を用いた層との積層層数を変えることにより、基板全体
の柔軟性として任意の特性を得るようにしたプリント配
線基板。
7. The printed wiring board according to claim 5 , wherein the number of laminated layers of the layer made of the silicone resin material of 100 kgf / mm 2 or less and the layer made of the resin material larger than 100 kgf / mm 2. A printed wiring board that has various characteristics as the flexibility of the entire board.
【請求項8】 基材の表面に、硬化後の弾性率が−50
℃から200℃までの温度領域において100kgf/
mm以下であり、かつ、熱硬化成分または湿気硬化成
分の少なくともいずれか一方と光硬化成分を有するペー
スト状のシリコーン樹脂材を塗布する工程と、 前記シリコーン樹脂材の全面に弱い露光を行う工程と、 前記シリコーン樹脂材に対しマスクを用いた露光を行う
とともに現像を行いシリコーン樹脂材での所望の領域を
開口させる工程と、 前記シリコーン樹脂材の開口部に配線をパターニングす
る工程と、を有することを特徴とするプリント配線基板
の製造方法。
8. The surface of the base material has an elastic modulus of -50 after curing.
100kgf / in the temperature range from ℃ to 200 ℃
mm 2 or less and a step of applying a paste-like silicone resin material having at least one of a thermosetting component and a moisture-curing component and a photo-curing component, and a step of performing weak exposure on the entire surface of the silicone resin material And exposing the silicone resin material using a mask and developing the silicone resin material to open a desired region of the silicone resin material, and patterning a wiring in the opening of the silicone resin material. A method of manufacturing a printed wiring board, comprising:
【請求項9】 基材の表面に触媒を塗布する工程と、 基材の表面に、硬化後の弾性率が−50℃から200℃
までの温度領域において100kgf/mm以下であ
り、かつ、熱硬化成分または湿気硬化成分の少なくとも
いずれか一方と光硬化成分を有するペースト状のシリコ
ーン樹脂材を塗布する工程と、 前記シリコーン樹脂材の全面に弱い露光を行う工程と、 前記シリコーン樹脂材に対しマスクを用いた露光を行う
とともに現像を行いシリコーン樹脂材での所望の領域を
開口させる工程と、 前記シリコーン樹脂材の開口部に配線をパターニングす
る工程と、を有することを特徴とするプリント配線基板
の製造方法。
9. A step of applying a catalyst to the surface of a base material, and a modulus of elasticity after curing of -50 ° C. to 200 ° C. on the surface of the base material.
Of 100 kgf / mm 2 or less in a temperature range up to and a paste-like silicone resin material having at least one of a thermosetting component and a moisture curing component and a photocuring component; A step of exposing the entire surface to weak exposure; a step of exposing the silicone resin material using a mask and developing to open a desired region in the silicone resin material; and wiring to the opening portion of the silicone resin material. And a step of patterning, which is a method for manufacturing a printed wiring board.
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