JP3373260B2 - 高感度磁場検出器 - Google Patents
高感度磁場検出器Info
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- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
- G01R33/0358—SQUIDS coupling the flux to the SQUID
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Description
磁気センサ、電流計、変位計、または高周波信号増幅器
などに応用する直流駆動型超伝導量子干渉素子(DC
Superconducting Quantum I
nterference Device 以下DC−S
QUIDと略す)に関する。
を図6に示す。外部磁場信号を検出コイルから信号電流
として伝達する入力コイル1と、信号電流を信号磁束と
して入力されるワッシャーコイル2と、ワッシャーコイ
ル2に伝達された信号磁束を信号電圧に変換する2つの
ジョセフソン素子3と、電流電圧特性のヒステリシスを
無くすために各々のジョセフソン素子に並列に接続され
たシャント抵抗4と、直列に接続されたダンピング抵抗
5と、外部制御回路から帰還及び変調電流を伝達される
帰還変調コイル6の構造であり、このとき帰還変調コイ
ル6はワッシャーコイル2に対して上部または下部に1
ターンの配置になる構造になっている。入力コイルとワ
ッシャーコイルと高い結合係数k(iw)と、小さい寄
生容量を得るために、ワッシャーコイルの内径をおおき
くしてワッシャーコイルの自己インダクタンスLwを大
きくしていた。
うな特徴があるが、一般的に帰還変調コイルの自己イン
ダクタンスLmは、帰還変調コイルのストリップライン
インダクタンスLs、ターン数をnとすると、 Lm=n2×Lw+Ls ・・・(1) の関係式が成り立ち、またワッシャーコイルと帰還変調
コイルと相互インダクタンスMmsは、ワッシャーコイ
ルと帰還変調コイルとの結合係数k(ms)とすると、 Mms=k(ms)√(Lw×Lm) ・・・(2) の関係式が成り立つ。 そして、従来技術のように帰還
変調コイルがワッシャーコイルの上部または下部に1タ
ーンの配置になるような構造になっている場合には、n
=1、k(ms)=1の条件であるために、式(1)、
(2)より Mms=Lw ・・・(3) の関係式が近似的に成り立つ。また、一般的にSQUI
Dの磁場感度αとMmsとは反比例関係にある。そのた
めに、自己インダクタンスLwが大きいとMmsも大き
くなることから、磁場感度αが低下し、SN比が悪くな
る。また、外部制御回路からの環境ノイズやRFノイズ
など帰還変調コイルを介してワッシャーコイルに鎖交す
る磁束ノイズФnが大きくなり、SQUIDの磁束電圧
変換効率が低下するといった問題があった。
めに、ワッシャーコイルと帰還変調コイルとの相互イン
ダクタンスMmsがワッシャーコイルの自己インダクタ
ンス以下になるようにする。そのために、主に式(2)
の帰還変調コイルとワッシャーコイルとの結合係数k
(ms)が小さくなるように、帰還変調コイルを1ター
ン以下にしたり、ワッシャーコイルの内径にかからない
ような構造にしたり、帰還変調コイルの自己インダクタ
ンスLmが小さくなるような構造にする。
ンダクタンスMmsがワッシャーコイルの自己インダク
タンス以下になるような構造にすることにより、帰還電
流に対するSQUIDの磁場感度が良好になることから
SN比が向上し、RFノイズが低下しSQUIDの特性
が向上する。
て説明する。図1は本発明の実施例1のDC−SQUI
Dの平面図である。外部磁場信号を検出コイルから信号
電流として伝達する入力コイル1と、信号電流を信号磁
束として入力されるワッシャーコイル2と、ワッシャー
コイル2に伝達された信号磁束を信号電圧に変換する2
つのジョセフソン素子3と、電流電圧特性のヒステリシ
スをなくすために各々のジョセフソン素子に並列に接続
されたシャント抵抗4と、直列に接続されたダンピング
抵抗5と、外部制御回路から帰還及び変調電流を伝達さ
れる帰還変調コイル6から成る構造であり、このとき帰
還変調コイル6はワッシャーコイル2の上部または下部
に直線的に横断する配置の構造になっている。図2に本
発明の実施例2のDC−SQUIDの平面図である。実
施例1の帰還変調コイル6が直線的でワッシャーコイル
2の上部または下部に重ならないでワッシャーコイル2
近傍に配置される構造になっている。図3に本発明の実
施例3のDC−SQUIDの平面図である。実施例1の
帰還変調コイル6が1ターンでワッシャーコイル2の上
部または下部に1部だけが重なるが、ワッシャーコイル
2の内径を取り囲まない配置の構造になっている。図4
に本発明の実施例4のDC−SQUIDの平面図であ
る。実施例1の帰還変調コイル6が1ターンでワッシャ
ーコイル2の上部または下部に重ならないで、ワッシャ
ーコイル2の内径を取り囲まないで近傍に配置された構
造になっている。図5に本発明の実施例5のDC−SQ
UIDの平面図である。実施例1の帰還変調コイル6が
1ターンでワッシャーコイル2の上部または下部に重な
らないでワッシャーコイル2取り囲むように配置された
構造になっている。また、外部磁場信号を検出コイルか
ら信号電流として伝達する入力コイル1と、信号電流を
信号磁束として入力される8の字に接続されている3つ
のワッシャーコイル2と、ワッシャーコイル2に伝達さ
れた信号磁束を信号電圧に変換する2つのジョセフソン
素子3がワッシャーコイル2に対して直列に接続され、
電流電圧特性のヒステリシスをなくすために各々のジョ
セフソン素子に並列に接続されたシャント抵抗4と、直
列に接続されたダンピング抵抗5と、外部制御回路から
帰還及び変調電流を伝達される帰還変調コイル6から成
る構造であるDC−SQUIDや、または2つのジョセ
フソン素子が2つのワッシャーコイルに対して並列に接
続されているDC−SQUIDなどのダブル・ワッシャ
ータイプにおいても、前記実施例に示した帰還変調コイ
ルの配置構造は成り立つ。また、これらの実施例におい
て、各々コイルや抵抗などの積層順序は問わないで、各
層の間に層間絶縁膜を挿入するような構造になってい
る。
還変調コイルとワッシャーコイルとの相互インダクタン
スMmsをワッシャーコイルの自己インダクタンスLw
より小さくなるようにすることにより、磁場感度が良好
になることからSN比が向上し、RFノイズが低下し、
SQUIDの特性が向上するために、SQUIDのノイ
ズレベルが下がる。
SQUIDを示す平面図である。
SQUIDを示す平面図である。
−SQUIDを示す平面図である。
SQUIDを示す平面図である。
SQUIDを示す平面図である。
示す平面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 磁場を検出し信号電流とする検出コイル
と前記検出コイルと二つの入力端子で超伝導結合した入
力コイルと、外部制御系からの信号を伝える帰還変調コ
イルと、前記入力コイル及び前記帰還変調コイルと磁気
的に結合した超伝導リングを構成するワッシャ−コイル
と前記ワッシャーコイルと接続し障壁層を下部電極と上
部電極で挟んだ前記信号電流を電圧に変換するジョセフ
ソン素子と前記ジョセフソン素子に並列に接続されたシ
ャント抵抗を備えた直流駆動型超伝導量子干渉素子にお
いて、前記帰還変調コイルが前記ワッシャーコイルの上部また
は下部に重ならないように配置される ことを特徴とする
高感度磁場検出器。 - 【請求項2】 前記帰還変調コイルが直線またはコ型ま
たはL型の形状であることを特徴とする請求項1記載の
高感度磁場検出器。
Priority Applications (2)
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23176493A JP3373260B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 高感度磁場検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0784019A JPH0784019A (ja) | 1995-03-31 |
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Family
ID=16928668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23176493A Expired - Fee Related JP3373260B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 高感度磁場検出器 |
Country Status (2)
Country | Link |
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1994
- 1994-09-15 US US08/306,411 patent/US5596273A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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