JP3371848B2 - パッケージ封止装置とこれを用いた弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents

パッケージ封止装置とこれを用いた弾性表面波デバイスの製造方法

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JP3371848B2
JP3371848B2 JP11204899A JP11204899A JP3371848B2 JP 3371848 B2 JP3371848 B2 JP 3371848B2 JP 11204899 A JP11204899 A JP 11204899A JP 11204899 A JP11204899 A JP 11204899A JP 3371848 B2 JP3371848 B2 JP 3371848B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は素子をパッケージ内
に気密封止した弾性表面波デバイスなどのパッケージ封
止装置とこれを用いた弾性表面波デバイスの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来圧電基板にIDT電極などを形成した
弾性表面波素子をアルミナ製パッケージ内に樹脂で仮固
定して収納し、次に弾性表面波素子とパッケージに設け
た外部端子とをワイヤで電気的に接続し、次いでパッケ
ージ開口部を金属製のリッドで封止して弾性表面波デバ
イスを得ていた。
【０００３】このパッケージの封止は、パッケージの開
口部とリッドとの間に設けた半田をリフロー炉を用いて
溶融させて行うものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この方法によると、長
時間高温でパッケージ全体を加熱することになり、弾性
表面波素子をパッケージに固定している樹脂からガスが
発生したり、不完全な封止となったり、完全に封止した
場合でもパッケージの内部圧力の影響によりパッケージ
の外部に半田が突出したいわゆる半田コブが発生するな
どの問題点を有していた。
【０００５】そのため弾性表面波素子を固定するための
樹脂選択に大きな制限があった。
【０００６】そこで本発明は、弾性表面波素子をパッケ
ージ内に固定する樹脂に悪影響を及ぼさず、半田コブな
どの不完全な封止状態の発生を防止することができるパ
ッケージ封止装置とこれを用いた弾性表面波デバイスの
製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のパッケージ封止装置は、パッケージの開口部
をリッドで封止するのに用いるパッケージ封止装置にお
いて、前記パッケージと前記リッドの間に半田または低
融点ガラスからなる封止材料を有し、前記リッドを加熱
することにより前記封止材料を溶融させるための抵抗加
熱方式のヒータチップからなる加熱手段と、この加熱手
段に接続し熱を供給するための発熱手段と、前記加熱手
段及び発熱手段に接続して加熱手段の温度を検知すると
共に発熱手段の発熱温度をコントロールするための温度
制御手段と、前記加熱手段の位置をコントロールするた
めの位置決め制御手段とを備え、前記加熱手段は少なく
とも二種類の金属を組み合わせて形成したものであり、
前記リッドとの接触面を電気抵抗が大きくかつ熱伝導性
に劣る金属で形成し、前記加熱手段の位置は前記位置決
め制御手段により前記リッドに当接させた後、前記ヒー
タチップの温度を前記封止材料の溶融温度以上まで上昇
させ、その後前記加熱手段の位置をさらに下降させ、前
記パッケージの内部圧力が上昇し始めた時点で上昇させ
るようにしたことを特徴とするものであり、加熱手段は
熱応答性及び温度再現性にすぐれたものであるので短時
間でパッケージを封止することができ、素子を固定する
樹脂に悪影響を及ぼさず、不完全な封止状態の発生を防
止することができるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】（実施の形態１） 本発明の請求項１に記載の発明は、パッケージの開口部
をリッドで封止するのに用いるパッケージ封止装置にお
いて、前記パッケージと前記リッドの間に半田または低
融点ガラスからなる封止材料を有し、前記リッドを加熱
することにより前記封止材料を溶融させるための抵抗加
熱方式のヒータチップからなる加熱手段と、この加熱手
段に接続し熱を供給するための発熱手段と、前記加熱手
段及び発熱手段に接続して加熱手段の温度を検知すると
共に発熱手段の発熱温度をコントロールするための温度
制御手段と、前記加熱手段の位置をコントロールするた
めの位置決め制御手段とを備え、前記加熱手段は少なく
とも二種類の金属を組み合わせて形成したものであり、
前記リッドとの接触面を電気抵抗が大きくかつ熱伝導性
に劣る金属で形成し、前記加熱手段の位置は前記位置決
め制御手段により前記リッドに当接させた後、前記ヒー
タチップの温度を前記封止材料の溶融温度以上まで上昇
させ、その後前記加熱手段の位置をさらに下降させ、前
記パッケージ の内部圧力が上昇し始めた時点で上昇させ
るようにしたことを特徴とするパッケージ封止装置であ
り、短時間でパッケージ封止を行うことができるので、
弾性表面波素子を固定する樹脂に悪影響を及ぼさないも
のである。
【０００９】請求項２に記載の発明は、加熱手段を形成
する金属は、ステンレスとベリリウム銅であり、リッド
との接触面をステンレスで形成した請求項１に記載のパ
ッケージ封止装置であり、熱応答性及び温度再現性に優
れた加熱手段を有するパッケージ封止装置となる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、加熱手段の位置
をコントロールするための位置決め制御手段は、偏心カ
ムにより前記加熱手段を上下運動させるものであり、封
止時にパッケージ内部圧力の変化に対応して加熱手段の
位置を上下に制御することにより封止材料がパッケージ
の外部に突出したいわゆるコブの発生を抑制することが
できる。
【００１１】請求項４に記載の発明は、パッケージの開
口部をリッドで封止してなる弾性表面波デバイスであっ
て、開口部を有する前記パッケージの下部内に前記弾性
表面波素子を収納する第１の工程と、次に前記リッドを
前記パッケージの開口部に半田または低融点ガラスから
なる封止材料を介して設置する第２の工程と、次いでパ
ッケージ封止装置の位置決め制御手段により加熱手段の
位置をコントロールしながら、抵抗加熱方式のヒータチ
ップからなる加熱手段により前記リッドを加熱して前記
封止材料を溶融して前記パッケージを封止する第３の工
程とを備え、前記パッケージの開口部を前記リッドで封
止するのに用いる前記パッケージ封止装置において、前
記パッケージと前記リッドの間に半田または低融点ガラ
スからなる前記封止材料を有し、前記リッドを加熱する
ことにより前記封止材料を溶融させるための抵抗加熱方
式のヒータチップからなる前記加熱手段と、この加熱手
段に接続し熱を供給するための発熱手段と、前記加熱手
段及び前記発熱手段に接続して前記加熱手段の温度を検
知すると共に前記発熱手段の発熱温度をコントロールす
るための温度制御手段と、前記加熱手段の位置をコント
ロールするための前記位置決め制御手段とを備え、前記
加熱手段は少なくとも二種類の金属を組み合わせて形成
したものであり、前記リッドとの接触面を電気抵抗が大
きくかつ熱伝導性に劣る金属で形成し、前記加熱手段の
位置は前記位置決め制御手段により前記リッドに当接さ
せた後、前記ヒータチップの温度を前記封止材料の溶融
温度以上まで上昇させ、その後前記加熱手段の位置をさ
らに下降させ、前記パッケージの内部圧力が上昇し始め
た時点で上昇させるようにしたパッケージ封止装置を用
いてなる弾性表面波デバイスの製造方法であり、封止工
程における膨張及び収縮におけるパッケージの破損のな
い弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００１２】請求項５に記載の発明は、第３の工程にお
いてパッケージを設置する支持台は封止材料の融点より
も低く加熱されたものを用いる請求項４に記載の弾性表
面波デバイスの製造方法であり、封止材料の溶融をより
短時間で行うことができる。
【００１３】請求項６に記載の発明は、第３の工程にお
いて、加熱手段からリッドへの荷重はパッケージの内部
の圧力が溶融した封止材料の表面張力を越えないように
する請求項４から請求項５のいずれか一つに記載の弾性
表面波デバイスの製造方法であり、封止材料がパッケー
ジの外部へ突出するのを防止できる。
【００１４】請求項７に記載の発明は、第３の工程にお
いて、加熱手段は封止材料を溶融後リッドと接触した状
態で冷却する請求項４から請求項６のいずれか一つに記
載の弾性表面波デバイスの製造方法であり、加熱手段が
半田の熱を奪い半田を急速に冷却し硬化させることがで
きる。
【００１５】以下本発明の一実施の形態について図面を
参照しながら説明する。
【００１６】図１は本実施の形態におけるヒータチップ
の斜視図であり、４はヒータチップ、４ａはシャンク
部、４ｂは発熱部である。また、図２は本実施の形態に
用いるパッケージ封止装置であり、１は下面ヒータ、２
は下面ヒータ１に設置したパッケージ、３はパッケージ
２の開口部に仮固定されたリッド、４はリッド３を直接
加熱するためのヒータチップ、５はヒータチップ４を上
下運動させる偏心カム、６は偏心カム５を回転させるた
めのパルスモータ、７はチータチップ４のユニットの上
下運動をスムーズに行うためのＬＭガイド、８は偏心カ
ム５のユニットとヒータチップ４のユニットを一つのユ
ニットとして動作させるためのクランプレバーで、９は
クランプレバー８を動作させるためのシリンダ、１０は
ヒータチップ４を加熱するためのパルスヒート電源、１
１は熱電対で、一端をヒータチップ４の先端に、他端を
パルスヒート電源１０に接続したものであり、１００は
ヒータチップ４に電流を流すケーブル対で、パルスヒー
ト電源１０に接続されている。
【００１７】このパッケージ封止装置は、パルスヒート
方式、すなわち、高抵抗材料で形成したヒータチップ４
にパルスヒート電源１０からパルス状の大電流を流し、
ここで発生したジュール熱を利用して加熱する方式を用
いてパッケージ２とリッド３間の半田等の封止材料を溶
融することによりパッケージの開口部をリッド３で封止
するものである。
【００１８】また、熱電対１１によりヒータチップ４の
熱起電力をパルスヒート電源１０にフィードバックし
て、パルスヒート電源１０の設定温度とヒータチップ４
のリッド３との接触面の温度とが一致するようにパルス
ヒート電源１０で電流をリアルタイムに制御し、ヒータ
チップ４が設定時間、設定温度を保持するようにしてい
る。
【００１９】また、パルスモータ６は、正転、逆転のい
ずれも可能で、１回転（３６０°）あたり、５００パル
ス（１パルス＝０．７２°）で構成した。
【００２０】下面ヒータ１は、パッケージ２の封止を確
実に行うための補助加熱手段となるように加熱してお
く。下面ヒータ１の温度は、封止材料の融点よりも低く
する。なぜならば封止材料を冷却し、パッケージ２の開
口部にリッド３が固定されるまで下面ヒータ１上にパッ
ケージ２が存在するからである。また、パッケージ２の
支持台として下面ヒータ１を用いることにより、パッケ
ージ封止温度が安定し、封止材料を確実に溶融すること
ができるのである。
【００２１】さらに偏心カム５は、ヒータチップ４を±
０．１ｍｍの幅で上下運動できるようにしている。
【００２２】以下、本発明のパッケージ封止装置におい
て最大の特徴であるヒータチップ４について説明する。
【００２３】ヒータチップ４は、シャンク部４aと発熱
部４bからなり、発熱部４bすなわちリッド３に接触する
部分は、均一な熱分布を有するように放熱性に劣る、す
なわち高抵抗の材料で形成することが望ましい。しかし
ながら放熱性に劣るということは、繰り返し行うことに
よる温度の再現性が悪くなるということである。従って
温度再現性に優れたヒータチップ４を実現するためにシ
ャンク部４aは、冷却部としても働くように抵抗値が小
さい、すなわち放熱性に優れた材料を用いて形成するこ
とが望ましい。また、発熱部４bを放熱性に劣る材料で
形成することにより、発熱部４bは均一な熱分布を維持
できるので、リッド３と接触する発熱部４bの面積を大
きくすることができる。従って、一種類のヒータチップ
４で他品種のパッケージ２を封止することができる。
【００２４】しかしながら、温度再現性に優れたヒータ
チップ４とするために発熱部４bの大きさは、パッケー
ジ２とリッド３との間の封止材料が溶融するだけの十分
な温度を維持できる範囲でできるだけ小さくすることが
望ましい。本実施の形態においては、発熱部４bはステ
ンレスで形成し、シャンク部４aはベリリウム銅合金で
形成した後金メッキを施した。その結果、熱応答性及び
温度再現性に優れたヒータチップ４となる。
【００２５】また、シャンク部４aと発熱部４bとの接合
の接触不良防止（火花防止）に注意することが大切であ
る。この接合は、ネジ止めあるいはロウ付けにより行う
ことができる。ロウ付けで行う場合は、パッケージ２と
リッド３との間の封止材料よりも高い融点を有するロウ
を用いてロウ付けすることが必要である。
【００２６】また本実施の形態ではネジ止めにより接合
を行っているが、シャンク部４aの発熱部４bとの接合面
にも金メッキ層を設けることにより、接触不良を防止し
ている。
【００２７】さらに、図３に示すようにヒータチップ４
にシャフト１２を介して重り１３を設けることにより、
パッケージ２を封止する際にリッド３等の傾きなどがあ
る場合、ヒータチップ４の発熱部４bがリッド３の上面
全体に接触するようにヒータチップ４の位置を重り１３
で微調整することができる。
【００２８】このパッケージ封止装置を用いた弾性表面
波デバイスの製造方法について説明する。図４〜図６
は、本実施の形態におけるパッケージ２をリッド３での
封止工程を説明するための断面図であり、２０はシリコ
ン樹脂、２１は弾性表面波素子、２２はワイヤ、２３は
半田層である。
【００２９】まず、酸化アルミニウムを主成分とするパ
ッケージ２内にシリコン樹脂２０を用いて弾性表面波素
子２１を固定する。このパッケージ２は開口部となる上
端面に金属メッキ層を形成して、封止材料となる半田層
２３となじむようにしている。次いでパッケージ２に設
けた外部端子と弾性表面波素子２１とをワイヤ２２で電
気的に接続する。次いでパッケージ２の開口部を封止す
るようにリッド３を位置合わせし、大気中で、加圧ブロ
ックにより３kgの加圧を約１秒かけて、リッド３とパッ
ケージ２を仮固定する。またこのときの加圧ブロックは
約３００℃に設定している。
【００３０】このリッド２はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金であ
るコバール材を用いて形成したものであり、パッケージ
２側の表面に半田層２３を形成したものである。また、
このときの半田層２３の温度は、約１８０〜２００℃く
らいになるようにする。この仮固定は、半田層２３が溶
融して固定されたものでなく、加圧ブロックを用いて加
熱することにより、パッケージ２の上端部の金属メッキ
層、半田層２３の金属間の拡散接合を促し、さらに加圧
により半田層２３の変形によりパッケージ２の上端面に
半田を食い込ませる二つの機能で構成されている。この
接合状態は、パッケージ封止部分の一部のみ半田で固定
されているものである。また、確実に仮固定させるため
にパッケージ２を約１５０℃、リッド３を約６０℃に予
備加熱を行っている。
【００３１】次いで仮固定後、直ちに図４に示すように
窒素雰囲気にしたチャンバ内に設けたパッケージ封止装
置の下面ヒータ１上にパッケージ２を設置し、ヒータチ
ップ４の発熱部４bをリッド３に当接させる。この位置
はセンサで検知する。このときすでにヒータチップ４は
パルスヒート電源１０により半田層２３の融点以下であ
る３００℃に加熱されている。これはリッド３に当接後
できるだけ早く半田層２３を溶融するためである。
【００３２】まずヒータチップ４をリッド３に当接させ
た後、シリンダ９によってクランプレバー８を動作させ
てヒータチップユニットと偏心カムユニットとを一体化
させて、ヒータチップ４の上下運動を可能にする。次
に、ヒータチップ４の温度を半田層２３の溶融温度以上
の３７０℃まで上昇させる（上昇速度約６００℃／
秒）。次いで図５に示すようにヒータチップ４自身をさ
らに下降させてリッド３を加圧する（ヒータチップ４の
下降は、（原点に対して）５０μｍを０．０３秒で行
う。）。その後、図６に示すように再びヒータチップ４
を上昇させる。ヒータチップ４を上昇させるタイミング
は、パッケージ２の内部圧力が上昇し始めた時がもっと
も好ましい。
【００３３】ヒータチップ４を更に下降させて、再び上
昇させるのは以下のような理由である。すなわち、半田
溶融後リッド３は一旦沈み、封止が完了するとパッケー
ジ２の内部圧力が上昇し、リッド３を押し上げようとす
る。ヒータチップ４の高さを当初の位置に固定したまま
封止を行うと、半田層２３に十分熱が伝わらず不完全な
封止となったり、完全に封止した場合でもパッケージ２
の内部圧力の影響により、半田の表面張力を越えてしま
い、パッケージ２の外部に半田が突出したいわゆる半田
コブが発生する。
【００３４】従って、半田層２３に十分な熱が加わるよ
うに半田溶融後さらにヒータチップ４を下降させ、パッ
ケージ２の内部圧力が上昇し始めるとヒータチップ４を
上昇させて封止がうまくいくようにするのである。
【００３５】しかしながら、たとえ半田コブが発生した
としても、本発明においてはパッケージ２の内部圧力が
上昇し始めるとヒータチップ４を上昇させることによ
り、リッド３とともに半田も上昇するため、まだ硬化し
ていない半田コブを吸収して消滅させることができる。
【００３６】またこのヒータチップ４を上昇させている
間に、パルスヒート電源１０によるヒータチップ４の３
７０℃での保持が終了する。このヒータチップ４の３７
０℃での保持終了と共にヒータチップ４が半田層２３の
熱を奪うこととなり、半田層２３が急激に冷却されて、
パッケージ２の開口部はリッド３で封止完了となる。
【００３７】リッド３を仮固定したパッケージ２をパッ
ケージ封止装置に配置してから、封止完了までは１パッ
ケージあたりわずか約６秒である。
【００３８】以下、本発明の弾性表面波デバイスの製造
方法におけるポイントについて記載する。
【００３９】（１）熱応答性及び温度再現性に優れたシ
ャンク部４aと発熱部４bとからなるヒータチップ４を用
いているので、局部的かつ瞬間的な加熱で封止できる。
【００４０】従って、非常に短持間で封止を完了するこ
とができるので、従来のようにリフロー炉を用いてパッ
ケージ封止工程を行っていた場合のように、弾性表面波
素子２１や弾性表面波素子２１をパッケージ２に固定し
ているシリコン樹脂２０への悪影響を防止することがで
きる。
【００４１】（２）パッケージ２とリッド３との仮固定
は大気中で行い、パッケージ封止装置を用いた封止工程
のみ窒素雰囲気中のチャンバ内で行うので、チャンバサ
イズを小さくでき、チャンバ内の雰囲気制御が容易にな
る。
【００４２】（３）均一に加熱するためにリッド３の面
積よりも、リッド３との接触面積が大きなヒータチップ
４を用いることが必要である。
【００４３】（４）パッケージ２を封止するための封止
材料として半田層２３を用いたが、低融点ガラスを用い
ても構わない。
【００４４】（５）ヒータチップ４に接続した熱電対１
１により、常に発熱部４bの温度を検知し、パルスヒー
ト電源１０にフィードバックしてパルスヒート電源１０
からの発熱部４bへの熱供給を調整し、常に所望となる
ようにする。
【００４５】（６）半田層２３が溶融してリッド３が沈
み込むのに対応してヒータチップ４を下降させることに
より、リッド３とヒータチップ４とが非接触の状態とな
り、ヒータチップ４の熱が半田層２３に伝わりにくくな
るのを防止している。
【００４６】
【発明の効果】以下本発明によると、短時間でパッケー
ジの封止を行うことができるため、封止後のパッケージ
の損傷を防止することのできる弾性表面波デバイスの製
造方法を提供することができる。
【００４７】さらにパッケージ一つ一つについてヒータ
チップの位置決めを行うので、不完全な封止状態が発生
することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態におけるヒータチップの
斜視図
【図２】本発明の一実施の形態におけるパッケージ封止
装置の模式図
【図３】本発明の他の実施の形態におけるヒータチップ
の正面図
【図４】本発明の一実施の形態におけるパッケージ封止
工程を説明するための断面図
【図５】本発明の一実施の形態におけるパッケージ封止
工程を説明するための断面図
【図６】本発明の一実施の形態におけるパッケージ封止
工程を説明するための断面図
【符号の説明】
１ 下面ヒータ ２ パッケージ ３ リッド ４ ヒータチップ ４a シャンク部 ４b 発熱部 ５ 偏心カム ６ パルスモータ ７ ＬＭガイド ８ クランプレバー ９ シリンダ １０ パルスヒート電源 １１ 熱電対 １２ シャフト １３ 重り ２０ シリコン樹脂 ２１ 弾性表面波素子 ２２ ワイヤ ２３ 半田層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｈ 9/25 Ｈ０３Ｈ 9/25 Ａ // Ｂ２３Ｋ 101:12 Ｂ２３Ｋ 101:12 101:36 101:36 (56)参考文献 特開 平11−74393（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−220170（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−241672（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−27771（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 1/00 B23K 3/03 - 3/047 H01L 23/02 H03H 9/00

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージの開口部をリッドで封止する
    のに用いるパッケージ封止装置において、前記パッケー
    ジと前記リッドの間に半田または低融点ガラスからなる
    封止材料を有し、前記リッドを加熱することにより前記
    封止材料を溶融させるための抵抗加熱方式のヒータチッ
    プからなる加熱手段と、この加熱手段に接続し熱を供給
    するための発熱手段と、前記加熱手段及び発熱手段に接
    続して加熱手段の温度を検知すると共に発熱手段の発熱
    温度をコントロールするための温度制御手段と、前記加
    熱手段の位置をコントロールするための位置決め制御手
    段とを備え、前記加熱手段は少なくとも二種類の金属を
    組み合わせて形成したものであり、前記リッドとの接触
    面を電気抵抗が大きくかつ熱伝導性に劣る金属で形成
    し、前記加熱手段の位置は前記位置決め制御手段により
    前記リッドに当接させた後、前記ヒータチップの温度を
    前記封止材料の溶融温度以上まで上昇させ、その後前記
    加熱手段の位置をさらに下降させ、前記パッケージの内
    部圧力が上昇し始めた時点で上昇させるようにしたパッ
    ケージ封止装置。
  2. 【請求項２】 加熱手段を形成する金属は、ステンレス
    とベリリウム銅であり、リッドとの接触面をステンレス
    で形成した請求項１に記載のパッケージ封止装置。
  3. 【請求項３】 加熱手段の位置をコントロールするため
    の位置決め制御手段は、偏心カムにより前記加熱手段を
    上下運動させるものである請求項１に記載のパッケージ
    封止装置。
  4. 【請求項４】 パッケージの開口部をリッドで封止して
    なる弾性表面波デバイスであって、開口部を有する前記
    パッケージの下部内に前記弾性表面波素子を収納する第
    １の工程と、次に前記リッドを前記パッケージの開口部
    に半田または低融点ガラスからなる封止材料を介して設
    置する第２の工程と、次いでパッケージ封止装置の位置
    決め制御手段により加熱手段の位置をコントロールしな
    がら、抵抗加熱方式のヒータチップからなる加熱手段に
    より前記リッドを加熱して前記封止材料を溶融して前記
    パッケージを封止する第３の工程とを備え、前記パッケ
    ージの開口部を前記リッドで封止するのに用いる前記パ
    ッケージ封止装置において、前記パッケージと前記リッ
    ドの間に半田または低融点ガラスからなる前記封止材料
    を有し、前記リッドを加熱することにより前記封止材料
    を溶融させるための抵抗加熱方式のヒータチップからな
    る前記加熱手段と、この加熱手段に接続し熱を供給する
    ための発熱手段と、前記加熱手段及び前記発熱手段に接
    続して前記加熱手段の温度を検知すると共に前記発熱手
    段の発熱温度をコントロールするための温度制御手段
    と、前記加熱手段の位置をコントロールするための前記
    位置決め制御手段とを備え、前記加熱手段は少なくとも
    二種類の金属を組み合わせて形成したものであり、前記
    リッドとの接触面を電気抵抗が大きくかつ熱伝導性に劣
    る金属で形成し、前記加熱手段の位置は前記位置決め制
    御手段により前記リッドに当接させた後、前記ヒータチ
    ップの温度を前記封止材料の溶融温度以上まで上昇さ
    せ、その後前記加熱手段の位置をさらに下降させ、前記
    パッケージの内部圧力が上昇し始めた時点で上昇させる
    ようにしたパッケージ封止装置を用いてなる弾性表面波
    デバイスの製造方法。
  5. 【請求項５】 第３の工程において、パッケージを設置
    する支持台は封止材料の融点よりも低く加熱されたもの
    を用いる請求項４に記載の弾性表面波デバイスの製造方
    法。
  6. 【請求項６】 第３の工程において、加熱手段からリッ
    ドへの荷重はパッケージの内部の圧力が溶融した封止材
    料の表面張力を越えないようにする請求項４から請求項
    ５のいずれか一つに記載の弾性表面波デバイスの製造方
    法。
  7. 【請求項７】 第３の工程において、加熱手段は封止材
    料を溶融後リッドと接触した状態で冷却する請求項４か
    ら請求項６のいずれか一つに記載の弾性表面波デバイス
    の製造方法。
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