JP3369101B2 - レーザ記録装置 - Google Patents

レーザ記録装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザを用
いて記録媒体に面積変調画像を記録可能なレーザ記録装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】画像記録の分野において、画像処理の施
されたデジタル信号に基づき、レーザ光学系を駆動制御
し、記録媒体に面積変調による画像を露光記録するレー
ザ記録装置が用いられている。なお、画像が露光記録さ
れた記録媒体は、必要に応じて現像機に供給され、潜像
から顕像に変換される。
【0003】ここで、レーザ光源としては、例えば、単
一横モード半導体レーザや光ファイバレーザ等のコヒー
レント光源、あるいは、高出力が得られる光ファイバカ
ップルドレーザやアレイ半導体レーザ等のインコヒーレ
ント光源が用いられている。特に、ガスレーザに比較し
て、小型軽量、高効率、長寿命等の利点を有する半導体
レーザが注目されており、この半導体レーザを組み込ん
だレーザ記録装置が開発されている。
【0004】ところで、コヒーレント光源を用いた場
合、記録媒体上に形成されるレーザビームの集光スポッ
トの強度分布はガウス分布状になる。
【0005】また、光ファイバカップルドレーザの場
合、レーザビームが光ファイバによって記録媒体の近傍
まで導かれるため、強度分布が略一様な円形の集光スポ
ットが得られる。ここで、レーザ記録装置では、通常、
副走査搬送される記録媒体の主走査方向にレーザビーム
を走査させることで2次元画像を形成しているため、円
形の集光スポットからなるレーザビームの光エネルギー
が主走査方向に積分され、これによって副走査方向にガ
ウス分布に近い形状の強度分布が生じる。
【0006】さらに、アレイ半導体レーザの場合には、
複数の半導体レーザの配列方向に対応した串状の強度分
布が生じる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】記録媒体上でのレーザ
ビームの積分強度が、図13に示すように、副走査方向
に対してガウス分布状である場合、レーザビームの強度
が変動したり、レーザビームの集光点と記録媒体との位
置にずれが生じると、特性AまたはBに示すように積分
強度が変動するため、記録媒体の発色閾値によって決定
される発色範囲がaまたはbのように変動し、それが画
像の濃度むらとして出現してしまう。この濃度むらは、
例えば、主走査方向に対して直線的なエッジを有する画
像の場合、前記エッジの位置が副走査方向にゆらいだ画
像となってしまう。また、記録媒体に感度むらがある場
合や現像機に現像むらがある場合においても、発色閾値
が変動することになるため、同様にして画像にむらが出
現してしまう。さらに、レーザビームの強度分布が串状
である場合には、串状分布に対応した同様な画像むらが
発生する。
【0008】なお、アレイ半導体レーザと記録媒体との
間にテレセントリック光学系を設け、アレイ半導体レー
ザから出力されたレーザビームのニアフィールドパター
ンを記録媒体上に結像させることにより、串状の強度分
布の最小値が発色閾値以上となるようにした従来技術が
ある(特公平8−20621号公報参照)。しかしなが
ら、この場合、発色閾値以上に光出力を上げなくてはな
らず、光利用効率が非常に悪くなってしまう。従って、
高出力光を出すことでアレイ半導体レーザの寿命が短く
なり、交換頻度が高くなるといった欠点が生じる。
【0009】本発明は、前記の不具合を考慮してなされ
たものであり、簡易な構成により、記録媒体の副走査方
向に対する画像のむらが生じることのない面積変調画像
を形成することのできるレーザ記録装置を提供すること
を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザ記録
装置では、横多モード半導体レーザを用い、整形光学系
を介して副走査方向に対して略方形状の強度分布を示す
レーザビームを記録媒体に照射する。
【0011】この場合、記録媒体の発色閾値の変動やレ
ーザビームの強度変動等の影響を受けることが殆どな
く、副走査方向に対する画像のむらが好適に抑制され
る。
【0012】なお、半導体レーザを横多モード半導体レ
ーザとすることにより、レーザビームが記録媒体上で集
光された際に、副走査方向に対してガウス分布形状の分
布となることがない。また、屈折率導波型半導体レーザ
を用い、あるいは、レーザビームの一部を副走査方向に
けることのできるアパーチャ部材を整形光学系に挿入す
ることにより、副走査方向に対する積分強度の分布形状
をさらに方形状に近づけ、画像のむらを一層好適に抑制
することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】図1および図2は、本実施形態の
レーザ記録装置10を示す。このレーザ記録装置10
は、露光ヘッド12から出力されたレーザビームLをド
ラム14上に装着された記録フイルムF(記録媒体)に
照射することで、面積変調画像を記録するようにしたも
のである。なお、記録フイルムFには、ドラム14が矢
印X方向(主走査方向)に回転し、露光ヘッド12が矢
印Y方向(副走査方向)に移動することで、2次元画像
が形成される。また、面積変調画像とは、レーザビーム
Lをオンオフ制御することで、記録フイルムF上に複数
の画素を形成し、その画素の占める面積によって所定の
階調が得られるようにした画像である。
【0014】露光ヘッド12は、レーザビームLを出力
する半導体レーザLDと、レーザビームLのニアフィー
ルドパターンの像を記録フイルムF上に形成する整形光
学系16とを備える。
【0015】半導体レーザLDは、屈折率導波型半導体
レーザからなり、基本的には、図3に示すように、p型
の半導体基板18とn型の半導体基板20との間に活性
層22を設け、前記半導体基板18、20に設けた電極
24、26間に所定の電圧を印加することにより、活性
層22からレーザビームLを出力するように構成されて
いる。この場合、一方の電極24は幅が規制されてお
り、この幅に対応して活性層22に沿った方向の屈折率
が制御されている。従って、半導体レーザLDから出力
されるレーザビームLの発光パターンは、図3に示され
ているように、電極24の幅に対応した活性層22の接
合面方向に幅広で且つ略方形状になる。また、活性層2
2の厚み方向に対しては、その厚みに対応した幅狭の形
状となる。
【0016】整形光学系16は、半導体レーザLDから
出力されたレーザビームLのニアフィールドパターンの
像を記録フイルムF上に整形して形成する光学系であ
り、半導体レーザLD側より、集光レンズ28、シリン
ドリカルレンズ30、32、34、36、集光レンズ3
8が順に配列されている。なお、シリンドリカルレンズ
30および34は、レーザビームLを副走査方向(矢印
Y方向)にのみ集光し、シリンドリカルレンズ32およ
び36は、レーザビームLを主走査方向(矢印X方向)
にのみ集光する。
【0017】本実施形態のレーザ記録装置10は、基本
的には以上のように構成されるものであり、次に、その
作用効果について説明する。
【0018】画像情報に応じて変調され、半導体レーザ
LDの活性層22より出力されたレーザビームLは、集
光レンズ28によってニアフィールドパターンが平行光
束とされた後、シリンドリカルレンズ30、34によっ
て副走査方向(矢印Y方向)のみが整形される一方、シ
リンドリカルレンズ32、36によって主走査方向(矢
印X方向)のみが整形され、集光レンズ38を介してド
ラム14上の記録フイルムFに前記ニアフィールドパタ
ーンの像が形成される。
【0019】このとき、ニアフィールドパターンは、図
3に示す形状となっており、記録フイルムF上では、図
4および図5に示すように、レーザビームLのエネルギ
ーを主走査方向に積分したとしても、副走査方向に対す
る積分強度がガウス分布状の形状となることはない。こ
の結果、レーザビームLの強度が変動したり、レーザビ
ームLの集光点と記録フイルムFとの位置にずれが生
じ、特性AまたはBに示すように積分強度が変動したと
しても、記録フイルムFの発色閾値によって決定される
発色範囲cが変動するようなことはなく、従って、画像
の副走査方向に対するむらが出現することはない。さら
に、前記半導体レーザLDとして、副走査方向に幅が広
いレーザビームLを出力する横多モード半導体レーザを
用いることにより、記録フイルムF上において副走査方
向にガウス分布状とならない特性を得ることができる。
【0020】図6は、図3に示す半導体レーザLDを用
いた方形分布状のレーザビームLによりサーマルタイプ
の記録フイルムFを主走査方向に線状に露光した場合と
(□で示す実験値)、同じ記録フイルムFに従来のガウ
ス分布に近い形状の強度分布を示す光源を用いて線状に
露光した場合と(▲で示す実験値)において、形成され
た副走査方向の線幅を比較して示したものである。この
場合、ガウス分布状のものでは、露光エネルギーの増加
に伴い線幅が増加しているのに対して、方形分布状のも
のでは、露光エネルギーによらず線幅が一定であること
が了解される。
【0021】なお、サーマルタイプの記録フイルムFと
して、低照度不軌の特性を示す感光材料を用いた場合、
記録フイルムF上でのレーザビームLの強度分布を主走
査方向に幅狭とすることにより、記録感度を向上させる
ことができるので、むらのない画像を高速に記録するこ
とが可能となる。
【0022】図7は、図1および図2に示す実施形態に
おいて、シリンドリカルレンズ30と32との間の焦点
位置にアパーチャ部材40を配置したものである。アパ
ーチャ部材40は、図8に示す方形状の開口部42を有
している。この開口部42は、レーザビームLのニアフ
ィールドパターンの一部を副走査方向にけるように配置
されている。
【0023】この場合、シリンドリカルレンズ30を介
してアパーチャ部材40に導かれたレーザビームLは、
開口部42の直前において図9Aに示す強度分布であっ
たものが、開口部42によって整形されることで、図9
Bに示すように、副走査方向のエッジが良好に切れ込ん
だ強度分布に変換される。従って、このように整形され
たレーザビームLにより画像を形成した場合、副走査方
向に対する画像のむらの発生をさらに好適に抑制するこ
とができる。
【0024】図10は、半導体レーザLDから出力され
たファーフィールドパターンの像を記録フイルムF上に
形成する整形光学系46の構成を示す。整形光学系46
は、半導体レーザLD側より集光レンズ48、シリンド
リカルレンズ50、52、集光レンズ54を順に配列し
て構成される。
【0025】この場合、集光レンズ48の焦点距離をf
とすると、集光レンズ48は、半導体レーザLDから出
力されたレーザビームLをコリメートし、集光レンズ4
8の後側主点位置から焦点距離fの所(二点鎖線で示
す。)に図11Aおよび図11Bに示す分布からなるフ
ァーフィールドパターンを形成する。次いで、このファ
ーフィールドパターンを形成するレーザビームLは、主
走査方向に対してガウス分布状となっているので、シリ
ンドリカルレンズ50、52を用いてその方向にのみ整
形した後、集光レンズ54を介して記録フイルムFに集
光される。このようにして、図1および図2に示すニア
フィールドパターンの像の場合と同様に、むらのない画
像を形成することができる。
【0026】図12は、図10に示す整形光学系46の
集光レンズ48とシリンドリカルレンズ50との間のフ
ァーフィールドパターンが形成される位置に図8に示す
アパーチャ部材40を配置したものである。この場合、
図7に示す実施形態と同様に、さらに方形状に近い強度
分布を記録フイルムF上に形成することができ、これに
よって、一層好適な画像を形成することができる。
【0027】なお、上述した実施形態において、半導体
レーザLDとして、屈折率導波型半導体レーザを用いた
場合を示したが、記録フイルムFの副走査方向における
強度分布のエッジが鋭く、しかも、主走査方向に幅の狭
い特性を有するレーザビームLを出力することのできる
半導体レーザLDであれば、他の構造のものを利用する
ことができることは勿論である。
【0028】また、画像におけるむらの発生が極めて少
ないため、半導体レーザLDからのレーザビームLによ
って形成される画像は、面積変調画像、特に、空間周波
数を画像の濃度に応じて変調することにより形成される
網点画像、いわゆる、FM変調画像とした場合におい
て、極めて好適な画像を得ることができる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るレー
ザ記録装置によれば、レーザビームの記録媒体上におけ
る強度分布が副走査方向に略方形状となるため、記録媒
体の発色閾値の変動やレーザビームの強度変動等の影響
を受けることが殆どなく、副走査方向に対する画像のむ
らが好適に抑制される。このように、極めて簡易な構成
により、記録媒体の副走査方向に対する画像のむらのな
い面積変調画像を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態のニアフィールドパターンを用いた
レーザ記録装置の斜視構成図である。
【図2】図1に示すレーザ記録装置の平面構成図であ
る。
【図3】本実施形態に用いられる半導体レーザの構成お
よびそれから出力されるレーザビーム形状の説明図であ
る。
【図4】図1に示すレーザ記録装置により得られる記録
媒体上でのレーザビームの強度分布の説明図である。
【図5】図1に示すレーザ記録装置により得られる記録
媒体上でのレーザビームの副走査方向に対する積分強度
の説明図である。
【図6】図1に示すレーザ記録装置および従来のレーザ
記録装置を用いた場合の記録媒体上の露光エネルギーと
線画像の線幅との関係説明図である。
【図7】図2に示すレーザ記録装置にアパーチャ部材を
適用した平面構成図である。
【図8】図7に示すアパーチャ部材の斜視構成図であ
る。
【図9】図9Aは、図8に示すアパーチャ部材を通過す
る前のレーザビームの副走査方向に対する強度分布、図
9Bは、アパーチャ部材を通過した後のレーザビームの
副走査方向に対する強度分布を示す図である。
【図10】本実施形態のファーフィールドパターンを用
いたレーザ記録装置の平面構成図である。
【図11】図11Aは、図3に示す半導体レーザの副走
査方向に対するファーフィールドパターンの強度分布、
図11Bは、図3に示す半導体レーザの主走査方向に対
するファーフィールドパターンの強度分布を示す図であ
る。
【図12】図10に示すレーザ記録装置にアパーチャ部
材を適用した平面構成図である。
【図13】従来のガウス分布状の強度分布を有する光源
を用いた場合の画像むら発生の説明図である。
【符号の説明】
10…レーザ記録装置 12…露光ヘッド 14…ドラム 16、46…整形
光学系 18、20…半導体基板 22…活性層 24、26…電極 40…アパーチャ
部材 F…記録フイルム(記録媒体) LD…半導体レー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 砂川 寛 神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地 富士写真フイルム株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−52942(JP,A) 特開 昭56−1665(JP,A) 特開 昭63−136018(JP,A) 特開 平1−271928(JP,A) 特開 平1−302318(JP,A) 特開 平7−64003(JP,A) 特開 平1−315719(JP,A) 特開 平4−255286(JP,A) 特開 平8−88439(JP,A) 特開 平8−76039(JP,A) 特開 平1−285916(JP,A) 特表 平5−502954(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41J 2/44 B41J 2/52 G02B 27/09 H04N 1/032

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】記録媒体の副走査方向に対して略方形状の
    強度分布を示す横多モード半導体レーザと、 前記横多モード半導体レーザから出射するレーザビーム
    に対して所定の整形処理を施して前記記録媒体に導く整
    形光学系と、 を備え、前記レーザビームで前記記録媒体を主走査する
    ことにより、前記記録媒体に対して面積変調による画像
    を記録することを特徴とするレーザ記録装置。
  2. 【請求項2】請求項記載の装置において、 前記横多モード半導体レーザは、屈折率導波型半導体レ
    ーザであることを特徴とするレーザ記録装置。
  3. 【請求項3】請求項1または2記載の装置において、 前記横多モード半導体レーザの活性層接合面に対して平
    行な方向を前記副走査方向に設定することを特徴とする
    レーザ記録装置。
  4. 【請求項4】請求項1〜のいずれかに記載の装置にお
    いて、 前記横多モード半導体レーザは、前記記録媒体に対して
    空間周波数変調処理による網点画像を記録することを特
    徴とするレーザ記録装置。
  5. 【請求項5】請求項1〜のいずれかに記載の装置にお
    いて、 前記整形光学系は、前記横多モード半導体レーザから出
    力されるレーザビームのニアフィールドパターンの像を
    前記記録媒体上に形成することを特徴とするレーザ記録
    装置。
  6. 【請求項6】請求項1〜のいずれかに記載の装置にお
    いて、 前記整形光学系は、前記横多モード半導体レーザから出
    力されるレーザビームのファーフィールドパターンの像
    を前記記録媒体上に形成することを特徴とするレーザ記
    録装置。
  7. 【請求項7】請求項記載の装置において、 前記整形光学系は、前記レーザビームのニアフィールド
    パターンを、少なくとも前記副走査方向に一部をけるよ
    うにアパーチャ部材を設けることを特徴とするレーザ記
    録装置。
  8. 【請求項8】請求項記載の装置において、 前記整形光学系は、前記レーザビームのファーフィール
    ドパターンを、少なくとも前記副走査方向に一部をける
    ようにアパーチャ部材を設けることを特徴とするレーザ
    記録装置。
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