JP3362145B2 - ダイボンディング装置、発光軸偏位検出装置、及び発光軸偏位検出方法 - Google Patents

ダイボンディング装置、発光軸偏位検出装置、及び発光軸偏位検出方法

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JP3362145B2 JP12328196A JP12328196A JP3362145B2 JP 3362145 B2 JP3362145 B2 JP 3362145B2 JP 12328196 A JP12328196 A JP 12328196A JP 12328196 A JP12328196 A JP 12328196A JP 3362145 B2 JP3362145 B2 JP 3362145B2
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子が予め取
り付けられてなる半導体素子部品に受光素子をダイボン
ディングするためのダイボンディング装置、発光素子の
発光軸の偏位を検出する発光軸偏位検出装置及び発光軸
偏位検出方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、一対の発光素子と受光素子とが
一体にパッケージされた半導体デバイスとして、たとえ
ば、図6に示すようなホログラムレーザユニットがあ
る。
【0003】すなわち、このホログラムレーザユニット
は、ステムa上に発光素子(ここではレーザダイオード)b
と、受光素子(ここではフォトダイオード)cとが共にダ
イボンディングされており、各素子b,cはそれぞれリー
ド線dを介して外部端子eに接続されている。
【0004】そして、このホログラムレーザユニットを
たとえばビデオディスクやコンパクトディスクの光ピッ
クアップとして使用する場合には、図7に示すように、
発光素子bからの光をホロガラスfおよびレンズgを通じ
てビデオディスクh上に照射し、ビデオディスクhからの
反射光をレンズg、ホロガラスfを経由して受光素子cで
受光する。
【0005】その場合、発光素子bの発光軸iが正規の方
向よりも傾斜して取り付けられていると、受光素子cに
光が戻って来ないので、信号再生を良好に行えないとい
う不都合を生じる。
【0006】このため、従来技術では、半導体デバイス
の製造に際して、発光素子bと受光素子cとの取り付けが
適正に行われるようにダイボンディング装置を調整した
り種々の検査を行っている。
【0007】すなわち、従来のこの種の半導体デバイス
の製造には、まず、発光素子bのダイボンディング工程
と、これに引き続く受光素子cのダイボンディング工程
とがある。
【0008】発光素子bのダイボンディング工程では、
最初に発光素子bを試行的にステムa上にダイボンディン
グした後、測定器を用いて発光素子bが所定の平面位置
(X−Y位置)に取り付けられているか否かを確認し、引
き続いて、発光素子bの発光軸iが正規の方向に向いてい
るか否かを確認する。そして、発光素子bの発光軸iが正
規の方向から大きく外れて取り付けられているならば、
発光素子bの発光軸iが正規の方向に向いて取り付けられ
るようにダイボンディング装置を調整する。
【0009】ダイボンディング装置の調整が行われた後
は、本稼働に入り、発光素子bを順次ステムaにダイボン
ディングする。こうして、発光素子bがダイボンディン
グされた半導体素子部品は、次の受光素子cのダイボン
ディング工程に移される間に、品質管理上、その半導体
素子部品を定期的に抜き取って、発光素子bが所定位置
に適正にダイボンディングされているか否かを測定器等
を用いて人手で検査する。 そして、検査結果が良好で
あれば、発光素子bがダイボンディングされた半導体素
子部品を次の工程に送り、ここで発光素子bの発光点の
位置を基準にして受光素子cをダイボンディングする。
【0010】最後に、発光素子bと受光素子cとが一体に
パッケージされた図6に示すような半導体デバイスにつ
いて、製品検査を行って良品、不良品を選別する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来技術
では、発光素子bのダイボンディング工程で得られる半
導体素子部品については、品質管理上、これを定期的に
抜き取って人手でダイボンディングの良否を検査してい
るので、検査に手間がかかっている。
【0012】しかも、半導体素子部品の全数について人
手で検査するのは、極めて手間がかかるので、半導体素
子部品を定期的に抜き取って検査せざるを得ないのが現
状である。
【0013】しかし、このような定期的な抜き取り検査
は、散発的なものであるから、検査は完全とは言い難
く、したがって、たとえば、発光素子bのダイボンディ
ング装置が最初は良好に調整されていても、次第に調整
が狂って来た場合には、抜き取り検査で不良に気付くま
では、そのまま、次段の工程に移送されて受光素子cの
ダイボンディングが行われるので、最後の半導体デバイ
スの製品検査の段階で初めて不良が発見されるといった
不都合を生じることがある。
【0014】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、発光素子が既にダイボンディングされ
た半導体素子部品に対して受光素子をダイボンディング
するに際して、事前に発光素子のダイボンディング状態
の良否を全数について自動的に検査できるようにして、
検査の労力を省くとともに、不良品の発生を大幅に低減
することを課題とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、発光素子が予め取り付けられてなる半導
体素子部品に受光素子をダイボンディングする装置にお
いて、次の構成を採用している。
【0016】すなわち、請求項1記載に係る発明は、発
光素子の発光軸の正規方向からの偏位の有無を検出する
偏位検出手段を備えている。
【0017】請求項2記載に係る発明は、請求項1記載
の構成において、前記偏位検出手段で検出される発光素
子の発光軸の偏位が、予め設定されている基準値を越え
ている場合には、前記受光素子をダイボンディングせず
に前記半導体素子部品を排出するように制御する制御手
段を備えている。
【0018】請求項3記載に係る発明は、請求項1また
は請求項2に記載の構成において、前記受光素子のダイ
ボンディング面に沿って平行に移動する移動機構を備
え、この移動機構に対して、前記受光素子をダイボンデ
ィングされるまで持ち上げて保持するピックアップ手段
と前記偏位検出手段とが所定間隔を存して並列配置して
取り付けられている。また、請求項4記載の係る発明
は、上記課題を解決するため、発光素子の発光軸の偏位
を検出する発光軸偏位検出装置において、光軸方向に移
動可能な光学系と、該光学系を介して発光素子からの光
が照射される2次元センサと、前記発光素子を微弱発光
させ前記2次元センサに発光点を結像させて該発光点の
座標位置を算出すると共に、前記発光素子をレーザ発光
させ前記2次元センサに放射パターンを結像させて該放
射パターンの中心位置を算出するコントローラとを備え
ている。 また、請求項5に係る発明は、上記課題を解決
するため、発光素子からの光を光軸方向に移動可能な光
学系を介して2次元センサに照射させて、発光素子の発
光軸の偏位を検出する発光軸偏位検出方法において、前
記光学系を発光素子の発光点認識位置まで移動させるス
テップと、前記発光素子に低電流を流して微弱発光させ
前記2次元センサに結像される発光点の座標位置を算出
するステップと、前記発光素子にレーザ発光に必要な電
流を流してレーザ発光させると共に前記光学系を移動し
て前記2次元センサに結像させる放射パターンの中心位
置を算出するステップと、前記発光点の座標位置と前記
放射パターンの中心位置との差から発光軸の偏位を検出
するステップを含むこととしている。
【0019】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施一形態に係る
ダイボンディング装置の斜視図、図2はそのダイボンデ
ィング装置の詳細を示す側面図である。
【0020】この実施形態のダイボンディング装置1
は、発光素子bがステムaに既にダイボンディングされた
半導体素子部品nに対して、受光素子cを新たにダイボン
ディングするために使用されるものであって、発光素子
bの発光軸iの正規方向に対する偏位の有無を検出する偏
位検出手段2を備える。この偏位検出手段2は、集光用
のレンズ3が内蔵された光学系4、CCDカメラ等の2
次元センサ5、ランプ等の光源6、ビームスプリッタ7
等を備えた鏡筒8、および上下押さえリング9を含む。
【0021】そして、光学系4は保持アーム11に保持
されており、この保持アーム11がスライドベアリング
12を介してX軸スライドテーブル13に取り付けられ
ている。これにより、光学系4と保持アーム11とは、
鉛直方向(Z軸方向)に沿って摺動可能に設けられるとと
もに、図示しない圧縮スプリングによって常時上方に移
動するように付勢されている。さらに、X軸スライドテ
ーブル13は、スライドベアリング14を介してベース
15に取り付けられるとともに、図示しない駆動源に連
結されており、これにより、X軸スライドテーブル13
はZ軸方向に直交するX軸方向に沿って摺動される。よ
って、このX軸スライドテーブル13が特許請求の範囲
における移動機構とされる。
【0022】また、上記の2次元センサ5、鏡筒8、お
よび光源6は共にセンサホルダ17に取り付けられ、こ
のセンサホルダ17がベース15に固定されている。一
方、上下押さえリング9は、アングル18に固定され、
このアングル18はスライドベアリング19を介してセ
ンサホルダ17に摺動可能に取り付けられるとともに、
上下駆動カム21を介してモータ22に連結されてい
る。これより、モータ22の駆動により、アングル18
がZ軸方向に沿って上下動し、それに伴い上下押さえリ
ング9が光学系4に当接、離間するようになっている。
なお、23はモータ22の原点位置を検出するためのセ
ンサである。
【0023】さらに、X軸スライドテーブル13には、
光学系4に対して、特許請求の範囲におけるピックアッ
プ手段としてのボンディングコレット25がX軸方向に
所定間隔Lを存して並列配置して取り付けられている。
このボンディングコレット25には、中間ステージ26
に載置されている受光素子cを真空吸着するための穴(図
示せず)が形成されるとともに、X軸スライドテーブル
13に取り付けられたZ軸移動機構27によって上下動
可能に設けられている。これにより、受光素子cがステ
ムaにダイボンディングされるまでの間は、このボンデ
ィングコレット25によって受光素子cが持ち上げられ
て保持される。なお、28は中間ステージ26に載置さ
れている受光素子cの位置を確認するためのセンサで、
センサホルダ17の取り付け位置からX軸方向に所定間
隔Lだけ離れたベース15の上部位置に取り付けられて
いる。
【0024】30はマイクロコンピュータ等で構成され
るコントローラであって、X軸スライドテーブル13、
ボンディングコレット25が取り付けられたZ軸移動機
構27、上下押さえリング9の駆動用のモータ22など
の各々の制御を行うとともに、2次元センサ5の検出出
力に基づいて発光素子bの発光軸の正規方向に対する傾
きを算出するものであり、このコントローラ30が特許
請求の範囲における制御手段とされる。
【0025】次に、このダイボンディング装置1を用い
て、受光素子cを半導体素子部品nにダイボンディングす
る場合の動作説明について、図3に示すフローチャート
を参照して説明する。
【0026】このダイボンディング装置1の初期状態で
は、図1(a)に示すように、ボンディングコレット25
が中間ステージ26上に、偏位検出手段2の光学系4が
半導体素子部品n上にそれぞれ位置している。このと
き、半導体素子部品nのステムa上には発光素子bが既に
ダイボンディングされており、また、中間ステージ26
には、これからダイボンディングされるべき受光素子c
が載置されている。
【0027】この状態から駆動が開始されると、まず、
コントローラ30は、Z軸移動機構27を制御してボン
ディングコレット25が中間ステージ26上にある受光
素子cに向けて下降する(ステップ1)。そして、受光素
子cが吸着されると同時に、中間ステージ26側の受光
素子cの吸着を解除する(ステップ2,3)。その後、ボ
ンディングコレット25を上昇することにより(ステッ
プ4)、受光素子cが中間ステージ26からボンディング
コレット25側に移される。
【0028】この動作と平行して、コントローラ30
は、半導体素子部品nのステムaを図示しない機械的なチ
ャック機構等によって把持、固定した後(ステップ5)、
モータ22を駆動してアングル18を下降する。する
と、上下押さえリング9が光学系4に当接し、さらに上
下押さえリング9が下方に降下されることにより、光学
系4が発光素子bの発光点認識位置(発光素子bからの光
が2次元センサ5上に結像する位置)まで移動される(ス
テップ6)。
【0029】次に、半導体素子部品nの発光素子bに対し
て接触子32を接触させ(図6参照)(ステップ7)、接触
子32が正極、ステムa側が負極となるように低電流を
流して発光素子bを微弱発光させる(ステップ8)。この
状態で、図4(a)に示すように、2次元センサ5の画像
をコントローラ30の図示しないメモリに取り込んで
(ステップ9)、発光素子bの発光点Pの座標位置のデー
タ(ここではX軸座標のデータ)を算出する(ステップ1
0)。
【0030】引き続いて、コントローラ30は、発光素
子bに対してレーザ発光するに必要な電流を流すととも
に(ステップ11)、光学系4をさらに半導体素子部品n
側に近付くように移動させる(ステップ12)。これによ
り、図4(b)に示すように、発光素子bからの光は、2次
元センサ5に到達するまでに交差反転するから、2次元
センサ5上には発光素子bからの光がいわゆるピントぼ
けした状態で照射されて放射パターンQが結像する(詳
細は、たとえば特開平7−66472号公報参照)。そ
こで、この2次元センサ5の画像を、同じくコントロー
ラ30の図示しないメモリに取り込んで(ステップ1
3)、放射パターンQのX軸方向の中心位置を算出する
(ステップ14)。
【0031】ここで、発光素子bの発光軸iが正規方向で
あるZ軸方向に一致しておれば、図5(a1),(a2)に示
すように、発光点Pと放射パターンQのX軸方向の中心
位置との差ΔXは小さくなり、また、発光素子bの発光
軸iが正規方向であるZ軸方向から傾斜しておれば、図
5(b1),(b2)に示すように、発光点Pと放射パターン
QのX軸方向の中心位置との差ΔXが大きくなる。つま
り、この差ΔXが発光素子bの発光軸iの正規方向からの
偏位(傾斜角度)に対応している。
【0032】そこで、次に、コントローラ30は、先の
発光点PのX軸座標の位置との差ΔXから、発光軸iの
傾斜角度を算出する(ステップ15)。そして、この算出
データが発光軸iの傾斜角度の許容範囲を示す基準値以
内か否かを判別する(ステップ16)。
【0033】発光素子bの発光軸iの傾きが基準値以内で
あれば、既に発光素子bはステムaに良好にダイボンディ
ングされていると判断し、コントローラ30は、X軸ス
ライドテーブル13をX軸方向に向けて移動させて、ボ
ンディングコレット25を半導体素子部品nのステムa上
の所定のボンディング箇所に位置させる(ステップ1
8)。次いで、ボンディングコレット25を下降させて
(ステップ19)、ステムa上の所定の位置に受光素子cを
ダイボンディングする(ステップ20)。
【0034】これに対して、発光素子bの発光軸iの傾き
が基準値から外れている場合には、発光素子bのステムa
へのダイボンディングは不良であると判断し、コントロ
ーラ30は、半導体素子部品nの図示しない排出機構に
対して排出信号を出力した後(ステップ21)、X軸スラ
イドテーブル13をX軸方向に向けて移動させて、ボン
ディングコレット25を半導体素子部品nのステムa上の
所定のボンディング箇所に位置させる(ステップ22)。
しかし、このときには、コントローラ30は、ボンディ
ングコレット25を下降させないように制御するため、
ボンディング作業は行われず、その代わりに排出機構に
よって半導体素子部品nが排出される。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、次の効果を奏する。
【0036】(1) 請求項1記載の発明では、発光素子
が既にダイボンディングされた半導体素子部品に対して
受光素子をダイボンディングするに際して、事前に発光
素子のダイボンディング状態の良否を全数について検査
するため、不良品の発生を大幅に低減でき、しかも、検
査の手間と労力を省くことができる。
【0037】(2) 請求項2記載の発明では、発光素子
のダイボンディング状態が不良のときには、受光素子を
ダイボンディングせずに半導体素子部品を排出するの
で、請求項1記載の効果に加えて、良品、不良品の選別
の手間を省くことができる。
【0038】(3) 請求項3記載の発明では、発光素子
のダイボンディングの良否の測定処理と、受光素子をダ
イボンディング位置まで持ち上げて移送する処理とを略
平行して行えるので、発光素子の検査と受光素子のダイ
ボンディングとに要する時間を短縮することができ、効
率化が図れる。(4) 請求項4,5記載の発明では、発光素子の発光軸
の偏位の検出を行え、それにより良否を判断することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施一形態に係るダイボンディング装
置の斜視図である。
【図2】図1のダイボンディング装置の詳細を示す側面
図である。
【図3】本発明のダイボンディング装置により発光素子
が既にダイボンディングされた半導体素子部品に対し
て、受光素子をダイボンディングする場合の動作説明に
供するフローチャートである。
【図4】発光素子の発光点位置と発光軸の傾きを検出す
る手順の説明図である。
【図5】発光素子の発光軸の傾きを算出する場合の説明
図である。
【図6】一対の発光素子と受光素子とが一体にパッケー
ジされた半導体デバイスの一例としてのホログラムレー
ザユニットの斜視図である。
【図7】図6のホログラムレーザユニットを用いてビデ
オディスクから信号を再生する状況を説明するための図
である。
【符号の説明】
n…半導体素子部品、a…ステム、b…発光素子、c…受光
素子、i…発光軸、1…ダイボンディング装置、2…偏
位検出手段、4…光学系、5…2次元センサ、13…X
軸スライドテーブル、25…ボンディングコレット(ピ
ックアップ手段)、30…コントローラ(制御手段)。
フロントページの続き (72)発明者 三好 隆一 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−5032(JP,A) 特開 昭63−33884(JP,A) 特開 平7−202347(JP,A) 特開 昭63−67793(JP,A) 特開 平1−313988(JP,A) 特開 平8−51254(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 21/52

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子が予め取り付けられてなる半導
    体素子部品に受光素子をダイボンディングする装置であ
    って、 前記発光素子の発光軸の正規方向に対する偏位の有無を
    検出する偏位検出手段を備えていることを特徴とするダ
    イボンディング装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のダイボンディング装置に
    おいて、 前記偏位検出手段で検出される発光素子の発光軸の偏位
    が、予め設定されている基準値を越えている場合には、
    前記受光素子をダイボンディングせずに前記半導体素子
    部品を排出するように制御する制御手段を備えることを
    特徴とするダイボンディング装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載のダイボ
    ンディング装置において、 前記受光素子のダイボンディング面に沿って平行に移動
    する移動機構を備え、この移動機構に対して、前記受光
    素子をダイボンディングされるまで持ち上げて保持する
    ピックアップ手段と前記偏位検出手段とが所定間隔を存
    して並列配置して取り付けられていることを特徴とする
    ダイボンディング装置。
  4. 【請求項4】 発光素子の発光軸の偏位を検出する発光
    軸偏位検出装置であって、 光軸方向に移動可能な光学系と、該光学系を介して発光
    素子からの光が照射される2次元センサと、前記発光素
    子を微弱発光させ前記2次元センサに発光点を結像させ
    て該発光点の座標位置を算出すると共に、前記発光素子
    をレーザ発光させ前記2次元センサに放射パターンを結
    像させて該放射パターンの中心位置を算出するコントロ
    ーラとを備えたことを特徴とする発光軸偏位検出装置。
  5. 【請求項5】 発光素子からの光を光軸方向に移動可能
    な光学系を介して2次元センサに照射させて、発光素子
    の発光軸の偏位を検出する発光軸偏位検出方法であっ
    て、 前記光学系を発光素子の発光点認識位置まで移動させる
    ステップと、前記発光素子に低電流を流して微弱発光さ
    せ前記2次元センサに結像される発光点の座標位置を算
    出するステップと、前記発光素子にレーザ発光に必要な
    電流を流してレ ーザ発光させると共に前記光学系を移動
    して前記2次元センサに結像させる放射パターンの中心
    位置を算出するステップと、前記発光点の座標位置と前
    記放射パターンの中心位置との差から発光軸の偏位を検
    出するステップを含むことを特徴とする発光軸偏位検出
    方法。
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