JP3361073B2 - フィルタおよびフィルタを構成する共振器の共振周波数調整方法 - Google Patents
フィルタおよびフィルタを構成する共振器の共振周波数調整方法Info
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- JP3361073B2 JP3361073B2 JP04687899A JP4687899A JP3361073B2 JP 3361073 B2 JP3361073 B2 JP 3361073B2 JP 04687899 A JP04687899 A JP 04687899A JP 4687899 A JP4687899 A JP 4687899A JP 3361073 B2 JP3361073 B2 JP 3361073B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
- H01P1/20381—Special shape resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/08—Strip line resonators
- H01P7/082—Microstripline resonators
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタおよびフ
ィルタを構成する共振器の共振周波数調整方法に関す
る。
ィルタを構成する共振器の共振周波数調整方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フィルタにおいては、種々の要因（例え
ば、基板の誘電率、厚さのバラツキ、共振器を形成する
際のマスク精度、プロセスバラツキ等）によって必ずし
も設計通りの特性が得られない場合がある。このため、
狭帯域化・低リップル化に伴って周波数調整（いわゆる
チューニング）が必要となる。
ば、基板の誘電率、厚さのバラツキ、共振器を形成する
際のマスク精度、プロセスバラツキ等）によって必ずし
も設計通りの特性が得られない場合がある。このため、
狭帯域化・低リップル化に伴って周波数調整（いわゆる
チューニング）が必要となる。
【０００３】従来、フィルタの周波数調整方法として
は、先端に誘電体を装着したスクリューによって各共振
器の実効誘電率を変化させて共振周波数を調整する方
法、あるいはレーザ等で共振器のパターンをトリミング
して共振周波数を調整する方法が知られている。何れの
方法も、測定器でフィルタ特性を見ながら調整するもの
である。
は、先端に誘電体を装着したスクリューによって各共振
器の実効誘電率を変化させて共振周波数を調整する方
法、あるいはレーザ等で共振器のパターンをトリミング
して共振周波数を調整する方法が知られている。何れの
方法も、測定器でフィルタ特性を見ながら調整するもの
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方法では、フィルタ特性を見ながら調整するも
のであるため、複数の共振器によりフィルタが構成され
ている場合には、調整個所が多くなり、調整が非常に困
難になるという問題がある。本発明は上記問題に鑑みた
もので、フィルタを構成する共振器単位で周波数調整を
行い、共振器の数が増えても容易に周波数調整を行うこ
とができるようにすることを目的とする。
た従来の方法では、フィルタ特性を見ながら調整するも
のであるため、複数の共振器によりフィルタが構成され
ている場合には、調整個所が多くなり、調整が非常に困
難になるという問題がある。本発明は上記問題に鑑みた
もので、フィルタを構成する共振器単位で周波数調整を
行い、共振器の数が増えても容易に周波数調整を行うこ
とができるようにすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、基板上に複数の共振器
が形成されてなるマイクロストリップライン型構造のフ
ィルタにおける前記複数の共振器の共振周波数をそれぞ
れ測定し、その測定結果を基に、調整が必要な共振器に
対し、誘電体膜の堆積量をそれぞれ設定し、前記調整が
必要な共振器ごとに前記設定された堆積量の前記誘電体
膜を堆積して、それぞれの共振周波数を調整することを
特徴としている。
め、請求項１に記載の発明では、基板上に複数の共振器
が形成されてなるマイクロストリップライン型構造のフ
ィルタにおける前記複数の共振器の共振周波数をそれぞ
れ測定し、その測定結果を基に、調整が必要な共振器に
対し、誘電体膜の堆積量をそれぞれ設定し、前記調整が
必要な共振器ごとに前記設定された堆積量の前記誘電体
膜を堆積して、それぞれの共振周波数を調整することを
特徴としている。
【０００６】このように、基板上に形成された複数の共
振器に対し、誘電体膜の堆積量によって調整が必要な共
振器のそれぞれの共振周波数を調整するようにしている
から、フィルタを構成する共振器単位で周波数調整を行
うことができる。また、共振器の数が増えても容易に周
波数調整を行うことができる。
振器に対し、誘電体膜の堆積量によって調整が必要な共
振器のそれぞれの共振周波数を調整するようにしている
から、フィルタを構成する共振器単位で周波数調整を行
うことができる。また、共振器の数が増えても容易に周
波数調整を行うことができる。
【０００７】また、請求項２に記載の発明のように、誘
電体膜をフォトリソグラフィ技術を用いて堆積するよう
にすれば、共振器の共振周波数を高精度で調整すること
ができる。また、請求項３に記載の発明のように、誘電
体膜を厚さが一定でその堆積面積を変えるようにすれ
ば、各共振器ごとの共振周波数の調整を容易に行うこと
ができる。
電体膜をフォトリソグラフィ技術を用いて堆積するよう
にすれば、共振器の共振周波数を高精度で調整すること
ができる。また、請求項３に記載の発明のように、誘電
体膜を厚さが一定でその堆積面積を変えるようにすれ
ば、各共振器ごとの共振周波数の調整を容易に行うこと
ができる。
【０００８】この場合、請求項４に記載の発明のよう
に、１枚のマスクで調整が必要な全ての共振器に同時に
誘電体膜を堆積するようにすれば、一度に誘電体膜の形
成を行うことができる。また、請求項５に記載の発明の
ように、複数の共振器のうち、設定された周波数との差
が最も大きい共振周波数を有する共振器の全面に誘電体
膜を堆積するようにすれば、それを基準として他の共振
器への誘電体膜の堆積面積の設定を容易に行うことがで
きる。
に、１枚のマスクで調整が必要な全ての共振器に同時に
誘電体膜を堆積するようにすれば、一度に誘電体膜の形
成を行うことができる。また、請求項５に記載の発明の
ように、複数の共振器のうち、設定された周波数との差
が最も大きい共振周波数を有する共振器の全面に誘電体
膜を堆積するようにすれば、それを基準として他の共振
器への誘電体膜の堆積面積の設定を容易に行うことがで
きる。
【０００９】請求項６に記載の発明によれば、請求項１
ないし５に記載の発明を用いて調整が必要な共振器の共
振周波数が調整されたフィルタを提供することができ
る。
ないし５に記載の発明を用いて調整が必要な共振器の共
振周波数が調整されたフィルタを提供することができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図２に、本発明の一実施形態に用
いるフィルタの周波数調整前の平面構成を示す。このフ
ィルタは、分布定数型のフィルタであって、誘電体基板
（以下、単に基板という）１の上に複数の共振器１１〜
１８が形成され、基板１の裏面にグランドプレーンが形
成されたマイクロストリップライン型の構造となってい
る。
いるフィルタの周波数調整前の平面構成を示す。このフ
ィルタは、分布定数型のフィルタであって、誘電体基板
（以下、単に基板という）１の上に複数の共振器１１〜
１８が形成され、基板１の裏面にグランドプレーンが形
成されたマイクロストリップライン型の構造となってい
る。
【００１１】共振器１１〜１８は、円形状の基板１の上
に基板１の中心から所定の半径の円に沿って並んで配置
されている。共振器１１〜１８のそれぞれは、長さ（ル
ープ長）が波長（λ）の１／２に設定されており、図に
示すように一部が開放されたリング状のものとなってい
る。図示の場合には、開放部分（ギャップ）１１ａ〜１
８ａは、基板１の中心を向くように形成されている。
に基板１の中心から所定の半径の円に沿って並んで配置
されている。共振器１１〜１８のそれぞれは、長さ（ル
ープ長）が波長（λ）の１／２に設定されており、図に
示すように一部が開放されたリング状のものとなってい
る。図示の場合には、開放部分（ギャップ）１１ａ〜１
８ａは、基板１の中心を向くように形成されている。
【００１２】共振器１１〜１８のうち２つの共振器１
１、１８には、配線２０、２１がタップ接続されてい
る。配線２０は信号入力（ＩＮ）として用いられ、配線
２１は信号出力（ＯＵＴ）として用いられる。なお、共
振器１１〜１８、配線２０、２１、およびグランドプレ
ーンを構成する膜は、いずれも超伝導材料を用いて形成
されている。
１、１８には、配線２０、２１がタップ接続されてい
る。配線２０は信号入力（ＩＮ）として用いられ、配線
２１は信号出力（ＯＵＴ）として用いられる。なお、共
振器１１〜１８、配線２０、２１、およびグランドプレ
ーンを構成する膜は、いずれも超伝導材料を用いて形成
されている。
【００１３】そして、上記のように構成されたフィルタ
において、各共振器１１〜１８の共振周波数を調整する
場合、図１に示すように、調整すべき共振器１１、１３
〜１８の上にのみ誘電体膜（誘電体被膜）３１、３３〜
３８を堆積してそれぞれの共振周波数を調整する。な
お、誘電体膜３１、３３〜３８としては、ＣｅＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 などを用いることができる。
において、各共振器１１〜１８の共振周波数を調整する
場合、図１に示すように、調整すべき共振器１１、１３
〜１８の上にのみ誘電体膜（誘電体被膜）３１、３３〜
３８を堆積してそれぞれの共振周波数を調整する。な
お、誘電体膜３１、３３〜３８としては、ＣｅＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 などを用いることができる。
【００１４】以下、この共振周波数の調整について説明
する。今、図２に示す共振器１１〜１８のそれぞれの共
振周波数が２（ＧＨｚ）になるように設計してフィルタ
が構成されているとする。そして、共振器１１〜１８の
共振周波数の調整をするに際し、まず後述する測定方法
により共振器１１〜１８のそれぞれの共振周波数を測定
する。
する。今、図２に示す共振器１１〜１８のそれぞれの共
振周波数が２（ＧＨｚ）になるように設計してフィルタ
が構成されているとする。そして、共振器１１〜１８の
共振周波数の調整をするに際し、まず後述する測定方法
により共振器１１〜１８のそれぞれの共振周波数を測定
する。
【００１５】その結果、例えば、図３に示すように、共
振器１１〜１８（共振器番号１〜８で示す）のそれぞれ
の共振周波数が、２．００７５（ＧＨｚ）、２（ＧＨ
ｚ）、２．０１５（ＧＨｚ）、２．０１（ＧＨｚ）、
２．０３（ＧＨｚ）、２．００７５（ＧＨｚ）、２．０
１５（ＧＨｚ）、２．００５（ＧＨｚ）になったとす
る。次に、これらの測定された共振周波数と設定された
周波数２（ＧＨｚ）との差から「ずらすべき周波数」を
それぞれ求める。
振器１１〜１８（共振器番号１〜８で示す）のそれぞれ
の共振周波数が、２．００７５（ＧＨｚ）、２（ＧＨ
ｚ）、２．０１５（ＧＨｚ）、２．０１（ＧＨｚ）、
２．０３（ＧＨｚ）、２．００７５（ＧＨｚ）、２．０
１５（ＧＨｚ）、２．００５（ＧＨｚ）になったとす
る。次に、これらの測定された共振周波数と設定された
周波数２（ＧＨｚ）との差から「ずらすべき周波数」を
それぞれ求める。
【００１６】ここで、ある材料の誘電体膜を、図２に示
す形状の１つの共振器の全面に１μｍの膜厚で堆積した
とき、その共振周波数が０．０６（ＧＨｚ）低下するこ
とが分かっていれば、図３において「ずらすべき周波
数」が最も大きい共振器番号５のもの、すなわち共振器
１５が０．０３（ＧＨｚ）であるため、その全面に誘電
体膜を膜厚０．５μｍで堆積すれば、共振器１５の共振
周波数を２（ＧＨｚ）に調整することができる。
す形状の１つの共振器の全面に１μｍの膜厚で堆積した
とき、その共振周波数が０．０６（ＧＨｚ）低下するこ
とが分かっていれば、図３において「ずらすべき周波
数」が最も大きい共振器番号５のもの、すなわち共振器
１５が０．０３（ＧＨｚ）であるため、その全面に誘電
体膜を膜厚０．５μｍで堆積すれば、共振器１５の共振
周波数を２（ＧＨｚ）に調整することができる。
【００１７】これを基に、「ずらすべき周波数」が０．
００７５（ＧＨｚ）であれば０．００７５／０．０３
（＝１／４）の面積とし、０．０１５（ＧＨｚ）であれ
ば０．０１５／０．０３（＝１／２）の面積とし、０．
０１（ＧＨｚ）であれば０．０１／０．０３（＝１／
３）の面積とし、０．００５（ＧＨｚ）であれば０．０
０５／０．０３（＝１／６）の面積として、それぞれ誘
電体膜を０．５μｍの膜厚で堆積すれば、それぞれの共
振器の共振周波数を２（ＧＨｚ）に調整することができ
る。
００７５（ＧＨｚ）であれば０．００７５／０．０３
（＝１／４）の面積とし、０．０１５（ＧＨｚ）であれ
ば０．０１５／０．０３（＝１／２）の面積とし、０．
０１（ＧＨｚ）であれば０．０１／０．０３（＝１／
３）の面積とし、０．００５（ＧＨｚ）であれば０．０
０５／０．０３（＝１／６）の面積として、それぞれ誘
電体膜を０．５μｍの膜厚で堆積すれば、それぞれの共
振器の共振周波数を２（ＧＨｚ）に調整することができ
る。
【００１８】図１に、図３に示す結果を基にして、共振
器１１、１３〜１８の上に誘電体膜３１、３３〜３８を
堆積して周波数調整を行った状態のフィルタの平面構成
を示す。なお、共振器１２については周波数調整前の状
態で共振周波数が２（ＧＨｚ）になっているため、誘電
体膜は堆積されていない。誘電体膜３１、３３〜３８の
堆積は、半導体のフォトリソグラフィ技術を利用して形
成することができる。例えば、リフトオフを用いて共振
器の上に誘電体膜を部分的に堆積することができる。こ
の場合、各共振器ごとに誘電体膜を堆積する領域が設定
されたマスクを用いて個別に誘電体膜を堆積する他、全
ての共振器に対して誘電体膜を堆積する領域が設定され
た１枚のマスクを用いて一度に誘電体膜を堆積するよう
にしてもよい。
器１１、１３〜１８の上に誘電体膜３１、３３〜３８を
堆積して周波数調整を行った状態のフィルタの平面構成
を示す。なお、共振器１２については周波数調整前の状
態で共振周波数が２（ＧＨｚ）になっているため、誘電
体膜は堆積されていない。誘電体膜３１、３３〜３８の
堆積は、半導体のフォトリソグラフィ技術を利用して形
成することができる。例えば、リフトオフを用いて共振
器の上に誘電体膜を部分的に堆積することができる。こ
の場合、各共振器ごとに誘電体膜を堆積する領域が設定
されたマスクを用いて個別に誘電体膜を堆積する他、全
ての共振器に対して誘電体膜を堆積する領域が設定され
た１枚のマスクを用いて一度に誘電体膜を堆積するよう
にしてもよい。
【００１９】なお、誘電体膜を共振器の上に堆積するこ
とによって共振周波数を低くすることができるが、高く
することはできないため、調整前の状態においては各共
振器の共振周波数が設定値より若干高くなるように設計
しておく。また、誘電体膜を共振器の上に部分的に堆積
する場合、その堆積する場所としては、共振器の開放端
部あるいは中央部が考えられる。図４（ａ）に誘電体膜
３０を共振器１０の開放端部に形成した場合を示し、図
４（ｂ）に誘電体膜３０を共振器１０の中央部に形成し
た場合を示す。誘電体膜３０を共振器１０の開放端部に
形成した場合には、共振周波数の変化を大きくすること
ができ、また誘電体膜３０を共振器１０の中央部に形成
した場合には、共振周波数の変化が小さいので共振周波
数の微調整を行うことができる。この点を考慮して誘電
体膜の堆積量を調整する。
とによって共振周波数を低くすることができるが、高く
することはできないため、調整前の状態においては各共
振器の共振周波数が設定値より若干高くなるように設計
しておく。また、誘電体膜を共振器の上に部分的に堆積
する場合、その堆積する場所としては、共振器の開放端
部あるいは中央部が考えられる。図４（ａ）に誘電体膜
３０を共振器１０の開放端部に形成した場合を示し、図
４（ｂ）に誘電体膜３０を共振器１０の中央部に形成し
た場合を示す。誘電体膜３０を共振器１０の開放端部に
形成した場合には、共振周波数の変化を大きくすること
ができ、また誘電体膜３０を共振器１０の中央部に形成
した場合には、共振周波数の変化が小さいので共振周波
数の微調整を行うことができる。この点を考慮して誘電
体膜の堆積量を調整する。
【００２０】なお、フィルタを構成する共振器として
は、図１、図２に示すようなリング状のものに限らず、
図５（ａ）〜（ｄ）に示すような種々のパターンのもの
を用いることができる。次に、共振器１１〜１８のそれ
ぞれの共振周波数を測定する測定方法について説明す
る。
は、図１、図２に示すようなリング状のものに限らず、
図５（ａ）〜（ｄ）に示すような種々のパターンのもの
を用いることができる。次に、共振器１１〜１８のそれ
ぞれの共振周波数を測定する測定方法について説明す
る。
【００２１】共振器の共振周波数は、プローブを用いて
測定することができるが、図２のように複数の共振器１
１〜１８が並んで配置されている場合には、被測定共振
器と他の共振器が電磁結合によって干渉するため、単に
プローブを用いただけでは個々の共振器の共振周波数を
正確に測定することができない。このため、この実施形
態においては、被測定共振器以外の共振器の開放部分に
導電部材（Ａｇペースト、導電性テープなどの導電部材
で、容易に着脱できるもの）を設け、被測定共振器と他
の共振器の干渉をなくして、被測定共振器の共振周波数
を測定するようにしている。具体的には、図６に示すよ
うに、例えば、共振器１４の共振周波数を測定する場
合、他の共振器１１〜１３、１５〜１８の開放部分に導
電部材４１〜４３、４５〜４８を設け、共振器１４の共
振周波数を入力プローブ５１、出力プローブ５２を用い
て測定する。
測定することができるが、図２のように複数の共振器１
１〜１８が並んで配置されている場合には、被測定共振
器と他の共振器が電磁結合によって干渉するため、単に
プローブを用いただけでは個々の共振器の共振周波数を
正確に測定することができない。このため、この実施形
態においては、被測定共振器以外の共振器の開放部分に
導電部材（Ａｇペースト、導電性テープなどの導電部材
で、容易に着脱できるもの）を設け、被測定共振器と他
の共振器の干渉をなくして、被測定共振器の共振周波数
を測定するようにしている。具体的には、図６に示すよ
うに、例えば、共振器１４の共振周波数を測定する場
合、他の共振器１１〜１３、１５〜１８の開放部分に導
電部材４１〜４３、４５〜４８を設け、共振器１４の共
振周波数を入力プローブ５１、出力プローブ５２を用い
て測定する。
【００２２】このように共振器の開放部分に導電部材を
設けると、その共振器の共振周波数は約２倍にシフトす
る。図７に、被測定共振器と、開放部分を短絡させた他
の共振器の周波数特性を示す。横軸は周波数（ＧＨ
ｚ）、縦軸は挿入損失（ｄＢ）である。この図７から分
かるように、被測定共振器においては２（ＧＨｚ）付近
にピークが出るが、他の共振器では共振周波数が約２倍
にシフトして４（ＧＨｚ）付近にピークが出ている。
設けると、その共振器の共振周波数は約２倍にシフトす
る。図７に、被測定共振器と、開放部分を短絡させた他
の共振器の周波数特性を示す。横軸は周波数（ＧＨ
ｚ）、縦軸は挿入損失（ｄＢ）である。この図７から分
かるように、被測定共振器においては２（ＧＨｚ）付近
にピークが出るが、他の共振器では共振周波数が約２倍
にシフトして４（ＧＨｚ）付近にピークが出ている。
【００２３】従って、上記したのと同様の方法で他の共
振器１１〜１３、１５〜１８についても共振周波数を測
定していけば、共振器１１〜１８のそれぞれの共振周波
数を正確に測定することができる。以上述べたように、
上記した実施形態においては、フィルタを構成する各共
振器にそれぞれ異なる量の誘電体膜を堆積し、各共振器
ごと独立に共振周波数を調整するようにしているから、
共振器を構成する材料にダメージを与えることなく調整
を行うことができ、また共振器の数が多くなっても容易
に調整を行うことができる。また、誘電体膜の堆積を半
導体のフォトリソグラフィ技術を利用して行うようにし
ているから、非常に高精度で周波数調整を行うことがで
きる。
振器１１〜１３、１５〜１８についても共振周波数を測
定していけば、共振器１１〜１８のそれぞれの共振周波
数を正確に測定することができる。以上述べたように、
上記した実施形態においては、フィルタを構成する各共
振器にそれぞれ異なる量の誘電体膜を堆積し、各共振器
ごと独立に共振周波数を調整するようにしているから、
共振器を構成する材料にダメージを与えることなく調整
を行うことができ、また共振器の数が多くなっても容易
に調整を行うことができる。また、誘電体膜の堆積を半
導体のフォトリソグラフィ技術を利用して行うようにし
ているから、非常に高精度で周波数調整を行うことがで
きる。
【００２４】なお、上記した実施形態においては、誘電
体膜の膜厚を一定とし、その堆積面積を変えて各共振器
の共振周波数を調整するものを示したが、誘電体膜を各
共振器の全面に堆積し、誘電体膜の膜厚を変えて各共振
器の共振周波数を調整するようにしてもよい。また、本
発明は、超伝導材料を用いて構成したフィルタに限ら
ず、常伝導材料を用いて構成したフィルタにも適用する
ことができる。
体膜の膜厚を一定とし、その堆積面積を変えて各共振器
の共振周波数を調整するものを示したが、誘電体膜を各
共振器の全面に堆積し、誘電体膜の膜厚を変えて各共振
器の共振周波数を調整するようにしてもよい。また、本
発明は、超伝導材料を用いて構成したフィルタに限ら
ず、常伝導材料を用いて構成したフィルタにも適用する
ことができる。
【図１】周波数調整後のフィルタの平面構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】周波数調整前のフィルタの平面構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】図２に示すフィルタを構成する共振器の共振周
波数、ずらすべき周波数、誘電体膜の堆積面積の関係を
示す図表である。
波数、ずらすべき周波数、誘電体膜の堆積面積の関係を
示す図表である。
【図４】誘電体膜を共振器の上に部分的に堆積する場合
の堆積個所を説明するための図である。
の堆積個所を説明するための図である。
【図５】共振器パターンの変形例を示す図である。
【図６】フィルタを構成する各共振器の共振周波数を測
定する状態を示す図である。
定する状態を示す図である。
【図７】被測定共振器と、開放部分を導電部材で短絡し
た他の共振器の周波数特性を示す図である。
た他の共振器の周波数特性を示す図である。
１…基板、１０、１１〜１８…共振器、１１ａ〜１８ａ
…開放部分、２０、２１…配線、３０、３１、３３〜３
８…誘電体膜。
…開放部分、２０、２１…配線、３０、３１、３３〜３
８…誘電体膜。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 正信
愛知県日進市米野木町南山500番地１
株式会社 移動体通信先端技術研究所内
(56)参考文献 特開 平９−238002（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−230302（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−122006（ＪＰ，Ａ)
実開 昭56−96708（ＪＰ，Ｕ)
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に複数の共振器が形成されてなる
マイクロストリップライン型構造のフィルタにおける前
記複数の共振器の共振周波数をそれぞれ測定し、その測
定結果を基に、調整が必要な共振器に対して、誘電体膜
の堆積量をそれぞれ設定し、 前記調整が必要な共振器ごとに前記設定された堆積量の
前記誘電体膜を堆積して、それぞれの共振周波数を調整
することを特徴とする、フィルタを構成する共振器の共
振周波数調整方法。 - 【請求項２】前記誘電体膜をフォトリソグラフィ技術を
用いて堆積することを特徴とする請求項１に記載の、フ
ィルタを構成する共振器の共振周波数調整方法。 - 【請求項３】 基板上に複数の共振器が形成されてなる
マイクロストリップライン型構造のフィルタにおける前
記複数の共振器の共振周波数をそれぞれ測定し、その測
定結果を基に、調整が必要な共振器に対して、堆積する
誘電体膜の膜厚を一定としてその堆積面積をそれぞれ設
定し、 前記調整が必要な共振器ごとに前記設定された堆積面積
で一定膜厚の前記誘電体膜を堆積して、それぞれの共振
周波数を調整することを特徴とする、フィルタを構成す
る共振器の共振周波数調整方法。 - 【請求項４】前記誘電体膜を、フォトリソグラフィ技術
を用い１枚のマスクで前記調整が必要な共振器の全てに
同時に堆積することを特徴とする請求項３に記載の、フ
ィルタを構成する共振器の共振周波数調整方法。 - 【請求項５】 前記複数の共振器のうち、設定された周
波数との差が最も大きい共振周波数を有する共振器の全
面に前記誘電体膜を堆積することを特徴とする請求項３
または４に記載の、フィルタを構成する共振器の共振周
波数調整方法。 - 【請求項６】 基板上に複数の共振器が形成されてなる
マイクロストリップライン型構造のフィルタであって、
請求項１ないし５のいずれか１つの方法を用いて、調整
が必要な共振器ごとに共振周波数を調整するための誘電
体膜が堆積されてなるフィルタ。
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| JP04687899A JP3361073B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | フィルタおよびフィルタを構成する共振器の共振周波数調整方法 |
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