JPH047127B2 - - Google Patents
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- JPH047127B2 JPH047127B2 JP57168353A JP16835382A JPH047127B2 JP H047127 B2 JPH047127 B2 JP H047127B2 JP 57168353 A JP57168353 A JP 57168353A JP 16835382 A JP16835382 A JP 16835382A JP H047127 B2 JPH047127 B2 JP H047127B2
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- electrode fingers
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
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- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6426—Combinations of the characteristics of different transducers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は弾性表面波装置に係り、特にフイル
タ、反射器等として用いて好適な弾性表面波装置
に関する。
タ、反射器等として用いて好適な弾性表面波装置
に関する。
弾性表面波フイルタは圧電基板上に設けた薄膜
電極により構成する。フイルタの基本的な構成は
第１図に示すように、圧電基板上に設けた送信側
トランスデユーサ１と受信側トランスデユーサ２
からなる。フイルタの中心周波数は圧電基板の音
速と交差指電極３の電極ピツチで定まり、例えば
LiTaO336°Y−Ｘ板では中心周波数870MHzのと
き波長λは4.8μmとなり、電極指幅は1.2μm（λ0／
４）である。したがつて、電極指幅を適当に選ぶ
ことにより、任意の中心周波数が得られる。しか
し、実際の素子化工程でパターン形成のために用
いるホトマスクは、装置の性能限界により、作成
可能な最小寸法きざみは現在のところ0.1μmであ
る。前記の幅1.2μmの電極指の場合、設定できる
近傍周波数は、低周波側で800MHz（電極指幅；
1.3μm）、高周波側で950MHz（電極指幅；1.1μm）
となる。周波数間隔が70〜80MHzもあるために、
設計自由度が極端に制限され、現実の要求仕様に
はほとんど対応することができない。
電極により構成する。フイルタの基本的な構成は
第１図に示すように、圧電基板上に設けた送信側
トランスデユーサ１と受信側トランスデユーサ２
からなる。フイルタの中心周波数は圧電基板の音
速と交差指電極３の電極ピツチで定まり、例えば
LiTaO336°Y−Ｘ板では中心周波数870MHzのと
き波長λは4.8μmとなり、電極指幅は1.2μm（λ0／
４）である。したがつて、電極指幅を適当に選ぶ
ことにより、任意の中心周波数が得られる。しか
し、実際の素子化工程でパターン形成のために用
いるホトマスクは、装置の性能限界により、作成
可能な最小寸法きざみは現在のところ0.1μmであ
る。前記の幅1.2μmの電極指の場合、設定できる
近傍周波数は、低周波側で800MHz（電極指幅；
1.3μm）、高周波側で950MHz（電極指幅；1.1μm）
となる。周波数間隔が70〜80MHzもあるために、
設計自由度が極端に制限され、現実の要求仕様に
はほとんど対応することができない。
以上に述べたように、従来の全ての電極指幅を
同一ピツチ、同一線幅で設定する方法では、ホト
マスクの作成上の理由から、中心周波数の微調整
ができない欠点があつた。
同一ピツチ、同一線幅で設定する方法では、ホト
マスクの作成上の理由から、中心周波数の微調整
ができない欠点があつた。
本発明の目的は、弾性表面波フイルタの中心周
波数の微調整が、現状のホトマスク作成精度によ
つても可能である電極構造を有する弾性表面波装
置を提供することにある。
波数の微調整が、現状のホトマスク作成精度によ
つても可能である電極構造を有する弾性表面波装
置を提供することにある。
中心周波数の微調整は、いい換れば電極ピツチ
の微調整である。ピツチの変化分を各電極指に等
しく配分するのが望ましいが、この方法は現状の
ホトマスク作成装置の寸法設定能力が不十分なた
め限界がある。本発明は、電極指の一定繰返し本
数ごとに、そのうちの１本あるいは複数本につい
てのみ電極指幅を従来のホトマスク精度内で増
加、あるいは減少させて、実効的な平均ピツチを
微調整した。
の微調整である。ピツチの変化分を各電極指に等
しく配分するのが望ましいが、この方法は現状の
ホトマスク作成装置の寸法設定能力が不十分なた
め限界がある。本発明は、電極指の一定繰返し本
数ごとに、そのうちの１本あるいは複数本につい
てのみ電極指幅を従来のホトマスク精度内で増
加、あるいは減少させて、実効的な平均ピツチを
微調整した。
以下、本発明の一実施例を第２図により説明す
る。同図ａは本発明を実施する前の状態、図ｂ，
ｃ，ｄは実施後の状態である。図ａにおいて、１
波長はλ0、４分の１波長すなわち電極指幅はｌで
ある。
る。同図ａは本発明を実施する前の状態、図ｂ，
ｃ，ｄは実施後の状態である。図ａにおいて、１
波長はλ0、４分の１波長すなわち電極指幅はｌで
ある。
電極指幅の変化分をΔlとすると、Δlの最小値
は現状のホトマスク作成装置では0.1μmである。
したがつて、本発明は0.1μm以下の桁までの精度
を要求される場合に有効となる。
は現状のホトマスク作成装置では0.1μmである。
したがつて、本発明は0.1μm以下の桁までの精度
を要求される場合に有効となる。
従来のように電極指および電極指間の絶縁部の
全てにΔlの幅変化を与える場合のピツチの変化
率ΔP0は ΔP0＝４・Δl／λ0 …(1) 図ｂは斜線で示したように、１波長ごとに１本の
幅変化を行つており、変化率は ΔP1＝Δl／λ0＝１／４ΔP0 …(2) 同様に、図ｃの場合の変化率は ΔP2＝Δl／2λ0＝１／２ΔP1 …(3) また、図ｄは一定周期中で複数本（図では２本）
の幅変化を行う場合であり、変化率は ΔP3＝2Δl／2.5λ0＝１／1.25ΔP1 …(4) 以上に代表例を示したが、同様に各種の組合せ
が可能であり、幅広い平均ピツチの選択が可能で
ある。本実施例では電極指幅を変化させたが、電
極指間の絶縁部の幅を変化させても、等価回路の
取扱いが若干異なるだけで同様の効果が得られ
る。
全てにΔlの幅変化を与える場合のピツチの変化
率ΔP0は ΔP0＝４・Δl／λ0 …(1) 図ｂは斜線で示したように、１波長ごとに１本の
幅変化を行つており、変化率は ΔP1＝Δl／λ0＝１／４ΔP0 …(2) 同様に、図ｃの場合の変化率は ΔP2＝Δl／2λ0＝１／２ΔP1 …(3) また、図ｄは一定周期中で複数本（図では２本）
の幅変化を行う場合であり、変化率は ΔP3＝2Δl／2.5λ0＝１／1.25ΔP1 …(4) 以上に代表例を示したが、同様に各種の組合せ
が可能であり、幅広い平均ピツチの選択が可能で
ある。本実施例では電極指幅を変化させたが、電
極指間の絶縁部の幅を変化させても、等価回路の
取扱いが若干異なるだけで同様の効果が得られ
る。
幅に変化をつける電極指あるいは絶縁部の位置
を限定する必要はなく、所定の区間内に所定の本
数があればよい。また、電極指幅の変化量が1μm
以上の場合は、周波数の微調整にはほとんど寄与
しない。
を限定する必要はなく、所定の区間内に所定の本
数があればよい。また、電極指幅の変化量が1μm
以上の場合は、周波数の微調整にはほとんど寄与
しない。
以上に述べたように、本実施例によれば平均ピ
ツチを微細に設定でき、フイルタの中心周波数の
微調整精度が上がる効果がある。
ツチを微細に設定でき、フイルタの中心周波数の
微調整精度が上がる効果がある。
実施例では交差指電極についてのみ説明した
が、ストライプ電極列で構成する反射器の周波数
特性の微調整にも本発明が有効である。また、ホ
トマスクを用いない、例えば、電子ビームによる
直接描画方式などの場合においても同様の利点が
ある。
が、ストライプ電極列で構成する反射器の周波数
特性の微調整にも本発明が有効である。また、ホ
トマスクを用いない、例えば、電子ビームによる
直接描画方式などの場合においても同様の利点が
ある。
また、請求の範囲において２種類の幅により構
成するとしているが、フイルタの構造設計時にす
でに２種類以上の幅を有する場合においては、本
発明を適用することにより３種類以上の幅にな
る。
成するとしているが、フイルタの構造設計時にす
でに２種類以上の幅を有する場合においては、本
発明を適用することにより３種類以上の幅にな
る。
電極ピツチが小さい高周波帯フイルタの素子化
工程において、各種の要求仕様に合つた周波数特
性を現状のホトリソグラフイ技術で実現すること
は容易でない。本発明によれば現状のホトマスク
作成仕様で中心周波数を１桁以上精度よく設定す
ることが可能な弾性表面波装置の構造を提供でき
るばかりでなく、フイルタの周波数特性の設計
が容易となる、ホトマスクに関してコスト的に
有利となる効果もある。
工程において、各種の要求仕様に合つた周波数特
性を現状のホトリソグラフイ技術で実現すること
は容易でない。本発明によれば現状のホトマスク
作成仕様で中心周波数を１桁以上精度よく設定す
ることが可能な弾性表面波装置の構造を提供でき
るばかりでなく、フイルタの周波数特性の設計
が容易となる、ホトマスクに関してコスト的に
有利となる効果もある。
第１図は弾性表面波フイルタの基本構成図、第
２図は所定の電極指の幅を変えた本発明の実施例
の図。 １……送信側トランスデユーサ、２……受信側
トランスデユーサ、３……交差指電極。
２図は所定の電極指の幅を変えた本発明の実施例
の図。 １……送信側トランスデユーサ、２……受信側
トランスデユーサ、３……交差指電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電基板と、この圧電基板上に設けられかつ
繰返し配列する複数の電極指とを有し、これらの
電極指の幅若しくは電極指間の幅として少なくと
も２種類の幅を有し、各々の幅で決まる中心周波
数の間の周波数を中心周波数とするように上記２
種類の幅を組み合わせて上記複数の電極指の配列
を構成したことを特徴とする弾性表面波装置。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装
置において、前記２種類の幅の組合せが１構成単
位を形成し、この１構成単位が前記複数の電極指
の配列全体に繰返し設けられている弾性表面波装
置。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装
置において、前記２種類の幅の差は1μm未満であ
る弾性表面波装置。 ４ 特許請求の範囲第２項に記載の弾性表面波装
置において、前記１構成単位の弾性表面波伝搬方
向の長さが弾性表面波のほぼ１波長である弾性表
面波装置。 ５ 特許請求の範囲第２項に記載の弾性表面波装
置において、前記１構成単位の弾性表面波伝搬方
向の長さが弾性表面波のほぼ２波長である弾性表
面波装置。 ６ 特許請求の範囲第２項に記載の弾性表面波装
置において、前記１構成単位の弾性表面波伝搬方
向の長さが弾性表面波のほぼ2.5波長である弾性
表面波装置。 ７ 特許請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装
置において、前記複数の電極指が交差指電極を構
成する弾性表面波装置。 ８ 特許請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装
置において、前記複数の電極指がストライプ電極
列を構成する弾性表面波装置。 ９ 特許請求の範囲第２項に記載の弾性表面波装
置において、前記１構成単位が前記複数の電極指
の配列全体に周期的に設けられている弾性表面波
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168353A JPS5958907A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 弾性表面波装置 |
| US06/536,521 US4507581A (en) | 1982-09-29 | 1983-09-28 | Electrode structure for saw device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168353A JPS5958907A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 弾性表面波装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9103294A Division JPH0715270A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958907A JPS5958907A (ja) | 1984-04-04 |
| JPH047127B2 true JPH047127B2 (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15866490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168353A Granted JPS5958907A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 弾性表面波装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4507581A (ja) |
| JP (1) | JPS5958907A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611922U (ja) * | 1984-06-08 | 1986-01-08 | 関西日本電気株式会社 | 弾性表面波装置 |
| DE3529916A1 (de) * | 1985-08-21 | 1987-02-26 | Siemens Ag | Dispersiver interdigital-wandler fuer mit akustischen wellen arbeitenden anordnungen |
| JPH0646692B2 (ja) * | 1986-01-10 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波共振子 |
| US4731595A (en) * | 1986-01-24 | 1988-03-15 | Rf Monolithics, Inc. | Resonator structure |
| JPH0715270A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-01-17 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JP3728912B2 (ja) * | 1998-02-17 | 2005-12-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JP3712035B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2005-11-02 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置の製造方法 |
| GB2363011B (en) * | 2000-05-31 | 2002-04-17 | Acoustical Tech Sg Pte Ltd | Surface acoustic wave device |
| GB2363012B (en) * | 2000-05-31 | 2002-08-07 | Acoustical Tech Sg Pte Ltd | Surface acoustic wave device |
| WO2009070626A2 (en) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Powerwave Technologies, Inc. | Linear antenna array with azimuth beam augmentation by axial rotation |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3882433A (en) * | 1974-02-15 | 1975-05-06 | Zenith Radio Corp | Swif with transducers having varied duty factor fingers for trap enhancement |
| US3936774A (en) * | 1974-03-14 | 1976-02-03 | Texas Instruments Incorporated | High bulk mode rejection surface wave device |
| US4162465A (en) * | 1977-09-14 | 1979-07-24 | University Of Illinois Foundation | Surface acoustic wave device with reflection suppression |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP57168353A patent/JPS5958907A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-28 US US06/536,521 patent/US4507581A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5958907A (ja) | 1984-04-04 |
| US4507581A (en) | 1985-03-26 |
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