JP3359474B2 - Horizontal heat treatment equipment - Google Patents
Horizontal heat treatment equipmentInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハ等に熱
処理を施す熱処理装置に関し、特に処理容器を水平方向
に設置した横型熱処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a semiconductor wafer or the like, and more particularly, to a horizontal heat treatment apparatus in which a processing container is installed in a horizontal direction.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び解決しようとする課題】半導体ウェハ
の表面に例えば酸化膜を形成したり、半導体ウェハ内に
不純物を拡散させる場合、熱処理装置が用いられる。こ
のような熱処理装置としては、半導体ウェハの搬入搬出
が容易で量産に適した横型熱処理装置と半導体ウェハの
回転が容易で大口径の半導体ウェハの処理に適した縦型
熱処理装置がある。2. Description of the Related Art When an oxide film is formed on the surface of a semiconductor wafer or impurities are diffused in the semiconductor wafer, a heat treatment apparatus is used. As such heat treatment apparatuses, there are a horizontal heat treatment apparatus suitable for mass production and a horizontal heat treatment apparatus which is easy to carry in and carry out a semiconductor wafer and suitable for processing a semiconductor wafer having a large diameter.
【０００３】このうち横型熱処理装置は、図３に示すよ
うに、石英製の処理容器２１を水平方向に設置したもの
である。処理容器２１の一方端にはガス導入口２１ａが
設けられ、他方端にはキャップ２２とこのキャップ２２
に形成された排気口２２ａが設けられている。また、処
理容器２１の外周部には、処理容器２１内を所定温度に
加熱するためのヒータ２３が設けられている。処理容器
２１内には、ボート２４が収容され、このボート２４上
に被処理体である半導体ウェハ２５などが起立して載置
されている。As shown in FIG. 3, the horizontal heat treatment apparatus has a processing vessel 21 made of quartz installed in a horizontal direction. A gas inlet 21a is provided at one end of the processing container 21, and a cap 22 and the cap 22 are provided at the other end.
Is formed. Further, a heater 23 for heating the inside of the processing container 21 to a predetermined temperature is provided on an outer peripheral portion of the processing container 21. A boat 24 is accommodated in the processing container 21, and a semiconductor wafer 25 or the like, which is an object to be processed, is placed upright on the boat 24.
【０００４】このような横型熱処理装置では、ヒータ２
３で加熱しながら、例えばＰＯＣｌ 3 などをガス導入口
２１ａ側からガス排気口２２ａ側へ流すことによって、
半導体ウェハ等の被処理体２５にリン（Ｐ）を拡散させ
るなどの熱処理を行うために用いる。In such a horizontal heat treatment apparatus, the heater 2
While heating at 3, for example, POCl ThreeSuch as gas inlet
By flowing from the 21a side to the gas exhaust port 22a side,
Phosphorus (P) is diffused into the processing object 25 such as a semiconductor wafer.
It is used for heat treatment such as heat treatment.
【０００５】ところが、この従来の横型熱処理装置で
は、被処理体２５におけるガス導入側とガス排気側にお
けるガス濃度の差が大きく、被処理体２５における熱処
理の面間均一性が悪いという問題があった。特に希薄処
理ガスを使用した場合に、下流側における処理ガスの回
り込みが悪く、全体にわたって良好な熱処理を行うこと
ができないという問題があった。However, in this conventional horizontal heat treatment apparatus, there is a problem that the difference in gas concentration between the gas introduction side and the gas exhaust side in the object 25 is large, and the uniformity of the heat treatment in the object 25 is poor. Was. In particular, when a dilute processing gas is used, there is a problem that the flow of the processing gas on the downstream side is poor, and good heat treatment cannot be performed throughout.
【０００６】このような問題を解決するために、特開平
７−５８０４５号公報では、図４に示すように、被処理
体２５に対して斜め上方又は斜め下方に向けられた多数
のガス噴出孔２６ａを有する処理ガス導入ノズル２６
を、処理容器２１の長さ方向に沿って処理容器２１の側
部近傍に設けることが提案されている。In order to solve such a problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-58045 discloses a large number of gas ejection holes directed obliquely upward or downward with respect to an object 25 as shown in FIG. Processing gas introduction nozzle 26 having a 26a
Is provided near the side of the processing container 21 along the length direction of the processing container 21.
【０００７】ところが、この従来の横型熱処理装置で
は、処理容器２１の長さ方向に沿って多数のガス噴出孔
２６ａを有する処理ガス導入ノズル２６を設けているも
のの、この処理ガス導入ノズル２６は、処理容器２１の
側部近傍に一本しか設けていないことから、被処理体２
５における熱処理装置の面内均一性がかえって悪くなる
という問題があった。However, in this conventional horizontal heat treatment apparatus, although a processing gas introduction nozzle 26 having a large number of gas ejection holes 26a is provided along the length direction of the processing vessel 21, this processing gas introduction nozzle 26 Since only one is provided near the side of the processing container 21, the
5, the in-plane uniformity of the heat treatment apparatus was rather deteriorated.
【０００８】すなわち、この種の熱処理装置において
は、被処理体２５の面間均一性および面内均一性の双方
が良好なものであることが要求されるが、上述のように
処理容器２１の長さ方向に沿って処理ガス導入ノズル２
６を設けたとしても、面間均一性しか向上せず、ガス噴
出孔２６ａ近傍におけるガス流れの乱れによって面内均
一性は却って悪くなる。特に被処理体２５が大口径のウ
ェハになるとこの傾向は顕著になる。That is, in this type of heat treatment apparatus, it is required that both the inter-surface uniformity and the in-plane uniformity of the object 25 are good. Processing gas introduction nozzle 2 along the length direction
Even if 6 is provided, only the inter-plane uniformity is improved, and the in-plane uniformity is rather deteriorated due to the turbulence of the gas flow near the gas ejection holes 26a. In particular, this tendency becomes remarkable when the object 25 is a large-diameter wafer.
【０００９】本発明は、このような従来装置の問題点に
鑑みて発明されたものであり、被処理体における面間均
一性又は面内均一性が低下することを解消した熱処理装
置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such problems of the conventional apparatus, and provides a heat treatment apparatus which eliminates a decrease in inter-plane uniformity or in-plane uniformity of a workpiece. The purpose is to:
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る横型熱処理装置では、水平方向に設置
された処理容器内のボート上に被処理体を載置し、前記
処理容器内に処理ガスを導入しながら前記被処理体を熱
処理する横型熱処理装置において、前記処理容器内の上
部と側部と下部に、多数のガス噴出孔を有する処理ガス
導入ノズルを前記処理容器の長さ方向に沿って複数設け
ると共に、各処理ガス導入ノズル毎にガス流量制御装置
を設け、前記ガス導入ノズルのうちの上部のものから順
に前記処理容器内に前記処理ガスを導入できるととも
に、下部のものから順に前記処理ガスの導入を停止でき
るようにした。In order to achieve the above object, in a horizontal heat treatment apparatus according to the present invention, an object to be processed is placed on a boat in a processing vessel installed horizontally, and the processing vessel In a horizontal heat treatment apparatus for heat-treating the object to be processed while introducing a processing gas into the processing vessel, a processing gas introduction nozzle having a large number of gas ejection holes in an upper portion, a side portion, and a lower portion of the processing container is provided in a length of the processing container. Along with a plurality provided along the direction, a gas flow control device is provided for each processing gas introduction nozzle, and the processing gas can be introduced into the processing container in order from the upper one of the gas introduction nozzles, and The introduction of the processing gas can be stopped in order from the first.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る横型熱処理装
置の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。図１
は、本発明に係る横型熱処理装置の一実施形態を示す図
であり、同図（ａ）は処理容器の長さ方向における断面
図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、
１は処理容器、２はヒータ、３は処理ガス導入ノズル、
３ｇはガス噴出孔、４はボート、５は被処理体である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a horizontal heat treatment apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG.
1A and 1B are diagrams illustrating an embodiment of a horizontal heat treatment apparatus according to the present invention, wherein FIG. 1A is a cross-sectional view in a length direction of a processing container, and FIG. FIG.
1 is a processing container, 2 is a heater, 3 is a processing gas introduction nozzle,
3 g is a gas ejection hole, 4 is a boat, and 5 is an object to be processed.
【００１２】処理容器１は、例えば石英などから成る耐
熱材料で形成されており、一端部が閉塞されて他端部が
開放された円筒状に形成されている。この処理容器１は
水平方向に横置きされる。この処理容器１内には、石英
から成るボート４が収容されており、このボート４上に
は半導体ウェハなどの被処理体５が多数枚起立して載置
されている。上記処理容器１の外周には、ヒータ２が処
理容器１と同軸上に設けられており、処理容器１内の全
体を加熱するように構成されている。The processing vessel 1 is formed of a heat-resistant material made of, for example, quartz or the like, and has a cylindrical shape with one end closed and the other end open. This processing container 1 is placed horizontally in the horizontal direction. A boat 4 made of quartz is accommodated in the processing container 1, and a large number of workpieces 5 such as semiconductor wafers are mounted on the boat 4. A heater 2 is provided on the outer periphery of the processing container 1 coaxially with the processing container 1, and is configured to heat the entire inside of the processing container 1.
【００１３】上記処理容器１の開放端は、例えば石英な
どから成るキャップ７で閉塞され、このキャップ７には
ガス排気孔７ａが設けられている。また上記処理容器１
には、閉塞端を貫通して複数のガス導入ノズル（３ａ〜
３ｆ）が設けられている。図１に示す例では、処理容器
１内の上下部分に各１本（３ａ、３ｄ）、下方側部に２
本（３ｃ、３ｅ）、上方側部に２本（３ｂ、３ｆ）の計
６本が設けられている。また、各ガス導入ノズル３（３
ａ〜３ｆ）には、多数のガス噴出孔３ｇが設けられてい
ると共に、それぞれの処理ガス導入ノズル３には、ガス
発生源８からガスが供給される。この処理ガス導入ノズ
ル３の直径は約１０ｍｍに設定されると共に、ガス噴出
孔３ｇのピッチは被処理体５の配列ピッチと略同一にな
るように設定することが望ましい。The open end of the processing vessel 1 is closed by a cap 7 made of, for example, quartz, and the cap 7 is provided with a gas exhaust hole 7a. The processing container 1
Has a plurality of gas introduction nozzles (3a to
3f) is provided. In the example shown in FIG. 1, one (3a, 3d) is provided in each of the upper and lower portions in the processing container 1, and
A total of six (3c, 3e) and two (3b, 3f) on the upper side are provided. In addition, each gas introduction nozzle 3 (3
In a to 3f), a large number of gas ejection holes 3g are provided, and a gas is supplied to each processing gas introduction nozzle 3 from a gas generation source 8. It is desirable that the diameter of the processing gas introduction nozzle 3 be set to about 10 mm and that the pitch of the gas ejection holes 3 g be set to be substantially the same as the arrangement pitch of the workpieces 5.
【００１４】図２に図１中のガス発生源を示す。このガ
ス発生源８は、窒素（Ｎ2 ）ガス源９、酸素（Ｏ2 ）ガ
ス源１０、バブリング槽１１で主として構成される。窒
素ガス源９部分にはマスフローコントローラ１２と電磁
バルブ１５が設けられ、酸素ガス源１０部分にはマスフ
ローコントローラ１３と電磁バルブ１６が設けられる。
また窒素ガス源９とバブリング槽１１間には、マスフロ
ーコントローラ１４と電磁弁１７が設けられる。バブリ
ング槽１１と処理ガス導入ノズル３との間には、電磁バ
ルブ１８、２１が設けられる。マスフローコントローラ
１４と電磁バルブ１７の間から分岐して電磁バルブ１９
が設けられ、電磁バルブ１８と電磁バルブ２１との間か
ら分岐して電磁バルブ２０が設けられる。さらに、バブ
リング槽１１には、恒温維持装置２２が設けられる。マ
スフローコントローラ１２、１３、１４で流量制御装置
６が構成される。なお、マスフローコントローラ１２、
１３、１４に代えて、流量計を用いてもよい。FIG. 2 shows the gas generating source in FIG. The gas generating source 8 mainly includes a nitrogen (N 2 ) gas source 9, an oxygen (O 2 ) gas source 10, and a bubbling tank 11. The nitrogen gas source 9 is provided with a mass flow controller 12 and an electromagnetic valve 15, and the oxygen gas source 10 is provided with a mass flow controller 13 and an electromagnetic valve 16.
A mass flow controller 14 and a solenoid valve 17 are provided between the nitrogen gas source 9 and the bubbling tank 11. Electromagnetic valves 18 and 21 are provided between the bubbling tank 11 and the processing gas introduction nozzle 3. The electromagnetic valve 19 branches off from between the mass flow controller 14 and the electromagnetic valve 17.
Is provided, and an electromagnetic valve 20 is provided branching from between the electromagnetic valve 18 and the electromagnetic valve 21. Further, a constant temperature maintaining device 22 is provided in the bubbling bath 11. The mass flow controllers 12, 13, and 14 constitute the flow control device 6. The mass flow controller 12,
Instead of 13 and 14, a flow meter may be used.
【００１５】このようなガス発生源では、電磁バルブ１
９、２０以外の全ての電磁バルブを開き、バブリング槽
１１に例えば液体のＰＯＣｌ3 を導入して、マスフロー
コントローラ１２、１３、１４を開く。すると窒素ガス
および酸素ガスは直接処理ガス導入ノズル３に送られる
と共に、一部の窒素ガスはバブリング装置１１に送られ
て液体のＰＯＣｌ3 をバブリングして気体のＰＯＣｌ3
が処理ガス導入ノズル３に送られることになる。この場
合、マスフローコントローラ１２、１３、１４で窒素ガ
ス９および酸素ガス１０の流量を調整できることから、
処理ガス導入ノズル３からのガス噴出量を調整できる。In such a gas generating source, the electromagnetic valve 1
Open all the electromagnetic valves other than 9 and 20 and introduce, for example, liquid POCl 3 into the bubbling tank 11, and open the mass flow controllers 12, 13 and 14. Then, the nitrogen gas and the oxygen gas are sent directly to the processing gas introduction nozzle 3, and a part of the nitrogen gas is sent to the bubbling device 11 to bubble the liquid POCl 3 to form the gas POCl 3.
Is sent to the processing gas introduction nozzle 3. In this case, since the flow rates of the nitrogen gas 9 and the oxygen gas 10 can be adjusted by the mass flow controllers 12, 13, and 14,
The amount of gas ejected from the processing gas introduction nozzle 3 can be adjusted.
【００１６】図１に示すように、処理ガス導入ノズル３
を処理容器１内に挿入して設けると、処理容器１内の長
さ方向におけるガス濃度差を抑制でき、面間分布の均一
性が図れるばかりでなく、本発明ではそれぞれの処理ガ
ス導入ノズル３にガス流量制御装置８を設けていること
から、それぞれの処理ガス導入ノズル３に供給されるガ
ス流量を調整しながら処理容器１にガスを導入すること
ができ、被処理体５における面内分布の均一性も向上さ
せることができる。As shown in FIG. 1, the processing gas introduction nozzle 3
Is provided in the processing vessel 1 so that the difference in gas concentration in the longitudinal direction in the processing vessel 1 can be suppressed, and not only uniformity of distribution between planes can be achieved, but also in the present invention, each processing gas introduction nozzle 3 Is provided with the gas flow control device 8, the gas can be introduced into the processing vessel 1 while adjusting the flow rate of the gas supplied to each processing gas introduction nozzle 3, and the in-plane distribution in the processing target 5 Can also be improved.
【００１７】上述のように構成した熱処理装置の動作を
説明する。まず、処理容器１のキャップ７を取り外し
て、被処理体５を処理容器１内に搬入した後に、キャッ
プ７で覆蓋する。次に、ヒータ２を駆動することによっ
て、処理容器１内を所定の温度、例えば９００℃になる
まで加熱して安定させる。次に、処理容器１内に処理ガ
ス導入ノズル３から処理ガスを導入しつつ、常圧で熱処
理、例えばリン拡散を行う。The operation of the heat treatment apparatus configured as described above will be described. First, the cap 7 of the processing container 1 is removed, and the object 5 is carried into the processing container 1 and then covered with the cap 7. Next, by driving the heater 2, the inside of the processing container 1 is heated to a predetermined temperature, for example, 900 ° C., and is stabilized. Next, heat treatment, for example, phosphorus diffusion is performed at normal pressure while introducing a processing gas from the processing gas introduction nozzle 3 into the processing container 1.
【００１８】ここで処理ガスを発生させるためには、ガ
ス発生源８のバブリング槽１１内に貯めた液体ＰＯＣｌ
3 を加熱しつつ窒素ガスによりバブリングしてＰＯＣｌ
3 を気化させて、ガス導入ノズル３へ供給される。この
気化したＰＯＣｌ3 はガス導入ノズル３内を流れなが
ら、各ガス噴出孔３ａから噴出される。Here, in order to generate the processing gas, the liquid POCl stored in the bubbling tank 11 of the gas generating source 8 is required.
Bubbling with nitrogen gas while heating 3
3 is vaporized and supplied to the gas introduction nozzle 3. The vaporized POCl 3 is ejected from each gas ejection hole 3 a while flowing in the gas introduction nozzle 3.
【００１９】例えば半導体ウェハにリンを拡散させる場
合、液体ＰＯＣｌ3 を窒素ガスでバブリングして窒素ガ
ス及び酸素ガスと共に流し、ボロンを拡散する場合には
液体のＢＢｒ3 上に窒素ガスを流して窒素ガス及び酸素
ガスと共に処理容器１内へ流す。この場合、ＰＯＣｌ3
やＢＢｒ3 は比重が大きく、処理容器１の下側に溜まり
やすくなる。これによって、半導体ウェハ内の面内に拡
散の不均一性が発生するが、本発明では複数のガス導入
ノズルごとにガス流量やガス濃度を変えることができ、
比重の大きいガスが処理容器１の下側に溜まることを防
止できる。For example, when phosphorus is diffused into a semiconductor wafer, liquid POCl 3 is bubbled with nitrogen gas to flow along with nitrogen gas and oxygen gas. When boron is diffused, nitrogen gas is flowed over liquid BBr 3 to diffuse nitrogen. It flows into the processing container 1 together with the gas and the oxygen gas. In this case, POCl 3
And BBr 3 have a large specific gravity and tend to accumulate below the processing vessel 1. As a result, non-uniformity of diffusion occurs in the plane of the semiconductor wafer. In the present invention, the gas flow rate and the gas concentration can be changed for each of the plurality of gas introduction nozzles.
Gas having a large specific gravity can be prevented from accumulating below the processing container 1.
【００２０】また、半導体ウェハ内へリンを拡散する場
合、通常、処理容器１内に窒素ガスを流す前処理、液体
ＰＯＣｌ3 を窒素ガスでバブリングして窒素ガス及び酸
素ガスと共に処理容器１に流す拡散処理、及び処理容器
１内に窒素ガスを流す後処理の順番で行われる。前処理
から拡散処理に切り替わるとき、従来の処理容器１であ
ると処理容器１の下側からＰＯＣｌ3 を含んだガスが溜
まる。また拡散処理から後処理へ切り替わる場合はＰＯ
Ｃｌ3 を含んだガスが処理容器１の下側に残る。そこ
で、前処理から拡散処理へ切り替わるときには、処理容
器１の上部にあるものから順に、また拡散処理から後処
理へ切り替わるときには、下部にあるものから順に切り
換えることにより、面内均一性を向上させる。In addition, when phosphorus is diffused into a semiconductor wafer, usually, a pre-process in which nitrogen gas is flown into the processing vessel 1, liquid POCl 3 is bubbled with nitrogen gas to flow into the processing vessel 1 together with nitrogen gas and oxygen gas. The diffusion processing and the post-processing in which nitrogen gas is flown into the processing container 1 are performed in this order. When switching from the pretreatment to the diffusion treatment, in the case of the conventional treatment container 1, a gas containing POCl 3 accumulates from the lower side of the treatment container 1. When switching from diffusion processing to post-processing, PO
The gas containing Cl 3 remains on the lower side of the processing container 1. Therefore, when switching from the pre-processing to the diffusion processing, the in-plane uniformity is improved by sequentially switching from the one at the upper part of the processing vessel 1 and from the lower part to the post-processing when switching from the diffusion processing to the post-processing.
【００２１】また、ノズルに形成したガス噴出孔３ａの
向きを調整することによってガス流れをつくり、縦型炉
で半導体ウェハを回転させるのと同様の効果が得られる
と共に、各々の処理ガス導入ノズル３ごとにガス噴出孔
３ｇの位置と吸気と排気を切り換え可能にしておけば処
理容器１内のガスの流れを自由に作ることが可能にな
る。Further, by adjusting the direction of the gas ejection holes 3a formed in the nozzles, a gas flow is created, and the same effect as rotating a semiconductor wafer in a vertical furnace can be obtained. If the position of the gas ejection hole 3g and the intake and exhaust can be switched for each three, the gas flow in the processing container 1 can be freely created.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上のように、本発明に係る横型熱処理
装置によれば、処理容器内の上部と側部と下部に、多数
のガス噴出孔を有する処理ガス導入ノズルを上記処理容
器の長さ方向に沿って複数設けると共に、各処理ガス導
入ノズル毎にガス流量制御装置を設け、上記ガス導入ノ
ズルのうちの上部のものから順に上記処理容器内に上記
処理ガスを導入できるとともに、下部のものから順に上
記処理ガスの導入を停止できるようにしたことから、被
処理体における面間均一性および面内均一性の双方を向
上させることができると共に、大口径の被処理体でも面
内均一性を向上させることができ、縦型炉と横型炉の双
方の特徴を具備した横型熱処理装置となる。As described above, according to the horizontal heat treatment apparatus of the present invention, the processing gas introduction nozzle having a large number of gas ejection holes at the upper part, the side part, and the lower part in the processing container is provided in the length of the processing container. Along with a plurality provided along the direction, a gas flow control device is provided for each processing gas introduction nozzle, and the processing gas can be introduced into the processing vessel in order from the upper one of the gas introduction nozzles, and Since the introduction of the processing gas can be stopped in order from the one, it is possible to improve both the inter-surface uniformity and the in-plane uniformity in the object to be processed, and to achieve the in-plane uniformity even in a large-diameter object to be processed. The horizontal heat treatment apparatus has improved characteristics and has both features of a vertical furnace and a horizontal furnace.
【図１】本発明に係る横型熱処理装置の一実施形態を示
す図であり、同図（ａ）は長さ方向における断面図、同
図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 1 is a view showing one embodiment of a horizontal heat treatment apparatus according to the present invention, wherein FIG. 1 (a) is a cross-sectional view in the length direction, and FIG. 1 (b) is a line AA in FIG. It is sectional drawing.
【図２】本発明に係る横型熱処理装置のガス発生源部分
を示す図である。FIG. 2 is a view showing a gas generating source portion of the horizontal heat treatment apparatus according to the present invention.
【図３】従来の横型熱処理装置を示す図である。FIG. 3 is a view showing a conventional horizontal heat treatment apparatus.
【図４】従来の他の横型熱処理装置を示す図である。FIG. 4 is a view showing another conventional horizontal heat treatment apparatus.
１・・・処理容器、２・・・ヒータ、３・・・処理ガス
導入ノズル、３ａ・・・ガス噴出孔、４・・・ボート、
５・・・被処理体、６・・・ガス流量制御装置DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing container, 2 ... Heater, 3 ... Processing gas introduction nozzle, 3a ... Gas ejection hole, 4 ... Boat,
5 ... Workpiece, 6 ... Gas flow control device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−132225（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/22 501 ────────────────────────────────────────────────── (5) References JP-A-4-132225 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/22 501
Claims (1)
ト上に被処理体を載置し、前記処理容器内に処理ガスを
導入しながら前記被処理体を熱処理する横型熱処理装置
において、前記処理容器内の上部と側部と下部に、多数
のガス噴出孔を有する処理ガス導入ノズルを前記処理容
器の長さ方向に沿って複数設けると共に、各処理ガス導
入ノズル毎にガス流量制御装置を設け、前記ガス導入ノ
ズルのうちの上部のものから順に前記処理容器内に前記
処理ガスを導入できるとともに、下部のものから順に前
記処理ガスの導入を停止できるようにしたことを特徴と
する横型熱処理装置。1. A horizontal heat treatment apparatus for placing an object to be processed on a boat in a horizontally disposed processing container and heat-treating the object while introducing a processing gas into the processing container. A plurality of processing gas introduction nozzles having a large number of gas ejection holes are provided along the longitudinal direction of the processing container on the upper, side, and lower portions of the processing container, and a gas flow control device is provided for each processing gas introduction nozzle. The gas introduction nozzle
In the processing container in order from the top of the slur
The processing gas can be introduced, and
A horizontal heat treatment apparatus characterized in that the introduction of the treatment gas can be stopped .
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