JP3355835B2 - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
- Publication number
- JP3355835B2 JP3355835B2 JP31768494A JP31768494A JP3355835B2 JP 3355835 B2 JP3355835 B2 JP 3355835B2 JP 31768494 A JP31768494 A JP 31768494A JP 31768494 A JP31768494 A JP 31768494A JP 3355835 B2 JP3355835 B2 JP 3355835B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sog
- insulating film
- sio
- forming
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、絶縁膜の形成方法
に関する。本発明は、各種電子材料（半導体装置等）に
用いるＳＯＧ利用絶縁膜形成技術について適用でき、特
に、半導体装置の平坦化絶縁膜形成技術に好適に利用で
きる。
に関する。本発明は、各種電子材料（半導体装置等）に
用いるＳＯＧ利用絶縁膜形成技術について適用でき、特
に、半導体装置の平坦化絶縁膜形成技術に好適に利用で
きる。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】例えば半導体装置の分野
において、下地を有する段差上に層間絶縁膜を形成する
際、その層間絶縁膜の平坦化においては、ＳＯＧ塗布及
びエッチバックの手法を用いているが、これはその平坦
化特性の特徴として、線間距離の大きいとき（即ち凸部
間の凹部が広いとき）は層間絶縁膜がへこみ、線間距離
が小さいとき（即ち凸部間の凹部が狭いとき）は良好な
平坦化形状が得られる。即ち、Ａｌ等の線間距離が小さ
い場合は線間の層間膜の形状が平坦となるのに対して、
線間距離の大きい時は線間の層間膜がへこんでしまい、
このため、下地形状によっては良好な平坦化が達成でき
なかった。
において、下地を有する段差上に層間絶縁膜を形成する
際、その層間絶縁膜の平坦化においては、ＳＯＧ塗布及
びエッチバックの手法を用いているが、これはその平坦
化特性の特徴として、線間距離の大きいとき（即ち凸部
間の凹部が広いとき）は層間絶縁膜がへこみ、線間距離
が小さいとき（即ち凸部間の凹部が狭いとき）は良好な
平坦化形状が得られる。即ち、Ａｌ等の線間距離が小さ
い場合は線間の層間膜の形状が平坦となるのに対して、
線間距離の大きい時は線間の層間膜がへこんでしまい、
このため、下地形状によっては良好な平坦化が達成でき
なかった。
【０００３】上記の問題点を克服するため、従来のＳＯ
Ｇエッチバックシステムは、線間距離の大きい所にはそ
の線間にダミーの凸部（ダミーＳｉＯ2 やダミーＡｌ
等）を形成する手法をとって、線間距離を小さい状態に
維持していた。しかしこの手法では、このダミー形成の
ための工程が必要となり、工程増及びこれによる歩留低
下によるコスト上昇が問題となっていた。
Ｇエッチバックシステムは、線間距離の大きい所にはそ
の線間にダミーの凸部（ダミーＳｉＯ2 やダミーＡｌ
等）を形成する手法をとって、線間距離を小さい状態に
維持していた。しかしこの手法では、このダミー形成の
ための工程が必要となり、工程増及びこれによる歩留低
下によるコスト上昇が問題となっていた。
【０００４】また、このダミーは、配線等の凸部間の広
い凹部において、全体的なグローバル（Ｇｌｏｖａｌ）
平坦化が可能となるような最小間隔に配置されなければ
ならない。よってこのため、線間距離を選べないという
問題があった。例えば、Ａｌ配線の間隔は、ダミーの発
生しない最大スペースよりもこのＡｌ配線間の間隔を広
げようとすると、ダミー発生時の最小Ａｌ間隔であるダ
ミーサイズ（最小）＋Ａｌ間隔最小ルール×２まで飛ん
でしまい、その間は選択できないことになる。更にマス
ク作成時にこのダミー形成用パターンの発生の手間が掛
かる。またこのほか、ダミーが発生する寸前の距離では
ＳＯＧ塗布形状の平坦度が多少悪化する（塗布面ディッ
プ）などプロセス的に制約が大きかった。
い凹部において、全体的なグローバル（Ｇｌｏｖａｌ）
平坦化が可能となるような最小間隔に配置されなければ
ならない。よってこのため、線間距離を選べないという
問題があった。例えば、Ａｌ配線の間隔は、ダミーの発
生しない最大スペースよりもこのＡｌ配線間の間隔を広
げようとすると、ダミー発生時の最小Ａｌ間隔であるダ
ミーサイズ（最小）＋Ａｌ間隔最小ルール×２まで飛ん
でしまい、その間は選択できないことになる。更にマス
ク作成時にこのダミー形成用パターンの発生の手間が掛
かる。またこのほか、ダミーが発生する寸前の距離では
ＳＯＧ塗布形状の平坦度が多少悪化する（塗布面ディッ
プ）などプロセス的に制約が大きかった。
【０００５】従来の技術について、更に詳しく説明する
と、次のとおりである。従来の技術にあっては、図１５
ないし図１７にその製造システムのプロセスのプロセス
フローを示すように、次の工程を用いていた。
と、次のとおりである。従来の技術にあっては、図１５
ないし図１７にその製造システムのプロセスのプロセス
フローを示すように、次の工程を用いていた。
【０００６】層間絶縁膜１上に配線形成用のＡｌをス
パッター法等で形成した後パターニングして配線２を形
成する。次にＣＶＤ法により絶縁膜３であるＳｉＯ2 を
堆積する。このときＳｉＯ2 絶縁膜３は、凸部をなす配
線２により形成された下地段差を反映して、凹凸をもつ
段差形状をなす（図１５）。
パッター法等で形成した後パターニングして配線２を形
成する。次にＣＶＤ法により絶縁膜３であるＳｉＯ2 を
堆積する。このときＳｉＯ2 絶縁膜３は、凸部をなす配
線２により形成された下地段差を反映して、凹凸をもつ
段差形状をなす（図１５）。
【０００７】ＳＯＧ４をコーティング法により塗布す
る（図１６）。
る（図１６）。
【０００８】ＳＯＧ４と絶縁膜３であるＳｉＯ2 のエ
ッチングレートを同じにして、配線２（Ａｌ）上のＳｉ
Ｏ2 の途中までエッチバックする（図１７）。
ッチングレートを同じにして、配線２（Ａｌ）上のＳｉ
Ｏ2 の途中までエッチバックする（図１７）。
【０００９】上記したＳＯＧを使った従来法では、配線
であるＡｌの間隔が広くなると（例えば１０μｍを超え
る広いスペースＳ1 になると）、ＳＯＧの特性により図
１７に符号４１で示すように層間膜がへこんでしまい、
完全な平坦化ができなかったという問題がある（図１５
に狭いスペース、例えば１μｍ未満のスペースをＳ2で
示し、上記広いスペースをＳ1 で示す）。
であるＡｌの間隔が広くなると（例えば１０μｍを超え
る広いスペースＳ1 になると）、ＳＯＧの特性により図
１７に符号４１で示すように層間膜がへこんでしまい、
完全な平坦化ができなかったという問題がある（図１５
に狭いスペース、例えば１μｍ未満のスペースをＳ2で
示し、上記広いスペースをＳ1 で示す）。
【００１０】このため、図１８ないし図２０に示す従来
法は、次の工程をとることにより、上記へこみの発生の
問題を解決している。
法は、次の工程をとることにより、上記へこみの発生の
問題を解決している。
【００１１】層間絶縁膜１上に配線形成材料であるＡ
ｌをスパッター法等で形成した後パターニングして配線
２を形成する。次にＣＶＤ法により絶縁膜３であるＳｉ
Ｏ2 を堆積する。この後ダミーパターン形成部にレジス
ト５をパターニングして形成する（図１８）。
ｌをスパッター法等で形成した後パターニングして配線
２を形成する。次にＣＶＤ法により絶縁膜３であるＳｉ
Ｏ2 を堆積する。この後ダミーパターン形成部にレジス
ト５をパターニングして形成する（図１８）。
【００１２】ＲＩＥにて絶縁膜３であるＳｉＯ2 をパ
ターニングしてＳｉＯ2 ダミー６を形成してから、再度
ＳｉＯ2 をＣＶＤして、絶縁膜７を形成する。この後Ｓ
ＯＧ４をコーティング法により塗布する（図１９）。
ターニングしてＳｉＯ2 ダミー６を形成してから、再度
ＳｉＯ2 をＣＶＤして、絶縁膜７を形成する。この後Ｓ
ＯＧ４をコーティング法により塗布する（図１９）。
【００１３】ＳＯＧ４と絶縁膜７であるＳｉＯ2 のエ
ッチングレートを同じにして、配線２であるＡｌ上のＳ
ｉＯ2 の途中までエッチバックする（図２０）。
ッチングレートを同じにして、配線２であるＡｌ上のＳ
ｉＯ2 の途中までエッチバックする（図２０）。
【００１４】この方法は、ＳｉＯ2 ダミー６を配線２で
あるＡｌ間隔の広いところに置いて、上記した図１５な
いし図１７に示したプロセスの問題だった層間膜のへこ
みが発生しないようにしている。なお、このＳｉＯ2 ダ
ミーはＡｌダミーに置き換えても同様な効果が得られ、
図２１ないし図２３には、Ａｌダミー２１を形成した場
合の例を示した。
あるＡｌ間隔の広いところに置いて、上記した図１５な
いし図１７に示したプロセスの問題だった層間膜のへこ
みが発生しないようにしている。なお、このＳｉＯ2 ダ
ミーはＡｌダミーに置き換えても同様な効果が得られ、
図２１ないし図２３には、Ａｌダミー２１を形成した場
合の例を示した。
【００１５】上記図１８ないし図２０に示すＳｉＯ2 ダ
ミー６を用いる方法では、ＳｉＯ2ダミー６を形成する
工程が増加し、プロセスのコストアップが問題となって
いる。Ａｌダミー方式（図２１ないし図２３）では、Ｓ
ｉＯ2 ダミーの発生工程が不要となるため、工程増を避
けられるが、マスクにＡｌダミーを発生させる必要があ
り、マスク作成作業の手間が増える点が問題となってい
た。
ミー６を用いる方法では、ＳｉＯ2ダミー６を形成する
工程が増加し、プロセスのコストアップが問題となって
いる。Ａｌダミー方式（図２１ないし図２３）では、Ｓ
ｉＯ2 ダミーの発生工程が不要となるため、工程増を避
けられるが、マスクにＡｌダミーを発生させる必要があ
り、マスク作成作業の手間が増える点が問題となってい
た。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決して、特にダミーパターンの形成を要
さずに良好な平坦化膜を形成することができる絶縁膜の
形成方法を提供することを目的とする。
術の問題点を解決して、特にダミーパターンの形成を要
さずに良好な平坦化膜を形成することができる絶縁膜の
形成方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、段差
を有する下地上にＳＯＧを塗布して処理することにより
平坦化絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法であって、該
ＳＯＧ中には、ＳＯＧよりもエッチング速度が高い固形
物質が混入されており、該ＳＯＧを下地上に塗布し、更
に固形物質の方がＳＯＧよりもエッチング速度が高い条
件でエッチバックを行うことを特徴とする絶縁膜の形成
方法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
を有する下地上にＳＯＧを塗布して処理することにより
平坦化絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法であって、該
ＳＯＧ中には、ＳＯＧよりもエッチング速度が高い固形
物質が混入されており、該ＳＯＧを下地上に塗布し、更
に固形物質の方がＳＯＧよりもエッチング速度が高い条
件でエッチバックを行うことを特徴とする絶縁膜の形成
方法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
【００１８】請求項２の発明は、段差を有する下地上に
ＳＯＧを塗布して処理することにより平坦化絶縁膜を形
成する絶縁膜の形成方法であって、ＳＯＧ塗布前に、Ｓ
ＯＧよりもエッチング速度が高い固形物質を配置し、そ
の後ＳＯＧを塗布し、更に固形物質の方がＳＯＧよりも
エッチング速度が高い条件でエッチバックを行うことを
特徴とする絶縁膜の形成方法であって、これにより上記
目的を達成するものである。
ＳＯＧを塗布して処理することにより平坦化絶縁膜を形
成する絶縁膜の形成方法であって、ＳＯＧ塗布前に、Ｓ
ＯＧよりもエッチング速度が高い固形物質を配置し、そ
の後ＳＯＧを塗布し、更に固形物質の方がＳＯＧよりも
エッチング速度が高い条件でエッチバックを行うことを
特徴とする絶縁膜の形成方法であって、これにより上記
目的を達成するものである。
【００１９】請求項３の発明は、前記固形物質が、Ｓｉ
Ｏ ２ 系物質（例えばリンをドープしたＳｉＯ ２ 系物質
等）またはＳｉＮ系物質（例えばＰ−ＳｉＮ系物質）で
あることを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁膜
の形成方法であって、これにより上記目的を達成するも
のである。
Ｏ ２ 系物質（例えばリンをドープしたＳｉＯ ２ 系物質
等）またはＳｉＮ系物質（例えばＰ−ＳｉＮ系物質）で
あることを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁膜
の形成方法であって、これにより上記目的を達成するも
のである。
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】本発明において、ＳＯＧとは、塗布可能で
あり、かつ塗布後に焼成等の処理を行うことで絶縁材
（ＳｉＯ2 等）を得ることのできるものを言う。いわゆ
る有機ＳＯＧ、無機ＳＯＧを任意に用いることができ
る。通常、溶剤に溶かすことによって塗布可能にされて
いる。一般に、シリコンを含み（例えばシラノール基の
形で含む）、有機溶剤等の溶剤に溶かして塗布できるも
のが好ましく用いられる。具体的には、シラノールＳｉ
（ＯＨ）4 をエチルアルコールＣ2 Ｈ5 ＯＨに溶解して
成るもの、オルガノシラノールＲn Ｓｉ（ＯＨ）
4-n （ｎは１〜３）をブチルセルソルブＨＯＣＨ2 ＣＨ
2 ＣＨ2 ＯＣ4 Ｈ9 に溶解して成るもの等を挙げること
ができる。
あり、かつ塗布後に焼成等の処理を行うことで絶縁材
（ＳｉＯ2 等）を得ることのできるものを言う。いわゆ
る有機ＳＯＧ、無機ＳＯＧを任意に用いることができ
る。通常、溶剤に溶かすことによって塗布可能にされて
いる。一般に、シリコンを含み（例えばシラノール基の
形で含む）、有機溶剤等の溶剤に溶かして塗布できるも
のが好ましく用いられる。具体的には、シラノールＳｉ
（ＯＨ）4 をエチルアルコールＣ2 Ｈ5 ＯＨに溶解して
成るもの、オルガノシラノールＲn Ｓｉ（ＯＨ）
4-n （ｎは１〜３）をブチルセルソルブＨＯＣＨ2 ＣＨ
2 ＣＨ2 ＯＣ4 Ｈ9 に溶解して成るもの等を挙げること
ができる。
【００２４】また本発明において、固形物質をＳＯＧ中
に混入させるのは、固形物質をサスペンド（懸濁）させ
たり、コンパウンドさせ、あるいは分散させてＳＯＧ中
に含有させる態様で実施できる。
に混入させるのは、固形物質をサスペンド（懸濁）させ
たり、コンパウンドさせ、あるいは分散させてＳＯＧ中
に含有させる態様で実施できる。
【００２５】
【作用】本発明によれば、層間平坦化等に使用する絶縁
膜形成用ＳＯＧ中に処理後のＳＯＧよりもＲＩＥ等のエ
ッチングにおけるエッチング速度が高い物質（例えばＰ
−ＳｉＮやリンドープのＳｉＯ2 等）を混入するので、
このＳＯＧを使い平坦化を行うことで、線間距離の広い
時は固形物質が線間を埋めて平坦化ができ、狭い時はＳ
ＯＧのみで平坦化される。この時層間絶縁膜上に残った
固形物質は、除去工程である例えばエッチバック中にい
ちはやくエッチング除去され、平坦化に影響しない。こ
のため、従来と同様のＳＯＧ平坦化プロセスを用いて、
かつダミーを形成する必要なく、しかも線間距離の如何
に関わらず常に良好な平坦化形状が得られる。
膜形成用ＳＯＧ中に処理後のＳＯＧよりもＲＩＥ等のエ
ッチングにおけるエッチング速度が高い物質（例えばＰ
−ＳｉＮやリンドープのＳｉＯ2 等）を混入するので、
このＳＯＧを使い平坦化を行うことで、線間距離の広い
時は固形物質が線間を埋めて平坦化ができ、狭い時はＳ
ＯＧのみで平坦化される。この時層間絶縁膜上に残った
固形物質は、除去工程である例えばエッチバック中にい
ちはやくエッチング除去され、平坦化に影響しない。こ
のため、従来と同様のＳＯＧ平坦化プロセスを用いて、
かつダミーを形成する必要なく、しかも線間距離の如何
に関わらず常に良好な平坦化形状が得られる。
【００２６】
【実施例】以下本発明の実施例について、詳述する。但
し、当然のことではあるが、本発明は以下の実施例によ
り限定を受けるものではない。
し、当然のことではあるが、本発明は以下の実施例によ
り限定を受けるものではない。
【００２７】実施例１ この実施例は、本発明を、微細化、集積化した半導体装
置であって、かつ下地の平坦化が必要な半導体装置の製
造のプロセスにおける平坦化絶縁膜の製造の場合に具体
化したものである。
置であって、かつ下地の平坦化が必要な半導体装置の製
造のプロセスにおける平坦化絶縁膜の製造の場合に具体
化したものである。
【００２８】本実施例において用いるＳＯＧは、塗布し
て処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成用Ｓ
ＯＧであって、該ＳＯＧ中には、ＳＯＧよりもエッチン
グ速度が高い固形物質を混入させたものである。
て処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成用Ｓ
ＯＧであって、該ＳＯＧ中には、ＳＯＧよりもエッチン
グ速度が高い固形物質を混入させたものである。
【００２９】本実施例では、ＳＯＧに混入させる固形物
質として、リン等の不純物をドープしたＳｉＯ2 系材料
を破砕したもの、またはＳｉＯ2 系膜を形成時にポーラ
ス（多孔質）に仕上げてこれを破砕して作ったもの、Ｓ
ｉＮｘ系の材料を破砕したものを用いた。
質として、リン等の不純物をドープしたＳｉＯ2 系材料
を破砕したもの、またはＳｉＯ2 系膜を形成時にポーラ
ス（多孔質）に仕上げてこれを破砕して作ったもの、Ｓ
ｉＮｘ系の材料を破砕したものを用いた。
【００３０】本実施例では、絶縁膜をＳＯＧにより形成
し、該ＳＯＧ中には、ＳＯＧよりもエッチング速度が高
い固形物質を混入させ、該ＳＯＧを塗布後処理すること
によりこの絶縁膜を形成した。
し、該ＳＯＧ中には、ＳＯＧよりもエッチング速度が高
い固形物質を混入させ、該ＳＯＧを塗布後処理すること
によりこの絶縁膜を形成した。
【００３１】本実施例では、図１に示すように段差を有
する下地上にＳＯＧ４を塗布して処理することにより平
坦化絶縁膜を形成する際、該ＳＯＧ中には、処理後のＳ
ＯＧよりもエッチング速度が高い固形物質を混入し、該
ＳＯＧを下地上に塗布（図２、図３）後処理し、更にエ
ッチバックを行って、図１の構造を得る。
する下地上にＳＯＧ４を塗布して処理することにより平
坦化絶縁膜を形成する際、該ＳＯＧ中には、処理後のＳ
ＯＧよりもエッチング速度が高い固形物質を混入し、該
ＳＯＧを下地上に塗布（図２、図３）後処理し、更にエ
ッチバックを行って、図１の構造を得る。
【００３２】更に詳しく本実施例のシステム全体とプロ
セスフローを述べると、次のとおりである。
セスフローを述べると、次のとおりである。
【００３３】本実施例においては、ＳＯＧの中にＳＯＧ
やＳｉＯ2 に比べ、ＲＩＥ等のエッチングレートが非常
に高い物質（上記した不純物ドープＳｉＯ2 、ポーラス
ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ｐｏｌｙ Ｓｉなど。各々につい
て、ＲＩＥのエッチング条件を適正に定める。）の破砕
粒子をサスペンドさせたＳＯＧを用いる。これを従来工
程のＳＯＧ塗布工程に用いる。
やＳｉＯ2 に比べ、ＲＩＥ等のエッチングレートが非常
に高い物質（上記した不純物ドープＳｉＯ2 、ポーラス
ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ｐｏｌｙ Ｓｉなど。各々につい
て、ＲＩＥのエッチング条件を適正に定める。）の破砕
粒子をサスペンドさせたＳＯＧを用いる。これを従来工
程のＳＯＧ塗布工程に用いる。
【００３４】この時、本実施例においては、固形分の粒
子サイズをＡ１段差より小さくした。
子サイズをＡ１段差より小さくした。
【００３５】以下に本実施例の平坦化プロセスフロー例
を述べる。本実施例では以下の〜の工程を行った。 層間絶縁膜１上に配線形成材料であるＡｌをスパッタ
ー法等で形成した後、パターニングして、配線２を形成
する。次にＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を堆積して絶縁膜３
を形成する（図２）。 この後本発明に係るＳＯＧを塗布する。ＳＯＧ成分は
符号４で示し、固形部は符号３１で示す。この時、固形
分３１はＡｌ間とＡｌ上に付着するが、Ａｌ間の固形分
は従来のＳｉＯ2 ダミーのように働き、ＳＯＧへこみを
防止する。
を述べる。本実施例では以下の〜の工程を行った。 層間絶縁膜１上に配線形成材料であるＡｌをスパッタ
ー法等で形成した後、パターニングして、配線２を形成
する。次にＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を堆積して絶縁膜３
を形成する（図２）。 この後本発明に係るＳＯＧを塗布する。ＳＯＧ成分は
符号４で示し、固形部は符号３１で示す。この時、固形
分３１はＡｌ間とＡｌ上に付着するが、Ａｌ間の固形分
は従来のＳｉＯ2 ダミーのように働き、ＳＯＧへこみを
防止する。
【００３６】また、Ａｌ上の固形３１分は、ＳＯＧがそ
の上を薄くしか覆わないのでここには着きにくいこと
と、符号３１′で示すように付着したりしてもこの固形
分のＲＩＥのエッチングレートが非常に高いことのため
に、これはエッチバック時に消滅して、層間平坦化には
影響を与えない。
の上を薄くしか覆わないのでここには着きにくいこと
と、符号３１′で示すように付着したりしてもこの固形
分のＲＩＥのエッチングレートが非常に高いことのため
に、これはエッチバック時に消滅して、層間平坦化には
影響を与えない。
【００３７】即ち、ＳＯＧ塗布後エッチバックを行って
平坦化するが、エッチバック時のエッチングの進行する
様子は、図３に示すとおりである。符号４ａはＳＯＧコ
ート後を示し、符号４ｂ，４ｃはエッチング途中を示
し、符号４ｄはエッチング終了時点の状態を示す。この
ようにエッチングが順次進行して、平坦化がなされる。
平坦化するが、エッチバック時のエッチングの進行する
様子は、図３に示すとおりである。符号４ａはＳＯＧコ
ート後を示し、符号４ｂ，４ｃはエッチング途中を示
し、符号４ｄはエッチング終了時点の状態を示す。この
ようにエッチングが順次進行して、平坦化がなされる。
【００３８】次に、ＳＯＧとＳｉＯ2 のエッチングレ
ートを同じにして、配線２であるＡｌ上のＳｉＯ2 の途
中までエッチバックする。即ち、図３の符号４ｄの所ま
でエッチバックして、図１の構造を得る。ここでＳＯＧ
４中には固形分が残るが（符号３１参照）、ＳＯＧが焼
成処理されてデンシファイされるとともにこの固形分も
ＳｉＯ2 層間膜として一体化する。
ートを同じにして、配線２であるＡｌ上のＳｉＯ2 の途
中までエッチバックする。即ち、図３の符号４ｄの所ま
でエッチバックして、図１の構造を得る。ここでＳＯＧ
４中には固形分が残るが（符号３１参照）、ＳＯＧが焼
成処理されてデンシファイされるとともにこの固形分も
ＳｉＯ2 層間膜として一体化する。
【００３９】本実施例によれば、ＳＯＧ中にＲＩＥ等の
エッチバックにおけるエッチング速度が高いＳｉＯ2 等
の固形物質を分散させておいたので、下記のような具体
的な効果が得られた。
エッチバックにおけるエッチング速度が高いＳｉＯ2 等
の固形物質を分散させておいたので、下記のような具体
的な効果が得られた。
【００４０】ＳＯＧ中に分散させた固形物質が、自動
的に広い配線間（Ａｌ線間）に入ることで、ダミーパタ
ーンとなって働くため、ＳＯＧ塗布／エッチバックだけ
で層間平坦化が行え、工程短縮、コスト低減が可能とな
る。 ダミーパターンを必要としなくなるため、配線間隔の
設定に自由度が大きくなる。即ち、例えば本実施例のよ
うにして、粒子サイズを小さくしていくと、従来はダミ
ーパターンを必要としていたＡｌ線間距離間隔を小さく
でき、Ａｌ配線間隔の自由度が上がり、配線設計の自由
度が上がる。 マスクにダミーパターンを作り込む必要がなくなりマ
スク作製コスト、作製期間、マスク欠陥の発生率の低減
に大きな効果をもつ。
的に広い配線間（Ａｌ線間）に入ることで、ダミーパタ
ーンとなって働くため、ＳＯＧ塗布／エッチバックだけ
で層間平坦化が行え、工程短縮、コスト低減が可能とな
る。 ダミーパターンを必要としなくなるため、配線間隔の
設定に自由度が大きくなる。即ち、例えば本実施例のよ
うにして、粒子サイズを小さくしていくと、従来はダミ
ーパターンを必要としていたＡｌ線間距離間隔を小さく
でき、Ａｌ配線間隔の自由度が上がり、配線設計の自由
度が上がる。 マスクにダミーパターンを作り込む必要がなくなりマ
スク作製コスト、作製期間、マスク欠陥の発生率の低減
に大きな効果をもつ。
【００４１】実施例２ 本実施例においても、ＳＯＧの中にＳＯＧやＳｉＯ2 に
比べ、ＲＩＥ等のエッチングレートが非常に高い物質
（上記した不純物ドープＳｉＯ2 、ポーラスＳｉＯ2 、
ＳｉＮ、ｐｏｌｙ Ｓｉなど。各々について、ＲＩＥの
エッチング条件を適正に定める。）の破砕粒子をサスペ
ンドさせたＳＯＧを用いる。これを従来と同様の工程の
ＳＯＧ塗布平坦化工程に用いる。但し、実施例１におい
ては、固形分の粒子サイズを配線Ａ１段差より小さくし
たが、本実施例では、固形分の粒子サイズが段差よりも
大きいものを用いた。
比べ、ＲＩＥ等のエッチングレートが非常に高い物質
（上記した不純物ドープＳｉＯ2 、ポーラスＳｉＯ2 、
ＳｉＮ、ｐｏｌｙ Ｓｉなど。各々について、ＲＩＥの
エッチング条件を適正に定める。）の破砕粒子をサスペ
ンドさせたＳＯＧを用いる。これを従来と同様の工程の
ＳＯＧ塗布平坦化工程に用いる。但し、実施例１におい
ては、固形分の粒子サイズを配線Ａ１段差より小さくし
たが、本実施例では、固形分の粒子サイズが段差よりも
大きいものを用いた。
【００４２】以下に本実施例の平坦化プロセスフロー例
を述べる。本実施例では以下の〜の工程を行った。 実施例１と同様、層間絶縁膜１上に配線形成材料であ
るＡｌをスパッター法等で形成した後、パターニングし
て、配線２を形成する。次にＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を
堆積して絶縁膜３を形成し、図５の構造とする。 この後本発明に係るＳＯＧを塗布する。ＳＯＧ成分は
符号４で示し、固形部は符号３１で示す。この時、固形
分３１はＡｌ間とＡｌ上に付着する。本実施例では、固
形分３１は段差凹部から突出する形となるが、Ａｌ間の
この凹部における固形分は従来のＳｉＯ2 ダミーのよう
に働き、ＳＯＧへこみを防止する。
を述べる。本実施例では以下の〜の工程を行った。 実施例１と同様、層間絶縁膜１上に配線形成材料であ
るＡｌをスパッター法等で形成した後、パターニングし
て、配線２を形成する。次にＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を
堆積して絶縁膜３を形成し、図５の構造とする。 この後本発明に係るＳＯＧを塗布する。ＳＯＧ成分は
符号４で示し、固形部は符号３１で示す。この時、固形
分３１はＡｌ間とＡｌ上に付着する。本実施例では、固
形分３１は段差凹部から突出する形となるが、Ａｌ間の
この凹部における固形分は従来のＳｉＯ2 ダミーのよう
に働き、ＳＯＧへこみを防止する。
【００４３】実施例１と同様Ａｌ上の固形３１分は、Ｓ
ＯＧがその上を薄くしか覆わないのでここには着きにく
いことと、符号３１′で示すように付着したりしてもこ
の固形分のＲＩＥのエッチングレートが非常に高いこと
のために、これはエッチバック時に消滅して、層間平坦
化には影響を与えない。
ＯＧがその上を薄くしか覆わないのでここには着きにく
いことと、符号３１′で示すように付着したりしてもこ
の固形分のＲＩＥのエッチングレートが非常に高いこと
のために、これはエッチバック時に消滅して、層間平坦
化には影響を与えない。
【００４４】本実施例におけるＳＯＧ塗布後、エッチバ
ックを行って平坦化する場合のエッチバック時のエッチ
ングの進行する様子は、図６に示すとおりである。符号
４ａはＳＯＧコート後を示し、符号４ｂ，４ｃはエッチ
ング途中を示し、符号４ｄはエッチング終了時点の状態
を示す。このようにエッチングが順次進行して、平坦化
がなされる。
ックを行って平坦化する場合のエッチバック時のエッチ
ングの進行する様子は、図６に示すとおりである。符号
４ａはＳＯＧコート後を示し、符号４ｂ，４ｃはエッチ
ング途中を示し、符号４ｄはエッチング終了時点の状態
を示す。このようにエッチングが順次進行して、平坦化
がなされる。
【００４５】本実施例では、更に、その上に通常のＳ
ＯＧ４０（固形分を特に含まないＳＯＧ）を塗布して、
平坦化する。即ち、本実施例のように固形分３１の粒子
サイズをＡｌ段差より大きくした場合、Ａｌスペース部
の固形分がエッチングされて図６のライン４ｄで示すよ
うに必ずしも平坦化されないが、図７のように、再度通
常のＳＯＧコートで平坦化できる。本実施例はこのよう
に固形分のサイズが小さく加工できない場合（例えばＡ
ｌ配線が薄い構造の場合）は、このような方法で対応す
ることができることを示す。
ＯＧ４０（固形分を特に含まないＳＯＧ）を塗布して、
平坦化する。即ち、本実施例のように固形分３１の粒子
サイズをＡｌ段差より大きくした場合、Ａｌスペース部
の固形分がエッチングされて図６のライン４ｄで示すよ
うに必ずしも平坦化されないが、図７のように、再度通
常のＳＯＧコートで平坦化できる。本実施例はこのよう
に固形分のサイズが小さく加工できない場合（例えばＡ
ｌ配線が薄い構造の場合）は、このような方法で対応す
ることができることを示す。
【００４６】なお、アニールを加えて固形分のデンシフ
ァイを図り、ＳＯＧとエッチングレートを揃える方法も
ある。
ァイを図り、ＳＯＧとエッチングレートを揃える方法も
ある。
【００４７】最後に、ＳＯＧとＳｉＯ2 のエッチングレ
ートを同じにして、配線２であるＡｌ上のＳｉＯ2 の途
中までエッチバックする。即ち図４の符号４ｅの所まで
エッチバックし、図４の構造を得る。ここでＳＯＧ４中
には固形分が残るが、ＳＯＧが焼成処理されてデンシフ
ァイされるとともにＳｉＯ2 層間膜として一体化する。
ートを同じにして、配線２であるＡｌ上のＳｉＯ2 の途
中までエッチバックする。即ち図４の符号４ｅの所まで
エッチバックし、図４の構造を得る。ここでＳＯＧ４中
には固形分が残るが、ＳＯＧが焼成処理されてデンシフ
ァイされるとともにＳｉＯ2 層間膜として一体化する。
【００４８】また、粒子サイズが混じっている場合も、
上記と同様の対応を行えばよい。
上記と同様の対応を行えばよい。
【００４９】実施例３ 本実施例は、ＳＯＧ塗布前にＳＯＧよりエッチング速度
が高い固形物質３１を配置し、その後、ＳＯＧ４を塗布
し更にエッチバックを行って、図８の平坦化構造を得る
構成としたものである。
が高い固形物質３１を配置し、その後、ＳＯＧ４を塗布
し更にエッチバックを行って、図８の平坦化構造を得る
構成としたものである。
【００５０】特に本実施例では、固形物質として、Ｓｉ
Ｏ2 系物質またはＳｉＮ系物質を用いた。
Ｏ2 系物質またはＳｉＮ系物質を用いた。
【００５１】本実施例では、ＳＯＧ塗布前に、ＳＯＧや
ＳｉＯ2 に比べＲＩＥ等にエッチングレートが非常に高
い固形物質をウェーハ上に散布しておき、この後従来と
同様のＳＯＧ平坦化プロセスを行うだけで、層間平坦化
ができる。
ＳｉＯ2 に比べＲＩＥ等にエッチングレートが非常に高
い固形物質をウェーハ上に散布しておき、この後従来と
同様のＳＯＧ平坦化プロセスを行うだけで、層間平坦化
ができる。
【００５２】ここでは、破砕粒子を下地絶縁膜上に付着
させておき、その後従来工程のＳＯＧコート工程を行
う。
させておき、その後従来工程のＳＯＧコート工程を行
う。
【００５３】上記下地上に配置する固形物質は、ＳＯＧ
やＳｉＯ2 に比べ、ＲＩＥ等のエッチングレートの高い
物質（例えばＰＳＧ、ＰＳｉＮ等）を破砕等により細か
く砕くことで生成するようにした。
やＳｉＯ2 に比べ、ＲＩＥ等のエッチングレートの高い
物質（例えばＰＳＧ、ＰＳｉＮ等）を破砕等により細か
く砕くことで生成するようにした。
【００５４】以下に、本実施例の平坦化プロセスフロー
例を述べる。図８及び図９、図１０を参照する。ここで
は以下の〜の工程をとった。
例を述べる。図８及び図９、図１０を参照する。ここで
は以下の〜の工程をとった。
【００５５】層間絶縁膜１上に配線形成材料であるＡ
ｌをスパッター法等で形成した後パターニングして、配
線２を形成する。次にＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を堆積
し、絶縁膜３を形成する。次に固形物質３１の散布を行
う。この時この固形物質３１は配線２間（Ａｌ線間）に
も入り込む（図９）。
ｌをスパッター法等で形成した後パターニングして、配
線２を形成する。次にＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を堆積
し、絶縁膜３を形成する。次に固形物質３１の散布を行
う。この時この固形物質３１は配線２間（Ａｌ線間）に
も入り込む（図９）。
【００５６】この後ＳＯＧ４を塗布する。この時、固
形分がＡｌ線間に入り込んでいるために広いＡｌ線間の
ＳＯＧ平坦化が可能となる。即ち、Ａｌ線間の凹部の固
形物質３１は図１０に示すように従来のＳｉＯ2 ダミー
のように働き、ＳＯＧのへこみを防止する。また、Ａｌ
上の固形分は、前記各例と同様、ＳＯＧがその上を薄く
覆うことと、固形分のＲＩＥのエッチングレートが非常
に高いことのために、エッチバック時に消滅して層間平
坦化には影響を与えない。
形分がＡｌ線間に入り込んでいるために広いＡｌ線間の
ＳＯＧ平坦化が可能となる。即ち、Ａｌ線間の凹部の固
形物質３１は図１０に示すように従来のＳｉＯ2 ダミー
のように働き、ＳＯＧのへこみを防止する。また、Ａｌ
上の固形分は、前記各例と同様、ＳＯＧがその上を薄く
覆うことと、固形分のＲＩＥのエッチングレートが非常
に高いことのために、エッチバック時に消滅して層間平
坦化には影響を与えない。
【００５７】このエッチバック時のエッチングの進行す
る様子を図１０に示す。４ａでＳＯＧ塗布後、４ｂ，４
ｃはエッチング途中、４ｄはエッチング終了時での状況
を示す。
る様子を図１０に示す。４ａでＳＯＧ塗布後、４ｂ，４
ｃはエッチング途中、４ｄはエッチング終了時での状況
を示す。
【００５８】ＳＯＧとＳｉＯ2 のエッチングレートを
同じにして、Ａｌ上のＳｉＯ2 の途中までエッチバック
する。ＳＯＧ中には固形分が残るが、ＳＯＧのデンシフ
ァイにてＳｉＯ2 層間膜として一体化する。これにより
図８の平坦化構造が得られた。
同じにして、Ａｌ上のＳｉＯ2 の途中までエッチバック
する。ＳＯＧ中には固形分が残るが、ＳＯＧのデンシフ
ァイにてＳｉＯ2 層間膜として一体化する。これにより
図８の平坦化構造が得られた。
【００５９】本実施例によれば、ＲＩＥ等のエッチング
レートが高いＳｉＯ2 等の固形物質をウェーハに散布し
ておき、この後ＳＯＧ塗布／ＲＩＥでエッチバックの従
来のＳＯＧ平坦化プロセスを行うことで、以下の効果が
得られる。
レートが高いＳｉＯ2 等の固形物質をウェーハに散布し
ておき、この後ＳＯＧ塗布／ＲＩＥでエッチバックの従
来のＳＯＧ平坦化プロセスを行うことで、以下の効果が
得られる。
【００６０】ウェーハ上に散布した固形物質が広いＡ
ｌ線間に入りダミーパターンとなって働くため、ＳＯＧ
塗布後にＳＯＧが平坦化されて塗布された形状となるこ
とにより、ＳＯＧ塗布／エッチバックだけでＡｌ層間平
坦化が行え、工程短縮、コスト低減が可能となる。
ｌ線間に入りダミーパターンとなって働くため、ＳＯＧ
塗布後にＳＯＧが平坦化されて塗布された形状となるこ
とにより、ＳＯＧ塗布／エッチバックだけでＡｌ層間平
坦化が行え、工程短縮、コスト低減が可能となる。
【００６１】ダミーパターンを必要としなくなるた
め、配線間隔の設定の自由度が大きくなる。
め、配線間隔の設定の自由度が大きくなる。
【００６２】マスクにダミーパターンを作り込む必要
がなくなり、マスク作成コスト、作成期間、マスク欠陥
の発生率の低減に大きな効果が期待できる。
がなくなり、マスク作成コスト、作成期間、マスク欠陥
の発生率の低減に大きな効果が期待できる。
【００６３】実施例４ 図１１に本実施例の構造を示し、図１２ないし図１４に
この工程を示す。
この工程を示す。
【００６４】本実施例では、粒子サイズをＡｌ段差より
大きくした場合である。この場合、実施例３と同様の工
程で図１２及び図１３の構造を得ると、Ａｌスペース部
の固形分がエッチングされる（図１３参照）が、図１４
に示すように、再度通常のＳＯＧコート（符号４０で示
す）で平坦化できる。固形分のサイズが小さく加工でき
ない場合や、Ａｌ配線が薄く構造の場合はこの対応が必
要となる。
大きくした場合である。この場合、実施例３と同様の工
程で図１２及び図１３の構造を得ると、Ａｌスペース部
の固形分がエッチングされる（図１３参照）が、図１４
に示すように、再度通常のＳＯＧコート（符号４０で示
す）で平坦化できる。固形分のサイズが小さく加工でき
ない場合や、Ａｌ配線が薄く構造の場合はこの対応が必
要となる。
【００６５】このエッチバック時にエッチングの進行す
る様子は、図１３に、符号４ａ〜４ｄで示した。
る様子は、図１３に、符号４ａ〜４ｄで示した。
【００６６】符号４ａは、ＳＯＧコート後、４ｂ，４ｃ
は、エッチング途中の状況、４ｄはエッチング終了時、
図１１の４ｅは２回目のエッチバック終了時の状況を示
す。
は、エッチング途中の状況、４ｄはエッチング終了時、
図１１の４ｅは２回目のエッチバック終了時の状況を示
す。
【００６７】図１４、図１５には２回目のＳＯＧコート
と２回目のエッチバックを示す。
と２回目のエッチバックを示す。
【００６８】図１３にてアニールを加えて固形分のデン
シファイを図り、ＳＯＧとエッチングレートを揃える構
成としてもよい。
シファイを図り、ＳＯＧとエッチングレートを揃える構
成としてもよい。
【００６９】付着する固形分の材質としては、ＳｉＯ2
系材料を主成分として、リン等の不純物を添加した物を
破砕して作る。あるいはＳｉＯ2 系膜を形成時にポーラ
ス（多孔質）に仕上げてこれを破砕して作る。あるいは
ＳｉＮｘ系等プラズマエッチングでのエッチングレート
が高くなる材料で作ることができる。
系材料を主成分として、リン等の不純物を添加した物を
破砕して作る。あるいはＳｉＯ2 系膜を形成時にポーラ
ス（多孔質）に仕上げてこれを破砕して作る。あるいは
ＳｉＮｘ系等プラズマエッチングでのエッチングレート
が高くなる材料で作ることができる。
【００７０】固形分のサイズは、その粒子サイズを小さ
くしていくと、従来はダミーを必要としたＡｌ線間距離
間隔が小さくなり、適切に粒子サイズを選ぶことでＡｌ
線間ダミーが不要にできるため、Ａｌ配線間隔の自由度
が上がる。一方、粒子サイズが混じっている場合には、
本実施例の構成で対応する。
くしていくと、従来はダミーを必要としたＡｌ線間距離
間隔が小さくなり、適切に粒子サイズを選ぶことでＡｌ
線間ダミーが不要にできるため、Ａｌ配線間隔の自由度
が上がる。一方、粒子サイズが混じっている場合には、
本実施例の構成で対応する。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の絶縁膜の
形成方法によれば、特にダミーパターンの形成を要さず
に良好な平坦化膜を形成することができる。
形成方法によれば、特にダミーパターンの形成を要さず
に良好な平坦化膜を形成することができる。
【図１】実施例１の構造を示す断面図である。
【図２】実施例１の工程を示す断面図である（１）。
【図３】実施例１の工程を示す断面図である（２）。
【図４】実施例２の工程を示す断面図である（１）。
【図５】実施例２の工程を示す断面図である（２）。
【図６】実施例２の工程を示す断面図である（３）。
【図７】実施例２の工程を示す断面図である（４）。
【図８】実施例３の構造を示す断面図である。
【図９】実施例３の工程を示す断面図である（１）。
【図１０】実施例３の工程を示す断面図である（２）。
【図１１】実施例４の構造を示す断面図である。
【図１２】実施例４の工程を示す断面図である（１）。
【図１３】実施例４の工程を示す断面図である（２）。
【図１４】実施例４の工程を示す断面図である（３）。
【図１５】従来技術１の工程を示す断面図である
（１）。
（１）。
【図１６】従来技術１の工程を示す断面図である
（２）。
（２）。
【図１７】従来技術１の工程を示す断面図である
（３）。
（３）。
【図１８】従来技術２の工程を示す断面図である
（１）。
（１）。
【図１９】従来技術２の工程を示す断面図である
（２）。
（２）。
【図２０】従来技術２の工程を示す断面図である
（３）。
（３）。
【図２１】従来技術３の工程を示す断面図である
（１）。
（１）。
【図２２】従来技術３の工程を示す断面図である
（２）。
（２）。
【図２３】従来技術３の工程を示す断面図である
（３）。
（３）。
１ 下地絶縁膜 ２ 配線（Ａｌ） ３ 絶縁膜（ＳｉＯ2 ） ４ ＳＯＧ ３１ 固形物質
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3205 H01L 21/321 H01L 21/3213 H01L 21/768 H01L 21/316
Claims (3)
- 【請求項１】段差を有する下地上にＳＯＧを塗布して処
理することにより平坦化絶縁膜を形成する絶縁膜の形成
方法であって、 該ＳＯＧ中には、ＳＯＧよりもエッチング速度が高い固
形物質が混入されており、 該ＳＯＧを下地上に塗布し、 更に固形物質の方がＳＯＧよりもエッチング速度が高い
条件でエッチバックを行うことを特徴とする絶縁膜の形
成方法。 - 【請求項２】段差を有する下地上にＳＯＧを塗布して処
理することにより平坦化絶縁膜を形成する絶縁膜の形成
方法であって、 ＳＯＧ塗布前に、ＳＯＧよりもエッチング速度が高い固
形物質を配置し、 その後ＳＯＧを塗布し、 更に固形物質の方がＳＯＧよりもエッチング速度が高い
条件でエッチバックを行うことを特徴とする絶縁膜の形
成方法。 - 【請求項３】前記固形物質が、ＳｉＯ２系物質またはＳ
ｉＮ系物質であることを特徴とする請求項１または２に
記載の絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31768494A JP3355835B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31768494A JP3355835B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153792A JPH08153792A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3355835B2 true JP3355835B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=18090875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31768494A Expired - Fee Related JP3355835B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3355835B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368118A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP31768494A patent/JP3355835B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08153792A (ja) | 1996-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3360350B2 (ja) | 表面平坦化法 | |
| JPH01290236A (ja) | 幅の広いトレンチを平坦化する方法 | |
| JPH0629287A (ja) | 半導体基板の平坦化方法 | |
| JP3163719B2 (ja) | ポリッシュ工程を備えた半導体装置の製造方法 | |
| US5567650A (en) | Method of forming tapered plug-filled via in electrical interconnection | |
| JP3355835B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| US5597764A (en) | Method of contact formation and planarization for semiconductor processes | |
| AU594518B2 (en) | Planarization through silylation | |
| JP3080400B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0758104A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5893270A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07130741A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0165433B1 (ko) | 고집적 반도체장치의 배선형성방법 | |
| JP3033839B2 (ja) | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 | |
| JPH02262338A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08236502A (ja) | 層間絶縁膜の平坦化方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH04307958A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0265256A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06244286A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61256727A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2783898B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3154124B2 (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPH0194623A (ja) | 多層配線半導体装置の製造方法 | |
| JPH04142065A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05175342A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |