JP3349621B2 - レジスト除去用高分子材料と接着シ―ト類およびこれらを用いたレジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去用高分子材料と接着シ―ト類およびこれらを用いたレジスト除去方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体、回路、各種プ
リント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微細加
工部品の製造時において、不要となつたレジスト膜画像
を除去するためのレジスト除去用高分子材料と接着シ―
ト類およびこれらを用いたレジスト除去方法に関するも
のである。
リント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微細加
工部品の製造時において、不要となつたレジスト膜画像
を除去するためのレジスト除去用高分子材料と接着シ―
ト類およびこれらを用いたレジスト除去方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体のデバイス製造において、シリコ
ンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロセ
スで所定のレジスト膜画像（レジストパタ―ン）が形成
され、これをマスクとしてエンツチングしたのち、不要
となつたレジスト膜画像が除去され、所定の回路が形成
される。さらに、つぎの回路を形成するため、再度レジ
スト材を塗布するというサイクルが繰り返し行われる。
また、各種基板に回路を形成する場合も、画像形成後、
不要になつた画像が除去される。
ンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロセ
スで所定のレジスト膜画像（レジストパタ―ン）が形成
され、これをマスクとしてエンツチングしたのち、不要
となつたレジスト膜画像が除去され、所定の回路が形成
される。さらに、つぎの回路を形成するため、再度レジ
スト材を塗布するというサイクルが繰り返し行われる。
また、各種基板に回路を形成する場合も、画像形成後、
不要になつた画像が除去される。
【０００３】不要となつたレジスト膜画像の除去は、ア
ツシヤ―（灰化手段）、溶剤や薬品などにて行われるの
が一般的である。しかしながら、アツシヤ―によると、
除去作業に長時間を要したり、レジスト材中の不純物が
ウエハに注入されるおそれがあり、また半導体基板にダ
メ―ジを与えることがある。また、溶剤や薬品を用いる
方法では、作業環境を害するという問題がある。
ツシヤ―（灰化手段）、溶剤や薬品などにて行われるの
が一般的である。しかしながら、アツシヤ―によると、
除去作業に長時間を要したり、レジスト材中の不純物が
ウエハに注入されるおそれがあり、また半導体基板にダ
メ―ジを与えることがある。また、溶剤や薬品を用いる
方法では、作業環境を害するという問題がある。
【０００４】これらの問題を解消するため、最近では、
高分子重合体の溶液を、除去すべきレジスト膜画像を有
する半導体基板上に塗布し、加熱乾燥などの特定の処理
を施したのち、高分子重合体とレジストとを一体に剥離
する方法や、高分子重合体からなる接着シ―ト類をレジ
スト膜画像の上面に貼り付け、加熱処理などの特定の処
理を施したのち、この接着シ―ト類とレジストを一体に
剥離して、レジスト膜画像を除去する方法が提案されて
いる
高分子重合体の溶液を、除去すべきレジスト膜画像を有
する半導体基板上に塗布し、加熱乾燥などの特定の処理
を施したのち、高分子重合体とレジストとを一体に剥離
する方法や、高分子重合体からなる接着シ―ト類をレジ
スト膜画像の上面に貼り付け、加熱処理などの特定の処
理を施したのち、この接着シ―ト類とレジストを一体に
剥離して、レジスト膜画像を除去する方法が提案されて
いる
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな剥離による処理方法では、除去されるべきレジスト
膜画像の種類や性状によつては、レジストの一部または
微小部分が剥離されないで物品上に残る場合があり、と
くに半導体基板にイオンを注入したり、半導体基板をド
ライエンチングしたのちレジストを除去する際には、レ
ジストが全く除去されない場合があり、そのために、上
記の剥離操作を２度、３度、あるいはそれ以上繰り返す
必要があるといつた問題があつた。
うな剥離による処理方法では、除去されるべきレジスト
膜画像の種類や性状によつては、レジストの一部または
微小部分が剥離されないで物品上に残る場合があり、と
くに半導体基板にイオンを注入したり、半導体基板をド
ライエンチングしたのちレジストを除去する際には、レ
ジストが全く除去されない場合があり、そのために、上
記の剥離操作を２度、３度、あるいはそれ以上繰り返す
必要があるといつた問題があつた。
【０００６】本発明は、このような事情に照らし、半導
体基板などの物品上の不要となつたレジスト膜画像を、
レジストの種類や性状などに左右されることなく、簡単
かつ確実に剥離除去することを目的としている。
体基板などの物品上の不要となつたレジスト膜画像を、
レジストの種類や性状などに左右されることなく、簡単
かつ確実に剥離除去することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、鋭意検討した結果、半導体基板など
の物品上のレジスト膜画像の除去に際し、レジスト除去
体として特定の高分子材料あるいはこの高分子材料をシ
―ト状やテ―プ状などの形態とした接着シ―ト類を用い
ることにより、レジスト膜画像を簡単かつ確実に剥離除
去できることを見い出し、本発明を完成するに至つた。
的を達成するため、鋭意検討した結果、半導体基板など
の物品上のレジスト膜画像の除去に際し、レジスト除去
体として特定の高分子材料あるいはこの高分子材料をシ
―ト状やテ―プ状などの形態とした接着シ―ト類を用い
ることにより、レジスト膜画像を簡単かつ確実に剥離除
去できることを見い出し、本発明を完成するに至つた。
【０００８】すなわち、本発明は、半導体基板などの物
品上に存在するレジスト膜画像を除去するための高分子
材料であつて、重量平均分子量が６，０００以上で、か
つ酸価が１００〜１，０００であることを特徴とするレ
ジスト除去用高分子材料（請求項１）と、この材料中に
重合性単量体やそのオリゴマ―などの硬化性成分を含有
し、熱や光で硬化する性質を備えた上記構成のレジスト
除去用高分子材料（請求項２）と、これらの高分子材料
からなる層を基材上に設けたことを特徴とするレジスト
除去用接着シ―ト類（請求項３）に係るものである。
品上に存在するレジスト膜画像を除去するための高分子
材料であつて、重量平均分子量が６，０００以上で、か
つ酸価が１００〜１，０００であることを特徴とするレ
ジスト除去用高分子材料（請求項１）と、この材料中に
重合性単量体やそのオリゴマ―などの硬化性成分を含有
し、熱や光で硬化する性質を備えた上記構成のレジスト
除去用高分子材料（請求項２）と、これらの高分子材料
からなる層を基材上に設けたことを特徴とするレジスト
除去用接着シ―ト類（請求項３）に係るものである。
【０００９】また、本発明は、レジスト膜画像が存在す
る半導体基板などの物品上に、上記構成のレジスト除去
用高分子材料を塗布し、この材料が熱や光で硬化する性
質を備えたものではその硬化後に、この塗膜とレジスト
材とを一体に剥離することを特徴とするレジスト除去方
法（請求項４）と、レジスト膜画像が存在する半導体基
板などの物品上に、上記構成のレジスト除去用接着シ―
ト類を貼り付け、高分子材料からなる層が熱や光で硬化
する性質を備えたものではその硬化後に、この接着シ―
ト類とレジスト材とを一体に剥離することを特徴とする
レジスト除去方法（請求項６）に係るものである。
る半導体基板などの物品上に、上記構成のレジスト除去
用高分子材料を塗布し、この材料が熱や光で硬化する性
質を備えたものではその硬化後に、この塗膜とレジスト
材とを一体に剥離することを特徴とするレジスト除去方
法（請求項４）と、レジスト膜画像が存在する半導体基
板などの物品上に、上記構成のレジスト除去用接着シ―
ト類を貼り付け、高分子材料からなる層が熱や光で硬化
する性質を備えたものではその硬化後に、この接着シ―
ト類とレジスト材とを一体に剥離することを特徴とする
レジスト除去方法（請求項６）に係るものである。
【００１０】
【発明の構成・作用】本発明における高分子材料は、単
量体を縮重合やラジカル重合して得られる合成高分子の
ほか、天然高分子も含まれ、重量平均分子量が６，００
０以上、好ましくは１万以上、さらに好ましくは１０万
以上で、通常５００万程度までの重合体である。６，０
００未満では皮膜強度が弱くなり、レジストと一体に剥
離する際、破断や凝集破壊が起こるため、レジストを十
分に剥離できない。
量体を縮重合やラジカル重合して得られる合成高分子の
ほか、天然高分子も含まれ、重量平均分子量が６，００
０以上、好ましくは１万以上、さらに好ましくは１０万
以上で、通常５００万程度までの重合体である。６，０
００未満では皮膜強度が弱くなり、レジストと一体に剥
離する際、破断や凝集破壊が起こるため、レジストを十
分に剥離できない。
【００１１】この高分子材料は、酸価が１００〜１，０
００、好ましくは１５０〜８００であることが必要で、
この範囲内に設定されていることにより、良好な皮膜強
度が維持されて、かつレジスト材に対する密着性にも好
結果が得られ、レジスト剥離性にすぐれた効果を示すも
のである。酸価が１００未満ではレジスト材への密着性
が低下し、１，０００を超えると皮膜強度の低下で剥離
時に破断や凝集破壊が起こるため、いずれも、レジスト
を十分に剥離することができない。なお、酸価とは、言
うまでもなく、高分子材料１ｇを中和するのに必要な水
酸化カリウムのミリグラム数を指すものである。
００、好ましくは１５０〜８００であることが必要で、
この範囲内に設定されていることにより、良好な皮膜強
度が維持されて、かつレジスト材に対する密着性にも好
結果が得られ、レジスト剥離性にすぐれた効果を示すも
のである。酸価が１００未満ではレジスト材への密着性
が低下し、１，０００を超えると皮膜強度の低下で剥離
時に破断や凝集破壊が起こるため、いずれも、レジスト
を十分に剥離することができない。なお、酸価とは、言
うまでもなく、高分子材料１ｇを中和するのに必要な水
酸化カリウムのミリグラム数を指すものである。
【００１２】このような高分子材料には、合成高分子と
して、カルボキシル基を有する単量体、スルホン酸基を
有する単量体、これらの塩類などの単量体の１種または
２種以上を重合ないし共重合して得られるもの、上記の
単量体などとその他の単量体とを共重合して得られるも
のがあり、その他、アクリル酸無水物、無水マレイン
酸、シトラコン酸無水物、ジメチル無水マレイン酸など
の酸無水物の重合体や、（メタ）アクリル酸エステルの
重合体などの加水分解性重合体の一部またはすべてを加
水分解して得られるものなどが挙げられる。
して、カルボキシル基を有する単量体、スルホン酸基を
有する単量体、これらの塩類などの単量体の１種または
２種以上を重合ないし共重合して得られるもの、上記の
単量体などとその他の単量体とを共重合して得られるも
のがあり、その他、アクリル酸無水物、無水マレイン
酸、シトラコン酸無水物、ジメチル無水マレイン酸など
の酸無水物の重合体や、（メタ）アクリル酸エステルの
重合体などの加水分解性重合体の一部またはすべてを加
水分解して得られるものなどが挙げられる。
【００１３】上記のカルボキシル基を有する単量体とし
ては、アクリル酸、α−置換アクリル酸（α−置換基：
アルキル基、ハロゲン、ホルムアミド、アセトアミド、
ベンズアミド、フエニルアセトアミド、カルボベンジル
オキシアミド、カルボエトキシアミド、クロルアセトア
ミド、フタルイミドなど）、β−置換アクリル酸〔β−
置換基：メチル基（クロトン酸）、フエニル基（ケイ皮
酸）など〕、不飽和二塩基酸〔イタコン酸（α−カルボ
キシメチルアクリル酸）、マレイン酸、フマル酸など〕
が挙げられる。また、上記のスルホン酸基を有する単量
体としては、ビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸、
スルホアルキルアクリルアミド（アルキル：炭素数２〜
６のアルキレン基）などが挙げられる。
ては、アクリル酸、α−置換アクリル酸（α−置換基：
アルキル基、ハロゲン、ホルムアミド、アセトアミド、
ベンズアミド、フエニルアセトアミド、カルボベンジル
オキシアミド、カルボエトキシアミド、クロルアセトア
ミド、フタルイミドなど）、β−置換アクリル酸〔β−
置換基：メチル基（クロトン酸）、フエニル基（ケイ皮
酸）など〕、不飽和二塩基酸〔イタコン酸（α−カルボ
キシメチルアクリル酸）、マレイン酸、フマル酸など〕
が挙げられる。また、上記のスルホン酸基を有する単量
体としては、ビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸、
スルホアルキルアクリルアミド（アルキル：炭素数２〜
６のアルキレン基）などが挙げられる。
【００１４】本発明に用いる高分子材料には、上記以外
の合成高分子として、ポリアミド、ポリエステルなどの
縮合型高分子や、カルボキシル化ウレタンアクリレ―ト
なども含まれ、また、天然高分子として、分子内にカル
ボキシル基やスルホン酸基などを有する各種の重合体
や、その変性物として、たとえばカルボキシメチルセル
ロ―スなどを使用することもできる。さらに、これらの
各種の重合体に、アクリル酸ダイマ―、ペンタエリスリ
ト―ルトリアクリレ―トなどの重合性単量体やそのオリ
ゴマ―などの硬化性成分を混合して、熱や光で硬化する
性質を備えた材料としてもよく、この硬化型材料とする
場合は、混合材料全体として、前記した重量平均分子量
および前記した酸価を有するように、調整する。
の合成高分子として、ポリアミド、ポリエステルなどの
縮合型高分子や、カルボキシル化ウレタンアクリレ―ト
なども含まれ、また、天然高分子として、分子内にカル
ボキシル基やスルホン酸基などを有する各種の重合体
や、その変性物として、たとえばカルボキシメチルセル
ロ―スなどを使用することもできる。さらに、これらの
各種の重合体に、アクリル酸ダイマ―、ペンタエリスリ
ト―ルトリアクリレ―トなどの重合性単量体やそのオリ
ゴマ―などの硬化性成分を混合して、熱や光で硬化する
性質を備えた材料としてもよく、この硬化型材料とする
場合は、混合材料全体として、前記した重量平均分子量
および前記した酸価を有するように、調整する。
【００１５】本発明においては、このような高分子材料
を、半導体基板などの物品上に存在するレジスト膜画像
の上に、スピンコ―タなどの適宜の手段で塗布し、高分
子材料の材料構成などに応じて所望の乾燥工程などを経
たのち、とくに硬化型材料では適宜の硬化処理を施した
のち、その塗膜とレジスト材とを一体に剥離する。その
際、上記剥離を容易にするため、高分子材料の塗布面に
裏打ち材を貼り付け、この裏打ち材を引き剥がすことに
より、塗膜とレジスト材とを一体に剥離するようにして
もよい。
を、半導体基板などの物品上に存在するレジスト膜画像
の上に、スピンコ―タなどの適宜の手段で塗布し、高分
子材料の材料構成などに応じて所望の乾燥工程などを経
たのち、とくに硬化型材料では適宜の硬化処理を施した
のち、その塗膜とレジスト材とを一体に剥離する。その
際、上記剥離を容易にするため、高分子材料の塗布面に
裏打ち材を貼り付け、この裏打ち材を引き剥がすことに
より、塗膜とレジスト材とを一体に剥離するようにして
もよい。
【００１６】また、本発明では、上記の高分子材料から
シ―ト状やテ―プ状などの形態とした接着シ―ト類を作
製し、この接着シ―ト類を用いて上記同様の剥離操作を
施すことができる。ここで、接着シ―ト類の作製は、不
織布やプラスチツクフイルムなどの基材を用い、この基
材上に上記の高分子材料を塗布ないし転写して、この高
分子材料からなる層を通常５〜１００μｍ程度の厚さに
形成する。このように作製される接着シ―ト類を、半導
体基板などの物品上に存在するレジスト膜画像の上に貼
り付け、その際、画像との密着性を高めるために、好ま
しくは加熱ないし加圧処理を施し、硬化型材料にあつて
は適宜の硬化処理を施したのち、この接着シ―ト類とレ
ジスト材とを一体に剥離する。
シ―ト状やテ―プ状などの形態とした接着シ―ト類を作
製し、この接着シ―ト類を用いて上記同様の剥離操作を
施すことができる。ここで、接着シ―ト類の作製は、不
織布やプラスチツクフイルムなどの基材を用い、この基
材上に上記の高分子材料を塗布ないし転写して、この高
分子材料からなる層を通常５〜１００μｍ程度の厚さに
形成する。このように作製される接着シ―ト類を、半導
体基板などの物品上に存在するレジスト膜画像の上に貼
り付け、その際、画像との密着性を高めるために、好ま
しくは加熱ないし加圧処理を施し、硬化型材料にあつて
は適宜の硬化処理を施したのち、この接着シ―ト類とレ
ジスト材とを一体に剥離する。
【００１７】このような塗膜ないし接着シ―ト類とレジ
スト材との一体剥離によれば、高分子材料の前記特性に
基づくレジスト材に対するすぐれた密着性と良好な皮膜
強度とにより、レジスト膜画像が容易にかつ確実に剥離
除去される。
スト材との一体剥離によれば、高分子材料の前記特性に
基づくレジスト材に対するすぐれた密着性と良好な皮膜
強度とにより、レジスト膜画像が容易にかつ確実に剥離
除去される。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、レジス
ト膜画像の種類や性状などに左右されることなく、この
画像を確実に剥離除去できるから、既提案のように、剥
離操作を２度、３度と繰り返す必要がなく、上記画像の
除去目的を簡便に達成できる。また、灰化手段を用いる
従来技術のように作業の長時間化やレジスト材中の不純
物イオンが半導体基板に注入されるといつた心配などが
なく、さらに溶剤を用いる従来技術のように作業環境の
悪化といつた心配もとくにない。
ト膜画像の種類や性状などに左右されることなく、この
画像を確実に剥離除去できるから、既提案のように、剥
離操作を２度、３度と繰り返す必要がなく、上記画像の
除去目的を簡便に達成できる。また、灰化手段を用いる
従来技術のように作業の長時間化やレジスト材中の不純
物イオンが半導体基板に注入されるといつた心配などが
なく、さらに溶剤を用いる従来技術のように作業環境の
悪化といつた心配もとくにない。
【００１９】
【実施例】つぎに、本発明を、参考例、実施例および比
較例により、さらに具体的に説明する。なお、以下にお
いて、部とあるのは重量部を意味する。
較例により、さらに具体的に説明する。なお、以下にお
いて、部とあるのは重量部を意味する。
【００２０】参考例１ シリコンウエハ（半導体基板）の表面に、ノボラツク樹
脂とナフトキノンジアジドとからなるレジスト材を塗布
し、加熱、露光、現像を行い、レジスト膜画像を全表面
に形成したのち、Ａｓイオンを加速エネルギ―８０Ｋｅ
Ｖでド―ズ量１×１０16ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に
注入した。
脂とナフトキノンジアジドとからなるレジスト材を塗布
し、加熱、露光、現像を行い、レジスト膜画像を全表面
に形成したのち、Ａｓイオンを加速エネルギ―８０Ｋｅ
Ｖでド―ズ量１×１０16ｉｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に
注入した。
【００２１】実施例１ ポリアクリル酸（重量平均分子量１０万、酸価７８０）
をレジスト除去用高分子材料とし、その１０ｇを水４０
ｇに溶解して溶液とした。つぎに、この溶液を、参考例
１の半導体基板上に、乾燥後の厚さが３０μｍとなるよ
うに、スピンコ―タにて塗布し、この塗布面に厚さ８０
μｍのガラスクロス（密度：縦横共に８０本／インチ）
を貼り付け、乾燥オ―ブンにて８０℃、１３０℃で各々
３分間乾燥した。その後、上記のガラスクロスをポリア
クリル酸からなる塗膜とともに慎重に引き剥がしたとこ
ろ、レジスト膜画像が一体に剥離除去された。半導体基
板上にはレジスト材が痕跡量認められる程度であり、ポ
リアクリル酸からなる塗膜の残存もほとんどみられなか
つた。
をレジスト除去用高分子材料とし、その１０ｇを水４０
ｇに溶解して溶液とした。つぎに、この溶液を、参考例
１の半導体基板上に、乾燥後の厚さが３０μｍとなるよ
うに、スピンコ―タにて塗布し、この塗布面に厚さ８０
μｍのガラスクロス（密度：縦横共に８０本／インチ）
を貼り付け、乾燥オ―ブンにて８０℃、１３０℃で各々
３分間乾燥した。その後、上記のガラスクロスをポリア
クリル酸からなる塗膜とともに慎重に引き剥がしたとこ
ろ、レジスト膜画像が一体に剥離除去された。半導体基
板上にはレジスト材が痕跡量認められる程度であり、ポ
リアクリル酸からなる塗膜の残存もほとんどみられなか
つた。
【００２２】実施例２ 厚さ５０μｍのポリエステル不織布に、実施例１で得た
ポリアクリル酸の溶液を塗布したのち、実施例１の場合
と同様に加熱乾燥して、厚さ４０μｍのポリアクリル酸
からなる層を有するレジスト除去用接着シ―トを作製し
た。この接着シ―トを、参考例１の半導体基板上に、圧
着ロ―ルを用いて１３０℃の加熱下で貼り付けた。４分
後、この接着シ―トを室温下で引き剥がしたところ、レ
ジスト膜画像が一体に剥離除去された。半導体基板上に
はレジスト材が全く認められず、ポリアクリル酸からな
る層の付着残存もとくにみられなかつた。
ポリアクリル酸の溶液を塗布したのち、実施例１の場合
と同様に加熱乾燥して、厚さ４０μｍのポリアクリル酸
からなる層を有するレジスト除去用接着シ―トを作製し
た。この接着シ―トを、参考例１の半導体基板上に、圧
着ロ―ルを用いて１３０℃の加熱下で貼り付けた。４分
後、この接着シ―トを室温下で引き剥がしたところ、レ
ジスト膜画像が一体に剥離除去された。半導体基板上に
はレジスト材が全く認められず、ポリアクリル酸からな
る層の付着残存もとくにみられなかつた。
【００２３】実施例３ アクリル酸メチルとアクリル酸との重量比２０：８０の
共重合体（重量平均分子量５５万、酸価６２３）をレジ
スト除去用高分子材料とし、この共重合体２０ｇをメタ
ノ―ル１００ｇに溶解して溶液とした。この溶液を、参
考例１の半導体基板上に、実施例１と同様に塗布し、ま
たこの塗布面に実施例１と同様のガラスクロスを貼り付
け、実施例１と同様に乾燥した。その後、ガラスクロス
を上記の共重合体からなる塗膜とともに引き剥がしたと
ころ、レジスト膜画像が一体に剥離除去された。半導体
基板上にはレジスト材が全く認められず、上記の共重合
体からなる層の付着残存もとくにみられなかつた。
共重合体（重量平均分子量５５万、酸価６２３）をレジ
スト除去用高分子材料とし、この共重合体２０ｇをメタ
ノ―ル１００ｇに溶解して溶液とした。この溶液を、参
考例１の半導体基板上に、実施例１と同様に塗布し、ま
たこの塗布面に実施例１と同様のガラスクロスを貼り付
け、実施例１と同様に乾燥した。その後、ガラスクロス
を上記の共重合体からなる塗膜とともに引き剥がしたと
ころ、レジスト膜画像が一体に剥離除去された。半導体
基板上にはレジスト材が全く認められず、上記の共重合
体からなる層の付着残存もとくにみられなかつた。
【００２４】実施例４ アクリル酸ｎ−ブチルとアクリル酸とアクリロニトリル
との重量比９０：３：７の共重合体１００部に、アクリ
ル酸ダイマ―１００部、ブタノ―ル変性メラミン樹脂３
部および光重合触媒２０部を混合して、レジスト除去用
高分子材料とした。この材料は、混合物として、重量平
均分子量が２８万、酸価が２０５であつた。この材料溶
液を、実施例２と同様にしてポリエステルフイルム上に
塗布乾燥して、厚さ４０μｍの上記高分子材料からなる
層を有するレジスト除去用接着シ―トを作製した。
との重量比９０：３：７の共重合体１００部に、アクリ
ル酸ダイマ―１００部、ブタノ―ル変性メラミン樹脂３
部および光重合触媒２０部を混合して、レジスト除去用
高分子材料とした。この材料は、混合物として、重量平
均分子量が２８万、酸価が２０５であつた。この材料溶
液を、実施例２と同様にしてポリエステルフイルム上に
塗布乾燥して、厚さ４０μｍの上記高分子材料からなる
層を有するレジスト除去用接着シ―トを作製した。
【００２５】この接着シ―トを、参考例１の半導体基板
上に、実施例２と同様にして貼り付けたのち、高圧水銀
ランプにより、紫外線を２，０００ｍｊ／cm2 の照射量
で照射し、硬化させた。その後、この接着シ―トを引き
剥がしたところ、レジスト膜画像が一体に剥離除去され
た。半導体基板上にはレジスト材が全く認められず、上
記の高分子材料からなる層の付着残存もとくにみられな
かつた。
上に、実施例２と同様にして貼り付けたのち、高圧水銀
ランプにより、紫外線を２，０００ｍｊ／cm2 の照射量
で照射し、硬化させた。その後、この接着シ―トを引き
剥がしたところ、レジスト膜画像が一体に剥離除去され
た。半導体基板上にはレジスト材が全く認められず、上
記の高分子材料からなる層の付着残存もとくにみられな
かつた。
【００２６】実施例５ アクリル酸メチルとアクリル酸との重量比２０：８０の
共重合体１００部に、テトラエチレングリコ―ルジアク
リレ―ト５０部、ブタノ―ル変性メラミン樹脂３部およ
び光重合触媒２０部を混合して、レジスト除去用高分子
材料とした。この材料は、混合物として、重量平均分子
量が４４万、酸価が６２８であつた。この材料溶液を、
実施例４と同様にしてポリエステルフイルム上に塗布乾
燥して、厚さ４０μｍの上記高分子材料からなる層を有
するレジスト除去用接着シ―トを作製した。
共重合体１００部に、テトラエチレングリコ―ルジアク
リレ―ト５０部、ブタノ―ル変性メラミン樹脂３部およ
び光重合触媒２０部を混合して、レジスト除去用高分子
材料とした。この材料は、混合物として、重量平均分子
量が４４万、酸価が６２８であつた。この材料溶液を、
実施例４と同様にしてポリエステルフイルム上に塗布乾
燥して、厚さ４０μｍの上記高分子材料からなる層を有
するレジスト除去用接着シ―トを作製した。
【００２７】この接着シ―トを、参考例１の半導体基板
上に、実施例２と同様にして貼り付けたのち、高圧水銀
ランプにより、紫外線を２，０００ｍｊ／cm2 の照射量
で照射し、硬化させた。その後、この接着シ―トを引き
剥がしたところ、レジスト膜画像が一体に剥離除去され
た。半導体基板上にはレジスト材が全く認められず、上
記の高分子材料からなる層の付着残存もとくにみられな
かつた。
上に、実施例２と同様にして貼り付けたのち、高圧水銀
ランプにより、紫外線を２，０００ｍｊ／cm2 の照射量
で照射し、硬化させた。その後、この接着シ―トを引き
剥がしたところ、レジスト膜画像が一体に剥離除去され
た。半導体基板上にはレジスト材が全く認められず、上
記の高分子材料からなる層の付着残存もとくにみられな
かつた。
【００２８】比較例１ アクリル酸２−エチルヘキシルとアクリル酸との重量比
９５：５の共重合体（重量平均分子量６５万、酸価４
０）をレジスト除去用高分子材料とし、この共重合体２
０ｇを酢酸エチル１００ｇに溶解して溶液とした。この
溶液を、参考例１の半導体基板上に、実施例１と同様に
塗布し、またこの塗布面に実施例１と同様のガラスクロ
スを貼り付け、実施例１と同様に乾燥した。その後、ガ
ラスクロスを上記の共重合体からなる塗膜とともに引き
剥がしたが、レジスト膜画像は全く剥離されなかつた。
９５：５の共重合体（重量平均分子量６５万、酸価４
０）をレジスト除去用高分子材料とし、この共重合体２
０ｇを酢酸エチル１００ｇに溶解して溶液とした。この
溶液を、参考例１の半導体基板上に、実施例１と同様に
塗布し、またこの塗布面に実施例１と同様のガラスクロ
スを貼り付け、実施例１と同様に乾燥した。その後、ガ
ラスクロスを上記の共重合体からなる塗膜とともに引き
剥がしたが、レジスト膜画像は全く剥離されなかつた。
【００２９】比較例２ アクリル酸ｎ−ブチルとアクリル酸とアクリロニトリル
との重量比９０：３：７の共重合体１００部に、ペンタ
エリスリト―ルトリアクリレ―ト１００部、ブタノ―ル
変性メラミン樹脂３部および光重合触媒２０部を混合し
て、レジスト除去用高分子材料とした。この材料は、混
合物として、重量平均分子量が６５万、酸価が２５であ
つた。この材料溶液を、実施例４と同様にポリエステル
フイルム上に塗布乾燥して、厚さ４０μｍの上記高分子
材料からなる層を有するレジスト除去用接着シ―トを作
製した。この接着シ―トを、参考例１の半導体基板上
に、実施例２と同様に貼り付けたのち、高圧水銀ランプ
により、紫外線を２，０００ｍｊ／cm2 の照射量で照射
し、硬化させた。その後、この接着シ―トを引き剥がし
てみたが、レジスト膜画像は部分的にほんの少ししか剥
離されなかつた。
との重量比９０：３：７の共重合体１００部に、ペンタ
エリスリト―ルトリアクリレ―ト１００部、ブタノ―ル
変性メラミン樹脂３部および光重合触媒２０部を混合し
て、レジスト除去用高分子材料とした。この材料は、混
合物として、重量平均分子量が６５万、酸価が２５であ
つた。この材料溶液を、実施例４と同様にポリエステル
フイルム上に塗布乾燥して、厚さ４０μｍの上記高分子
材料からなる層を有するレジスト除去用接着シ―トを作
製した。この接着シ―トを、参考例１の半導体基板上
に、実施例２と同様に貼り付けたのち、高圧水銀ランプ
により、紫外線を２，０００ｍｊ／cm2 の照射量で照射
し、硬化させた。その後、この接着シ―トを引き剥がし
てみたが、レジスト膜画像は部分的にほんの少ししか剥
離されなかつた。
【００３０】比較例３ ポリアクリル酸（重量平均分子量５，０００、酸価７８
４）をレジスト除去用高分子材料とし、その２０ｇを水
８０ｇに溶解して溶液とした。この溶液を、参考例１の
半導体基板上に、実施例１と同様に塗布し、またこの塗
布面に実施例１と同様のガラスクロスを貼り付け、実施
例１と同様に乾燥した。その後、ガラスクロスを上記の
ポリアクリル酸からなる塗膜とともに引き剥がしてみた
が、レジスト膜画像は全く剥離されなかつた。
４）をレジスト除去用高分子材料とし、その２０ｇを水
８０ｇに溶解して溶液とした。この溶液を、参考例１の
半導体基板上に、実施例１と同様に塗布し、またこの塗
布面に実施例１と同様のガラスクロスを貼り付け、実施
例１と同様に乾燥した。その後、ガラスクロスを上記の
ポリアクリル酸からなる塗膜とともに引き剥がしてみた
が、レジスト膜画像は全く剥離されなかつた。
フロントページの続き (72)発明者 山本 孝幸 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−66102（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−196398（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151301（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151300（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151299（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151298（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/42 G09J 7/02
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板などの物品上に存在するレジ
スト膜画像を除去するための高分子材料であつて、重量
平均分子量が６，０００以上で、かつ酸価が１００〜
１，０００であることを特徴とするレジスト除去用高分
子材料。 - 【請求項２】 重合性単量体やそのオリゴマ―などの硬
化性成分を含有し、熱や光で硬化する性質を備えた請求
項１に記載のレジスト除去用高分子材料。 - 【請求項３】 基材上に請求項１または２に記載のレジ
スト除去用高分子材料からなる層を設けたことを特徴と
するレジスト除去用接着シ―ト類。 - 【請求項４】 レジスト膜画像が存在する半導体基板な
どの物品上に、請求項１または２に記載のレジスト除去
用高分子材料を塗布し、この材料が熱や光で硬化する性
質を備えたものではその硬化後に、この塗膜とレジスト
材とを一体に剥離することを特徴とするレジスト除去方
法。 - 【請求項５】 レジスト除去用高分子材料の塗布面に裏
打ち材を貼り付け、この裏打ち材を引き剥がすことによ
り、塗膜とレジスト材とを一体に剥離する請求項４に記
載のレジスト除去方法。 - 【請求項６】 レジスト膜画像が存在する半導体基板な
どの物品上に、請求項３に記載のレジスト除去用接着シ
―ト類を貼り付け、高分子材料からなる層が熱や光で硬
化する性質を備えたものではその硬化後に、この接着シ
―ト類とレジスト材とを一体に剥離することを特徴とす
るレジスト除去方法。 - 【請求項７】 レジスト除去用接着シ―ト類の貼り付け
を、加熱ないし加圧下で行う請求項６に記載のレジスト
除去方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431395A JP3349621B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | レジスト除去用高分子材料と接着シ―ト類およびこれらを用いたレジスト除去方法 |
| PCT/JP1996/001621 WO1997000534A1 (fr) | 1995-06-15 | 1996-06-13 | Procede d'elimination d'un agent photoresistant, et adhesif ou feuille adhesive utilises a cet effet |
| KR1019970709463A KR19990022993A (ko) | 1995-06-15 | 1996-06-13 | 내식막의 제거방법, 및 이에 사용되는 접착제 또는 접착 시트 |
| US08/973,984 US6126772A (en) | 1995-06-15 | 1996-06-13 | Method for resist removal, and adhesive or adhesive sheet for use in the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431395A JP3349621B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | レジスト除去用高分子材料と接着シ―ト類およびこれらを用いたレジスト除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097931A JPH097931A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3349621B2 true JP3349621B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=15976474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17431395A Expired - Fee Related JP3349621B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | レジスト除去用高分子材料と接着シ―ト類およびこれらを用いたレジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3349621B2 (ja) |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP17431395A patent/JP3349621B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH097931A (ja) | 1997-01-10 |
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