JP3346488B2 - 光増幅器の雑音指数監視方法および装置 - Google Patents

光増幅器の雑音指数監視方法および装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ伝送システム
に利用する。特に、光ファイバ伝送システム内で使用さ
れる光増幅器の雑音指数の監視に関する。
【0002】
【従来の技術】図11は光増幅器の雑音指数を監視する
従来の雑音指数監視装置を示すブロック構成図である。
【0003】この従来例装置は、光増幅器利得を検出す
る利得検出部21と、増幅媒質20から出力された増幅
された自然放出光(ASE光)を取り出すための分波器
22、偏波コントローラ23、検光子24および光バン
ドパスフィルタ25と、光検出器26とにより構成され
る。分波器22は増幅媒質20の出力光を分岐し、その
偏波を偏波コントローラ23で調整することにより、分
岐光に含まれる信号光成分が検光子24で除去される。
測定された利得Gと出力ASE光パワーPASEとから、
この光増幅器の雑音指数Fが次式により求められる。
【0004】
【数1】 ここで、νは信号光の周波数、hはプランク定数、Δν
は出力ASE光パワーを切り出す光バンドパスフィルタ
25の周波数幅である。
【0005】数1に示した式については、P.R.Morkel a
nd R.I.Laming, Opt.Lett., Vol.14, pp.1062-1064, 19
89に詳しい。また、図11に示した構成および動作につ
いては、J.Aspell et al., OFC'92, ThA4, pp.189-161,
1992特願平4−282890に詳しい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の監視装
置は、(1) Fの分解能がおもにGおよびPASE の分解能
で制限され、これらの分解能が高々0.1dB程度であ
ることからFの分解能も高々0.1dB程度と低い、
(2) Fの監視応答時間がおもに信号偏波の検出および信
号光除去の動作速度で制限され、高々1秒程度と遅い、
(3) 構成要素が多く、装置が大がかりかつ高価となるな
どの課題があった。
【0007】本発明は、このような課題を解決し、高分
解能かつ高速応答が可能であり、しかも簡易かつ低廉な
構成の雑音指数監視方法および装置を提供することを目
的とする。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本は発明の第一の観点
によると、光増幅器の増幅媒質から放出される自然放出
光を検出してその増幅媒質の雑音指数を監視する光増幅
器の雑音指数監視方法において、雑音指数として、増幅
媒質の信号光入力端からその光導波路に沿った位置zに
無依存の値である増幅媒質の上位準位の有効占有率N
2eff により近似した式Fを用い、位置zに依存する反転
分布の状況に応じて重みをつけるように、増幅媒質の近
傍にその増幅媒質の信号光入力端に対して幅が広く信号
光出射端に対して幅の狭いスリットを設け、増幅媒質の
光導波路から外部に放出されてスリットを通過した光を
検出し、検出された自然放出光の測定値P SE と、自然放
出光の飽和値であるP SE0 とが、 2eff =P SE0 /P SE0 で表されることから、これを次に示す近似式Fに代入し
て雑音指数を求める ことを特徴とする光増幅器の雑音指
数監視方法が提供される。
【0009】
【数2】 ここで、 R≡σemi/σabs2eff=PSE/PSE0 σemi:信号光波長における誘導放出断面積 σabs :信号光波長における吸収断面積 N2eff:上位準位(エルビウム添加ファイバの場合であ
れば413/2)の有効占有率 PSE :自然放出光の測定値 PSE0:自然放出光の飽和値ででありN2eff=1のときの
値 である。σemi、σabsは媒質によって決まる基本的な定
数であり、PSE0と共に、あらかじめ測定して求めてお
くことができる。光通信光学(2)(光エレクトロニク
ス教科書シリーズ5、1998年、コロナ社)には、次
の式が与えられている
【数3】
【数4】 数3は上述した数1と等化である。なお、上述の文献の
式(7.11)ではN (z)にかかるσ emi が誤って
落ちている。 これについては、"Erbium-Doped Amplifi
ers"(E. Desurvire, 1994, John Wiley & Sons, In
c.)、102ページのEq.(2.123)などで確認できる。数
3、数4から、雑音指数は次のように表される。
【数5】 数2はこの式の近似式であり、以下のようにして導出す
ることができる。上述の「光通信工学(2)」には、式
(7.9)として、長さLのEDFの利得Gが次のよう
に与えられている。
【数6】 これをもとに、位置zにおける利得G*(z)は以下の
ようになる。
【数7】 第1近似では、N (z)のFに対する寄与を、zに関
して無依存なN 2eff (上位準位の有効占有率)に代表さ
せることが可能なので、数7は次のように近似される。
【数8】 ただし、上位準位占有率N と下位準位占有率N の和
Nt=1とし、σ emi abs =Rとした。数5について
も同様の近似を行い、数8を適用すると、
【数9】 となる。G*(L)=G(L)=Gは増幅器の利得である。G>>1の場
合、1/Gの項が無視できる。したがって、
【数10】 ただし、
【数11】 の関係を利用した。次に、N 2eff がどのようにすれ
ば測定できるかを考える。N (z)はzの位置に依存
する関数なので、N 2eff は適当な関数k(z)によ
って次のように表現できる。
【数12】 (z)は、位置zにおける自然放出光の強度P SE
(z)に比例するので、
【数13】 ただし、Aは定数である。数12、数13から、
【数14】 本願発明では、自然放出光が導波路の外へも放出される
ことを利用して、自然放出光P SE を検出する。そし
て、N 2eff を求めるための重み付け関数 A・k(z) として、例えば、後述するh(z)を用いる。重み付け
は、放出光をh(z)の形に沿ったスリットで遮蔽する
ことで行う。そして、重み付けされた光を全て一つの光
検出器(フォトディテクタ)で受光することで、数14
の積分が実行される。
【0010】本発明の第二の観点は上述の方法を実施す
るための装置であり、増幅媒質の信号光入力端からその
光導波路に沿った位置zにおける反転分布の状況により
生じる雑音指数への寄与に重みをつけるように、増幅媒
質の信号光入力端に対して幅が広く信号光出射端に対し
て幅の狭いスリットが設けられ、増幅媒質の光導波路か
ら外部に放出されてスリットを通過した光を検出して雑
音指数に相当する値を求めることを特徴とする。
【0011】スリットの形状は、N 2 (z)の代わりにN
2eff を用いたことに対応して測定に重みを付けるため、
信号光入力端に対して幅を広く信号出射端に対して幅を
狭くする。この形状は光導波方向に対して先細りの形状
であれば十分であるが、精密な値を求めるには、増幅媒
質の信号光入力端からその光導波路に沿ってzの位置に
おける幅h(z)が実質的に次式にしたがうことがよい。
【0012】 h(z) =h(0) exp{a[1−(1+R)N2ch]z} ここで、 a :増幅媒質の吸収係数 N2ch :上位準位の特性占有率(0<N2ch<1)であ
り、光増幅器の動作範囲に対して定まる既知の定数 R≡σemi/σabs σemi:信号光波長における誘導放出断面積 σabs:信号光波長における吸収断面積 である。a、σemiおよびσabsはあらかじめ求めておく
ことのできる定数であり、N2chは光増幅器をどのよう
な動作範囲で使用するかを決定すればそれに対して定ま
る定数であるので、ひとつの光増幅器に対して上式は変
数がzだけの関数となる。特性占有率N 2ch は、N 2 (z)
のzに関する平均値にほぼ一致する値を有し、光増幅器
の構成や動作条件に対して容易に決定できる既知の値で
ある。例えば、1.48ミクロン励起のエルビウム添加ファ
イバ増幅器では約0.7、0.98ミクロン励起のエルビウム
添加ファイバ増幅器では約1である。 上述のN 2 (z)を用
いた雑音指数の式では、N 2 (z)の雑音指数に対する寄与
は、光導波路の信号光入力端z=0付近の寄与が大き
い。一方、h(z)の形状(z依存性)は、zに関して指
数関数的に減少するものである。したがって、zの小さ
な、信号光の入力端付近の自然放出光が、大きな比率で
受光される。このh(z)の形状は、雑音指数が信号光入
力端z=0付近のN 2 (z)の寄与を大きく受けることを考
慮して決定したものである。ただし、zにおける局所的
な自然放出光パワーは、N 2 (z)に比例する。
【0013】
【作用】光増幅器の雑音指数は主に増幅媒質の反転分布
によって決定され、特に信号光入力端における反転分布
が大きく影響する。そこで、増幅媒質の光導波路から横
方向に放出される自然放出光(SE光)を信号光入力端
側に重みをつけて測定する。この測定により、励起状況
すなわち反転分布の状況がわかる。反転分布の状態がわ
かれば、その増幅媒質に特有の基本定数を用いて雑音指
数Fを求めることができる。
【0014】雑音指数を監視するためには、雑音指数F
の値を求めることが必ずしも必要ではなく、雑音指数F
に対応する測定値がわかれば十分な場合もある。すなわ
ち、スリットを通過した光を光検出器で検出し、その検
出値を監視すればよい。
【0015】スリットとしては、増幅媒質から横方向に
放出される自然放出光を重み付けして通過させるものを
用いる。スリットは増幅媒質に沿って連続的である必要
はない。例えば、増幅媒質として希土類添加ファイバを
用いる場合に、これを巻いた状態で使用し、その近傍に
スリットを設けてもよい。その場合には、巻いた長さご
との位置で自然放出光を測定することになる。
【0016】
【実施例】図1は本発明の基本構成を示すブロック構成
図である。
【0017】この雑音監視装置は、増幅媒質1の信号光
入力端に対して幅が広く信号光出射端に対して幅の狭い
スリット2と、増幅媒質1の光導波路から外部に放出さ
れてスリット2を通過した光を検出する光検出器3とを
備える。監視対象となる増幅媒質1としては、エルビウ
ム添加光ファイバ(EDF)、プラセオジム添加ファイ
バ、ネオジム添加ファイバなどの希土類添加ファイバあ
るいはレーザダイオードのいずれでもよい。
【0018】増幅媒質1に信号光を入力すると、この信
号光が増幅媒質1により増幅される。このとき、増幅媒
質1内でSE光が発生する。このSE光は、その一部が
増幅媒質1内を伝搬して信号光と共に増幅され、他は増
幅媒質1の光導波路から外部に放出される。従来は増幅
媒質1内を伝搬して増幅されたASE光を測定していた
が、本発明では、光導波路から外部に放出されたSE光
をスリット2を通して光検出器3で測定する。
【0019】図2はスリットの形状の一例を示す図であ
り、増幅媒質中での軸方向距離zに対するスリット幅h
(z) をz=0における幅h(z) で規格化して示す。z=
0は増幅媒質の信号光入力端であり、z=Lは増幅媒質
の信号光出力端である。Lは増幅媒質の長さである。h
(z) は、z=0付近で大きく、z=L付近で小さく設定
する。特に、図2に示すように、 h(z) =h(0) exp{a〔1−(1+R)N2ch〕z} に設定することがよい。ここで、aは増幅媒質の吸収係
数、N2ch は増幅媒質の上位準位(EDFの場合には 4
13/2)の特性占有率(0<N2ch <1)であり、光増
幅器の動作範囲に対して定まる定数である。N2ch は光
増幅器の動作範囲を決定すれば定まる値である。
【0020】図3は入力信号光パワーに対する雑音指数
の変化の理論計算例を示す。この図において、「真値」
については公知の理論計算により求め、「本発明」につ
いては上述の数2の式により求めたものである。この計
算結果から、数2により求めた雑音指数の近似値と真値
との差は十分に小さいことがわかる。また、本発明にお
ける雑音指数監視応答時間は主に光検出器の応答時間で
制限されるだけなので、1μs以下の応答時間が可能で
ある。
【0021】図4ないし図6は本発明の具体的な実施例
を示し、図4は全体構成、図5および図6は増幅媒質と
スリットおよび光検出器との位置関係を示す。ここで
は、エルビウム添加ファイバ増幅器(EDFA)の雑音
指数を監視する場合の例を説明する。
【0022】エルビウム添加ファイバ増幅器は、増幅媒
質としてエルビウム添加ファイバ10を備え、さらに、
入力側のアイソレータ11、ファイバカプラ12、励起
光源13、出力側のアイソレータ14および狭帯域光フ
ィルタ15を備える。この光増幅器には、上位の伝送路
から、波長1.552μmの信号光が入射する。線形中
継器を多段接続した場合には、信号光に加え、増幅され
た自然放出光(ASE光)が入射する。この信号光は、
アイソレータ11およびファイバカプラ12を通ってエ
ルビウム添加ファイバ10に入射する。エルビウム添加
ファイバ10にはまた、励起光源13からの励起光が、
ファイバカプラ12を介して入射する。励起光源13と
しては、例えば波長0.98μmの半導体レーザを用い
る。エルビウム添加ファイバ10の出力光は、アイソレ
ータ14および狭帯域光フィルタ15を通って出力され
る。狭帯域光フィルタ15は、自然放出光間のビート雑
音を除去するためのものである。
【0023】このエルビウム添加ファイバ増幅器の雑音
指数を監視するため、エルビウム添加ファイバ10の近
傍には、スリット2および光検出器3が設けられる。
【0024】この実施例では、6.3mの長さのエルビ
ウム添加ファイバ10を用い、これをコイル状に巻いて
図5に示すように黒い板16に8箇所で固定し、幅2.
2mmで並べた。この黒い板16は、他の部分からのS
E光を除去するためのものである。スリット2は、図6
に示すように、上述のh(z) の式にしたがう形状をも
つ。ただし、この場合にはエルビウム添加ファイバ10
をコイル状に巻いているので、zの値は飛び飛びの値で
あり、スリット2は各zの値に対するh(z) の値を繋い
だ形状とした。上述のh(z) の式のパラメータ値はa=
3.3dB/m、R=1.6である。光検出器3として
は、直径5mmの大受光面積InGaAsフォトダイオ
ードを用いた。
【0025】図7はN2ch =0.75としたときの真値
と数1による近似値との計算結果を示す。この雑音指数
はエルビウム添加ファイバ(EDF)に対するものであ
り、エルビウム添加ファイバ増幅器(EDFA)の動作
範囲に対する雑音指数はこれにEDFの前段にある光部
品の挿入損失を加える。図7に示したEDFAの動作範
囲における両者の差は最大で0.08dBと小さく、本
実施例がEDFAの広い動作範囲で十分に正確であるこ
とを示す。
【0026】図8は本実施例による雑音指数の測定例を
示す。挿入図は一部を拡大したものである。この挿入図
に示したように、雑音指数の分解能は、雑音指数が3〜
4dBのときで約0.01dBである。従来技術による
分解能は高々0.1dBであるから、本実施例による分
解能が飛躍的に向上している。
【0027】図9は雑音指数の時間応答特性を示す。入
力励起光パワーは20mWである。図9(a)は入力信
号光パワーを示し、同(b)は入力信号光パワーの変動
によりもたらされた雑音指数の時間変動である。この測
定における時間分解能は50μsであった。従来技術の
時間分解能は高々1秒であるから、本実施例により時間
分解能が飛躍的に向上した。
【0028】図4ないし図6に示したように、本実施例
の構成は、従来技術に比べ部品数が少なく、構成が簡単
かつ安価である。
【0029】図10は図4に示した具体例を変形した構
成例を示す。この構成例は、ファイバカプラ12および
励起光源13がエルビウム添加ファイバ10の出力側に
配置され、励起光を信号光と同じ方向ではなく逆方向に
入力することが図4に示した構成と異なる。図4の励起
方法を前方向励起、図10の励起方法を後方向励起とい
う。後方向励起の場合には、前方向励起の場合と異なる
2ch 値を用いる。図4を参照して説明した構成部品と
同等のものを用いる場合には、同等の入力励起光パワー
および入力信号光パワーに対してN2ch =0.7とす
る。
【0030】以上の実施例では増幅媒質としてエルビウ
ム添加光ファイバを用いた例を説明したが、他の増幅媒
質に対しても本発明を同様に実施できる。増幅媒質とし
てレーザダイオードを用いる場合には空間的な大きさが
異なるが、原理的には相違はない。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光増幅器
の雑音指数監視方法および装置は、高分解能かつ高速応
答が可能であり、しかも簡易で低廉な構成で光増幅器の
雑音指数を監視することができる。本発明は光中継器な
どに設けられる光増幅器の動作監視に利用して特に効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基本構成を示すブロック構成図。
【図2】スリットの形状の一例を示す図。
【図3】入力信号光パワーに対する雑音指数の変化の理
論計算例を示す図。
【図4】本発明の具体的な実施例を示す全体的な構成
図。
【図5】増幅媒質とスリットおよび光検出器との位置関
係を示す図であり、スリットおよび光検出器を横方向か
ら見た図。
【図6】増幅媒質とスリットおよび光検出器との位置関
係を示す図であり、光検出器側から見た図。
【図7】N2ch =0.75としたときの真値と本発明に
よる近似値との計算結果を示す図。
【図8】雑音指数の測定例を示す図。
【図9】雑音指数の時間応答特性を示す図であり、
(a)は入力信号光パワー、(b)は入力信号光パワー
の変動によりもたらされた雑音指数の時間変動を示す。
【図10】図4に示した具体例を変形した構成例を示す
図。
【図11】光増幅器の雑音指数を監視する従来の雑音指
数監視装置を示すブロック構成図。
【符号の説明】
1、20 増幅媒質 2 スリット 3 光検出器 10 エルビウム添加ファイバ 11、14 アイソレータ 12 ファイバカプラ 13 励起光源 15 狭帯域光フィルタ 21 利得検出部 22 分波器 23 偏波コントローラ 24 検光子 25 光バンドパスフィルタ 26 光検出器

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光増幅器の増幅媒質から放出される自然
    放出光を検出してその増幅媒質の雑音指数を監視する光
    増幅器の雑音指数監視方法において、 雑音指数として、上記増幅媒質の信号光入力端からその
    光導波路に沿った位置zに無依存の値である上記増幅媒
    質の上位準位の有効占有率N2effにより近似した式 F=2RN2eff/[(1+R)N2eff−1] R≡σemi/σabs σemi:信号光長における誘導放出断面積 σabs:信号光長における吸収断面積 を用い、 位置zに依存する反転分布の状況に応じて重みをつける
    ように、上記増幅媒質の近傍に上記増幅媒質の信号光入
    力端に対して幅が広く信号光出射端に対して幅の狭いス
    リットを設け、 上記増幅媒質の光導波路から外部に放出されて上記スリ
    ットを通過した光を検出し、 検出された自然放出光の測定値PSEと、自然放出光の飽
    和値であるPSE0とが、 N2eff=PSE SE0 で表されることから、これを上記近似した式Fに代入し
    て雑音指数を求めることを特徴とする光増幅器の雑音指
    数監視方法。
  2. 【請求項2】 光増幅器の増幅媒質から放出される自然
    放出光を検出してその増幅媒質の雑音指数を監視する手
    段を備えた光増幅器の雑音指数監視装置において、 上記増幅媒質の信号光入力端からその光導波路に沿った
    位置zにおける反転分布の状況により生じる雑音指数へ
    の寄与に重みをつけるように、上記増幅媒質の信号光入
    力端に対して幅が広く信号光出射端に対して大して幅の
    狭いスリットが設けられ、 上記監視する手段は、雑音指数として、上記増幅媒質の
    信号光入力端からその 光導波路に沿った位置zに無依存
    の値である上記増幅媒質の上位準位の有効占有率N 2eff
    により近似した式 F=2RN 2eff /[(1+R)N 2eff −1] R≡σ emi /σ abs σ emi :信号光波長における誘導放出断面積 σ abs :信号光波長における吸収断面積 を用い、 上記増幅媒質の光導波路から外部に放射されて
    上記スリットを通過した光を検出して、検出された自然
    放出光の測定値P SE と、自然放出光の飽和値であるP
    SE0 とが、 2eff =P SE /P SE0 で表されることから、これを上記近似した式Fに代入し
    て雑音指数を求める ことを特徴とする光増幅器の雑音指
    数監視装置。
  3. 【請求項3】 上記スリットは、上記増幅媒質の信号光
    入力端からその光導波路に沿ってzの位置における幅h
    (z)が、実質的に、 h(z) =h(0) exp{a[1−(1+R)N2ch]z} a :増幅媒質の吸収係数 N2ch :上位準位の特性占有率(0<N2ch<1)であ
    り、光増幅器の動作範囲に対して定まる既知の定数 R≡σemi/σabs σemi:信号光長における誘導放出断面積 σabs:信号光長における吸収断面積 となるように形成された請求項2記載の光増幅器の雑音
    指数監視装置。
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