JP3342230B2 - 電鋳金型の製造方法 - Google Patents
電鋳金型の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録担体の複製又
はプリグルーブ付基板の作成に用いるスタンパー等の電
鋳金型の製造方法に関するものである。
はプリグルーブ付基板の作成に用いるスタンパー等の電
鋳金型の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、スタンパーとしては、レーザ光等
の光学的手段によって情報の記録再生が行なわれる光記
録媒体の成型用スタンパーが知られている。この光記録
媒体成形用のスタンパーには、前記光記録媒体のトラッ
キング用溝、情報用ピット等に対応する凹凸パターンが
形成されており、該凹凸パターンを、熱可塑性樹脂であ
るポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリル樹脂に
転写することで前記光記録媒体の溝部を形成する。
の光学的手段によって情報の記録再生が行なわれる光記
録媒体の成型用スタンパーが知られている。この光記録
媒体成形用のスタンパーには、前記光記録媒体のトラッ
キング用溝、情報用ピット等に対応する凹凸パターンが
形成されており、該凹凸パターンを、熱可塑性樹脂であ
るポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリル樹脂に
転写することで前記光記録媒体の溝部を形成する。
【０００３】このような光記録媒体成型用のスタンパー
は、例えば、特開昭６１−２８４８４３号公報、実開昭
５８−１４１４３５号公報、および日本工業技術センタ
ー発行「光ディスクプロセス技術の要点、Ｎｏ５」（昭
和６０年３月１５日発行）に記載されているような方法
で製造されている。
は、例えば、特開昭６１−２８４８４３号公報、実開昭
５８−１４１４３５号公報、および日本工業技術センタ
ー発行「光ディスクプロセス技術の要点、Ｎｏ５」（昭
和６０年３月１５日発行）に記載されているような方法
で製造されている。
【０００４】図３は従来のスタンパーの製造方法を示す
工程図である。同図３に示す様に、従来のスタンパーの
製造方法は、ガラス基板１上に凹凸パターン２を形成し
た原盤１１の凹凸パターン面上にニッケルをスパッター
して導電化処理して導電化膜３を形成する。（図３
（ａ），（ｂ）参照）その後、導電化膜３上にニッケル
を電鋳して電鋳膜（Ｉ）４を形成する。（図３（ｃ）参
照）次に、原盤１１から導電化膜３と電鋳膜（Ｉ）４を
一体に剥離してマザースタンパー１２を得る。（図３
（ｄ）参照） 光ディスク又は光カード等に用いる凹凸パターン付基板
は、一般に多数複製されるために、実際には図３（ｄ）
のスタンパーをマザースタンパーとして、マザースタン
パー１２の表面に電鋳を行ない電鋳膜（ＩＩ）５を形成
し（図３（ｅ）参照）、該電鋳膜（ＩＩ）５を剥離して
スタンパー１３を得る。（図３（ｆ）参照）
工程図である。同図３に示す様に、従来のスタンパーの
製造方法は、ガラス基板１上に凹凸パターン２を形成し
た原盤１１の凹凸パターン面上にニッケルをスパッター
して導電化処理して導電化膜３を形成する。（図３
（ａ），（ｂ）参照）その後、導電化膜３上にニッケル
を電鋳して電鋳膜（Ｉ）４を形成する。（図３（ｃ）参
照）次に、原盤１１から導電化膜３と電鋳膜（Ｉ）４を
一体に剥離してマザースタンパー１２を得る。（図３
（ｄ）参照） 光ディスク又は光カード等に用いる凹凸パターン付基板
は、一般に多数複製されるために、実際には図３（ｄ）
のスタンパーをマザースタンパーとして、マザースタン
パー１２の表面に電鋳を行ない電鋳膜（ＩＩ）５を形成
し（図３（ｅ）参照）、該電鋳膜（ＩＩ）５を剥離して
スタンパー１３を得る。（図３（ｆ）参照）
【０００５】原盤１１の凹凸がネガタイプの場合には、
スタンパー１３（図３（ｆ））を用いて、凹凸パターン
付の基板を得ることができる。さらに、原盤１１の凹凸
がポジタイプの場合には、さらにスタンパー１３（図３
（ｆ））の表面に電鋳を行ないスタンパー１４（図３
（ｇ））を得る。そして、該スタンパー１４を用いて凹
凸パターン付基板を得ることができる。上記のスタンパ
ーの製造方法においては、導電化膜および電鋳膜の材料
として広くニッケルが使われている。
スタンパー１３（図３（ｆ））を用いて、凹凸パターン
付の基板を得ることができる。さらに、原盤１１の凹凸
がポジタイプの場合には、さらにスタンパー１３（図３
（ｆ））の表面に電鋳を行ないスタンパー１４（図３
（ｇ））を得る。そして、該スタンパー１４を用いて凹
凸パターン付基板を得ることができる。上記のスタンパ
ーの製造方法においては、導電化膜および電鋳膜の材料
として広くニッケルが使われている。
【０００６】上述の工程で問題となるのは、図３（ｅ）
の電鋳膜（ＩＩ）５を形成する電鋳工程において、マザ
ースタンパー１２のニッケルからなる導電化膜３の表面
にニッケル電鋳を行ない電鋳膜（ＩＩ）５を形成し、該
電鋳膜（ＩＩ）５をニッケルからなる導電化膜３から剥
離する場合、両者はニッケルで同じ金属どうしであるた
めに一体化して剥離できなくなる問題がある。
の電鋳膜（ＩＩ）５を形成する電鋳工程において、マザ
ースタンパー１２のニッケルからなる導電化膜３の表面
にニッケル電鋳を行ない電鋳膜（ＩＩ）５を形成し、該
電鋳膜（ＩＩ）５をニッケルからなる導電化膜３から剥
離する場合、両者はニッケルで同じ金属どうしであるた
めに一体化して剥離できなくなる問題がある。
【０００７】これらの問題を改良するために、例えば 特開昭５４−４０２３９号公報では、導電化膜３の
ニッケル膜に相当する表面を次亜ハロゲン酸で酸化処理
することが提案されている。 特開昭５９−１７３２８８号公報では、導電化膜３
のニッケル膜に相当する表面を酸素プラズマ処理するこ
とが提案されている。 重クロム酸液で導電化膜３のニッケル膜３を酸化処
理する。 等の上記の〜の手法がすでに知られている。
ニッケル膜に相当する表面を次亜ハロゲン酸で酸化処理
することが提案されている。 特開昭５９−１７３２８８号公報では、導電化膜３
のニッケル膜に相当する表面を酸素プラズマ処理するこ
とが提案されている。 重クロム酸液で導電化膜３のニッケル膜３を酸化処
理する。 等の上記の〜の手法がすでに知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の改良方法は、い
ずれも導電化膜３のニッケル膜の表面を酸化処理する方
法である。しかし、ニッケル膜を酸化処理した場合以下
の問題点が発生する。 （１）ニッケル膜の電導度が低下し、電鋳時の電鋳膜
（ＩＩ）５の成膜速度が遅い。 （２）ニッケル膜面の酸化処理が不均質であると、電鋳
膜（ＩＩ）の成膜速度が面内で変動する。その結果、得
られるスタンパー１３又はスタンパー１４の厚みが変動
する。これらのスタンパーを用いて凹凸パターンを基板
上に転写しても転写精度が悪くなる。
ずれも導電化膜３のニッケル膜の表面を酸化処理する方
法である。しかし、ニッケル膜を酸化処理した場合以下
の問題点が発生する。 （１）ニッケル膜の電導度が低下し、電鋳時の電鋳膜
（ＩＩ）５の成膜速度が遅い。 （２）ニッケル膜面の酸化処理が不均質であると、電鋳
膜（ＩＩ）の成膜速度が面内で変動する。その結果、得
られるスタンパー１３又はスタンパー１４の厚みが変動
する。これらのスタンパーを用いて凹凸パターンを基板
上に転写しても転写精度が悪くなる。
【０００９】（３）導電化膜３のニッケル膜面から電鋳
膜（ＩＩ）５を剥離したときに、酸化処理の不均質に起
因し、電鋳膜（ＩＩ）５の一部がニッケル膜の表面に残
るいわゆる膜残りが発生する。 （４） 、の酸化処理は酸化処理液が環境問題の原
因となる。
膜（ＩＩ）５を剥離したときに、酸化処理の不均質に起
因し、電鋳膜（ＩＩ）５の一部がニッケル膜の表面に残
るいわゆる膜残りが発生する。 （４） 、の酸化処理は酸化処理液が環境問題の原
因となる。
【００１０】（５）の場合、酸素プラズマによって導
電化膜３のニッケル膜の表面がエッチングされ、ニッケ
ル膜の表面の面粗度が低下する。その結果、得られるス
タンパー１３又はスタンパー１４の表面精度も低下し、
これら表面粗度が低下したスタンパーを用いて作成され
た凹凸パタ−ン付基板を用いた光記録媒体ではＣ／Ｎが
低下する。
電化膜３のニッケル膜の表面がエッチングされ、ニッケ
ル膜の表面の面粗度が低下する。その結果、得られるス
タンパー１３又はスタンパー１４の表面精度も低下し、
これら表面粗度が低下したスタンパーを用いて作成され
た凹凸パタ−ン付基板を用いた光記録媒体ではＣ／Ｎが
低下する。
【００１１】本発明の目的は、上述の酸化処理に変わる
手法を提案するものであり、凹凸パタ−ンを形成された
表面にニッケルスパッター膜を有する第一の電鋳金型を
マザースタンパーとし、該マザースタンパー上にニッケ
ル電鋳を行ない前記第一の電鋳金型を複製した第二の電
鋳金型を製造する方法において、前記第一の電鋳金型と
第二の電鋳金型を欠陥なく剥離できる電鋳金型の製造方
法を提供することである。
手法を提案するものであり、凹凸パタ−ンを形成された
表面にニッケルスパッター膜を有する第一の電鋳金型を
マザースタンパーとし、該マザースタンパー上にニッケ
ル電鋳を行ない前記第一の電鋳金型を複製した第二の電
鋳金型を製造する方法において、前記第一の電鋳金型と
第二の電鋳金型を欠陥なく剥離できる電鋳金型の製造方
法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、凹凸パ
タ−ンが形成された表面に第１のニッケルスパッター膜
（Ｉ）を有する第一の電鋳金型の表面上に、ニッケル電
鋳膜を形成した後、該ニッケル電鋳膜を剥離して第一の
電鋳金型を複製した第二の電鋳金型を製造する方法にお
いて、前記第一の電鋳金型の表面の第１のニッケルスパ
ッター膜（Ｉ）上に、該第１のニッケルスパッター膜
（Ｉ）の成膜エネルギーよりも低い成膜エネルギーを有
する第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）を形成した
後、ニッケル電鋳膜を形成し、次いで形成された前記第
２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）とニッケル電鋳膜を
一体に剥離することを特徴とする電鋳金型の製造方法で
ある。
タ−ンが形成された表面に第１のニッケルスパッター膜
（Ｉ）を有する第一の電鋳金型の表面上に、ニッケル電
鋳膜を形成した後、該ニッケル電鋳膜を剥離して第一の
電鋳金型を複製した第二の電鋳金型を製造する方法にお
いて、前記第一の電鋳金型の表面の第１のニッケルスパ
ッター膜（Ｉ）上に、該第１のニッケルスパッター膜
（Ｉ）の成膜エネルギーよりも低い成膜エネルギーを有
する第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）を形成した
後、ニッケル電鋳膜を形成し、次いで形成された前記第
２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）とニッケル電鋳膜を
一体に剥離することを特徴とする電鋳金型の製造方法で
ある。
【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
電鋳金型の製造方法は、凹凸パタ−ンを形成された表面
に第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）を有する第一の電
鋳金型の表面上に、ニッケル電鋳膜を形成した後、該ニ
ッケル電鋳膜を剥離して第一の電鋳金型を複製した第二
の電鋳金型を製造する方法において、前記第一の電鋳金
型表面の第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）上に、第２
のニッケルスパッター膜（ＩＩ）を再度形成し、かつ該
第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の成膜エネルギー
が第一の電鋳金型表面にすでに形成されている第１のニ
ッケルスパッター膜（Ｉ）の成膜エネルギーよりも低い
ことを特徴とする。
電鋳金型の製造方法は、凹凸パタ−ンを形成された表面
に第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）を有する第一の電
鋳金型の表面上に、ニッケル電鋳膜を形成した後、該ニ
ッケル電鋳膜を剥離して第一の電鋳金型を複製した第二
の電鋳金型を製造する方法において、前記第一の電鋳金
型表面の第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）上に、第２
のニッケルスパッター膜（ＩＩ）を再度形成し、かつ該
第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の成膜エネルギー
が第一の電鋳金型表面にすでに形成されている第１のニ
ッケルスパッター膜（Ｉ）の成膜エネルギーよりも低い
ことを特徴とする。
【００１４】また、さらに第一の電鋳金型表面に成膜し
た第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の成膜エネルギ
ーが、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の厚さ方向
で異なることを特徴とする。好ましくは該成膜エネルギ
ーの変化はスパッター膜の応力を小さくする方向になっ
ていることを特徴とする。また、第２のニッケルスパッ
ター膜（ＩＩ）上に膜応力の小さい第３のニッケルスパ
ッター膜を設けることができる。
た第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の成膜エネルギ
ーが、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の厚さ方向
で異なることを特徴とする。好ましくは該成膜エネルギ
ーの変化はスパッター膜の応力を小さくする方向になっ
ていることを特徴とする。また、第２のニッケルスパッ
ター膜（ＩＩ）上に膜応力の小さい第３のニッケルスパ
ッター膜を設けることができる。
【００１５】本発明において、ニッケルスパッター膜の
成膜エネルギーＥM は、 スパッター放電電力 Ｗ＝（電流×電圧） アルゴンガス（スパッターガス）の流量 Ｆ（単位ＳＣ
ＣＭ） 真空系内でのアルゴンガスの量≒系内のアルゴンガス圧
力 Ｍ（Ｐａ） を用いて、
成膜エネルギーＥM は、 スパッター放電電力 Ｗ＝（電流×電圧） アルゴンガス（スパッターガス）の流量 Ｆ（単位ＳＣ
ＣＭ） 真空系内でのアルゴンガスの量≒系内のアルゴンガス圧
力 Ｍ（Ｐａ） を用いて、
【００１６】
【数２】 と定義する。
【００１７】次に、図１を用いて本発明を説明する。図
１は本発明の電鋳金型の製造方法の一例を示す工程図で
ある。本発明において、第一のニッケル電鋳金型表面上
に形成した第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）は密着
調整層として機能する。すなわち、第１のニッケルスパ
ッター膜（Ｉ）と第二の電鋳膜（ＩＩ）とが一体化して
剥離できなくなるのを防止する。
１は本発明の電鋳金型の製造方法の一例を示す工程図で
ある。本発明において、第一のニッケル電鋳金型表面上
に形成した第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）は密着
調整層として機能する。すなわち、第１のニッケルスパ
ッター膜（Ｉ）と第二の電鋳膜（ＩＩ）とが一体化して
剥離できなくなるのを防止する。
【００１８】まず、図３（ａ）〜（ｄ）と同様の方法
で、第一の電鋳膜（Ｉ）４の上に第１のニッケルスパッ
ター膜（Ｉ）３が設けられたマザースタンパー１２を作
成する。（図１（Ａ）参照）
で、第一の電鋳膜（Ｉ）４の上に第１のニッケルスパッ
ター膜（Ｉ）３が設けられたマザースタンパー１２を作
成する。（図１（Ａ）参照）
【００１９】次に、そのマザースタンパー１２の第１の
ニッケルスパッター膜（Ｉ）３の表面上に、第２のニッ
ケルスパッター膜（ＩＩ）６を形成する。（図１（Ｂ）
参照）この場合、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）
６の成膜エネルギーＥM （ＩＩ）は、第１のニッケルス
パッター膜（Ｉ）３の成膜エネルギーＥM （Ｉ）よりも
小さく設定する。
ニッケルスパッター膜（Ｉ）３の表面上に、第２のニッ
ケルスパッター膜（ＩＩ）６を形成する。（図１（Ｂ）
参照）この場合、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）
６の成膜エネルギーＥM （ＩＩ）は、第１のニッケルス
パッター膜（Ｉ）３の成膜エネルギーＥM （Ｉ）よりも
小さく設定する。
【００２０】具体的には、ＥM （ＩＩ）は下記の（１）
式
式
【００２１】
【数３】 １／５ＥM （Ｉ）＜ＥM （ＩＩ）＜４／５ＥM （Ｉ） （１） で表わされる範囲が好ましい。ＥM （ＩＩ）がＥM
（Ｉ）の４／５（８０％）以下になると、第２のニッケ
ルスパッター膜（ＩＩ）の成膜時にアルゴンガスによっ
て励起したニッケルが第１のニッケルスパッター膜
（Ｉ）と著しい反応をしめすことなく、第１のニッケル
スパッター膜表面に折出し、第２のニッケルスパッター
膜（ＩＩ）を形成するために、第１のニッケルスパッタ
ー膜（Ｉ）と第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）が一
体化することがない。
（Ｉ）の４／５（８０％）以下になると、第２のニッケ
ルスパッター膜（ＩＩ）の成膜時にアルゴンガスによっ
て励起したニッケルが第１のニッケルスパッター膜
（Ｉ）と著しい反応をしめすことなく、第１のニッケル
スパッター膜表面に折出し、第２のニッケルスパッター
膜（ＩＩ）を形成するために、第１のニッケルスパッタ
ー膜（Ｉ）と第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）が一
体化することがない。
【００２２】一方、ＥM （ＩＩ）がＥM （Ｉ）の１／５
以下になると、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）と
第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）の密着力が低下しす
ぎて、電鋳膜（ＩＩ）の形成時に、第１のニッケルスパ
ッター膜（Ｉ）と第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）
の界面で剥離がおこることがある。
以下になると、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）と
第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）の密着力が低下しす
ぎて、電鋳膜（ＩＩ）の形成時に、第１のニッケルスパ
ッター膜（Ｉ）と第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）
の界面で剥離がおこることがある。
【００２３】次に、第２のニッケルスパッター膜（Ｉ
Ｉ）６の上にニッケル電鋳膜（ＩＩ）５を形成する。
（図１（Ｃ）参照）その後、第１のニッケルスパッター
膜（Ｉ）３と第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）６の
界面で剥離することにより、第２のニッケルスパッター
膜（ＩＩ）６と電鋳膜（ＩＩ）５を一体化したスタンパ
ー１５を得る。（図１（Ｄ）参照）
Ｉ）６の上にニッケル電鋳膜（ＩＩ）５を形成する。
（図１（Ｃ）参照）その後、第１のニッケルスパッター
膜（Ｉ）３と第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）６の
界面で剥離することにより、第２のニッケルスパッター
膜（ＩＩ）６と電鋳膜（ＩＩ）５を一体化したスタンパ
ー１５を得る。（図１（Ｄ）参照）
【００２４】第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の厚
みは、１００Å〜４０００Å、好ましくは５００〜３０
００Åが望ましい。ただし、第２のニッケルスパッター
膜（ＩＩ）の厚みが１００〜３００Åと薄い場合には、
図２に示される様に、薄い第２のニッケルスパッター膜
（ＩＩ）６１の上に第３のニッケルスパッター膜（ＩＩ
Ｉ）６２を積層しても良い。この場合、第２のニッケル
スパッター膜（ＩＩ）と第３のニッケルスパッター膜
（ＩＩＩ）は連続的に成膜されるのが好ましい。さら
に、第３のニッケルスパッター膜はスパッター膜の応力
ができるだけゼロに近づく様に成膜することが望まし
く、応力が大きいとスパッター膜にひび割れが発生す
る。
みは、１００Å〜４０００Å、好ましくは５００〜３０
００Åが望ましい。ただし、第２のニッケルスパッター
膜（ＩＩ）の厚みが１００〜３００Åと薄い場合には、
図２に示される様に、薄い第２のニッケルスパッター膜
（ＩＩ）６１の上に第３のニッケルスパッター膜（ＩＩ
Ｉ）６２を積層しても良い。この場合、第２のニッケル
スパッター膜（ＩＩ）と第３のニッケルスパッター膜
（ＩＩＩ）は連続的に成膜されるのが好ましい。さら
に、第３のニッケルスパッター膜はスパッター膜の応力
ができるだけゼロに近づく様に成膜することが望まし
く、応力が大きいとスパッター膜にひび割れが発生す
る。
【００２５】第３の第３のニッケルスパッター膜を設け
る目的は、第２のニッケルスパッター膜が薄い場合に、
電鋳膜（ＩＩ）を設ける工程での前処理（アルカリ処理
等の）によって第２のニッケルスパッター膜に欠陥が発
生することを防ぐためである。
る目的は、第２のニッケルスパッター膜が薄い場合に、
電鋳膜（ＩＩ）を設ける工程での前処理（アルカリ処理
等の）によって第２のニッケルスパッター膜に欠陥が発
生することを防ぐためである。
【００２６】第３のニッケルスパッター膜の厚みは１０
００Å〜３０００Å、好ましくは１５００〜２５００Å
が望ましい。スパッター成膜に用いる電源は交流（Ａ
Ｃ）および直流（ＤＣ）のいずれでも良いが、通常導電
体であるニッケルの成膜はＤＣスパッター装置で行なわ
れる。
００Å〜３０００Å、好ましくは１５００〜２５００Å
が望ましい。スパッター成膜に用いる電源は交流（Ａ
Ｃ）および直流（ＤＣ）のいずれでも良いが、通常導電
体であるニッケルの成膜はＤＣスパッター装置で行なわ
れる。
【００２７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。
する。
【００２８】実施例１ 図１および図３（ａ）〜（ｄ）に基づいて実施例を説明
する。図３（ａ）〜（ｄ）に示す様に、幅３μｍ、高さ
３０００Åの凸部、及び幅９μｍ、深さ３０００Åの凹
部が繰り返して各の２０００本形成された原盤１１をＤ
Ｃスパッター装置にセットして、成膜条件としてＡｒ流
量３５ＳＣＣＭ、系内圧力０．４Ｐａ、放電電力２．８
Ａ×５００ＶのＤＣスパッターで第１のニッケルスパッ
ター膜（Ｉ）３を凹凸パターン面上に形成した。膜厚は
３０００Åであった。
する。図３（ａ）〜（ｄ）に示す様に、幅３μｍ、高さ
３０００Åの凸部、及び幅９μｍ、深さ３０００Åの凹
部が繰り返して各の２０００本形成された原盤１１をＤ
Ｃスパッター装置にセットして、成膜条件としてＡｒ流
量３５ＳＣＣＭ、系内圧力０．４Ｐａ、放電電力２．８
Ａ×５００ＶのＤＣスパッターで第１のニッケルスパッ
ター膜（Ｉ）３を凹凸パターン面上に形成した。膜厚は
３０００Åであった。
【００２９】次に、電導膜である上記の第１のニッケル
スパッター膜（Ｉ）上にスルファニル酸ニッケル電鋳液
中で通電電流時間積分値２４０〜４００ＡＨ（アンペア
アハー）の条件で３００〜５００μｍのニッケル電鋳膜
（Ｉ）４を形成し、原盤１１から剥離しマザースタンパ
ー１２を得た。（図１（Ａ）参照）
スパッター膜（Ｉ）上にスルファニル酸ニッケル電鋳液
中で通電電流時間積分値２４０〜４００ＡＨ（アンペア
アハー）の条件で３００〜５００μｍのニッケル電鋳膜
（Ｉ）４を形成し、原盤１１から剥離しマザースタンパ
ー１２を得た。（図１（Ａ）参照）
【００３０】次に、得られたマザースタンパー１２の第
１のニッケルスパッター膜（Ｉ）上に、ＤＣスパッター
装置を用いて、Ａｒ（アルゴン）流量３５ＳＣＣＭ、系
内圧力０．６Ｐａ、放電電力２．８Ａ×４５０Ｖで第２
のニッケルスパッター膜（ＩＩ）を１０００Åの厚さに
成膜した。（図１（Ｂ）参照） なお、第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）の成膜エネル
ギーは１００（Ｗ（ワット）／Ｐａ・ＳＣＣＭ）、第２
のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の成膜エネルギーは６
０（Ｗ（ワット）／Ｐａ・ＳＣＣＭ）であった。
１のニッケルスパッター膜（Ｉ）上に、ＤＣスパッター
装置を用いて、Ａｒ（アルゴン）流量３５ＳＣＣＭ、系
内圧力０．６Ｐａ、放電電力２．８Ａ×４５０Ｖで第２
のニッケルスパッター膜（ＩＩ）を１０００Åの厚さに
成膜した。（図１（Ｂ）参照） なお、第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）の成膜エネル
ギーは１００（Ｗ（ワット）／Ｐａ・ＳＣＣＭ）、第２
のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の成膜エネルギーは６
０（Ｗ（ワット）／Ｐａ・ＳＣＣＭ）であった。
【００３１】次に、アルカリ液中に１分間浸漬した後、
スルファニル酸ニッケル電鋳液中で通電時間積分値１６
０ＡＨの条件で、厚み２００〜２５０μｍのニッケル電
鋳膜（ＩＩ）５を形成した。（図１（Ｃ）参照） その後、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）と電鋳膜
（ＩＩ）を一体に、マザースタンパー１２から剥離した
ところきれいに剥離し、スタンパー１５が得られた。
（図１（Ｄ）参照）
スルファニル酸ニッケル電鋳液中で通電時間積分値１６
０ＡＨの条件で、厚み２００〜２５０μｍのニッケル電
鋳膜（ＩＩ）５を形成した。（図１（Ｃ）参照） その後、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）と電鋳膜
（ＩＩ）を一体に、マザースタンパー１２から剥離した
ところきれいに剥離し、スタンパー１５が得られた。
（図１（Ｄ）参照）
【００３２】実施例２ 実施例１で得られたマザースタンパー１２の第１のニッ
ケルスパッター膜（Ｉ）上に、ＤＣスパッター装置を用
いて、Ａｒ（アルゴン）流量３５ＳＣＣＭ、系内圧力
０．６５Ｐａ、放電電力２．８Ａ×４５０Ｖで第２のニ
ッケルスパッター膜（ＩＩ）を厚さ２００Åに成膜し、
成膜をつづけたまま系内圧力を２０ｓｅｃで０．４Ｐａ
に変え２０００Åの厚みを有する第３のニッケルスパッ
ター膜（ＩＩＩ）を連続的に成膜した（図２で模式的に
示される膜）。
ケルスパッター膜（Ｉ）上に、ＤＣスパッター装置を用
いて、Ａｒ（アルゴン）流量３５ＳＣＣＭ、系内圧力
０．６５Ｐａ、放電電力２．８Ａ×４５０Ｖで第２のニ
ッケルスパッター膜（ＩＩ）を厚さ２００Åに成膜し、
成膜をつづけたまま系内圧力を２０ｓｅｃで０．４Ｐａ
に変え２０００Åの厚みを有する第３のニッケルスパッ
ター膜（ＩＩＩ）を連続的に成膜した（図２で模式的に
示される膜）。
【００３３】なお、第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）
の成膜エネルギーは１００（Ｗ（ワット）／Ｐａ・ＳＣ
ＣＭ）、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の成膜エ
ネルギーは５５．４（Ｗ（ワット）／Ｐａ・ＳＣＣＭ）
であった。
の成膜エネルギーは１００（Ｗ（ワット）／Ｐａ・ＳＣ
ＣＭ）、第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）の成膜エ
ネルギーは５５．４（Ｗ（ワット）／Ｐａ・ＳＣＣＭ）
であった。
【００３４】次に、実施例１と同様に、アルカリ液中に
１分間浸漬した後、スルファニル酸ニッケル電鋳液中で
通電時間積分値１６０ＡＨの条件で、厚み２００〜２５
０μｍのニッケル電鋳膜（ＩＩ）を形成した。（図１
（Ｃ）参照）
１分間浸漬した後、スルファニル酸ニッケル電鋳液中で
通電時間積分値１６０ＡＨの条件で、厚み２００〜２５
０μｍのニッケル電鋳膜（ＩＩ）を形成した。（図１
（Ｃ）参照）
【００３５】その後、第２のニッケルスパッター膜（Ｉ
Ｉ）と電鋳膜（ＩＩ）を一体に、マザースタンパー１２
から剥離したところきれいに剥離し、スタンパー１５が
得られた。（図１（Ｄ）参照）
Ｉ）と電鋳膜（ＩＩ）を一体に、マザースタンパー１２
から剥離したところきれいに剥離し、スタンパー１５が
得られた。（図１（Ｄ）参照）
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電鋳金型
の製造方法によれば、凹凸パタ−ンを形成された表面に
ニッケルスパッター膜を有する第一の電鋳金型をマザー
スタンパーとし、該マザースタンパー上にニッケル電鋳
を行ない前記第一の電鋳金型を複製した第二の電鋳金型
を製造する方法において、電鋳工程時に第２のニッケル
スパッター膜が第１のニッケルスパッター膜からはがれ
ることがなく、第一の電鋳金型と第二の電鋳金型を欠陥
なく剥離することができる。
の製造方法によれば、凹凸パタ−ンを形成された表面に
ニッケルスパッター膜を有する第一の電鋳金型をマザー
スタンパーとし、該マザースタンパー上にニッケル電鋳
を行ない前記第一の電鋳金型を複製した第二の電鋳金型
を製造する方法において、電鋳工程時に第２のニッケル
スパッター膜が第１のニッケルスパッター膜からはがれ
ることがなく、第一の電鋳金型と第二の電鋳金型を欠陥
なく剥離することができる。
【００３７】また、本発明によれば、 （１）重クロム酸処理、次亜ハロゲン酸処理等の環境
（公害）に問題となる処理することなしに高品質のニッ
ケルスタンパーを得ることができる。 （２）酸素プラズマ処理と比較して面精度が高いニッケ
ルスタンパーを得ることができる （３）酸素プラズマ等の酸化処理と比較して電鋳膜の成
膜速度が速いため効率が良いスタンパー製造が可能とな
った。
（公害）に問題となる処理することなしに高品質のニッ
ケルスタンパーを得ることができる。 （２）酸素プラズマ処理と比較して面精度が高いニッケ
ルスタンパーを得ることができる （３）酸素プラズマ等の酸化処理と比較して電鋳膜の成
膜速度が速いため効率が良いスタンパー製造が可能とな
った。
【図１】本発明の電鋳金型の製造方法の一例を示す工程
図である。
図である。
【図２】本発明の電鋳金型の製造方法の他の例を示す説
明図である。
明図である。
【図３】従来のスタンパーの製造方法を示す工程図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 凹凸パターン ３ 導電化膜＝第１のニッケルスパッター膜（Ｉ） ４ 電鋳膜（Ｉ） ５ 電鋳膜（ＩＩ） ６ 第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ） １１ 原盤 １２ マザースタンパー １３ スタンパー １４ スタンパー ６１ 薄い第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ） ６２ 第３のニッケルスパッター膜（ＩＩＩ）
Claims (3)
- 【請求項１】 凹凸パタ−ンが形成された表面に第１の
ニッケルスパッター膜（Ｉ）を有する第一の電鋳金型の
表面上に、ニッケル電鋳膜を形成した後、該ニッケル電
鋳膜を剥離して第一の電鋳金型を複製した第二の電鋳金
型を製造する方法において、前記第一の電鋳金型の表面
の第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）上に、該第１のニ
ッケルスパッター膜（Ｉ）の成膜エネルギーよりも低い
成膜エネルギーを有する第２のニッケルスパッター膜
（ＩＩ）を形成した後、ニッケル電鋳膜を形成し、次い
で形成された前記第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）
とニッケル電鋳膜を一体に剥離することを特徴とする電
鋳金型の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１のニッケルスパッター膜（Ｉ）
の成膜エネルギーＥM （Ｉ）と第２のニッケルスパッタ
ー膜（ＩＩ）の成膜エネルギーエネルギーＥM （ＩＩ）
の関係が、下記の（１）式からなる請求項１記載の電鋳
金型の製造方法。 【数１】 １／５ＥM （Ｉ）＜ＥM （ＩＩ）＜４／５ＥM （Ｉ） （１） - 【請求項３】 第２のニッケルスパッター膜（ＩＩ）上
に膜応力の小さい第３のニッケルスパッター膜（ＩＩ
Ｉ）を有する請求項１記載の電鋳金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11269995A JP3342230B2 (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 電鋳金型の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11269995A JP3342230B2 (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 電鋳金型の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08287529A JPH08287529A (ja) | 1996-11-01 |
| JP3342230B2 true JP3342230B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=14593290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11269995A Expired - Fee Related JP3342230B2 (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 電鋳金型の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3342230B2 (ja) |
-
1995
- 1995-04-14 JP JP11269995A patent/JP3342230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08287529A (ja) | 1996-11-01 |
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