JP3340535B2 - 半導体特性測定システム - Google Patents
半導体特性測定システムInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体特性測定システ
ムに係り、特に半導体素子の不純物濃度プロファイル、
基板不純物濃度を正確に求めることができる半導体特性
測定システムに関する。
ムに係り、特に半導体素子の不純物濃度プロファイル、
基板不純物濃度を正確に求めることができる半導体特性
測定システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体素子は、周知のとおり、
シリコン等の半導体を母材として製造されている。この
ような半導体素子の電気的特性は、基本的に、シリコン
（Si）／酸化シリコン（SiO2）界面付近の不純物濃度が
大きく影響を与える。したがって、このSi／SiO2界面付
近の不純物濃度を測定することは重要なことである。ま
た、上記半導体素子を構成するSi基板の正確な不純物濃
度を得ることは、バックバイアス特性を表現するために
も重要である。従来、このような半導体素子の半導体内
部の不純物濃度プロファイルは、一定のエネルギーを与
えた一次イオンで当該半導体表面をスパッタして得られ
る二次イオンを基に必要な濃度等の特性を得る二次イオ
ン質量分析（ＳＩＭＳ）法や、半導体素子の容量電圧特
性を利用して必要な濃度等を得る容量電圧（ＣＶ）法が
使用されていた。これらの測定法によって、上記半導体
素子の半導体内部の不純物濃度を測定することができ
た。
シリコン等の半導体を母材として製造されている。この
ような半導体素子の電気的特性は、基本的に、シリコン
（Si）／酸化シリコン（SiO2）界面付近の不純物濃度が
大きく影響を与える。したがって、このSi／SiO2界面付
近の不純物濃度を測定することは重要なことである。ま
た、上記半導体素子を構成するSi基板の正確な不純物濃
度を得ることは、バックバイアス特性を表現するために
も重要である。従来、このような半導体素子の半導体内
部の不純物濃度プロファイルは、一定のエネルギーを与
えた一次イオンで当該半導体表面をスパッタして得られ
る二次イオンを基に必要な濃度等の特性を得る二次イオ
ン質量分析（ＳＩＭＳ）法や、半導体素子の容量電圧特
性を利用して必要な濃度等を得る容量電圧（ＣＶ）法が
使用されていた。これらの測定法によって、上記半導体
素子の半導体内部の不純物濃度を測定することができ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
各測定法にあっては、次の理由により、上記半導体素子
のSi／SiO2界面付近の不純物プロファイルを得ることが
できなかった。 （１）ＳＩＭＳ法による測定の場合には、スパッタリン
グやマトリックス効果によってSi／SiO2界面付近の測定
プロファイルの誤差が大きくなってしまうこと。 （２）ＣＶ法による測定の場合には、デバイス長以内の
不純物の情報が得られないこと。一方、上記半導体素子
の場合には、Si基板に実際に分布する不純物濃度は均一
に分布していないことから、均一な不純物濃度を得るこ
とが困難であった。そこで、本発明の第１の目的は、Si
／SiO2界面付近の不純物濃度プロファイルを正確に求め
ることができる半導体特性測定システムを提供すること
にある。また、本発明の第２の目的は、Si基板の均一な
不純物濃度を求めることができる半導体特性測定システ
ムを提供することにある。さらに、本発明の第３の目的
は、蓄積された半導体素子の不純物濃度及び電気的特性
の相関データと測定された電気的特性とからチャネル領
域の不純物濃度プロファイルを得ることができる半導体
特性測定システムを提供することにある。
各測定法にあっては、次の理由により、上記半導体素子
のSi／SiO2界面付近の不純物プロファイルを得ることが
できなかった。 （１）ＳＩＭＳ法による測定の場合には、スパッタリン
グやマトリックス効果によってSi／SiO2界面付近の測定
プロファイルの誤差が大きくなってしまうこと。 （２）ＣＶ法による測定の場合には、デバイス長以内の
不純物の情報が得られないこと。一方、上記半導体素子
の場合には、Si基板に実際に分布する不純物濃度は均一
に分布していないことから、均一な不純物濃度を得るこ
とが困難であった。そこで、本発明の第１の目的は、Si
／SiO2界面付近の不純物濃度プロファイルを正確に求め
ることができる半導体特性測定システムを提供すること
にある。また、本発明の第２の目的は、Si基板の均一な
不純物濃度を求めることができる半導体特性測定システ
ムを提供することにある。さらに、本発明の第３の目的
は、蓄積された半導体素子の不純物濃度及び電気的特性
の相関データと測定された電気的特性とからチャネル領
域の不純物濃度プロファイルを得ることができる半導体
特性測定システムを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る半導体特性測定システムは、半導体素子のチャネル領
域の不純物濃度プロファイルを測定する不純物濃度測定
装置と、前記半導体素子に与えるバックバイアスを変え
て前記半導体素子のゲート電圧−ドレイン電流特性（ゲ
ート電圧に対するドレイン電流の関係を示す特性）を測
定する電気的特性測定装置と、プロセスのデータからソ
ース領域及びドレイン領域の不純物濃度プロファイルを
得るプロセスシミュレータと、前記不純物濃度測定装置
からの実測のチャネル領域の不純物濃度プロファイルと
プロセスシミュレータで得たソース領域及びドレイン領
域の不純物濃度プロファイルとを合わせたデバイスシミ
ュレーション用の不純物濃度データを作成し、このデー
タを基にデバイスシミュレーションを実行するとともに
バックバイアスを変えてゲート電圧−ドレイン電流特性
を得るデバイスシミュレータと、前記電気的特性測定装
置からの実測値とデバイスシミュレーションによるゲー
ト電圧−ドレイン電流特性とを比較しながら半導体素子
のゲート酸化膜境界付近の不純物濃度プロファイルを、
実測値とシミュレーション値との誤差が最小になるよう
に変更する判定手段とを具備させて前記第１の目的を達
成する。
る半導体特性測定システムは、半導体素子のチャネル領
域の不純物濃度プロファイルを測定する不純物濃度測定
装置と、前記半導体素子に与えるバックバイアスを変え
て前記半導体素子のゲート電圧−ドレイン電流特性（ゲ
ート電圧に対するドレイン電流の関係を示す特性）を測
定する電気的特性測定装置と、プロセスのデータからソ
ース領域及びドレイン領域の不純物濃度プロファイルを
得るプロセスシミュレータと、前記不純物濃度測定装置
からの実測のチャネル領域の不純物濃度プロファイルと
プロセスシミュレータで得たソース領域及びドレイン領
域の不純物濃度プロファイルとを合わせたデバイスシミ
ュレーション用の不純物濃度データを作成し、このデー
タを基にデバイスシミュレーションを実行するとともに
バックバイアスを変えてゲート電圧−ドレイン電流特性
を得るデバイスシミュレータと、前記電気的特性測定装
置からの実測値とデバイスシミュレーションによるゲー
ト電圧−ドレイン電流特性とを比較しながら半導体素子
のゲート酸化膜境界付近の不純物濃度プロファイルを、
実測値とシミュレーション値との誤差が最小になるよう
に変更する判定手段とを具備させて前記第１の目的を達
成する。
【０００５】請求項２記載の発明に係る半導体特性測定
システムは、予め得られた半導体素子のゲート酸化膜境
界面付近の不純物濃度プロファイルを基にバックバイア
スがかかってない状態のチャネル領域の空乏層内部の平
均的な不純物濃度を求め、この値を基板不純物濃度とし
てデバイスシミュレーション用の不純物データを作成す
る手段と、前記手段からの不純物データを基にバックバ
イアスを変えてゲート電圧−ドレイン電流特性をシミュ
レーションするデバイスシミュレータと、実測値とシミ
ュレーションによるゲート電圧−ドレイン電流特性を比
較しながら、基板不純物濃度の値を、実測とシミュレー
ション値との誤差が最小になるように変更する比較手段
とを具備させて前記第２の目的を達成する。
システムは、予め得られた半導体素子のゲート酸化膜境
界面付近の不純物濃度プロファイルを基にバックバイア
スがかかってない状態のチャネル領域の空乏層内部の平
均的な不純物濃度を求め、この値を基板不純物濃度とし
てデバイスシミュレーション用の不純物データを作成す
る手段と、前記手段からの不純物データを基にバックバ
イアスを変えてゲート電圧−ドレイン電流特性をシミュ
レーションするデバイスシミュレータと、実測値とシミ
ュレーションによるゲート電圧−ドレイン電流特性を比
較しながら、基板不純物濃度の値を、実測とシミュレー
ション値との誤差が最小になるように変更する比較手段
とを具備させて前記第２の目的を達成する。
【０００６】請求項３記載の発明に係る半導体特性測定
システムは、ゲート電圧−ドレイン電流特性を測定しこ
れを与える特性入力手段と、予め蓄えられた、ゲート電
圧−ドレイン電流特性と不純物濃度プロファイルとの相
関データを記憶する記憶手段と、前記入力手段からゲー
ト電圧−ドレイン電流特性が入力されたときに、前記記
憶手段のデータを検索し、その入力特性に最も相関のあ
る不純物濃度プロファイルを選択する選択手段と、前記
選択された不純物濃度プロファイルを基にゲート電圧−
ドレイン電流特性をデバイスシミュレーションする計算
手段と、測定したゲート電圧−ドレイン電流特性とシミ
ュレーションしたゲート電圧−ドレイン電流特性の誤差
が最小となるように不純物濃度プロファイルの変更を行
なう変更手段とを備え、その変更された不純物濃度プロ
ファイルを出力できるようにしたことにより前記第３の
目的を達成する。
システムは、ゲート電圧−ドレイン電流特性を測定しこ
れを与える特性入力手段と、予め蓄えられた、ゲート電
圧−ドレイン電流特性と不純物濃度プロファイルとの相
関データを記憶する記憶手段と、前記入力手段からゲー
ト電圧−ドレイン電流特性が入力されたときに、前記記
憶手段のデータを検索し、その入力特性に最も相関のあ
る不純物濃度プロファイルを選択する選択手段と、前記
選択された不純物濃度プロファイルを基にゲート電圧−
ドレイン電流特性をデバイスシミュレーションする計算
手段と、測定したゲート電圧−ドレイン電流特性とシミ
ュレーションしたゲート電圧−ドレイン電流特性の誤差
が最小となるように不純物濃度プロファイルの変更を行
なう変更手段とを備え、その変更された不純物濃度プロ
ファイルを出力できるようにしたことにより前記第３の
目的を達成する。
【０００７】
【作用】請求項１記載の発明では、上述のように構成
し、実際に測定した半導体素子のチャネル領域の不純物
濃度プロファイルをデバイスシミュレータに与え、デバ
イスシミュレータからのゲート電圧−ドレイン電流特性
と実測のゲート電圧−ドレイン電流特性とを比較しなが
ら、シリコン／酸化シリコン（ゲート酸化膜）界面付近
の不純物濃度プロファイルを変更していき、最終的にシ
ミュレーション値と実測値とが一致したときに求める不
純物濃度プロファイルが得られたとするものである。し
たがって、当該界面付近の不純物濃度プロファイルを正
確に求めることができる。
し、実際に測定した半導体素子のチャネル領域の不純物
濃度プロファイルをデバイスシミュレータに与え、デバ
イスシミュレータからのゲート電圧−ドレイン電流特性
と実測のゲート電圧−ドレイン電流特性とを比較しなが
ら、シリコン／酸化シリコン（ゲート酸化膜）界面付近
の不純物濃度プロファイルを変更していき、最終的にシ
ミュレーション値と実測値とが一致したときに求める不
純物濃度プロファイルが得られたとするものである。し
たがって、当該界面付近の不純物濃度プロファイルを正
確に求めることができる。
【０００８】請求項２記載の発明では、上記構成とし、
請求項１の半導体特性測定システムで得た正確な不純物
濃度プロファイルを基にバックバイアスがかかっていな
い状態の空乏層内部の平均的な不純物濃度を求め、これ
を初期値にして実測したゲート電圧−ドレイン電流特性
とシミュレーションしたゲート電圧−ドレイン電流特性
を比較しながら、バックバイアス依存のみを最も正確に
シミュレーションして平均不純物濃度プロファイルを求
めている。
請求項１の半導体特性測定システムで得た正確な不純物
濃度プロファイルを基にバックバイアスがかかっていな
い状態の空乏層内部の平均的な不純物濃度を求め、これ
を初期値にして実測したゲート電圧−ドレイン電流特性
とシミュレーションしたゲート電圧−ドレイン電流特性
を比較しながら、バックバイアス依存のみを最も正確に
シミュレーションして平均不純物濃度プロファイルを求
めている。
【０００９】請求項３記載の発明では、請求項１、２記
載の発明で蓄積されるゲート電圧−ドレイン電流特性と
不純物濃度プロファイルとの相関を記憶手段に記憶させ
ておき、ゲート電圧−ドレイン電流特性から不純物濃度
プロファイルを推定するようにしている。
載の発明で蓄積されるゲート電圧−ドレイン電流特性と
不純物濃度プロファイルとの相関を記憶手段に記憶させ
ておき、ゲート電圧−ドレイン電流特性から不純物濃度
プロファイルを推定するようにしている。
【００１０】
【実施例】以下、本発明について図示の実施例を参照し
て説明する。図１〜図９は、本発明に係る半導体特性測
定システムの第１の実施例を説明するためのものであ
る。まず、半導体特性測定システムのハード構成につい
て図１に示すブロック図を参照しながら説明をする。
て説明する。図１〜図９は、本発明に係る半導体特性測
定システムの第１の実施例を説明するためのものであ
る。まず、半導体特性測定システムのハード構成につい
て図１に示すブロック図を参照しながら説明をする。
【００１１】図１においてＭＯＳトランジスタ１は、半
導体特性測定システム２によって必要な特性が測定され
るようになっている。ここで、半導体特性測定システム
２は、主に、前記トランジスタ１の不純物濃度を測定す
る不純物濃度測定装置２１と、前記トランジスタ１の電
気的特性（ゲート電圧Vg−ドレイン電流Id特性）を測定
する電気的特性測定装置２２と、前記不純物濃度測定装
置２１及び電気的特性測定装置２２からのデータを基に
Si／SiO2界面付近の不純物濃度プロファイルを決定する
処理装置２３とからなる。
導体特性測定システム２によって必要な特性が測定され
るようになっている。ここで、半導体特性測定システム
２は、主に、前記トランジスタ１の不純物濃度を測定す
る不純物濃度測定装置２１と、前記トランジスタ１の電
気的特性（ゲート電圧Vg−ドレイン電流Id特性）を測定
する電気的特性測定装置２２と、前記不純物濃度測定装
置２１及び電気的特性測定装置２２からのデータを基に
Si／SiO2界面付近の不純物濃度プロファイルを決定する
処理装置２３とからなる。
【００１２】上記不純物濃度測定装置２１は、例えばＳ
ＩＭＳ法あるいはＣＶ法等を用いて前記トランジスタ１
のチャネル領域の不純物プロファイルを測定できる装置
であり、その測定データを処理装置２３に供給できるよ
うにしてある。上記電気的特性測定装置２２は、前記ト
ランジスタ１を接続し、ゲート電圧Vgに対するドレイン
電流Idを得る装置であり、その測定データを処理装置２
３に供給できるようにしてある。前記処理装置２３は、
電子計算機システムで構成すればよく、所定のプログラ
ムが実行されることにより、プロセスシミュレータ２３
１、デバイスシミュレータ２３２、及び判定手段２３３
が実現される。ここで、前記プロセスシミュレータ２３
１は、集積回路の製造工程を計算機上で模擬的に行な
い、実際に半導体素子を試作することなく、半導体素子
等のデバイスの加工形状やデバイス内部の不純物分布を
予測する装置である。また、前記デバイスシミュレータ
２３２は、測定あるいはプロセスシミュレータ２３１で
得たデバイス内部の不純物分布データを基に当該デバイ
スの電気的特性を予測できる装置である。さらに、前記
判定手段２３３は、実測値とシミュレーション結果値と
が一致するか否かの判定をし、かつその判定結果から必
要な指令を出すとともにその他必要な指令を出す装置で
ある。
ＩＭＳ法あるいはＣＶ法等を用いて前記トランジスタ１
のチャネル領域の不純物プロファイルを測定できる装置
であり、その測定データを処理装置２３に供給できるよ
うにしてある。上記電気的特性測定装置２２は、前記ト
ランジスタ１を接続し、ゲート電圧Vgに対するドレイン
電流Idを得る装置であり、その測定データを処理装置２
３に供給できるようにしてある。前記処理装置２３は、
電子計算機システムで構成すればよく、所定のプログラ
ムが実行されることにより、プロセスシミュレータ２３
１、デバイスシミュレータ２３２、及び判定手段２３３
が実現される。ここで、前記プロセスシミュレータ２３
１は、集積回路の製造工程を計算機上で模擬的に行な
い、実際に半導体素子を試作することなく、半導体素子
等のデバイスの加工形状やデバイス内部の不純物分布を
予測する装置である。また、前記デバイスシミュレータ
２３２は、測定あるいはプロセスシミュレータ２３１で
得たデバイス内部の不純物分布データを基に当該デバイ
スの電気的特性を予測できる装置である。さらに、前記
判定手段２３３は、実測値とシミュレーション結果値と
が一致するか否かの判定をし、かつその判定結果から必
要な指令を出すとともにその他必要な指令を出す装置で
ある。
【００１３】図２は、同実施例で測定するＭＯＳトラン
ジスタの基本的構成を示す模式図である。この図２を用
いてＭＯＳトランジスタの構造を簡単に説明しておく。
ＭＯＳトランジスタ１は、ショートチャネル効果が無視
できるほど長いゲート１１をもつ半導体素子である。こ
のＭＯＳトランジスタ１は、Si基板１２の上にSiO2から
なるゲート酸化膜１３を形成し、その上にゲート１１が
形成されている。また、前記Si基板１２において、ゲー
ト１１の両側にソース部１４、ドレイン部１５が形成さ
れている。
ジスタの基本的構成を示す模式図である。この図２を用
いてＭＯＳトランジスタの構造を簡単に説明しておく。
ＭＯＳトランジスタ１は、ショートチャネル効果が無視
できるほど長いゲート１１をもつ半導体素子である。こ
のＭＯＳトランジスタ１は、Si基板１２の上にSiO2から
なるゲート酸化膜１３を形成し、その上にゲート１１が
形成されている。また、前記Si基板１２において、ゲー
ト１１の両側にソース部１４、ドレイン部１５が形成さ
れている。
【００１４】このような実施例の処理動作について説明
する。図３は、本実施例の処理動作を説明するためのフ
ローチャートである。まず、上記ＭＯＳトランジスタ１
を不純物濃度測定装置２１にセットし、ＭＯＳトランジ
スタ１のチャネル領域ＣＥにおける深さ方向（図２中矢
印Ａ方向）の不純物濃度プロファイルを、ＳＩＭＳ法あ
るいはＣＶ法等を用いて測定する（ステップ１０１）。
これにより、図４に示す不純物濃度プロファイル特性が
得られる。なお、図４では、横軸にSi基板１２のSi／Si
O2界面からの深さが、縦軸に不純物濃度がそれぞれとら
れている。
する。図３は、本実施例の処理動作を説明するためのフ
ローチャートである。まず、上記ＭＯＳトランジスタ１
を不純物濃度測定装置２１にセットし、ＭＯＳトランジ
スタ１のチャネル領域ＣＥにおける深さ方向（図２中矢
印Ａ方向）の不純物濃度プロファイルを、ＳＩＭＳ法あ
るいはＣＶ法等を用いて測定する（ステップ１０１）。
これにより、図４に示す不純物濃度プロファイル特性が
得られる。なお、図４では、横軸にSi基板１２のSi／Si
O2界面からの深さが、縦軸に不純物濃度がそれぞれとら
れている。
【００１５】次に、上記ＭＯＳトランジスタ１を電気的
特性測定装置２２に接続し、バックバイアスＶＢＳを変
化させて該トランジスタ１のVg−Id特性を測定する（ス
テップ１０２）。これにより、電気的特性測定装置２２
からは、図８に示すような電気的特性を得ることができ
る。なお、図８では、横軸にVgsが、縦軸にIdsがそれぞ
れとられており、またバックバイアスＶＢＳが０，−
２，−４〔Ｖ〕のときの特性が実線で示されている。さ
らに、前記ＭＯＳトランジスタ１の製造工程のデータを
処理装置２３に入力し、かつプロセスシミュレータ２３
１によって前記ＭＯＳトランジスタ１のソース領域及び
ドレイン領域ＳＤＥの不純物濃度プロファイルを求め
る。これにより、図５に示すようなソース領域及びドレ
イン領域ＳＤＥの不純物濃度プロファイルのシミュレー
ション値を得ることができる。なお、図５において、横
軸には深さが、縦軸には不純物濃度がとられている。
特性測定装置２２に接続し、バックバイアスＶＢＳを変
化させて該トランジスタ１のVg−Id特性を測定する（ス
テップ１０２）。これにより、電気的特性測定装置２２
からは、図８に示すような電気的特性を得ることができ
る。なお、図８では、横軸にVgsが、縦軸にIdsがそれぞ
れとられており、またバックバイアスＶＢＳが０，−
２，−４〔Ｖ〕のときの特性が実線で示されている。さ
らに、前記ＭＯＳトランジスタ１の製造工程のデータを
処理装置２３に入力し、かつプロセスシミュレータ２３
１によって前記ＭＯＳトランジスタ１のソース領域及び
ドレイン領域ＳＤＥの不純物濃度プロファイルを求め
る。これにより、図５に示すようなソース領域及びドレ
イン領域ＳＤＥの不純物濃度プロファイルのシミュレー
ション値を得ることができる。なお、図５において、横
軸には深さが、縦軸には不純物濃度がとられている。
【００１６】このようにして得られた図５の不純物濃度
プロファイル（シミュレーション値）と、上記ステップ
１０１で得た実測の不純物濃度プロファイル（図６の示
す特性図）とを合わせて、図７に示すようなデバイスシ
ミュレーション用の不純物濃度データ５００を作成する
（ステップ１０３）。なお、不純物濃度データ５００
は、ゲート５１１、Si基板５１２、ゲート酸化膜５１
３、ソース部５１４、ドレイン部５１５があるデバイス
の構造図にチャネル領域ＣＥの不純物濃度プロファイル
と、ソース領域及びドレイン領域ＳＤＥの不純物濃度プ
ロファイルが示された型式となる。
プロファイル（シミュレーション値）と、上記ステップ
１０１で得た実測の不純物濃度プロファイル（図６の示
す特性図）とを合わせて、図７に示すようなデバイスシ
ミュレーション用の不純物濃度データ５００を作成する
（ステップ１０３）。なお、不純物濃度データ５００
は、ゲート５１１、Si基板５１２、ゲート酸化膜５１
３、ソース部５１４、ドレイン部５１５があるデバイス
の構造図にチャネル領域ＣＥの不純物濃度プロファイル
と、ソース領域及びドレイン領域ＳＤＥの不純物濃度プ
ロファイルが示された型式となる。
【００１７】このようにして得られた不純物濃度データ
５００は、デバイスシミュレータ２３２に与えられる。
デバイスシミュレータ２３２では、前記不純物濃度デー
タ５００を基にVg−Id特性をシミュレーションする（ス
テップ１０４）。なお、前記デバイスシミュレータ２３
２によるシミュレーションでは、前記ＭＯＳトランジス
タ１のSi／SiO2界面付近だけでなく、Si基板１２の内部
の不純物濃度プロファイルも考慮するために、バックバ
イアスＶBSを変えてVg−Id特性をシミュレーションする
（ステップ１０４）。これにより、デバイスシミュレー
タ２３２からは、図８に示すような特性が得られる。な
お、図８では、横軸にVgsが、縦軸にIdsがそれぞれとら
れており、またバックバイアスＶBSが０，−２，−４
〔Ｖ〕のときのシミュレーション特性が点線で示されて
いる。
５００は、デバイスシミュレータ２３２に与えられる。
デバイスシミュレータ２３２では、前記不純物濃度デー
タ５００を基にVg−Id特性をシミュレーションする（ス
テップ１０４）。なお、前記デバイスシミュレータ２３
２によるシミュレーションでは、前記ＭＯＳトランジス
タ１のSi／SiO2界面付近だけでなく、Si基板１２の内部
の不純物濃度プロファイルも考慮するために、バックバ
イアスＶBSを変えてVg−Id特性をシミュレーションする
（ステップ１０４）。これにより、デバイスシミュレー
タ２３２からは、図８に示すような特性が得られる。な
お、図８では、横軸にVgsが、縦軸にIdsがそれぞれとら
れており、またバックバイアスＶBSが０，−２，−４
〔Ｖ〕のときのシミュレーション特性が点線で示されて
いる。
【００１８】ついで、前記デバイスシミュレータ２３２
でシミュレーションした結果のVg−Id特性を基に外挿に
より求めたしきい値Ｖ th0s と、実際に電気的特性測定装
置２２で測定したVg−Id特性とを基に外挿により求めた
しきい値Ｖ th0a とを判定手段２３３において比較を行な
う（ステップ１０５）。この判定手段２３３には、バッ
クバイアスＶBS＝０のときのしきい値Ｖth0だけでな
く、バックバイアスＶBSが与えられているときのしきい
値Ｖ th0 も比較させる。判定手段２３３は、図８に示す
各Vg−Id特性を基に、実測によるしきい値Ｖth0aと、シ
ミュレーションによるしきい値Ｖth0sとが一致していな
いときには（ステップ１０５；ＮＯ）、チャネル領域Ｃ
Ｅの不純物濃度プロファイルのSi／SiO2界面付近のみの
プロファイルを（図９に示すようにSi／SiO2界面付近〜
数１００オングストローム程度Si基板１２の内部）、し
きい値Ｖ th0 が近づく方向に変更する（ステップ１０
６）。このようにSi／SiO2界面付近のみの不純物濃度プ
ロファイルを任意に変更する理由は、ＳＩＭＳ法やＣＶ
法では界面付近の不純物濃度の誤差が大きいためであ
る。
でシミュレーションした結果のVg−Id特性を基に外挿に
より求めたしきい値Ｖ th0s と、実際に電気的特性測定装
置２２で測定したVg−Id特性とを基に外挿により求めた
しきい値Ｖ th0a とを判定手段２３３において比較を行な
う（ステップ１０５）。この判定手段２３３には、バッ
クバイアスＶBS＝０のときのしきい値Ｖth0だけでな
く、バックバイアスＶBSが与えられているときのしきい
値Ｖ th0 も比較させる。判定手段２３３は、図８に示す
各Vg−Id特性を基に、実測によるしきい値Ｖth0aと、シ
ミュレーションによるしきい値Ｖth0sとが一致していな
いときには（ステップ１０５；ＮＯ）、チャネル領域Ｃ
Ｅの不純物濃度プロファイルのSi／SiO2界面付近のみの
プロファイルを（図９に示すようにSi／SiO2界面付近〜
数１００オングストローム程度Si基板１２の内部）、し
きい値Ｖ th0 が近づく方向に変更する（ステップ１０
６）。このようにSi／SiO2界面付近のみの不純物濃度プ
ロファイルを任意に変更する理由は、ＳＩＭＳ法やＣＶ
法では界面付近の不純物濃度の誤差が大きいためであ
る。
【００１９】このようにしてしきい値Ｖｔｈ０を変更し
たところで、ステップ１０３に戻す。再び、前記変更後
のチャネル領域の不純物濃度プロファイルと、ソース領
域及びドレイン領域の不純物濃度プロファイル（図５参
照）とを合わせて、デバイスシミュレータ用の不純物濃
度プロファイルデータを作成し（ステップ１０３）、こ
のデータを基にデバイスシミュレータ２３２でVg−Id特
性をシミュレーションする（ステップ１０４）。デバイ
スシミュレータ２３２で得られたシミュレーションVg−
Id特性と、実測のVg−Id特性とを基にそれぞれしきい値
Ｖｔｈ０を求め、再び判定手段２３３で比較する（ステ
ップ１０５）。実測のしきい値Ｖｔｈ０とシミュレーシ
ョンしたしきい値Ｖｔｈ０とが一致したとき（ステップ
１０５；ＹＥＳ）、チャネル領域ＣＥのSi／SiO２界面
付近の不純物濃度プロファイルが決定されたことにな
る。この値を図示しないメモリに記憶させておき、処理
を終了する。
たところで、ステップ１０３に戻す。再び、前記変更後
のチャネル領域の不純物濃度プロファイルと、ソース領
域及びドレイン領域の不純物濃度プロファイル（図５参
照）とを合わせて、デバイスシミュレータ用の不純物濃
度プロファイルデータを作成し（ステップ１０３）、こ
のデータを基にデバイスシミュレータ２３２でVg−Id特
性をシミュレーションする（ステップ１０４）。デバイ
スシミュレータ２３２で得られたシミュレーションVg−
Id特性と、実測のVg−Id特性とを基にそれぞれしきい値
Ｖｔｈ０を求め、再び判定手段２３３で比較する（ステ
ップ１０５）。実測のしきい値Ｖｔｈ０とシミュレーシ
ョンしたしきい値Ｖｔｈ０とが一致したとき（ステップ
１０５；ＹＥＳ）、チャネル領域ＣＥのSi／SiO２界面
付近の不純物濃度プロファイルが決定されたことにな
る。この値を図示しないメモリに記憶させておき、処理
を終了する。
【００２０】このようにしてＭＯＳトランジスタ１のSi
／SiO2界面付近の不純物濃度プロファイルが正確に求ま
ることになる。次に、図１０及び図１２を参照して同第
２の実施例を説明する。ここで、図１０は、第２の実施
例を説明するためのフローチャートである。図１１は、
深さｙと不純物濃度Ｎ（ｙ）との関係を示す特性図であ
る。第２の実施例は、図１に示す処理装置２３において
図１０のフローチャートが実行されることにより実現さ
れる。
／SiO2界面付近の不純物濃度プロファイルが正確に求ま
ることになる。次に、図１０及び図１２を参照して同第
２の実施例を説明する。ここで、図１０は、第２の実施
例を説明するためのフローチャートである。図１１は、
深さｙと不純物濃度Ｎ（ｙ）との関係を示す特性図であ
る。第２の実施例は、図１に示す処理装置２３において
図１０のフローチャートが実行されることにより実現さ
れる。
【００２１】上記第１の実施例で得られた不純物濃度プ
ロファイルを用いて、デバイスシミュレータ２３２によ
りバックバイアスＶＢＳ＝０のときのVg−Id特性をシミ
ュレーションし、このときのチャネル領域ＣＥの最大空
乏層幅ｙｄを得る。これは、図１１に示すように横軸に
深さｙを、縦軸に不純物濃度Ｎ（ｙ）をとったときに、
ｙｄとして得られる。そこで、Ｎ（ｙ）を０〜ｙｄまで
定積分してＱＢを得る。 ＱＢ＝∫Ｎ（ｙ）ｄｙ このＱＢをｙｄで割ることより、平均不純物濃度Ｎｍを
求める（ステップ２０１）。
ロファイルを用いて、デバイスシミュレータ２３２によ
りバックバイアスＶＢＳ＝０のときのVg−Id特性をシミ
ュレーションし、このときのチャネル領域ＣＥの最大空
乏層幅ｙｄを得る。これは、図１１に示すように横軸に
深さｙを、縦軸に不純物濃度Ｎ（ｙ）をとったときに、
ｙｄとして得られる。そこで、Ｎ（ｙ）を０〜ｙｄまで
定積分してＱＢを得る。 ＱＢ＝∫Ｎ（ｙ）ｄｙ このＱＢをｙｄで割ることより、平均不純物濃度Ｎｍを
求める（ステップ２０１）。
【００２２】このようにして得られた平均不純物濃度Ｎ
ｍを、ソース領域及びドレイン領域ＳＤＥのプロファイ
ルに合わせ、デバイスシミュレーション用の不純物濃度
を作成する（ステップ２０２）。このようにして得られ
たシミュレーション用の不純物濃度を用いてデバイスシ
ミュレータ２３２にてVg−Id特性をシミュレーションす
る（ステップ２０３）。このようにデバイスシミュレー
タ２３２でシミュレーションして得たVg−Id特性からし
きい値Ｖｔｈ０を求めるとともに、実測のVg−Id特性か
らしきい値Ｖｔｈ０を求める。これらしきい値Ｖｔｈ０
は、判定手段２３３において比較される（ステップ２０
４）。
ｍを、ソース領域及びドレイン領域ＳＤＥのプロファイ
ルに合わせ、デバイスシミュレーション用の不純物濃度
を作成する（ステップ２０２）。このようにして得られ
たシミュレーション用の不純物濃度を用いてデバイスシ
ミュレータ２３２にてVg−Id特性をシミュレーションす
る（ステップ２０３）。このようにデバイスシミュレー
タ２３２でシミュレーションして得たVg−Id特性からし
きい値Ｖｔｈ０を求めるとともに、実測のVg−Id特性か
らしきい値Ｖｔｈ０を求める。これらしきい値Ｖｔｈ０
は、判定手段２３３において比較される（ステップ２０
４）。
【００２３】実測のしきい値Ｖｔｈ０とシミュレーショ
ンしたしきい値Ｖｔｈ０とが一致しないとき（ステップ
２０４；ＮＯ）、平均不純物濃度Ｎｍの値を変更し（ス
テップ２０５）、ステップ２０２に戻る。ここで、再
び、ソース領域及びドレイン領域ＳＤＥの不純物濃度プ
ロファイルと、変更後の平均不純物濃度Ｎｍとを合わせ
て、デバイスシミュレーション用の不純物濃度データを
作成する（ステップ２０２）。この作成したデータをも
ってデバイスシミュレータ２３２によりシミュレーショ
ンを行ない（ステップ２０３）、Vg−Id特性を得る。
ンしたしきい値Ｖｔｈ０とが一致しないとき（ステップ
２０４；ＮＯ）、平均不純物濃度Ｎｍの値を変更し（ス
テップ２０５）、ステップ２０２に戻る。ここで、再
び、ソース領域及びドレイン領域ＳＤＥの不純物濃度プ
ロファイルと、変更後の平均不純物濃度Ｎｍとを合わせ
て、デバイスシミュレーション用の不純物濃度データを
作成する（ステップ２０２）。この作成したデータをも
ってデバイスシミュレータ２３２によりシミュレーショ
ンを行ない（ステップ２０３）、Vg−Id特性を得る。
【００２４】そして、再び、実測のVg−Id特性から得た
しきい値Ｖ th0 と、シミュレーション後のVg−Id特性か
ら得たたしきい値Ｖ th0 とを判定手段２３３で比較する
（ステップ２０４）。ここで、判定手段２３３による比
較が一致したら（ステップ２０４；ＹＥＳ）、平均不純
物濃度Ｎｍが正確に求まることになる。そして、ここで
得られた平均不純物濃度Ｎｍは、スパイスパラメータ中
の基板バイアス係数中の基板不純物濃度として用いる
と、バックバイアス効果に対するスパイスシミュレーシ
ョンの精度を向上させることができる。
しきい値Ｖ th0 と、シミュレーション後のVg−Id特性か
ら得たたしきい値Ｖ th0 とを判定手段２３３で比較する
（ステップ２０４）。ここで、判定手段２３３による比
較が一致したら（ステップ２０４；ＹＥＳ）、平均不純
物濃度Ｎｍが正確に求まることになる。そして、ここで
得られた平均不純物濃度Ｎｍは、スパイスパラメータ中
の基板バイアス係数中の基板不純物濃度として用いる
と、バックバイアス効果に対するスパイスシミュレーシ
ョンの精度を向上させることができる。
【００２５】上述したように上記第１の実施例及び第２
の実施例により、多くのＭＯＳトランジスタ１の特性を
測定すれば、Vg−Id特性と不純物濃度プロファイルとの
相関データが多く得られることになる。そこで、第３の
実施例は、多量に得られたVg−Id特性と不純物濃度プロ
ファイルとの相関データを基に、Vg−Id特性のみから不
純物濃度プロファイルを推測できるようにしたものであ
る。この第３の実施例を図１２に示す。
の実施例により、多くのＭＯＳトランジスタ１の特性を
測定すれば、Vg−Id特性と不純物濃度プロファイルとの
相関データが多く得られることになる。そこで、第３の
実施例は、多量に得られたVg−Id特性と不純物濃度プロ
ファイルとの相関データを基に、Vg−Id特性のみから不
純物濃度プロファイルを推測できるようにしたものであ
る。この第３の実施例を図１２に示す。
【００２６】図１２において、第３の実施例は、主に、
Vg−Id特性入力手段３１と、データ記憶手段３２と、最
適不純物濃度プロファイル選択手段３３と、Vg−Id特性
計算手段３４と、不純物濃度プロファイル変更手段３５
とからなる。Vg−Id特性入力手段３１は、第１の実施例
における電気的特性測定装置２２に相当する。Vg−Id特
性入力手段３１は、入力データを最適不純物濃度プロフ
ァイル選択手段３３に与えられるようにしてある。
Vg−Id特性入力手段３１と、データ記憶手段３２と、最
適不純物濃度プロファイル選択手段３３と、Vg−Id特性
計算手段３４と、不純物濃度プロファイル変更手段３５
とからなる。Vg−Id特性入力手段３１は、第１の実施例
における電気的特性測定装置２２に相当する。Vg−Id特
性入力手段３１は、入力データを最適不純物濃度プロフ
ァイル選択手段３３に与えられるようにしてある。
【００２７】最適不純物濃度プロファイル選択手段３３
は、入力されたデータからデータ記憶手段３２を検索し
て最適データを得るようになっている。データ記憶手段
３２は、上記第１、２の実施例が測定することにより得
られたVg−Id特性と不純物濃度プロファイルとの相関デ
ータを記憶している。最適不純物濃度プロファイル選択
手段３３は、その出力データをVg−Id特性計算手段３４
に与えるようになっている。Vg−Id特性計算手段３４
は、所定の処理を行なった後に、その処理結果を不純物
濃度プロファイル変更手段３５に与えるようにしてあ
る。不純物濃度プロファイル変更手段３５は、処理を行
なった結果を情報出力手段３６に与えられるようにして
ある。
は、入力されたデータからデータ記憶手段３２を検索し
て最適データを得るようになっている。データ記憶手段
３２は、上記第１、２の実施例が測定することにより得
られたVg−Id特性と不純物濃度プロファイルとの相関デ
ータを記憶している。最適不純物濃度プロファイル選択
手段３３は、その出力データをVg−Id特性計算手段３４
に与えるようになっている。Vg−Id特性計算手段３４
は、所定の処理を行なった後に、その処理結果を不純物
濃度プロファイル変更手段３５に与えるようにしてあ
る。不純物濃度プロファイル変更手段３５は、処理を行
なった結果を情報出力手段３６に与えられるようにして
ある。
【００２８】このような第３の実施例によれば、Vg−Id
特性入力手段３１からのVg−Id特性測定データは、最適
不純物濃度プロファイル選択手段３３に供給される。最
適不純物濃度プロファイル選択手段３３では、前記測定
データを基にデータ記憶手段３２の内部のデータベース
を検索して、最適不純物濃度プロファイルを選択する。
この最適不純物濃度プロファイルがVg−Id特性計算手段
３４に与えられると、Vg−Id特性計算手段３４では、選
択された不純物濃度プロファイルを基にVg−Id特性をデ
バイスシミュレーションする。
特性入力手段３１からのVg−Id特性測定データは、最適
不純物濃度プロファイル選択手段３３に供給される。最
適不純物濃度プロファイル選択手段３３では、前記測定
データを基にデータ記憶手段３２の内部のデータベース
を検索して、最適不純物濃度プロファイルを選択する。
この最適不純物濃度プロファイルがVg−Id特性計算手段
３４に与えられると、Vg−Id特性計算手段３４では、選
択された不純物濃度プロファイルを基にVg−Id特性をデ
バイスシミュレーションする。
【００２９】このVg−Id特性計算手段３４でシミュレー
ションされたデータは、不純物濃度プロファイル変更手
段３５に与えられる。不純物濃度プロファイル変更手段
３５は、実測のVg−Id特性とシミュレーション値のVg−
Id特性の誤差が最小になるように不純物濃度プロファイ
ルの変更を行なう。このようにして不純物濃度プロファ
イル変更手段３５で得られたデータは情報出力手段３６
から外部に出力される。このように第３の実施例によれ
ば、単にVg−Id特性から不純物濃度プロファイルを推測
できることになる。
ションされたデータは、不純物濃度プロファイル変更手
段３５に与えられる。不純物濃度プロファイル変更手段
３５は、実測のVg−Id特性とシミュレーション値のVg−
Id特性の誤差が最小になるように不純物濃度プロファイ
ルの変更を行なう。このようにして不純物濃度プロファ
イル変更手段３５で得られたデータは情報出力手段３６
から外部に出力される。このように第３の実施例によれ
ば、単にVg−Id特性から不純物濃度プロファイルを推測
できることになる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明では、デバイスシミュレータによるVg−Id特性と実測
のVg−Id特性を比較しながら測定で得られたチャネル領
域の不純物濃度プロファイルのSi／SiO2界面付近の不純
物濃度プロファイルを変更することにより、Si／SiO2界
面付近の正確な不純物濃度プロファイルを得ることがで
きる。請求項２記載の発明では、チャネル領域の正確な
不純物濃度プロファイルを基にデバイスシミュレーンし
たVg−Id特性と実測のVg−Id特性とを比較しながら均一
な基板不純物濃度を変更することにより、バックバイア
ス依存を精度よくシミュレーションする均一な基板不純
物濃度が得られる。請求項３記載の発明では、Vg−Id特
性と不純物濃度プロファイルとの相関データベースを利
用して、実測したVg−Id特性から不純物濃度プロファイ
ルを推測できる。
明では、デバイスシミュレータによるVg−Id特性と実測
のVg−Id特性を比較しながら測定で得られたチャネル領
域の不純物濃度プロファイルのSi／SiO2界面付近の不純
物濃度プロファイルを変更することにより、Si／SiO2界
面付近の正確な不純物濃度プロファイルを得ることがで
きる。請求項２記載の発明では、チャネル領域の正確な
不純物濃度プロファイルを基にデバイスシミュレーンし
たVg−Id特性と実測のVg−Id特性とを比較しながら均一
な基板不純物濃度を変更することにより、バックバイア
ス依存を精度よくシミュレーションする均一な基板不純
物濃度が得られる。請求項３記載の発明では、Vg−Id特
性と不純物濃度プロファイルとの相関データベースを利
用して、実測したVg−Id特性から不純物濃度プロファイ
ルを推測できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】同第１の実施例で実測するＭＯＳトランジスタ
の基本的構成を示す図である。
の基本的構成を示す図である。
【図３】同第１の実施例の動作を説明するためのフロー
チャートである。
チャートである。
【図４】同半導体素子のチャネル領域の不純物濃度プロ
ファイルを示す特性図である。
ファイルを示す特性図である。
【図５】同半導体素子のソース領域及びドレイン領域の
不純物濃度プロファイルを示す特性図である。
不純物濃度プロファイルを示す特性図である。
【図６】同半導体素子のチャネル領域の不純物濃度プロ
ファイルを示す特性図である。
ファイルを示す特性図である。
【図７】同デバイスシミュレーション用不純物濃度デー
タの説明図である。
タの説明図である。
【図８】同デバイスシミュレーションと実測によるVg−
Id特性を示す図である。
Id特性を示す図である。
【図９】同半導体素子のチャネル領域のSi／SiO２界面
付近の不純物濃度プロファイルに関する特性図である。
付近の不純物濃度プロファイルに関する特性図である。
【図１０】同第２の実施例を説明するためのフローチャ
ートである。
ートである。
【図１１】同第２の実施例を説明するための特性図であ
る。
る。
【図１２】同第３の実施例を説明するためのブロック図
である。
である。
１ ＭＯＳトランジスタ ２ 半導体特性測定システム ２１ 不純物濃度測定装置 ２２ 電気的特性測定装置 ２３ 処理装置 ３１ Vg−Id特性入力手段 ３２ データ記憶手段 ３３ 最適不純物濃度プロファイル選択手段 ３４ Vg−Id特性計算手段 ３５ 不純物濃度プロファイル変更手段 ２３１ プロセスシミュレータ ２３２ デバイスシミュレータ ２３３ 判定手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−109731（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−198648（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−139320（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−209101（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−115071（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/66
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子のチャネル領域の不純物濃度
プロファイルを測定する不純物濃度測定装置と、 前記半導体素子に与えるバックバイアスを変えて前記半
導体素子のゲート電圧−ドレイン電流特性を測定する電
気的特性測定装置と、 プロセスのデータからソース領域及びドレイン領域の不
純物濃度プロファイルを得るプロセスシミュレータと、 前記不純物濃度測定装置からの実測のチャネル領域の不
純物濃度プロファイルとプロセスシミュレータで得たソ
ース領域及びドレイン領域の不純物濃度プロファイルと
を合わせたデバイスシミュレーション用の不純物濃度デ
ータを作成し、このデータを基にデバイスシミュレーシ
ョンを実行するとともにバックバイアスを変えてゲート
電圧−ドレイン電流特性を得るデバイスシミュレータ
と、 前記電気的特性測定装置からのゲート電圧−ドレイン電
流特性の実測値と前記デバイスシミュレータからのゲー
ト電圧−ドレイン電流特性とを比較しながら半導体素子
のゲート酸化膜境界付近の不純物濃度プロファイルを、
実測値とシミュレーション値との誤差が最小になるよう
に変更する判定手段とを備えたことを特徴とする半導体
特性測定システム。 - 【請求項２】 予め得られた半導体素子のゲート酸化膜
境界面付近の不純物濃度プロファイルを基にバックバイ
アスがかかってない状態のチャネル領域の空乏層内部の
平均的な不純物濃度を求め、この値を基板不純物濃度と
してデバイスシミュレーション用の不純物データを作成
する手段と、 前記手段からの不純物データを基にバックバイアスを変
えてゲート電圧−ドレイン電流特性をシミュレーション
するデバイスシミュレータと、 実測値とシミュレーションによるゲート電圧−ドレイン
電流特性を比較しながら、基板不純物濃度の値を、実測
とシミュレーション値との誤差が最小になるように変更
する比較手段とを備えたことを特徴とする半導体特性測
定システム。 - 【請求項３】 ゲート電圧−ドレイン電流特性を測定し
これを与える特性入力手段と、 予め蓄えられた、ゲート電圧−ドレイン電流特性と不純
物濃度プロファイルとの相関データを記憶する記憶手段
と、 前記入力手段からゲート電圧−ドレイン電流特性が入力
されたときに、前記記憶手段のデータを検索し、その入
力特性に最も相関のある不純物濃度プロファイルを選択
する選択手段と、 前記選択された不純物濃度プロファイルを基にゲート電
圧−ドレイン電流特性をデバイスシミュレーションする
計算手段と、 測定したゲート電圧−ドレイン電流特性とシミュレーシ
ョンしたゲート電圧−ドレイン電流特性の誤差が最小と
なるように不純物濃度プロファイルの変更を行なう変更
手段とを備え、その変更された不純物濃度プロファイル
を出力できるようにしたことを特徴とする半導体特性測
定システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28571793A JP3340535B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 半導体特性測定システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28571793A JP3340535B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 半導体特性測定システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831891A JPH0831891A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3340535B2 true JP3340535B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=17695120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28571793A Expired - Fee Related JP3340535B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 半導体特性測定システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3340535B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7709899B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-05-04 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109490744A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-03-19 | 北京航空航天大学 | 一种pn结器件杂质浓度/浓度梯度自动测量系统及方法 |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP28571793A patent/JP3340535B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7709899B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-05-04 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831891A (ja) | 1996-02-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |