JP3337820B2 - 半導体素子パッケージ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体素子パッケージに
関し、更に詳しくは、新規なボールグリッドアレイ（ba
ll grid array:ＢＧＡ）構造を有する半導体素子パッケ
ージに関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ，携帯用通信機器，液晶パ
ネルなどの各種電子機器では、それらの主回路基板には
ＣＰＵやゲートアレイとしてクワッド・フラット・パッ
ケージ（quad flat package:ＱＦＰ）が搭載されてい
る。このＱＦＰは、所定パターンの導体回路が配線され
ている回路基板の表面にＬＳＩなどの半導体素子を実装
し、４つの側面の全てから半導体素子のリード端子をガ
ルウイング状に引き出し、それらリード端子を除いた部
分を樹脂で封止した構造になっている。そして、これら
リード端子を一括リフローはんだ付けによって主回路基
板の入・出力端子と接続してそこに搭載される。

【０００３】ところで、最近は電子機器の小型化・高速
化の要請が強まっているが、それに伴い、搭載するＱＦ
Ｐの入出力リード端子の数を増加させることが必要にな
る。そして、パッケージの外形寸法をできるだけ小型化
しようとする場合には、端子間のピッチを狭くしなけれ
ばならなくなる。しかしながら、パッケージにおける端
子間ピッチを狭くすると、一括リフローはんだ付け時
に、脇に流れたはんだによって互いに隣りあう端子が電
気的に接続することがあり、不良品の発生率は高くな
る。

【０００４】ＱＦＰにおける上記したような問題を解消
して多ピン化が可能なパッケージとして、最近、ＢＧＡ
構造の半導体素子パッケージが注目を集めている。この
ＢＧＡ構造の半導体素子パッケージは、所定の導体回路
パターンが配線されている例えばガラス繊維−エポキシ
樹脂回路基板のようなプリント回路基板の上面に所定の
半導体素子を実装し、前記基板の配線をスルーホールを
介して回路基板の下面にまで引き出しその引き出された
配線の入・出力端子をアレイ状に配列し、それぞれの端
子に通常0.７mm程度の大きさのはんだボールをバンプ電
極として添着し、実装されている半導体素子を樹脂で封
止した構造のものである。

【０００５】このＢＧＡパッケージを主回路基板へ搭載
するに際しては、これを主回路基板の所定搭載個所に置
き、そのままの状態でリフロー炉に通す。はんだボール
は溶融し、またパッケージの自重を受けて通常２００μ
ｍ程度沈み込み、溶融したはんだボールと主回路基板の
端子とが同時に一括して接続される。このＢＧＡパッケ
ージの場合は、端子間ピッチをＱＦＰの場合よりも広く
とることができる。また、ＢＧＡパッケージの主回路基
板への搭載位置が正規の位置から多少ずれた場合であっ
ても、はんだのリフロー時には、はんだボールがセルフ
アライメント効果を発揮して、正規の位置でのはんだ付
けが可能になる。

【０００６】このようなことから、ＢＧＡパッケージ
は、従来のＱＦＰに比べて、多ピン化対策として有利な
構造であり、また一括リフローはんだ付け時における不
良品の発生率も低くなり、歩留りの向上、ひいてはコス
ト低減にとって有利である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところでＢＧＡパッケ
ージを採用する際における最大の問題は、一旦、リフロ
ーはんだ付けを行ったのちは、はんだボールと主回路基
板の端子とのはんだ接合部を非破壊で外観検査すること
が極めて困難であり、また、従来からはんだ付け後の検
査時に用いられていたインサーキットテスタのプローブ
ピンを当てることができないということである。したが
って、ＢＧＡパッケージには、一括リフローはんだ付け
時に、前記はんだ接合部を確実に形成することが必要に
なる。

【０００８】しかしながら、ＢＧＡパッケージに用いる
プリント回路基板には、基板成形後における樹脂収縮に
基づき、通常、反りが発生している。とくに、基板形状
が大型化するにつれてその反りは大きくなる傾向を示
す。また、下面の配線端子に添着されたはんだボールの
高さもばらついている。そのため、ＢＧＡパッケージの
場合、用いたプリント回路基板の反りとはんだボールの
高さのばらつきとが合算されるので、その下面、すなわ
ち、アレイ状に配列しているはんだボールの最先端は同
一水平面を形成しているわけではない。例えば、２２５
ピン，端子間ピッチ1.５mmのＢＧＡパッケージの場合、
はんだボールの先端の高さは、水平面に対し１３０μｍ
程度ばらついている。

【０００９】そのため、このＢＧＡパッケージを主回路
基板の所定個所に載置すると、はんだボールの全てが主
回路基板の端子と接触するわけではなく、端子から浮き
あがって離隔するはんだボールも存在することになる。
したがって、主回路基板の端子と離隔している距離が一
括リフローはんだ付け時におけるはんだボールの沈み込
み量より小さい場合には、主回路基板との間で正常なは
んだ接合部を形成することが可能である。しかし、上記
した離隔距離がはんだボールの沈み込み量よりも大きい
場合にははんだ接合部が形成されず、ＢＧＡパッケージ
搭載後の製品は不良品になってしまう。この傾向は、Ｂ
ＧＡパッケージに用いるプリント回路基板の形状が大型
化しその反りが大きくなるにつれて多発するようにな
る。

【００１０】このことは、ＢＧＡパッケージの更なる多
ピン化にとって不都合な事態である。多ピン化に伴い、
用いるプリント回路基板の形状も大型化せざるを得ない
からである。本発明は、ＢＧＡパッケージにおける上記
した問題を解決し、用いるプリント回路基板が大型化し
ても、一括リフローはんだ付け時に主回路基板の端子と
の間で正常なはんだ接合部を確実に形成することができ
る半導体素子パッケージの提供を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、主回路基板に搭載される半
導体素子パッケージにおいて、上面および下面の少なく
とも一方の実装面に半導体素子が実装されているプリン
ト回路基板と、前記プリント回路基板の周縁部に設けら
れ、前記実装面と直交する方向に離間して位置しかつ前
記主回路基板への搭載のための同一水平面を有する樹脂
成形体、若しくは前記プリント回路基板の前記周縁部に
前記同一水平面を形成するための樹脂成形体と、前記同
一水平面に設けられた電極と、前記電極と前記プリント
回路の端子とを接続する導体とを備えていることを特徴
とする半導体素子パッケージが提供される。

【００１２】

【作用】本発明の半導体素子パッケージの場合、プリン
ト回路基板の周縁部に樹脂成形体が一体成形されて、そ
の樹脂成形体の下端面は前記プリント回路基板の下面よ
りも突設し、かつ同一の水平面を構成している。したが
って、この樹脂成形体の下端面においては、プリント回
路基板の反りは吸収された状態になっており、その下端
面に設けられたアレイ構造の電極群における高さのばら
つきは、当該電極それ自体の高さのばらつきになる。例
えば、電極がはんだバンプ電極であった場合、その高さ
のばらつきは回路基板の大きさや回路層数に関わりな
く、一般に、±２０μｍの範囲内におさめることができ
る。

【００１３】そのため、電極がはんだバンプ電極である
本発明の半導体素子パッケージを主回路基板に載置した
場合、はんだバンプと主回路基板の端子との離隔距離は
±２０μｍの範囲内におさまる。この距離は、一括リフ
ロー時におけるはんだボール（直径約７００μｍ）の沈
み込み量（約２００μｍ）の範囲内にあるため、一括リ
フローはんだ付けを行った場合、主回路基板の端子との
間で確実にはんだ接合部を形成することができる。

【００１４】

【発明の実施例】

実施例１ 図１は、本発明のパッケージの１実施例Ａの断面構造を
示す断面図である。図１において、所定の回路パターン
（図示しない）が配線され、周縁部に前記回路パターン
の端子（図示しない）を有するプリント回路基板１の上
面１ａには半導体素子２ａがフリップチップ方式で実装
され、また下面１ｂには別の半導体素子２ｂがダイボン
ディングペースト３を介してＴＡＢ方式で実装されてい
る。

【００１５】なお、これら半導体素子の実装は上記した
方式に限定されるものではなく、その他に、例えば、他
のベアチップ実装（ワイヤボンディング方式など）や薄
型のＱＦＰのような表面実装部品などを採用してもよ
い。また、半導体素子は、プリント回路基板の片面だけ
に実装されていてもよい。このプリント回路基板１の周
縁部には、半導体素子２ａ，２ｂを実装している中央部
分を取り囲むようにして所望の幅と高さを有する枠型形
状をした樹脂成形体４が一体成形されている。そのた
め、プリント回路基板１の側面１ｃはこの樹脂成形体４
によって封止された状態になっている。

【００１６】そして、樹脂成形体４の下端面４ｂは、半
導体素子２ｂが実装されているプリント回路基板１の下
面よりも突設していて、しかも、同一水平面を形成して
いる。したがって、樹脂成形体４の下端面４ｂを例えば
定盤の上に載せた場合、樹脂成形体４はその定盤の上で
がたつくことがなく、しかも、プリント回路基板１の下
面１ｂに実装されている半導体素子２ｂが定盤と接触す
ることはない。

【００１７】樹脂成形体４には、その上端面４ａから下
端面４ｂにかけてスルーホール５が穿設され、その壁面
には例えば銅から成るめっき層６が形成されている。し
たがって、スルーホール５の穿設によってその壁面に表
出したプリント回路基板の端子は、めっき層６を介し
て、樹脂成形体４の上端面４ａと下端面４ｂにまで引き
出されている。

【００１８】下端面４ｂに開口するスルーホール５に
は、そのめっき層６と接触してパッド７ａが配置され、
更にその上に、例えば球状はんだ７ｂを溶着してバンプ
電極７が形成されている。したがって、樹脂成形体４の
中には、バンプ電極７からスルーホールのめっき層６を
介してプリント回路基板４の端子までを接続する導体回
路が形成されている。

【００１９】この半導体素子パッケージＡは次のように
して製造することができる。その製造方法の１例を、半
導体素子の実装を最終の工程で行う場合について説明す
る。まず、図２で示したように、プリント回路基板１の
周縁部に形成すべき樹脂成形体４が２分割された形状の
溝が形成されている一対の金型８ａ，８ｂを用意する。
そして、一方の金型８ａの上に、回路パターンが配線さ
れているプリント回路基板１を載置し、他の金型８ｂを
セットする。したがって、プリント回路基板１の周縁部
は、金型８ａ，８ｂが形成するキャビティー８ｃの中に
配置される。

【００２０】ついで、金型８ｂに形成されている樹脂注
入口８ｄから所定の樹脂をキャビティー８ｃ内に注入し
てプリント回路基板１の周縁部に当該樹脂を一体成形す
る。用いる樹脂としては、機械的強度が大きく、誘電正
接が小さいものであることが好ましく、例えば、エポキ
シ樹脂，ポリフェニレンサルファイド，ポリエーテルイ
ミド，ポリエステルなどを用いることができる。また、
樹脂成形体４の機械的強度を高めるために、樹脂に例え
ばガラス繊維のチョップを所定量配合してもよい。

【００２１】金型８ａ，８ｂを取り外すことにより、図
３で示したように、プリント回路基板１と樹脂成形体４
との一体成形品が得られる。この一体成形品において、
樹脂成形体４の上端面４ａ，下端面４ｂは、いずれも金
型の型面であるため、平坦な同一水平面になっている。
ついで、図４に示したように、樹脂成形体４の所定位置
に、上端面４ａから下端面４ｂまでを貫通するスルーホ
ール５を穿設する。このとき、プリント回路基板１の周
縁部でスルーホール５が貫通している個所には、回路パ
ターンの端子が表出する。

【００２２】その後、図４の成形一体化物における樹脂
成形体４の下端面４ｂに、公知の方法で所定の回路パタ
ーンを形成し、同時に、スルーホール５の壁面と、パッ
ドに相当する箇所に所望厚みのめっき層６とパッド７ａ
を形成する（図５）。パッド７ａの上にはんだボールを
載せ、それをパッド７ａに加熱溶着してはんだバンプ７
ｂとし、図６で示したように、樹脂成形体４の下端面４
ｂにバンプ電極７を形成する。

【００２３】そして最後に、プリント回路基板１の上面
１ａと下面１ｂに所定の半導体素子を実装することによ
り、図１で示した半導体素子パッケージＡが得られる。
この半導体素子パッケージＡは、上記した製造方法から
も明らかなように、プリント回路基板１の反りが大きい
場合であっても、プリント回路基板１は反った状態のま
までその周縁部が樹脂成形体４と一体成形されるので、
当該樹脂成形体４の下端面４ｂにプリント回路基板１の
反りの影響は全く現れない。また、樹脂成形体４の下端
面４ｂは金型８ａ（８ｂ）の型面そのものであるため同
一水平面を形成している。そして、この下端面４ｂに形
成されるバンプ電極７の高さのばらつきは、はんだバン
プ７ｂの高さのばらつきであり、その値は小さい。

【００２４】したがって、この半導体素子パッケージＡ
を主回路基板に載せて一括リフローはんだ付けを行った
場合、確実にはんだ接合部を形成することができる。ま
た、この半導体素子パッケージＡの場合、プリント回路
基板１の側面１ｃは樹脂成形体４によって封止された状
態になっているので、プリント回路基板１の吸湿を防止
することができる。

【００２５】なお、半導体素子パッケージＡにおいて
は、実装されている半導体素子２ａ，２ｂの稼動時にお
ける熱放散を高めるために、公知のヒートスプレッダや
カバーなどを配置してもよく、また、全体を樹脂モール
ドしてもよい。 実施例２ 図７は、別の実施例パッケージＢの断面構造を示す断面
図である。

【００２６】このパッケージＢの場合、プリント回路基
板１はリジッドなプリント回路基板１Ａとフレキシブル
なプリント回路基板１Ｂとで構成されている。プリント
回路基板１Ａには所定の回路パターンが配線され、上面
に半導体素子２ａがダイボンディングペースト３を介し
てワイヤボンディング方式で実装されている。プリント
回路基板１Ａの下面には、下面に所定の回路パターンが
配線されているプリント回路基板１Ｂが配置され、プリ
ント回路基板１Ａの回路パターンとプリント回路基板１
Ｂの回路パターンは互いに接続され、下面には半導体素
子２ｂがダイボンディングペースト３を介してＴＡＢ方
式で実装されている。

【００２７】プリント回路基板１Ｂの形状寸法はプリン
ト回路基板１Ａよりも大きく、プリント回路基板１Ａの
外側の部分は下方に彎曲し、全体としてガルウィング形
状をなし、その周縁部は所望幅を有する平坦なリード部
９になっている。リード部９の下面９ｂは実装されてい
る半導体素子２ｂの下面よりも突設した位置を占め、か
つ、同一水平面を形成し、また上面９ａには枠型の形状
をした樹脂成形体４が一体成形されている。

【００２８】リード部９の下面９ｂには、プリント回路
基板１Ｂの回路パターンのパッド７ａが所定位置に配列
し、ここにはんだバンプ７ｂを溶着することによりバン
プ電極７が形成されている。したがって、バンプ電極７
からプリント回路基板１Ｂの回路パターン（導体回路）
とプリント回路基板１Ａの回路パターン（導体回路）を
介して、それぞれの回路パターンの端子が接続されてい
る。

【００２９】なお、電極のめっき構造は、プリント回路
基板への実装部品や実装方法、その信頼性などの因子を
考慮して決定すればよい。この半導体素子パッケージＢ
は次のようにして製造することができる。その製造方法
を、半導体素子を最終の工程で実装する場合について説
明する。まず、形成すべきガルウィング形状の型面を有
する金型（雄型）１０ａの上に、プリント回路基板１Ａ
の下面にプリント回路基板１Ｂを配設して成るプリント
回路基板１を、フレキシブルなプリント回路基板１Ｂが
下に位置するように載せ、この上に金型（雌型）１０ｂ
をセットする（図８）。

【００３０】金型１０ｂの型面には、リード部を形成す
べき個所に所定幅の溝１０ｃが枠状に掘られていて、ま
たリジットなプリント回路基板１Ａに対向する個所はこ
のプリント回路基板１Ａを液密に包み込むような凹み１
０ｄが掘られていて、他の部分はガルウィング形状に対
応する型面になっている。したがって、金型１０ｂを金
型１０ａにセットすると、図９で示したように、フレキ
シブルプリント回路基板１Ｂの周縁部は金型１０ａの型
面に沿ってガルウィング形状に湾曲し、その周縁部９の
下端面９ｂは金型１０ａの型面に沿った平坦な同一水平
面を形成する。そして、上端面９ａの上には、金型１０
ｂの溝１０ｃによってキャビティーが形成される。

【００３１】ついで、キャビティー１０ｃに所定の樹脂
を注入する。そのとき、キャビティー１０ｃと凹み１０
ｄの間は液密になっているので、注入樹脂がプリント回
路基板１Ａの方に流れ込むことはない。注入樹脂の硬化
後、金型１０ａ，１０ｂを取り外す。その結果、図１０
で示したように、プリント回路基板１Ｂの外側の部分は
ガルウィング形状に湾曲し、その周縁部９の上端面９ａ
の上には枠型形状の樹脂成形体４が一体成形される。そ
して、周縁部９の下端面９ｂは金型１０ａの型面である
ため平坦な同一水平面になっている。

【００３２】その後、下端面９ｂのパッドにはんだバン
プを溶着し、更に、プリント回路基板１Ａとプリント回
路基板１Ｂのそれぞれの表面に所定の半導体素子を実装
することにより、図７で示した半導体素子パッケージＢ
が得られる。この半導体素子パッケージＢの場合は、プ
リント回路基板１の反りは周縁部１１で一体成形された
樹脂成形体４によって吸収されてしまい、下端面９ｂの
同一水平面を阻害しない。

【００３３】例えば、リジッドなプリント回路基板１Ａ
としてビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）を
基材とする回路基板を用い、樹脂成形体をポリフェニレ
ンサルファイドで成形し、直径0.７mmの球状はんだを用
いて２８８個のバンプ電極を形成したパッケージを定盤
の上に置いて、バンプ電極の高さのばらつきを測定した
ところ、±１５μｍの範囲内におさまっていた。

【００３４】これに反し、通常のガラス繊維−エポキシ
樹脂基板の下面に、直接、同数のバンプ電極を形成した
ものの場合、バンプ電極の高さのばらつきは±６０μｍ
の範囲内にあった。このパッケージＢの場合、プリント
回路基板１の外周には樹脂成形体４が枠状に取り囲んで
形成されているので、実装されている半導体素子２ａや
２ｂを樹脂モールドする際に、この樹脂成形体４がモー
ルド樹脂の流れ止めの働きをする。そのため、樹脂モー
ルドの際にその厚みを実装されている半導体素子２ａ，
２ｂの厚みに対応して薄くすることができ、パッケージ
全体としての厚みを薄くすることができる。

【００３５】また、このパッケージＢを実働させたとき
に、例えば、半導体素子の発熱によってプリント回路基
板１が熱膨張した場合であっても、プリント回路基板１
Ｂのガルウィング形状の部分は柔軟性に富むため、その
熱膨張を吸収してバンプ電極と主回路基板のはんだ接合
部に大きな負荷を与えない。また、プリント回路基板と
してアルミナセラミックス基板のような線熱膨張係数が
低い基板を用いることも可能であり、その場合には、例
えばフリップチップ方式で実装された半導体素子との接
合部へのストレスを低減し、そのことによって実装信頼
性を高めることができる。

【００３６】実施例３ 図１１は、更に別の実施例パッケージＣの断面構造を示
す断面図である。このパッケージは、図７で示したパッ
ケージＢにおいて、樹脂成形体４でリジッドなプリント
回路基板１Ａの側面１ｃを封止した構造のものである。
このパッケージＣは、パッケージＢの製造時に図８，図
９で示した金型（雌型）１０ｂの型面を図１２のような
形状にすることによって容易に製造することができる。

【００３７】このパッケージＣの場合、フレキシブルな
プリント回路基板１Ｂのガルウィング形状の部分にも樹
脂成形体４が一体成形されているので、パッケージＢに
比べて柔軟性は欠けるものの、プリント回路基板１Ａの
吸湿を防止することができる。例えば、パッケージＣ
を、相対湿度７０％，温度１２５℃の雰囲気下で５００
時間放置し、そのときの反りを測定した。約１５０μｍ
であった。一方、プリント回路基板の側面が樹脂封止さ
れていないパッケージＢの場合は、同じ条件下における
反りは３５０μｍであった。

【００３８】実施例４ 図１３は、図１１で示した構造のパッケージＣにおい
て、リジッドなプリント回路基板１Ａの上面に半導体素
子２ａ，２ｂを実装し、それらをモールド樹脂１１で封
止した構造のパッケージＣ’の断面構造を示す断面図で
ある。このパッケージＣ’の場合、プリント回路基板１
Ａの吸湿が有効に防止されているとともに、樹脂成形体
４が枠状に取り付けられてモールド樹脂の流れ止めの働
きをするため、半導体素子２ａ，２ｂの樹脂モールドは
容易に行うことができる。

【００３９】実施例５ 図１４は他の実施例パッケージＤの断面構造を示す断面
図である。このパッケージＤは、図１１で示したパッケ
ージＣにおいて、フレキシブルなプリント回路基板１Ｂ
に代えて、図１５で示したようなＪ型リード１２を用
い、かつ、主回路基板の端子の上に載せる下面１２ａを
曲面にしたものである。

【００４０】このＪ型リード１２は、柔軟な樹脂フィル
ム１２ｂとその片面に突設して半導体素子２ｂの実装個
所にまで延在するリード１２ｃとから成る。したがっ
て、このパッケージＤでは、Ｊ型リード１２の下面１２
ａには曲面形状をなしてリード１２ｃが表出し、それら
は全て同一水平面を形成している。そのため、パッケー
ジＤを主回路基板の上に載せると、この下面１２ａに表
出しているリード１２ｃは主回路基板の端子と接触する
ので、その部分をはんだ付けすることができる。

【００４１】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
半導体素子パッケージは、半導体素子が実装されている
プリント回路基板の周縁部を樹脂モールドによって一体
成形した構造であるので、プリント回路基板に反りが存
在していても、その反りは樹脂成形体に吸収され、周縁
部の下端面は樹脂モールド時の型面のままの同一水平面
になる。

【００４２】したがって、そこに形成された電極の高さ
のばらつきに、プリント回路基板の反りの影響は現れな
いので、アレイ構造の電極群における電極間の高さのば
らつきは従来の場合に比べて非常に小さくなる。そのた
め、本発明の半導体素子パッケージを主回路基板に載せ
て一括フローはんだ付けを行った場合、高い信頼性の下
で確実にはんだ接合部を形成することができ、歩留りの
向上が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体素子パッケージＡを示す断面図
である。

【図２】半導体素子パッケージＡの製造に際し、プリン
ト回路基板を金型にセットした状態を示す断面図であ
る。

【図３】プリント回路基板の周縁部に樹脂成形体を一体
成形した状態を示す断面図である。

【図４】図３の一体成形品の樹脂成形体にスルーホール
を穿設した状態を示す断面図である。

【図５】図４の樹脂成形体の下端面に回路パターンを、
スルーホールの壁面とパッド部にめっき層を形成した状
態を示す断面図である。

【図６】パッドにはんだバンプを溶着した状態を示す断
面図である。

【図７】本発明の半導体素子パッケージＢを示す断面図
である。

【図８】半導体素子パッケージＢの製造に用いるプリン
ト回路基板を金型にセットした状態を示す断面図であ
る。

【図９】樹脂注入時の金型とプリント回路基板との位置
関係を示す断面図である。

【図１０】プリント回路基板の周縁部に樹脂成形体が一
体成形された状態を示す断面図である。

【図１１】本発明の半導体素子パッケージＣを示す断面
図である。

【図１２】半導体素子パッケージＣの製造時における、
金型とプリント回路基板との位置関係を示す断面図であ
る。

【図１３】本発明の別の半導体素子パッケージＣ’を示
す断面図である。

【図１４】本発明の半導体素子パッケージＤを示す断面
図である。

【図１５】半導体素子パッケージＤの製造に用いるＪ型
リードを示す部分斜視図である。

【符号の説明】

１ プリント回路基板 １Ａ リジッドなプリント回路基板 １Ｂ フレキシブルなプリント回路基板 １ａ プリント回路基板１の上面 １ｂ プリント回路基板１の下面 １ｃ プリント回路基板１の側面 ２ａ，２ｂ 半導体素子 ３ ダイボンディングペースト ４ 樹脂成形体 ４ａ 樹脂成形体４の上端面 ４ｂ 樹脂成形体４の下端面 ５ スルーホール ６ めっき層 ７ バンプ電極 ７ａ パッド ７ｂ はんだバンプ ８ａ，８ｂ 金型 ８ｃ 金型の溝 ８ｄ 樹脂注入口 ９ プリント回路基板１Ｂの周縁部（リード部） ９ａ リード部９の上面 ９ｂ リード部９の下面 １０ａ，１０ｂ 金型 １０ｃ 金型１０ｂの溝（キャビティー） １０ｄ 金型１０ｂの凹み １１ モールド樹脂 １２ Ｊ型リード １２ａ Ｊ型リード１２の下面 １２ｂ 樹脂フィルム １２ｃ リード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−90483（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−31256（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 25/00

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 主回路基板に搭載される半導体素子パッ
   ケージにおいて、 上面および下面の少なくとも一方の実装面に半導体素子
   が実装されているプリント回路基板と、 前記プリント回路基板の周縁部に設けられ、前記実装面
   と直交する方向に離間して位置しかつ前記主回路基板へ
   の搭載のための同一水平面を有する樹脂成形体と、 前記同一水平面に設けられた電極と、 前記電極と前記プリント回路の端子とを接続する導体と
   を備えていることを特徴とする半導体素子パッケージ。
2. 【請求項２】 前記プリント回路基板の周縁部を被うよ
   うに前記樹脂成形体が設けられ、前記樹脂成形体の下端
   面が前記同一水平面をなしている請求項１の半導体素子
   パッケージ。
3. 【請求項３】 主回路基板に搭載される半導体素子パッ
   ケージにおいて、 上面および下面の少なくとも一方の実装面に半導体素子
   が実装されているプリント回路基板と、 前記プリント回路基板の周縁部に設けられ、前記実装面
   と直交する方向に離間して位置しかつ前記主回路基板へ
   の搭載のための同一水平面を前記プリント回路基板の前
   記周縁部に形成するための樹脂成形体と、 前記同一水平面に設けられた電極と、 前記電極と前記プリント回路の端子とを接続する導体と
   を備えていることを特徴とする半導体素子パッケージ。
4. 【請求項４】 前記プリント回路基板はリジッドなプリ
   ント回路基板と前記リジッドなプリント回路基板よりも
   大きく且つフレキシブルなプリント回路基板とが積層さ
   れてなり、前記フレキシブルなプリント回路基板の周縁
   部はガルウイング形状のリード部を有し、前記リード部
   の上面に前記樹脂成形体が設けられて前記リード部の下
   面が前記同一水平面をなしている請求項３の半導体素子
   パッケージ。
5. 【請求項５】 前記電極が、バンプ電極のアレイ構造で
   ある請求項１〜４のいずれかの半導体素子パッケージ。
6. 【請求項６】 前記リード部の下面が曲面形状をなして
   いる請求項４の半導体素子パッケージ。