JP3334891B2 - 集積回路の導電路上の電位測定方法 - Google Patents
集積回路の導電路上の電位測定方法Info
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- JP3334891B2 JP3334891B2 JP41004290A JP41004290A JP3334891B2 JP 3334891 B2 JP3334891 B2 JP 3334891B2 JP 41004290 A JP41004290 A JP 41004290A JP 41004290 A JP41004290 A JP 41004290A JP 3334891 B2 JP3334891 B2 JP 3334891B2
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、産業回路に含まれる導
電路の電位を測定する電位測定方法及び装置に関する。
電路の電位を測定する電位測定方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の電位測定に電子ビームを用い
る方法は、公知である。その方法では、電子ビームを測
定しようとする導電路（トラック）の１点に当て、その
結果生じる２次電子信号を測定制御してその値を求めて
いる。
る方法は、公知である。その方法では、電子ビームを測
定しようとする導電路（トラック）の１点に当て、その
結果生じる２次電子信号を測定制御してその値を求めて
いる。
【０００３】集積回路の小形化及びこれに対応するその
導電路の幅の縮小化が進むにつれて、その電位の測定が
妨害を受けるに至った。その原因は、例えば、該回路内
の接続ワイヤや高圧導線などから発生する電磁界であ
る。これらの妨害により、１次電子ビームが対象とする
導電路上に静止しないで偏向され、その導電路から滑り
落ちることさえある。これは、電位の測定に極めて悪い
影響を与え、場合によっては測定が不可能となる。
導電路の幅の縮小化が進むにつれて、その電位の測定が
妨害を受けるに至った。その原因は、例えば、該回路内
の接続ワイヤや高圧導線などから発生する電磁界であ
る。これらの妨害により、１次電子ビームが対象とする
導電路上に静止しないで偏向され、その導電路から滑り
落ちることさえある。これは、電位の測定に極めて悪い
影響を与え、場合によっては測定が不可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、請求項１の前段に記載した方法を更に改良し
て、集積回路の導電路上の電位測定における電気的及び
（又は）磁気的妨害を補償することである。
課題は、請求項１の前段に記載した方法を更に改良し
て、集積回路の導電路上の電位測定における電気的及び
（又は）磁気的妨害を補償することである。
【０００５】本発明は、上記の課題を請求項１及び３に
記載した構成によって解決した。
記載した構成によって解決した。
【０００６】
【実施例】以下、図面により本発明を具体的に説明す
る。図１は、集積回路を走査線毎に走査したときに生じ
る論理像（イメージ）の例を示す説明図である。
る。図１は、集積回路を走査線毎に走査したときに生じ
る論理像（イメージ）の例を示す説明図である。
【０００７】図１に示すものは、集積回路２の２次元的
な論理像１である。これを得るため、電子ビームのパル
スを集積回路２の上に集束させる。導電路３上の電位を
測定するため、集積回路２をプログラムで動作させる
と、プログラム・ループが周期的に終了する間に特定の
時点に発生する論理状態４，５が電子ビームにより２次
元的論理像として表示される。この場合、電子ビームは
プログラム・ループの繰返し周波数でパルス化し、その
位相を連続的に移相する。その結果、時間（ｔ）の軸を
有する２次元的な（ｘｙ軸の）論理像を生じる。こうし
て、集積回路２の表面構造が精確に再現される。
な論理像１である。これを得るため、電子ビームのパル
スを集積回路２の上に集束させる。導電路３上の電位を
測定するため、集積回路２をプログラムで動作させる
と、プログラム・ループが周期的に終了する間に特定の
時点に発生する論理状態４，５が電子ビームにより２次
元的論理像として表示される。この場合、電子ビームは
プログラム・ループの繰返し周波数でパルス化し、その
位相を連続的に移相する。その結果、時間（ｔ）の軸を
有する２次元的な（ｘｙ軸の）論理像を生じる。こうし
て、集積回路２の表面構造が精確に再現される。
【０００８】いま、導電路３上の特定点Ａの電位をもっ
と精確に測定したいと仮定する。まず、プログラムの特
定の時間範囲Δｔの間に、点Ａを含むＩＩ−ＩＩ線の
み、すなわち時間軸ｔに直角の走査線のみに沿って電子
ビームにより集積回路２を走査し、補助測定を行う。
と精確に測定したいと仮定する。まず、プログラムの特
定の時間範囲Δｔの間に、点Ａを含むＩＩ−ＩＩ線の
み、すなわち時間軸ｔに直角の走査線のみに沿って電子
ビームにより集積回路２を走査し、補助測定を行う。
【０００９】図２は、上記ＩＩ−ＩＩ線に沿って一本の
走査線を走査したときに現れる論理像を示す。
走査線を走査したときに現れる論理像を示す。
【００１０】図２に示す論理像１′は、表示（ディスプ
レイ）装置に現われるものである。この２次元的表示
は、一方において位置ｘが、他方において時間ｔがプロ
ットされている。図１のｘ座標ｘA をもつ点Ａは、図２
では、全測定時間範囲Δｔにわたる導電路３′のｘ座標
ｘA で示される。また、各導電路（トラック）上の電位
発生状態を示す論理状態４′，５′は、白と黒で対照的
に示す。しかし、図２に示すような直線的に延びる導電
路３′の表示は、理想的な状態、すなわち電気的及び
（又は）電気的妨害が全くない場合にのみ生じるもので
ある。
レイ）装置に現われるものである。この２次元的表示
は、一方において位置ｘが、他方において時間ｔがプロ
ットされている。図１のｘ座標ｘA をもつ点Ａは、図２
では、全測定時間範囲Δｔにわたる導電路３′のｘ座標
ｘA で示される。また、各導電路（トラック）上の電位
発生状態を示す論理状態４′，５′は、白と黒で対照的
に示す。しかし、図２に示すような直線的に延びる導電
路３′の表示は、理想的な状態、すなわち電気的及び
（又は）電気的妨害が全くない場合にのみ生じるもので
ある。
【００１１】前述のように、集積回路２の小型化及びそ
の導電路３の幅の縮小化が進むにつれて、その電位の測
定が妨害を受けるようになった。これらの妨害は、測定
個所の近くの接続ワイヤや高圧導線から発生して電子ビ
ームを偏向させる電界及び（又は）磁界が含まれてい
る。図３は、集積回路の１本の走査線の走査において該
走査線が電界及び（又は）磁界によって妨害された場合
の論理像を示す。図３の論理像１’’では、正常時に直
線的である導電路３’’が時間範囲Δｔにおいて側方に
（空間的に）Δｘだけ変位している。
の導電路３の幅の縮小化が進むにつれて、その電位の測
定が妨害を受けるようになった。これらの妨害は、測定
個所の近くの接続ワイヤや高圧導線から発生して電子ビ
ームを偏向させる電界及び（又は）磁界が含まれてい
る。図３は、集積回路の１本の走査線の走査において該
走査線が電界及び（又は）磁界によって妨害された場合
の論理像を示す。図３の論理像１’’では、正常時に直
線的である導電路３’’が時間範囲Δｔにおいて側方に
（空間的に）Δｘだけ変位している。
【００１２】信号を量的に測定する場合は、電子ビーム
で点Ａを含むII−II線全体を走査せず、点Ａに静止して
電子ビームを当てる。しかし、そうすると、電気的及び
（又は）磁気的妨害が大きく、したがって変位Δｘが大
きい場合、電子ビームが偏向されて導電路から滑り落
ち、測定が全く不可能となる。
で点Ａを含むII−II線全体を走査せず、点Ａに静止して
電子ビームを当てる。しかし、そうすると、電気的及び
（又は）磁気的妨害が大きく、したがって変位Δｘが大
きい場合、電子ビームが偏向されて導電路から滑り落
ち、測定が全く不可能となる。
【００１３】本発明の方法では、この妨害を防ぐために
まず、対象点Ａを含むＩＩ−ＩＩ線又は時間軸に直角な
他の走査線に沿う１本の走査線の走査による前述の補助
測定を行い、論理像１’’内に生じ電気的及び（又は）
磁気的妨害によって起こる導電路３’’の空間的変位Δ
ｘを時間に応じて検出、測定して図示しない装置に記憶
させる。
まず、対象点Ａを含むＩＩ−ＩＩ線又は時間軸に直角な
他の走査線に沿う１本の走査線の走査による前述の補助
測定を行い、論理像１’’内に生じ電気的及び（又は）
磁気的妨害によって起こる導電路３’’の空間的変位Δ
ｘを時間に応じて検出、測定して図示しない装置に記憶
させる。
【００１４】次に、補助測定と同じプログラムの特定時
間範囲Δｔに、主測定を行う。この測定において、電子
ビームを導電路３の点Ａ（図１）の上に当てて静止させ
る。上記の記憶装置より、補助測定で値を求め記憶した
変位（空間的及び時間的に変化する。）を補正値として
電子ビーム偏向装置に供給し、電気的及び（又は）磁気
的妨害が生じる時間範囲ΔｔV において電子ビームがこ
れに対応して補正され直線をなすようにする。補正値を
沢めるため、例えば論理像１″において相関法を用いて
連続する画像のラインを調べる。この場合、１，２又は
３次元的な相互関係及び自己相関計算法を、個々の又は
連続する数個のデータ範囲内の実際の空間又はフーリエ
空間に適用する。
間範囲Δｔに、主測定を行う。この測定において、電子
ビームを導電路３の点Ａ（図１）の上に当てて静止させ
る。上記の記憶装置より、補助測定で値を求め記憶した
変位（空間的及び時間的に変化する。）を補正値として
電子ビーム偏向装置に供給し、電気的及び（又は）磁気
的妨害が生じる時間範囲ΔｔV において電子ビームがこ
れに対応して補正され直線をなすようにする。補正値を
沢めるため、例えば論理像１″において相関法を用いて
連続する画像のラインを調べる。この場合、１，２又は
３次元的な相互関係及び自己相関計算法を、個々の又は
連続する数個のデータ範囲内の実際の空間又はフーリエ
空間に適用する。
【００１５】このようにして、集積回路の個々の、特に
関心のある点の高電位の量的測定を、電気的及び（又
は）磁気的妨害に影響されることなく行うことができ
る。
関心のある点の高電位の量的測定を、電気的及び（又
は）磁気的妨害に影響されることなく行うことができ
る。
【００１６】補正値を補正電流又は電圧の形で供給され
る電子ビーム偏向装置は、従来のように偏向コイル又は
偏向コンデンサによって構成することができる。
る電子ビーム偏向装置は、従来のように偏向コイル又は
偏向コンデンサによって構成することができる。
【００１７】本発明による補助測定は、主測定を行う同
じ導電路に対して行う必要はない。補助測定は、主測定
において調べたい導電路と同じ状態（変位に関し）が生
じる導電路に対して行えば十分である。
じ導電路に対して行う必要はない。補助測定は、主測定
において調べたい導電路と同じ状態（変位に関し）が生
じる導電路に対して行えば十分である。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたとおり、本発明によれば、集
積回路の導電路上の電位測定において受ける電気的及び
（又は）磁気的妨害の影響を補正することができる。
積回路の導電路上の電位測定において受ける電気的及び
（又は）磁気的妨害の影響を補正することができる。
【図１】集積回路の全走査線の走査により生じる論理像
の例を示す説明図である。
の例を示す説明図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って１本の走査線を走
査したときに現れる論理像を示す説明図である。
査したときに現れる論理像を示す説明図である。
【図３】集積回路の１本の走査線の走査において該走査
線が電界及び（又は）磁界によって妨害された場合の論
理像を示す説明図である。
線が電界及び（又は）磁界によって妨害された場合の論
理像を示す説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−291982（ＪＰ，Ａ) 米国特許5231350（ＵＳ，Ａ) 欧州特許433680（ＥＰ，Ｂ１) 独国公開3941889（ＤＥ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/28
Claims (4)
- 【請求項１】 周期的に動作するプログラムにより制御
された集積回路に含まれる導電路上の電位を、前記プロ
グラムのループに対する位相が連続的に移相される電子
ビームを用いて測定する電位測定方法であって、 前記集積回路における少なくとも１つの前記導電路を横
切る１本の走査線に沿って、前記電子ビームを、前記プ
ログラムの特定の時間範囲の間において走査することに
より、前記時間範囲における前記走査線上の論理像を取
得する取得ステップと、 前記論理像に含まれる、前記導電路に対応する像である
ライン像の変位を、相互相関法によって求めることによ
り、電気的及び磁気的妨害の少なくとも一方によって前
記時間範囲において前記論理像に生じる空間的変位を算
出する算出ステップと、 前記算出ステップにおいて算出した、時間に依存する前
記空間的変位を、前記電気的及び磁気的妨害の少なくと
も一方により生じる前記電子ビームの偏向を補正する補
正値として使用することにより、前記取得ステップと同
じ前記プログラムの前記特定の時間範囲の間に、前記電
子ビームを前記導電路の上に当てて静止させ、前記導電
路上の電位を測定する測定ステップと を備えたことを特徴とする集積回路の導電路上の電位測
定方法。 - 【請求項２】 前記算出ステップは、フーリエ空間にお
いて前記相互相関法を適用することにより、前記ライン
像の変位を求めることを特徴とする請求項１に記載の集
積回路の導電路上の電位測定方法。 - 【請求項３】 周期的に動作するプログラムにより制御
された集積回路に含まれる導電路上の電位を、前記プロ
グラムのループに対する位相が連続的に移相される電子
ビームを用いて測定する電位測定装置であって、 前記集積回路における少なくとも１つの前記導電路を横
切る１本の走査線に沿って、前記電子ビームを、前記プ
ログラムの特定の時間範囲の間において走査することに
より、前記時間範囲における前記走査線上の論理像を取
得する取得手段と、 前記論理像に含まれる、前記導電路に対応する像である
ライン像の変位を、相互相関法によって求めることによ
り、電気的及び磁気的妨害の少なくとも一方によって前
記時間範囲において前記論理像に生じる空間的変位を算
出する算出手段と、 前記算出手段が算出した、時間に依存する前記空間的変
位を、前記電気的及び磁気的妨害の少なくとも一方によ
り生じる前記電子ビームの偏向を補正する補正値として
使用することにより、前記取得手段が前記論理像を取得
した前記プログラムの前記特定の時間範囲と同じ時間範
囲の間に、前記電子ビームを前記導電路の上に当てて静
止させ、前記導電路上の電位を測定する測定手段と を備えたことを特徴とする集積回路の導電路上の電位測
定装置。 - 【請求項４】 前記算出手段は、フーリエ空間において
前記相互相関法を適用することにより、前記ライン像の
変位を求めることを特徴とする請求項３に記載の集積回
路の導電路上の電位測定装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3941889A DE3941889A1 (de) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | Verfahren und vorrichtung zur potentialmessung auf leiterbahnen einer programmgesteuerten integrierten schaltung |
| DE3941889.8 | 1989-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH049682A JPH049682A (ja) | 1992-01-14 |
| JP3334891B2 true JP3334891B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=6395790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41004290A Expired - Fee Related JP3334891B2 (ja) | 1989-12-19 | 1990-12-11 | 集積回路の導電路上の電位測定方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5231350A (ja) |
| EP (1) | EP0433680B1 (ja) |
| JP (1) | JP3334891B2 (ja) |
| DE (2) | DE3941889A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2283825B (en) * | 1993-11-09 | 1997-07-02 | Advantest Corp | IC fault analysis system |
| US6573735B2 (en) * | 2000-06-22 | 2003-06-03 | Qualcomm Incorporated | Reliability of vias and diagnosis by e-beam probing |
| JP5204209B2 (ja) | 2010-12-21 | 2013-06-05 | 三菱重工業株式会社 | 空気入りタイヤ用の中子、中子入りタイヤ、および車両 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2814049A1 (de) * | 1978-03-31 | 1979-10-18 | Siemens Ag | Verfahren zur beruehrungslosen messung des potentialverlaufs in einem elektronischen bauelement und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens |
| US4420691A (en) * | 1978-12-28 | 1983-12-13 | Fujitsu Limited | Method of aligning electron beam apparatus |
| DE3110140A1 (de) * | 1981-03-16 | 1982-09-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung und verfahren fuer eine rasche interne logikpruefung an integrierten schaltungen |
| DE3235484A1 (de) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur unterdrueckung einer stoerung bei der messung von signalverlaeufen mit einer korpuskularsonde und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens |
| US4442361A (en) * | 1982-09-30 | 1984-04-10 | Storage Technology Partners (Through Stc Computer Research Corporation) | System and method for calibrating electron beam systems |
| US4516253A (en) * | 1983-03-15 | 1985-05-07 | Micronix Partners | Lithography system |
| US4705954A (en) * | 1984-09-04 | 1987-11-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for automatically positioning a particle beam |
| JPH0646550B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1994-06-15 | 株式会社東芝 | 電子ビ−ム定位置照射制御方法および電子ビ−ム定位置照射制御装置 |
| US4803644A (en) * | 1985-09-20 | 1989-02-07 | Hughes Aircraft Company | Alignment mark detector for electron beam lithography |
| JPS62277724A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| US4812661A (en) * | 1986-08-20 | 1989-03-14 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for hybrid I.C. lithography |
| AT393925B (de) * | 1987-06-02 | 1992-01-10 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind |
| DE3733823A1 (de) * | 1987-10-07 | 1989-04-20 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zur kompensation des einflusses von umweltparametern auf die abbildungseigenschaften eines optischen systems |
| EP0392035B1 (de) * | 1989-04-11 | 1994-06-22 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für HalbleiterprÀ¼ftechnik mbH | Verfahren zur Aufzeichnung oder Abbildung zeitabhängiger Potentiale in Bauelementen der Mikroelektronik |
-
1989
- 1989-12-19 DE DE3941889A patent/DE3941889A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-11-19 EP EP90122104A patent/EP0433680B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-19 DE DE59008638T patent/DE59008638D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-11 JP JP41004290A patent/JP3334891B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-13 US US07/626,944 patent/US5231350A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0433680A2 (de) | 1991-06-26 |
| US5231350A (en) | 1993-07-27 |
| EP0433680A3 (en) | 1992-06-03 |
| DE59008638D1 (de) | 1995-04-13 |
| DE3941889A1 (de) | 1991-06-20 |
| EP0433680B1 (de) | 1995-03-08 |
| JPH049682A (ja) | 1992-01-14 |
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