JP3334421B2 - 半導体ウエハ表面へのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極形成用電気メッキ液 - Google Patents
半導体ウエハ表面へのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極形成用電気メッキ液Info
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- Japan
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- H01L2924/01—Chemical elements
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高さが均等で、平滑
な表面を有し、かつＵおよびＴｈ、並びにこれらの崩壊
核種を主体とする放射性同位元素（以下、単に放射性同
位元素という）の含有量が３０ppb 以下となることか
ら、ソフトエラーの原因となる放射性α粒子を、これの
カウント数で０．５cph ／cm2 以下に低減することがで
きるＰｂ−Ｓｎ合金突起電極を半導体ウエハ表面に形成
することができる電気メッキ液に関するものである。
な表面を有し、かつＵおよびＴｈ、並びにこれらの崩壊
核種を主体とする放射性同位元素（以下、単に放射性同
位元素という）の含有量が３０ppb 以下となることか
ら、ソフトエラーの原因となる放射性α粒子を、これの
カウント数で０．５cph ／cm2 以下に低減することがで
きるＰｂ−Ｓｎ合金突起電極を半導体ウエハ表面に形成
することができる電気メッキ液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、「Microelectronics Packaging H
andbook 」（ＶＡＮ ＮＯＳＴＲＡＮＤ ＲＥＩＮＨＯ
ＬＤ発行）第３６８〜３７１頁にも記載されているよう
に、ＳｉウエハやＧａ−Ａｓウエハなどの半導体ウエハ
の表面に、１個の寸法が直径：２０〜２５０μｍ×高
さ：２０〜１００μｍのＰｂ−Ｓｎ合金（はんだ）から
なる突起電極を１〜５万個の割合で電気メッキ法により
形成することは一般に行なわれていることである。
andbook 」（ＶＡＮ ＮＯＳＴＲＡＮＤ ＲＥＩＮＨＯ
ＬＤ発行）第３６８〜３７１頁にも記載されているよう
に、ＳｉウエハやＧａ−Ａｓウエハなどの半導体ウエハ
の表面に、１個の寸法が直径：２０〜２５０μｍ×高
さ：２０〜１００μｍのＰｂ−Ｓｎ合金（はんだ）から
なる突起電極を１〜５万個の割合で電気メッキ法により
形成することは一般に行なわれていることである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電気メ
ッキ液を用いてＰｂ−Ｓｎ合金突起電極を形成した場
合、最近の半導体ウエハの大径化および高集積化と相ま
って、半導体ウエハ表面に形成される突起電極には、相
互高さにバラツキが現われるほか、表面の平滑性が失な
われ、ハリネズミ状表面や岩山状表面を呈するようにな
るのが避けられないのが現状である。
ッキ液を用いてＰｂ−Ｓｎ合金突起電極を形成した場
合、最近の半導体ウエハの大径化および高集積化と相ま
って、半導体ウエハ表面に形成される突起電極には、相
互高さにバラツキが現われるほか、表面の平滑性が失な
われ、ハリネズミ状表面や岩山状表面を呈するようにな
るのが避けられないのが現状である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、相互高さにバラツキがなく、か
つ表面が平滑なＰｂ−Ｓｎ合金突起電極を半導体ウエハ
の表面に形成することができる電気メッキ液を開発すべ
く研究を行なった結果、メタンスルホン酸鉛（以下、
「Ｍ．Ｓ．Ｐｂ」で示す：Ｐｂ含有割合で１〜２５０ｇ
／ｌ、メタンスルホン酸錫：（以下、「Ｍ．Ｓ．Ｓｎ」
で示す）：Ｓｎ含有割合で０．１〜２５０ｇ／ｌ、メタ
ンスルホン酸（以下、「Ｍ．Ｓ．」で示す）：２０〜３
００ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン
アルキルアミン（以下、「Ｅ．Ｐ．Ａ．」で示す）１〜
５０ｇ／ｌ、アルドールスルファニル誘導体（以下、
「Ａ．Ｓ．Ｄ．」で示す）：０．１〜３０ｇ／ｌ、の割
合で含有する水溶液からなるメッキ液を用いて電気メッ
キ法により半導体ウエハの表面にＰｂ−Ｓｎ合金突起電
極を形成すると、前記半導体ウエハが大径化し、かつ高
集積化しても、形成された突起電極は相互高さが均等化
すると共に、表面が平滑化し、さらに前記メッキ液中の
放射性同位元素の含有量を５０ppb 以下にすると、前記
突起電極中の放射性同位元素の含有量が３０ppb 以下と
なることから、放射性α粒子のカウント数が０．５cph
／cm2 以下となり、したがって半導体装置、特に電極中
の放射性α粒子の半導体ウエハへの影響が顕著に現われ
るフリップチップ実装において、前記放射性α粒子が原
因のソフトエラー発生の低減に寄与するという研究結果
を得たのである。
上述のような観点から、相互高さにバラツキがなく、か
つ表面が平滑なＰｂ−Ｓｎ合金突起電極を半導体ウエハ
の表面に形成することができる電気メッキ液を開発すべ
く研究を行なった結果、メタンスルホン酸鉛（以下、
「Ｍ．Ｓ．Ｐｂ」で示す：Ｐｂ含有割合で１〜２５０ｇ
／ｌ、メタンスルホン酸錫：（以下、「Ｍ．Ｓ．Ｓｎ」
で示す）：Ｓｎ含有割合で０．１〜２５０ｇ／ｌ、メタ
ンスルホン酸（以下、「Ｍ．Ｓ．」で示す）：２０〜３
００ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン
アルキルアミン（以下、「Ｅ．Ｐ．Ａ．」で示す）１〜
５０ｇ／ｌ、アルドールスルファニル誘導体（以下、
「Ａ．Ｓ．Ｄ．」で示す）：０．１〜３０ｇ／ｌ、の割
合で含有する水溶液からなるメッキ液を用いて電気メッ
キ法により半導体ウエハの表面にＰｂ−Ｓｎ合金突起電
極を形成すると、前記半導体ウエハが大径化し、かつ高
集積化しても、形成された突起電極は相互高さが均等化
すると共に、表面が平滑化し、さらに前記メッキ液中の
放射性同位元素の含有量を５０ppb 以下にすると、前記
突起電極中の放射性同位元素の含有量が３０ppb 以下と
なることから、放射性α粒子のカウント数が０．５cph
／cm2 以下となり、したがって半導体装置、特に電極中
の放射性α粒子の半導体ウエハへの影響が顕著に現われ
るフリップチップ実装において、前記放射性α粒子が原
因のソフトエラー発生の低減に寄与するという研究結果
を得たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、Ｍ．Ｓ．Ｐｂ：Ｐｂ含有割合で
１〜２５０ｇ／ｌ、Ｍ．Ｓ．Ｓｎ：Ｓｎ含有割合で０．
１〜２５０ｇ／ｌ、Ｍ．Ｓ．：２０〜３００ｇ／ｌ、
Ｅ．Ｐ．Ａ．：１〜５０ｇ／ｌ、Ａ．Ｓ．Ｄ．：０．１
〜３０ｇ／ｌ、の割合で含有し、かつ放射性同位元素の
含有量が５０ppb 以下の水溶液からなる、半導体ウエハ
表面へのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極形成用電気メッキ液に
特徴を有するものである。
なされたものであって、Ｍ．Ｓ．Ｐｂ：Ｐｂ含有割合で
１〜２５０ｇ／ｌ、Ｍ．Ｓ．Ｓｎ：Ｓｎ含有割合で０．
１〜２５０ｇ／ｌ、Ｍ．Ｓ．：２０〜３００ｇ／ｌ、
Ｅ．Ｐ．Ａ．：１〜５０ｇ／ｌ、Ａ．Ｓ．Ｄ．：０．１
〜３０ｇ／ｌ、の割合で含有し、かつ放射性同位元素の
含有量が５０ppb 以下の水溶液からなる、半導体ウエハ
表面へのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極形成用電気メッキ液に
特徴を有するものである。
【０００６】つぎに、この発明の電気メッキ液におい
て、構成成分の含有割合を上記の通りに限定した理由を
説明する。 （ａ） Ｍ．Ｓ．ＰｂおよびＭ．Ｓ．Ｓｎ これらの成分の含有割合によって半導体ウエハ表面に形
成されるＰｂ−Ｓｎ合金突起電極の組成がきまるもので
あり、通常前記Ｐｂ−Ｓｎ合金の組成は、Ｓｎ：１〜６
０重量％、Ｐｂ：残りからなることから、この組成に対
応する含有割合としてＭ．Ｓ．Ｐｂ：Ｐｂ含有割合で１
〜２５０ｇ／ｌ、望ましくは５〜１００ｇ／ｌ、および
Ｍ．Ｓ．Ｓｎ：Ｓｎ含有割合で０．１〜２５０ｇ／ｌ、
望ましくは０．２〜１００ｇ／ｌを定めた。
て、構成成分の含有割合を上記の通りに限定した理由を
説明する。 （ａ） Ｍ．Ｓ．ＰｂおよびＭ．Ｓ．Ｓｎ これらの成分の含有割合によって半導体ウエハ表面に形
成されるＰｂ−Ｓｎ合金突起電極の組成がきまるもので
あり、通常前記Ｐｂ−Ｓｎ合金の組成は、Ｓｎ：１〜６
０重量％、Ｐｂ：残りからなることから、この組成に対
応する含有割合としてＭ．Ｓ．Ｐｂ：Ｐｂ含有割合で１
〜２５０ｇ／ｌ、望ましくは５〜１００ｇ／ｌ、および
Ｍ．Ｓ．Ｓｎ：Ｓｎ含有割合で０．１〜２５０ｇ／ｌ、
望ましくは０．２〜１００ｇ／ｌを定めた。
【０００７】（ｂ） Ｍ．Ｓ． Ｍ．Ｓ．には、Ｍ．Ｓ．ＰｂおよびＭ．Ｓ．Ｓｎの水溶
液中への溶解を促進し、かつ前記突起電極の半導体ウエ
ハ表面への密着性を向上させる作用があるが、その含有
割合が２０ｇ／ｌ未満では前記作用に所望の効果が得ら
れず、一方その含有割合が３００ｇ／ｌを越えると、メ
ッキ速度が低下するようになることから、その含有割合
を２０〜３００ｇ／ｌ、望ましくは５０〜１５０ｇ／ｌ
と定めた。
液中への溶解を促進し、かつ前記突起電極の半導体ウエ
ハ表面への密着性を向上させる作用があるが、その含有
割合が２０ｇ／ｌ未満では前記作用に所望の効果が得ら
れず、一方その含有割合が３００ｇ／ｌを越えると、メ
ッキ速度が低下するようになることから、その含有割合
を２０〜３００ｇ／ｌ、望ましくは５０〜１５０ｇ／ｌ
と定めた。
【０００８】（ｃ） Ｅ．Ｐ．Ａ． Ｅ．Ｐ．Ａ．には、形成されつつある突起電極の経時的
組成変化を抑制すると共に、メッキ速度を半導体ウエハ
全面に亘って均一化し、もって形成される突起電極の高
さのバラツキを著しく小さくする作用があるが、その含
有割合が１ｇ／ｌ未満では前記作用に所望の効果が得ら
れず、一方その含有割合が５０ｇ／ｌを越えると、メッ
キ速度が急激に低下するようになることから、その含有
割合を１〜５０ｇ／ｌと定めた。望ましくは２〜１５ｇ
／ｌがよい。また、上記Ｅ．Ｐ．Ａ．は下記の化１に示
される一般式によって現わされるものである。
組成変化を抑制すると共に、メッキ速度を半導体ウエハ
全面に亘って均一化し、もって形成される突起電極の高
さのバラツキを著しく小さくする作用があるが、その含
有割合が１ｇ／ｌ未満では前記作用に所望の効果が得ら
れず、一方その含有割合が５０ｇ／ｌを越えると、メッ
キ速度が急激に低下するようになることから、その含有
割合を１〜５０ｇ／ｌと定めた。望ましくは２〜１５ｇ
／ｌがよい。また、上記Ｅ．Ｐ．Ａ．は下記の化１に示
される一般式によって現わされるものである。
【０００９】
【化１】
【００１０】（ｄ） Ａ．Ｓ．Ｄ． Ａ．Ｓ．Ｄ．には、突起電極の形状を整え、かつその表
面を平滑化する作用があるが、その含有割合が０．１ｇ
／ｌ未満では前記作用に所望の効果が得られず、一方そ
の含有割合が３０ｇ／ｌを越えるとメッキ速度が低下す
るようになることから、その含有割合を０．１〜３０ｇ
／ｌと定めた。なお、望ましくは０．５〜１５ｇ／ｌの
含有割合がよい。また、上記のＡ．Ｓ．Ｄ．は、下記の
化２に示される一般式によって現わされるものである。
面を平滑化する作用があるが、その含有割合が０．１ｇ
／ｌ未満では前記作用に所望の効果が得られず、一方そ
の含有割合が３０ｇ／ｌを越えるとメッキ速度が低下す
るようになることから、その含有割合を０．１〜３０ｇ
／ｌと定めた。なお、望ましくは０．５〜１５ｇ／ｌの
含有割合がよい。また、上記のＡ．Ｓ．Ｄ．は、下記の
化２に示される一般式によって現わされるものである。
【００１１】
【化２】
【００１２】なお、この発明の電気メッキ液における放
射性同位元素の混入は、Ｍ．Ｓ．ＰｂおよびＭ．Ｓ．Ｓ
ｎの製造に原料として用いられる金属Ｐｂおよび金属Ｓ
ｎからのものであり、したがってこれら金属Ｐｂおよび
金属Ｓｎ中に含有する放射性同位元素の含有量を低くす
ることによって前記電気メッキ液中の放射性同位元素の
含有量を５０ppb 以下にすることができ、このように前
記電気メッキ液中の放射性同位元素の含有量を５０ppb
以下にすると、これを用いて形成された突起電極中の放
射性同位元素の含有量が３０ppb 以下になり、放射性α
粒子のカウント数で０．５cph ／cm2 以下になってソフ
トエラーの発生抑制に大いに寄与するようになるもので
ある。
射性同位元素の混入は、Ｍ．Ｓ．ＰｂおよびＭ．Ｓ．Ｓ
ｎの製造に原料として用いられる金属Ｐｂおよび金属Ｓ
ｎからのものであり、したがってこれら金属Ｐｂおよび
金属Ｓｎ中に含有する放射性同位元素の含有量を低くす
ることによって前記電気メッキ液中の放射性同位元素の
含有量を５０ppb 以下にすることができ、このように前
記電気メッキ液中の放射性同位元素の含有量を５０ppb
以下にすると、これを用いて形成された突起電極中の放
射性同位元素の含有量が３０ppb 以下になり、放射性α
粒子のカウント数で０．５cph ／cm2 以下になってソフ
トエラーの発生抑制に大いに寄与するようになるもので
ある。
【００１３】
【実施例】つぎに、この発明の電気メッキ液を実施例に
より具体的に説明する。原料として、いずれも放射性同
位元素の含有量が５０ppb のＭ．Ｓ．ＰｂおよびＭ．
Ｓ．Ｓｎ、上記化１の一般式において、Ｒ：Ｃ10のアル
キル基、Ｘ＋Ｘ′：８，Ｙ＋Ｙ′：３としたＥ．Ｐ．
Ａ．、並びに上記化２の一般式において、ＲａおよびＲ
ｂ：Ｃ2 のアルキル基、Ｒｃ：水酸基としたＡ．Ｓ．
Ｄ．を用意し、これら原料を水に、それぞれ表１に示さ
れる含有割合で溶解して水溶液とすることにより、いず
れも放射性同位元素の含有量が５０ppb 以下の本発明電
気メッキ液１〜１４および比較電気メッキ液１〜４をそ
れぞれ製造した。なお、上記比較電気メッキ液１〜４
は、構成成分のうち、突起電極の高さおよび表面形状に
影響を及ぼす成分の含有割合（表１に※印を付す）がこ
の発明の範囲から低い方に外れたものである。
より具体的に説明する。原料として、いずれも放射性同
位元素の含有量が５０ppb のＭ．Ｓ．ＰｂおよびＭ．
Ｓ．Ｓｎ、上記化１の一般式において、Ｒ：Ｃ10のアル
キル基、Ｘ＋Ｘ′：８，Ｙ＋Ｙ′：３としたＥ．Ｐ．
Ａ．、並びに上記化２の一般式において、ＲａおよびＲ
ｂ：Ｃ2 のアルキル基、Ｒｃ：水酸基としたＡ．Ｓ．
Ｄ．を用意し、これら原料を水に、それぞれ表１に示さ
れる含有割合で溶解して水溶液とすることにより、いず
れも放射性同位元素の含有量が５０ppb 以下の本発明電
気メッキ液１〜１４および比較電気メッキ液１〜４をそ
れぞれ製造した。なお、上記比較電気メッキ液１〜４
は、構成成分のうち、突起電極の高さおよび表面形状に
影響を及ぼす成分の含有割合（表１に※印を付す）がこ
の発明の範囲から低い方に外れたものである。
【００１４】ついで、厚さ：２μｍの銅下地電極に膜を
介して厚さ：１０μｍのレジスト膜が形成され、このレ
ジスト膜に直径：５０μｍの微小孔が５万個規制正しく
等間隔で、感光およびエッチング処理により形成された
直径：１０cm（４インチ）のＳｉウエハを用意した。ま
た、内径が１０cmのメッキ槽内の下方位置に、Ｐｔメッ
キされた純Ｔｉメッシュからなる同じく直径：１０cmの
陽極を水平に配置した構造の噴流型メッキ装置を用意し
た。上記メッキ装置のメッキ槽頂面に、上記Ｓｉウエハ
をメッキ面を下側にして上蓋式に載置して陰極とし、前
記メッキ槽内に上記の各種電気メッキ液をそれぞれ充填
装入し、前記メッキ液をメッキ槽の下方から上方へ噴流
循環させながら、 電流密度：２Ａ／dm2 、噴流速度：６ ｌ／min 、 電圧：３Ｖ、 メッキ液温度：２０℃、 時間：２５分、 の条件で電気メッキを行なうことにより上記Ｓｉウエハ
の表面に目標高さ：３０μｍのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極
を形成した。また、放射性α粒子のカウント数測定用Ｐ
ｂ−Ｓｎ合金平板メッキ膜は、銅平板を大型ビーカー内
に充填した表１〜表２に示される各種電気メッキ液に漬
け、 電流密度：２Ａ／dm2 、メッキ温度：２０℃、 カソードロッカー移動速度：２ｍ／min 、 の条件で電気メッキを行うことにより作製した。
介して厚さ：１０μｍのレジスト膜が形成され、このレ
ジスト膜に直径：５０μｍの微小孔が５万個規制正しく
等間隔で、感光およびエッチング処理により形成された
直径：１０cm（４インチ）のＳｉウエハを用意した。ま
た、内径が１０cmのメッキ槽内の下方位置に、Ｐｔメッ
キされた純Ｔｉメッシュからなる同じく直径：１０cmの
陽極を水平に配置した構造の噴流型メッキ装置を用意し
た。上記メッキ装置のメッキ槽頂面に、上記Ｓｉウエハ
をメッキ面を下側にして上蓋式に載置して陰極とし、前
記メッキ槽内に上記の各種電気メッキ液をそれぞれ充填
装入し、前記メッキ液をメッキ槽の下方から上方へ噴流
循環させながら、 電流密度：２Ａ／dm2 、噴流速度：６ ｌ／min 、 電圧：３Ｖ、 メッキ液温度：２０℃、 時間：２５分、 の条件で電気メッキを行なうことにより上記Ｓｉウエハ
の表面に目標高さ：３０μｍのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極
を形成した。また、放射性α粒子のカウント数測定用Ｐ
ｂ−Ｓｎ合金平板メッキ膜は、銅平板を大型ビーカー内
に充填した表１〜表２に示される各種電気メッキ液に漬
け、 電流密度：２Ａ／dm2 、メッキ温度：２０℃、 カソードロッカー移動速度：２ｍ／min 、 の条件で電気メッキを行うことにより作製した。
【００１５】つぎに、この結果得られたＳｉウエハ表面
上のＰｂ−Ｓｎ合金突起電極について、前記Ｓｉウエハ
の十字直径線上の任意１００個の高さを高さゲージ付き
光学顕微鏡を用いて測定し、この測定結果から最高値お
よび最低値をピックアップすると共に平均値を算出し、
さらにその表面形状を観察して、１００個中に占める表
面平滑な突起電極の割合を測定した。これらの結果を表
２，３に示した。また、表２，３には、上記突起電極の
Ｓｎ含有量および放射性同位元素の含有量（ＵおよびＴ
ｈの合計定量分析値）、並びに平板メッキ膜の放射性α
粒子のカウント数を示した。
上のＰｂ−Ｓｎ合金突起電極について、前記Ｓｉウエハ
の十字直径線上の任意１００個の高さを高さゲージ付き
光学顕微鏡を用いて測定し、この測定結果から最高値お
よび最低値をピックアップすると共に平均値を算出し、
さらにその表面形状を観察して、１００個中に占める表
面平滑な突起電極の割合を測定した。これらの結果を表
２，３に示した。また、表２，３には、上記突起電極の
Ｓｎ含有量および放射性同位元素の含有量（ＵおよびＴ
ｈの合計定量分析値）、並びに平板メッキ膜の放射性α
粒子のカウント数を示した。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】
【発明の効果】表１〜３に示される結果から、本発明電
気メッキ液１〜１４を用いれば、放射性同位元素の含有
量が３０ppb 以下で、放射性α粒子のカウント数も０．
５cph／cm2 以下を示し、高さのバラツキがきわめて小
さく、かつほとんどが平滑な表面を有するＰｂ−Ｓｎ合
金突起電極を密集した状態で大径のＳｉウエハ表面に形
成することができることが明らかであり、一方比較電気
メッキ液１〜４に見られるように、これの構成成分のう
ちの突起電極の高さおよび表面形状に影響を及ぼす成分
の含有割合がこの発明の範囲から外れると、前記特性の
うちの少なくともいずれかの特性が劣った突起電極しか
形成することができないことが明らかである。上述のよ
うに、この発明の電気メッキ液によれば、半導体ウエハ
が大径化し、かつ高集積化しても、これの表面に高さの
バラツキが著しく小さく、かつ表面平滑にして、しかも
放射性同位元素の含有量が３０ppb 以下のＰｂ−Ｓｎ合
金突起電極を形成することができ、ソフトエラーの低減
に寄与するなど工業上有用な効果がもたらされるのであ
る。
気メッキ液１〜１４を用いれば、放射性同位元素の含有
量が３０ppb 以下で、放射性α粒子のカウント数も０．
５cph／cm2 以下を示し、高さのバラツキがきわめて小
さく、かつほとんどが平滑な表面を有するＰｂ−Ｓｎ合
金突起電極を密集した状態で大径のＳｉウエハ表面に形
成することができることが明らかであり、一方比較電気
メッキ液１〜４に見られるように、これの構成成分のう
ちの突起電極の高さおよび表面形状に影響を及ぼす成分
の含有割合がこの発明の範囲から外れると、前記特性の
うちの少なくともいずれかの特性が劣った突起電極しか
形成することができないことが明らかである。上述のよ
うに、この発明の電気メッキ液によれば、半導体ウエハ
が大径化し、かつ高集積化しても、これの表面に高さの
バラツキが著しく小さく、かつ表面平滑にして、しかも
放射性同位元素の含有量が３０ppb 以下のＰｂ−Ｓｎ合
金突起電極を形成することができ、ソフトエラーの低減
に寄与するなど工業上有用な効果がもたらされるのであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥浜 良明 兵庫県神戸市兵庫区塚本通３丁目３の18 株式会社大和化成研究所内 (72)発明者 正木 征史 兵庫県神戸市兵庫区塚本通３丁目３の18 株式会社大和化成研究所内 (72)発明者 吉本 雅一 兵庫県神戸市兵庫区塚本通３丁目３の18 株式会社大和化成研究所内 審査官 日比野 隆治 (56)参考文献 特開 昭63−250485（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−223193（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−182986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−67387（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−66537（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−83894（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−215692（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−301589（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−301588（ＪＰ，Ａ) 欧州特許690149（ＥＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 C25D 3/56 C25D 3/60
Claims (1)
- 【請求項１】メタンスルホン酸鉛：Ｐｂ含有割合で１〜
２５０ｇ／ｌ、 メタンスルホン酸錫：Ｓｎ含有割合で０．１〜２５０ｇ
／ｌ、 メタンスルホン酸：２０〜３００ｇ／ｌ、 ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミ
ン：１〜５０ｇ／ｌ、 アルド−ルスルファニル誘導体：０．１〜３０ｇ／ｌ、
の割合で含有し、かつＵおよびＴｈ、並びにこれらの崩
壊核種を主体とする放射性同位元素の含有量が５０ppb
以下の水溶液からなることを特徴とする半導体ウエハ表
面へのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極形成用電気メッキ液。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10001595A JP3334421B2 (ja) | 1994-06-30 | 1995-03-31 | 半導体ウエハ表面へのＰｂ−Ｓｎ合金突起電極形成用電気メッキ液 |
| US08/494,957 US5651873A (en) | 1994-06-30 | 1995-06-26 | Electroplating solution for forming Pb-Sn alloy bump electrodes on semiconductor wafer surface |
| EP95110241A EP0690149B1 (en) | 1994-06-30 | 1995-06-30 | Electroplating solution for forming Pb-Sn alloy bump electrodes on semiconductor wafer surface |
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