JP3322372B2 - トランス結合型２次直流電源生成装置 - Google Patents
トランス結合型２次直流電源生成装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１次直流電源回路と２
次直流電源回路とをトランスを介して接続結合し、かつ
過電圧保護機能を備えたトランス結合型２次直流電源生
成装置に関する。
次直流電源回路とをトランスを介して接続結合し、かつ
過電圧保護機能を備えたトランス結合型２次直流電源生
成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３において、１次直流電源回路１０と
２次直流電源回路３０とはトランス２０を介して接続結
合されている。１次直流電源回路１０は、交流電源１
１，電源スイッチ１２，ノイズフィルター１３，整流回
路１４，平滑コンデンサＣ１０，スイッチング素子１
５，電圧制御素子４０を含み形成され、スイッチング素
子１５はトランス２０の１次巻線Ｌ１１と整流回路１４
の負極電路Ｌｎとの間に接続されている。１８は限流抵
抗である。また、制御電源（電圧Ｖｃ）は、補助巻線Ｌ
１２から誘起され、ダイオードＤ１０を介して発振生成
されるとともに抵抗Ｒ１０を通して供給される。
２次直流電源回路３０とはトランス２０を介して接続結
合されている。１次直流電源回路１０は、交流電源１
１，電源スイッチ１２，ノイズフィルター１３，整流回
路１４，平滑コンデンサＣ１０，スイッチング素子１
５，電圧制御素子４０を含み形成され、スイッチング素
子１５はトランス２０の１次巻線Ｌ１１と整流回路１４
の負極電路Ｌｎとの間に接続されている。１８は限流抵
抗である。また、制御電源（電圧Ｖｃ）は、補助巻線Ｌ
１２から誘起され、ダイオードＤ１０を介して発振生成
されるとともに抵抗Ｒ１０を通して供給される。
【０００３】また、２次直流電源回路３０は、トランス
２０の２次巻線Ｌ２１に接続されたダイオードＤ２１、
平滑コンデンサＣ２１，Ｃ２２を含み形成され、負荷３
５に接続される。４５は安定化回路で、フィードバック
信号ｆを生成出力させるための電圧検出信号Ｆをホトカ
プラ（フィードバック信号発生回路）４６に入力する。
２０の２次巻線Ｌ２１に接続されたダイオードＤ２１、
平滑コンデンサＣ２１，Ｃ２２を含み形成され、負荷３
５に接続される。４５は安定化回路で、フィードバック
信号ｆを生成出力させるための電圧検出信号Ｆをホトカ
プラ（フィードバック信号発生回路）４６に入力する。
【０００４】かくして、かかるＲＣＣ方式の自励発振型
（周波数変動型）のトランス結合型２次直流電源生成装
置では、電圧制御素子（トランジスタ）４０を過電圧検
出信号Ｆに基づくフィードバック信号ｆでＯＮ−ＯＦＦ
させることにより制御電源（Ｖｃ）を用いてスイッチン
グ素子１５をＯＮ−ＯＦＦ制御して１次巻線Ｌ１１から
２次巻線Ｌ２１に電力エネルギーを供給する。２次直流
電源回路３０では、ダイオードＤ２１で整流しかつ平滑
コンデンサＣ２１，Ｃ２２で平滑して２次直流電源Ｖ２
を生成し、負荷３５に供給する。負荷３５の変動は、２
次直流電源電圧Ｖ２の変動として安定化回路４５で検出
されフィードバック信号生成回路（４６）に出力され
る。これにより、２次直流電源電圧Ｖ２が安定化され
る。
（周波数変動型）のトランス結合型２次直流電源生成装
置では、電圧制御素子（トランジスタ）４０を過電圧検
出信号Ｆに基づくフィードバック信号ｆでＯＮ−ＯＦＦ
させることにより制御電源（Ｖｃ）を用いてスイッチン
グ素子１５をＯＮ−ＯＦＦ制御して１次巻線Ｌ１１から
２次巻線Ｌ２１に電力エネルギーを供給する。２次直流
電源回路３０では、ダイオードＤ２１で整流しかつ平滑
コンデンサＣ２１，Ｃ２２で平滑して２次直流電源Ｖ２
を生成し、負荷３５に供給する。負荷３５の変動は、２
次直流電源電圧Ｖ２の変動として安定化回路４５で検出
されフィードバック信号生成回路（４６）に出力され
る。これにより、２次直流電源電圧Ｖ２が安定化され
る。
【０００５】したがって、負荷３５が軽い場合には、ス
イッチング素子１５に流れる電流Ｉが減少して発振周波
数が高くなる。一方、負荷３５が重くなると、スイッチ
ング素子１５に流れる電流Ｉが増大し発振周波数は低く
なる。電圧制御素子４０によるスイッチング素子１５の
ＯＮデューティーが一定のためによる。
イッチング素子１５に流れる電流Ｉが減少して発振周波
数が高くなる。一方、負荷３５が重くなると、スイッチ
ング素子１５に流れる電流Ｉが増大し発振周波数は低く
なる。電圧制御素子４０によるスイッチング素子１５の
ＯＮデューティーが一定のためによる。
【０００６】ところで、負荷３５の大きな変動や安定化
回路４５の故障によって２次直流電圧Ｖ２が過電圧とな
ることがある。これを放置していたのでは、各構成要素
（Ｄ２１，Ｃ２１，Ｃ２２等），安定化回路４５や負荷
３５の過熱や焼損を招く。
回路４５の故障によって２次直流電圧Ｖ２が過電圧とな
ることがある。これを放置していたのでは、各構成要素
（Ｄ２１，Ｃ２１，Ｃ２２等），安定化回路４５や負荷
３５の過熱や焼損を招く。
【０００７】そこで、過電圧検出回路５１（過電圧検出
素子ＺＤ５１，抵抗Ｒ５１）とホトカプラ５２とからな
る過電圧保護回路５０を設けている。過電圧検出素子Ｚ
Ｄ５１は、ツェナーダイオードからなり、定常負荷時に
おける２次直流電源電圧Ｖ２（例えば、２４Ｖ）に対し
て設定検出過電圧値Ｖｚ５１を例えば２５〜２７Ｖに選
択設定している。
素子ＺＤ５１，抵抗Ｒ５１）とホトカプラ５２とからな
る過電圧保護回路５０を設けている。過電圧検出素子Ｚ
Ｄ５１は、ツェナーダイオードからなり、定常負荷時に
おける２次直流電源電圧Ｖ２（例えば、２４Ｖ）に対し
て設定検出過電圧値Ｖｚ５１を例えば２５〜２７Ｖに選
択設定している。
【０００８】したがって、過電圧検出素子ＺＤ５１が設
定検出過電圧値Ｖｚ５１以上の過電圧となったことを検
出すると、過電圧検出信号Ｐをホトカプラ５２に入力す
る。すると、ホトカプラ５２から過電圧検出信号Ｐと実
質的に同じ過電圧保護信号ｐが生成出力され、１次直流
電源回路１０側に設けられた過電圧保護用素子５３をＯ
Ｎする。すなわち、スイッチング素子１５に流れ込む電
流Ｉｂの一部を負極電路Ｌｎ側へ落し込む。
定検出過電圧値Ｖｚ５１以上の過電圧となったことを検
出すると、過電圧検出信号Ｐをホトカプラ５２に入力す
る。すると、ホトカプラ５２から過電圧検出信号Ｐと実
質的に同じ過電圧保護信号ｐが生成出力され、１次直流
電源回路１０側に設けられた過電圧保護用素子５３をＯ
Ｎする。すなわち、スイッチング素子１５に流れ込む電
流Ｉｂの一部を負極電路Ｌｎ側へ落し込む。
【０００９】よって、電圧制御素子４０による電圧制御
に優先しまた電圧制御素子４０による電圧制御が不能に
なった場合でも１次側（１０）から２次側（３０）への
供給電力エネルギー量を減衰できるから、２次直流電源
電圧Ｖ２が設定検出過電圧値Ｖｚ５１以上の過電圧に上
昇してしまうことを防止できる。これは、１次直流電源
回路１０側の過電流保護にもなる。
に優先しまた電圧制御素子４０による電圧制御が不能に
なった場合でも１次側（１０）から２次側（３０）への
供給電力エネルギー量を減衰できるから、２次直流電源
電圧Ｖ２が設定検出過電圧値Ｖｚ５１以上の過電圧に上
昇してしまうことを防止できる。これは、１次直流電源
回路１０側の過電流保護にもなる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、過電圧保
護回路５０は、２次直流電源電圧Ｖ２を過電圧検出回路
５１（ＺＤ５１）の設定検出過電圧値（２５〜２７Ｖ）
以上に暴走上昇してしまうことを抑制して過電圧保護を
図るものである。換言すれば、過電圧保護回路５０〔５
１（ＺＤ５１，Ｒ５１）、５２〕が過電圧保護動作をし
ている間は、２次直流電源電圧Ｖ２は定格電圧値（２４
Ｖ）以上の過電圧となっている。したがって、各構成要
素（Ｄ２１，Ｃ２１，Ｃ２２等），安定回路４５や負荷
３５を形成する制御回路等の電圧ストレスが高く急速な
劣化や焼損の原因となる。
護回路５０は、２次直流電源電圧Ｖ２を過電圧検出回路
５１（ＺＤ５１）の設定検出過電圧値（２５〜２７Ｖ）
以上に暴走上昇してしまうことを抑制して過電圧保護を
図るものである。換言すれば、過電圧保護回路５０〔５
１（ＺＤ５１，Ｒ５１）、５２〕が過電圧保護動作をし
ている間は、２次直流電源電圧Ｖ２は定格電圧値（２４
Ｖ）以上の過電圧となっている。したがって、各構成要
素（Ｄ２１，Ｃ２１，Ｃ２２等），安定回路４５や負荷
３５を形成する制御回路等の電圧ストレスが高く急速な
劣化や焼損の原因となる。
【００１１】だからと言って、過電圧保護回路５０が一
旦動作したときに、例えば電源スイッチ１２を自動的か
つ強制的にＯＦＦするように構成することは、大幅なコ
スト高を招くので採用し難い。
旦動作したときに、例えば電源スイッチ１２を自動的か
つ強制的にＯＦＦするように構成することは、大幅なコ
スト高を招くので採用し難い。
【００１２】本発明の目的は、過電圧保護回路が一旦動
作した場合には２次直流電源電圧を過電圧検出素子の設
定検出過電圧値よりも低い電圧にクランプして、各構成
要素，安定化回路や負荷の電圧ストレスを軽減できかつ
その急速な劣化や焼損を防止することのできるトランス
結合型２次直流電源生成装置を提供することにある。
作した場合には２次直流電源電圧を過電圧検出素子の設
定検出過電圧値よりも低い電圧にクランプして、各構成
要素，安定化回路や負荷の電圧ストレスを軽減できかつ
その急速な劣化や焼損を防止することのできるトランス
結合型２次直流電源生成装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係るトランス結
合型２次直流電源生成装置は、整流回路，平滑コンデン
サ，スイッチング素子，電圧制御素子を含む１次直流電
源回路と、安定化回路を含む２次直流電源回路とをトラ
ンスを介して接続結合し、安定化回路から電圧制御素子
へフィードバック信号を加えつつスイッチング素子をＯ
Ｎ−ＯＦＦ制御して２次直流電源を生成するように形成
され、かつ２次直流電源回路側に設けられた過電圧検出
素子で過電圧が検出された場合に出力される過電圧検出
信号を用いて１次直流電源回路側の電圧制御素子と並列
接続された過電圧保護用素子をＯＮしてスイッチング素
子への流れ込み電流を減衰させることにより過電圧保護
可能に形成された過電圧保護回路を具備したトランス結
合型２次直流電源生成装置において、前記２次直流電源
回路に、前記過電圧検出素子と並列接続されかつ前記過
電圧検出素子の設定検出過電圧値よりも小さな設定検出
低電圧値とされた低電圧検出素子と、前記過電圧検出素
子が過電圧検出動作したことを条件に低電圧検出素子の
低電圧検出動作をクランプするとともに前記過電圧検出
素子が過電圧検出動作不能状態になった後も前記過電圧
検出信号を出力保持可能に形成された設定低電圧クラン
プ回路とを設けた、ことを特徴とする。
合型２次直流電源生成装置は、整流回路，平滑コンデン
サ，スイッチング素子，電圧制御素子を含む１次直流電
源回路と、安定化回路を含む２次直流電源回路とをトラ
ンスを介して接続結合し、安定化回路から電圧制御素子
へフィードバック信号を加えつつスイッチング素子をＯ
Ｎ−ＯＦＦ制御して２次直流電源を生成するように形成
され、かつ２次直流電源回路側に設けられた過電圧検出
素子で過電圧が検出された場合に出力される過電圧検出
信号を用いて１次直流電源回路側の電圧制御素子と並列
接続された過電圧保護用素子をＯＮしてスイッチング素
子への流れ込み電流を減衰させることにより過電圧保護
可能に形成された過電圧保護回路を具備したトランス結
合型２次直流電源生成装置において、前記２次直流電源
回路に、前記過電圧検出素子と並列接続されかつ前記過
電圧検出素子の設定検出過電圧値よりも小さな設定検出
低電圧値とされた低電圧検出素子と、前記過電圧検出素
子が過電圧検出動作したことを条件に低電圧検出素子の
低電圧検出動作をクランプするとともに前記過電圧検出
素子が過電圧検出動作不能状態になった後も前記過電圧
検出信号を出力保持可能に形成された設定低電圧クラン
プ回路とを設けた、ことを特徴とする。
【００１４】
【作用】上記構成による本発明では、負荷変動等によっ
て２次直流電源電圧の値が過電圧保護回路の設定検出過
電圧値よりも高くなると、過電圧検出素子がこれを検出
して過電圧検出信号を出力する。すると、過電圧保護用
素子がＯＮしてスイッチング素子への流れ込み電流を減
衰させる過電圧保護動作に入る。これと同時的に、過電
圧検出素子が過電圧検出動作したことを条件に、設定低
電圧クランプ回路が過電圧検出素子と並列接続された設
定低電圧検出素子の低電圧検出動作をクランプする。
て２次直流電源電圧の値が過電圧保護回路の設定検出過
電圧値よりも高くなると、過電圧検出素子がこれを検出
して過電圧検出信号を出力する。すると、過電圧保護用
素子がＯＮしてスイッチング素子への流れ込み電流を減
衰させる過電圧保護動作に入る。これと同時的に、過電
圧検出素子が過電圧検出動作したことを条件に、設定低
電圧クランプ回路が過電圧検出素子と並列接続された設
定低電圧検出素子の低電圧検出動作をクランプする。
【００１５】すると、過電圧検出信号のレベルが上りス
イッチング素子への流れ込み電流の減衰作用を一段と加
速する。したがって、２次直流電源電圧は急速に過電圧
検出素子の設定検出過電圧値よりも低電圧に垂下するか
ら過電圧検出素子の過電圧検出動作は停止するが、低電
圧検出素子の低電圧検出動作はクランプされたままであ
る。つまり、過電圧検出動作不能状態になった後も過電
圧検出信号を出力保護可能である。
イッチング素子への流れ込み電流の減衰作用を一段と加
速する。したがって、２次直流電源電圧は急速に過電圧
検出素子の設定検出過電圧値よりも低電圧に垂下するか
ら過電圧検出素子の過電圧検出動作は停止するが、低電
圧検出素子の低電圧検出動作はクランプされたままであ
る。つまり、過電圧検出動作不能状態になった後も過電
圧検出信号を出力保護可能である。
【００１６】したがって、２次直流電源電圧は、設定検
出過電圧値よりも低い設定検出低電圧値以下の電圧値に
クランプされる。よって、２次側の安定化回路や各構成
要素等の電圧ストレスを軽減できかつその急速な劣化や
焼損を防止することができる。
出過電圧値よりも低い設定検出低電圧値以下の電圧値に
クランプされる。よって、２次側の安定化回路や各構成
要素等の電圧ストレスを軽減できかつその急速な劣化や
焼損を防止することができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。本トランス結合型２次直流電源生成装置は、図１
に示す如く、基本的構成が従来例（図３）の場合と同じ
とされ、かつ低電圧検出素子ＺＤ６１と，設定低電圧ク
ランプ回路６０とを設け、過電圧保護回路５０の過電圧
検出素子ＺＤ５１が一旦過電圧検出動作した場合には低
電圧検出素子ＺＤ６１の低電圧検出動作状態をクランプ
し、その後に過電圧検出動作が不能状態となった場合で
も２次直流電源電圧Ｖ２を設定検出過電圧値（例えば、
２７Ｖ）よりも低い設定検出低電圧値（例えば、１０
Ｖ）以下の電圧値にクランプ可能に構成されている。
する。本トランス結合型２次直流電源生成装置は、図１
に示す如く、基本的構成が従来例（図３）の場合と同じ
とされ、かつ低電圧検出素子ＺＤ６１と，設定低電圧ク
ランプ回路６０とを設け、過電圧保護回路５０の過電圧
検出素子ＺＤ５１が一旦過電圧検出動作した場合には低
電圧検出素子ＺＤ６１の低電圧検出動作状態をクランプ
し、その後に過電圧検出動作が不能状態となった場合で
も２次直流電源電圧Ｖ２を設定検出過電圧値（例えば、
２７Ｖ）よりも低い設定検出低電圧値（例えば、１０
Ｖ）以下の電圧値にクランプ可能に構成されている。
【００１８】なお、従来例（図３）の場合と共通する部
分については同一の符号を付し、それらについての説明
は簡略化または省略する。
分については同一の符号を付し、それらについての説明
は簡略化または省略する。
【００１９】図１において、低電圧検出素子（ツェナー
ダイオード）ＺＤ６１は、過電圧保護回路５０（過電圧
検出回路５１）を形成する過電圧検出素子（ツェナーダ
イオード）ＺＤ５１に並列接続され、この設定検出低電
圧値Ｖｚ６１は過電圧検出素子ＺＤ５１の設定検出過電
圧値Ｖｚ５１（例えば、２７Ｖ）よりも小さな値（例え
ば、１０Ｖ）に選択設定されている。
ダイオード）ＺＤ６１は、過電圧保護回路５０（過電圧
検出回路５１）を形成する過電圧検出素子（ツェナーダ
イオード）ＺＤ５１に並列接続され、この設定検出低電
圧値Ｖｚ６１は過電圧検出素子ＺＤ５１の設定検出過電
圧値Ｖｚ５１（例えば、２７Ｖ）よりも小さな値（例え
ば、１０Ｖ）に選択設定されている。
【００２０】設定低電圧クランプ回路６０は、図１に示
す通りの接続とされた２つのトランジスタ６２，６３と
２つの抵抗Ｒ６１，Ｒ６４とから形成され、過電圧検出
素子ＺＤ５１が過電圧検出動作したことを条件に低電圧
検出素子ＺＤ６１の低電圧検出動作をクランプするとと
もに、２次直流電源電圧Ｖ２が設定検出過電圧値（２７
Ｖ）よりも低下したために過電圧検出動作不能状態にな
った後も過電圧検出信号Ｐを出力保持可能に形成されて
いる。
す通りの接続とされた２つのトランジスタ６２，６３と
２つの抵抗Ｒ６１，Ｒ６４とから形成され、過電圧検出
素子ＺＤ５１が過電圧検出動作したことを条件に低電圧
検出素子ＺＤ６１の低電圧検出動作をクランプするとと
もに、２次直流電源電圧Ｖ２が設定検出過電圧値（２７
Ｖ）よりも低下したために過電圧検出動作不能状態にな
った後も過電圧検出信号Ｐを出力保持可能に形成されて
いる。
【００２１】すなわち、２次直流電源電圧Ｖ２が定常負
荷時における定格電圧（例えば、２４Ｖ）である場合、
両トランジスタ６２，６３がＯＦＦであるから、低電圧
検出素子ＺＤ６１は設定検出低電圧値Ｖｚ６１が上記２
４Ｖよりも低い例えば１０Ｖであっても低電圧検出動作
はできない。
荷時における定格電圧（例えば、２４Ｖ）である場合、
両トランジスタ６２，６３がＯＦＦであるから、低電圧
検出素子ＺＤ６１は設定検出低電圧値Ｖｚ６１が上記２
４Ｖよりも低い例えば１０Ｖであっても低電圧検出動作
はできない。
【００２２】しかし、２次直流電源電圧Ｖ２が設定検出
過電圧値Ｖｚ５１（２７Ｖ）以上になり、過電圧検出素
子ＺＤ５１が一旦過電圧検出動作すると、抵抗Ｒ６４の
作用によりベース電圧Ｖｂが上昇するのでトランジスタ
６３がＯＮとなる。
過電圧値Ｖｚ５１（２７Ｖ）以上になり、過電圧検出素
子ＺＤ５１が一旦過電圧検出動作すると、抵抗Ｒ６４の
作用によりベース電圧Ｖｂが上昇するのでトランジスタ
６３がＯＮとなる。
【００２３】そして、過電圧検出素子ＺＤ５１，抵抗Ｒ
５１，トランジスタ６３を介して過電圧検出信号（電
流）Ｐが流れると、トランジスタ６２がＯＮとなる。こ
こに、低電圧検出素子ＺＤ６１が低電圧検出動作する。
５１，トランジスタ６３を介して過電圧検出信号（電
流）Ｐが流れると、トランジスタ６２がＯＮとなる。こ
こに、低電圧検出素子ＺＤ６１が低電圧検出動作する。
【００２４】かくして、過電圧検出素子ＺＤ５１が過電
圧検出動作不能となっても両トランジスタ６２，６３が
ＯＮ状態に保持つまりクランプされる。したがって、低
電圧検出素子ＺＤ６１は、２次直流電源電圧Ｖ２が当該
設定検出低電圧値Ｖｚ５１（１０Ｖ）となるまで低電圧
検出動作状態となり、過電圧検出信号Ｐを継続して出力
保持可能となる。
圧検出動作不能となっても両トランジスタ６２，６３が
ＯＮ状態に保持つまりクランプされる。したがって、低
電圧検出素子ＺＤ６１は、２次直流電源電圧Ｖ２が当該
設定検出低電圧値Ｖｚ５１（１０Ｖ）となるまで低電圧
検出動作状態となり、過電圧検出信号Ｐを継続して出力
保持可能となる。
【００２５】かかる構成の実施例において、定常負荷時
における２次直流電源電圧Ｖ２は、例えば２４Ｖに安定
化制御されている。なお、負荷３５が軽いと図２（Ａ）
に示す如く周波数が高く、重いと同（Ｂ）に示すように
低い周波数で安定化制御される。
における２次直流電源電圧Ｖ２は、例えば２４Ｖに安定
化制御されている。なお、負荷３５が軽いと図２（Ａ）
に示す如く周波数が高く、重いと同（Ｂ）に示すように
低い周波数で安定化制御される。
【００２６】ここにおいて、同（Ｃ）に示す如く、安定
化回路４５の故障あるいは負荷の急激な変動やショート
によって、２次直流電源電圧Ｖ２の値が設定検出過電圧
値Ｖｚ５１（２７Ｖ）以上になると、過電圧保護回路５
０が働く。すなわち、過電圧検出素子ＺＤ５１が過電圧
検出動作（ＯＮ）するので、過電圧検出信号（電流）Ｐ
の一部が抵抗Ｒ５１，抵抗Ｒ６４を通して流れる。した
がって、ベース電圧Ｖｂが上昇してトランジスタ６３が
ＯＮされるから、過電圧保護回路５０を形成するホトカ
プラ５２から過電圧保護用素子５３に過電圧保護信号ｐ
が生成出力される。
化回路４５の故障あるいは負荷の急激な変動やショート
によって、２次直流電源電圧Ｖ２の値が設定検出過電圧
値Ｖｚ５１（２７Ｖ）以上になると、過電圧保護回路５
０が働く。すなわち、過電圧検出素子ＺＤ５１が過電圧
検出動作（ＯＮ）するので、過電圧検出信号（電流）Ｐ
の一部が抵抗Ｒ５１，抵抗Ｒ６４を通して流れる。した
がって、ベース電圧Ｖｂが上昇してトランジスタ６３が
ＯＮされるから、過電圧保護回路５０を形成するホトカ
プラ５２から過電圧保護用素子５３に過電圧保護信号ｐ
が生成出力される。
【００２７】すると、過電圧保護用素子５３がＯＮとな
り、スイッチング素子１５に流れ込む電流Ｉｂの一部を
負極電路Ｌｎに落し込む。したがって、１次側（１０）
から２次側（３０）への供給電力エネルギー量が減少さ
れ、２次直流電源電圧Ｖ２は設定検出過電圧値ＶＺ５１
（２７Ｖ）よりも低くなる。
り、スイッチング素子１５に流れ込む電流Ｉｂの一部を
負極電路Ｌｎに落し込む。したがって、１次側（１０）
から２次側（３０）への供給電力エネルギー量が減少さ
れ、２次直流電源電圧Ｖ２は設定検出過電圧値ＶＺ５１
（２７Ｖ）よりも低くなる。
【００２８】ところで、設定低電圧クランプ回路６０を
形成するトランジスタ６３がＯＮとなると、これと同時
的にトランジスタ６２がＯＮとなるから、低電圧検出素
子ＺＤ６１が低電圧検出動作（ＯＮ）する。この際、設
定検出低電圧値Ｖｚ６１は、過電圧検出素子ＺＤ５１の
設定検出過電圧値Ｖｚ５１（２７Ｖ）よりも非常に低い
値（１０Ｖ）に選択設定されているから、低電圧検出素
子ＺＤ６１〜抵抗Ｒ６１〜トランジスタ６３を通してホ
トカプラ５２へ流れる過電圧検出信号（電流）Ｐは、そ
の電圧差（１７Ｖ＝２７−１０）だけ増大される。
形成するトランジスタ６３がＯＮとなると、これと同時
的にトランジスタ６２がＯＮとなるから、低電圧検出素
子ＺＤ６１が低電圧検出動作（ＯＮ）する。この際、設
定検出低電圧値Ｖｚ６１は、過電圧検出素子ＺＤ５１の
設定検出過電圧値Ｖｚ５１（２７Ｖ）よりも非常に低い
値（１０Ｖ）に選択設定されているから、低電圧検出素
子ＺＤ６１〜抵抗Ｒ６１〜トランジスタ６３を通してホ
トカプラ５２へ流れる過電圧検出信号（電流）Ｐは、そ
の電圧差（１７Ｖ＝２７−１０）だけ増大される。
【００２９】つまり、過電圧保護用素子５３により、負
極電路Ｌｎに落し込まれる電流（Ｉｂ）の量が増大する
から、２次直流電源電圧Ｖ２を急速に低下させることが
できる。
極電路Ｌｎに落し込まれる電流（Ｉｂ）の量が増大する
から、２次直流電源電圧Ｖ２を急速に低下させることが
できる。
【００３０】この際、抵抗Ｒ６４にも、低電圧検出素子
ＺＤ６１，トランジスタ６２を通して電流が流れるか
ら、トランジスタ６３はトランジスタ６２とともにＯＮ
状態にクランプされる。２次直流電源電圧Ｖ２が低電圧
（例えば、２６Ｖ以下）となって過電圧検出素子ＺＤ５
１の過電圧検出動作が不能状態となった後でもＯＮ状態
が保持される。すなわち、低電圧検出動作をクランプし
過電圧検出信号Ｐを出力保持できる。
ＺＤ６１，トランジスタ６２を通して電流が流れるか
ら、トランジスタ６３はトランジスタ６２とともにＯＮ
状態にクランプされる。２次直流電源電圧Ｖ２が低電圧
（例えば、２６Ｖ以下）となって過電圧検出素子ＺＤ５
１の過電圧検出動作が不能状態となった後でもＯＮ状態
が保持される。すなわち、低電圧検出動作をクランプし
過電圧検出信号Ｐを出力保持できる。
【００３１】したがって、過電圧保護回路５０の一部
（５２）を利用して過電圧保護用素子５３をＯＮさせ、
スイッチング素子１５への流れ込み電流Ｉｂを減衰させ
かつ２次側（３０）への供給電力エネルギー量を大幅か
つ急速に減少できるから、２次直流電源電圧Ｖ２を、図
２（Ｄ）に示す如く、低電圧検出素子ＺＤ６１の設定検
出低電圧値Ｖｚ６１（１０Ｖ）にクランプすることがで
きる。よって、安定化回路４５，各構成要素（Ｄ２１，
Ｃ２１，Ｃ２２等々）や負荷３５を形成する制御回路の
電圧ストレスを極減できるとともに、これらの急速な劣
化や焼損を確実に防止できる。
（５２）を利用して過電圧保護用素子５３をＯＮさせ、
スイッチング素子１５への流れ込み電流Ｉｂを減衰させ
かつ２次側（３０）への供給電力エネルギー量を大幅か
つ急速に減少できるから、２次直流電源電圧Ｖ２を、図
２（Ｄ）に示す如く、低電圧検出素子ＺＤ６１の設定検
出低電圧値Ｖｚ６１（１０Ｖ）にクランプすることがで
きる。よって、安定化回路４５，各構成要素（Ｄ２１，
Ｃ２１，Ｃ２２等々）や負荷３５を形成する制御回路の
電圧ストレスを極減できるとともに、これらの急速な劣
化や焼損を確実に防止できる。
【００３２】なお、以上の設定検出低電圧（Ｖｚ６１）
のクランプ状態は、１次側（１０）の電源スイッチ１２
をＯＦＦすることにより解除される。
のクランプ状態は、１次側（１０）の電源スイッチ１２
をＯＦＦすることにより解除される。
【００３３】しかして、この実施例によれば、過電圧保
護回路５０（５１）を形成する過電圧検出素子ＺＤ５１
と並列接続された低電圧検出素子ＺＤ６１と，この低電
圧検出素子ＺＤ６１の低電圧検出動作をクランプする設
定低電圧クランプ回路６０とを設け、過電圧検出素子Ｚ
Ｄ５１が一旦過電圧検出動作した場合には低電圧検出素
子ＺＤ６１の低電圧検出動作状態をクランプし、その後
に過電圧検出動作が不能状態となった場合でも２次直流
電源電圧Ｖ２を設定検出過電圧値（例えば、２７Ｖ）よ
りも低い設定検出低電圧値（例えば、１０Ｖ）以下の電
圧値にクランプ可能に構成されているので、安定化回路
４５，各構成要素（Ｄ２１，Ｃ２１，Ｃ２２等々）や負
荷３５を形成する制御回路等の電圧ストレスを極減でき
るとともに、これらの急速な劣化や焼損を確実に防止で
きる。
護回路５０（５１）を形成する過電圧検出素子ＺＤ５１
と並列接続された低電圧検出素子ＺＤ６１と，この低電
圧検出素子ＺＤ６１の低電圧検出動作をクランプする設
定低電圧クランプ回路６０とを設け、過電圧検出素子Ｚ
Ｄ５１が一旦過電圧検出動作した場合には低電圧検出素
子ＺＤ６１の低電圧検出動作状態をクランプし、その後
に過電圧検出動作が不能状態となった場合でも２次直流
電源電圧Ｖ２を設定検出過電圧値（例えば、２７Ｖ）よ
りも低い設定検出低電圧値（例えば、１０Ｖ）以下の電
圧値にクランプ可能に構成されているので、安定化回路
４５，各構成要素（Ｄ２１，Ｃ２１，Ｃ２２等々）や負
荷３５を形成する制御回路等の電圧ストレスを極減でき
るとともに、これらの急速な劣化や焼損を確実に防止で
きる。
【００３４】また、低電圧検出素子ＺＤ６１は、過電圧
検出素子ＺＤ５１が一旦過電圧検出動作したことを条件
に設定低電圧クランプ回路６０のクランプ動作により低
電圧検出動作が継続されるものである。つまり、定常負
荷時には、低電圧検出動作しないように設定低電圧クラ
ンプ回路６０を介して２次直流電源回路３０に接続され
ているから、設定検出低電圧値Ｖｚ５１を適宜な電圧値
に選択しても長期的に安定して検出動作させることがで
きる。
検出素子ＺＤ５１が一旦過電圧検出動作したことを条件
に設定低電圧クランプ回路６０のクランプ動作により低
電圧検出動作が継続されるものである。つまり、定常負
荷時には、低電圧検出動作しないように設定低電圧クラ
ンプ回路６０を介して２次直流電源回路３０に接続され
ているから、設定検出低電圧値Ｖｚ５１を適宜な電圧値
に選択しても長期的に安定して検出動作させることがで
きる。
【００３５】また、設定低電圧クランプ回路６０が、２
つのトランジスタ６２，６３と２つの抵抗Ｒ６１，Ｒ６
４とから形成されているので、構造簡単でかつ低コスト
である。したがって、過電圧検出により１次直流電源回
路１０側の例えば電源スイッチ１２を自動的に強制して
ＯＦＦさせる等の策に対して、具現化が容易であり実用
性が高い。
つのトランジスタ６２，６３と２つの抵抗Ｒ６１，Ｒ６
４とから形成されているので、構造簡単でかつ低コスト
である。したがって、過電圧検出により１次直流電源回
路１０側の例えば電源スイッチ１２を自動的に強制して
ＯＦＦさせる等の策に対して、具現化が容易であり実用
性が高い。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、過電圧保護回路を形成
する過電圧検出素子と並列接続された低電圧検出素子
と，この低電圧検出素子の低電圧検出動作をクランプす
る設定低電圧クランプ回路とを設け、過電圧検出素子が
一旦過電圧検出動作した場合には低電圧検出素子の低電
圧検出動作状態をクランプしその後に過電圧検出動作が
不能状態となった場合でも２次直流電源電圧を設定検出
過電圧値よりも低い設定検出低電圧値以下の電圧値にク
ランプ可能に構成されているので、安定化回路，各構成
要素や負荷を形成する制御回路等の電圧ストレスを極減
できるとともに、これらの急速な劣化や焼損を確実に防
止できる。
する過電圧検出素子と並列接続された低電圧検出素子
と，この低電圧検出素子の低電圧検出動作をクランプす
る設定低電圧クランプ回路とを設け、過電圧検出素子が
一旦過電圧検出動作した場合には低電圧検出素子の低電
圧検出動作状態をクランプしその後に過電圧検出動作が
不能状態となった場合でも２次直流電源電圧を設定検出
過電圧値よりも低い設定検出低電圧値以下の電圧値にク
ランプ可能に構成されているので、安定化回路，各構成
要素や負荷を形成する制御回路等の電圧ストレスを極減
できるとともに、これらの急速な劣化や焼損を確実に防
止できる。
【図１】本発明の実施例を示す回路図である。
【図２】同じく、動作を説明するためのタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図３】従来例を説明するための回路図である。
１０ １次直流電源回路 Ｃ１０ 平滑コンデンサ １１ 交流電源 １２ 電源スイッチ １３ ノイズフィルター １４ 整流回路 Ｌｎ 負極電路 １５ スイッチング素子 Ｉ 電流 Ｉｂ 流れ込み電流 １６ 過電流保護用素子 ２０ トランス Ｌ１２ 補助巻線 ３０ ２次直流電源回路 Ｄ２１ ダイオード Ｃ２１，Ｃ２２ 平滑コンデンサ ３５ 負荷 ４０ 電圧制御素子 ４５ 安定化回路 Ｆ 過電圧検出信号 ４６ ホトカプラ ｆ フィードバック信号 ５０ 過電圧保護回路 ５１ 過電圧検出回路 ＺＤ５１ 過電圧検出素子 Ｖｚ５１ 設定検出過電圧値 Ｒ５１ 抵抗 Ｐ 過電圧検出信号 ５２ ホトカプラ ｐ 過電圧保護信号 ５３ 過電圧保護用素子 ６０ 設定低電圧クランプ回路 ＺＤ６１ 低電圧検出素子 Ｖｚ６１ 設定検出低電圧値 Ｒ６１，Ｒ６４ 抵抗 ６２，６３ トランジスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 整流回路，平滑コンデンサ，スイッチン
グ素子，電圧制御素子を含む１次直流電源回路と、安定
化回路を含む２次直流電源回路とをトランスを介して接
続結合し、安定化回路から電圧制御素子へフィードバッ
ク信号を加えつつスイッチング素子をＯＮ−ＯＦＦ制御
して２次直流電源を生成するように形成され、かつ２次
直流電源回路側に設けられた過電圧検出素子で過電圧が
検出された場合に出力される過電圧検出信号を用いて１
次直流電源回路側の電圧制御素子と並列接続された過電
圧保護用素子をＯＮしてスイッチング素子への流れ込み
電流を減衰させることにより過電圧保護可能に形成され
た過電圧保護回路を具備したトランス結合型２次直流電
源生成装置において、 前記２次直流電源回路に、前記過電圧検出素子と並列接
続されかつ前記過電圧検出素子の設定検出過電圧値より
も小さな設定検出低電圧値とされた低電圧検出素子と、
前記過電圧検出素子が過電圧検出動作したことを条件に
低電圧検出素子の低電圧検出動作をクランプするととも
に前記過電圧検出素子が過電圧検出動作不能状態になっ
た後も前記過電圧検出信号を出力保持可能に形成された
設定低電圧クランプ回路とを設けた、ことを特徴とする
トランス結合型２次直流電源生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13920194A JP3322372B2 (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | トランス結合型２次直流電源生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13920194A JP3322372B2 (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | トランス結合型２次直流電源生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH089636A JPH089636A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3322372B2 true JP3322372B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=15239915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13920194A Expired - Fee Related JP3322372B2 (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | トランス結合型２次直流電源生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3322372B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60045249D1 (de) * | 2000-12-21 | 2010-12-30 | Semiconductor Components Ind | Verfahren und Vorrichtung zur Reduktion von Schaltgeräuschen in einem Transformator eines Schaltnetzteils |
-
1994
- 1994-06-21 JP JP13920194A patent/JP3322372B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH089636A (ja) | 1996-01-12 |
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