JP3318083B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP3318083B2 JP3318083B2 JP30791593A JP30791593A JP3318083B2 JP 3318083 B2 JP3318083 B2 JP 3318083B2 JP 30791593 A JP30791593 A JP 30791593A JP 30791593 A JP30791593 A JP 30791593A JP 3318083 B2 JP3318083 B2 JP 3318083B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光ディスク用
の光源となる半導体レーザ装置およびその製造方法に関
する。
の光源となる半導体レーザ装置およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来例の半導体レーザ装置を示す
断面図である。図９において、１はステム、２，３，４
はボンディングポスト、５はキャップ、６はガラス、７
はホトダイオード取付け台、８はホトダイオード素子用
サブマウント、９はホトダイオード、１０はブロック、
１１はレーザダイオード素子用サブマウント、１２はレ
ーザダイオード素子、１３は前面光、１４は後面光、１
５は反射による戻り光である。
断面図である。図９において、１はステム、２，３，４
はボンディングポスト、５はキャップ、６はガラス、７
はホトダイオード取付け台、８はホトダイオード素子用
サブマウント、９はホトダイオード、１０はブロック、
１１はレーザダイオード素子用サブマウント、１２はレ
ーザダイオード素子、１３は前面光、１４は後面光、１
５は反射による戻り光である。
【０００３】上記半導体レーザ装置において、レーザダ
イオード素子１２は、通常へき開にて端面を作製するた
め、１個の素子で前端面と後端面の２つの端面を有す
る。よって、レーザダイオード素子１２の駆動時には、
前面光１３と後面光１４の両方が発生することになる。
前面光１３の強度と後面光１４とは１対１のリニアな関
係にあるので、後面光１４をホトダイオード９で受け、
該ホトダイオード９で発生するモニター電流を検出し
て、レーザダイオード素子１２への駆動電流を前記モニ
ター電流が常に一定になるように制御しながら流せば、
前面光１３の強度は常に一定となる（Ａｕｔｏｍａｔｉ
ｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ：以下、ＡＰＣ制御と
称す）。
イオード素子１２は、通常へき開にて端面を作製するた
め、１個の素子で前端面と後端面の２つの端面を有す
る。よって、レーザダイオード素子１２の駆動時には、
前面光１３と後面光１４の両方が発生することになる。
前面光１３の強度と後面光１４とは１対１のリニアな関
係にあるので、後面光１４をホトダイオード９で受け、
該ホトダイオード９で発生するモニター電流を検出し
て、レーザダイオード素子１２への駆動電流を前記モニ
ター電流が常に一定になるように制御しながら流せば、
前面光１３の強度は常に一定となる（Ａｕｔｏｍａｔｉ
ｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ：以下、ＡＰＣ制御と
称す）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来例の半導体レーザ
装置では、レーザダイオード素子１２の前面光１３が自
由空間に放出されるような場合であれば、戻り光１５が
存在しないので容易にＡＰＣ制御することができる。し
かしながら、通常のレーザダイオード素子１２は、光学
系を通して光ファイバや光ディスクと結合するような構
造として使用されることが多い。この場合、前記光学
系、光ファイバおよび光ディスクから反射があり、これ
が戻り光１５となってレーザダイオード素子１２に返っ
て来る。該戻り光１５がレーザダイオード素子１２へ与
える影響は２種類あって、１つには、レーザダイオード
素子１２の端面に直接返ってきてレーザダイオード素子
１２の発振特性を変化させるものであり、もう１つは、
直接ホトダイオード９へ入ってモニター電流を変化させ
るものである。後者の場合は、見かけ上、モニター電流
が増えるので、正確なＡＰＣ制御ができなくなるといっ
た欠点があった。
装置では、レーザダイオード素子１２の前面光１３が自
由空間に放出されるような場合であれば、戻り光１５が
存在しないので容易にＡＰＣ制御することができる。し
かしながら、通常のレーザダイオード素子１２は、光学
系を通して光ファイバや光ディスクと結合するような構
造として使用されることが多い。この場合、前記光学
系、光ファイバおよび光ディスクから反射があり、これ
が戻り光１５となってレーザダイオード素子１２に返っ
て来る。該戻り光１５がレーザダイオード素子１２へ与
える影響は２種類あって、１つには、レーザダイオード
素子１２の端面に直接返ってきてレーザダイオード素子
１２の発振特性を変化させるものであり、もう１つは、
直接ホトダイオード９へ入ってモニター電流を変化させ
るものである。後者の場合は、見かけ上、モニター電流
が増えるので、正確なＡＰＣ制御ができなくなるといっ
た欠点があった。
【０００５】本発明は、上記課題に鑑み、戻り光を遮光
して正確なＡＰＣ制御を可能にし得る半導体レーザ装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。
して正確なＡＰＣ制御を可能にし得る半導体レーザ装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、前端面及び後端面方向へ光を発するレ
ーザ素子と、該レーザ素子の前記後端面側に配された光
強度モニタ用受光素子と、前記レーザ素子の前記前端面
側と前記受光素子との間で前記前端面側から前記レーザ
素子の上面側を通って前記受光素子へ向かう光を遮蔽す
る遮光部材とを備え、前記遮光部材の幅は、前記レーザ
素子の上面電極の一部をワイヤボンディング可能な幅で
上方に露出させる程度に前記レーザ素子の幅より小とさ
れる。
課題解決手段は、前端面及び後端面方向へ光を発するレ
ーザ素子と、該レーザ素子の前記後端面側に配された光
強度モニタ用受光素子と、前記レーザ素子の前記前端面
側と前記受光素子との間で前記前端面側から前記レーザ
素子の上面側を通って前記受光素子へ向かう光を遮蔽す
る遮光部材とを備え、前記遮光部材の幅は、前記レーザ
素子の上面電極の一部をワイヤボンディング可能な幅で
上方に露出させる程度に前記レーザ素子の幅より小とさ
れる。
【０００７】本発明の請求項２に係る課題解決手段は、
前記遮光部材は前記レーザ素子の上面に取り付けられ、
前記遮光部材の幅は前記受光素子の受光領域幅より大き
く形成される。
前記遮光部材は前記レーザ素子の上面に取り付けられ、
前記遮光部材の幅は前記受光素子の受光領域幅より大き
く形成される。
【０００８】
【０００９】本発明の請求項３に係る課題解決手段は、
前端面及び後端面方向へ光を発するレーザ素子と、該レ
ーザ素子の前記後端面側に配された光強度モニタ用受光
素子と、前記レーザ素子の前記前端面側と前記受光素子
との間で前記前端面側から前記レーザ素子の上面側を通
って前記受光素子へ向かう光を遮蔽する遮光部材と、前
記レーザ素子及び前記光強度モニタ用受光素子を搭載す
るステムと、前記ステム上において前記受光素子の上方
に配置された給電用ポストとを備え、前記遮光部材は、
帯状の面を前記受光素子の受光領域に対面させて配置さ
れており、前記レーザ素子の表面電極と前記給電用ポス
トとを接続する結線帯とされる。
前端面及び後端面方向へ光を発するレーザ素子と、該レ
ーザ素子の前記後端面側に配された光強度モニタ用受光
素子と、前記レーザ素子の前記前端面側と前記受光素子
との間で前記前端面側から前記レーザ素子の上面側を通
って前記受光素子へ向かう光を遮蔽する遮光部材と、前
記レーザ素子及び前記光強度モニタ用受光素子を搭載す
るステムと、前記ステム上において前記受光素子の上方
に配置された給電用ポストとを備え、前記遮光部材は、
帯状の面を前記受光素子の受光領域に対面させて配置さ
れており、前記レーザ素子の表面電極と前記給電用ポス
トとを接続する結線帯とされる。
【００１０】
【００１１】
【作用】本発明の請求項１、請求項２および請求項３に
係る半導体レーザ装置では、レーザ素子の駆動時に、前
端面側へ出射した光が光ファイバや光ディスク等で反射
し、これが戻り光となってレーザ素子に返って来ること
がある。また、戻り光に外乱光が含まれることもある。
このとき、戻り光は遮光部材の前面に当たって遮光さ
れ、受光素子への入射を阻止される。したがって、レー
ザ素子の後端面側への光の強度を受光素子にて正確にモ
ニタできる。
係る半導体レーザ装置では、レーザ素子の駆動時に、前
端面側へ出射した光が光ファイバや光ディスク等で反射
し、これが戻り光となってレーザ素子に返って来ること
がある。また、戻り光に外乱光が含まれることもある。
このとき、戻り光は遮光部材の前面に当たって遮光さ
れ、受光素子への入射を阻止される。したがって、レー
ザ素子の後端面側への光の強度を受光素子にて正確にモ
ニタできる。
【００１２】本発明の請求項１に係る半導体レーザ装置
では、遮光部材を導電部材として機能させる場合に比べ
て、安価な材料を用いることができ、部材コストを低減
できる。また、ボンディングワイヤにて直接レーザ素子
に接続されるので、電気的接続に遮光部材を介在させる
場合に比べて、電気的抵抗を低減できる。
では、遮光部材を導電部材として機能させる場合に比べ
て、安価な材料を用いることができ、部材コストを低減
できる。また、ボンディングワイヤにて直接レーザ素子
に接続されるので、電気的接続に遮光部材を介在させる
場合に比べて、電気的抵抗を低減できる。
【００１３】本発明の請求項３に係る半導体レーザ装置
では、結線帯を通じて給電を行うので、結線帯以外にボ
ンディングワイヤを結線する必要がなくなる。
では、結線帯を通じて給電を行うので、結線帯以外にボ
ンディングワイヤを結線する必要がなくなる。
【００１４】
【００１５】
【実施例】［第１の実施例］ （構成）図１および図２は本発明の第１の実施例を示す
図である。本実施例の半導体レーザ装置は、光学系を通
して光ファイバや光ディスクと結合するようにして使用
されるもので、端面発光型レーザ素子２１（レーザダイ
オードチップ）と、該レーザ素子２１の後端面側（後
方）に配された光強度モニタ用受光素子２２（ホトダイ
オード）と、前記レーザ素子２１の前端面側（前方）と
前記受光素子２２との間で光を遮蔽する遮光部材２３と
を備えたものである。
図である。本実施例の半導体レーザ装置は、光学系を通
して光ファイバや光ディスクと結合するようにして使用
されるもので、端面発光型レーザ素子２１（レーザダイ
オードチップ）と、該レーザ素子２１の後端面側（後
方）に配された光強度モニタ用受光素子２２（ホトダイ
オード）と、前記レーザ素子２１の前端面側（前方）と
前記受光素子２２との間で光を遮蔽する遮光部材２３と
を備えたものである。
【００１６】前記レーザ素子２１はその端面がへき開に
て形成され前後両端面方向へ光を発するよう構成され
る。該レーザ素子２１の裏面電極は、図４および図５に
示した半田３５（第２の半田）にて銅−タングステン等
からなる放熱用サブマウント２４（第１のマウント部
材）の上面に接着されている。該サブマウント２４は、
ブロック２５（第２のマウント部材）を介して例えば円
板状のステム２６の中央部に図４および図５に示した半
田３４（前記半田３５と同様の第２の半田）にて接着さ
れている。なお、図２中の２１ａはレーザ素子２１の発
光領域である。
て形成され前後両端面方向へ光を発するよう構成され
る。該レーザ素子２１の裏面電極は、図４および図５に
示した半田３５（第２の半田）にて銅−タングステン等
からなる放熱用サブマウント２４（第１のマウント部
材）の上面に接着されている。該サブマウント２４は、
ブロック２５（第２のマウント部材）を介して例えば円
板状のステム２６の中央部に図４および図５に示した半
田３４（前記半田３５と同様の第２の半田）にて接着さ
れている。なお、図２中の２１ａはレーザ素子２１の発
光領域である。
【００１７】前記受光素子２２は、前記レーザ素子２１
からの後面光をモニター光として検出しその強度を制御
するために用いるもので、表面周囲部が金属膜等で覆わ
れることで表面中央部に所定の径の受光領域２７を有し
ている。該受光素子２２の裏面電極は図示しない半田等
にて放熱用サブマウント２８の上面に接着されている。
なお、前記サブマウント２８は板状の取付け台２９を介
して前記ステム２６の中央部の図示しない電極に接着さ
れてＡＰＣ制御回路ＳＣに接続される。該ＡＰＣ制御回
路ＳＣは、前記受光素子２２からのモニター電流値を検
出する電流検出手段Ｓｃ１と、該電流検出手段Ｓｃ１で
の検出結果に基づいて前記モニター電流が常に一定にな
るように前記レーザ素子２１への駆動電流を制御する駆
動制御手段Ｓｃ２とを備える。該駆動制御手段Ｓｃ２は
前記レーザ素子２１を駆動する駆動回路ＤＣに接続され
る。
からの後面光をモニター光として検出しその強度を制御
するために用いるもので、表面周囲部が金属膜等で覆わ
れることで表面中央部に所定の径の受光領域２７を有し
ている。該受光素子２２の裏面電極は図示しない半田等
にて放熱用サブマウント２８の上面に接着されている。
なお、前記サブマウント２８は板状の取付け台２９を介
して前記ステム２６の中央部の図示しない電極に接着さ
れてＡＰＣ制御回路ＳＣに接続される。該ＡＰＣ制御回
路ＳＣは、前記受光素子２２からのモニター電流値を検
出する電流検出手段Ｓｃ１と、該電流検出手段Ｓｃ１で
の検出結果に基づいて前記モニター電流が常に一定にな
るように前記レーザ素子２１への駆動電流を制御する駆
動制御手段Ｓｃ２とを備える。該駆動制御手段Ｓｃ２は
前記レーザ素子２１を駆動する駆動回路ＤＣに接続され
る。
【００１８】前記遮光部材２３は、例えば図３乃至図５
の如く、前記放熱用サブマウント２４と同様の銅−タン
グステン等の金属板２３ａと、該金属板２３ａの上下両
面に形成されたチタン−金等の金属薄膜２３ｂ，２３ｂ
とから構成されており、図３、図４および図５に示した
半田３３（第１の半田）にて前記レーザ素子２１の上面
電極に接着され、ボンディングワイヤ３１を介して前記
ステム２６のポスト３２に接続される。前記半田３３の
融点は、前記半田３４，３５に比べて高温度に設定され
る。また、該遮光部材２３の幅は、前記受光素子２２の
受光領域の径より大きく形成され、具体的には、前記レ
ーザ素子２１の幅より大とされ、前記レーザ素子２１用
サブマウント２４の幅と略同等とされている。また、該
遮光部材２３の奥行きは、前記レーザ素子２１の上面電
極との接続抵抗が増大しない程度であればよく、例えば
前記レーザ素子２１の奥行きと略同等とされている。
の如く、前記放熱用サブマウント２４と同様の銅−タン
グステン等の金属板２３ａと、該金属板２３ａの上下両
面に形成されたチタン−金等の金属薄膜２３ｂ，２３ｂ
とから構成されており、図３、図４および図５に示した
半田３３（第１の半田）にて前記レーザ素子２１の上面
電極に接着され、ボンディングワイヤ３１を介して前記
ステム２６のポスト３２に接続される。前記半田３３の
融点は、前記半田３４，３５に比べて高温度に設定され
る。また、該遮光部材２３の幅は、前記受光素子２２の
受光領域の径より大きく形成され、具体的には、前記レ
ーザ素子２１の幅より大とされ、前記レーザ素子２１用
サブマウント２４の幅と略同等とされている。また、該
遮光部材２３の奥行きは、前記レーザ素子２１の上面電
極との接続抵抗が増大しない程度であればよく、例えば
前記レーザ素子２１の奥行きと略同等とされている。
【００１９】（製造方法）まず、遮光部材２３の一方の
金属薄膜２３ｂの表面に高融点の半田３３を塗布し、図
３の如く、遮光部材２３を半田３３が上面側となるよう
配置して、半田３３の上面にレーザ素子２１をその上面
電極が接するように載置する。そして、半田３３の溶融
温度まで昇温して遮光部材２３とレーザ素子２１をダイ
ボンディングする。次にブロック２５の上面に半田３４
を介してサブマウント２４を載置し、さらにサブマウン
ト２４の上面に半田３５を介して一体となった遮光部材
２３およびレーザ素子２１を載置する。このとき、図４
の如く、レーザ素子２１の裏面電極がサブマウント２４
の上面の半田３５に接するように上下反転させて載置す
る。しかる後、半田３３，３４，３５の溶融温度まで昇
温してブロック２５とサブマウント２４、およびサブマ
ウント２４とレーザ素子２１の裏面電極を夫々ダイボン
ディングする。そして、一体となった遮光部材２３、レ
ーザ素子２１、サブマウント２４およびブロック２５
を、予め受光素子２２が取り付けられたステム２６に取
り付け、図１、図２および図５の如く、ボンディングワ
イヤ３１を接続する。そして、ステム２６の背面からＡ
ＰＣ制御回路ＳＣおよび駆動回路ＤＣを接続し、半導体
レーザ装置は完成する。
金属薄膜２３ｂの表面に高融点の半田３３を塗布し、図
３の如く、遮光部材２３を半田３３が上面側となるよう
配置して、半田３３の上面にレーザ素子２１をその上面
電極が接するように載置する。そして、半田３３の溶融
温度まで昇温して遮光部材２３とレーザ素子２１をダイ
ボンディングする。次にブロック２５の上面に半田３４
を介してサブマウント２４を載置し、さらにサブマウン
ト２４の上面に半田３５を介して一体となった遮光部材
２３およびレーザ素子２１を載置する。このとき、図４
の如く、レーザ素子２１の裏面電極がサブマウント２４
の上面の半田３５に接するように上下反転させて載置す
る。しかる後、半田３３，３４，３５の溶融温度まで昇
温してブロック２５とサブマウント２４、およびサブマ
ウント２４とレーザ素子２１の裏面電極を夫々ダイボン
ディングする。そして、一体となった遮光部材２３、レ
ーザ素子２１、サブマウント２４およびブロック２５
を、予め受光素子２２が取り付けられたステム２６に取
り付け、図１、図２および図５の如く、ボンディングワ
イヤ３１を接続する。そして、ステム２６の背面からＡ
ＰＣ制御回路ＳＣおよび駆動回路ＤＣを接続し、半導体
レーザ装置は完成する。
【００２０】ここで、遮光部材２３のレーザ素子２１上
へのマウントを高融点の半田３３を用いて行っているの
で、さらに遮光部材２３上に別のチップ等を搭載したい
場合に、半田３３よりも低融点の半田を用いて搭載すれ
ば、半田３３の溶融温度より低い温度でチップ等を半田
付けできる。すなわち、半導体レーザ装置に他の機能を
付加することが容易に可能となり、設計の自由度が増
す。また、高融点半田を用いることで、低融点半田を用
いる場合に比べて半田の経時的変化によるウィスカー
（髭状の突起）の成長を防止でき、レーザ素子の他の部
材とのショートを防止できる。
へのマウントを高融点の半田３３を用いて行っているの
で、さらに遮光部材２３上に別のチップ等を搭載したい
場合に、半田３３よりも低融点の半田を用いて搭載すれ
ば、半田３３の溶融温度より低い温度でチップ等を半田
付けできる。すなわち、半導体レーザ装置に他の機能を
付加することが容易に可能となり、設計の自由度が増
す。また、高融点半田を用いることで、低融点半田を用
いる場合に比べて半田の経時的変化によるウィスカー
（髭状の突起）の成長を防止でき、レーザ素子の他の部
材とのショートを防止できる。
【００２１】（使用方法）上記半導体レーザ装置におい
て、レーザ素子２１の駆動時には、図１の如く、前面光
ｃｈ１と後面光ｃｈ２の両方が発生する。前面光ｃｈ１
の強度と後面光ｃｈ２とは１対１のリニアな関係にある
ため、後面光ｃｈ２を受光素子２２で受け、受光素子２
２で発生するモニター電流をＡＰＣ制御回路ＳＣで検出
して、駆動回路ＤＣでのレーザ素子２１への駆動電流を
モニター電流が常に一定になるように制御し、前面光ｃ
ｈ１の強度を常に一定となるようＡＰＣ制御する。
て、レーザ素子２１の駆動時には、図１の如く、前面光
ｃｈ１と後面光ｃｈ２の両方が発生する。前面光ｃｈ１
の強度と後面光ｃｈ２とは１対１のリニアな関係にある
ため、後面光ｃｈ２を受光素子２２で受け、受光素子２
２で発生するモニター電流をＡＰＣ制御回路ＳＣで検出
して、駆動回路ＤＣでのレーザ素子２１への駆動電流を
モニター電流が常に一定になるように制御し、前面光ｃ
ｈ１の強度を常に一定となるようＡＰＣ制御する。
【００２２】ここで、光学系を通して光ファイバや光デ
ィスクと結合するようにして使用する場合、光学系、光
ファイバまたは光ディスクから反射があり、これが戻り
光ｃｈ３となってレーザ素子２１に返って来る。また、
戻り光ｃｈ３に外乱光が含まれることもある。このと
き、戻り光ｃｈ３は遮光部材２３の前面に当たって遮光
されるため、受光素子２２への入射を阻止される。した
がって、後面光ｃｈ２を受光素子２２で受けてＡＰＣ制
御する際に、戻り光ｃｈ３の影響をなくすことができ、
精度良いＡＰＣ制御が可能となる。
ィスクと結合するようにして使用する場合、光学系、光
ファイバまたは光ディスクから反射があり、これが戻り
光ｃｈ３となってレーザ素子２１に返って来る。また、
戻り光ｃｈ３に外乱光が含まれることもある。このと
き、戻り光ｃｈ３は遮光部材２３の前面に当たって遮光
されるため、受光素子２２への入射を阻止される。した
がって、後面光ｃｈ２を受光素子２２で受けてＡＰＣ制
御する際に、戻り光ｃｈ３の影響をなくすことができ、
精度良いＡＰＣ制御が可能となる。
【００２３】［第２の実施例］図６は本発明の第２の実
施例を示す図である。本実施例の半導体レーザ装置は、
端面発光型レーザ素子２１（レーザダイオードチップ）
と、該レーザ素子２１の後端面側（後方）に配された光
強度モニタ用受光素子２２（ホトダイオード）と、前記
レーザ素子２１の前端面側（前方）と前記受光素子２２
との間で光を遮蔽する遮光部材とを備えたものである点
で、第１の実施例と同様であるが、第１の実施例では前
記遮光部材を金属板およびその上下両面の金属薄膜で構
成していたのに対し、本実施例では前記遮光部材を結線
帯４１（導電リボン）で構成する点が異なる。
施例を示す図である。本実施例の半導体レーザ装置は、
端面発光型レーザ素子２１（レーザダイオードチップ）
と、該レーザ素子２１の後端面側（後方）に配された光
強度モニタ用受光素子２２（ホトダイオード）と、前記
レーザ素子２１の前端面側（前方）と前記受光素子２２
との間で光を遮蔽する遮光部材とを備えたものである点
で、第１の実施例と同様であるが、第１の実施例では前
記遮光部材を金属板およびその上下両面の金属薄膜で構
成していたのに対し、本実施例では前記遮光部材を結線
帯４１（導電リボン）で構成する点が異なる。
【００２４】該結線帯４１は、可塑変形可能な金等の導
電性の良い金属で構成され、その一端がレーザ素子２１
の表面電極に他端がステム２６のポスト３２に夫々半田
等を介して接続されて、前記レーザ素子２１への給電機
能を有せしめられる。また、前記結線帯４１の幅は、前
記受光素子２２の受光領域２７の径より大きく形成され
ている。ここで、ステム２６のポスト３２は前記受光素
子２２の上方に配置されており、結線帯４１が上記のよ
うに接続されることで、前記受光素子２２の受光領域２
７の前方は結線帯４１により遮蔽される。その他の構成
は第１の実施例と同様であるため、その説明は省略す
る。
電性の良い金属で構成され、その一端がレーザ素子２１
の表面電極に他端がステム２６のポスト３２に夫々半田
等を介して接続されて、前記レーザ素子２１への給電機
能を有せしめられる。また、前記結線帯４１の幅は、前
記受光素子２２の受光領域２７の径より大きく形成され
ている。ここで、ステム２６のポスト３２は前記受光素
子２２の上方に配置されており、結線帯４１が上記のよ
うに接続されることで、前記受光素子２２の受光領域２
７の前方は結線帯４１により遮蔽される。その他の構成
は第１の実施例と同様であるため、その説明は省略す
る。
【００２５】本実施例において、前方から戻り光ｃｈ３
が進入してきても、該戻り光ｃｈ３は遮光部材としての
結線帯４１の前面に当たって遮光されるため、第１の実
施例と同様に受光素子２２への入射を阻止される。した
がって、後面光ｃｈ２を受光素子２２で受けてＡＰＣ制
御する際に、戻り光ｃｈ３の影響をなくすことができ、
精度良いＡＰＣ制御が可能となる。
が進入してきても、該戻り光ｃｈ３は遮光部材としての
結線帯４１の前面に当たって遮光されるため、第１の実
施例と同様に受光素子２２への入射を阻止される。した
がって、後面光ｃｈ２を受光素子２２で受けてＡＰＣ制
御する際に、戻り光ｃｈ３の影響をなくすことができ、
精度良いＡＰＣ制御が可能となる。
【００２６】また、本実施例では、結線帯４１を通じて
給電を行うので、結線帯４１以外にボンディングワイヤ
を結線する必要がなくなる。
給電を行うので、結線帯４１以外にボンディングワイヤ
を結線する必要がなくなる。
【００２７】［第３の実施例］図７および図８は本発明
の第３の実施例を示す図である。本実施例の半導体レー
ザ装置は、端面発光型レーザ素子２１（レーザダイオー
ドチップ）と、該レーザ素子２１の後端面側（後方）に
配された光強度モニタ用受光素子２２（ホトダイオー
ド）と、前記レーザ素子２１の前端面側（前方）と前記
受光素子２２との間で光を遮蔽する遮光部材２３とを備
えたものである点で、第１の実施例と同様であるが、第
１の実施例では遮光部材２３の幅を前記レーザ素子２１
の幅より大としていたのに対し、本実施例では前記レー
ザ素子２１の幅より小でかつ受光素子２２の受光領域２
７の径より大としている点が異なる。また、本実施例で
は、ステム２６のポスト３２との間に結線されるボンデ
ィングワイヤ３１は、前記レーザ素子２１の露出した上
面に直接接続される。すなわち、第１の実施例では遮光
部材２３を導電部材として機能させていたのに対し、本
実施例では、遮光部材２３を導電部材として機能させる
必要がなくなり、安価な材料を用いることで、部材コス
トを低減できる。また、ボンディングワイヤ３１にて直
接レーザ素子２１に接続されるので、電気的接続に遮光
部材２３を介在させていた第１の実施例に比べて、電気
的抵抗を低減できる。
の第３の実施例を示す図である。本実施例の半導体レー
ザ装置は、端面発光型レーザ素子２１（レーザダイオー
ドチップ）と、該レーザ素子２１の後端面側（後方）に
配された光強度モニタ用受光素子２２（ホトダイオー
ド）と、前記レーザ素子２１の前端面側（前方）と前記
受光素子２２との間で光を遮蔽する遮光部材２３とを備
えたものである点で、第１の実施例と同様であるが、第
１の実施例では遮光部材２３の幅を前記レーザ素子２１
の幅より大としていたのに対し、本実施例では前記レー
ザ素子２１の幅より小でかつ受光素子２２の受光領域２
７の径より大としている点が異なる。また、本実施例で
は、ステム２６のポスト３２との間に結線されるボンデ
ィングワイヤ３１は、前記レーザ素子２１の露出した上
面に直接接続される。すなわち、第１の実施例では遮光
部材２３を導電部材として機能させていたのに対し、本
実施例では、遮光部材２３を導電部材として機能させる
必要がなくなり、安価な材料を用いることで、部材コス
トを低減できる。また、ボンディングワイヤ３１にて直
接レーザ素子２１に接続されるので、電気的接続に遮光
部材２３を介在させていた第１の実施例に比べて、電気
的抵抗を低減できる。
【００２８】本実施例において、前方から戻り光ｃｈ３
が進入してきても、該戻り光ｃｈ３は遮光部材２３の前
面に当たって遮光されるため、第１の実施例と同様に受
光素子２２への入射を阻止される。したがって、後面光
ｃｈ２を受光素子２２で受けてＡＰＣ制御する際に、戻
り光ｃｈ３の影響をなくすことができ、精度良いＡＰＣ
制御が可能となる。
が進入してきても、該戻り光ｃｈ３は遮光部材２３の前
面に当たって遮光されるため、第１の実施例と同様に受
光素子２２への入射を阻止される。したがって、後面光
ｃｈ２を受光素子２２で受けてＡＰＣ制御する際に、戻
り光ｃｈ３の影響をなくすことができ、精度良いＡＰＣ
制御が可能となる。
【００２９】［変形例］ （１）図３乃至図５に示すように、第１の実施例におい
て、遮光部材を金属板および該金属板の上下両面の金属
薄膜で構成していたが、金属板のみで構成してもよい。
て、遮光部材を金属板および該金属板の上下両面の金属
薄膜で構成していたが、金属板のみで構成してもよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明請求項１、請求項２および請求項
３によると、レーザ素子の前端面側と受光素子との間で
光を遮蔽する遮光部材を備えているので、外部で反射し
た戻り光が進入しようとしても、これを遮光部材に当て
て遮光することができ、受光素子への入射を阻止でき
る。したがって、レーザ素子の後端面側への光の強度を
受光素子にて正確にモニタできるという効果がある。
３によると、レーザ素子の前端面側と受光素子との間で
光を遮蔽する遮光部材を備えているので、外部で反射し
た戻り光が進入しようとしても、これを遮光部材に当て
て遮光することができ、受光素子への入射を阻止でき
る。したがって、レーザ素子の後端面側への光の強度を
受光素子にて正確にモニタできるという効果がある。
【００３１】本発明請求項１によると、遮光部材の幅を
レーザ素子の幅より小とし、レーザ素子の上面電極の一
部をワイヤボンディング可能な幅で上方に露出させてい
るので、遮光部材を導電部材として機能させる場合に比
べて、安価な材料を用いることができ、部材コストを低
減できる。また、ボンディングワイヤにて直接レーザ素
子に接続されるので、電気的接続に遮光部材を介在させ
る場合に比べて、電気的抵抗を低減できるという効果が
ある。
レーザ素子の幅より小とし、レーザ素子の上面電極の一
部をワイヤボンディング可能な幅で上方に露出させてい
るので、遮光部材を導電部材として機能させる場合に比
べて、安価な材料を用いることができ、部材コストを低
減できる。また、ボンディングワイヤにて直接レーザ素
子に接続されるので、電気的接続に遮光部材を介在させ
る場合に比べて、電気的抵抗を低減できるという効果が
ある。
【００３２】本発明の請求項３によると、遮光部材を結
線帯で構成しているので、結線帯以外にボンディングワ
イヤを結線する必要がなくなり、ボンディングワイヤ特
有の断線等の問題を解消できるという効果がある。
線帯で構成しているので、結線帯以外にボンディングワ
イヤを結線する必要がなくなり、ボンディングワイヤ特
有の断線等の問題を解消できるという効果がある。
【００３３】
【図１】本発明の第１の実施例の半導体レーザ装置を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例の半導体レーザ装置の要
部を示す正面図である。
部を示す正面図である。
【図３】本発明の第１の実施例の半導体レーザ装置の製
造工程を示す斜視図である。
造工程を示す斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施例の半導体レーザ装置の製
造工程を示す斜視図である。
造工程を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施例の半導体レーザ装置の製
造工程を示す斜視図である。
造工程を示す斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施例の半導体レーザ装置を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施例の半導体レーザ装置を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】本発明の第３の実施例の半導体レーザ装置の要
部を示す正面図である。
部を示す正面図である。
【図９】従来例の半導体レーザ装置の側面視断面図であ
る。
る。
２１ レーザ素子 ２２ 受光素子 ２３ 遮光部材 ２４，２５ マウント部材 ２７ 受光領域 ３４，３５ 第１の半田 ４１ 結線帯
Claims (3)
- 【請求項１】 前端面及び後端面方向へ光を発するレー
ザ素子と、 該レーザ素子の前記後端面側に配された光強度モニタ用
受光素子と、 前記レーザ素子の前記前端面側と前記受光素子との間で
前記前端面側から前記レーザ素子の上面側を通って前記
受光素子へ向かう光を遮蔽する遮光部材とを備え、 前記遮光部材の幅は、前記レーザ素子の上面電極の一部
をワイヤボンディング可能な幅で上方に露出させる程度
に前記レーザ素子の幅より小とされた、半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】 前記遮光部材は前記レーザ素子の上面に
取り付けられ、 前記遮光部材の幅は前記受光素子の受光領域幅より大き
く形成された、請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前端面及び後端面方向へ光を発するレー
ザ素子と、 該レーザ素子の前記後端面側に配された光強度モニタ用
受光素子と、 前記レーザ素子の前記前端面側と前記受光素子との間で
前記前端面側から前記レーザ素子の上面側を通って前記
受光素子へ向かう光を遮蔽する遮光部材と、 前記レーザ素子及び前記光強度モニタ用受光素子を搭載
するステムと、 前記ステム上において前記受光素子の上方に配置された
給電用ポストとを備え、 前記遮光部材は、帯状の面を前記受光素子の受光領域に
対面させて配置されており、前記レーザ素子の表面電極
と前記給電用ポストとを接続する結線帯とされた、半導
体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30791593A JP3318083B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30791593A JP3318083B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体レーザ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002006030A Division JP3660305B2 (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07162080A JPH07162080A (ja) | 1995-06-23 |
| JP3318083B2 true JP3318083B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=17974703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30791593A Expired - Fee Related JP3318083B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3318083B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002374027A (ja) | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP30791593A patent/JP3318083B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07162080A (ja) | 1995-06-23 |
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