JP3314170B2 - 電解液による半導体結晶体の大面積電気接触化方法 - Google Patents
電解液による半導体結晶体の大面積電気接触化方法Info
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- JP3314170B2 JP3314170B2 JP13691690A JP13691690A JP3314170B2 JP 3314170 B2 JP3314170 B2 JP 3314170B2 JP 13691690 A JP13691690 A JP 13691690A JP 13691690 A JP13691690 A JP 13691690A JP 3314170 B2 JP3314170 B2 JP 3314170B2
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/265—Contactless testing
- G01R31/2656—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高い電流容量を有する良好な電気接触を得
ることのできる、電解液による半導体結晶体の大面積電
気接触化方法に関する。
ることのできる、電解液による半導体結晶体の大面積電
気接触化方法に関する。
半導体表面にこの種の接触を作ることは多くの理由か
ら工業的に重要である。その１つの例は半導体の表面の
一部を電解液に曝す電気化学処理である。シリコンでの
用途は電解研磨、正孔腐食、いわゆる多孔性シリコン層
の製造、電気析出、測定工業分野である。
ら工業的に重要である。その１つの例は半導体の表面の
一部を電解液に曝す電気化学処理である。シリコンでの
用途は電解研磨、正孔腐食、いわゆる多孔性シリコン層
の製造、電気析出、測定工業分野である。
上記方法の場合従来は背面又は一般には電解液に曝さ
れない表面の一部に、必要な電流を導くためのオーム接
触部を設けていた。しかし半導体上に良好な電気接触を
得る処理は、一般に半導体の前処理及び１層又は数層の
金属層の塗布を必要とする比較的困難で非破壊的でない
処置である。レーマン（Lehmann）その他の論文「JPL P
ublication」84/23、1983年、第527頁以降に記載されて
いるように、接触すべき背面にインジウム−ガリウムの
誘導体を擦り込むことによっても、比較的良好な接触部
を製造することはできる。しかしこの方法は大面積の接
触及び大規模な使用には適していない。
れない表面の一部に、必要な電流を導くためのオーム接
触部を設けていた。しかし半導体上に良好な電気接触を
得る処理は、一般に半導体の前処理及び１層又は数層の
金属層の塗布を必要とする比較的困難で非破壊的でない
処置である。レーマン（Lehmann）その他の論文「JPL P
ublication」84/23、1983年、第527頁以降に記載されて
いるように、接触すべき背面にインジウム−ガリウムの
誘導体を擦り込むことによっても、比較的良好な接触部
を製造することはできる。しかしこの方法は大面積の接
触及び大規模な使用には適していない。
金属板又は金属チップをプレスすることによって僅か
ではあるが良好な（非オーム）接触部を製造することは
比較的容易である。しかしこの方法は接触抵抗及びウェ
ハーを通る電流の均一性に設定される要件をしばしば満
足しない。
ではあるが良好な（非オーム）接触部を製造することは
比較的容易である。しかしこの方法は接触抵抗及びウェ
ハーを通る電流の均一性に設定される要件をしばしば満
足しない。
米国特許第4628591号明細書には電解液接触を介して
の電流供給が記載されている。この場合背面も同様に電
解液と接触している。電解液中には、直流電圧源を介し
て半導体ウェハーの前面（作業面）に接する電解液中の
電極と接続されている電極が存在する。前面に接する電
解液を通る必要な電流の流れは直流電圧源の極性化を、
極めて高い電圧でのみ背面側の電解液を通って電流が流
れ得るように形成する。この場合背面側の電解液セルは
阻止方向に極性化されたダイオードである。必要な電圧
の高さは半導体結晶の比抵抗ρに依存し、従ってこの方
法はρ≦0.1Ωcmの半導体に対してのみ使用し得るにす
ぎない。
の電流供給が記載されている。この場合背面も同様に電
解液と接触している。電解液中には、直流電圧源を介し
て半導体ウェハーの前面（作業面）に接する電解液中の
電極と接続されている電極が存在する。前面に接する電
解液を通る必要な電流の流れは直流電圧源の極性化を、
極めて高い電圧でのみ背面側の電解液を通って電流が流
れ得るように形成する。この場合背面側の電解液セルは
阻止方向に極性化されたダイオードである。必要な電圧
の高さは半導体結晶の比抵抗ρに依存し、従ってこの方
法はρ≦0.1Ωcmの半導体に対してのみ使用し得るにす
ぎない。
本発明の課題は、設定された要件特に高い電流密度を
許容しまた低い比抵抗を有する半導体に限定されない、
半導体結晶体の簡単で非破壊的な電気接触化を可能とす
る方法を提供することにある。
許容しまた低い比抵抗を有する半導体に限定されない、
半導体結晶体の簡単で非破壊的な電気接触化を可能とす
る方法を提供することにある。
この課題は、半導体結晶体の前面に第１電極を有する
第１半室を取り付け、半導体結晶体の背面に第２電極を
有する第２半室を取り付け、少なくとも第２半室を、電
極及び半導体結晶体の背面と接触する電解液で満たし、
両電極間に少なくとも１個の電圧源により電圧を印加し
て、電解液により半導体結晶体を大面積で電気接触化す
るに当たり、第１電極から半導体結晶体を通って第２電
極に達する電流の流れを、電圧、電解液の種類、電解液
濃度、半導体結晶体の前面又は背面の照度（Ｂ）の少な
くとも１つのパラメータにより調整することによって解
決される。
第１半室を取り付け、半導体結晶体の背面に第２電極を
有する第２半室を取り付け、少なくとも第２半室を、電
極及び半導体結晶体の背面と接触する電解液で満たし、
両電極間に少なくとも１個の電圧源により電圧を印加し
て、電解液により半導体結晶体を大面積で電気接触化す
るに当たり、第１電極から半導体結晶体を通って第２電
極に達する電流の流れを、電圧、電解液の種類、電解液
濃度、半導体結晶体の前面又は背面の照度（Ｂ）の少な
くとも１つのパラメータにより調整することによって解
決される。
本発明の各実施態様は請求項２以下に記載されてい
る。
る。
次に本発明を図面に示した実施例に基づき更に詳述す
る。
る。
本発明方法の一実施態様では、第１図に示すように半
導体結晶体（いわゆるウェハー）３は、電解液５、６で
満たされた２つの半室１、２間に存在し、この構造は欧
州特許出願公開第0295440号明細書から公知である。電
解液としては例えば湿潤剤を添加されている２％弗化水
素酸を使用することができる。第１半室１内で電解液５
は電極７及びウェハー３の前面９（これは以後常に作業
面を表す）と接触している。ウェハー３はオーム接触４
及び電流計15を介して直流電圧源13に接続され、直流電
圧源13の他方の極は電流計11を介して電極７と接続され
ている。
導体結晶体（いわゆるウェハー）３は、電解液５、６で
満たされた２つの半室１、２間に存在し、この構造は欧
州特許出願公開第0295440号明細書から公知である。電
解液としては例えば湿潤剤を添加されている２％弗化水
素酸を使用することができる。第１半室１内で電解液５
は電極７及びウェハー３の前面９（これは以後常に作業
面を表す）と接触している。ウェハー３はオーム接触４
及び電流計15を介して直流電圧源13に接続され、直流電
圧源13の他方の極は電流計11を介して電極７と接続され
ている。
ウェハー背面10に接する第２半室２は同様に構成され
ている。すなわち電解液６中の第２電極８は電流計12を
介して直流電圧源14に接続され、直流電圧源14の他方の
極は同様に電流計15及びオーム接触４を介してウェハー
３に接続されている。共通の極16は特定の電位、例えば
大地電位にあってもよい。各半室内で電解液を撹拌し、
廃棄することができる（図示されていない）。前面９で
実施される処理工程又は測定工程は常に、半導体ウェハ
ー３から第１半室１内の電解液５を通って電極７に達す
る電流の流れを必要とする。
ている。すなわち電解液６中の第２電極８は電流計12を
介して直流電圧源14に接続され、直流電圧源14の他方の
極は同様に電流計15及びオーム接触４を介してウェハー
３に接続されている。共通の極16は特定の電位、例えば
大地電位にあってもよい。各半室内で電解液を撹拌し、
廃棄することができる（図示されていない）。前面９で
実施される処理工程又は測定工程は常に、半導体ウェハ
ー３から第１半室１内の電解液５を通って電極７に達す
る電流の流れを必要とする。
本発明によれば電力供給はウェハー背面10での半導体
−電解液−接触を介して行われる。双方の半室１、２は
互いに独立しているものと見做すことができ、その電流
−電圧特性曲線はそれぞれの接触面電解液−半導体及び
電解液−電極での化学反応によってのみもたらされる。
電圧源13での自由に選択された電圧U1及び電圧源14での
U2に対して電流I1及びI2は双方の半室１、２内における
それぞれの特性曲線に相応して流れる。電流計15により
キルヒホッフの法則に応じて差電流I3＝I1−I2が流れ
る。実際の使用に対しては一般にI3＝０であるべきであ
る。
−電解液−接触を介して行われる。双方の半室１、２は
互いに独立しているものと見做すことができ、その電流
−電圧特性曲線はそれぞれの接触面電解液−半導体及び
電解液−電極での化学反応によってのみもたらされる。
電圧源13での自由に選択された電圧U1及び電圧源14での
U2に対して電流I1及びI2は双方の半室１、２内における
それぞれの特性曲線に相応して流れる。電流計15により
キルヒホッフの法則に応じて差電流I3＝I1−I2が流れ
る。実際の使用に対しては一般にI3＝０であるべきであ
る。
電圧源13及び14の直列接続は、反対の極が共通の極16
で接続するように行う必要がある。両電圧はI1−I2で
あるように選択しなければならない。これにより双方の
半室１、２の一方は常に半導体−電解液−接触が阻止さ
れるように極性化されることから、この条件は実際には
遮断可能の半導体表面が照射され従って少数キャリアが
生じることにより光電流が流れる場合にのみ満たすこと
ができる。
で接続するように行う必要がある。両電圧はI1−I2で
あるように選択しなければならない。これにより双方の
半室１、２の一方は常に半導体−電解液−接触が阻止さ
れるように極性化されることから、この条件は実際には
遮断可能の半導体表面が照射され従って少数キャリアが
生じることにより光電流が流れる場合にのみ満たすこと
ができる。
第２図及び第３図には、約2.5％HF電解液中での比抵
抗約１Ωcmの半導体としてのｐシリコンでの例における
無照射及び照射された特性曲線20、21、22を示す〔レー
マン（V.Lehmann）その他の論文「プロシーディンズ・
オブ・ザ・フラット・プレート・ソーラ・アレイ・プロ
ジェクト・リサーチ・フォーラム・オン・ザ・ハイ・ス
ピード・グロース・アンド・キャラクタリゼイション・
オブ・クリスタル・フォア・ソール・セル（Proceeding
s of the Flat−plate Solar Array Project Research
Forum on the High Speed Growth And Characterizatio
n of Crystals for SolarCells）」JPL−Publication、
84/23、1983年第527頁以降参照〕。
抗約１Ωcmの半導体としてのｐシリコンでの例における
無照射及び照射された特性曲線20、21、22を示す〔レー
マン（V.Lehmann）その他の論文「プロシーディンズ・
オブ・ザ・フラット・プレート・ソーラ・アレイ・プロ
ジェクト・リサーチ・フォーラム・オン・ザ・ハイ・ス
ピード・グロース・アンド・キャラクタリゼイション・
オブ・クリスタル・フォア・ソール・セル（Proceeding
s of the Flat−plate Solar Array Project Research
Forum on the High Speed Growth And Characterizatio
n of Crystals for SolarCells）」JPL−Publication、
84/23、1983年第527頁以降参照〕。
系のパラメータ、例えば電圧、電解液の種類、濃度及
び照度等を用いてその都度の使用に必要な電流の強さ
（すなわち動作点）を調整することができ、また制御ル
ープ18（第１図）を用いて一般に時間的に一定できない
電気化学的工程で後調整することも可能である。
び照度等を用いてその都度の使用に必要な電流の強さ
（すなわち動作点）を調整することができ、また制御ル
ープ18（第１図）を用いて一般に時間的に一定できない
電気化学的工程で後調整することも可能である。
本方法を半導体としてのｐシリコンの例で、第２図及
び第３図における特性曲線20、21、22により更に詳述す
る。
び第３図における特性曲線20、21、22により更に詳述す
る。
ウェハー３の処理すべき前面９を陽極的に接続する
（すなわち半導体ウェハー３での直流電圧源13の陽
極）。半室１中の所望電流I1は15mAである（動作点
Ａ）。必要な電圧U1は第２図における特性曲線20の右側
部分からU1に対して約0.8Vである。第２半室２中の電解
液６による必要な15mAの供給は、第１図の光源17でウェ
ハー背面10を照射することによって生じる光電流により
行われる。
（すなわち半導体ウェハー３での直流電圧源13の陽
極）。半室１中の所望電流I1は15mAである（動作点
Ａ）。必要な電圧U1は第２図における特性曲線20の右側
部分からU1に対して約0.8Vである。第２半室２中の電解
液６による必要な15mAの供給は、第１図の光源17でウェ
ハー背面10を照射することによって生じる光電流により
行われる。
第３図から、ウェハー背面10の照射が第２半室２内で
の動作点の選択に対し２つの可能性を提供することが認
められる。
の動作点の選択に対し２つの可能性を提供することが認
められる。
ａ） 照度Ｂを所望電流が直線的に流れるように選択す
る（Ｂ＝BL、第３図における特性曲線21上の動作点AL）
15mAに対し、照度は日光に相応するスペクトル分布で約
460W/cm2でなければならない。
る（Ｂ＝BL、第３図における特性曲線21上の動作点AL）
15mAに対し、照度は日光に相応するスペクトル分布で約
460W/cm2でなければならない。
ｂ） 照度を光電流が所望電流よりも僅かに大きいよう
に選択する（Ｂ＝BH、特性曲線22）。動作点AHは小さな
電圧で特性曲線の昇弧内にある。
に選択する（Ｂ＝BH、特性曲線22）。動作点AHは小さな
電圧で特性曲線の昇弧内にある。
使用目的に応じてウェハーを全面的に照射するか又は
点状の光点で走査することができる（光線の集束及び／
又はレーザの使用により）。電流が時間的に一定でない
場合、U2はI3が消滅するように変化することから、例え
ば条件I3＝０により制御ループ18が生じる。
点状の光点で走査することができる（光線の集束及び／
又はレーザの使用により）。電流が時間的に一定でない
場合、U2はI3が消滅するように変化することから、例え
ば条件I3＝０により制御ループ18が生じる。
次に本発明の別の実施例及び使用例を説明する。
（１） 前記の実施例とは異なり背面10を陽極的にまた
前面９を陰極的に接続することもできる。この場合特に
前面９を光源（図示されていない）で照射する。それと
いうのも第１半室１は暗黒では遮断しているからであ
る。特にこの接続様式では、位置分解的に作業可能とす
るため点状の照射方法を使用する。
前面９を陰極的に接続することもできる。この場合特に
前面９を光源（図示されていない）で照射する。それと
いうのも第１半室１は暗黒では遮断しているからであ
る。特にこの接続様式では、位置分解的に作業可能とす
るため点状の照射方法を使用する。
この実施態様に対する使用例は、半導体における少数
キャリア−拡散距離を決定するための光電流の位置分解
測定である。この測定に関して、第４図及び第５図に本
発明方法と従来の方法とを比較して示す。ｐシリコンウ
ェハー３の阻止方向で極性化された前面９を１％弗化水
素電解液５に曝し、HeNeレーザ光線で走査する。その際
流れる光電流を測定し、グレイトーンスケールでグラフ
に表す。
キャリア−拡散距離を決定するための光電流の位置分解
測定である。この測定に関して、第４図及び第５図に本
発明方法と従来の方法とを比較して示す。ｐシリコンウ
ェハー３の阻止方向で極性化された前面９を１％弗化水
素電解液５に曝し、HeNeレーザ光線で走査する。その際
流れる光電流を測定し、グレイトーンスケールでグラフ
に表す。
第４図の根拠となる測定のため、ウェハーの縁部に接
触針を介して電力供給をする従来の方法を使用した。第
５図の根拠となる測定に関してはウェハー背面10におけ
る電解液接触を介しての電力供給を行った。第４図では
接触点（30）の影響は純粋な光電流の変動を完全に隠し
てしまうが、本発明方法は接触化による妨害効果なしに
著しく増大した測定感度を許容する。
触針を介して電力供給をする従来の方法を使用した。第
５図の根拠となる測定に関してはウェハー背面10におけ
る電解液接触を介しての電力供給を行った。第４図では
接触点（30）の影響は純粋な光電流の変動を完全に隠し
てしまうが、本発明方法は接触化による妨害効果なしに
著しく増大した測定感度を許容する。
（２） ｎドープされたシリコン ｐシリコンに関する説明をほぼそのままｎシリコンに
転用することができる。しかしｎシリコンの場合には、
光によって発生した光電流（少数キャリアとして正孔に
よりもたらされた）に対して付加的に、シリコン−電解
液接触面で電子を注入することにより生じる電子流を流
す。この付加的な電子注入電流と系の諸パラメータとの
関連性は原理的には公知である〔レーマン（V.Lehman
n）のエルランゲン大学における学位論文、1988年参
照〕。
転用することができる。しかしｎシリコンの場合には、
光によって発生した光電流（少数キャリアとして正孔に
よりもたらされた）に対して付加的に、シリコン−電解
液接触面で電子を注入することにより生じる電子流を流
す。この付加的な電子注入電流と系の諸パラメータとの
関連性は原理的には公知である〔レーマン（V.Lehman
n）のエルランゲン大学における学位論文、1988年参
照〕。
ｐシリコンの場合と同様に、背面10を陽極的にまた前
面９を陰極的に接続するか（この場合背面を特に照射す
る必要がある）、又はその逆も可能である。
面９を陰極的に接続するか（この場合背面を特に照射す
る必要がある）、又はその逆も可能である。
（３） pn接合又はドーピング段を有するシリコンウェ
ハー 本方法はこの場合にも使用することができる。ドーピ
ング段が存在する場合、特性曲線は僅かに変化するにす
ぎないが、pn接合を有するウェハーの場合、その配列
（例えばｐシリコン基板/nシリコン層／シリコン−電解
液接合）は一種のトランジスタである。従って相応する
電圧比で、照射されない場合にもpn接合を介して注入さ
れた電流が流れ、この電流はドーピング、形状、照射及
び使用した動作点によって影響される。しかし本発明に
よる意図した電流供給は常に得ることができる。ドーピ
ング段又はpn接合が全表面に存在しない場合、これは混
合事例として適当に処理する必要がある。
ハー 本方法はこの場合にも使用することができる。ドーピ
ング段が存在する場合、特性曲線は僅かに変化するにす
ぎないが、pn接合を有するウェハーの場合、その配列
（例えばｐシリコン基板/nシリコン層／シリコン−電解
液接合）は一種のトランジスタである。従って相応する
電圧比で、照射されない場合にもpn接合を介して注入さ
れた電流が流れ、この電流はドーピング、形状、照射及
び使用した動作点によって影響される。しかし本発明に
よる意図した電流供給は常に得ることができる。ドーピ
ング段又はpn接合が全表面に存在しない場合、これは混
合事例として適当に処理する必要がある。
（４） 他の半導体 シリコンウェハーに対して行った配慮を直接他の半導
体にも利用することができる。ただし適当な電解液中で
の特性曲線が知られていなければならない。
体にも利用することができる。ただし適当な電解液中で
の特性曲線が知られていなければならない。
（５） 他の電圧供給 第６図に示したように、２つの電極７及び８と接続さ
れている唯一の回路装置40を使用することもできる。そ
れというのもこの場合シリコン−電解液接触を介しての
本発明による電力供給に基づきオーム接触部４は、電力
供給のためには必要とされないからである。この電圧源
40は電圧U1＋U2を生じる。
れている唯一の回路装置40を使用することもできる。そ
れというのもこの場合シリコン−電解液接触を介しての
本発明による電力供給に基づきオーム接触部４は、電力
供給のためには必要とされないからである。この電圧源
40は電圧U1＋U2を生じる。
一般に存在する時間的に一定でない場合の場合、この
接続形式は２つの電圧源を有する接続形式とは相異す
る。
接続形式は２つの電圧源を有する接続形式とは相異す
る。
I1が変化した場合にもI2も相応して、変化し電圧U1＋
U2が一定に保たれている場合、動作点は移動し、その結
果更に内部の部分電圧U1が変化し、従って半導体３中の
空間電荷領域の深さも変わる。また簡単な制御可能性は
存在しない。しかし動作点の移動は特性曲線を適当に選
択することによって最適化することができる。
U2が一定に保たれている場合、動作点は移動し、その結
果更に内部の部分電圧U1が変化し、従って半導体３中の
空間電荷領域の深さも変わる。また簡単な制御可能性は
存在しない。しかし動作点の移動は特性曲線を適当に選
択することによって最適化することができる。
（６） 電解液による片側接触化 ウェハー背面10での電解液接触に関する本発明方法
は、電流がウェハー前面９上を電解液５を介して流れる
のではなく、他の方法で例えば導電性のガス状媒体（プ
ラズマ）又は金属接触を介して流れる場合にも使用する
ことができる。
は、電流がウェハー前面９上を電解液５を介して流れる
のではなく、他の方法で例えば導電性のガス状媒体（プ
ラズマ）又は金属接触を介して流れる場合にも使用する
ことができる。
前面を予定通り処置するのに必要な電流は、背面での
電解液接触による電力供給を有利に実施させる。背面側
の半室２はしばしば導通方向に接続することができ、こ
れにより系のパラメータ（例えば電解液濃度、電圧）を
用いて相応する動作点を調整することができ、照射は不
要である。
電解液接触による電力供給を有利に実施させる。背面側
の半室２はしばしば導通方向に接続することができ、こ
れにより系のパラメータ（例えば電解液濃度、電圧）を
用いて相応する動作点を調整することができ、照射は不
要である。
（７） 本発明の一般的な使用例 本発明は一般に電力供給の目的での半導体−電解液接
触の使用を包含する。他の用途は、例えば基本的に半導
体−電解液接合の遮断可能な特性が望まれることから、
照射を省略する分野である。しかしいずれの場合にも半
導体ウエハーの前面を通る電流は値的に背面を通る電流
と等しくなければならない。
触の使用を包含する。他の用途は、例えば基本的に半導
体−電解液接合の遮断可能な特性が望まれることから、
照射を省略する分野である。しかしいずれの場合にも半
導体ウエハーの前面を通る電流は値的に背面を通る電流
と等しくなければならない。
第１図は電解液二重室を極端に簡略化して示した略示横
断面図、第２図及び第３図は、照射されていない（第２
図）及び照射されている（第３図）状態でのｐシリコン
の例での系の特性曲線図、第４図及び第５図は、従来の
電力供給を用いての（第４図）及び本発明による電力供
給を用いての第５図）、ｐシリコンウェハーの光電流の
位置分解測定結果を示す写真図、第６図は唯一の直流電
圧源を使用する二重室の一実施例を示す略示横断面図で
ある。 １……第１半室 ２……第２半室 ３……半導体結晶体（ウェハー） ４……オーム接触部 ５、６……電解液 ７……第１電極 ８……第２電極 ９……前面 10……背面 11、12……電流計 13、14……電圧源 15……電流計 16……共通の極 17……光源 18……制御ループ 30……接触点 40……電圧源
断面図、第２図及び第３図は、照射されていない（第２
図）及び照射されている（第３図）状態でのｐシリコン
の例での系の特性曲線図、第４図及び第５図は、従来の
電力供給を用いての（第４図）及び本発明による電力供
給を用いての第５図）、ｐシリコンウェハーの光電流の
位置分解測定結果を示す写真図、第６図は唯一の直流電
圧源を使用する二重室の一実施例を示す略示横断面図で
ある。 １……第１半室 ２……第２半室 ３……半導体結晶体（ウェハー） ４……オーム接触部 ５、６……電解液 ７……第１電極 ８……第２電極 ９……前面 10……背面 11、12……電流計 13、14……電圧源 15……電流計 16……共通の極 17……光源 18……制御ループ 30……接触点 40……電圧源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−116698（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−30241（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−138729（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−216431（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/66
Claims (5)
- 【請求項１】半導体結晶体（３）の前面（９）に第１電
極（７）を有する第１半室（１）を取り付け、半導体結
晶体（３）の背面（10）に第２電極（８）を有する第２
半室（２）を取り付け、第１半室（１）を半導体結晶の
前面（９）と接触する電解液（５）で満たし、第２半室
（２）半導体結晶体（３）の背面（10）と接触する電解
液（６）で満たし、両電極（７、８）間に電圧源により
電圧を印加して電解液により半導体結晶体を大面積で電
気接触化する方法において、 直列に接続された２つの直流電圧源（13、14）を使用
し、これらの電圧源の一方の極を各々１つの電極（７、
８）に接続する共に前記電圧源の反対の極をオーム接触
部（４）を介し共に半導体結晶体（３）に接続して第２
半室（２）を導通方向に、第１半室（１）を阻止方向に
それぞれ極性化し、かつ両電圧源の前記反対の極は特定
の電位に置き、第１電極（７）から半導体結晶体（３）
を通って第２電極（８）に達する電流の流れを、半導体
結晶体（３）の背面（10）の照度（Ｂ）により調整する
ことを特徴とする電解液による半導体結晶体の大面積電
気接触化方法。 - 【請求項２】最適動作点を保持するために電気制御ルー
プ（18）を備えることを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項３】半導体結晶体（３）の照射を全面的に行う
ことを特徴とする請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】半導体結晶体（３）を点状の光点で走査す
ることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項５】pn接合を有する半導体結晶体（３）に使用
することを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の
方法。
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