JPH0322457A - 電解液による半導体結晶体の大面積電気接触化方法 - Google Patents
電解液による半導体結晶体の大面積電気接触化方法Info
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- JPH0322457A JPH0322457A JP2136916A JP13691690A JPH0322457A JP H0322457 A JPH0322457 A JP H0322457A JP 2136916 A JP2136916 A JP 2136916A JP 13691690 A JP13691690 A JP 13691690A JP H0322457 A JPH0322457 A JP H0322457A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01R31/265—Contactless testing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高い電流容量を有する良好な電気接触を得る
ことのできる、電解液による半導体結晶体の大面積電気
接触化方法に関する。
ことのできる、電解液による半導体結晶体の大面積電気
接触化方法に関する。
半導体表面にこの種の接触を作ることは多くの理由から
工業的に重要である。その１つの例は半導体の表面の一
部を電解液に曝す電気化学処理である。シリコンでの用
途は電解研磨、正孔腐食、いわゆる多孔性シリコン層の
製造、電気析出、測定工業分野である。
工業的に重要である。その１つの例は半導体の表面の一
部を電解液に曝す電気化学処理である。シリコンでの用
途は電解研磨、正孔腐食、いわゆる多孔性シリコン層の
製造、電気析出、測定工業分野である。
上記方法の場合従来は背面又は一般には電解液に曝され
ない表面の一部に、必要な電流を導くためのオーム接触
部を設けていた。しかし半導体上に良好な電気接触を得
る処置は、一般に半導体の前処理及び１層又は数層の金
属層の塗布を必要と３ する比較的困難で非破壊的でない処置である。レーマン
（ Ｌｅｈ請ａｎｎ）その他の論文ｒ ＪＰＬ Ｐｕｂ
ｌｉｃａｔｉｏｎ』８４／２３、１９８３年、第５２７
頁以降に記載されているように、接触すべき背面にイン
ジウムーガリウムの誘導体を擦り込むことによっても、
比較的良好な接触部を製造することはできる。
ない表面の一部に、必要な電流を導くためのオーム接触
部を設けていた。しかし半導体上に良好な電気接触を得
る処置は、一般に半導体の前処理及び１層又は数層の金
属層の塗布を必要と３ する比較的困難で非破壊的でない処置である。レーマン
（ Ｌｅｈ請ａｎｎ）その他の論文ｒ ＪＰＬ Ｐｕｂ
ｌｉｃａｔｉｏｎ』８４／２３、１９８３年、第５２７
頁以降に記載されているように、接触すべき背面にイン
ジウムーガリウムの誘導体を擦り込むことによっても、
比較的良好な接触部を製造することはできる。
しかしこの方法は大面積の接触及び大規模な使用には適
していない。
していない。
金属板又は金属チップをプレスすることによって僅かで
はあるが良好な（非オーム）接触部を製造することは比
較的容易である。しかしこの方法は接触抵抗及びウエハ
ーを通る電流の均一性に設定される要件をしばしば満足
しない． 米国特許第４６２８５９１号明細書には電解液接触を介
しての電流供給が記載されている。この場合背面も同様
に電解液と接触している．電解液中には、直流電圧源を
介して半導体ウエハーの前面（作業面）に接する電解欅
中の電極と接続されている電極が存在する。前面に接す
る電解液を通る必要な電流の流れは直流電圧源の極性化
を、極一４− めて高い電圧でのみ背面側の電解液を通って電流が流れ
得るように形威する。この場合背面側の電解液セルは阻
止方向に極性化されたダイオードである。必要な電圧の
高さは半導体結晶の比抵抗ρに依存し、従ってこの方法
はρ≦０． １ΩＣｌｌの半導体に対してのみ使用し得
るにすぎない。
はあるが良好な（非オーム）接触部を製造することは比
較的容易である。しかしこの方法は接触抵抗及びウエハ
ーを通る電流の均一性に設定される要件をしばしば満足
しない． 米国特許第４６２８５９１号明細書には電解液接触を介
しての電流供給が記載されている。この場合背面も同様
に電解液と接触している．電解液中には、直流電圧源を
介して半導体ウエハーの前面（作業面）に接する電解欅
中の電極と接続されている電極が存在する。前面に接す
る電解液を通る必要な電流の流れは直流電圧源の極性化
を、極一４− めて高い電圧でのみ背面側の電解液を通って電流が流れ
得るように形威する。この場合背面側の電解液セルは阻
止方向に極性化されたダイオードである。必要な電圧の
高さは半導体結晶の比抵抗ρに依存し、従ってこの方法
はρ≦０． １ΩＣｌｌの半導体に対してのみ使用し得
るにすぎない。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の課題は、設定された要件特に高い電流密度を許
容しまた低い比抵抗を有する半導体に限定されない、半
導体結晶体の簡単で非破壊的な電気接触化を可能とする
方法を提供することにある。
容しまた低い比抵抗を有する半導体に限定されない、半
導体結晶体の簡単で非破壊的な電気接触化を可能とする
方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
この課題は、半導体結晶体の前面に第１電極を有する第
１半室を取り付け、半導体結晶体の背面に第２電極を有
する第２半室を取り付け、少なくとも第２半室を、電極
及び半導体結晶体の背面と接触する電解液で満たし、両
電極間に少なくとも１個の電圧源により電圧を印加して
、電解液により半導体結晶体を大面積で電気接触化する
に当たり、第１電極から半導体結晶体を通って第２電極
−５− −６ に達する電流の流れを、電圧、電解液の種類、電解液濃
度、半導体結晶体の前面又は背面の照度（Ｂ）の少なく
とも１つのパラメータにより調整することによって解決
される。
１半室を取り付け、半導体結晶体の背面に第２電極を有
する第２半室を取り付け、少なくとも第２半室を、電極
及び半導体結晶体の背面と接触する電解液で満たし、両
電極間に少なくとも１個の電圧源により電圧を印加して
、電解液により半導体結晶体を大面積で電気接触化する
に当たり、第１電極から半導体結晶体を通って第２電極
−５− −６ に達する電流の流れを、電圧、電解液の種類、電解液濃
度、半導体結晶体の前面又は背面の照度（Ｂ）の少なく
とも１つのパラメータにより調整することによって解決
される。
本発明の各実施態様は請求項２以下に記載されている。
〔実施例］
次に本発明を図面に示した実施例に基づき更に詳述する
。
。
本発明方法の一実施態様では、第１図に示すように半導
体結晶体（いわゆるウェハー）３は、電解液５、６で満
たされた２つの半室１、２間に存在し、この構造は欧州
特許出願公開第０２９５４４０号明細書から公知である
。電解液としては例えば湿潤剤を添加されている２％弗
化水素酸を使用することができる。第１半室１内で電解
液５は電極７及びウェハー３の前面９（これは以後常に
作業面を表す）と接触している。ウェハー３はオーム接
触４及び電流計１５を介して直流電圧源１３に接続され
、直流電圧源１３の他方の極は電流計１１を介して電極
７と接続されている。
体結晶体（いわゆるウェハー）３は、電解液５、６で満
たされた２つの半室１、２間に存在し、この構造は欧州
特許出願公開第０２９５４４０号明細書から公知である
。電解液としては例えば湿潤剤を添加されている２％弗
化水素酸を使用することができる。第１半室１内で電解
液５は電極７及びウェハー３の前面９（これは以後常に
作業面を表す）と接触している。ウェハー３はオーム接
触４及び電流計１５を介して直流電圧源１３に接続され
、直流電圧源１３の他方の極は電流計１１を介して電極
７と接続されている。
ウェハー背面１０に接する第２半室２は同様に構威され
ている。すなわち電解液６中の第２電極８は電流計ｌ２
を介して直流電圧源１４に接続され、直流電圧源１４の
他方の極は同様に電流計１５及びオーム接触４を介して
ウェハー３に接続されている。共通の極ｌ６は特定の電
位、例えば大地電位にあってもよい。各半室内で電解液
を撹拌し、廃棄することができる（図示されていない）
。
ている。すなわち電解液６中の第２電極８は電流計ｌ２
を介して直流電圧源１４に接続され、直流電圧源１４の
他方の極は同様に電流計１５及びオーム接触４を介して
ウェハー３に接続されている。共通の極ｌ６は特定の電
位、例えば大地電位にあってもよい。各半室内で電解液
を撹拌し、廃棄することができる（図示されていない）
。
前面９で実施される処理工程又は測定工程は常に、半導
体ウェハー３から第１半室ｌ内の電解液５を通って電極
７に達する電流の流れを必要とする。
体ウェハー３から第１半室ｌ内の電解液５を通って電極
７に達する電流の流れを必要とする。
本発明によれば電力供給はウェハー背面１０での半導体
一電解液一接触を介して行われる。双方の半室１、２は
互いに独立しているものと見做すことができ、その電流
一電圧特性曲線はそれぞれの接触面電解液一半導体及び
電解液一電極での化学反応によってのみもたらされる。
一電解液一接触を介して行われる。双方の半室１、２は
互いに独立しているものと見做すことができ、その電流
一電圧特性曲線はそれぞれの接触面電解液一半導体及び
電解液一電極での化学反応によってのみもたらされる。
電圧源ｌ３での自由に選択された電圧Ｕ１及び電圧源１
４でのＵ２に対して電流Ｉ１及びＩ２は双方の半室１、
７ ２内におけるそれぞれの特性曲線に相応して流れる。電
流計１５によりキルヒホッフの法則に応じて差電流１．
＝１．−Ｉｔが流れる。実際の使用に対しては一般にＩ
３＝０であるべきである。
４でのＵ２に対して電流Ｉ１及びＩ２は双方の半室１、
７ ２内におけるそれぞれの特性曲線に相応して流れる。電
流計１５によりキルヒホッフの法則に応じて差電流１．
＝１．−Ｉｔが流れる。実際の使用に対しては一般にＩ
３＝０であるべきである。
電圧源１３及びｌ４の直列接続は、反対の極が共通の極
ｌ６で接するように行う必要がある。両電圧はｌ，侶
Ｉｇであるように選択しなければならない。これにより
双方の半室１２の一方は常に半導体一電解液一接触が阻
止されるように極性化されることから、この条件は実際
には遮断可能の半導体表面が照射され従って少数キャリ
アが生じることにより光電流が流れる場合にのみ満たす
ことができる。
ｌ６で接するように行う必要がある。両電圧はｌ，侶
Ｉｇであるように選択しなければならない。これにより
双方の半室１２の一方は常に半導体一電解液一接触が阻
止されるように極性化されることから、この条件は実際
には遮断可能の半導体表面が照射され従って少数キャリ
アが生じることにより光電流が流れる場合にのみ満たす
ことができる。
第２図及び第３図には、約２．５％ＩＦ電解液中での比
抵抗約１Ωｃｍの半導体としてのｐシリコンでの例にお
ける無照射及び照射された特性曲線２０、２１２２を示
す〔レーマン（Ｖ． Ｌｅｈｍａｎｎ）その他の論文「
プロシーディンズ・オブ・ザ・フラット・プレート・ソ
ーラ・アレイ・プロジェクト・リサーチ・フォーラム・
オン・ザ・ハイ・ス−８ ピード・グロース・アンド・キャラクタリゼイシゴン・
オブ・クリスタル・フォア・ソーラ・セル（Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｆｌａｔ−ｐｌａｔｅ
Ｓｏｌａｒ ＡｒｒａｙＰｒｏｊｅｃｔ Ｒｅｓｅａｒ
ｃｈ Ｆｏｒｕｍ ｏｎ ｔｈｅ Ｈｉｇｈ Ｓｐｅｅ
ｄ Ｇｒｏｗｔｈ Ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａ
ｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｆｏｒ Ｓｏｌａ
ｒｃｅｌｌｓ ） Ｊ ＪＰＬ−Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏ
ｎ ， ８ ４ ／ ２ ３、１９８３年第５２７頁以
降参照］。
抵抗約１Ωｃｍの半導体としてのｐシリコンでの例にお
ける無照射及び照射された特性曲線２０、２１２２を示
す〔レーマン（Ｖ． Ｌｅｈｍａｎｎ）その他の論文「
プロシーディンズ・オブ・ザ・フラット・プレート・ソ
ーラ・アレイ・プロジェクト・リサーチ・フォーラム・
オン・ザ・ハイ・ス−８ ピード・グロース・アンド・キャラクタリゼイシゴン・
オブ・クリスタル・フォア・ソーラ・セル（Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｆｌａｔ−ｐｌａｔｅ
Ｓｏｌａｒ ＡｒｒａｙＰｒｏｊｅｃｔ Ｒｅｓｅａｒ
ｃｈ Ｆｏｒｕｍ ｏｎ ｔｈｅ Ｈｉｇｈ Ｓｐｅｅ
ｄ Ｇｒｏｗｔｈ Ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａ
ｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｆｏｒ Ｓｏｌａ
ｒｃｅｌｌｓ ） Ｊ ＪＰＬ−Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏ
ｎ ， ８ ４ ／ ２ ３、１９８３年第５２７頁以
降参照］。
系のパラメータ、例えば電圧、電解液の種類、濃度及び
照度等を用いてその都度の使用に必要な電流の強さ（す
なわち動作点）を調整することができ、また制御ループ
１８（第１図）を用いて一般に時間的に一定でない電気
化学的工程で後調整することも可能である。
照度等を用いてその都度の使用に必要な電流の強さ（す
なわち動作点）を調整することができ、また制御ループ
１８（第１図）を用いて一般に時間的に一定でない電気
化学的工程で後調整することも可能である。
本方法を半導体としてのｐシリコンの例で、第２図及び
第３図における特性曲線２０、２１、２２により更に詳
述する。
第３図における特性曲線２０、２１、２２により更に詳
述する。
ウェハー３の処理すべき前面９を陽極的に接続する（す
なわち半導体ウェハー３での直流電圧源１３の陽極）。
なわち半導体ウェハー３での直流電圧源１３の陽極）。
半室ｌ中の所望電流Ｉ１は１５ｍＡである（動作点Ａ）
。必要な電圧Ｕ，は第２図ｑ １０ における特性曲線２０の右側部分からＵ，に対し約０．
８■である。第２半室２中の電解液６による必要な１５
ｍＡの供給は、第１図の光源１７でウェハー背面１０を
照射することによって生じる光電流により行われる。
。必要な電圧Ｕ，は第２図ｑ １０ における特性曲線２０の右側部分からＵ，に対し約０．
８■である。第２半室２中の電解液６による必要な１５
ｍＡの供給は、第１図の光源１７でウェハー背面１０を
照射することによって生じる光電流により行われる。
第３図から、ウェハー背面１０の照射が第２半室２内で
の動作点の選択に対し２つの可能性を提供することが認
められる。
の動作点の選択に対し２つの可能性を提供することが認
められる。
ａ）照度Ｂを所望電流が直線的に流れるように選択する
（Ｂ＝ＢＬ、第３図における特性曲線２１上の動作点Ａ
ｔ）１５ｍＡに対し、照度は日光に相応するスペクトル
分布で約４ ６ ０ Ｗ／Ｃ４でなければならない。
（Ｂ＝ＢＬ、第３図における特性曲線２１上の動作点Ａ
ｔ）１５ｍＡに対し、照度は日光に相応するスペクトル
分布で約４ ６ ０ Ｗ／Ｃ４でなければならない。
ｂ）照度を光電流が所望電流よりも僅かに大きいように
選択する（Ｂ＝Ｂ．、特性曲線２２）。
選択する（Ｂ＝Ｂ．、特性曲線２２）。
動作点Ａ．は小さな電圧で特性曲線の昇弧内にある．
使用目的に応じてウェハーを全面的に照射するか又は点
状の光点で走査することができる（光線の集束及び／又
はレーザの使用により）。電流が時間的に一定でない場
合、Ｕ２はｈが消滅するように変化することから、例え
ば条件Ｉ３＝０により制御ループｌ８が生じる。
状の光点で走査することができる（光線の集束及び／又
はレーザの使用により）。電流が時間的に一定でない場
合、Ｕ２はｈが消滅するように変化することから、例え
ば条件Ｉ３＝０により制御ループｌ８が生じる。
次に本発明の別の実施例及び使用例を説明する。
（１）前記の実施例とは異なり背面１０を陽極的にまた
前面９を陰極的に接続することもできる。この場合特に
前面９を光源（図示されていない）で照射する。それと
いうのも第１半室１は暗黒では遮断しているからである
。特にこの接続様式では、位置分解的に作業可能とする
ため点状の照射方法を使用する。
前面９を陰極的に接続することもできる。この場合特に
前面９を光源（図示されていない）で照射する。それと
いうのも第１半室１は暗黒では遮断しているからである
。特にこの接続様式では、位置分解的に作業可能とする
ため点状の照射方法を使用する。
この実施態様に対する使用例は，、半導体における一少
数キャリアー拡散距離を決定するための光電流の位置分
解測定である．この測定に関して、第４図及び第５図に
本発明方法と従来の方法とを比較して示す。ｐシリコン
ウェハー３の阻止方向で極性化された前面９を１％弗化
水素酸電解液５に曝し、ＨｅＮｅレーザ光線で走査する
。その際流れる光電流を測定し、グレイトーンスケール
でグラフに表す。
数キャリアー拡散距離を決定するための光電流の位置分
解測定である．この測定に関して、第４図及び第５図に
本発明方法と従来の方法とを比較して示す。ｐシリコン
ウェハー３の阻止方向で極性化された前面９を１％弗化
水素酸電解液５に曝し、ＨｅＮｅレーザ光線で走査する
。その際流れる光電流を測定し、グレイトーンスケール
でグラフに表す。
−１１
第４図の根拠となる測定のため、ウェハーの緑部に接触
針を介して電力供給をする従来の方法を使用した。第５
図の根拠となる測定に関してはウェハー背面１０におけ
る電解液接触を介しての電力供給を行った。第４図では
接触点（３０）の影響は純粋な光電流の変動を完全に隠
してしまうが、本発明方法は接触化による妨害効果なし
に著しく増大した測定感度を許容する。
針を介して電力供給をする従来の方法を使用した。第５
図の根拠となる測定に関してはウェハー背面１０におけ
る電解液接触を介しての電力供給を行った。第４図では
接触点（３０）の影響は純粋な光電流の変動を完全に隠
してしまうが、本発明方法は接触化による妨害効果なし
に著しく増大した測定感度を許容する。
（２）ｎドープされたシリコン
ｐシリコンに関する説明をほぼそのままｎシリコンに転
用することができる。しかしｎシリコンの場合には、光
によって発生した光電流（少数キャリアとして正孔によ
りもたらされた）に対して付加的に、シリコンー電解液
接触面で電子を注入することにより生じる電子流を流す
．この付加的な電子注入電流と系の諸パラメータとの関
連性は原理的には公知である〔レーマン（Ｖ． Ｌｅｈ
ｍａｎｎ）のエルランゲン大学における学位論文、１９
８８年参照〕。
用することができる。しかしｎシリコンの場合には、光
によって発生した光電流（少数キャリアとして正孔によ
りもたらされた）に対して付加的に、シリコンー電解液
接触面で電子を注入することにより生じる電子流を流す
．この付加的な電子注入電流と系の諸パラメータとの関
連性は原理的には公知である〔レーマン（Ｖ． Ｌｅｈ
ｍａｎｎ）のエルランゲン大学における学位論文、１９
８８年参照〕。
ｐシリコンの場合と同様に、背面１０を陽極的ｌ２
にまた前面９を陰極的に接続するか（この場合背面を特
に照射する必要がある）、又はその逆も可能である。
に照射する必要がある）、又はその逆も可能である。
（３）ｐｎ接合又はドーピング段を有するシリコンウェ
ハー 本方法はこの場合にも使用することができる。
ハー 本方法はこの場合にも使用することができる。
ドーピング段が存在する場合、特性曲線は僅かに変化す
るにすぎないが、ｐｎ接合を有するウェハーの場合、そ
の配列（例えばｐシリコン基板／ｎシリコン層／シリコ
ンー電解液接合）は一種のトランジスタである。従って
相応する電圧比で、照射されない場合にもｐｎ接合を介
して注入された電流が流れ、この電流はドーピング、形
状、照射及び使用した動作点によって影響される．しか
し本発明による意図した電流供給は常に得ることができ
る。ドーピング段又はｐｎ接合が全表面に存在しない場
合、これは混合事例として適当に処理する必要がある。
るにすぎないが、ｐｎ接合を有するウェハーの場合、そ
の配列（例えばｐシリコン基板／ｎシリコン層／シリコ
ンー電解液接合）は一種のトランジスタである。従って
相応する電圧比で、照射されない場合にもｐｎ接合を介
して注入された電流が流れ、この電流はドーピング、形
状、照射及び使用した動作点によって影響される．しか
し本発明による意図した電流供給は常に得ることができ
る。ドーピング段又はｐｎ接合が全表面に存在しない場
合、これは混合事例として適当に処理する必要がある。
（４） 他の半導体
シリコンウェハーに対して行った配慮を直接他一 １
３一 −１４ の半導体にも利用することができる。ただし適当な電解
液中での特性曲線が知られていなければならない。
３一 −１４ の半導体にも利用することができる。ただし適当な電解
液中での特性曲線が知られていなければならない。
（５）他の電圧供給
第６図に示したように、２つの電極７及び８と接続され
ている唯一の回路装置４０を使用することもできる。そ
れというのもこの場合シリコン電解液接触を介しての本
発明による電力供給に基づきオーム接触部４は、電力供
給のためには必要とされないからである。この電圧源４
０は電圧Ｕ１＋ Ｕ ２を生じる。
ている唯一の回路装置４０を使用することもできる。そ
れというのもこの場合シリコン電解液接触を介しての本
発明による電力供給に基づきオーム接触部４は、電力供
給のためには必要とされないからである。この電圧源４
０は電圧Ｕ１＋ Ｕ ２を生じる。
一般に存在する時間的に一定でない電流の場合、この接
続形式は２つの電圧源を有する接続形式とは相異する。
続形式は２つの電圧源を有する接続形式とは相異する。
ｈが変化した場合には■２も相応して変化し、電圧Ｕ，
＋Ｕｇが一定に保たれている場合、動作点は移動し、そ
の結果更に内部の部分電圧ＵＩが変化し、従って半導体
３中の空間電荷領域の深さも変わる。また簡単な制御可
能性は存在しない。
＋Ｕｇが一定に保たれている場合、動作点は移動し、そ
の結果更に内部の部分電圧ＵＩが変化し、従って半導体
３中の空間電荷領域の深さも変わる。また簡単な制御可
能性は存在しない。
しかし動作点の移動は特性曲線を適当に選択する（６）
電解液による片側接触化 ウェハー背面１０での電解液接触に関する本発明方法は
、電流がウェハー前面９上を電解液５を介して流れるの
ではなく、他の方法で例えば導電性のガス状媒体（プラ
ズマ）又は金属接触を介して流れる場合にも使用するこ
とができる。
電解液による片側接触化 ウェハー背面１０での電解液接触に関する本発明方法は
、電流がウェハー前面９上を電解液５を介して流れるの
ではなく、他の方法で例えば導電性のガス状媒体（プラ
ズマ）又は金属接触を介して流れる場合にも使用するこ
とができる。
前面を予定通り処置するのに必要な電流は、背面での電
解液接触による電力供給を有利に実施させる。背面側の
半室２はしばしば導通方向に接続することができ、これ
により系のパラメータ（例えば電解液濃度、電圧）を用
いて相応する動作点を調整することができ、照射は不要
である。
解液接触による電力供給を有利に実施させる。背面側の
半室２はしばしば導通方向に接続することができ、これ
により系のパラメータ（例えば電解液濃度、電圧）を用
いて相応する動作点を調整することができ、照射は不要
である。
（７）本発明の一般的な使用例
本発明は一般に電力供給の目的での半導体一電解液接触
の使用を包含する。他の用途は、例えば基本的に半導体
一電解液接合の遮断可能な特性が望まれることから、照
射を省略する分野である。
の使用を包含する。他の用途は、例えば基本的に半導体
一電解液接合の遮断可能な特性が望まれることから、照
射を省略する分野である。
しかしいずれの場合にも半導体ウエハーの前面を通る電
流は値的に背面を通る電流と等しくなげれ１５− ばならない。
流は値的に背面を通る電流と等しくなげれ１５− ばならない。
第１図は電解液二重室を極端に簡略化して示した略示横
断面図、第２図及び第３図は、照射されていない（第２
図）及び照射されている（第３図）状態でのｐシリコン
の例での系の特性曲線図、第４図及び第５図は、従来の
電力供給を用いての（第４図〉及び本発明による電力供
給を用いての（第５図）、ｐシリコンウェハーの光電流
の位置分解測定結果を示す写真図、第６図は唯一の直流
電圧源を使用する二重室の一実施例を示す略示横断面図
である。 １・・・第１半室 ２・・・第２半室 ３・・・半導体結晶体（ウェハー〉 ４・・・オーム接触部 ５、６・・・電解液 ７・・・第１電極 ８・・・第２電極 ９・・・前面 ０・・・背面 ■、１２・・・電流計 ３、ｌ４・・・電圧源 ５・・・電流計 ６・・・共通の極 ７・・・光源 ８・・・制御ループ ０・・・接触点 ０・・・電圧源 １６ 「ＩＧ２
断面図、第２図及び第３図は、照射されていない（第２
図）及び照射されている（第３図）状態でのｐシリコン
の例での系の特性曲線図、第４図及び第５図は、従来の
電力供給を用いての（第４図〉及び本発明による電力供
給を用いての（第５図）、ｐシリコンウェハーの光電流
の位置分解測定結果を示す写真図、第６図は唯一の直流
電圧源を使用する二重室の一実施例を示す略示横断面図
である。 １・・・第１半室 ２・・・第２半室 ３・・・半導体結晶体（ウェハー〉 ４・・・オーム接触部 ５、６・・・電解液 ７・・・第１電極 ８・・・第２電極 ９・・・前面 ０・・・背面 ■、１２・・・電流計 ３、ｌ４・・・電圧源 ５・・・電流計 ６・・・共通の極 ７・・・光源 ８・・・制御ループ ０・・・接触点 ０・・・電圧源 １６ 「ＩＧ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体結晶体（３）の前面（９）に第１電極（７）
を有する第１半室（１）を取り付け、半導体結晶体（３
）の背面（１０）に第２電極（８）を有する第２半室（
２）を取り付け、少なくとも第２半室（２）を、電極（
８）及び半導体結晶体（３）の背面（１０）と接触する
電解液（６）で満たし、両電極（７、８）間に少なくと
も１個の電圧源（４０；１３、１４）により電圧を印加
して、電解液により半導体結晶体を大面積で電気接触化
するに当たり、第１電極（７）から半導体結晶体（３）
を通って第２電極（８）に達する電流の流れを、電圧、
電解液の種類、電解液濃度、半導体結晶体（３）の前面
（９）又は背面（１０）の照度（Ｂ）の少なくとも１つ
のパラメータにより調整することを特徴とする電解液に
よる半導体結晶体の大面積電気接触化方法。 ２）印加電圧によって第１半室（１）を導通方向にまた
第２半室（２）を阻止方向に極性化し、用いられるパラ
メータが半導体結晶体（３）の背面（１０）の照度（Ｂ
）であることを特徴とする請求項１記載の方法。 ３）印加電圧によって第２半室（２）を導通方向に極性
化し、第１半室（１）をガス又はガス混合物又は電解液
（５）で満たすか又は半導体結晶体（３）の前面（９）
と第１電極（７）とを直接接触させ、また用いられるパ
ラメータが電圧、電解液の種類、電解液濃度の群から選
択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項
１記載の方法。 ４）印加電圧によって第２半室（２）を導通方向にまた
第１半室（１）を阻止方向に極性化し、第１半室（１）
を電解液（５）で満たし、用いられるパラメータが半導
体結晶体（３）の前面（９）の照度（Ｂ）であることを
特徴とする請求項１記載の方法。 ５）最適動作点を保持するために電気制御ループ（１８
）を備えることを特徴とする請求項１ないし４の１つに
記載の方法。 ６）半導体結晶体（３）の表面（９、１０）の照射を全
面的に行うことを特徴とする請求項１、２、４又は５の
１つに記載の方法。 ７）半導体結晶体（３）を点状の光点で走査することを
特徴とする請求項１、２、４又は５の１つに記載の方法
。 ８）直流電圧源（４０）を使用し、その極が各電極（７
、８）と接続されていることを特徴とする請求項１ない
し７の１つに記載の方法。 ９）直列に接続された２つの直流電圧源（１３、１４）
を使用し、これらの電圧源がそれぞれ１つの電極（７、
８）に及び共にオーム接触部（４）を介して半導体結晶
体（３）に接続されており、両電圧源の反対の極は共通
の極（１６）で接し、共通の極は特定の電位にあること
を特徴とする請求項１ないし７の１つに記載の方法。 １０）ドーピング段又はｐｎ接合を有する半導体結晶体
（３）に使用することを特徴とする請求項１ないし９の
１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3917723.8 | 1989-05-31 | ||
| DE3917723 | 1989-05-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322457A true JPH0322457A (ja) | 1991-01-30 |
| JP3314170B2 JP3314170B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=6381771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13691690A Expired - Lifetime JP3314170B2 (ja) | 1989-05-31 | 1990-05-25 | 電解液による半導体結晶体の大面積電気接触化方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5209833A (ja) |
| EP (1) | EP0400387B1 (ja) |
| JP (1) | JP3314170B2 (ja) |
| DE (1) | DE59010140D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5818244A (en) * | 1992-11-13 | 1998-10-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Brazed solid material specimen holder for apparatus that measures dielectric and magnetic parameters |
| FR2772926B1 (fr) * | 1997-12-24 | 2000-03-10 | Cis Bio Int | Dispositif et procede de test d'elements sensibles d'une puce electronique |
| US6143155A (en) * | 1998-06-11 | 2000-11-07 | Speedfam Ipec Corp. | Method for simultaneous non-contact electrochemical plating and planarizing of semiconductor wafers using a bipiolar electrode assembly |
| US6132586A (en) * | 1998-06-11 | 2000-10-17 | Integrated Process Equipment Corporation | Method and apparatus for non-contact metal plating of semiconductor wafers using a bipolar electrode assembly |
| DE10027931C1 (de) | 2000-05-31 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur rückseitigen elektrischen Kontaktierung eines Halbleitersubstrats während seiner Bearbeitung |
| DE10055712B4 (de) * | 2000-11-10 | 2006-07-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Grabenkondensatoren für hochintegrierte Halbleiterspeicher |
| DE10055711B4 (de) | 2000-11-10 | 2008-04-30 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung von Grabenkondensatoren |
| US6946864B2 (en) | 2001-02-19 | 2005-09-20 | Osram Gmbh | Method for measuring product parameters of components formed on a wafer and device for performing the method |
| DE10107689B4 (de) * | 2001-02-19 | 2010-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Messung von Produktparametern von auf einem Wafer ausgebildeten Bauelementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE10111761A1 (de) * | 2001-03-12 | 2002-10-02 | Infineon Technologies Ag | Anordnung und Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersubstrats |
| US20070256937A1 (en) * | 2006-05-04 | 2007-11-08 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for electrochemical processing of thin films on resistive substrates |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL105600C (ja) * | 1956-06-16 | |||
| CH422166A (de) * | 1965-04-27 | 1966-10-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur Erhöhung der Sperrspannung thermisch oxydierter Siliziumkörper mit mindestens einer Sperrschicht |
| FR2344847A1 (fr) * | 1976-03-15 | 1977-10-14 | Ibm | Procede de detection de defauts electriquement actifs dans un substrat de silicium de type n |
| US4108738A (en) * | 1977-02-18 | 1978-08-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for forming contacts to semiconductor devices |
| US4197141A (en) * | 1978-01-31 | 1980-04-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for passivating imperfections in semiconductor materials |
| US4166918A (en) * | 1978-07-19 | 1979-09-04 | Rca Corporation | Method of removing the effects of electrical shorts and shunts created during the fabrication process of a solar cell |
| US4351706A (en) * | 1980-03-27 | 1982-09-28 | International Business Machines Corporation | Electrochemically eroding semiconductor device |
| SE432848B (sv) * | 1981-01-21 | 1984-04-16 | Olle Werner Inganes | Sett att belegga en plan yta av ett halvledande eller isolerande material med ett skikt av en polymer i ett monster med given form och anordning for genomforande av settet |
| US4385971A (en) * | 1981-06-26 | 1983-05-31 | Rca Corporation | Electrolytic etch for eliminating shorts and shunts in large area amorphous silicon solar cells |
| US4734168A (en) * | 1983-08-08 | 1988-03-29 | Texas A & M University | Method of making n-silicon electrodes |
| US4601960A (en) * | 1983-08-24 | 1986-07-22 | Hahn-Meitner-Institut Fur Kernforschung Berlin Gmbh | Photoelectrochemical solar cell and method of fabricating a substrate for such a cell |
| CA1265922A (en) * | 1984-07-27 | 1990-02-20 | Helmut Tributsch | Photoactive pyrite layer and process for making and using same |
| US4628591A (en) * | 1984-10-31 | 1986-12-16 | Texas Instruments Incorporated | Method for obtaining full oxide isolation of epitaxial islands in silicon utilizing selective oxidation of porous silicon |
| US4613417A (en) * | 1984-12-28 | 1986-09-23 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor etching process |
| US4786391A (en) * | 1986-11-13 | 1988-11-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Arrangement for holding a glass member |
| DE3879771D1 (de) * | 1987-05-27 | 1993-05-06 | Siemens Ag | Aetzverfahren zum erzeugen von lochoeffnungen oder graeben in n-dotiertem silizium. |
| ES2030457T3 (es) * | 1987-06-15 | 1992-11-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Procedimiento y dispositivo de medicion para la determinacion de la longitud de difusion de los portadores de carga minoritaria para la detencion no destructiva de defectos e impurezas en cuerpos de cristal semiconductor. |
-
1990
- 1990-05-14 EP EP90109039A patent/EP0400387B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-14 DE DE59010140T patent/DE59010140D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-22 US US07/527,277 patent/US5209833A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-25 JP JP13691690A patent/JP3314170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0400387A2 (de) | 1990-12-05 |
| US5209833A (en) | 1993-05-11 |
| DE59010140D1 (de) | 1996-03-28 |
| JP3314170B2 (ja) | 2002-08-12 |
| EP0400387B1 (de) | 1996-02-21 |
| EP0400387A3 (de) | 1993-07-14 |
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