JP3307810B2 - 単結晶ブロックの洗浄方法およびその洗浄装置 - Google Patents
単結晶ブロックの洗浄方法およびその洗浄装置Info
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- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
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- Auxiliary Devices For Machine Tools (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はワイヤソーで切断
した直後の単結晶ブロックの洗浄方法およびその洗浄装
置に関する。
した直後の単結晶ブロックの洗浄方法およびその洗浄装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＺ単結晶棒からシリコンウェー
ハを作製する場合、単結晶棒を複数のブロックに切断
し、各単結晶ブロック（インゴットブロック）から多数
のウェーハをスライスしていた。そして、この単結晶ブ
ロックからのウェーハのスライスには、ワイヤソーを用
いていた。すなわち、ブロック外径研削後、ＯＦ加工を
行い、ワイヤソー切断機で切断していた。そして、この
ワイヤソーで切断した単結晶ブロックは、板状のカーボ
ンベッドに各ウェーハの一部が連続した状態で作製され
る。そして、このカーボンベッドから各ウェーハを剥離
してカセットに収納し、次の面取り工程に送る。
ハを作製する場合、単結晶棒を複数のブロックに切断
し、各単結晶ブロック（インゴットブロック）から多数
のウェーハをスライスしていた。そして、この単結晶ブ
ロックからのウェーハのスライスには、ワイヤソーを用
いていた。すなわち、ブロック外径研削後、ＯＦ加工を
行い、ワイヤソー切断機で切断していた。そして、この
ワイヤソーで切断した単結晶ブロックは、板状のカーボ
ンベッドに各ウェーハの一部が連続した状態で作製され
る。そして、このカーボンベッドから各ウェーハを剥離
してカセットに収納し、次の面取り工程に送る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のワイ
ヤソー切断ウェーハではいったんカセットに収納された
後、一枚ずつ取り出されて洗浄処理が施されていた。と
ころが、ウェーハ表面に付着した砥粒および切削油は除
去し難く、その洗浄に長時間を要していた。例えば切削
油の除去と、砥粒の除去とを異なる洗浄処理で行う必要
があったからである。この結果、以下の工程での枚葉処
理を著しく困難なものとしていた。
ヤソー切断ウェーハではいったんカセットに収納された
後、一枚ずつ取り出されて洗浄処理が施されていた。と
ころが、ウェーハ表面に付着した砥粒および切削油は除
去し難く、その洗浄に長時間を要していた。例えば切削
油の除去と、砥粒の除去とを異なる洗浄処理で行う必要
があったからである。この結果、以下の工程での枚葉処
理を著しく困難なものとしていた。
【０００４】
【発明の目的】そこで、この発明は、ワイヤソー切断ウ
ェーハの洗浄処理を短時間で行うことをその目的として
いる。また、この発明の目的は、ワイヤソー切断ウェー
ハ表面からの砥粒・油の除去を確実に行える洗浄方法を
提供することである。さらに、この発明は、短時間洗浄
を行える装置を提供することを、その目的としている。
ェーハの洗浄処理を短時間で行うことをその目的として
いる。また、この発明の目的は、ワイヤソー切断ウェー
ハ表面からの砥粒・油の除去を確実に行える洗浄方法を
提供することである。さらに、この発明は、短時間洗浄
を行える装置を提供することを、その目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ワイヤソーで切断された単結晶ブロックの洗浄方法
であって、この単結晶ブロックを洗浄液中に投入し、こ
の単結晶ブロックの軸線と直交する方向で異なる２方向
から低周波数の超音波と高周波数の超音波とを印加した
単結晶ブロックの洗浄方法である。
は、ワイヤソーで切断された単結晶ブロックの洗浄方法
であって、この単結晶ブロックを洗浄液中に投入し、こ
の単結晶ブロックの軸線と直交する方向で異なる２方向
から低周波数の超音波と高周波数の超音波とを印加した
単結晶ブロックの洗浄方法である。
【０００６】請求項２に記載の発明は、上記単結晶ブロ
ックを洗浄液中で上下方向に揺動させながら超音波を印
加する請求項１に記載の単結晶ブロックの洗浄方法であ
る。
ックを洗浄液中で上下方向に揺動させながら超音波を印
加する請求項１に記載の単結晶ブロックの洗浄方法であ
る。
【０００７】請求項３に記載の発明は、単結晶ブロック
を投入可能な洗浄液槽と、洗浄液槽の底壁に設けられ、
洗浄液に超音波を印加する第１の超音波印加機構と、洗
浄液槽の側壁に設けられ、上記超音波とは異なる周波数
の超音波を洗浄液に印加する第２の超音波印加機構と、
洗浄液槽内で単結晶ブロックを上下動させる揺動機構と
を備えた単結晶ブロックの洗浄装置である。
を投入可能な洗浄液槽と、洗浄液槽の底壁に設けられ、
洗浄液に超音波を印加する第１の超音波印加機構と、洗
浄液槽の側壁に設けられ、上記超音波とは異なる周波数
の超音波を洗浄液に印加する第２の超音波印加機構と、
洗浄液槽内で単結晶ブロックを上下動させる揺動機構と
を備えた単結晶ブロックの洗浄装置である。
【０００８】
【作用】請求項１に記載の発明では、単結晶ブロックを
ワイヤソーで切断したままの状態で、洗浄液槽に挿入
し、洗浄を行う。洗浄液としては、例えば界面活性剤と
水を含む有機溶媒系の洗浄剤を用いる。この結果、短時
間に洗浄処理を施すことができる。また、洗浄時に印加
する超音波は、低周波成分と高周波成分とを同時に、か
つ、ウェーハ表面に対して平行な方向に印加する。主と
して、前者にて砥粒を、後者により油を効率よく除去す
ることができる。
ワイヤソーで切断したままの状態で、洗浄液槽に挿入
し、洗浄を行う。洗浄液としては、例えば界面活性剤と
水を含む有機溶媒系の洗浄剤を用いる。この結果、短時
間に洗浄処理を施すことができる。また、洗浄時に印加
する超音波は、低周波成分と高周波成分とを同時に、か
つ、ウェーハ表面に対して平行な方向に印加する。主と
して、前者にて砥粒を、後者により油を効率よく除去す
ることができる。
【０００９】請求項２に記載の発明では、単結晶ブロッ
ク全体を洗浄液中で上下に揺動させながら洗浄を行う。
この結果、隣り合うウェーハ同士の狭い間隙に残存する
スラリ等が流れ出て、しかも、ウェーハ表面への油・砥
粒の再吸着を防ぐことができる。なお、単結晶ブロック
はそのウェーハ径の１／４以上の距離だけ上下動させる
とよい。
ク全体を洗浄液中で上下に揺動させながら洗浄を行う。
この結果、隣り合うウェーハ同士の狭い間隙に残存する
スラリ等が流れ出て、しかも、ウェーハ表面への油・砥
粒の再吸着を防ぐことができる。なお、単結晶ブロック
はそのウェーハ径の１／４以上の距離だけ上下動させる
とよい。
【００１０】請求項３に記載の洗浄装置は、洗浄液槽の
底壁および側壁に異なる周波数の超音波を印加する２つ
の超音波印加機構を備えているため、単結晶ブロックを
洗浄液中に投入した状態でそのウェーハ表面に直交する
２方向から低周波数および高周波数の超音波を同時に印
加することができる。よって、各ウェーハ間の油・砥粒
等を効率よく除去することができる。
底壁および側壁に異なる周波数の超音波を印加する２つ
の超音波印加機構を備えているため、単結晶ブロックを
洗浄液中に投入した状態でそのウェーハ表面に直交する
２方向から低周波数および高周波数の超音波を同時に印
加することができる。よって、各ウェーハ間の油・砥粒
等を効率よく除去することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例につい
て図面を参照して説明する。図１および図２はこの発明
の一実施例に係る洗浄装置を示す図である。また、図３
は一実施例に係る洗浄処理を示す概念図である。
て図面を参照して説明する。図１および図２はこの発明
の一実施例に係る洗浄装置を示す図である。また、図３
は一実施例に係る洗浄処理を示す概念図である。
【００１２】これらの図に示すように、カーボンベッド
１１を介して支持部材１２に固着された単結晶ブロック
１３は、ワイヤソー切断機で切断されて複数のシリコン
ウェーハ１４の一部を連結して形成されている。各シリ
コンウェーハ１４の間にはワイヤソーによる所定の間隙
が形成されている。この単結晶ブロック１３が投入乃至
装入される洗浄液槽１６は、上面が開口した矩形の匡体
であって、例えば塩化ビニール・ＳＵＳなどで形成され
ている。洗浄液槽１６の底壁１６Ａおよび側壁１６Ｂに
はそれぞれ第１および第２の超音波印加機構１７，１８
が固設されている。これらの超音波印加機構１７，１８
はそれぞれ、異なる周波数、例えば低周波数の超音波
（５〜３０ｋＨｚ）と、高周波数の超音波（１００〜８
００ｋＨｚ）とを洗浄液に対して印加するものである。
１１を介して支持部材１２に固着された単結晶ブロック
１３は、ワイヤソー切断機で切断されて複数のシリコン
ウェーハ１４の一部を連結して形成されている。各シリ
コンウェーハ１４の間にはワイヤソーによる所定の間隙
が形成されている。この単結晶ブロック１３が投入乃至
装入される洗浄液槽１６は、上面が開口した矩形の匡体
であって、例えば塩化ビニール・ＳＵＳなどで形成され
ている。洗浄液槽１６の底壁１６Ａおよび側壁１６Ｂに
はそれぞれ第１および第２の超音波印加機構１７，１８
が固設されている。これらの超音波印加機構１７，１８
はそれぞれ、異なる周波数、例えば低周波数の超音波
（５〜３０ｋＨｚ）と、高周波数の超音波（１００〜８
００ｋＨｚ）とを洗浄液に対して印加するものである。
【００１３】また、図示していないが、揺動機構によ
り、この単結晶ブロック１３は吊り下げられて洗浄液槽
１６内に投入され、さらに洗浄液中で上下動自在に設け
られている。この揺動機構による上下動の距離は例えば
１００〜２００ｍｍとする。なお、洗浄液としては、例
えば界面活性剤と水を含む有機溶媒系の洗浄剤が用いら
れる。界面活性剤としては、花王（株）の「クリンスル
ー（商品名）」を用いることができる。また、この洗浄
液槽１６に隣接してすすぎ槽１９，２０を配設してあ
る。これらのすすぎ槽１９，２０には純水を注入してあ
るものとする。
り、この単結晶ブロック１３は吊り下げられて洗浄液槽
１６内に投入され、さらに洗浄液中で上下動自在に設け
られている。この揺動機構による上下動の距離は例えば
１００〜２００ｍｍとする。なお、洗浄液としては、例
えば界面活性剤と水を含む有機溶媒系の洗浄剤が用いら
れる。界面活性剤としては、花王（株）の「クリンスル
ー（商品名）」を用いることができる。また、この洗浄
液槽１６に隣接してすすぎ槽１９，２０を配設してあ
る。これらのすすぎ槽１９，２０には純水を注入してあ
るものとする。
【００１４】したがって、揺動機構により、ワイヤソー
切断された単結晶ブロック１３は、洗浄液槽１６に投入
される。この洗浄液中で単結晶ブロック１３は例えば１
００ｍｍの高さだけ上下動させられる。また、超音波印
加機構１７，１８により、シリコンウェーハ１４の表裏
面に対して平行な方向でかつ互いに直交する方向に低周
波数の超音波と高周波数の超音波とが同時に印加され
る。この結果、単結晶ブロック１３の各ウェーハ１４表
裏面から油・砥粒が脱離・除去される。同時に、これら
のウェーハ１４間の間隙に対して洗浄液が出入して、脱
離させた成分などを効率よく排除し、また、その再吸着
を防ぐことができる。
切断された単結晶ブロック１３は、洗浄液槽１６に投入
される。この洗浄液中で単結晶ブロック１３は例えば１
００ｍｍの高さだけ上下動させられる。また、超音波印
加機構１７，１８により、シリコンウェーハ１４の表裏
面に対して平行な方向でかつ互いに直交する方向に低周
波数の超音波と高周波数の超音波とが同時に印加され
る。この結果、単結晶ブロック１３の各ウェーハ１４表
裏面から油・砥粒が脱離・除去される。同時に、これら
のウェーハ１４間の間隙に対して洗浄液が出入して、脱
離させた成分などを効率よく排除し、また、その再吸着
を防ぐことができる。
【００１５】次の表１には印加した超音波の周波数と印
加洗浄後にシリコンウェーハ表裏面に残存する汚れ成分
との関係を示している。この表１に示すように、低周波
数の超音波の印加は、油成分の除去に好適である。ま
た、高周波数の超音波の印加は砥粒成分の除去に有効で
ある。
加洗浄後にシリコンウェーハ表裏面に残存する汚れ成分
との関係を示している。この表１に示すように、低周波
数の超音波の印加は、油成分の除去に好適である。ま
た、高周波数の超音波の印加は砥粒成分の除去に有効で
ある。
【００１６】
【表１】
【００１７】次の表２には揺動機構による単結晶ブロッ
ク１３の揺動距離と洗浄後の汚れとの関係を示してい
る。この表２に明らかなように、シリコンウェーハの径
の１／４以上の揺動距離であれば充分に洗浄後の汚れを
除去することができる。なお、表中の揺動距離はシリコ
ンウェーハの径に対して表示してある。また、印加した
超音波は２８ｋＨｚと２００ｋＨｚである。洗浄液は上
記界面活性剤、有機溶媒を含むものとする。
ク１３の揺動距離と洗浄後の汚れとの関係を示してい
る。この表２に明らかなように、シリコンウェーハの径
の１／４以上の揺動距離であれば充分に洗浄後の汚れを
除去することができる。なお、表中の揺動距離はシリコ
ンウェーハの径に対して表示してある。また、印加した
超音波は２８ｋＨｚと２００ｋＨｚである。洗浄液は上
記界面活性剤、有機溶媒を含むものとする。
【００１８】
【表２】 なお、表中の○は汚れが完全に除去された状態、×は除
去が不十分の状態、△はそれらの中間の状態をそれぞれ
示している。また、揺動距離とはウェーハの径に対する
割合であって、表中の1/4とは、ウェーハ径が８インチ
の場合その揺動距離が２インチであることを示してい
る。
去が不十分の状態、△はそれらの中間の状態をそれぞれ
示している。また、揺動距離とはウェーハの径に対する
割合であって、表中の1/4とは、ウェーハ径が８インチ
の場合その揺動距離が２インチであることを示してい
る。
【００１９】次に、表３には上記結果を整理して示して
いる。すなわち、高周波数の超音波と、低周波数の超音
波とを組み合わせることにより、ワイヤソー切断でシリ
コンウェーハ表裏面に残存する汚れの主成分である油と
砥粒とを完全に除去することができることを示してい
る。
いる。すなわち、高周波数の超音波と、低周波数の超音
波とを組み合わせることにより、ワイヤソー切断でシリ
コンウェーハ表裏面に残存する汚れの主成分である油と
砥粒とを完全に除去することができることを示してい
る。
【００２０】
【表３】
【００２１】
【発明の効果】この発明によれば、ワイヤソー切断後の
汚れを短時間に効率よく除去することができる。例え
ば、従来の枚葉化後のカセット洗浄に比較すると約１／
２程度の時間で同一の表面洗浄度を得ることができた。
したがって、この発明に係る洗浄方法によれば、以後の
プロセスでのウェーハの処理をスムーズに行うことがで
きる。
汚れを短時間に効率よく除去することができる。例え
ば、従来の枚葉化後のカセット洗浄に比較すると約１／
２程度の時間で同一の表面洗浄度を得ることができた。
したがって、この発明に係る洗浄方法によれば、以後の
プロセスでのウェーハの処理をスムーズに行うことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係る単結晶ブロックの洗
浄装置を示す模式図である。
浄装置を示す模式図である。
【図２】この発明の一実施例に係る単結晶ブロックの洗
浄装置を示す模式図である。
浄装置を示す模式図である。
【図３】この発明の一実施例に係る単結晶ブロックの洗
浄方法を説明するための模式図である。
浄方法を説明するための模式図である。
１３ 単結晶ブロック、 １４ シリコンウェーハ、 １６ 洗浄液槽、 １６Ａ 洗浄液槽の底壁、 １６Ｂ 洗浄液槽の側壁、 １７ 第１の超音波印加機構、 １８ 第２の超音波印加機構。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 芳樹 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三菱マテリアルシリコン株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B08B 3/12 B23Q 11/00
Claims (3)
- 【請求項１】 ワイヤソーで切断された単結晶ブロック
の洗浄方法であって、 この単結晶ブロックを洗浄液中に投入し、この単結晶ブ
ロックの軸線と直交する方向で異なる２方向から低周波
数の超音波と高周波数の超音波とを印加した単結晶ブロ
ックの洗浄方法。 - 【請求項２】 上記単結晶ブロックを洗浄液中で上下方
向に揺動させながら超音波を印加する請求項１に記載の
単結晶ブロックの洗浄方法。 - 【請求項３】 単結晶ブロックを投入可能な洗浄液槽
と、 洗浄液槽の底壁に設けられ、洗浄液に超音波を印加する
第１の超音波印加機構と、 洗浄液槽の側壁に設けられ、上記超音波とは異なる周波
数の超音波を洗浄液に印加する第２の超音波印加機構
と、 洗浄液槽内で単結晶ブロックを上下動させる揺動機構と
を備えた単結晶ブロックの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26639195A JP3307810B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 単結晶ブロックの洗浄方法およびその洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26639195A JP3307810B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 単結晶ブロックの洗浄方法およびその洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0975874A JPH0975874A (ja) | 1997-03-25 |
| JP3307810B2 true JP3307810B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17430290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26639195A Expired - Fee Related JP3307810B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 単結晶ブロックの洗浄方法およびその洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307810B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3335833B2 (ja) * | 1996-02-07 | 2002-10-21 | アルプス電気株式会社 | 洗浄方法および洗浄装置 |
| US6119708A (en) * | 1998-11-11 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
| JP2012066218A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Honda Electronic Co Ltd | 超音波発生装置 |
| WO2014085656A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Memc Singapore Pte, Ltd. | Wafer cleaning apparatus and methods |
| JP2015028971A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法 |
| CN107884104A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-04-06 | 吉林大学 | 一种超声波振动碎岩有效功的测试装置及方法 |
-
1995
- 1995-09-19 JP JP26639195A patent/JP3307810B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0975874A (ja) | 1997-03-25 |
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|---|---|---|---|
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