JP3307032B2 - 静電センサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、共振方式により静電容
量を検出する静電センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】静電容量を検出する方式としてはいくつ
かの方式が知られているが、そのうち共振方式と呼ばれ
るものは、感度が高いという利点を有している。図３
（ａ）には共振方式に則り構成された静電センサの回路
構成が、図３（ｂ）にはこの回路における共振周波数の
設定が、それぞれ示されている。

【０００３】図３（ａ）に示される回路は、発振回路
１、共振回路２、検出部３、検波部４及び増幅回路５を
有している。発振回路１は図３（ｂ）においてｆ１で示
される周波数で発振する。共振回路２は、図３（ｂ）に
おいてｆ０で示される周波数で共振する。すなわち、共
振回路２の共振周波数ｆ０は発振回路１の発振周波数ｆ
１からわずかにずれた周波数に設定されている。ただ
し、この図では周波数ｆ１が周波数ｆ０より低い（バッ
クポーチ）が、これは逆に周波数ｆ１を周波数ｆ０より
高くしても構わない（アップポーチ）。

【０００４】検出部３は、検出対象たる静電容量の変化
を検出する。この変化は、共振回路２の共振周波数を変
化させる。例えば共振周波数がｆ０からｆ０１に変化す
ると、すなわち静電容量の変化により共振周波数がΔｆ
だけ低くなると、共振回路２の出力電圧はＶ０からＶ０
＋ΔＶに変化する。このように静電容量の変化により振
幅変調された信号は検波部４により検波され、さらに増
幅回路５により増幅された上で検出結果として出力され
る。

【０００５】本願出願人は、このような方式をより改良
した静電センサを提案している（特開平３−７１０５４
号参照）。図４には、それぞれ、この公報にて実施例と
して開示されている静電センサの全体構成及びそのＣ−
Ｌ変換回路の構成が示されている。以下、その概要につ
いて説明するが、詳細は、当該公報の第３５２頁右下欄
第６行〜第３５６頁左下欄第１６行を参照されたい。

【０００６】この先提案に係る静電センサは、発振回路
１、共振回路２、検出部３、検波部４、増幅回路５、高
インピーダンス変換回路６、Ｃ−Ｌ変換回路７及びＡＦ
Ｃ回路８を備えている。

【０００７】発振回路１は、数百ＭＨｚ以上（例えば１
ＧＨｚ近傍）の周波数を共振周波数とする誘電体共振器
Ｒｅｓ１を有している。誘電体共振器Ｒｅｓ１の共振周
波数は例えば図３（ｂ）中の周波数ｆ１に設定されてい
る。誘電体共振器Ｒｅｓ１は発振用トランジスタＴｒ１
のベースに接続されており、従って発振回路１のタンク
回路として機能する。発振用トランジスタＴｒ１のエミ
ッタからは、周波数ｆ１の高周波信号が発振出力され
る。発振した高周波信号は、高インピーダンス変換回路
６を介して共振回路２に供給される。

【０００８】この高インピーダンス変換回路６は、発振
回路１のインピーダンスと共振回路２のインピーダンス
の相違による不具合を避けかつ共振回路２の共振条件の
変化が発振回路１に及ぶのを排除するための回路であ
る。すなわち、誘電体共振器Ｒｅｓ２に発振回路１を直
接接続すると、発振回路１のインピーダンスが誘電体共
振器Ｒｅｓ２の動作点でのインピーダンスより低いた
め、誘電体共振器Ｒｅｓ２のＱと反射による損失、反射
によって生じる見掛上の抵抗分の増加によるＱの低下等
が生じ、特性が低下する。高インピーダンス変換回路６
は、これを防いでいる。

【０００９】共振回路２は、数百ＭＨｚ以上（例えば１
ＧＨｚ近傍）の周波数を共振周波数とする誘電体共振器
Ｒｅｓ２を有している。高インピーダンス変換回路６を
介して発振回路１から供給される信号は、この誘電体共
振器Ｒｅｓ２に印加される。誘電体共振器Ｒｅｓ２の共
振周波数は例えば図３（ｂ）中の周波数ｆ０に設定され
ている。誘電体共振器Ｒｅｓ２には、Ｃ−Ｌ変換回路７
を介して検出部３が接続されている。検出部３には、被
検出体との静電容量の変化を検出するため、板、イオン
電極、絶縁被覆電極、熱遮断電極等の電極（図中のスタ
イラス）が接続されている。被検出体とスタイラスの間
の静電容量が変化すると、検出部３からはこの変化に応
じて生成する低周波信号が出力される。共振回路２に
は、Ｃ−Ｌ変換回路７を介してこの低周波信号が供給さ
れる。すると、この低周波信号によって共振回路２に新
たな回路要素が付加されたのと同様の効果が生じ、その
共振周波数がｆ０から例えばｆ０１へと変化する。する
と、図３（ｂ）に示されるような原理で高周波信号（発
振回路１からの信号）が振幅変調される。変調周波数は
静電容量の変化の周波数であり、例えば５０ｋＨｚ以下
の周波数である。

【００１０】Ｃ−Ｌ変換回路７は、例えばトランジスタ
ジャイレータとして構成される。このジャイレータによ
り、誘電体共振器Ｒｅｓ２側から見た被検出体側のイン
ピーダンスが、容量性から誘導性に変換される。このよ
うな変換を行うのは、被検出体の静止状態のインピーダ
ンスが共振回路２の動作に影響を与えないようにするた
めである。

【００１１】共振回路２において振幅変調された高周波
信号は、検波部４によって包絡線検波される。検波によ
り得られる信号は例えば数ｍＶ程度の微小信号であるの
で、増幅回路５によって増幅された上で出力される。ま
た、ＡＦＣ回路８は、増幅された信号に基づき共振回路
２に周波数のフィードバックを加える（自動周波数制
御：ＡＦＣ）。ＡＦＣ回路８においては、その積分回路
８１により増幅回路５の出力が積分され、さらに積分結
果（ＡＦＣ信号）がバラクタダイオードＢＤに印加され
る。バラクタダイオードＢＤはコンデンサＣ１を介して
誘電体共振器Ｒｅｓ２に接続されているから、上記積分
結果に応じて異なる値の静電容量が誘電体共振器Ｒｅｓ
２に付加され、共振回路２の共振周波数ｆ０が変化す
る。従って、発振用トランジスタＴｒ１の温度特性等に
起因して発振周波数ｆ１が変動したとしても、この影響
を共振周波数ｆ０の制御によって低減することができ
る。

【００１２】このように、図４に示される本願出願人の
先提案の構成は、共振方式に則り構成されているため、
発振方式、スイッチキャパシタンス方式、ダイオードブ
リッジ方式等の静電センサ方式に比べ、静電容量変化の
検出感度が高い。また、共振回路２、特に誘電体共振器
Ｒｅｓ２の周辺にインピーダンスやＱに関する各種変換
回路（高インピーダンス変換回路６及びＣ−Ｌ変換回路
７の他、検波部４入力段のＬＣ回路を含む）を設ける等
の改良を加えているため、誘電体共振器Ｒｅｓ２の特徴
たるＱ等をより生かすことができる。さらには、ＡＦＣ
回路８を設けているため周波数の不安定性を抑制でき
る。このような改良は、誘電体共振器Ｒｅｓ２を検出に
用いる静電センサの用途を広げるものであり、例えば、
ＡＴＭ、自動改札装置、製紙機械、パルプ製造機械、木
工機械、食品製造機械、ロボット、情報機器、加速度計
測機器、振動計測機器、マイクロマシン変位検出機器等
に適用範囲が広がる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先提案
におけるＡＦＣ回路は、共振回路の出力を検波して得ら
れる信号に基づきＡＦＣ信号を生成し、共振回路に対し
自動周波数制御（ＡＦＣ）を加えている。従って、この
ＡＦＣ信号は、被検出体との間の静電容量の変化に起因
した共振回路出力の変動、すなわち振幅変調分を含んで
いる。また、このＡＦＣ回路により生成されるＡＦＣ信
号は直流信号又は直流に近い非常に低周波の交流信号で
ある。従って、検出部によって生成される低周波信号の
周波数が非常に低い場合、例えば直流〜１０Ｈｚである
場合においては、静電容量の変化の検出が非常に困難に
なる。これは、被検出体が真に静止しているか否か（静
電容量が変化していないか否か）を検出しようとする場
合（いわゆるＤＣ検出）、特に問題となる。加えて、バ
ラクタダイオードのＱや非線形歪の影響も無視できな
い。また、共振方式において、発振回路中の共振回路と
検出用の共振回路がストリップラインで構成されている
場合には、装置全体が大型となる。従って、静電センサ
として使用するときには用途が限定される。

【００１４】本発明は、このような問題点を解決するこ
とを課題としてなされたものであり、検出部によって生
成される低周波信号の周波数が非常に低い場合であって
も静電容量の変化を好適に検出できる静電センサを提供
することを目的とする。また、バラクタダイオードを用
いることなくＡＦＣを加えることができる静電センサを
提供することを目的とする。加えて、高周波信号の自動
利得制御（ＡＧＣ）を好適に実行でき発振利得を安定化
できる静電センサを提供することを目的とする。さらに
は、このような静電センサを構成するのに適する発振回
路を提供することを目的とする。そして、その内部の回
路機能によって高周波信号の発振周波数の変動を低減で
きる発振回路を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の静電センサは、発振回路が、所定の
周波数で共振する発振用誘電体共振器と、そのベース側
に接続された発振用誘電体共振器の共振周波数により定
まる周波数の高周波信号をそのエミッタから発振出力す
る発振用トランジスタと、発振用トランジスタのエミッ
タ側に接続された制御用トランジスタと、を有し、静電
センサが、さらに、高周波信号の発振出力に基づき制御
信号を発生させ制御用トランジスタのベースにこの制御
信号を印加して上記高周波信号の発振出力を制御する手
段を備えることを特徴とする。

【００１６】また、本発明の静電センサは、上記制御す
る手段が、高周波信号の発振出力を検波し制御用トラン
ジスタのベースに利得制御信号として供給するＡＧＣル
ープと、共振回路の出力を検波し制御用トランジスタの
ベースに周波数制御信号として供給するＡＦＣループ
と、を含むことを特徴とする。

【００１７】

【作用】本発明においては、発振用トランジスタのエミ
ッタ側に接続された制御用トランジスタにより、発振用
トランジスタのエミッタからの高周波信号の発振出力が
制御される。すなわち、制御用トランジスタのベースに
は、ＡＦＣ、ＡＧＣ等に係る制御信号が供給され、この
制御信号に応じて発振用トランジスタのエミッタ出力が
変化する。これにより、発振用トランジスタの負性抵抗
を発振レベルの変化に応じて変化させることができるた
め、発振出力の安定化が可能になる。また、この回路構
成においては、発振用トランジスタと制御用トランジス
タが直列接続されているため、両トランジスタの温度特
性を相互に補償させることが可能になり、発振用トラン
ジスタの温度特性等に起因した発振周波数変動が低減さ
れ、この面からも発振出力が安定化する。

【００１８】また、この発振回路において発振した高周
波信号を検出用誘電体共振器を備える共振回路に供給
し、その一方で検出部から出力され静電容量の変化を示
す低周波信号を共振回路に供給して高周波信号に振幅変
調を施し、振幅変調された高周波信号を検波することに
より、当該静電容量の変化を検波出力として検出するこ
とができる。その際、上述の発振回路の制御用トランジ
スタを用いることにより、ＡＦＣ及びＡＧＣを実行する
ことができる。すなわち、ＡＧＣループ及びＡＦＣルー
プを設け、これらにより高周波信号を検波し制御用トラ
ンジスタのベースに利得制御信号又は周波数制御信号と
して供給することにより、発振回路の発振利得及び発振
周波数を制御できる。

【００１９】これらの制御は、制御用トランジスタに対
して行われる制御であり、共振回路を構成する検出用誘
電体共振器に対して行われる制御ではないから、先提案
において共振周波数を変化させるために用いていたバラ
クタダイオードが不要になる。その結果、バラクタダイ
オードのＱや非線形歪の影響が生じなくなる。

【００２０】さらには、ＡＧＣループを設けることによ
り高周波信号の発振出力レベルが安定化するため、ま
た、上述のように発振用トランジスタと制御用トランジ
スタの直列接続によりそれらの温度特性が相互に補償さ
れるため、ＡＦＣループのゲインをＡＧＣループのゲイ
ンに比べて十分小さくすることが可能になる。従って、
ＡＦＣループにおいて共振回路から出力される振幅変調
後の高周波信号を検波対象としても、これによって静電
容量の変化の検出に大きな影響が生じることはない。そ
の結果、検出部によって生成される低周波信号の周波数
が非常に低い場合であっても静電容量の変化を好適に検
出可能になる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面に
基づき説明する。なお、図４に示される先提案の回路と
同様の構成には同一の符号を付し説明を省略する。

【００２２】図１には、本発明の一実施例に係る静電セ
ンサの要部構成が示されている。この実施例は、図２に
示される構成を有する発振回路９を有している。発振回
路９の後段には、発振回路９において発振した高周波信
号を緩衝増幅する緩衝増幅回路１０が設けられている。
緩衝増幅回路１０は、発振回路９と共振回路２の間のイ
ンピーダンス変換を行う。共振回路２は前述の誘電体共
振器Ｒｅｓ２を有しており、フィルタ回路１１を介して
検出部３、ひいてはスタイラスに接続されている。フィ
ルタ回路１１は、共振回路２から検出部３への高周波信
号の伝達を遮断すると共に、検出部３からの低周波信号
を損失なく共振回路２に供給する回路であり、例えばそ
の共振周波数が発振周波数ｆ１より十分低く低周波信号
の周波数より十分高い低域通過型の定Ｋ型フィルタと、
発振周波数ｆ１及び共振周波数ｆ０の近傍で誘導性回路
として機能する誘導Ｍ型フィルタと、から構成される。
その詳細については、本願出願人による特願平５−２９
３３８６号を参照されたい。共振回路２の後段には、カ
ップリングコンデンサＣ２を介して検波部４が接続され
ており、検波部４の後段には増幅回路５が接続されてい
る。増幅回路５からは、静電容量の変化を示す信号が、
増幅されて出力される。

【００２３】この実施例においては、発振回路９の発振
レベル（利得）を制御するためにＡＧＣループ１２が、
発振周波数を制御するためにＡＦＣループ１３が、それ
ぞれ設けられている。すなわち、先提案の構成と異なり
共振回路２ではなく発振回路９に対しＡＦＣが施されて
おり、またＡＧＣ機能がさらに追加されている。

【００２４】ＡＧＣループ１２は、検波部１４及びＡＧ
Ｃ回路１５から構成されている。検波部１４は緩衝増幅
回路１０を介して高周波信号の発振出力を入力し、これ
を包絡線検波する。検波により得られた信号は、後述す
るように図２に示される構成を有するＡＧＣ回路１５に
供給される。ＡＧＣ回路の出力は発振回路９に供給さ
れ、発振回路９からの発振レベルを制御する。この制
御、すなわちＡＧＣは、共振回路２における振幅変動動
作には依存しない。

【００２５】また、ＡＦＣループ１３は、検波部１６及
びＡＦＣ回路１７から構成されている。検波部１６は共
振回路２の出力をカップリングコンデンサＣ３を介して
入力し、これを包絡線検波する。検波部１６と上述の検
波部１４は同一特性の整流回路として構成するのが好ま
しい。検波により得られた信号は、後述するように図２
に示される構成を有するＡＦＣ回路１７に供給される。
ＡＦＣ回路の出力は発振回路９に供給され、発振回路９
の発振周波数を制御する。

【００２６】図２には、発振回路９の構成が示されてい
る。この図に示されるように、発振回路９は、タンク回
路として先提案と同様の誘電体共振器Ｒｅｓ１を有して
いる。誘電体共振器Ｒｅｓ１には可変コンデンサＣ４が
並列接続されている。誘電体共振器Ｒｅｓ１は、コンデ
ンサＣ５を介してトランジスタＴｒ１のベースに接続さ
れている。このトランジスタＴｒ１は、発振回路９の発
振用トランジスタであり、２個の抵抗Ｒ１及びＲ２によ
りバイアスされている。トランジスタＴｒ１のエミッタ
からは発振出力たる高周波信号が出力され、後段の緩衝
増幅回路１０に供給される。また、この発振出力は、カ
ップリングコンデンサＣ６によりトランジスタＴｒ１の
ベースに正帰還されている。

【００２７】この実施例の最大の特徴は、トランジスタ
Ｔｒ１のエミッタ側にトランジスタＴｒ２を直列接続
し、このトランジスタＴｒ２により発振出力を制御する
ようにした点にある。すなわち、トランジスタＴｒ１の
エミッタには抵抗Ｒ３を介してトランジスタＴｒ２のエ
ミッタが接続されており、これら抵抗Ｒ３及びトランジ
スタＴｒ２がトランジスタＴｒ１の負荷として機能して
いる。このトランジスタＴｒ２のベースには、ＡＧＣ回
路１５及び／又はＡＦＣ回路１７から制御信号が供給さ
れている。

【００２８】トランジスタＴｒ１及び誘電体共振器Ｒｅ
ｓ１による発振が持続するためには、誘電体共振器Ｒｅ
ｓ１の損失抵抗に対しトランジスタＴｒ１の負性抵抗が
大きくなくてはならない。従って、発振を持続するため
には、コンデンサＣ６の容量値及びトランジスタＴｒ１
の電流値を適当な値に設定する必要がある。安定な発振
を得るためには、正帰還に係るループゲインを３以上に
する。トランジスタＴｒ１の電流値は、そのベースバイ
アスの設定（従って抵抗Ｒ１及びＲ２の設定）とトラン
ジスタＴｒ２の電流利得の設定（従って次に述べる抵抗
Ｒ４及びＲ５の設定）により設定できる。

【００２９】ＡＧＣ回路１５及びＡＦＣ回路１７は、共
に、図２に示されるような構成とすることができる。こ
れらの回路は、積分回路１８、非線形ダイオードＤｒ、
抵抗Ｒ４及びＲ５から構成されている。検波部１４又は
１６の検波出力は、積分回路１８により積分された上
で、非線形ダイオードＤｒのアノードに印加される。非
線形ダイオードＤｒのカソードは抵抗Ｒ５を介して接地
される一方で抵抗Ｒ４を介してトランジスタＴｒ２のベ
ースに接続されている。従って、例えばトランジスタＴ
ｒ１の発振出力レベルが増加すると、これに応じて検波
部１４の検波出力、ひいては積分回路１８の積分出力が
増加し、その結果トランジスタＴｒ１のエミッタ負荷が
小さくなり、その結果トランジスタＴｒ１の発振出力レ
ベルが低下する。

【００３０】従って、本実施例によれば、ＡＦＣ及びＡ
ＧＣを共に施すことができ、発振回路９の発振レベル及
び発振周波数を発振用のトランジスタＴｒ１の温度特性
等にかかわらず安定なものとすることができる。すなわ
ち、制御用のトランジスタＴｒ２を設けこれをトランジ
スタＴｒ１のエミッタ回路として使用しているため、高
周波信号の検波積分値によるフィードバックで発振レベ
ル及び発振周波数を制御できる。

【００３１】また、本実施例によれば、トランジスタＴ
ｒ１とトランジスタＴｒ２が直列接続されているため、
これらのトランジスタＴｒ１及びＴｒ２が一種の分圧回
路を構成し、相互の温度特性が補償される。従って、ト
ランジスタＴｒ１の温度特性等に起因した発振周波数変
動を低減できる。

【００３２】この周波数安定化機能が実現される一方
で、本実施例においては、ＡＧＣループ１２を設けるこ
とにより高周波信号の発振出力レベルが安定化される。
従って、ＡＦＣループ１３のゲインをＡＧＣループ１２
のゲインに比べて十分小さくすることができる。その結
果、ＡＦＣループ１３において共振回路２の出力を検波
対象としているにもかかわらず、これによって静電容量
の変化の検出に大きな影響が生じることはなくなる。こ
れは、検出部３によって生成される低周波信号の周波数
が非常に低い場合であっても、例えば１０Ｈｚ以下の周
波数であっても、静電容量の変化を好適に検出できるこ
とを意味している。一方で、本実施例においてはフィル
タ回路９が用いられており、高周波信号の干渉や感度低
下等を防ぐことができるから、１０^-2〜１０^-5ｐＦ程度
の微小な静電容量変化の検出に止まらず、いわゆるＤＣ
検出も可能になる。その結果、凍結状態の検出や、果実
の熟成度の検出等も可能になる。

【００３３】そして、本実施例によれば、ＡＦＣ及びＡ
ＧＣが共振回路２に対してではなくトランジスタＴｒ２
に対して行われているため、先提案において共振周波数
を変化させるために用いていたバラクタダイオードＢＤ
が不要になり、そのＱや非線形歪の影響が生じなくな
る。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発振用トランジスタのエミッタ側に接続された制御用ト
ランジスタにより発振出力を制御するようにしたため、
温度変化等に対応して、発振出力のレベル、周波数等を
安定化させることができる。また、発振用トランジスタ
と制御用トランジスタを直列接続しているため、両トラ
ンジスタの温度特性を相互に補償させることが可能にな
り、発振用トランジスタの温度特性等に起因した発振周
波数変動を低減できる。さらに、制御の対象となる素子
が検出用誘電体共振器ではなく制御用トランジスタであ
るため、バラクタダイオードが不要になりそのＱや非線
形歪の影響をなくすことができる。加えて、ＡＧＣルー
プを設けることにより高周波信号の発振出力レベルが安
定化しまた発振用トランジスタと制御用トランジスタの
直列接続によりそれらの温度特性を相互に補償している
ため、ＡＦＣループのゲインをＡＧＣループのゲインに
比べて十分小さくすることが可能になる。従って、ＡＦ
Ｃループの動作によって静電容量の変化の検出が困難に
なるといった事態は生じないので、検出部によって生成
される低周波信号の周波数が非常に低い場合であっても
静電容量の変化を好適に検出可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る静電センサの全体構成
を示すブロック図である。

【図２】この実施例の要部構成を示す回路である。

【図３】共振方式に係る静電センサの構成及び原理を示
す図であり、図３（ａ）は回路構成を示すブロック図、
図３（ｂ）は共振周波数の設定内容を示す図である。

【図４】本願出願人が先に提案した静電センサの構成を
示す回路図である。

【符号の説明】

２ 共振回路 ３ 検出部 ４，１４，１６ 検波部 ５ 増幅回路 ９ 発振回路 １０ 緩衝増幅回路 １１ フィルタ回路 １２ ＡＧＣループ １３ ＡＦＣループ １５ ＡＧＣ回路 １７ ＡＦＣ回路 Ｒｅｓ１，Ｒｅｓ２ 誘電体共振器 Ｔｒ１，Ｔｒ２ トランジスタ Ｃ１〜Ｃ６ コンデンサ Ｒ１〜Ｒ５ 抵抗 Ｄｒ 非線形ダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03K 17/955 G01N 27/22 H03B 5/18

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定周波数の高周波信号を発振出力する
   発振回路と、被検出体との間の静電容量の変化を示す低
   周波信号を生成する検出部と、その共振周波数が高周波
   信号の発振周波数とわずかに異なる検出用誘電体共振器
   を含み発振回路から供給される高周波信号を検出部から
   供給される低周波信号により振幅変調して出力する共振
   回路と、共振回路の出力を検波することにより上記静電
   容量の変化を示す信号を生成する検波部と、を備える静
   電センサにおいて、 上記発振回路が、 所定の周波数で共振する発振用誘電体
   共振器と、そのベース側に接続された発振用誘電体共振
   器の共振周波数により定まる周波数の高周波信号をその
   エミッタから発振出力する発振用トランジスタと、発振
   用トランジスタのエミッタ側に接続された制御用トラン
   ジスタと、を有し、 静電センサが、さらに、高周波信号の発振出力に基づき制御信号を発生させ制御
   用トランジスタのベースにこの制御信号を印加して上記
   高周波信号の発振出力を制御する手段 を備えることを特
   徴とする静電センサ。
2. 【請求項２】 請求項１記載の静電センサにおいて、 上記制御する手段が、 高周波信号の発振出力を検波し制御用トランジスタのベ
   ースに利得制御信号として供給するＡＧＣループと、 共振回路の出力を検波し制御用トランジスタのベースに
   周波数制御信号として供給するＡＦＣループと、 を含むことを特徴とする静電センサ。