JP3301376B2 - 同調可能光信号源およびその光信号波長を制御する方法 - Google Patents
同調可能光信号源およびその光信号波長を制御する方法Info
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Description
よび他の同調可能な光信号源に係り、特に、同調可能な
光信号源により生成される光信号の波長を安定化するた
めの技術に関する。
化に対する主な障害は、長時間の波長安定性である。多
くの同調可能レーザにおいて、出力波長は、プラズマ効
果により屈折率を変化させるために、同調区分に電流を
注入することにより制御される。例えば、利得区分およ
び同調区分を有する典型的な2区分分布ブラッグ反射器
(DBR)レーザにおいて、出力波長は、以下の式に従
って、同調区分のブラッグ波長λB を変化させることに
より調節される。
同調区分中の回折格子の回折格子ピッチである。したが
って、出力波長は、屈折率の関数であり、屈折率は、同
調区分の活性半導体層中のキャリア密度に比例する。
与えられる同調電流が実質的に一定である「セットアン
ドフォーゲット(set-and-forget)」モードにおいてレ
ーザを動作させることが望ましい。しかし、電流同調レ
ーザが一定電流バイアス状態下で長時間おかれると、非
放射欠陥の核が生じることまたは活性層の周りでの漏れ
が増加することのような要因により、キャリア密度が減
少し、波長がドリフトする傾向にある。
あり、レーザに大きな離散モードホップを受けさせる可
能性さえある。DBRレーザの波長安定化問題に関する
更なる詳細は、例えば、S.L. Woodward 等による "The
Effects of Aging on the Bragg Section of a DBR las
er," IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 5,No.
7, pp. 750-752, July 1993 に示されている。
問題を解決するための従来のアプローチは、正確なフィ
ルタを使用してレージング波長を監視することが必要で
ある。
T. Coroy 等による "Active Wavelength Measurement S
ystem Using an InGaAs-InP Quantum-Well Electroabso
rption Filtering Detector," IEEE Photonics Technol
ogy Letters, Vol. 8, No. 12, pp. 1686-1688, Decemb
er 1996 、 M. Teshimaおよび M. Koga による "100-G
Hz-Spaced 8-Channel Frequency Control of DBR Laser
s for Virtual Wavelength Path Cross-Connect Syste
m," IEEE Photonics Technology Letters, Vol.8, No.
12, pp. 1701-1703, December 1996 、および C.R. Gil
es および T.L.Koch による "Method for Setting the
Absolute Frequency of a Tunable, 1.5μm Two-Sectio
n DBR Laser," IEEE Photonics Technology Letters, V
ol. 2,No. 1, pp. 63-65, January 1990 に示されてい
る。
高価であり、多くの実用的な適用例において、具現化す
ることが困難である。また、必要とされるフィルタは、
単一チップ上に半導体レーザとともに集積することにし
ばしば不適切である。
ard 等による "A Control Loop Which Ensures High Si
de-Mode-Suppression Ratio in a Tunable DBR Laser,"
IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 4, No. 5,
pp. 417-419, May 1992 に示されている。この技術
は、同調区分を通過するレーザ光の測定に基づいて、D
BRレーザの同調区分に与えられる電流を調節するため
のフィードバック制御ループを使用する。
出され、制御ループは、レーザ光の出力波長がブラッグ
バンドの中心に常にあるように、同調電流を調節する。
この制御ループは、エージングの影響にもかかわらずD
BRレーザが単一モード動作のままであることを保障す
る。しかし、この技術は、同調可能DBRレーザ設計の
狭い範囲でのみ動作可能であり、ブラッグバンドの中心
以外の波長において動作すべき同調可能レーザとともに
使用することに、一般に適していない。
プローチが有していたコスト、複雑さおよび他の問題を
除去する同調可能半導体レーザにおいて波長を安定化す
るための改良された技術を得る必要がある。
体レーザまたは他の光信号源における波長安定化のため
の方法および装置を提供する。一般に、本発明は、同調
可能レーザの同調区分からの自発放出(SE)を検出す
ること、および同調区分に電流を提供するフィードバッ
ク制御ループを駆動するために、検出されたSEを使用
することを含む。
少なくとも1つの同調区分を含む波長制御同調可能光信
号源が提供される。検出器は、光信号源の同調区分から
のSEを検出するために使用される。検出器は、利得区
分および同調区分とともに単一チップに集積可能であ
り、または同調区分の側面からのSEを検出するよう
に、チップに隣接して配置されることも可能である。
以上の絶縁領域が、利得区分により生成されるSEから
および利得区分により拡散されるレーザ光から検出器を
分離するために、チップ上に形成され得る。他の実施形
態において、SEは、出力ファイバからの光信号パワー
の一部分を外部検出器に結合させることにより、検出さ
れ得る。出力ファイバからの結合は、光スプリッタ、波
長分割多重(WDM)カプラ、または他の適切な光信号
カプラを使用して具現化され得る。
力ファイバから結合されるレーザ光を除去するために、
検出器の前で使用され得る。内部または外部検出器から
検出されたSEは、光信号波長を制御するために、フィ
ードバック制御ループにおいて使用される。例えば、フ
ィードバック制御ループは、エージングのような影響に
よる活性層キャリア密度の減少にもかかわらず、出力レ
ーザ光波長が安定化されるように、検出された同調区分
SEを実質的に一定のレベルに維持するように動作する
ことができる。
分を有する同調可能な光源の出力波長は、対応する複数
のSE検出器およびフィードバック制御ループを使用し
て安定化され得る。例えば、複数区分DBRレーザは、
利得区分、DBR同調区分および位相同調区分を含むこ
とができる。DBR同調区分に関連づけられた第1の集
積または外部SE検出器は、DBR同調区分からのSE
を検出し、第1の電圧制御電流源の一方の入力を駆動す
る。
れたSEが、第1のレベルに維持されるように、DBR
同調区分に供給される電流の量を制御する。位相同調区
分に関連づけられた第2の集積または外部SE検出器
は、位相同調区分からのSEを検出し、第2の電圧制御
電流源の一方の入力を駆動する。第2の電流源は、位相
同調区分から検出されたSEが第2のレベルに維持され
るように、位相同調区分に供給される電流を制御する。
は、適切に配置されたエッチングされたまたはイオン注
入された絶縁領域により提供され得る。これは、DBR
同調区分SEのスペクトルが位相同調区分SEのスペク
トルと重複する適用例においても、DBR同調区分SE
と位相同調区分SEとの分離を可能にする。したがっ
て、本発明は、それぞれが、特定の同調区分から検出さ
れたSEに従って出力レーザ光波長を制御する複数のフ
ィードバック制御ループを使用することにより、複数の
同調区分を有する同調可能光信号源において具現化され
得る。
する従来の安定化技術よりも具現化が簡単でかつ安価な
波長安定化技術を提供する。例えば、本発明は、同調可
能半導体レーザとともに単一チップに集積することに適
した単数または複数のSE検出器を使用して具現化され
得る。本発明のこれらおよび他の特徴および利点は、図
面とともに以下の詳細な説明からさらに明らかとなる。
体レーザとの関連で説明する。しかし、本発明は、いず
れかの特定のタイプのレーザとともに使用することに限
定されず、波長が検出された自発放出(SE)のフィー
ドバック制御により安定化され得るいずれかの光源にも
より広く適用可能である。例えば、本発明は、利得区分
および単一の同調区分を有する単純な2区分分布ブラッ
グ反射器(DBR)同調可能レーザとともに使用するこ
とに適しており、同様に利得区分および2つのDBR同
調区分および1つの位相同調区分を有する4区分同調可
能上部構造回折格子DBRレーザのようなより複雑なデ
バイスとともに使用することにも適している。
に使用することもできる。「同調可能レーザ」という用
語は、出力波長が、同調区分電流注入または光信号源の
いずれか他の動作パラメータを変化させることにより同
調可能またはその他の調節が可能であるいずれのタイプ
の光信号源も含むことを意図している。「安定化」とい
う用語は、出力波長を特定の所定値に維持することだけ
でなく、時間、温度または他の動作条件について出力波
長に対する所望の多様なパターンを提供することを含む
他のタイプの波長制御も含むことを意図している。
プの雑音または活性層キャリア密度、従って出力波長に
比例するレーザまたは他の光源により放出される他の単
数または複数の信号も含むことが意図されている。「同
調区分」という用語は、DBR回折格子同調区分および
位相同調区分の両方を含み、同様に他のタイプの同調区
分も含むことが意図されている。「レーザ光」という用
語は、レーザまたは他の光源により生成される所望の一
次光信号を指すために使用される。
ザの同調区分からの自発放出(SE)を監視することに
より提供される。本発明は、DBRレーザまたは他のタ
イプの同調可能レーザの同調区分からのSEが、同調区
分の単数または複数の活性層中のキャリア密度にほぼ比
例するという事実に部分的に基づく。
E、従って活性層キャリア密度を所望のレベルに維持す
ることにより、出力波長を安定化させるフィードバック
制御ループにおいて、使用され得る。例えば、フィード
バック制御ループは、活性層キャリア密度、従って同調
区分の有効屈折率neff が一定のままであり、実質的に
一定波長を有する出力レーザ光を生じるように、検出さ
れたSE信号を所定の一定レベルに維持するために使用
され得る。
化された同調可能半導体レーザ10を示す。レーザ10
は、利得区分14および同調区分16を有する同調可能
DBRチップ12を含む。利得区分14は、利得電流I
gainにより駆動され、同調区分16は、同調電流Itune
により駆動される。光導波路18は、DBRチップ12
の利得区分14および同調区分16の上または中を通
る。同調区分16は、導波路18と交差する多数の平行
な垂直な線としてこの例において示されている回折格子
を含む。
合光出力Pout を有する出力光信号を生成する。DBR
チップ12は、2区分レーザであり、その出力波長は、
同調区分16に注入される電流Ituneの大きさおよびこ
れによる同調区分の屈折率neff を変化させることによ
り制御される。出力波長は、同調区分16中の回折格子
の隣接する回折格子エレメント間の距離に対応する回折
格子ピッチΛg の関数である。
SE検出器20を含む。検出器20は、利得区分14お
よび同調区分16とともにDBRチップ12に集積され
ている。検出器20は、同調区分16から放出されたS
Eの単数または複数の波長に対して感度がよく、図1に
おいて検出器20へ入る矢印で示されているSEを受信
するために、同調区分16に隣接して配置されている。
する検出されたSE電流信号Idetを生成する。検出さ
れたSE電流信号Idetは、フィードバックライン22
により、電圧制御電流源24の第1の入力へ供給され
る。電圧制御電流源24の第1の入力は、抵抗R1 によ
り接地電位に接続されている。電圧制御電流源24の第
2の入力は、可変抵抗Rset により電圧源Vccに接続
されており、抵抗R2 により接地電位に接続されてい
る。
の入力に表れる設定点電圧を変化させるために、変化さ
せられる。電圧制御電流源24は、活性層電流密度、お
よびこれによる有効屈折率neffおよび出力光電流波長
を制御するために、DBRチップ12の同調区分16に
供給される同調電流Ituneを上述した方法で生成する。
この実施形態における波長安定化されたレーザ10は、
集積化SE検出器20、フィードバックライン22およ
び電圧制御電流源24を含むフィードバック制御ループ
を含む。
SEが、電流源24の第2の入力における設定点電圧に
一致する電流源24の第1の入力における対応する電圧
を生成するように、同調電流Ituneを調節するように動
作する。この方法において、図1のフィードバック制御
ループは、実質的に一定の検出されたSEの量、および
実質的に一定な活性層キャリア密度、有効屈折率neff
および出力レーザ光波長を維持するように動作する。
Rチップ12の詳細を示す。図2Aは、チップ12がこ
の実施形態において、利得区分14を同調区分16から
分離する第1の電気的絶縁領域30、および同調区分1
6を集積化検出器20から分離する第2の電気的絶縁領
域32を含むように構成されたことを示す。絶縁領域3
0,32は、トレンチまたはイオン注入領域として具現
化することができ、集積化検出器20に入射する非SE
光および利得区分SE光の量を減少させるように設計さ
れている。
DBRチップ12の断面図を示す。DBRチップ12
が、この実施形態において、n型InPの基板40、多
数の実質的に真性のInGaAsP層からなる活性領域
41および43、およびp型InPの上側クラッド領域
42を含む多層構造であることがわかる。上側クラッド
領域42は、1つまたは2つ以上のInGaAsP層を
含むこともできる。
40および42から注入されるキャリアが、真性の活性
領域41および43に横方向に閉じ込められるように、
InPをドープされた複数の層により形成される多数の
電流素子領域44を含む。電気的絶縁領域32は、同調
区分16の電気的接点層16aと検出器20の電気的接
点層20aとの間に配置される。
2,43および44は、多数のポジティブ−真性−ネガ
ティブ(p−i−n)ダイオード構造を一般に形成す
る。領域42,41および40により形成され、同調区
分16と関連づけられたp−i−nダイオード構造は、
一般に、注入されたキャリアの最大の電気的閉じ込めお
よび利得区分14により生成されたレーザ光の光閉じ込
めを提供するように配置される。
れたp−i−nダイオード構造は、一般に順バイアスさ
れて、図2B中の波状の矢印により示されているよう
に、活性領域41からSEを放出させる。領域42,4
3および40により形成される、集積化検出器20に関
連づけられたp−i−nダイオード構造は、一般に、領
域41により放出されたSEの一部分を吸収するように
配置される。
けられたp−i−nダイオード構造は、一般に順バイア
スされる。図2Bに示された例示的な多層構造は、通常
のキャップメサ埋め込みヘテロ構造(CMBH)レーザ
プロセスを使用して形成されるタイプである。本発明
は、多数の他のタイプのプロセスのいずれかを使用する
広範囲な多様な他の構造で形成された同調可能レーザを
使用することで具現化され得る。
たレーザ10の集積化SE検出器20が、外部SE検出
器で置き換えられた本発明の2つの例示的な実施形態を
示す。図3は、上述したように、利得区分14、同調区
分16および導波路18を有するDBRチップ12を示
す。同調区分からのSEは、図3において、据え付けブ
ロック52により支持されたp−i−nダイオード検出
器50により検出される。
区分の対応する側面からのSEを受信するように、DB
Rチップ12の側面のエッジに前表面を隣接して配置さ
れる。DBRチップ12は、トレンチまたはイオン注入
領域として具現化され得る絶縁領域54を含む。絶縁領
域54は、利得区分SEおよび外部p−i−nダイオー
ド検出器50に入射される拡散レーザ光の量を低減させ
る。
よび拡散レーザ光のさらなる除去を提供するために、そ
の前面上に集積されたフィルタを含むことができる。図
4は、上述したように、利得区分14、同調区分16、
導波路18、外部p−i−nダイオード検出器50、据
え付けブロック52および絶縁領域54を有するDBR
チップ12を示す。
Eを集め、それを外部検出器50に集中させるレンズ5
6を含む。フィルタ58は、利得区分SEおよび拡散レ
ーザ光のさらなる除去を提供するために、レンズ56と
検出器50との間に配置される。図4の実施形態は、図
3の実施形態よりも一般に大きいが、同調区分SEの検
出によりよい感度を提供でき、同様に所定の適用例にお
いて利得区分SEおよび拡散レーザ光のよりよい除去を
提供することができる。
2の出力に結合される光ファイバ60において監視され
る波長を安定化された同調可能レーザ10Nを示す。光
ファイバ60は、通常の単一モード光ファイバであって
もよい。DBRチップ12は、通常の方法で、ファイバ
60に結合される総合光出力Pout を生成する。総合光
出力Pout は、利得区分14からのSE、同調区分16
からのSE、および同調区分16に与えられる同調電流
Ituneの関数である波長におけるレーザ光を含む。
一部分が、光カプラ62によりバンドパスフィルタ64
の入力に結合される。総合光出力Poutの残りの部分Po
utNは、光ファイバ60の出力に表れる。カプラ62
は、光スプリッタまたは他の適切なタイプの光信号カプ
ラとして具現化することができ、DBRチップ12によ
り生成される光信号パワーの約1%から10%が、バン
ドパスフィルタ64の入力に結合されるように、構成さ
れ得る。バンドパスフィルタ64は、同調区分SEの波
長を通過させ、利得区分SEの波長およびレーザ光を阻
止するように設計される。
out の例示的なスペクトルのプロットを、波長λの関数
として示し、かつバンドパスフィルタ64の対応する応
答R(λ)を示す。Pout(λ) プロットは、約1.3
乃至1.4μmの波長に中心を持つ同調区分SE、約
1.55乃至1.6μmの波長に中心を持つ利得区分S
E、およびレーザ光を示す。バンドパスフィルタ64の
応答R(λ)は、同調区分SEの中心波長である1.3
乃至1.4μmに中心を有し、同調区分SEを通過さ
せ、利得区分SEおよびレーザ光を減衰させる。
スフィルタの特定の特性は、一般に、同調区分SE、利
得区分SEおよびレーザ光の相対的な波長およびパワー
レベルのようなファクタに依存する。代替的な実施形態
において、バンドパスフィルタ64は、同調区分SEを
通過させ、利得区分SEおよびレーザ光を除去するよう
に設計されたローパスフィルタで置き換えることが可能
である。
Eは、電圧制御電流源24の入力に与えられる検出され
たSE電流信号Idetを生成するために、SE検出器6
6に与えられる。電流源24は、DBRチップ12によ
り生成されるレーザ光の波長を制御するために、同調区
分16に与えられる同調電流Ituneを生成する。電流源
24は、電流源24の第1の入力において検出されたS
E電流信号Idet により抵抗R1 の両端に生じる電圧
が、抵抗R2 および可変抵抗Rsetの分圧器により電圧
制御電流源24の第2の入力において生成される設定点
電圧に実質的に等価になるように、同調電流Ituneを変
化させる。
ザは、光カプラ62、バンドパスフィルタ64、SE検
出器66および電圧制御電流源24からなるフィードバ
ック制御ループを含む。図1の対応する制御ループと同
様に、図5のフィードバック制御ループは、検出された
同調区分SEが、電流源24の第2の入力における設定
点電圧に一致する電流源24の第1の入力における電圧
を生成するように、同調電流Ituneを調節するために動
作する。図5のフィードバック制御ループは、実質的に
一定量の検出された同調区分SE、およびこれによる実
質的に一定の活性層キャリア密度、有効屈折率neff お
よび出力レーザ光波長を維持する。
(WDM)カプラ70として具現化される図5の波長安
定化された同調可能レーザの代替的な実施形態を示す。
WDMカプラ70は、DBRチップ12の総合光出力P
out を、光ファイバ72に結合される第1のチャネルと
光ファイバ74に結合される第2のチャネルとに分離す
る。第1のチャネルは、約1.55μmの波長に中心を
有し、第2のチャネルは約1.3μmの波長に中心を有
することができる。
力パワーPout のスペクトルが、図6に示されたものに
対応する場合、光ファイバ72に与えられる第1のチャ
ネルは、利得区分SEおよびレーザ光を含み、光ファイ
バ74に与えられる第2のチャネルは、同調区分SEを
含むことになる。したがって、同調区分SEは、WDM
カプラ70およびファイバ74によりSE検出器66へ
導かれる。
区分SEが所定レベルに維持され、出力レーザ光波長が
実質的に一定のままとなるように、電圧制御電流源24
が同調電流Ituneを調節するフィードバック制御ループ
において使用される。WDMカプラの波長チャネルは、
利得区分SEおよびレーザ光の最大の除去を有するファ
イバ74への同調区分SEの最適な結合のために特定さ
れる。図7に示されているように、WDMカプラの使用
は、改善された感度および低減されたコストのような図
5の実施形態の数多くの利点を提供し得る。
視技術は、例えば同調区分SEを大きく減衰させる電気
吸収(EA)変調器を有する装置、同調区分SE波長
が、利得区分SEまたはレーザ光の波長に近すぎる装
置、または重複するSEスペクトルを生成する複数の同
調区分を有する装置のようなあるタイプの光源とともに
使用するには適切でない可能性がある。これらの場合
に、図1,3および4との関連で説明されたもののよう
な実施形態は、波長安定化を提供するために尚使用可能
である。
なる同調区分から検出されたSE信号を監視しかつ制御
するために、2つのフィードバック制御ループを使用す
る本発明の別の代替的な実施形態を示す。図8に示され
た波長を安定化された同調可能レーザ100は、利得区
分104、DBR同調区分106および位相同調区分1
12を有する3区分DBRチップ102を含む。
よび位相同調区分112は、電流信号Igain,IDBRお
よびIphaseのそれぞれにより駆動される。3区分チッ
プ102は、区分104、106および112の上また
は中を通過する光導波路108の出力において、総合光
出力Pout を生成する。3区分チップ102は、第1の
集積化SE検出器110および第2の集積化SE検出器
114を含む。
06からのSEを検出し、結果としての検出されたSE
電流信号を、フィードバックライン22により電圧制御
電流源24の入力へ供給する。電圧制御電流源24は、
図1との関連で上述されたものと同様の方法で、DBR
同調区分に与えられる電流IDBRを制御するために、検
出されたSE電流信号を使用する。したがって、検出器
110、フィードバックライン22および電圧制御電流
源24からなる第1のフィードバック制御ループは、D
BR同調区分106から検出したSEを第1の所定レベ
ルに維持するように動作し、チップ102の出力におけ
るレーザ光の波長を安定化するように働く。
2からSEを検出し、結果として検出されたSE電流信
号をライン122を経由して第2の電圧制御電流源12
4の入力へ供給する。第2の電流源124は、検出され
たSE電流信号により抵抗R1N の両端に生じる電圧
が、R2NおよびRsetNの分圧器により確立される設定
点電圧に一致するように、抵抗R1N,R2NおよびR
setN との関連で動作する。
および電流源124からなる第2のフィードバック制御
ループは、位相同調区分112から検出されたSEを第
2の所定レベルに維持するように動作し、これにより出
力レーザ光の波長を安定化するために、第1のフィード
バック制御ループとの関連で働く。DBRチップ102
は、チップ102の多様な区分と集積化検出器110お
よび114との間の電気的絶縁を提供する多数のイオン
注入されたまたはエッチングされた絶縁領域130,1
32,134および136をさらに含む。
に入射する光が、同調区分106および112により生
成されるSEをそれぞれ主に含むことを保障する。所与
のSE検出器は、利得区分SE、非SEレーザ光または
隣接する同調区分からのSEではなく、その対応する同
調区分により生成されるSEを検出するように配置され
る。これは、同調区分SEスペクトルが完全にまたは部
分的に重複する適用例において、特に有利である。
により生成され得る総合光出力Pout を波長λの関数と
して示す例示的な光スペクトルのプロットである。この
スペクトルPout(λ) は、利得区分104からのS
E、DBR同調区分106からのSE、位相同調区分1
12からのSEおよびレーザ光を含む。DBR同調区分
106からのSEおよび位相同調区分112からのSE
は、図示されているように波長において重複する。
からのSEおよび位相同調区分112からのSEの両方
が、上述したような2つの別個の電気的に絶縁された検
出器を使用することにより、2つの異なるフィードバッ
ク制御ループにおいて同時に監視されることを可能にす
る。図8の実施形態は、図3および4の外部検出器構成
を使用して具現化することができ、同様に他の検出器構
成を使用しても具現化でき、光源が3つまたは4つ以上
の同調区分を含む適用例にも容易に拡張可能である。
コストおよび複雑さを防止しつつ、同調可能半導体レー
ザにおける安定性を改善可能な技術を提供することがで
きる。
(SE)を検出するために集積された検出器を使用して
波長を安定化する例示的な同調可能半導体レーザを示す
図。
めの使用に適した外部SE検出器を示す図。
ための使用に適した外部SE検出器を示す図。
らのSEを検出するためにインライン監視技術を使用す
る波長安定化を備えた同調可能半導体レーザを示す図。
ペクトルおよび図5のインライン監視技術とともに使用
することに適したバンドパスフィルタの対応する応答を
示す図。
検出するための使用に適したインライン監視技術の代替
的な実施形態を示す図。
E検出器およびフィードバック制御ループを有する波長
安定化同調可能半導体レーザを示す図。
より生成され得る光出力スペクトルのプロット図。
Claims (22)
- 【請求項1】 少なくとも1つの同調区分(16)を有
する同調可能光信号源の光信号波長を制御する方法にお
いて、 (A) 前記光信号源の同調区分からの自発放出(S
E)を検出するステップと、 (B) 前記光信号波長を制御するために、検出された
自発放出をフィードバック制御ループ(22,24)中
で利用するステップとを有することを特徴とする方法。 - 【請求項2】 前記(B)ステップが、 (B1)前記自発放出が実質的に一定レベルに維持され
るように、前記フィードバック制御ループを動作させる
ステップをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の
方法。 - 【請求項3】 前記(A)ステップが、 (A1)同調区分および利得区分とともに共通チップ上
に集積された検出器を含み、前記検出器が絶縁領域によ
り前記利得区分から分離されるように、前記同調可能光
信号源を構成するステップと、 (A2)前記集積された検出器中で、前記同調区分から
の自発放出を検出するステップとをさらに含むことを特
徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 前記(A)ステップが、 (A3)同調区分を含むチップの外部に配置された検出
器中で前記自発放出を検出するステップをさらに含むこ
とを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項5】 前記(A3)同調区分を含むチップの外
部に配置された検出器中で前記自発放出を検出するステ
ップが、 (A31)据え付けブロック上に支持され、かつ同調区
分の側面から放出される自発放出を検出するように配置
されたp−i−nダイオード外部検出器中で、前記自発
放出を検出するステップをさらに含むことを特徴とする
請求項4記載の方法。 - 【請求項6】 前記(A3)同調区分を含むチップの外
部に配置された検出器中で自発放出を検出するステップ
が、 (A32)前記同調区分の側面から放出され、かつフォ
ーカスレンズにより外部検出器に集中される自発放出を
検出するように構成された外部検出器中で、自発放出を
検出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項
4記載の方法。 - 【請求項7】 前記(A)ステップが、 (A4)前記光信号源の出力に接続された出力ファイバ
からの光信号パワーを結合するステップと、 (A5)前記結合された光信号パワー中の自発放出を検
出するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項
1記載の方法。 - 【請求項8】 前記(A4)出力ファイバからの光信号
パワーを結合するステップが、 (A41)前記光信号パワーを波長分割多重カプラに与
えるステップをさらに含むことを特徴とする請求項7記
載の方法。 - 【請求項9】 前記(A5)結合された光信号パワー中
の自発放出を検出するステップに先だって、 (A6)前記結合された光信号パワーをフィルタリング
するステップをさらに含むことを特徴とする請求項7記
載の方法。 - 【請求項10】 前記光信号源が、複数の同調区分を含
み、 前記(A)自発放出を検出するステップが、対応する複
数の検出器を使用して前記同調区分からの自発放出を検
出するステップをさらに含み、 前記(B)検出された自発放出をフィードバック制御ル
ープ中で利用するステップが、光信号波長を制御するた
めに、複数の同調区分から検出された自発放出を対応す
る複数のフィードバック制御ループ中で利用するステッ
プをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項11】 前記複数の同調区分が、位相同調区分
および分布ブラッグ反射器同調区分を含むことを特徴と
する請求項10記載の方法。 - 【請求項12】 (A)少なくとも1つの同調区分(1
6)と、 (B)光信号源の同調区分からの自発放出を検出するた
めの検出器(20)と、 (C)前記検出された自発放出が光信号波長を制御する
ために使用されるフィードバック制御ループ(22,2
4)とを有する波長制御同調可能光信号源。 - 【請求項13】 前記(C)フィードバック制御ループ
(22,24)が、前記同調区分から検出された自発放
出を実質的に一定レベルに維持するように動作可能であ
ることを特徴とする請求項12記載の光信号源。 - 【請求項14】 前記(B)検出器(20)は、前記同
調区分および利得区分とともに共通チップに集積されて
おり、 前記(B)検出器(20)は、絶縁領域により前記利得
区分から分離されていることを特徴とする請求項12記
載の光信号源。 - 【請求項15】 前記(B)検出器(20)は、前記同
調区分を含むチップの外部に配置されていることを特徴
とする請求項12記載の光信号源。 - 【請求項16】 前記検出器が、据え付けブロック上に
指示されており、かつ前記同調区分の側面から放出され
る自発放出を検出するように配置されたp−i−nダイ
オード外部検出器として具現化されていることを特徴と
する請求項15記載の光信号源。 - 【請求項17】 前記(B)検出器(20)が、前記同
調区分の側面から放出され、かつフォーカスレンズによ
り外部検出器で集中される自発放出を検出するように配
置された外部検出器として具現化されていることを特徴
とする請求項15記載の光信号源。 - 【請求項18】 (C)光源の出力に接続された出力フ
ァイバからの光信号パワーを結合するための光カプラを
さらに含み、前記自発放出が、前記結合された光信号パ
ワー中で検出されることを特徴とする請求項12記載の
光信号源。 - 【請求項19】 前記(C)光カプラが、波長分割多重
カプラであることを特徴とする請求項18記載の光信号
源。 - 【請求項20】 (D)前記自発放出が検出される前に
前記結合された光信号パワーをフィルタリングするため
のフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項18記
載の光信号源。 - 【請求項21】 (A)複数の同調区分と、 (B)それぞれが複数の同調区分のうちの対応する1つ
からの自発放出を検出する複数の検出器と、 (C)それぞれが、光信号波長を制御するために、複数
の同調区分のうちの1つから検出された自発放出を利用
する複数のフィードバック制御ループとをさらに含むこ
とを特徴とする請求項12記載の光信号源。 - 【請求項22】 前記(A)複数の同調区分が、位相同
調区分および分布ブラッグ反射器同調区分を含むことを
特徴とする請求項21記載の光信号源。
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