JP3301333B2 - Ｘ線マスクの成膜方法およびｘ線マスクの成膜装置 - Google Patents

Ｘ線マスクの成膜方法およびｘ線マスクの成膜装置

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JP3301333B2 JP1685697A JP1685697A JP3301333B2 JP 3301333 B2 JP3301333 B2 JP 3301333B2 JP 1685697 A JP1685697 A JP 1685697A JP 1685697 A JP1685697 A JP 1685697A JP 3301333 B2 JP3301333 B2 JP 3301333B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｘ線リソグラフ
ィに使用するＸ線マスクのＸ線吸収体の応力が、全ての
箇所において０、或いは無視できる程度にまで低くなる
ように成膜することのできるＸ線マスクの成膜方法およ
びＸ線マスクの成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３０は従来のＸ線マスクの成膜装置の
構成および応力分布を示す図である。図において、１は
マスク基板、２はマスク基板２上に形成されたＸ線吸収
体、３はターゲット、４はターゲット３の裏面に形成さ
れた磁石で、放電安定化のために設置されている。
【０００３】従来、図３０に示すようにターゲット３を
スパッタし、マスク基板１上にＸ線吸収体２を成膜する
と、Ｘ線吸収体２の応力分布は、中心部では圧縮応力が
強く、周辺に向かう程圧縮応力が弱くなる。これは、タ
ーゲット３の中心部ほどプラズマ強度が高いことにより
生じている。
【０００４】従来ではこの応力分布のうち、応力変化の
少ない中央部の、応力変化がｂの範囲に入る、ａで示す
位置を、所望応力分布範囲とし、Ｘ線吸収体２をａ位置
のみにて成膜していた。よって、成膜範囲が限られ、無
駄になる箇所が多く生産性が向上しないという問題点が
あった。
【０００５】上記のような問題点の解決のため、我々は
すでに特願平８−１５４３２２号にてＸ線吸収体の応力
むらに応じたアニール法により、応力の均一化を行う方
法について述べた。この方法の一例を図３１に示す。ま
ず、面内の温度を変えることができるようにするため複
数のヒータ６１ａ、６１ｂ、６１ｃを組み込んだホット
プレート６０を用意する。次に図３２（ａ）に示すよう
にＸ線吸収体２の応力分布を測定する。１℃で約１ＭＰ
ａ分引っ張り応力側にアニールされるため、応力分布を
計算してそれがすべて０になるようにホットプレート６
０に図３２（ｂ）に示すような温度分布をつけて、Ｘ線
吸収体２のアニールを行うものである。
【０００６】このようなアニール法は、ホットプレート
６０の温度分布を適切に設定することにより、図３０に
示したａ位置より広い範囲にてＸ線吸収体２を形成した
としても、応力むらをなくし、応力を０にする事が可能
である。そのため、成膜装置や成膜方法が最適化されて
いなくても応力及び応力むらを０にできるといった優れ
た特徴を持っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線マスクの製
造方法は以上のように行われ、Ｘ線吸収体２の応力を０
にしていたものの、アニールの際、一枚ごとに応力測定
や温度設定等を行わなくてはならず、大量生産に向かな
いといった問題点があった。また、マスク基板１の厚み
が厚くなると、マスク基板１自身の熱伝導が良いため、
適切な温度分布をつけるのが難しく、応力むらを０にす
るのが困難になるという問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、Ｘ線吸収体の応力が全ての箇所
において０、或いは無視できる程度にまで低くなるよう
に、Ｘ線吸収体を成膜することのできるＸ線マスクの成
膜方法およびＸ線マスクの成膜装置を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
のＸ線マスクの成膜方法は、マスク基板を回転させなが
ら、ターゲットをスパッタしマスク基板上にＸ線吸収体
を形成するＸ線マスクの成膜方法において、まず、マス
ク基板に替えて模擬マスク基板を設け、この模擬マスク
基板上のスパッタ可能範囲に模擬Ｘ線吸収体を成膜し、
模擬Ｘ線吸収体の任意の直線上の各位置における応力分
布を測定し、応力分布の、模擬Ｘ線吸収体の外周に向か
って応力の変化する部分の内、直線特性のよい箇所を所
望応力分布範囲として設定し、所望応力分布範囲の中心
を回転の中心とし、マスク基板を所望応力分布範囲内に
設置し、Ｘ線吸収体を成膜するものである。
【００１０】又、この発明に係る請求項２のＸ線マスク
の成膜方法は、マスク基板を自転および公転させなが
ら、ターゲットをスパッタしマスク基板上にＸ線吸収体
を形成するＸ線マスクの成膜方法において、まず、マス
ク基板に替えて模擬マスク基板を設け、この模擬マスク
基板上のスパッタ可能範囲に模擬Ｘ線吸収体を成膜し、
模擬Ｘ線吸収体の任意の直線上の各位置における応力分
布を測定し、応力分布の、模擬Ｘ線吸収体の外周に向か
って応力の変化する部分の内、直線特性のよい箇所を所
望応力分布範囲として設定し、所望応力分布範囲の中心
をマスク基板の自転の中心が通過するようにマスク基板
を公転させ、マスク基板が所望応力分布範囲内を通過す
るように設置し、Ｘ線吸収体を成膜するものである。
【００１１】又、この発明に係る請求項３のＸ線マスク
の成膜方法は、マスク基板を回転させながら、ターゲッ
トをスパッタしマスク基板上にＸ線吸収体を形成するＸ
線マスクの成膜方法において、まず、マスク基板に替え
て模擬マスク基板を設け、この模擬マスク基板上のスパ
ッタ可能範囲に模擬Ｘ線吸収体を成膜し、模擬Ｘ線吸収
体の任意の直線上の各位置における応力分布を測定し、
応力分布の、模擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力の変
化する部分の内、直線特性のよい箇所を所望応力分布範
囲として設定し、マスク基板を所望応力分布範囲より小
さいものとして、所望応力分布範囲内にて公転且つ自転
させながらマスク基板上にＸ線吸収体を成膜するもので
ある。
【００１２】又、この発明に係る請求項４のＸ線マスク
の成膜方法は、請求項３において、マスク基板の自転中
心の軌道を、マスク基板の公転中心を中心とする円軌道
から偏心させるものである。
【００１３】又、この発明に係る請求項５のＸ線マスク
の成膜方法は、マスク基板を自転および公転させなが
ら、ターゲットをスパッタしマスク基板上にＸ線吸収体
を形成するＸ線マスクの成膜方法において、まず、マス
ク基板に替えて模擬マスク基板を設け、この模擬マスク
基板上のスパッタ可能範囲に模擬Ｘ線吸収体を成膜し、
模擬Ｘ線吸収体の任意の直線上の各位置における応力分
布を測定し、応力分布の、模擬Ｘ線吸収体の外周に向か
って応力の変化する部分の内、直線特性のよい箇所を所
望応力分布範囲として設定し、マスク基板が所望応力分
布範囲より小さいマスク基板を、マスク基板の通過する
範囲が所望応力分布範囲内となり、マスク基板の自転中
心の軌道を、マスク基板の公転中心を中心とする円軌道
から偏心させるものとして公転を行いＸ線吸収体を成膜
するものである。
【００１４】又、この発明に係る請求項６のＸ線マスク
の成膜方法は、請求項４または請求項５において、マス
ク基板の偏心の周期と、マスク基板の公転の周期との比
が非整数となるものである。
【００１５】又、この発明に係る請求項７のＸ線マスク
の成膜方法は、請求項１ないし請求項６のいずれかにお
いて、ターゲットの面と模擬マスク基板の面とを所定の
角度傾けた位置関係に設置し、模擬マスク基板上に模擬
Ｘ線吸収体を成膜するとともに、マスク基板とターゲッ
トとを位置関係に設定してマスク基板上にＸ線吸収体を
成膜するものである。
【００１６】又、この発明に係る請求項８のＸ線マスク
の成膜方法は、請求項１ないし請求項７のいずれかにお
いて、スパッタ可能範囲の中心にて模擬マスク基板を回
転させながら模擬Ｘ線吸収体を成膜するものである。
【００１７】又、この発明に係る請求項９のＸ線マスク
の成膜方法は、請求項１ないし請求項８のいずれかにお
いて、模擬Ｘ線吸収体を通過する任意の直線を、模擬Ｘ
線吸収体の中心を通過する直線に設定するものである。
【００１８】又、この発明に係る請求項１０のＸ線マス
クの成膜方法は、請求項９において、応力分布が直線の
中心から対称に、模擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力
が変化し、所望応力分布範囲を中心から対称となる２カ
所に設定する場合、直線の中心をマスク基板の公転の中
心として設定し、所望応力分布範囲の中心にてマスク基
板の自転を行いＸ線吸収体を成膜するものである。
【００１９】又、この発明に係る請求項１１のＸ線マス
クの成膜方法は、請求項１ないし請求項１０のいずれか
において、模擬Ｘ線吸収体の任意の直線上の各位置にお
ける膜厚値を測定し、膜厚値に各位置における応力値を
乗じた値を応力分布とするものである。
【００２０】又、この発明に係る請求項１２のＸ線マス
クの成膜方法は、請求項１ないし請求項１１のいずれか
において、所望応力分布範囲は、所望応力分布範囲の一
端の応力値と他端の応力値とを直線にて結んで得られる
直線特性と、直線特性と所望応力分布範囲内の応力分布
との応力の偏差を５０ＭＰａ以下としたものである。
【００２１】又、この発明に係る請求項１３のＸ線マス
クの成膜方法は、請求項１ないし請求項１１のいずれか
において、所望応力分布範囲は、所望応力分布範囲の一
端の応力値と他端の応力値とを直線にて結んで得られる
直線特性と、直線特性と所望応力分布範囲内の応力分布
とが交差する交差点を有する際、直線特性と所望応力分
布範囲内の応力分布との応力の偏差を１００ＭＰａ以下
としたものである。
【００２２】又、この発明に係る請求項１４のＸ線マス
クの成膜装置は、請求項１ないし請求項１３のいずれか
に記載の、Ｘ線マスクの成膜方法において、マスク基板
の中心とターゲットの中心との中心間の水平距離および
垂直距離の距離関係を変更する事のできる機構を備えた
ものである。
【００２３】又、この発明に係る請求項１５のＸ線マス
クの成膜装置は、請求項１ないし請求項１３のいずれか
に記載のＸ線マスクの成膜方法において、マスク基板を
自転、且つ、公転させながら成膜する場合、マスク基板
の自転と公転との中心間距離を変更する事のできる機構
を備えたものである。
【００２４】又、この発明に係る請求項１６のＸ線マス
クの成膜装置は、請求項１５において、マスク基板の公
転の回転中心を軸とする第１のギアと、マスク基板の自
転の回転中心を軸とする第２のギアとの間に少なくとも
１個の第３のギアを介在させ、第３のギアを介して、第
１のギアの中心と第２のギアの中心との中心間距離を変
更することにより、マスク基板の自転と公転との中心間
距離を変更する事のできる機構を備えたものである。
【００２５】又、この発明に係る請求項１７のＸ線マス
クの成膜装置は、請求項１５において、マスク基板の公
転の回転中心を軸とする第１のギアと、マスク基板の自
転の回転中心を軸とする第２のギアと、第１のギアに噛
合する第３のギアと、第３のギアおよび第２のギアを連
結するベルトとを備え、第３のギアおよびベルトを介し
て、第１のギアの中心と第２のギアの中心との中心間距
離を変更することにより、マスク基板の自転と公転との
中心間距離を変更する事のできる機構を備えたものであ
る。
【００２６】又、この発明に係る請求項１８のＸ線マス
クの成膜装置は、請求項１５において、マスク基板の公
転の回転中心を軸とする第１のギアと、マスク基板の自
転の回転中心を軸とする第２のギアとを少なくとも１本
のベルトで連結させ、ベルトを伸縮することにより、第
１のギアの中心と第２のギアの中心との中心間距離を変
更することにより、マスク基板の自転と公転との中心間
距離を変更する事のできる機構を備えたものである。
【００２７】又、この発明に係る請求項１９のＸ線マス
クの成膜装置は、請求項７ないし請求項１３のいずれか
に記載のＸ線マスクの成膜方法において、マスク基板の
面と、ターゲットの面とを所定の角度傾けた位置関係に
て設定することのできる機構を備えたものである。
【００２８】又、この発明に係る請求項２０のＸ線マス
クの成膜装置は、請求項４ないし請求項６のいずれかに
記載のＸ線マスクの成膜方法において、マスク基板の公
転の回転中心を軸とする第１のギアもしくはマスク基板
の自転の回転中心を軸とする第２のギアの少なくとも一
方が非円形ギア、もしくは、偏心軸ギアにて形成されて
いるものである。
【００２９】又、この発明に係る請求項２１のＸ線マス
クの成膜装置は、請求項２０において、マスク基板の偏
心の周期と、マスク基板の公転の周期との比が非整数と
なるように、第１のギアの歯数と、第２のギアの歯数と
の歯数比が非整数にて形成されているものである。
【００３０】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．以下、この発明の実施の形態を図につい
て説明する。図１はこの発明の実施の形態１におけるＸ
線マスクの成膜方法を示す図である。図において、従来
の場合と同様の部分は同一符号を付して説明を省略す
る。５は模擬マスク基板、６はこの模擬マスク基板５上
に成膜された模擬Ｘ線吸収体である。
【００３１】次に、この発明の実施の形態１におけるＸ
線マスクの成膜方法について説明する。まず、図１
（ａ）に示すように模擬マスク基板５を配設し、この模
擬マスク基板５をスパッタ可能範囲の中心にて回転させ
る。そして、ターゲット３にてスパッタ可能範囲となる
箇所の模擬マスク基板５上に、模擬Ｘ線吸収体６を成膜
する。次に、この模擬Ｘ線吸収体６の中心を通る直線上
の各位置における応力分布を測定する。尚、模擬Ｘ線吸
収体６の膜応力分布の測定は模擬Ｘ線吸収体６の反りを
測定し、これを２階微分し所望の係数を掛けることによ
り容易に求めることができる。そして、図１（ｂ）に示
すような、模擬Ｘ線吸収体６の各位置に対する応力分布
が得られたとする。尚、この際の模擬マスク基板５の回
転は、応力値を精度良く測定するために行うもので、回
転をとめて模擬Ｘ線吸収体６を成膜しても以下、同様に
行うことができる。
【００３２】次に、この応力分布の、模擬Ｘ線吸収体６
の外周に向かって圧縮応力の低下する低下部分の内、直
線特性のよい箇所を所望応力分布範囲Ｘとして設定す
る。次に、この所望応力分布範囲Ｘの中心をマスク基板
の回転の中心とし、所望応力分布範囲Ｘの範囲内にマス
ク基板を設置して、Ｘ線吸収体を成膜する。
【００３３】上記で示したようにＸ線吸収体を成膜する
と、成膜されたＸ線吸収体の応力分布がどのようになる
かを以下説明する。図２に所望応力分布範囲Ｘと応力分
布Ｚ−Ｉとの拡大図を示す。図２に示すように、応力分
布Ｚ−Ｉを、所望応力分布範囲Ｘの回転中心線Ｈにて回
転させると、応用分布Ｚ−Ｉは回転中心線Ｈにて線対称
に回転し、回転時の応力分布Ｚ−ＩＩと応力分布Ｚ−Ｉ
との平均となる回転後の応力分布ｚにてＸ線吸収体は成
膜されることとなる。
【００３４】このように形成すれば、最大の応力差Ｙが
生じていたものを、応力差ｙ1まで軽減できることとな
る。よって、図３０に示した従来の場合の応力差ｂの範
囲ａでＸ線吸収体を成膜していたものが、応力差Ｙの所
望応力分布範囲Ｘという広い範囲でＸ線吸収体を成膜す
ることができ、さらに、応力ムラを容易に低減すること
ができる。
【００３５】そして、上記図２に示すように、所望応力
分布範囲Ｘの一端の応力値と他端の応力値とを直線にて
結んで得られる直線特性Ｔを設定する。そして、この所
望応力分布範囲Ｘの中心位置が、この直線特性Ｔと応力
分布ｚとの偏差の最大値を有する位置となり、この位置
の応力差の値が上記で示した回転後の応力分布ｚの応力
差ｙ1と同一の値になることがわかる。
【００３６】ここで応力差ｙ1の許容範囲について説明
する。従来、Ｘ線マスク形成時にエッチングエリアの１
００％をエッチングするというパターニングを形成する
と、Ｘ線マスクの応力差が１０ＭＰａ生じている場合、
Ｘ線マスクのパターンの歪みは最大１５ｎｍ程度発生し
ていた。実際には、Ｘ線マスクのエッチングエリアは４
０％程度であるため、ずれ量は、この最大値の４０％程
度の６ｎｍになると考えられる。一般的に、Ｘ線マスク
のずれ量は、３０ｎｍ程度しか許されないため、許容さ
れる最大値＝応力差ｙ1は５０ＭＰａ（＝１０ＭＰａ×
３０ｎｍ／６ｎｍ）となる。このため、応力差ｙ1が５
０ＭＰａ以下となる直線性の良い箇所にて、上記で示し
たようにＸ線マスクを成膜すれば、Ｘ線マスクの精度を
十分確保することができる。
【００３７】又、図２に示すように、所望応力分布範囲
Ｘの中心に応力分布Ｚ−Ｉと直線特性Ｔとの応力差の最
大値ｙ1を有する例を示したが、これに限られることは
なく、例えば図３に示すように所望応力分布範囲Ｘの中
心からずれた位置に最大の応力差ｙ2を有する場合があ
る。この場合、上記で示したようにＸ線マスクを成膜す
れば、最大値の応力差ｙ2よりさらに軽減された応力差
ｙ3が回転時の応力分布の応力差となる。よって、所望
応力分布範囲Ｘの一端の応力値と他端の応力値とを直線
にて結んで得られる直線特性Ｔ′を設定し、偏差の最大
値である応力差ｙ2を５０ＭＰａ以下に設定すれば、応
力差ｙ3はこの最大の応力差ｙ2より小さくなるため、上
記図２に示した場合より、Ｘ線マスクの応力ムラをさら
に低減することができる。
【００３８】又、図４に示すように、所望応力分布範囲
Ｘの一端の応力値と他端の応力値とを直線にて結んで得
られる直線特性Ｔ″を設定し、この直線特性Ｔ″と応力
分布Ｚ″とが交差する交差点Ｆを有する場合、直線特性
Ｔ″から応力分布Ｚ″−Ｉの偏差の最大の応力差ｙ4ま
たはｙ5が１００ＭＰａ以下であれば、上記で示した場
合と同様にＸ線マスクの精度を確保することができる。
【００３９】これは、交差点Ｆを有する場合、直線特性
Ｔ″からの偏差が上記で示した場合より大きくとも、そ
の最大の応力差ｙ4およびｙ5は、直線特性Ｔ″に対して
互いに逆極性の偏差となり、応力が相殺され、回転後の
応力分布Ｚ″における応力差ｙ6は交差点Ｆを有しない
場合と比較すると半分程度になるためである。
【００４０】尚、上記応力分布を、模擬Ｘ線吸収体６の
中心を通る直線上の応力分布を用いる例を示したが、こ
れは上記設定した所望応力分布範囲Ｘを広い範囲確保す
るためのものであり、必ずしもこれに限られるものでは
ない。
【００４１】又、上記応力分布は、模擬Ｘ線吸収体６の
直線上の各位置の応力値をプロットするようにしてもよ
いが、さらに、厳密に応力分布を求めるためには、模擬
Ｘ線吸収体６の直線上の各位置の応力値および各位置の
膜厚値を測定し、この膜厚値に各位置の応力値を乗じた
値をプロットするようにすればよい。これは、膜厚が応
力に対し比例的に作用するからである。
【００４２】又、上記応力分布は、例えば図５に示すよ
うに、ターゲット３の中心と模擬マスク基板５の中心と
の中心間の垂直距離関係を変更できる機構を備えるよう
にし、上記垂直距離を変更し、各位置にて模擬Ｘ線吸収
体６を成膜し、応力分布を測定し、それらの内、直線特
性のもっともよい位置を求め、この位置関係にて上記で
示したようにＸ線吸収体を成膜すればよい。
【００４３】又、ターゲットはスパッタを行うにつれ、
不均一に減少するため、図６に示すようにターゲット３
ａの厚みはＸ線吸収体の製造の最初とは異なり、不均一
となる。そして、ターゲット３ａでは上記図５に示すよ
うな、Ｘ線吸収体の製造の最初の段階の厚みが均一なタ
ーゲット３と模擬マスク基板５との間にて決定された位
置関係では、同一の応力分布を得られなくなる。よっ
て、再度、ターゲット３ａおよび模擬マスク基板５の垂
直距離を変更し、各位置にて模擬Ｘ線吸収体６を成膜し
て、応力分布を測定し、それらの内、直線特性のもっと
もよい位置を求め、この位置関係にて上記で示したよう
にＸ線吸収体を成膜する必要が生じる。
【００４４】次に、所望応力分布範囲Ｘ内においてどの
ようにしてＸ線吸収体を成膜するかについて以下説明す
る。
【００４５】図７に示すように、所望応力分布範囲Ｘと
同一の径寸法を有するマスク基板７を、所望応力分布範
囲Ｘ内に設置する。これを実施するためには、例えば図
８に示すように、マスク基板７を載置する基板ホルダ８
の中心（すなわちマスク基板７の中心）とターゲット３
の中心との中心間の距離および垂直距離の位置関係（以
下、このことを相対位置関係と称す）を変更できる機構
を備えたＸ線マスクの成膜装置を用いればよく、マスク
基板７を図７にて示した位置関係に適宜設定し、Ｘ線吸
収体を成膜を行えばよい。尚、上記所望応力分布範囲Ｘ
の設定の方法でのターゲット３とマスク基板７との位置
関係は、便宜上図５にて示したような位置関係で説明し
たが、実際にＸ線マスクを形成する際のターゲット３及
びマスク基板７の位置関係は図８に示すように形成され
ている。これは、マスク基板７上及びターゲット３上に
異物が載置するのを防止するためである。
【００４６】又、図９に示すような複数のキャリア９
ａ、９ｂ、９ｃの各上部に各マスク基板７ａ、７ａ′、
７ｂ、７ｂ′、７ｃ、７ｃ′がそれぞれ載置されている
基板ホルダ８ａ、８ａ′、８ｂ、８ｂ′、８ｃ、８ｃ′
を設置し、これら複数のキャリア９ａ、９ｂ、９ｃの基
板ホルダ８ａ、８ａ′、８ｂ、８ｂ′、８ｃ、８ｃ′側
をターゲット３に向け設置し、次々と、Ｘ線吸収体を成
膜する際も、上記図８に示した場合と同様に、基板ホル
ダ８ａ、８ａ′、８ｂ、８ｂ′、８ｃ、８ｃ′とターゲ
ット３との相対位置関係を変更できる機構を備えたＸ線
マスクの成膜装置を用いればよく、マスク基板７ａ、７
ａ′、７ｂ、７ｂ′、７ｃ、７ｃ′を、次々と、図７に
示した位置関係に設定し、順次、Ｘ線吸収体の成膜を行
えばよい。尚、図９においても、上記図８にて示した場
合と同様に、マスク基板７ａ、７ａ′、７ｂ、７ｂ′、
７ｃ、７ｃ′上記異物が載置するのを防止するため、実
際にＸ線マスクを形成する際に用いられている方法であ
る。
【００４７】次に、マスク基板を公転させる機構につい
て説明する。図１０に示すように、所望応力分布範囲Ｘ
の中心に公転パレット１０の中心がくるように設置し、
この公転パレット１０上にマスク基板１１ａ、１１ｂ、
１１ｃ、１１ｄをそれぞれ載置して設置する。これを実
施するために、例えば図１１に示すように、マスク基板
１１ａ、１ｂ、１１ｃ、１１ｄを載置する公転パレット
１０とターゲット３との相対位置関係を変更できる機構
を備えたＸ線マスクの成膜装置を用いればよく、マスク
基板１１ａ、１ｂ、１１ｃ、１１ｄを図１０に示した位
置関係に適宜設定し、Ｘ線吸収体の成膜を行えばよい。
【００４８】次に、マスク基板を自転および公転させる
機構について説明する。尚、この際には、図１２に示す
ように応力分布が直線の中心から対称に、模擬Ｘ線吸収
体の外周に向かって圧縮応力が低下し、所望応力分布範
囲Ｘが中心から対称となる２カ所に設定できる場合に限
られる。
【００４９】まず、図１２に示すように、応力分布を測
定した直線範囲の中心を公転パレット１２の中心がくる
ように設置し、公転パレット１２上にマスク基板１３
ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄをそれぞれ載置して設置す
る。これを実施するためには例えば図１３に示すよう
に、各マスク基板１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄが載
置されている自転パレット１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１
４ｄと、これら自転パレット１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、
１４ｄが載置されている公転パレット１２とにて構成す
る。
【００５０】そして、公転パレット１２および自転パレ
ット１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとターゲット３と
の相対位置関係を変更できる機構を備えたＸ線マスクの
成膜装置を用いればよく、マスク基板１３ａ、１３ｂ、
１３ｃ、１３ｄを図１２に示した位置関係に適宜設定
し、Ｘ線吸収体を成膜すればよい。
【００５１】実施の形態２．上記実施の形態１では、所
望応力分布範囲Ｘを中心にマスク基板が回転する例を示
したが、例えば図１４に示すように、上記実施の形態１
と同様に所望応力分布範囲Ｘを設定し、所望応力分布範
囲Ｘの中心をマスク基板１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５
ｄの自転の中心が通過するようにマスク基板１５ａ、１
５ｂ、１５ｃ、１５ｄを公転させる公転パレット１６を
備え、マスク基板１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄが所
望応力分布範囲Ｘ内を通過するように設置してもよい。
【００５２】上記実施の形態２に示しているようにＸ線
マスクの成膜方法を行えば、所望応力分布と異なる応力
分布の箇所も若干通過することとなり、上記実施の形態
１にて形成した場合よりＸ線マスクの精度は、若干劣る
ものの、所望応力分布範囲Ｘを有効的に利用することが
できるため、生産性よく、Ｘ線マスクを成膜することが
できる。
【００５３】又、この際のＸ線マスクの成膜装置は上記
実施の形態１にて示した、図１３のＸ線マスクの成膜装
置を利用することが可能であることは言うまでもない。
【００５４】そして、図１４のＸ線マスクの成膜装置に
て示した公転および自転機構では、所望応力分布範囲Ｘ
の位置により、公転と自転との中心間距離を変更する必
要が生じる。以下、公転と自転との中心間距離を変更す
る方法について数例説明する。
【００５５】まず、図１５に示すように、公転パレット
１７の公転用のすなわちマスク基板の公転の回転中心を
軸とする第１のギア１８と、マスク基板自転回転中心を
軸とする第２のギア１９との間に第３のギア２０を介在
させる。そして、第３のギア２０を介して、第２のギア
１９の位置は、１９ａで示す位置から１９ｂで示す位置
まで変更でき、第１のギア１８の中心と第２のギア１９
の中心との中心間距離を変更することができる。この様
に形成することにより、公転と自転との中心間距離を適
宜設定することができる。
【００５６】他に、図１６に示すように、マスク基板の
公転の回転中心を軸とする第１のギア２１と、マスク基
板自転回転中心を軸とする第２のギア２２と、第１のギ
ア２１と第２のギア２２とを連結するベルト２３とを備
える。そして、このベルト２３を伸縮することにより、
第２のギア２２の位置を、２２ａで示す位置から２２ｂ
で示す位置まで変更でき、第１のギア２１の中心と第２
のギア２２の中心との中心間距離を変更することができ
る。この様に形成することにより、公転と自転との中心
間距離を適宜設定することができる。この場合、ベルト
２３により、図１５に示した場合より、一層広範囲での
変更が可能となる。
【００５７】他に、図１７に示すように、マスク基板の
公転の回転中心を軸とする第１のギア２４と、マスク基
板の自転の回転中心を軸とする第２のギア２５と、第１
のギア２４に噛合する第３のギア２６と、第３のギア２
６および第２のギア２５を連結するベルト２７とを備
え、第３のギア２６およびベルト２７を介して、第２の
ギア２５の位置を、２５ａで示す位置から２５ｂで示す
位置まで変更でき、第１のギア２４の中心と第２のギア
２５の中心との中心間距離を変更することができる。こ
の様に形成することにより、公転と自転との中心間距離
を適宜設定することができる。この場合、ベルト２７に
より、図１５に示した場合より、一層広範囲での変更が
可能となる。
【００５８】他に、図１８に示すようにマスク基板の公
転の回転中心を軸とする第１のギア２８と、マスク基板
自転回転中心を軸とする第２のギア２９と、第１のギア
２８と第２のギア２９とを連結するベルト３０と、この
ベルト３０の向きを変更することのできるプーリ３１と
を備える。そして、このプーリ３１を矢印の方向に移動
させることにより、第２のギア２９の位置を、２９ａで
示す位置から２９ｂで示す位置まで変更でき、第１のギ
ア２８の中心と第２のギア２９の中心との中心間距離を
変更することができる。この様に形成することにより、
公転と自転との中心間距離を適宜設定することができ
る。この場合、ベルト３０により、図１５に示した場合
より、一層広範囲での変更が可能となる。
【００５９】実施の形態３．上記実施の形態では図１９
の（ａ）に示すようにターゲットの面と、マスク基板の
面との関係が平行関係に位置する例を示したが、これに
限られることはなく、この実施の形態３においては、例
えば、図１９（ｂ）及び図１９（ｃ）に示すように、傾
斜状態に設置する例について説明する。
【００６０】図１９（ａ）に示すように、ターゲットの
面と、マスク基板の面との関係が平行関係に位置する場
合、上記各実施の形態に示した場合と同様にＸ線吸収体
を成膜すると、応力分布はなだらかな中心対称の山形形
状となる。しかし、図１９（ｂ）に示すように、ターゲ
ット３２の面ｌ1を、マスク基板の面と平行関係から、
例えば１゜傾けた状態にて、模擬マスク基板５上に模擬
Ｘ線吸収体６ａを形成すると、応力分布は非対称となる
が図１９（ａ）と比較し、直線特性のよい範囲が拡大さ
れていることが判る。
【００６１】さらに図１９（ｃ）に示すように、ターゲ
ット３３の面ｌ2を、マスク基板の面と平行関係から、
例えば５゜傾けた状態にて、模擬マスク基板５上に模擬
Ｘ線吸収体６ｂを形成すると、応力分布が図１９（ｂ）
と比較し、さらに直線特性のよい範囲が拡大されている
ことが判る。
【００６２】このように、ターゲットの面と、マスク基
板の面の関係を所定の角度傾けた位置関係に設置し、応
力分布の直線特性のよい箇所が拡大される位置関係を見
い出し、この応力分布から、上記各実施の形態と同様に
所望応力分布範囲を設定し、マスク基板とターゲットと
の位置関係を上記位置関係に保持したまま、上記各実施
の形態と同様にマスク基板上にＸ線吸収体を成膜すれば
よい。
【００６３】尚、ここではターゲットを傾ける例を示し
たが、これに限られることはなく、マスク基板を傾ける
ようにしてもよいことは言うまでもない。
【００６４】上記で示したように、ターゲットの面と、
マスク基板の面との関係を所定の角度傾けた位置関係に
設置するために、Ｘ線マスクの成膜装置に図２０ないし
図２３に示すような機構を有する必要がある。まず、図
２０に示すように、ターゲット３４およびマスク基板３
５を載置する基板ホルダ３６を矢印の方向に傾けること
ができる機構を備えたＸ線マスクの成膜装置を形成すれ
ばよい。
【００６５】又、図２１に示すように、複数のキャリア
３７ａ、３７ｂ、３７ｃの各上部に、各マスク基板３８
ａ、３８ａ′、３８ｂ、３８ｂ′、３８ｃ、３８ｃ′が
それぞれ載置されている基板ホルダ３９ａ、３９ａ′、
３９ｂ、３９ｂ′、３９ｃ、３９ｃ′を載置する。そし
て、次々とＸ線吸収体を成膜するＸ線マスクの成膜方法
の場合には、上記図２０に示した場合と同様に、マスク
基板３８ａ、３８ａ′、３８ｂ、３８ｂ′、３８ｃ、３
８ｃ′を載置する基板ホルダ３９ａ、３９ａ′、３９
ｂ、３９ｂ′、３９ｃ、３９ｃ′を矢印の方向に傾ける
ことができる機構を備えればよい。
【００６６】又、図２２に示すようなＸ線マスクの成膜
装置には、マスク基板４０ａ、４０ｂが載置された公転
パレット４１を矢印の方向に傾けることができる機構を
備えればよい。又、図２３に示すようなＸ線マスクの成
膜装置には、マスク基板４２ａ、４２ｂがそれぞれ載置
された自転パレット４３ａ、４３ｂと、自転パレット４
３ａ、４３ｂが載置された公転パレット４４とに矢印の
方向に傾けることのできる機構を備えればよい。
【００６７】実施の形態４．上記各実施の形態では所望
応力分布範囲の中心が一定位置にて、マスク基板の回転
の中心を行う例を示したが、以下、他の例について説明
する。
【００６８】まず、図２４に示すように上記各実施の形
態と同様に所望応力分布範囲Ｘを設定したとする。次
に、マスク基板４５ａ、４５ｂを所望応力分布範囲Ｘよ
り小さい径寸法のものを用い、この所望応力分布範囲Ｘ
内にて公転且つ自転させながら、マスク基板４５ａ、４
５ｂ上にＸ線吸収体を成膜する。そしてこの際、マスク
基板４５ａ、４５ｂの自転中心の軌道４６を、マスク基
板の公転中心を中心とする円軌道から偏心させている。
【００６９】上記で示したように、マスク基板４５ａ、
４５ｂの自転の軌道を軌道４６とするため、図に示すマ
スク基板４５ａ、４５ｂの各位置を通過しながら、Ｘ線
吸収体が成膜される。よって、例えば、マスク基板４５
ａ、４５ｂの外周端部の応力値は、マスク基板４５ａの
位置で生じる応力値ｙ1′、ｙ1″マスク基板４５ｂの位
置で生じる応力値ｙ2′、ｙ2″との平均化された値、
（ｙ1′＋ｙ1″＋ｙ2′＋ｙ2″）／４となる。よって、
上記各実施の形態の場合より、応力値がより一層均一化
されたＸ線マスクを得ることができる。又、上記各実施
の形態にて示した場合より、所望応力分布範囲Ｘを広く
設定したとしても、上記各実施の形態と同程度の精度を
確保することが可能となる。
【００７０】尚、上記で示したように、マスク基板４５
ａ、４５ｂの自転中心の軌道４６をマスク基板の公転中
心を中心とする円軌道から偏心させている例を示した
が、これに限られることなく、この軌道をマスク基板の
公転中心を中心とする円軌道としても同様に平均化され
た応力値を得ることができる。
【００７１】しかしながら実際には、スパッタ時におい
ては、スパッタされているスパッタエリアは、立体的な
ものであるため、上記で示したように自転、公転させる
場合には、上記で示した所望応力分布範囲Ｘ以外にも、
マスク基板４５ａ、４５ｂは通過することとなる。よっ
て、図２４に示すような軌道４６を採る方が、より一層
確実に応力値が平均化されることとなる。
【００７２】さらに、確実にその応力値を平均化しよう
とするためには、例えばマスク基板の偏心の周期とマス
ク基板の公転の周期との比を非整数とし、マスク基板４
５ａ、４５ｂの自転中心の軌道４６以外の軌道４７も通
過するようにすればよい。
【００７３】図２４のＸ線マスクの成膜方法にて示し
た、軌道４６、４７を実行させるためのＸ線マスクの成
膜装置を以下数例説明する。
【００７４】まず、図２５に示すように、マスク基板の
公転の回転中心を軸とする第１のギア４８と、マスク基
板の自転の回転中心を軸とする第２のギア４９とを備
え、第１のギア４８を円形に、又、第２のギア４９を非
円形にそれぞれ形成する。そして、第２のギア４９が第
１のギア４８の周囲を矢印方向に回転し、第２のギア４
９の軌道を点線矢印のように変化させることができる。
よって、図２４に示したような軌道４６を採ることがで
きる。
【００７５】他に、図２６に示すように、マスク基板の
公転の回転中心を軸とする第１のギア５０と、マスク基
板の自転の回転中心を軸とする第２のギア５１とを備
え、第１のギア５０を非円形に、又、第２のギア５１を
円形にそれぞれ形成する。そして、第２のギア５１が第
１のギア５０の周囲を矢印方向に回転し、第１のギア５
０が矢印方向に回転して、第２のギア５１の軌道を点線
矢印のように変化させることができる。よって、図２４
に示したような軌道４６を採ることができる。
【００７６】他に、図２７に示すように、マスク基板の
公転の回転中心を軸とする第１のギア５２と、マスク基
板の自転の回転中心を軸とする第２のギア５３とを備
え、第２のギア５２を円形に、又、第１のギア５３を非
円形である花形にそれぞれ形成する。そして、第２のギ
ア５３が第１のギア５２の周囲を矢印方向に回転し、第
１のギア５２が矢印方向に回転して、第２のギア５３の
軌道を点線矢印のように変化させることができる。よっ
て、図２４に示したような軌道４６を採ることができ
る。
【００７７】他に、図２８に示すように、マスク基板の
公転の回転中心を軸とする第１のギア５４と、マスク基
板の自転の回転中心を軸とする第２のギア５５とを備
え、第１のギア５４および第２のギア５５を円形にそれ
ぞれ形成する。そして、第１のギア５４の中心を実際の
第１のギア５４の中心からずらして形成する。そして、
第１のギア５４が第２のギア５５の周囲を矢印方向に回
転し、第１のギア５４が矢印方向に回転して、第２のギ
ア５５の軌道を点線矢印のように変化させることができ
る。よって、図２４に示したような軌道４６を採ること
ができる。
【００７８】又、軌道４６、４７を採るためには、これ
ら第１のギア４８、５０、５２、５４の歯数と第２のギ
ア４９、５１、５３、５５の歯数との歯数比を非整数に
形成すれば、容易に行うことが可能である。
【００７９】又、上記実施の形態４では、所望応力分布
範囲Ｘより小さい径寸法のマスク基板が所望応力分布範
囲Ｘ内で自転、公転する場合を例に示したが、これに限
られることはなく、例えば図１２にて示したような場合
でも、マスク基板の径寸法を所望応力分布範囲Ｘより小
さくし、上記実施の形態４にて示したように新たな公転
を加えることにより対応することができることは言うま
でもない。
【００８０】実施の形態５．上記実施の形態４に示した
自転軌道の偏心と同様のことが、図２９に示すような場
合でも、同様の考えにて行うことができる。まず、上記
各実施の形態と同様に所望応力分布範囲Ｘを設定し、所
望応力分布範囲Ｘより小さいマスク基板５７ａ、５７ｂ
を、マスク基板５７ａ、５７ｂの通過する範囲が所望応
力分布範囲Ｘ内となり、マスク基板５７ａ、５７ｂの自
転中心の軌道５８、５９を、マスク基板の公転中心を中
心とする円軌道から偏心させたものとして公転を行わせ
てＸ線吸収体を成膜する。
【００８１】そしてこの際、マスク基板の偏心の周期
と、マスク基板の公転の周期との比を非整数とし、マス
ク基板５７ａ、５７ｂの自転中心の軌道５８以外に軌道
５９も通過するようにしている。
【００８２】上記で示したように、マスク基板５７ａ、
５７ｂの自転の軌道を軌道５８、５９とするため、図に
示すマスク基板５７ａ、５７ｂの各位置を通過しなが
ら、Ｘ線吸収体が成膜される。よって、例えば、マスク
基板５７ａ、５７ｂの外周端部の応力値は、マスク基板
５７ａの位置で生じる応力値ｙ3′、ｙ3″マスク基板５
７ｂの位置で生じる応力値ｙ4′、ｙ4″との平均化され
た値、（ｙ3′＋ｙ3″＋ｙ4′＋ｙ4″）／４の値とな
る。よって、上記各実施の形態の場合より、応力値がよ
り一層均一化されたＸ線マスクを得ることができる。
又、上記各実施の形態にて示した場合より、所望応力分
布範囲Ｘを広く設定したとしても、上記各実施の形態と
同程度の精度を確保することが可能となる。
【００８３】尚、上記実施の形態４でも示したように、
スパッタエリアは立体的なものであるため、上記で示し
たように自転、公転させる場合には、上記で示した所望
応力分布範囲Ｘ以外も、マスク基板５７ａ、５７ｂは通
過することとなる。よって、図２９に示すような軌道５
８だけを採る場合でも、上記実施の形態２の図１４にて
示した、単に回転する場合よりは、Ｘ線マスクの応力値
の平均化を図ることができる。又、この際のＸ線マスク
の成膜装置は、上記実施の形態４にて示したものを同様
に利用することができる。
【００８４】尚、上記各実施の形態では、模擬Ｘ線吸収
体の応力分布が、圧縮応力が上昇して圧縮応力が低下す
るというものについて説明したが、スパッタの方法によ
っては、模擬Ｘ線吸収体の応力分布が、引っ張り応力が
上昇し引っ張り応力が低下すというものも存在する。こ
のような場合も上記各実施の形態を同様の実施すること
ができることは言うまでのない。
【００８５】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、マスク基板を回転させながら、ターゲットをスパ
ッタしマスク基板上にＸ線吸収体を形成するＸ線マスク
の成膜方法において、まず、マスク基板に替えて模擬マ
スク基板を設け、この模擬マスク基板上のスパッタ可能
範囲に模擬Ｘ線吸収体を成膜し、模擬Ｘ線吸収体の任意
の直線上の各位置における応力分布を測定し、応力分布
の、模擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力の変化する部
分の内、直線特性のよい箇所を所望応力分布範囲として
設定し、所望応力分布範囲の中心を回転の中心とし、マ
スク基板を所望応力分布範囲内に設置し、Ｘ線吸収体を
成膜するので、応力値を平均化することのできるＸ線マ
スクの成膜方法を提供することが可能となる。
【００８６】又、この発明の請求項２によれば、マスク
基板を自転および公転させながら、ターゲットをスパッ
タしマスク基板上にＸ線吸収体を形成するＸ線マスクの
成膜方法において、まず、マスク基板に替えて模擬マス
ク基板を設け、この模擬マスク基板上のスパッタ可能範
囲に模擬Ｘ線吸収体を成膜し、模擬Ｘ線吸収体の任意の
直線上の各位置における応力分布を測定し、応力分布
の、模擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力の変化する部
分の内、直線特性のよい箇所を所望応力分布範囲として
設定し、所望応力分布範囲の中心をマスク基板の自転の
中心が通過するようにマスク基板を公転させ、マスク基
板が所望応力分布範囲内を通過するように設置し、Ｘ線
吸収体を成膜するので、応力値を平均化し、且つ、生産
性のよいＸ線マスクの成膜方法を提供することが可能と
なる。
【００８７】又、この発明の請求項３によれば、マスク
基板を回転させながら、ターゲットをスパッタしマスク
基板上にＸ線吸収体を形成するＸ線マスクの成膜方法に
おいて、まず、マスク基板に替えて模擬マスク基板を設
け、この模擬マスク基板上のスパッタ可能範囲に模擬Ｘ
線吸収体を成膜し、模擬Ｘ線吸収体の任意の直線上の各
位置における応力分布を測定し、応力分布の、模擬Ｘ線
吸収体の外周に向かって応力の変化する部分の内、直線
特性のよい箇所を所望応力分布範囲として設定し、マス
ク基板を所望応力分布範囲より小さいものとして、所望
応力分布範囲内にて公転且つ自転させながらマスク基板
上にＸ線吸収体を成膜するので、応力値を平均化するこ
とのできるＸ線マスクの成膜方法を提供することが可能
となる。
【００８８】又、この発明の請求項４によれば、請求項
３において、マスク基板の自転中心の軌道を、マスク基
板の公転中心を中心とする円軌道から偏心させるので、
応力値を一層平均化することができるＸ線マスクの成膜
方法を提供することが可能となる。
【００８９】又、この発明の請求項５によれば、マスク
基板を自転および公転させながら、ターゲットをスパッ
タしマスク基板上にＸ線吸収体を形成するＸ線マスクの
成膜方法において、まず、マスク基板に替えて模擬マス
ク基板を設け、この模擬マスク基板上のスパッタ可能範
囲に模擬Ｘ線吸収体を成膜し、模擬Ｘ線吸収体の任意の
直線上の各位置における応力分布を測定し、応力分布
の、模擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力の変化する部
分の内、直線特性のよい箇所を所望応力分布範囲として
設定し、マスク基板が所望応力分布範囲より小さいマス
ク基板を、マスク基板の通過する範囲が所望応力分布範
囲内となり、マスク基板の自転中心の軌道を、マスク基
板の公転中心を中心とする円軌道から偏心させるものと
して公転を行いＸ線吸収体を成膜するので、応力値を平
均化することのできるＸ線マスクの成膜方法を提供する
ことが可能となる。
【００９０】又、この発明の請求項６によれば、請求項
４または請求項５において、マスク基板の偏心の周期
と、マスク基板の公転の周期との比が非整数となるの
で、応力値を確実に平均化することができるＸ線マスク
の成膜方法を提供することが可能となる。
【００９１】又、この発明の請求項７によれば、請求項
１ないし請求項６のいずれかにおいて、ターゲットの面
と模擬マスク基板の面とを所定の角度傾けた位置関係に
設置し、模擬マスク基板上に模擬Ｘ線吸収体を成膜する
とともに、マスク基板とターゲットとを位置関係に設定
してマスク基板上にＸ線吸収体を成膜するので、広範囲
にてＸ線吸収体を形成することができるＸ線マスクの成
膜方法を提供することが可能となる。
【００９２】又、この発明の請求項８によれば、請求項
１ないし請求項７のいずれかにおいて、スパッタ可能範
囲の中心にて模擬マスク基板を回転させながら模擬Ｘ線
吸収体を成膜するので、応力値の平均化を精度よく行う
ことができるＸ線マスクの成膜方法を提供することが可
能となる。
【００９３】又、この発明の請求項９によれば、請求項
１ないし請求項８のいずれかにおいて、模擬Ｘ線吸収体
を通過する任意の直線を、模擬Ｘ線吸収体の中心を通過
する直線に設定するので、応力値の平均化を精度よく行
うことができるＸ線マスクの成膜方法を提供することが
可能となる。
【００９４】又、この発明の請求項１０によれば、請求
項９において、応力分布が直線の中心から対称に、模擬
Ｘ線吸収体の外周に向かって応力が変化し、所望応力分
布範囲を中心から対称となる２カ所に設定する場合、直
線の中心をマスク基板の公転の中心として設定し、所望
応力分布範囲の中心にてマスク基板の自転を行いＸ線吸
収体を成膜するので、生産性のよいＸ線マスクの成膜方
法を提供することが可能となる。
【００９５】又、この発明の請求項１１によれば、請求
項１ないし請求項１０のいずれかにおいて、模擬Ｘ線吸
収体の任意の直線上の各位置における膜厚値を測定し、
膜厚値に各位置における応力値を乗じた値を応力分布と
するので、応力値の平均化を精度よく行うことができる
Ｘ線マスクの成膜方法を提供することが可能となる。
【００９６】又、この発明の請求項１２によれば、請求
項１ないし請求項１１のいずれかにおいて、所望応力分
布範囲は、所望応力分布範囲の一端の応力値と他端の応
力値とを直線にて結んで得られる直線特性と、直線特性
と所望応力分布範囲内の応力分布との応力の偏差を５０
ＭＰａ以下としたので、応力値の平均化を精度よく行う
ことができるＸ線マスクの成膜方法を提供することが可
能となる。
【００９７】又、この発明の請求項１３によれば、請求
項１ないし請求項１１のいずれかにおいて、所望応力分
布範囲は、所望応力分布範囲の一端の応力値と他端の応
力値とを直線にて結んで得られる直線特性と、直線特性
と所望応力分布範囲内の応力分布とが交差する交差点を
有する際、直線特性と所望応力分布範囲内の応力分布と
の応力の偏差を１００ＭＰａ以下としたので、応力値の
平均化を精度よく行うことができるＸ線マスクの成膜方
法を提供することが可能となる。
【００９８】又、この発明の請求項１４によれば、請求
項１ないし請求項１３のいずれかに記載の、Ｘ線マスク
の成膜方法において、マスク基板の中心とターゲットの
中心との中心間の水平距離および垂直距離の距離関係を
変更する事のできる機構を備えたので、マスク基板とタ
ーゲットとの相対位置関係を適宜に変更することのでき
るＸ線マスクの成膜装置を提供することが可能となる。
【００９９】又、この発明の請求項１５によれば、請求
項１ないし請求項１３のいずれかに記載のＸ線マスクの
成膜方法において、マスク基板を自転、且つ、公転させ
ながら成膜する場合、マスク基板の自転と公転との中心
間距離を変更する事のできる機構を備えたので、マスク
基板の自転と公転との中心距離を適宜に変更することの
できるＸ線マスクの成膜装置を提供することが可能とな
る。
【０１００】又、この発明の請求項１６によれば、請求
項１５において、マスク基板の公転の回転中心を軸とす
る第１のギアと、マスク基板の自転の回転中心を軸とす
る第２のギアとの間に少なくとも１個の第３のギアを介
在させ、第３のギアを介して、第１のギアの中心と第２
のギアの中心との中心間距離を変更することにより、マ
スク基板の自転と公転との中心間距離を変更する事ので
きる機構を備えたので、マスク基板の自転と公転との中
心距離を確実に変更することのできるＸ線マスクの成膜
装置を提供することが可能となる。
【０１０１】又、この発明の請求項１７によれば、請求
項１５において、マスク基板の公転の回転中心を軸とす
る第１のギアと、マスク基板の自転の回転中心を軸とす
る第２のギアと、第１のギアに噛合する第３のギアと、
第３のギアおよび第２のギアを連結するベルトとを備
え、第３のギアおよびベルトを介して、第１のギアの中
心と第２のギアの中心との中心間距離を変更することに
より、マスク基板の自転と公転との中心間距離を変更す
る事のできる機構を備えたので、マスク基板の自転と公
転との中心距離をより一層広範囲にて変更することので
きるＸ線マスクの成膜装置を提供することが可能とな
る。
【０１０２】又、この発明の請求項１８によれば、請求
項１５において、マスク基板の公転の回転中心を軸とす
る第１のギアと、マスク基板の自転の回転中心を軸とす
る第２のギアとを少なくとも１本のベルトで連結させ、
ベルトを伸縮することにより、第１のギアの中心と第２
のギアの中心との中心間距離を変更することにより、マ
スク基板の自転と公転との中心間距離を変更する事ので
きる機構を備えたので、マスク基板の自転と公転との中
心距離をより一層広範囲にて変更することのできるＸ線
マスクの成膜装置を提供することが可能となる。
【０１０３】又、この発明の請求項１９によれば、請求
項７ないし請求項１３のいずれかに記載のＸ線マスクの
成膜方法において、マスク基板の面と、ターゲットの面
とを所定の角度傾けた位置関係にて設定することのでき
る機構を備えたので、マスク基板とターゲットとの傾き
を適宜に変更することのできるＸ線マスクの成膜装置を
提供することが可能となる。
【０１０４】又、この発明の請求項２０によれば、請求
項４ないし請求項６のいずれかに記載のＸ線マスクの成
膜方法において、マスク基板の公転の回転中心を軸とす
る第１のギアもしくはマスク基板の自転の回転中心を軸
とする第２のギアの少なくとも一方が非円形ギア、もし
くは、偏心軸ギアにて形成されているので、マスク基板
の自転中心の軌道をマスク基板の公転中心を中心とする
円軌道から偏心させることができるＸ線マスクの成膜装
置を提供することが可能となる。
【０１０５】又、この発明の請求項２１によれば、請求
項２０において、マスク基板の偏心の周期と、マスク基
板の公転の周期との比が非整数となるように、第１のギ
アの歯数と、第２のギアの歯数との歯数比が非整数にて
形成されているマスク基板の偏心とマスク基板の公転と
をずらして行うことができるＸ線マスクの成膜装置を提
供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成膜
方法を示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成膜
方法を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成膜
方法を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成膜
方法を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成膜
装置の構成を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成膜
装置の構成を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成膜
方法を示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成膜
装置の構成を示す図である。
【図９】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成膜
装置の構成を示す図である。
【図１０】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成
膜方法を示す図である。
【図１１】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図１２】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成
膜方法を示す図である。
【図１３】 この発明の実施の形態１のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図１４】 この発明の実施の形態２のＸ線マスクの成
膜方法を示す図である。
【図１５】 この発明の実施の形態２のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図１６】 この発明の実施の形態２のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図１７】 この発明の実施の形態２のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図１８】 この発明の実施の形態２のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図１９】 この発明の実施の形態３のＸ線マスクの成
膜方法を示す図である。
【図２０】 この発明の実施の形態３のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図２１】 この発明の実施の形態３のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図２２】 この発明の実施の形態３のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図２３】 この発明の実施の形態３のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図２４】 この発明の実施の形態４のＸ線マスクの成
膜方法を示す図である。
【図２５】 この発明の実施の形態４のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図２６】 この発明の実施の形態４のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図２７】 この発明の実施の形態４のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図２８】 この発明の実施の形態４のＸ線マスクの成
膜装置の構成を示す図である。
【図２９】 この発明の実施の形態４のＸ線マスクの成
膜方法を示す図である。
【図３０】 従来のＸ線マスクの成膜方法を示す図であ
る。
【図３１】 従来のＸ線マスクの成膜装置の構成を示す
図である。
【図３２】 従来のＸ線マスクの成膜方法を示す図であ
る。
【符号の説明】
３，３ａ，３２，３３，３４ ターゲット、４ 磁石、
５ 模擬マスク基板、６，６ａ，６ｂ 模擬Ｘ線吸収
体、７，７ａ，７ａ′，７ｂ，７ｂ′，７ｃ，７ｃ′，
１１ａ，１１ｂ，１１ｂ，１１ｄ，１３ａ，１３ｂ，１
３ｂ，１３ｄ，１５ａ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｄ，３
５，３８ａ，３８ａ′，３８ｂ，３８ｂ′，３８ｃ，３
８ｃ′，４０ａ，４０ｂ，４２ａ，４２ｂ，４５ａ，４
５ｂ，５７ａ，５７ｂ マスク基板、８，８ａ，８
ａ′，８ｂ，８ｂ′，８ｃ，８ｃ′，３６，３９ａ，３
９ａ′，３９ｂ，３９ｂ′，３９ｃ，３９ｃ′ 基板ホ
ルダ、９ａ，９ｂ，９ｃ，３７ａ，３７ｂ，３７ｃ キ
ャリア、１０，１２，１６，１７，４１，４４，５６
公転パレット、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，４３
ａ，４３ｂ 自転パレット、１８，２１，２４，２８，
４８，５０，５２，５４ 第１のギア、１９ａ，１９
ｂ，１９ｃ，２２，２２ａ，２２ｂ，２５，２５ａ，２
５ｂ，２９，２９ａ，２９ｂ，４９，５１，５３，５５
第２のギア、２０，２６ 第３のギア、２３，２７，
３０ ベルト、３１ プーリ、４６，４７，５８，５９
軌道、所望応力分布範囲Ｘ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡村 将光 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (72)発明者 佐々木 圭 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−78754（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94395（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−330865（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−275498（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16

Claims (21)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マスク基板を回転させながら、ターゲッ
    トをスパッタし上記マスク基板上にＸ線吸収体を形成す
    るＸ線マスクの成膜方法において、まず、上記マスク基
    板に替えて模擬マスク基板を設け、この模擬マスク基板
    上の上記スパッタ可能範囲に模擬Ｘ線吸収体を成膜する
    工程と、上記模擬Ｘ線吸収体の任意の直線上の各位置に
    おける応力分布を測定する工程と、上記応力分布の、上
    記模擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力の変化する部分
    の内、直線特性のよい箇所を所望応力分布範囲として設
    定する工程と、上記所望応力分布範囲の中心を上記回転
    の中心とし、上記マスク基板を上記所望応力分布範囲内
    に設置し、上記Ｘ線吸収体を成膜する工程とを備えたこ
    とを特徴とするＸ線マスクの成膜方法。
  2. 【請求項２】 マスク基板を自転および公転させなが
    ら、ターゲットをスパッタし上記マスク基板上にＸ線吸
    収体を形成するＸ線マスクの成膜方法において、まず、
    上記マスク基板に替えて模擬マスク基板を設け、この模
    擬マスク基板上の上記スパッタ可能範囲に模擬Ｘ線吸収
    体を成膜する工程と、上記模擬Ｘ線吸収体の任意の直線
    上の各位置における応力分布を測定する工程と、上記応
    力分布の、上記模擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力の
    変化する部分の内、直線特性のよい箇所を所望応力分布
    範囲として設定する工程と、上記所望応力分布範囲の中
    心を上記マスク基板の上記自転の中心が通過するように
    上記マスク基板を公転させ、上記マスク基板が上記所望
    応力分布範囲内を通過するように設置し、上記Ｘ線吸収
    体を成膜する工程とを備えたことを特徴とするＸ線マス
    クの成膜方法。
  3. 【請求項３】 マスク基板を回転させながら、ターゲッ
    トをスパッタし上記マスク基板上にＸ線吸収体を形成す
    るＸ線マスクの成膜方法において、まず、上記マスク基
    板に替えて模擬マスク基板を設け、この模擬マスク基板
    上の上記スパッタ可能範囲に模擬Ｘ線吸収体を成膜する
    工程と、上記模擬Ｘ線吸収体の任意の直線上の各位置に
    おける応力分布を測定する工程と、上記応力分布の、上
    記模擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力の変化する部分
    の内、直線特性のよい箇所を所望応力分布範囲として設
    定する工程と、上記マスク基板を上記所望応力分布範囲
    より小さいものとして、上記所望応力分布範囲内にて公
    転且つ自転させながら上記マスク基板上にＸ線吸収体を
    成膜する工程とを備えたことを特徴とするＸ線マスクの
    成膜方法。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載のＸ線マスクの成膜方法
    において、マスク基板の自転中心の軌道を、上記マスク
    基板の公転中心を中心とする円軌道から偏心させるもの
    とすることを特徴とするＸ線マスクの成膜方法。
  5. 【請求項５】 マスク基板を自転および公転させなが
    ら、ターゲットをスパッタし上記マスク基板上にＸ線吸
    収体を形成するＸ線マスクの成膜方法において、まず、
    上記マスク基板に替えて模擬マスク基板を設け、この模
    擬マスク基板上の上記スパッタ可能範囲に模擬Ｘ線吸収
    体を成膜する工程と、上記模擬Ｘ線吸収体の任意の直線
    上の各位置における応力分布を測定する工程と、上記応
    力分布の、上記模擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力の
    変化する部分の内、直線特性のよい箇所を所望応力分布
    範囲として設定する工程と、上記マスク基板が上記所望
    応力分布範囲より小さい上記マスク基板を、上記マスク
    基板の通過する範囲が上記所望応力分布範囲内となり、
    上記マスク基板の自転中心の軌道を、上記マスク基板の
    公転中心を中心とする円軌道から偏心させるものとして
    上記公転を行い上記Ｘ線吸収体を成膜する工程とを備え
    たことを特徴とするＸ線マスクの成膜方法。
  6. 【請求項６】 請求項４または請求項５に記載のＸ線マ
    スクの成膜方法において、マスク基板の偏心の周期と、
    上記マスク基板の公転の周期との比が非整数となること
    を特徴とするＸ線マスクの成膜方法。
  7. 【請求項７】 ターゲットの面と模擬マスク基板の面と
    を所定の角度傾けた位置関係に設置し、上記模擬マスク
    基板上に模擬Ｘ線吸収体を成膜するとともに、マスク基
    板と上記ターゲットとを上記位置関係に設定して上記マ
    スク基板上にＸ線吸収体を成膜することを特徴とする請
    求項１ないし請求項６のいずれかに記載のＸ線マスクの
    成膜方法。
  8. 【請求項８】 請求項１ないし請求項７のいずれかに記
    載のＸ線マスクの成膜方法において、スパッタ可能範囲
    の中心にて模擬マスク基板を回転させながら模擬Ｘ線吸
    収体を成膜することを特徴とするＸ線マスクの成膜方
    法。
  9. 【請求項９】 請求項１ないし請求項８のいずれかに記
    載のＸ線マスクの成膜方法において、模擬Ｘ線吸収体を
    通過する任意の直線を、上記模擬Ｘ線吸収体の中心を通
    過する直線に設定することを特徴とするＸ線マスクの成
    膜方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載のＸ線マスクの成膜方
    法において、応力分布が上記直線の中心から対称に、模
    擬Ｘ線吸収体の外周に向かって応力が変化し、所望応力
    分布範囲を上記中心から対称となる２カ所に設定する場
    合、上記直線の中心をマスク基板の公転の中心として設
    定し、上記所望応力分布範囲の中心にて上記マスク基板
    の自転を行いＸ線吸収体を成膜することを特徴とするＸ
    線マスクの成膜方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１ないし請求項１０のいずれか
    に記載のＸ線マスクの成膜方法において、模擬Ｘ線吸収
    体の任意の直線上の各位置における膜厚値を測定し、上
    記膜厚値に上記各位置における応力値を乗じた値を応力
    分布とすることを特徴とするＸ線マスクの成膜方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１ないし請求項１１のいずれか
    に記載の所望応力分布範囲は、上記所望応力分布範囲の
    一端の応力値と他端の応力値とを直線にて結んで得られ
    る直線特性と、上記直線特性と上記所望応力分布範囲内
    の応力分布との応力の偏差を５０ＭＰａ以下としたこと
    を特徴とするＸ線マスクの成膜方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１ないし請求項１１のいずれか
    に記載の所望応力分布範囲は、上記所望応力分布範囲の
    一端の応力値と他端の応力値とを直線にて結んで得られ
    る直線特性と、上記直線特性と上記所望応力分布範囲内
    の応力分布とが交差する交差点を有する際、上記直線特
    性と上記所望応力分布範囲内の応力分布との応力の偏差
    を１００ＭＰａ以下としたことを特徴とするＸ線マスク
    の成膜方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１ないし請求項１３のいずれか
    に記載のＸ線マスクの成膜方法におけるＸ線マスクの成
    膜装置において、マスク基板の中心とターゲットの中心
    との中心間の水平距離および垂直距離の距離関係を変更
    する事のできる機構を備えたことを特徴するＸ線マスク
    の成膜装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１ないし請求項１３のいずれか
    に記載のＸ線マスクの成膜方法においてマスク基板を自
    転、且つ、公転させながら成膜する場合のＸ線マスクの
    成膜装置において、上記マスク基板の自転と公転との中
    心間距離を変更する事のできる機構を備えたことを特徴
    とするＸ線マスクの成膜装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載のＸ線マスクの成膜
    装置において、マスク基板の公転の回転中心を軸とする
    第１のギアと、上記マスク基板の自転の回転中心を軸と
    する第２のギアとの間に少なくとも１個の第３のギアを
    介在させ、上記第３のギアを介して、上記第１のギアの
    中心と上記第２のギアの中心との中心間距離を変更する
    ことにより、上記マスク基板の自転と公転との中心間距
    離を変更する事のできる機構を備えたことを特徴とする
    Ｘ線マスクの成膜装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１５に記載のＸ線マスクの成膜
    装置において、マスク基板の公転の回転中心を軸とする
    第１のギアと、上記マスク基板の自転の回転中心を軸と
    する第２のギアと、上記第１のギアに噛合する第３のギ
    アと、上記第３のギアおよび上記第２のギアを連結する
    ベルトとを備え、上記第３のギアおよび上記ベルトを介
    して、上記第１のギアの中心と上記第２のギアの中心と
    の中心間距離を変更することにより、上記マスク基板の
    自転と公転との中心間距離を変更する事のできる機構を
    備えたことを特徴とするＸ線マスクの成膜装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１５に記載のＸ線マスクの成膜
    装置において、マスク基板の公転の回転中心を軸とする
    第１のギアと、上記マスク基板の自転の回転中心を軸と
    する第２のギアとを少なくとも１本のベルトで連結さ
    せ、上記ベルトを伸縮することにより、上記第１のギア
    の中心と上記第２のギアの中心との中心間距離を変更す
    ることにより、上記マスク基板の自転と公転との中心間
    距離を変更する事のできる機構を備えたことを特徴とす
    るＸ線マスク用の成膜装置。
  19. 【請求項１９】 請求項７ないし請求項１３のいずれか
    に記載のＸ線マスクの成膜方法におけるＸ線マスクの成
    膜装置において、マスク基板の面と、ターゲットの面と
    を所定の角度傾けた位置関係にて設定することのできる
    機構を備えたことを特徴するＸ線マスクの成膜装置。
  20. 【請求項２０】 請求項４ないし請求項６のいずれかに
    記載のＸ線マスクの成膜方法におけるＸ線吸収体の成膜
    装置において、マスク基板の公転の回転中心を軸とする
    第１のギアもしくは上記マスク基板の自転の回転中心を
    軸とする第２のギアの少なくとも一方が非円形ギア、も
    しくは、偏心軸ギアにて形成されていることを特徴とす
    るＸ線マスクの成膜装置。
  21. 【請求項２１】 請求項２０に記載のＸ線マスクの成膜
    装置において、マスク基板の偏心の周期と、上記マスク
    基板の公転の周期との比が非整数となるように、第１の
    ギアの歯数と、第２のギアの歯数との歯数比が非整数に
    て形成されていることを特徴とするＸ線マスクの成膜装
    置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6162564A (en) * 1997-11-25 2000-12-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask blank and method of producing mask
JP2002090978A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置
DE102007023034B4 (de) * 2007-02-23 2010-11-04 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg Dummy-Rohling und Verfahren zum Bestimmen einer Rohlingschicht

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0244496B1 (de) * 1986-05-06 1991-01-16 Ibm Deutschland Gmbh Maske für die Ionen-, Elektronen- oder Röntgenstrahllithographie und Verfahren zur ihrer Herstellung
JP3833274B2 (ja) * 1993-06-10 2006-10-11 三菱電機株式会社 Ｘ線マスクの製造方法
US5677090A (en) * 1995-02-23 1997-10-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making X-ray mask having reduced stress

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