JP3293585B2 - 移相器 - Google Patents

移相器

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JP3293585B2 JP05933099A JP5933099A JP3293585B2 JP 3293585 B2 JP3293585 B2 JP 3293585B2 JP 05933099 A JP05933099 A JP 05933099A JP 5933099 A JP5933099 A JP 5933099A JP 3293585 B2 JP3293585 B2 JP 3293585B2
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/18Phase-shifters
    • H01P1/185Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/18Phase-shifters
    • H01P1/184Strip line phase-shifters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/16Networks for phase shifting
    • H03H11/20Two-port phase shifters providing an adjustable phase shift

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、移相器に関し、特
にマイクロ波帯およびミリ波帯におけるディジタル移相
器であって、例えばフェーズドアレイアンテナの位相制
御に使用されるものである。
【0002】
【従来の技術】通常、フェーズドアレイアンテナに用い
られるディジタル移相器は、位相差が異なる(例えば1
80゜,90゜,45゜,22.5゜,…)複数の移相
器を、縦続接続することにより、複数ビットの位相を実
現している。図17は、従来の4ビットの移相器を示す
ブロック図である。同図に示すように、縦続接続された
180゜,90゜,45゜,22.5゜の4つの移相器
を備え、全体で0°〜337.5°の位相変化を実現す
ることができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例では、各ビットの移相器間に互いに干渉しな
い程度の空間が必要となるため、移相器全体が大きくな
ってしまうという問題がある。本発明は、このような課
題を解決するためのものであり、従来よりも小型の移相
器を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る移相器は、高周波信号をデジタ
ル的に移相する移相器において、第1の伝送線路(4)
と、この第1の伝送線路の一端に接続された第1の可変
長伝送線路(伝送線路1の一部+伝送線路5)と、上記
第1の伝送線路の他端に接続された第2の可変長伝送線
路(伝送線路2の一部+伝送線路6)と、上記第1の伝
送線路の上記一端に接続された電気長が180°の第2
の伝送線路(伝送線路1の一部)とを備え、上記第1の
伝送線路の両端で、上記第1および第2の可変長伝送線
路の線路長を切り換えることにより移相する第1の移相
手段と、第3の伝送線路(3)と、この第3の伝送線路
の一端に接続された上記第2の伝送線路および上記第1
の可変長伝送線路からなる直列回路と、上記第3の伝送
線路の他端に接続された上記第2の可変長伝送線路とを
備え、上記第3の伝送線路の両端で、上記第1および第
2の可変長伝送線路の線路長を切り換えることにより移
相する第2の移相手段と、上記第1の移相手段と上記第
2の移相手段とを切り換える切り換え手段(スイッチS
Wa、SWb、SWc、SWd)とを備える。
【0005】一方、本発明に係るその他の移相器は、高
周波信号をデジタル的に移相する移相器において、第1
の伝送線路(14)と、この第1の伝送線路の一端に接
続された第1の可変長伝送線路(15、17)と、上記
第1の伝送線路の他端に接続された第2の可変長伝送線
路(16、18)と、上記第1の伝送線路の上記一端に
接続された電気長が180°の第2の伝送線路(13)
とを備え、上記第1の伝送線路の両端で、上記第1およ
び第2の可変長伝送線路の線路長を切り換えることによ
り移相する第1の移相手段と、上記第1の伝送線路と、
この第1の伝送線路の一端に接続された上記第2の伝送
線路および上記第1の可変長伝送線路からなる直列回路
と、上記第1の伝送線路の他端に接続された上記第2の
可変長伝送線路とを備え、上記第1の伝送線路の両端
で、上記第1および第2の可変長伝送線路の線路長を切
り換えることにより移相する第2の移相手段と、上記第
1の移相手段と上記第2の移相手段とを切り換える切り
換え手段(スイッチSWg、SWh)とを備える。
【0006】また、上記第1および第2の可変長伝送線
路は、それぞれ第4の伝送線路と先端が開放された第5
の伝送線路との間に、第1のスイッチが接続されていて
もよい。また、上記第1および第2の可変長伝送線路
は、それぞれ第4の伝送線路と先端が開放された第5の
伝送線路との間に、一端が接地された第1のスイッチが
接続されていてもよい。
【0007】また、上記第1および第2の可変長伝送線
路は、それぞれ第4の伝送線路と先端が接地された第5
の伝送線路との間に、第1のスイッチが接続されていて
もよい。また、上記第1および第2の可変長伝送線路
は、それぞれ第4の伝送線路と先端が接地された第5の
伝送線路との間に、一端が接地された第1のスイッチが
接続されていてもよい。また、上記移相器は、さらに上
記第1の伝送線路の一端と上記第2の伝送線路の一端と
に、信号入出力用の第6および第7の伝送線路を備えて
いてもよい。
【0008】また、上記第1および第2の可変長伝送線
路の電気長は、上記第1のスイッチがオフのときに−α
/2+n1 ×180°、上記第1のスイッチがオンのと
きにα/2+n2 ×180°(α=2tan-1{ZS
0tan(Δφ/2)},Z S は上記第1および第2
の可変長伝送線路の特性インピーダンス、Z0 は第6お
よび第7の伝送線路の特性インピーダンス、Δφは移相
量,n1およびn2は任意整数)であってもよい。また、
上記第1および第2の可変長伝送線路の電気長は、上記
第1のスイッチがオフのときにα/2、上記第1のスイ
ッチがオンのときに−α/2+180°(α=2tan
-1{ZS/Z0tan(Δφ/2)},ZS は上記第1お
よび第2の可変長伝送線路の特性インピーダンス、Z0
は第6および第7の伝送線路の特性インピーダンス、Δ
φは移相量)であってもよい。
【0009】また、上記第1の伝送線路の電気長は90
°であってもよいし、上記第3の伝送線路の電気長は9
0°であってもよい。また、上記切り換え手段は、上記
第1の伝送線路の両端に接続された第2および第3のス
イッチと、上記第3の伝送線路の両端に接続された第4
および第5のスイッチとによって構成され、上記スイッ
チを連動して切り換えることにより、上記第1または第
3の伝送線路を選択的に上記第2の伝送線路に接続する
手段であってもよい。また、上記切り換え手段は、上記
第1の伝送線路の一端と上記第2の伝送線路の両端との
間に接続された第6および第7のスイッチによって構成
され、上記第1の伝送線路を選択的に上記第2の伝送線
路の両端の何れか一方に接続する手段であってもよい。
【0010】また、上記伝送線路は、マイクロストリッ
プライン、スロットライン、コプレーナーライン、また
は、同軸線路の何れかであってもよい。また、上記スイ
ッチは、PINダイオード、FET、または、マイクロ
マシンスイッチの何れかであってもよい。また、上記移
相器は、直角に折り曲げられて誘電体基板上に実装され
ていてもよい。
【0011】このように構成することにより本発明は、
従来よりも小型の移相器を実現することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図を用いて説明する。
【0013】[第1の実施の形態]図1は、本発明の第
1の実施の形態を示す平面図である。同図に示すよう
に、誘電体基板(図示せず)上には、L字型の伝送線路
1と、この伝送線路1と平行に配設されかつL字型の伝
送線路2と、伝送線路1,2と直交する伝送線路3,4
と、伝送線路5,6とが配設されている。伝送線路5,
6は、その末端が接地等に接続されておらず、いわゆる
オープン・スタブと呼ばれるものである。なお、これら
伝送線路の長さは、電気的位相長(例えば、180°が
1/2波長に相当する)で表記され、伝送線路の具体例
としては、マイクロストリップライン、スロットライ
ン、コプレーナーライン、同軸線路等が使用される。こ
こではマイクロストリップラインを用いている。
【0014】また、伝送線路1と伝送線路3との間に
は、スイッチSWaが配設されている。伝送線路3と伝
送線路2との間には、スイッチSWbが配設されてい
る。伝送線路2と伝送線路4との間には、スイッチSW
cが配設されている。伝送線路4と伝送線路1との間に
は、スイッチSWdが配設されている。伝送線路1と伝
送線路5との間には、スイッチSWeが配設されてい
る。伝送線路2と伝送線路6との間には、スイッチSW
fが配設されている。これらスイッチSWa〜SWf
は、所定の制御信号を印加することによって開閉を切り
換えることができる。スイッチSW〜SWfの具体例と
しては、伝送線路にマイクロストリップラインを用いる
場合、PINダイオード、FET、マイクロマシンスイ
ッチ等が利用される。
【0015】また、伝送線路1の一部(電気長で180
°の線路)と、伝送線路3,4と、スイッチSWa,S
Wb,SWcおよびSWdとは、切換線路部7を構成し
ている。同様に、伝送線路1の一部と、伝送線路5,6
と、スイッチSWeおよびSWfとは、装荷線路部8を
構成している。
【0016】このように本実施の形態は、移相量が18
0°のスイッチドライン型移相器(切換線路部7)と、
任意移相量(Δφ)のローデッドライン型移相器(装荷
線路部8)とを組み合わせたような構造を有し、それぞ
れを独立した移相器として動作させることが特徴であ
る。したがって、高周波の入力信号9は、切換線路部7
において180°の位相調整が行われ、さらに装荷線路
部8において任意移相量(Δφ)の位相調整が行われて
から、出力信号10として出力される。
【0017】次に、図1に係る移相器の動作原理につい
て説明する。図2は、一般的なローデッドライン型移相
器の回路構成を示す。同図に示すように、この回路は伝
送線路20に接続された2個の伝送線路21によって構
成されている。伝送線路21のリアクタンスはともにX
i であり、その間の伝送線路20は任意の電気長を持っ
た伝送線路である。なお、以下の説明では伝送損失が最
も少ない電気長として90°を用いて説明する。i=
1,2は2つの状態を示し、リアクタンスXiおよび特
性インピーダンスZCは以下の式で与えられる。 ZC = Z0 cos( Δφ/2) (1) X1 = Z0 cot( Δφ/2) (2) X2 = Z0 cot(−Δφ/2) (3) ここで、Z0 は伝送線路20の特性インピーダンスを示
す。
【0018】また、オープン・スタブのリアクタンスX
i は、その長さθi によって以下のように与えられる。 X1 = −Zs cot(θ1 ) (4) X2 = −Zs cot(θ2 ) (5) ここで、Zs はオープン・スタブである伝送線路21の
特性インピーダンスを示す。
【0019】したがって、式(2)〜(5)を解くこと
により、各状態におけるオープン・スタブの長さθ1
θ2を求めることができ、 θ1 = −α/2+n1×180° , (8) θ2 = α/2+n2×180° , (9) α = 2tan-1{Zs/Z0 tan(Δφ/2)} (10) となる。ここで、n1,2は任意整数であり、オープン
・スタブの線路長は180°の倍数であれば、左右の長
さが異なってもよい。
【0020】なお、式(8),(9)を満たすときの通
過位相φ1,φ2は、以下のとおりである。 φ1 = 90°+Δφ/2 φ2 = 90°−Δφ/2
【0021】このように、式(8),(9)を満たすよ
うにオープン・スタブの長さを調整することにより、移
相量Δφを得ることができる。上述に基づいて移相器を
構成すると図3のようになり、スイッチ22を切り換
え、伝送線路23の接続/切り離しを適宜行うことによ
り、スタブ全体の長さを可変して可変長線路としてい
る。この可変長線路は線路長を切り換えて移相量Δφを
実現する。なお、図4に示すように、θ1 =360°−
α/2,θ2 =360°+α/2でも図3と等価とな
る。さらに、図5に示すように、θ1=α/2,θ2
180°−α/2であってもよい。
【0022】次に、以上のようなローデッドライン型移
相器に、いくつかのスイッチおよび伝送線路を追加する
ことにより、図1に示した2ビット移相器を実現できる
ことについて説明する。
【0023】図6は、図1の回路構成における(a)
「状態I」、(b)「状態II」を示す説明図である。
図1の切換線路部7は、4個のスイッチSWa〜SWd
と伝送線路1,2,3,4とによって構成され、これら
スイッチSWa〜SWdを切り換えることにより、2つ
の状態を作ることができる。スイッチSWa,SWb,
SWc,SWdは、互いに連動しており、(SWa,S
Wb,SWc,SWd)=(オフ,オフ,オン,オン)
のとき「状態I」、(SWa,SWb,SWc,SW
d)=(オン,オン,オフ,オフ)のとき「状態II」
となる。このようなスイッチの切り換えにより、「状態
I」の回路は図6(a)と等価となる。同様に「状態I
I」の回路構成は図6(b)のようになる。これらの図
から明らかなように、「状態I」から「状態II」へ、
または、「状態II」から「状態I」への状態変化によ
り、180°の移相量を実現する。
【0024】一方、装荷線路部8は、2個のスイッチS
We,SWfと伝送線路1,2,5,6とによって構成
され、スイッチSWe,SWfを連動させて切り換える
ことにより、移相量Δφを実現することができる。(S
We,SWf)=(オン,オン)のとき「状態L」、
(SWe,SWf)=(オフ,オフ)のとき「状態S」
とする。装荷線路部8はローデッドライン型移相器とし
て機能し、移相量Δφを実現する。
【0025】これら「状態I」,「状態II」,「状態
L」および「状態S」は、それぞれ独立して操作するこ
とができる。したがって、図1に示した移相器は、4
(=2×2)状態(すなわち、状態IL」、「状態I
S」、「状態IIL」、「状態IIS」)を有する。
【0026】図7(a),(b)は、図6の「状態
I」,「状態II」の回路構成と等価な回路構成を示
す。図7(a)に示すように、「状態I」の回路は、Δ
φのローデッドライン型移相器に180°の線路を付加
したものと等価である。したがって、「状態I」の回路
は移相量Δφの移相器に180°の遅延を付加したもの
として機能する。したがって、通過位相φ1,φ2は、 φ1 = 90°+Δφ/2−180° φ2 = 90°−Δφ/2−180° のように表され、オープン・スタブの切り換えによる移
相量は、 Δφ = φ1−φ2 で表される。
【0027】一方、図7(b)に示すように、「状態I
I」の回路は、左右のスタブが非対称の移相器として機
能する。しかし、2個のスタブの電気長は異なるもの
の、この移相器は移相量Δφの移相器として機能する。
これは式(8),(9)に示したように、スタブの長さ
θが周期的に等価となることによる。したがって、オー
プン・スタブの切り換えによって移相量Δφを実現する
ことができ、通過位相φ 1,φ2は、 φ1 = 90°+Δφ/2 φ2 = 90°−Δφ/2 のように表され、オープン・スタブの切り換えによる移
相量は、 Δφ = φ1−φ2 で表される。このように、「状態I」と「状態II」と
の基本的な違いは、「状態I」の主線路に挿入されてい
る180°の線路の有無のみである。
【0028】次に、図1に示した移相器の動作点につい
て説明する。なお、Δφ=45°とする。図8は、図1
に係る移相器の動作点を示す説明図である。表1は、図
1に係る移相器の動作点を示す表である。図8および表
1に記載の番号(〜)は各動作点を示す。本移相器
は切換線路部7により、と、とが切り替わって
180゜の移相量が得られる。また、装荷線路部8によ
り、と、とが切換わって45゜の移相量が得ら
れる。これら切換線路部7と装荷線路部8とは、互いに
独立して動作するため、移相量が180゜,45゜の2
ビット移相器として機能する。
【0029】 なお、各欄の上段は装荷線路部8による通過位相、下段
は切換線路部7による通過位相である。
【0030】以上のように本実施の形態は、切換線路部
7と装荷線路部8とが伝送線路4等を共有する構成を採
っているため、従来の2つの移相器を縦続接続した場合
と比べ、基板占有面積を減らすことができる。また、本
移相器は全体で直角に曲がっている構造なので、基板コ
ーナーへ効率よく設置が可能である。さらに、使用する
スイッチ数は従来のものと同数で実現することができ
る。
【0031】図9は、図1に係る移相器を用いた4ビッ
トの移相器を示すブロック図である。同図に示すよう
に、180°の移相器と45°の移相器とを一つにする
ことにより占有面積は少なく済む。図10(a)は、移
相量45°のローデッドライン型移相器30および移相
量180°のスイッチドライン型移相器31を組み合わ
せた従来の2ビットの移相器を示す。図10(b)は、
180°および45°の移相量を実現する図1の移相器
である。両図を比較してわかるように、従来例において
はデッドスペースDSが生じてしまうが、本実施の形態
では生じていない。
【0032】ここで、図10(a)に示す移相器を、図
11(a)に示すように変形してもよい。このように、
スイッチドライン型移相器31の配置を変えることによ
り、入力信号と出力信号の向きを本実施の形態と同様に
することができる。しかし、その場合においても、従来
例においてはデッドスペースDSをなくすことはでき
ず、本実施の形態がレイアウト面積を小さくする上でい
かに有効かがわかる。
【0033】次に、本発明のその他の実施の形態につい
て説明する。 [第2の実施の形態]図12は、本発明の第2の実施の
形態を示す平面図である。第1の実施の形態では、切換
線路部7に4個のスイッチと2個の伝送線路3、4を用
いて切り換えていたが、本発明はこれらの構成に限るも
のではなく、2個のスイッチと1個の伝送線路を用いて
切り換える構成もできる。
【0034】第1の実施の形態と同じく、伝送線路はマ
イクロストリップライン、スロットライン、コプレーナ
ーライン、同軸線路などで実現できるが、ここではマイ
クロストリップラインを例とする。スイッチはPINダ
イオード、FET、マイクロマシンスイッチ等が利用さ
れる。また、伝送線路13(電気長180゜)とスイッ
チSWg、SWhとは、切換線路部を構成している。同
様に伝送線路15、16の一部と伝送線路17,18と
スイッチSWiおよびSWjとは、装荷線路部8を構成
している。
【0035】本実施の形態は、移相量が180゜のスイ
ッチドライン型移相器(切換線路部7)と、任意移相量
(Δφ)のローデッドライン型移相器(装荷線路部8)
とを組み合わせたような構造を有し、それぞれ独立した
移相器として動作させることが特徴である。したがっ
て、高周波の入力信号は、切換線路部7において180
゜の位相調整が行われ、さらに装荷線路部8において任
意移相量(Δφ)の位相調整が行われてから、出力信号
として出力される。
【0036】次に、図12に係る移相器の動作原理につ
いて説明する。本実施の形態では、切換線路部7は2個
のスイッチSWg、SWhと伝送線路13により構成さ
れ、これらスイッチSWg、SWhを切り換えることに
より、2つの状態を作ることができる。スイッチSW
g、SWhは連動しており、(SWg、SWh)=(オ
フ、オン)のとき「状態I」、(SWg、SWh)=
(オン、オフ)のとき、「状態II」である。これは図
6に示す第1の実施の形態の回路構成と等価であり、ス
イッチの切換により、「状態I」の回路は図6(a)と
等価になる。同様に「状態II」の回路構成は図6
(b)と等価になる。この図から明らかなように、「状
態I」から「状態II」へ、または、「状態II」から
「状態I」への状態変化により、180゜の移相量を実
現する。
【0037】一方、装荷線路部8において、2個のスイ
ッチSWi、SWjと伝送線路15、16、17、18
とによって構成され、スイッチSWi、SWjを連動し
て切り換えることにより、移相量Δφを実現することが
できる。(SWi、SWj)=(オン、オン)のとき
「状態L」、(SWi、SWj)=(オフ、オフ)のと
き「状態S」とする。第1の実施の形態と同じく、装荷
線路部8はローデッドライン型移相器として機能し、移
相量Δφを実現する。本実施の形態は、切換線路部7が
2個のスイッチと1個の伝送線路で構成できるため図1
の構成に比べてさらに移相器を小型化できる効果を有し
ている。伝送線路13の形状は、図12のように丸い形
状に限られるものではない。四角い形状等であってもよ
い。
【0038】[第3の実施の形態]図1に係る移相器で
は、装荷線路部8においてローデッドライン型移相器を
実現するため、図13(a)のようなオープン・スタブ
のリアクタンスを利用して実現されているが、装荷線路
部8において所望のリアクタンスが得られるのであれ
ば、他の方式を用いてもよい。例えば、図13(b),
図13(c)に示すように、スイッチ・オン時にショー
トスタブ、スイッチ・オフ時にオープン・スタブとなる
ようにして、それらのリアクタンスを利用して、ローデ
ッドライン型移相器を構成してもよい。また、図13
(d)に示すようにショート・スタブのリアクタンスを
利用して、ローデッドライン型移相器を構成してもよ
い。
【0039】X1,X2は、それぞれスイッチがオン,オ
フのときの点Pから右側を見たリアクタンスを示す。ち
なみに図1の例では、図13(a)に示すオープン・ス
タブの切換により、ローデッドライン型移相器を実現し
ている。なお、スタブの特性インピーダンスは必ずしも
均一である必要はなく、図14のように異なる特性イン
ピーダンスの線路を組み合わせて所望のリアクタンスを
実現してもよい。また、ローデッドライン型移相器に集
中分布素子(例えば、コイル,コンデンサ等)を使用し
ても実現可能である。
【0040】[第4の実施の形態]図15は、本発明の
第3の実施の形態を示す平面図である。図1の移相器
は、装荷線路部8においてローデッドライン型移相器を
実現し、オープン・スタブのリアクタンスを利用してい
る。図13に示す移相器は、装荷線路部8に図5に示し
た回路を適用したものである。すなわち、切換線路部7
側の線路長をα/2とすることにより、オープン・スタ
ブ全体の線路長を180°−α/2とし、図1の構成よ
りもスタブ長を短くすることができる。したがって、移
相器のさらなる小型化に貢献するものといえる。動作方
法は図1の例と同様である。
【0041】[第5の実施の形態]図16は、本発明の
第4の実施の形態を示す平面図である。同図に示すよう
に、この移相器は図1のレイアウトを若干変更したもの
であり、回路上は同一のものである。本実施の形態は、
基板のコーナーへ設置された場合に、入力側と出力側の
伝送線路が同方向に引き出されなくなるため、伝送線路
の引き回しをより効率化させることができる。動作方法
は図1の例と同様である。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、スイッチ
ドライン型移相器およびローデッドライン型移相器が、
互いに伝送線路の一部を共有しているので、180°の
移相器とΔφの移相器とを独立に動作させながらも、設
置面積を小さくすることができる。したがって、フェー
ズドアレイアンテナ等、位相を制御する装置の小型化に
効果がある。また、移相器の構造を直角に曲がったもの
にすることにより、基板のコーナーへの効率よい設置が
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態を示す平面図であ
る。
【図2】 一般的なローデッドライン型移相器を示す平
面図である。
【図3】 移相量Δφを実現するローデッドライン型移
相器を示す平面図である。
【図4】 図3と等価な回路構成を示す説明図である。
【図5】 図3と等価な回路構成を示す説明図である。
【図6】 図1に係る切換線路部7において、(a)移
相量が±α/2の「状態I」、(b)移相量が−180
°±α/2の「状態II」を示す説明図である。I
【図7】 図6に等価な回路構成、(a)「状態I」、
(b)「状態II」を示す説明図である。
【図8】 図1に係る移相器の動作点を示す説明図であ
る。
【図9】 図1に係る移相器を使った4ビット移相器を
示すブロック図である。
【図10】 (a)従来例、(b)本実施の形態におけ
るデッドスペースを比較した説明図である。
【図11】 本発明の第2の実施の形態を示す平面図で
ある。
【図12】 (a)従来例、(b)本実施の形態におけ
るデッドスペースを比較した説明図である。
【図13】 本発明の第3の実施の形態を示す説明図で
ある。
【図14】 特性インピーダンスの異なる伝送線路を組
み合わせて作ったスタブの一例を示す平面図である。
【図15】 本発明の第4の実施の形態を示す平面図で
ある。
【図16】 本発明の第5の実施の形態を示す平面図で
ある。
【図17】 従来の4ビット移相器を示すブロック図で
ある。
【符号の説明】
1,2,3,4,20,21,23…伝送線路、5,6
…スタブ、7…切換線路部、8…装荷線路部、9…入力
信号,10…出力信号,22,SWa,SWb,SW
c,SWd,SWe,SWf…スイッチ、30…ローデ
ッドライン型移相器、31…スイッチドライン型移相
器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−310901(JP,A) 特開 平5−335802(JP,A) 特開 平1−305601(JP,A) 特開 昭58−3339(JP,A) 特開 平11−330802(JP,A) 特開 平5−251903(JP,A) 特開 昭59−196603(JP,A) 実開 平5−63101(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/185

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高周波信号をデジタル的に移相する移相
    器において、 第1の伝送線路と、この第1の伝送線路の一端に接続さ
    れた第1の可変長伝送線路と、前記第1の伝送線路の他
    端に接続された第2の可変長伝送線路と、前記第1の伝
    送線路の前記一端に接続された電気長が180°の第2
    の伝送線路とを備え、前記第1の伝送線路の両端で、前
    記第1および第2の可変長伝送線路の線路長を切り換え
    ることにより移相する第1の移相手段と、 第3の伝送線路と、この第3の伝送線路の一端に接続さ
    れた前記第2の伝送線路および前記第1の可変長伝送線
    路からなる直列回路と、前記第3の伝送線路の他端に接
    続された前記第2の可変長伝送線路とを備え、前記第3
    の伝送線路の両端で、前記第1および第2の可変長伝送
    線路の線路長を切り換えることにより移相する第2の移
    相手段と、 前記第1の移相手段と前記第2の移相手段とを切り換え
    る切り換え手段とを備えたことを特徴とする移相器。
  2. 【請求項2】 高周波信号をデジタル的に移相する移相
    器において、 第1の伝送線路と、この第1の伝送線路の一端に接続さ
    れた第1の可変長伝送線路と、前記第1の伝送線路の他
    端に接続された第2の可変長伝送線路と、前記第1の伝
    送線路の前記一端に接続された電気長が180°の第2
    の伝送線路とを備え、前記第1の伝送線路の両端で、前
    記第1および第2の可変長伝送線路の線路長を切り換え
    ることにより移相する第1の移相手段と、 前記第1の伝送線路と、この第1の伝送線路の一端に接
    続された前記第2の伝送線路および前記第1の可変長伝
    送線路からなる直列回路と、前記第1の伝送線路の他端
    に接続された前記第2の可変長伝送線路とを備え、前記
    第1の伝送線路の両端で、前記第1および第2の可変長
    伝送線路の線路長を切り換えることにより移相する第2
    の移相手段と、 前記第1の移相手段と前記第2の移相手段とを切り換え
    る切り換え手段とを備えたことを特徴とする移相器。
  3. 【請求項3】 請求項1または2において、 前記第1および第2の可変長伝送線路は、それぞれ第4
    の伝送線路と先端が開放された第5の伝送線路との間
    に、第1のスイッチが接続されていることを特徴とする
    移相器。
  4. 【請求項4】 請求項1または2において、 前記第1および第2の可変長伝送線路は、それぞれ第4
    の伝送線路と先端が開放された第5の伝送線路との間
    に、一端が接地された第1のスイッチが接続されている
    ことを特徴とする移相器。
  5. 【請求項5】 請求項1または2において、 前記第1および第2の可変長伝送線路は、それぞれ第4
    の伝送線路と先端が接地された第5の伝送線路との間
    に、第1のスイッチが接続されていることを特徴とする
    移相器。
  6. 【請求項6】 請求項1または2において、 前記第1および第2の可変長伝送線路は、それぞれ第4
    の伝送線路と先端が接地された第5の伝送線路との間
    に、一端が接地された第1のスイッチが接続されている
    ことを特徴とする移相器。
  7. 【請求項7】 請求項1または2において、 前記移相器は、さらに前記第1の伝送線路の一端と前記
    第2の伝送線路の一端とに、信号入出力用の第6および
    第7の伝送線路を備えたことを特徴とする移相器。
  8. 【請求項8】 請求項7において、 前記第1および第2の可変長伝送線路の電気長は、前記
    第1のスイッチがオフのときに−α/2+n1 ×180
    °、前記第1のスイッチがオンのときにα/2+n2 ×
    180°(α=2tan-1{ZS/Z0tan(Δφ/
    2)},ZS は前記第1および第2の可変長伝送線路の
    特性インピーダンス、Z0 は第6および第7の伝送線路
    の特性インピーダンス、Δφは移相量,n1およびn2
    任意整数)であることを特徴とする移相器。
  9. 【請求項9】 請求項7において、 前記第1および第2の可変長伝送線路の電気長は、前記
    第1のスイッチがオフのときにα/2、前記第1のスイ
    ッチがオンのときに−α/2+180°(α=2tan
    -1{ZS/Z0tan(Δφ/2)},ZS は前記第1お
    よび第2の可変長伝送線路の特性インピーダンス、Z0
    は第6および第7の伝送線路の特性インピーダンス、Δ
    φは移相量)であることを特徴とする移相器。
  10. 【請求項10】請求項1において、前記第1および第3
    の伝送線路の電気長は、90°であることを特徴とする
    移相器。
  11. 【請求項11】 請求項2において、 前記第1の伝送線路の電気長は、90°であることを特
    徴とする移相器。
  12. 【請求項12】 請求項1において、 前記切り換え手段は、前記第1の伝送線路の両端に接続
    された第2および第3のスイッチと、前記第3の伝送線
    路の両端に接続された第4および第5のスイッチとによ
    って構成され、 前記スイッチを連動して切り換えることにより、前記第
    1または第3の伝送線路を選択的に前記第2の伝送線路
    に接続する手段であることを特徴とする移相器。
  13. 【請求項13】 請求項2において、 前記切り換え手段は、前記第1の伝送線路の一端と前記
    第2の伝送線路の両端との間に接続された第6および第
    7のスイッチによって構成され、 前記第1の伝送線路を選択的に前記第2の伝送線路の両
    端の何れか一方に接続する手段であることを特徴とする
    移相器。
  14. 【請求項14】 請求項1ないし13の何れか一項にお
    いて、 前記伝送線路は、マイクロストリップライン、スロット
    ライン、コプレーナーライン、または、同軸線路の何れ
    かであることを特徴とする移相器。
  15. 【請求項15】 請求項1ないし13の何れか一項にお
    いて、 前記スイッチは、PINダイオード、FET、または、
    マイクロマシンスイッチの何れかであることを特徴とす
    る移相器。
  16. 【請求項16】 請求項1において、 前記移相器は、直角に折り曲げられて誘電体基板上に実
    装されることを特徴とする移相器。
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