JP3293113B2 - フラックス残渣除去方法及びその装置 - Google Patents
フラックス残渣除去方法及びその装置Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップまたは基板導体
上に設けられた予備はんだにフラックスを塗布し、この
フラックスの粘着力でチップを基板導体上に位置決めし
てリフローするはんだ付けにおけるフラックス残渣を除
去するための方法及びその装置に関するものである。
上に設けられた予備はんだにフラックスを塗布し、この
フラックスの粘着力でチップを基板導体上に位置決めし
てリフローするはんだ付けにおけるフラックス残渣を除
去するための方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体素子のはんだ付けとして
は、フリップチップはんだ等が知られている。このはん
だ付け方法は、１）基板導体に予備はんだをメッキし、
フリップチップのバンプ側に塗布したフラックスの粘着
力でチップを位置決めしてリフローしたり、２）フリッ
プチップにはんだバンプを設け、これにフラックスを塗
布して、このフラックスの粘着力でチップを基板導体側
の電極表面に位置決めしてリフローするようになってい
る。このようなはんだ付けでは、はんだ付け後にフラッ
クスが残り、腐食が問題になる。すなわち、フラックス
を残渣を除去する作業は、はんだ付けの最終工程として
重要であり、腐食性の残留フラックスは単に部品を腐食
するばかりでなく、電気的リーク、回路の短絡、マイグ
レーション等の原因にもなるので必ず除去しなければな
らない。
は、フリップチップはんだ等が知られている。このはん
だ付け方法は、１）基板導体に予備はんだをメッキし、
フリップチップのバンプ側に塗布したフラックスの粘着
力でチップを位置決めしてリフローしたり、２）フリッ
プチップにはんだバンプを設け、これにフラックスを塗
布して、このフラックスの粘着力でチップを基板導体側
の電極表面に位置決めしてリフローするようになってい
る。このようなはんだ付けでは、はんだ付け後にフラッ
クスが残り、腐食が問題になる。すなわち、フラックス
を残渣を除去する作業は、はんだ付けの最終工程として
重要であり、腐食性の残留フラックスは単に部品を腐食
するばかりでなく、電気的リーク、回路の短絡、マイグ
レーション等の原因にもなるので必ず除去しなければな
らない。
【０００３】そこで、はんだ付け後のフラックス残渣の
除去は、色々な技術を用いて行われており、その一般的
な方法としてフロン等の有機溶剤を使用して洗浄する方
法が用いられている。
除去は、色々な技術を用いて行われており、その一般的
な方法としてフロン等の有機溶剤を使用して洗浄する方
法が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たフロン等の有機溶剤を使用して洗浄する方法では、複
雑な洗浄工程、特に取り扱いが不便とされる液体による
洗浄が必要となる。このため、洗浄設備が大がかりにな
りコストが高くなる問題点や、フロン等の環境破壊物質
を使用した場合にはオゾン層を破壊する等の環境問題が
生ずる。
たフロン等の有機溶剤を使用して洗浄する方法では、複
雑な洗浄工程、特に取り扱いが不便とされる液体による
洗浄が必要となる。このため、洗浄設備が大がかりにな
りコストが高くなる問題点や、フロン等の環境破壊物質
を使用した場合にはオゾン層を破壊する等の環境問題が
生ずる。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は環境破壊につながる有機溶剤等を
使用せずに短時間に連続してフラックス残渣の除去を簡
単に行うことができるフラックス残渣除去方法及びその
装置を提供することにある。
のであり、その目的は環境破壊につながる有機溶剤等を
使用せずに短時間に連続してフラックス残渣の除去を簡
単に行うことができるフラックス残渣除去方法及びその
装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明にあ
っては、チップまたは基板導体上に設けられた予備はん
だにフラックスを塗布し、このフラックスの粘着力で前
記チップを前記基板導体上に位置決めしてリフローする
チップのはんだ付けにおいて、はんだ付けされた部分に
プラズマを吹き付けて残渣フラックスの有機成分を酸化
分解させてガス化し、前記有機成分を除去した後に残渣
として残った無機物に気体を吹き付けて飛ばして前記残
渣フラックスを除去するようにして達成される。なお、
前記チップとしてフリップチップを用いることもでき、
好ましくは前記気体として不活性ガスを用いると良い。
っては、チップまたは基板導体上に設けられた予備はん
だにフラックスを塗布し、このフラックスの粘着力で前
記チップを前記基板導体上に位置決めしてリフローする
チップのはんだ付けにおいて、はんだ付けされた部分に
プラズマを吹き付けて残渣フラックスの有機成分を酸化
分解させてガス化し、前記有機成分を除去した後に残渣
として残った無機物に気体を吹き付けて飛ばして前記残
渣フラックスを除去するようにして達成される。なお、
前記チップとしてフリップチップを用いることもでき、
好ましくは前記気体として不活性ガスを用いると良い。
【０００７】また、この目的は、本発明にあっては、チ
ップまたは基板導体上に設けられた予備はんだにフラッ
クスを塗布し、このフラックスの粘着力で前記チップを
前記基板導体上に位置決めしてリフローするはんだ付け
のフラックス残渣除去装置において、プラズマを発生さ
せて前記はんだ付けされた部分に前記プラズマを吹き付
けて残渣フラックスの有機成分を酸化分解させてガス化
するためのプラズマ発生手段と、前記有機成分を除去し
た後に残渣として残った無機物にガスを吹き付けて飛ば
すガス発生手段とを備えて達成される。なお、前記チッ
プとしてフリップチップを用いることもできる。
ップまたは基板導体上に設けられた予備はんだにフラッ
クスを塗布し、このフラックスの粘着力で前記チップを
前記基板導体上に位置決めしてリフローするはんだ付け
のフラックス残渣除去装置において、プラズマを発生さ
せて前記はんだ付けされた部分に前記プラズマを吹き付
けて残渣フラックスの有機成分を酸化分解させてガス化
するためのプラズマ発生手段と、前記有機成分を除去し
た後に残渣として残った無機物にガスを吹き付けて飛ば
すガス発生手段とを備えて達成される。なお、前記チッ
プとしてフリップチップを用いることもできる。
【０００８】
【作用】これによれば、はんだ付けされた部分にプラズ
マを吹き付けて残渣フラックスの有機成分を酸化分解さ
せてガス化した後、この有機成分を除去した後に残渣と
して残った無機物に気体を吹き付けて飛ばすだけで簡単
に残渣フラックスを除去することができる。しかも、プ
ラズマや気体は、基板導体とチップの間の狭い隙間にも
入り込めるので、短時間できれいに洗浄されて除去され
る。また、フロン等の有機溶剤や液体を使用しての洗浄
ではないので、洗浄工程の設備が簡単で取り扱い易く、
従来の方法で問題となっていたコストの問題や、作業環
境及び地球規模での環境問題等を解決することができ
る。
マを吹き付けて残渣フラックスの有機成分を酸化分解さ
せてガス化した後、この有機成分を除去した後に残渣と
して残った無機物に気体を吹き付けて飛ばすだけで簡単
に残渣フラックスを除去することができる。しかも、プ
ラズマや気体は、基板導体とチップの間の狭い隙間にも
入り込めるので、短時間できれいに洗浄されて除去され
る。また、フロン等の有機溶剤や液体を使用しての洗浄
ではないので、洗浄工程の設備が簡単で取り扱い易く、
従来の方法で問題となっていたコストの問題や、作業環
境及び地球規模での環境問題等を解決することができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を説明するた
めのはんだ付け工程図を示すものである。
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を説明するた
めのはんだ付け工程図を示すものである。
【００１０】図１において、このはんだ付け工程はフリ
ップチップのはんだ付けで、はんだ付けからフラックス
残渣除去に至るまでの処理は工程Ａ〜工程Ｆの順で行わ
れる。以下、この処理を工程Ａ〜工程Ｆの順に説明す
る。
ップチップのはんだ付けで、はんだ付けからフラックス
残渣除去に至るまでの処理は工程Ａ〜工程Ｆの順で行わ
れる。以下、この処理を工程Ａ〜工程Ｆの順に説明す
る。
【００１１】工程Ａ（フラックス塗布）では、実装面に
予め形成されているランド（導体）２が設けられている
セラミック基板１と、それ自体が端子とはんだとを兼ね
てセラミック基板１のランド２にはんだ付けされるはん
だバンプ４に０．１〜０．５ミリ程の厚みでフラックス
５を塗布したベアーチップ３を用意する。
予め形成されているランド（導体）２が設けられている
セラミック基板１と、それ自体が端子とはんだとを兼ね
てセラミック基板１のランド２にはんだ付けされるはん
だバンプ４に０．１〜０．５ミリ程の厚みでフラックス
５を塗布したベアーチップ３を用意する。
【００１２】工程Ｂ（フリップチップマウント）では、
工程Ａで用意されたセラミック基板１上にベアーチップ
３を、ランド２にはんだバンプ４を対応させて載せる。
すると、ランド２とはんだバンプ４との間がフラックス
５の粘着力で位置決めされて仮固定される。
工程Ａで用意されたセラミック基板１上にベアーチップ
３を、ランド２にはんだバンプ４を対応させて載せる。
すると、ランド２とはんだバンプ４との間がフラックス
５の粘着力で位置決めされて仮固定される。
【００１３】工程Ｃ（はんだ付け）では、リフローを行
う。これにより、はんだバンプ４の一部が溶け、このは
んだバンプ４でセラミック基板１上にベアーチップ３が
はんだ付けされ、セラミック基板１とベアチップ３とが
固定されたワーク７が形成される。
う。これにより、はんだバンプ４の一部が溶け、このは
んだバンプ４でセラミック基板１上にベアーチップ３が
はんだ付けされ、セラミック基板１とベアチップ３とが
固定されたワーク７が形成される。
【００１４】工程Ｄ（プラズマ洗浄）では、工程Ｃでは
んだ付けされたワーク７の部分にプラズマ８を吹き付
け、残渣フラックス５Ａの有機成分を酸化分解させて、
例えばＣＯ2，Ｈ2Ｏ等をガス化して除去する。
んだ付けされたワーク７の部分にプラズマ８を吹き付
け、残渣フラックス５Ａの有機成分を酸化分解させて、
例えばＣＯ2，Ｈ2Ｏ等をガス化して除去する。
【００１５】工程Ｅ（不活性ガス吹き付け）では、工程
Ｄで有機成分を除去した後に残渣として残った無機物５
ａに不活性ガス９を吹き付け、その無機物５ａを吹き飛
ばして除去する。なお、ここで吹き付けるガスは必ずし
も不活性ガスで無くても、エア等であっても差し支えな
いものである。
Ｄで有機成分を除去した後に残渣として残った無機物５
ａに不活性ガス９を吹き付け、その無機物５ａを吹き飛
ばして除去する。なお、ここで吹き付けるガスは必ずし
も不活性ガスで無くても、エア等であっても差し支えな
いものである。
【００１６】工程Ｆ（完成）では、洗浄されて残渣フラ
ックス５Ａ，５ａ等が無いワーク７に仕上がり、これが
検査されて問題がなければ次工程へ搬送されることにな
る。
ックス５Ａ，５ａ等が無いワーク７に仕上がり、これが
検査されて問題がなければ次工程へ搬送されることにな
る。
【００１７】したがって、このようにしてはんだ付け処
理を行った場合では、はんだ付けされた部分にプラズマ
８を吹き付けて残渣フラックス５Ａの有機成分を酸化分
解させてガス化した後、この有機成分を除去した後に残
渣として残った無機物５ａに不活性ガス９等の気体を吹
き付けて飛ばすだけで簡単に残渣フラックス５Ａ，５ａ
を除去することができることになる。しかも、プラズマ
９や気体（不活性ガス９等）は、セラミック基板（基板
導体）１とベアーチップ３の間の狭い隙間にも入り込め
るので、短時間できれいに洗浄されて除去することがで
きる。また、フロン等の有機溶剤や液体を使用しての洗
浄でないので、洗浄工程の設備も簡単にできる。
理を行った場合では、はんだ付けされた部分にプラズマ
８を吹き付けて残渣フラックス５Ａの有機成分を酸化分
解させてガス化した後、この有機成分を除去した後に残
渣として残った無機物５ａに不活性ガス９等の気体を吹
き付けて飛ばすだけで簡単に残渣フラックス５Ａ，５ａ
を除去することができることになる。しかも、プラズマ
９や気体（不活性ガス９等）は、セラミック基板（基板
導体）１とベアーチップ３の間の狭い隙間にも入り込め
るので、短時間できれいに洗浄されて除去することがで
きる。また、フロン等の有機溶剤や液体を使用しての洗
浄でないので、洗浄工程の設備も簡単にできる。
【００１８】図２は、図１に示したフラックス残渣除去
処理工程を実現するためのプロセス装置を概略的に示す
模式図である。図２において図１と同一符号を付したも
のは図１と同一のものを示している。
処理工程を実現するためのプロセス装置を概略的に示す
模式図である。図２において図１と同一符号を付したも
のは図１と同一のものを示している。
【００１９】このプロセス装置１０では、大きくははん
だ付け部１１と洗浄部１２とで構成されている。
だ付け部１１と洗浄部１２とで構成されている。
【００２０】このうち、はんだ付け部１１には、図１に
示した工程Ａ〜工程Ｃを実行するための装置が設けられ
ている。
示した工程Ａ〜工程Ｃを実行するための装置が設けられ
ている。
【００２１】これに対して、洗浄部１２には、図１に示
した工程Ｄ（プラズマ洗浄）を実行するためのプラズマ
発生装置１３と、工程Ｅ（不活性ガス吹き付け）を実行
するための不活性ガス発生装置１４が設けられている。
した工程Ｄ（プラズマ洗浄）を実行するためのプラズマ
発生装置１３と、工程Ｅ（不活性ガス吹き付け）を実行
するための不活性ガス発生装置１４が設けられている。
【００２２】そして、このプロセス装置１０では、はん
だ付け部１１ではんだ処理が終わり、残渣フラックス５
Ａの洗浄処理が済んでいないワーク７が送られて来る
と、プラズマ発生装置１３よりオゾンＯ3 2+を発生させ
てプラズマ８を作り、このプラズマ８をワーク７のはん
だ付けされた部分に吹き付け、残渣フラックス５Ａの有
機成分を酸化分解させてガス化して除去する、図１に示
した工程Ｄ（プラズマ洗浄）の処理が行われる。
だ付け部１１ではんだ処理が終わり、残渣フラックス５
Ａの洗浄処理が済んでいないワーク７が送られて来る
と、プラズマ発生装置１３よりオゾンＯ3 2+を発生させ
てプラズマ８を作り、このプラズマ８をワーク７のはん
だ付けされた部分に吹き付け、残渣フラックス５Ａの有
機成分を酸化分解させてガス化して除去する、図１に示
した工程Ｄ（プラズマ洗浄）の処理が行われる。
【００２３】また、このプラズマ洗浄が終わると、次に
不活性ガス発生装置１４より不活性ガス９を発生させ、
この不活性ガス９をワーク７のはんだ付けされた部分に
残っている無機物５ａに吹き付け、その無機物５ａを吹
き飛ばして除去する。これにより、はんだ付けされたワ
ーク７の洗浄処理が終了し、プロセス装置１０より次工
程へ図示せぬ手段により搬送される。
不活性ガス発生装置１４より不活性ガス９を発生させ、
この不活性ガス９をワーク７のはんだ付けされた部分に
残っている無機物５ａに吹き付け、その無機物５ａを吹
き飛ばして除去する。これにより、はんだ付けされたワ
ーク７の洗浄処理が終了し、プロセス装置１０より次工
程へ図示せぬ手段により搬送される。
【００２４】なお、上記実施例では、フリップチップの
はんだ付けに適用した場合について説明したが、これに
限ることなく他のはんだ付けにおける残渣フラックスを
除去する場合にも同様にして適用できるものである。ま
た、はんだバンプ４を使用した場合について説明した
が、予備はんだはセラミック基板１上にメッキ等して設
けても良いものである。
はんだ付けに適用した場合について説明したが、これに
限ることなく他のはんだ付けにおける残渣フラックスを
除去する場合にも同様にして適用できるものである。ま
た、はんだバンプ４を使用した場合について説明した
が、予備はんだはセラミック基板１上にメッキ等して設
けても良いものである。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
はんだ付けされた部分にプラズマを吹き付けて残渣フラ
ックスの有機成分を酸化分解させてガス化した後、この
有機成分を除去した後に残渣として残った無機物に気体
を吹き付けて飛ばすだけで簡単に残渣フラックスを除去
することができる。しかも、プラズマや気体は、基板導
体とチップの間の狭い隙間にも入り込めるので、短時間
できれいに洗浄されて除去される。また、フロン等の有
機溶剤や液体を使用しての洗浄ではないので、洗浄工程
の設備が簡単になり、さらには取り扱いも簡単で、従来
の方法で問題となっていたコストの問題や、作業環境及
び地球規模での環境問題等を解決することができる等の
効果が期待できる。
はんだ付けされた部分にプラズマを吹き付けて残渣フラ
ックスの有機成分を酸化分解させてガス化した後、この
有機成分を除去した後に残渣として残った無機物に気体
を吹き付けて飛ばすだけで簡単に残渣フラックスを除去
することができる。しかも、プラズマや気体は、基板導
体とチップの間の狭い隙間にも入り込めるので、短時間
できれいに洗浄されて除去される。また、フロン等の有
機溶剤や液体を使用しての洗浄ではないので、洗浄工程
の設備が簡単になり、さらには取り扱いも簡単で、従来
の方法で問題となっていたコストの問題や、作業環境及
び地球規模での環境問題等を解決することができる等の
効果が期待できる。
【図１】本発明の一実施例として示す処理工程の説明図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例として示すプロセス装置の模
式図である。
式図である。
１ セラミック基板 ２ ランド ３ ベアチップ ４ はんだバンプ（予備はんだ） ５ フラックス ５Ａ 残渣フラックス ５ａ 無機物 １０ プロセス装置 １１ はんだ付け部 １２ 洗浄部 １３ プラズマ発生装置 １４ 不活性ガス発生装置
Claims (5)
- 【請求項１】 チップまたは基板導体上に設けられた予
備はんだにフラックスを塗布し、このフラックスの粘着
力で前記チップを前記基板導体上に位置決めしてリフロ
ーするチップのはんだ付けにおいて、 はんだ付けされた部分にプラズマを吹き付けて残渣フラ
ックスの有機成分を酸化分解させてガス化し、 前記有機成分を除去した後に残渣として残った無機物に
気体を吹き付けて飛ばして前記残渣フラックスを除去す
るようにしたことを特徴とするフラックス残渣除去方
法。 - 【請求項２】 前記チップとしてフリップチップを用い
た請求項１に記載のフラックス残渣除去方法。 - 【請求項３】 前記気体として不活性ガスを用いた請求
項１に記載のフラックス残渣除去方法。 - 【請求項４】 チップまたは基板導体上に設けられた予
備はんだにフラックスを塗布し、このフラックスの粘着
力で前記チップを前記基板導体上に位置決めしてリフロ
ーするはんだ付けのフラックス残渣除去装置において、 プラズマを発生させて前記はんだ付けされた部分に前記
プラズマを吹き付けて残渣フラックスの有機成分を酸化
分解させてガス化するためのプラズマ発生手段と、 前記有機成分を除去した後に残渣として残った無機物に
ガスを吹き付けて飛ばすガス発生手段とを備えたことを
特徴とするフラックス残渣除去装置。 - 【請求項５】 前記チップとしてフリップチップを用い
た請求項４に記載のフラックス残渣除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28880193A JP3293113B2 (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | フラックス残渣除去方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28880193A JP3293113B2 (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | フラックス残渣除去方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122595A JPH07122595A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3293113B2 true JP3293113B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=17734912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28880193A Expired - Fee Related JP3293113B2 (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | フラックス残渣除去方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3293113B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3070514B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 突起電極を有する半導体装置、半導体装置の実装方法およびその実装構造 |
| JP4598914B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2010-12-15 | 東レエンジニアリング株式会社 | チップ実装方法および装置 |
| JP2009164431A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置の洗浄方法および洗浄装置 |
-
1993
- 1993-10-26 JP JP28880193A patent/JP3293113B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07122595A (ja) | 1995-05-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |