JP3291783B2 - 半導体レーザとその製法 - Google Patents
半導体レーザとその製法Info
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- JP3291783B2 JP3291783B2 JP24508892A JP24508892A JP3291783B2 JP 3291783 B2 JP3291783 B2 JP 3291783B2 JP 24508892 A JP24508892 A JP 24508892A JP 24508892 A JP24508892 A JP 24508892A JP 3291783 B2 JP3291783 B2 JP 3291783B2
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- Japan
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- semiconductor
- active layer
- semiconductor laser
- ridge
- outer edges
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザとその製
法に係わる。
法に係わる。
【従来の技術】光ディスクの記録・再生、レーザプリン
タ等に用いられる光源としての半導体レーザは、その発
光スポットの縦・横比すなわちアスペクト比ができるだ
け１であることが望まれる。
タ等に用いられる光源としての半導体レーザは、その発
光スポットの縦・横比すなわちアスペクト比ができるだ
け１であることが望まれる。
【０００２】ところで、従来の埋込み型の半導体レーザ
は、図６にその概略的断面図を示すように、化合物半導
体サブストレイト１上に、少なくとも第１導電型のクラ
ッド層２と、活性層３と、第２導電型のクラッド層４と
をエピタキシャル成長させたヘテロ接合型のレーザ構成
を採り、このエピタキシャル成長層に対し、その中央部
をストライプ状に残して両側をエッチング除去して此処
を他の化合物半導体層で埋め込むという構成が採られ
る。
は、図６にその概略的断面図を示すように、化合物半導
体サブストレイト１上に、少なくとも第１導電型のクラ
ッド層２と、活性層３と、第２導電型のクラッド層４と
をエピタキシャル成長させたヘテロ接合型のレーザ構成
を採り、このエピタキシャル成長層に対し、その中央部
をストライプ状に残して両側をエッチング除去して此処
を他の化合物半導体層で埋め込むという構成が採られ
る。
【０００３】この場合、その活性層３が平坦面であるた
めに、横方向のニアフィールドパターンは、図６中破線
ａで示すように、活性層の横幅以上に広がることから、
上述した光源として用いる場合において好ましくない。
めに、横方向のニアフィールドパターンは、図６中破線
ａで示すように、活性層の横幅以上に広がることから、
上述した光源として用いる場合において好ましくない。
【０００４】一方、戻り光に対するレーザの低ノイズ化
の１つとしてセルフパルセーションを行わせて、光のス
ペクトルをマルチ化させることがなされる。
の１つとしてセルフパルセーションを行わせて、光のス
ペクトルをマルチ化させることがなされる。
【０００５】従来セルフパルセーションを行わせる半導
体レーザとして、図７にその概略的断面図を示すよう
に、共振器長方向の両端面部近傍に、電流の非注入領域
を形成するための絶縁層５を設けるという構造を採るも
のがあるが、その製造は煩雑となる。
体レーザとして、図７にその概略的断面図を示すよう
に、共振器長方向の両端面部近傍に、電流の非注入領域
を形成するための絶縁層５を設けるという構造を採るも
のがあるが、その製造は煩雑となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、しきい値電
流Ｉthの低減化をはかることができて、しかもその発光
のニアフィールドパターンの縮小化とそのアスペクト比
を１に近づけることができ、更にセルフパルセーション
を行わせることが可能な半導体レーザとその製法を提供
する。
流Ｉthの低減化をはかることができて、しかもその発光
のニアフィールドパターンの縮小化とそのアスペクト比
を１に近づけることができ、更にセルフパルセーション
を行わせることが可能な半導体レーザとその製法を提供
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその一
例の概略的断面図を示すように、埋込み型活性層２１の
共振器長方向と直交する幅方向の両外側縁の厚さｄ1 を
中央部の厚さｄ2 に比して大に選定する。
例の概略的断面図を示すように、埋込み型活性層２１の
共振器長方向と直交する幅方向の両外側縁の厚さｄ1 を
中央部の厚さｄ2 に比して大に選定する。
【０００８】特に、半導体基板２０に形成したリッジ２
２上に断面３角形状の半導体部２３が形成され、この半
導体部２３に他と分断された活性層２１が形成された半
導体レーザにおいて、活性層２１の共振器長方向と直交
する幅方向の両外側縁の厚さｄ1 を中央部の厚さｄ2 に
比して大に選定する。
２上に断面３角形状の半導体部２３が形成され、この半
導体部２３に他と分断された活性層２１が形成された半
導体レーザにおいて、活性層２１の共振器長方向と直交
する幅方向の両外側縁の厚さｄ1 を中央部の厚さｄ2 に
比して大に選定する。
【０００９】そして本発明は、半導体基板２０に形成し
たリッジ２２上に断面３角形状の半導体部２３が形成さ
れ、この半導体部２３に他と分断された活性層２１が形
成された半導体レーザにおいて、活性層２１の共振器長
方向と直交する幅方向の両外側縁の厚さｄ1 を中央部の
厚さｄ2 に比して大に選定すると共に、これら両外側縁
に沿って活性層２１の主面に対して屈曲した構成とす
る。
たリッジ２２上に断面３角形状の半導体部２３が形成さ
れ、この半導体部２３に他と分断された活性層２１が形
成された半導体レーザにおいて、活性層２１の共振器長
方向と直交する幅方向の両外側縁の厚さｄ1 を中央部の
厚さｄ2 に比して大に選定すると共に、これら両外側縁
に沿って活性層２１の主面に対して屈曲した構成とす
る。
【００１０】また、本発明は、半導体基板２０に形成し
たリッジ２２上を含んで少なくともクラッド層２４及び
２５と活性層２１とを８００℃以上の高温をもってエピ
タキシャル成長してリッジ２２上に断面３角形状の半導
体部２３を形成し、この半導体部２３に他と分断された
活性層２１が、その共振器長方向と直交する幅方向の両
外側縁においてその厚さｄ1 が中央部の厚さｄ2 に比し
て大となるように成膜する。
たリッジ２２上を含んで少なくともクラッド層２４及び
２５と活性層２１とを８００℃以上の高温をもってエピ
タキシャル成長してリッジ２２上に断面３角形状の半導
体部２３を形成し、この半導体部２３に他と分断された
活性層２１が、その共振器長方向と直交する幅方向の両
外側縁においてその厚さｄ1 が中央部の厚さｄ2 に比し
て大となるように成膜する。
【００１１】また、本発明は、半導体基板２０の｛１０
０｝結晶面で＜０１１＞軸方向に１°〜５°傾けた面よ
り成る主面上に、リッジ２２を形成し、このリッジ２２
上に半導体部２３を形成する。
０｝結晶面で＜０１１＞軸方向に１°〜５°傾けた面よ
り成る主面上に、リッジ２２を形成し、このリッジ２２
上に半導体部２３を形成する。
【００１２】
【作用】本発明では、活性層２１の共振器長方向と直交
する幅方向の両側縁において、その厚さを大とするもの
であって、これによって活性層２１の利得の不均一部分
が生じるので、セルフパルセーションが発生する。
する幅方向の両側縁において、その厚さを大とするもの
であって、これによって活性層２１の利得の不均一部分
が生じるので、セルフパルセーションが発生する。
【００１３】更に、リッジ２２を設け、これの上に限定
的に半導体部２３を構成し、ここに活性層２１を設けて
更にこの活性層２１の両外側縁に屈曲部を形成し、かつ
厚さを大とする構成とすることにより、閉じ込め効果の
増大によってしきい値電流Ｉ thの低減化と、セルフパル
セーションの発生を可能にする。
的に半導体部２３を構成し、ここに活性層２１を設けて
更にこの活性層２１の両外側縁に屈曲部を形成し、かつ
厚さを大とする構成とすることにより、閉じ込め効果の
増大によってしきい値電流Ｉ thの低減化と、セルフパル
セーションの発生を可能にする。
【００１４】また、この構成を得るに当たり、８００℃
以上の高温下でのエピタキシャル成長によるときは、リ
ッジ２２上の半導体部２３の成長において、その成長態
様を両外側縁で堆積効果を高めることができ、これによ
って活性層を両外側縁で肉厚にし、かつ屈曲した形状に
成長させることができ、容易に本発明構造を実現でき
る。
以上の高温下でのエピタキシャル成長によるときは、リ
ッジ２２上の半導体部２３の成長において、その成長態
様を両外側縁で堆積効果を高めることができ、これによ
って活性層を両外側縁で肉厚にし、かつ屈曲した形状に
成長させることができ、容易に本発明構造を実現でき
る。
【００１５】
【実施例】図１を参照して本発明の１実施例を説明す
る。この場合、例えば（１００）面を主面とする第１導
電型（ｐ型又はｎ型）のＧａＡｓより成る半導体基板２
０の、その（１００）主面に、〔０１１〕軸方向に沿う
ストライプ状リッジ２２を、ＲＩＥ（反応性エッチン
グ）、化学的エッチング等によって形成する。
る。この場合、例えば（１００）面を主面とする第１導
電型（ｐ型又はｎ型）のＧａＡｓより成る半導体基板２
０の、その（１００）主面に、〔０１１〕軸方向に沿う
ストライプ状リッジ２２を、ＲＩＥ（反応性エッチン
グ）、化学的エッチング等によって形成する。
【００１６】そして、半導体基板２０の、リッジ２２を
有する面上に、順次連続的にメチル系ＭＯＣＶＤ（有機
金属化学的気相成長）によって、ＴＭＧ（トリメチルガ
リウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アルシ
ンＡｓＨ3 を原料として用いて、先ず必要に応じて第１
導電型のＧａＡｓバッファ層２６を成長させ、続いて同
様に第１導電型の例えばＡｌＧａＡｓによる第１のクラ
ッド層２４、例えばＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓより
なる活性層２１、第２導電型（ｐ型またはｎ型）の例え
ばＡｌＧａＡｓよりなる第２のクラッド層２５、更に第
１導電型の例えばＡｌＧａＡｓよりなる電流ブロック層
２７、第２導電型の例えばＡｌＧａＡｓよりなる第３の
クラッド層２８、第２導電型の例えばＧａＡｓよりなる
キャップ層２９をエピタキシャル成長させる。
有する面上に、順次連続的にメチル系ＭＯＣＶＤ（有機
金属化学的気相成長）によって、ＴＭＧ（トリメチルガ
リウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アルシ
ンＡｓＨ3 を原料として用いて、先ず必要に応じて第１
導電型のＧａＡｓバッファ層２６を成長させ、続いて同
様に第１導電型の例えばＡｌＧａＡｓによる第１のクラ
ッド層２４、例えばＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓより
なる活性層２１、第２導電型（ｐ型またはｎ型）の例え
ばＡｌＧａＡｓよりなる第２のクラッド層２５、更に第
１導電型の例えばＡｌＧａＡｓよりなる電流ブロック層
２７、第２導電型の例えばＡｌＧａＡｓよりなる第３の
クラッド層２８、第２導電型の例えばＧａＡｓよりなる
キャップ層２９をエピタキシャル成長させる。
【００１７】この場合、リッジ２２上においてもエピタ
キシャル成長が行われるが、〔０１１〕方向に選ばれた
両側縁に沿って｛１１１｝Ｂ面が生じてくる。そして、
この｛１１１｝Ｂが発生すると、この結晶面は他の面、
特に（１００）に比して格段にエピタキシャル成長速度
が小さいことから、リッジ２２上においては、この｛１
１１｝Ｂの発生と共にエピタキシャル成長が殆ど停止
し、結局｛１１１｝Ｂ面による各斜面Ｓ1 及びＳ2 をも
って挟み込まれた３角柱状すなわち断面三角形の半導体
部２３が、リッジ２２の両側の溝部３０上に成長された
エピタキシャル成長層との間に断層を生じて形成され
る。
キシャル成長が行われるが、〔０１１〕方向に選ばれた
両側縁に沿って｛１１１｝Ｂ面が生じてくる。そして、
この｛１１１｝Ｂが発生すると、この結晶面は他の面、
特に（１００）に比して格段にエピタキシャル成長速度
が小さいことから、リッジ２２上においては、この｛１
１１｝Ｂの発生と共にエピタキシャル成長が殆ど停止
し、結局｛１１１｝Ｂ面による各斜面Ｓ1 及びＳ2 をも
って挟み込まれた３角柱状すなわち断面三角形の半導体
部２３が、リッジ２２の両側の溝部３０上に成長された
エピタキシャル成長層との間に断層を生じて形成され
る。
【００１８】そして、この場合、リッジ２２の高さ、
幅、各層の厚さの選定により、半導体部２３において
は、活性層２１とこれの上のクラッド層２４までが形成
されるようにし、更にこの半導体部２３における活性層
２１の、各斜面Ｓ1 及びＳ2 に臨む両外側縁が、溝３０
上に成長してきた電流ブロック層２７より下方もしくは
その端面と衝合する位置関係となるように、また更に第
３のクラッド層２８とキャップ層２９が半導体部２３上
を覆って形成されるようにする。
幅、各層の厚さの選定により、半導体部２３において
は、活性層２１とこれの上のクラッド層２４までが形成
されるようにし、更にこの半導体部２３における活性層
２１の、各斜面Ｓ1 及びＳ2 に臨む両外側縁が、溝３０
上に成長してきた電流ブロック層２７より下方もしくは
その端面と衝合する位置関係となるように、また更に第
３のクラッド層２８とキャップ層２９が半導体部２３上
を覆って形成されるようにする。
【００１９】そして、この各化合物半導体層のエピタキ
シャル成長において、例えば第１のクラッド層２４まで
は例えば比較的低温の７６０℃の成長温度すなわち基体
温度をもって成長させ、少なくとも活性層２１のエピタ
キシャル成長においては、８００℃以上例えば８３０℃
という比較的高温下でそのエピタキシャル成長を行う。
シャル成長において、例えば第１のクラッド層２４まで
は例えば比較的低温の７６０℃の成長温度すなわち基体
温度をもって成長させ、少なくとも活性層２１のエピタ
キシャル成長においては、８００℃以上例えば８３０℃
という比較的高温下でそのエピタキシャル成長を行う。
【００２０】このようにすると、図１で示されるよう
に、８００℃未満の例えば７６０℃でのエピタキシャル
成長では、リッジ２２上おいても、比較的一様にエピタ
キシャル成長が行われるが、特に、８００℃以上の高温
下でそのエピタキシャル成長を行うときは、特にリッジ
２２上において、その両外側縁すなわち両斜面Ｓ1 及び
Ｓ2 の近傍においてその厚さｄ1 が中央部の厚さｄ2 に
比し大となる成長が生じる。
に、８００℃未満の例えば７６０℃でのエピタキシャル
成長では、リッジ２２上おいても、比較的一様にエピタ
キシャル成長が行われるが、特に、８００℃以上の高温
下でそのエピタキシャル成長を行うときは、特にリッジ
２２上において、その両外側縁すなわち両斜面Ｓ1 及び
Ｓ2 の近傍においてその厚さｄ1 が中央部の厚さｄ2 に
比し大となる成長が生じる。
【００２１】これは、図３に模式的に示すように、その
エピタキシャル成長時、リッジ２２上の半導体部２３に
安定な｛１１１｝Ｂが生じてくるにつれ、ここに堆積し
ようとする原料種の原子（黒丸をもって模式的に示
す。）のマイグレーションが生じ、これによって半導体
部の頂面、特にその｛１１１｝Ｂと隣接する縁部近傍に
これが堆積し易くなって、同図中符号ｂの破線図示のよ
うに、此処で盛り上がり、つまり肉厚部が生じる。
エピタキシャル成長時、リッジ２２上の半導体部２３に
安定な｛１１１｝Ｂが生じてくるにつれ、ここに堆積し
ようとする原料種の原子（黒丸をもって模式的に示
す。）のマイグレーションが生じ、これによって半導体
部の頂面、特にその｛１１１｝Ｂと隣接する縁部近傍に
これが堆積し易くなって、同図中符号ｂの破線図示のよ
うに、此処で盛り上がり、つまり肉厚部が生じる。
【００２２】このマイグレーションは、高温下特に、８
００℃以上で顕著となり、これに伴って縁部近傍の肉厚
化が明確に生じてくる。
００℃以上で顕著となり、これに伴って縁部近傍の肉厚
化が明確に生じてくる。
【００２３】図１に示した例では、活性層２１のみにつ
いて高温のエピタキシャル成長を行った場合であるが、
これの下の第１のクラッド層２４に関しても高温のエピ
タキシャル成長を行えば、図２に示すように、半導体部
２３における第１のクラッド層２４においても、その両
外側縁部が肉厚となることによって、これの上に形成さ
れた活性層２１の両外側縁は、これ自体肉厚となるのみ
ならず、屈曲形状とすることができる。
いて高温のエピタキシャル成長を行った場合であるが、
これの下の第１のクラッド層２４に関しても高温のエピ
タキシャル成長を行えば、図２に示すように、半導体部
２３における第１のクラッド層２４においても、その両
外側縁部が肉厚となることによって、これの上に形成さ
れた活性層２１の両外側縁は、これ自体肉厚となるのみ
ならず、屈曲形状とすることができる。
【００２４】図２において、図１に対応する部分には同
一符号を付して重複説明を省略する。
一符号を付して重複説明を省略する。
【００２５】そして、図１及び図２において、図示しな
いが半導体基板２０の裏面、及びキャップ層上にそれぞ
れオーミックに対向電極を被着する。
いが半導体基板２０の裏面、及びキャップ層上にそれぞ
れオーミックに対向電極を被着する。
【００２６】この構成においては、リッジ２２上に限定
的に形成された半導体部２３において活性層２１が限定
的に形成されることによって、更に共振器長方向と直交
する方向の両外側縁に屈曲部が形成されることによっ
て、半導体部２３の活性層２１の中央部に光及びキャリ
ヤの閉じ込めが効果的に行われてしきい値電流Ｉthの低
減化がはかられると共に、ニアフィールドパターンを小
とすることができ、両外側縁の肉厚化によって利得の不
均一化によってセルフパルセーションを可能にするもの
である。
的に形成された半導体部２３において活性層２１が限定
的に形成されることによって、更に共振器長方向と直交
する方向の両外側縁に屈曲部が形成されることによっ
て、半導体部２３の活性層２１の中央部に光及びキャリ
ヤの閉じ込めが効果的に行われてしきい値電流Ｉthの低
減化がはかられると共に、ニアフィールドパターンを小
とすることができ、両外側縁の肉厚化によって利得の不
均一化によってセルフパルセーションを可能にするもの
である。
【００２７】更に、上述の半導体レーザを製造するに際
して、図４に示すように、半導体基板２０として、その
主面が｛１００｝結晶面で＜０１１＞軸方向に角度α＝
１°〜５°、例えば２°傾けた面となるようにするとき
は、例えば８３０℃の成長温度で、Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａ
ｓと、ＧａＡｓを、各１７００Åの厚さに、ＡｓＨ
3（１０％含有）を１８０ＣＣＭ，ＴＭＧ（−１０℃）
を１０ＣＣＭ，ＴＭＡ（１９℃）を１０．２ＣＣＭの供
給量をもって成長させると、ａ1 , ａ2 , ａ3 ．．．を
付して示す曲面での成長態様を示し、両外側部で（３１
１）Ｂ結晶面が発生してきてやがてはこの（３１１）Ｂ
のみによる層となる。
して、図４に示すように、半導体基板２０として、その
主面が｛１００｝結晶面で＜０１１＞軸方向に角度α＝
１°〜５°、例えば２°傾けた面となるようにするとき
は、例えば８３０℃の成長温度で、Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａ
ｓと、ＧａＡｓを、各１７００Åの厚さに、ＡｓＨ
3（１０％含有）を１８０ＣＣＭ，ＴＭＧ（−１０℃）
を１０ＣＣＭ，ＴＭＡ（１９℃）を１０．２ＣＣＭの供
給量をもって成長させると、ａ1 , ａ2 , ａ3 ．．．を
付して示す曲面での成長態様を示し、両外側部で（３１
１）Ｂ結晶面が発生してきてやがてはこの（３１１）Ｂ
のみによる層となる。
【００２８】従って、この特性、つまり半導体基板２０
の切り出し態様をとることによって半導体部２３におけ
る活性層２１の屈曲及び両外側縁における厚さの拡大化
をより確実に行うことができる。
の切り出し態様をとることによって半導体部２３におけ
る活性層２１の屈曲及び両外側縁における厚さの拡大化
をより確実に行うことができる。
【００２９】尚、本発明は、図示の例に限らず例えば複
数のリッジを配列したマルチビーム半導体レーザとする
など、使用目的、態様に応じて種々の変形変更をとるこ
とができる。
数のリッジを配列したマルチビーム半導体レーザとする
など、使用目的、態様に応じて種々の変形変更をとるこ
とができる。
【００３０】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、リッ
ジ２２上に限定的に形成された半導体部２３において活
性層２１が限定的に形成されることによって、更に共振
器長方向と直交する方向の両外側縁に屈曲部が形成され
ることによって、半導体部２３の活性層２１の中央部に
光及びキャリヤの閉じ込めが効果的に行われてしきい値
電流Ｉthの低減化がはかられると共に、ニアフィールド
パターンを小に、かつアスペクト比を１に近づけること
ができ、両外側縁の肉厚化によって利得の不均一化によ
ってセルフパルセーションを可能にするものである。
ジ２２上に限定的に形成された半導体部２３において活
性層２１が限定的に形成されることによって、更に共振
器長方向と直交する方向の両外側縁に屈曲部が形成され
ることによって、半導体部２３の活性層２１の中央部に
光及びキャリヤの閉じ込めが効果的に行われてしきい値
電流Ｉthの低減化がはかられると共に、ニアフィールド
パターンを小に、かつアスペクト比を１に近づけること
ができ、両外側縁の肉厚化によって利得の不均一化によ
ってセルフパルセーションを可能にするものである。
【図１】本発明による半導体レーザの一例の略線的断面
図である。
図である。
【図２】本発明による半導体レーザの一例の略線的断面
図である。
図である。
【図３】本発明製法のエピタキシャル成長態様の説明図
である。
である。
【図４】本発明半導体レーザに用いる半導体基板の一例
の説明図である。
の説明図である。
【図５】本発明製法のエピタキシャル成長態様の説明図
である。
である。
【図６】従来レーザの略線的断面図である。
【図７】従来レーザの略線的断面図である。
２０ 半導体基板 ２１ 活性層 ２２ リッジ ２３ 半導体部 ２４ クラッド層 ２５ クラッド層 ２８ クラッド層
フロントページの続き (72)発明者 山本 直 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−37789（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板に形成したリッジ上に断面３
角形状の半導体部が形成され、該半導体部に他と分断さ
れた活性層が形成された半導体レーザにおいて、 上記活性層の共振器長方向と直交する幅方向の両外側縁
の厚さが中央部に比して大に選定されたことを特徴とす
る半導体レーザ。 - 【請求項２】 半導体基板に形成したリッジ上に断面３
角形状の半導体部が形成され、該半導体部と分断された
活性層が形成された半導体レーザにおいて、 上記活性層の共振器長方向と直交する幅方向の両外側縁
の厚さが中央部に比して大に選定されると共に、上記両
外側縁に沿って上記活性層の主面に対して屈曲して成る
ことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】 半導体基板に形成したリッジ上を含んで
少なくともクラッド層と活性層とを８００℃以上の高温
をもってエピタキシャル成長して上記リッジ上に断面３
角形状の半導体部を形成し、該半導体部に他と分断され
た活性層が、その共振器長方向と直交する幅方向の両外
側縁においてその厚さが中央部に比して大となるように
成膜させた半導体レーザを得ることを特徴とする半導体
レーザの製法。 - 【請求項４】 半導体基板の｛１００｝結晶面で＜０１
１＞軸方向に１°〜５°傾けた面より成る主面上に上記
リッジを形成し、 該リッジ上に上記半導体部を形成することを特徴とする
請求項３に記載の半導体レーザの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24508892A JP3291783B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 半導体レーザとその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24508892A JP3291783B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 半導体レーザとその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697577A JPH0697577A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3291783B2 true JP3291783B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=17128434
Family Applications (1)
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1992
- 1992-09-14 JP JP24508892A patent/JP3291783B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697577A (ja) | 1994-04-08 |
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