JP3287285B2 - Manufacturing method of glass ceramic wiring board - Google Patents

Manufacturing method of glass ceramic wiring board

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JP3287285B2
JP3287285B2 JP29276297A JP29276297A JP3287285B2 JP 3287285 B2 JP3287285 B2 JP 3287285B2 JP 29276297 A JP29276297 A JP 29276297A JP 29276297 A JP29276297 A JP 29276297A JP 3287285 B2 JP3287285 B2 JP 3287285B2
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和則 赤穂
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
ス配線基板の製造方法に関し、より詳細には、微細な配
線パターンを有し、かつ密着強度の高い表層配線の形成
が可能なガラスセラミックス配線基板の製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a glass-ceramic wiring board, and more particularly, to a method of manufacturing a glass-ceramic wiring board having a fine wiring pattern and capable of forming a surface wiring having high adhesion strength. It relates to a manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、基板上の配線パターンの一般的な
形成法は、金属ペースト(導体ペースト)を用いたスク
リーン印刷法である。スクリーン印刷法により形成され
る配線パターンの配線幅および配線間隔は60μm程度が
限界であり、この方法での配線パターンのさらなる微細
化は実質的には不可能である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a general method of forming a wiring pattern on a substrate is a screen printing method using a metal paste (conductor paste). The wiring width and the wiring interval of the wiring pattern formed by the screen printing method are limited to about 60 μm, and further miniaturization of the wiring pattern by this method is practically impossible.

【0003】微細な配線を形成する方法として蒸着法お
よびスパッタ法が知られているが、これらの方法はプロ
セスが複雑で、かつ設備費用もかかるため、コスト面の
問題があった。このような背景から、スクリーン印刷法
では形成不可能な微細配線パターンをフォトリソグラフ
ィ技術を用いて形成する技術が注目されている。
[0003] Vapor deposition and sputtering are known as methods for forming fine wiring, but these methods have a problem in terms of cost because the process is complicated and equipment costs are high. From such a background, a technique of forming a fine wiring pattern, which cannot be formed by the screen printing method, by using a photolithography technique has attracted attention.

【0004】特開平5−315754号公報には、Ag系内部導
体を有する低温焼成セラミック多層配線基板 (例、ガラ
スセラミックス多層配線基板) の表面にCuペーストスク
リーン印刷し、 600〜750 ℃でCuペーストを焼成した
後、得られたCu層をフォトリソグラフィ技術を用いてパ
ターン化することにより表層Cu配線を形成する方法が開
示されている。この方法によると、セラミックス基板上
に配線間隔30μm程度までの表層配線を形成することが
可能となるとの記載がある。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-315754 discloses that a copper paste screen is printed on the surface of a low-temperature fired ceramic multilayer wiring board having an Ag-based internal conductor (eg, a glass ceramic multilayer wiring board), and the Cu paste is printed at 600 to 750 ° C. After baking, a method of forming a surface Cu wiring by patterning the obtained Cu layer using a photolithography technique is disclosed. It is described that according to this method, it is possible to form a surface wiring having a wiring interval of up to about 30 μm on a ceramic substrate.

【0005】しかし、この方法では、焼成後のフォトリ
ソグラフィ技術によるCu配線の形成に必要な導体層(Cu
層)のエッチングやレジスト除去にアルカリ性または酸
性といった腐食性の水溶液を用いるため、表層配線と基
板との接合部が周囲から侵食され、表層配線の密着強度
が低下するという問題があった。また、この方法では、
内部配線にAg、表層配線にCuを使用するため、焼成中に
Ag−Cu金属間化合物が生成し、配線接合部の内部におい
ても密着強度が低下する。
However, according to this method, a conductor layer (Cu) necessary for forming a Cu wiring by photolithography after firing is used.
Since a corrosive aqueous solution such as an alkaline or acidic solution is used for etching the layer and removing the resist, there is a problem in that the joint between the surface wiring and the substrate is eroded from the surroundings, and the adhesion strength of the surface wiring is reduced. Also, with this method,
Since Ag is used for internal wiring and Cu for surface wiring,
An Ag-Cu intermetallic compound is generated, and the adhesive strength is reduced even inside the wiring joint.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、スクリーン
印刷法では形成不可能な微細な配線パターン、密着強度
の高い表層配線を形成することができる、ガラスセラミ
ックス配線基板の製造方法を提供することを課題とする
ものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method for manufacturing a glass-ceramic wiring substrate, which can form a fine wiring pattern and a surface wiring having high adhesion strength, which cannot be formed by screen printing. Is the subject.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、特開平5
−315754号公報に記載のようなスクリーン印刷とフォト
リソグラフィー技術とを組合わせた方法によりガラスセ
ラミックス配線基板上に微細な表層配線を形成する方法
において、スクリーン印刷時にガラス粉末を含有する金
属ペーストを使用し、焼成により生成した金属層をフォ
トリソグラフィー技術などを利用してパターン化し、表
層配線を形成した後、再び焼成を行って、表層配線中と
基板中のガラス成分を互いに拡散させることにより、上
記の密着強度の低下が防止され、上記課題を解決できる
ことを見出した。
Means for Solving the Problems The present inventors disclosed in Japanese Patent Laid-Open No.
In the method of forming fine surface wiring on a glass ceramic wiring substrate by a method combining screen printing and photolithography technology as described in -315754, a metal paste containing glass powder is used during screen printing Then, the metal layer generated by firing is patterned using photolithography technology and the like, and after forming a surface wiring, firing is performed again to diffuse the glass components in the surface wiring and the substrate to each other. It has been found that a decrease in adhesion strength can be prevented and the above problem can be solved.

【0008】ここに、本発明は、表層配線を有するガラ
スセラミックス配線基板の製造方法であって、 (1) ガラスセラミックス基板上に、ガラス粉末を含む金
属ペーストを塗布または印刷し、 (2) 600 ℃以上の温度での予備焼成により基板上に金属
層を形成し、 (3) この金属層をパターン化し、 (4) 600 ℃以上の温度で本焼成を行って、基板上に密着
強度2kgf/2mm平方以上の表層配線が形成されたガラス
セラミックス多層配線基板を得る、という工程からなる
方法である。
Here, the present invention relates to a method for manufacturing a glass-ceramic wiring substrate having a surface wiring, comprising: (1) applying or printing a metal paste containing glass powder on a glass-ceramic substrate; Form a metal layer on the substrate by pre-firing at a temperature of ℃ or more, (3) pattern this metal layer, and (4) perform a main firing at a temperature of 600 ℃ or more to adhere to the substrate
This method comprises a step of obtaining a glass-ceramic multilayer wiring board on which a surface wiring having a strength of 2 kgf / 2 mm square or more is formed.

【0009】上記の工程(4) における金属層のパターン
化は、フォトリソグラフィー技術を利用した方法、また
はレーザー加工法により行うことができる。フォトリソ
グラフィー技術によるパターンは一般に下記工程からな
る。
The patterning of the metal layer in the above step (4) can be performed by a method utilizing photolithography or a laser processing method. A pattern formed by photolithography generally comprises the following steps.

【0010】(a) 金属層の上にフォトレジスト層を形成
し、(b) フォトレジスト層を、表層配線に対応するパタ
ーン形状を有するフォトマスクを介して露光し、(c) フ
ォトレジスト層を現像し、(d) 現像によりフォトレジス
ト層が除去された部分に露出した金属層をエッチングに
より除去し、(e) 金属層上に残存するフォトレジスト層
を除去する。
(A) forming a photoresist layer on the metal layer, (b) exposing the photoresist layer through a photomask having a pattern shape corresponding to the surface wiring, and (c) exposing the photoresist layer After development, (d) the metal layer exposed at the portion where the photoresist layer has been removed by the development is removed by etching, and (e) the photoresist layer remaining on the metal layer is removed.

【0011】好適態様にあっては、ガラスセラミックス
基板が、内部配線を有する多層配線基板であり、その内
部配線の金属と金属ペースト中の金属がいずれもCuであ
り、予備焼成と本焼成を 600〜1000℃の温度で行う。こ
の場合の本焼成温度はより好ましくは 850〜1000℃であ
る。
In a preferred embodiment, the glass ceramic substrate is a multilayer wiring board having internal wiring, the metal of the internal wiring and the metal in the metal paste are both Cu, Perform at temperatures of ~ 1000 ° C. In this case, the main firing temperature is more preferably 850 to 1000 ° C.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明について以下に添付図面を
参照しながら詳しく説明する。図1は、本発明方法にお
いて、金属層のパターン化をフォトリソグラフィー技術
を利用して行う場合の工程図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a process chart in the case of performing patterning of a metal layer using photolithography technology in the method of the present invention.

【0013】図1に示すように、内部配線12 (内部配線
にはビアも含む) を有するガラスセラミックス多層配線
基板10に、まずガラス粉末を含む金属ペーストを塗布ま
たは印刷した後、予備焼成して、基板10上に、ガラス粉
末を含有する金属層14を形成する [図1(a) 、工程(1),
(2)] 。
As shown in FIG. 1, a glass paste containing glass powder is first applied or printed on a glass-ceramic multilayer wiring board 10 having internal wirings 12 (internal wirings also include vias) and then pre-baked. Then, a metal layer 14 containing glass powder is formed on the substrate 10 [FIG. 1 (a), step (1),
(2)].

【0014】なお、本発明に従って表層配線を形成する
基板は、内部配線を持たない単層のガラスセラミックス
基板であってもよく、その場合には基板はスルーホール
だけを有し、このスルーホールには導体金属が充填ない
し被覆されている。本発明で用いる内部配線を有するガ
ラスセラミックス多層配線基板の構造、材質等は特に制
限されない。
The substrate on which the surface wiring is formed in accordance with the present invention may be a single-layer glass-ceramic substrate having no internal wiring. In this case, the substrate has only through-holes, and Is filled or coated with a conductive metal. The structure, material, and the like of the glass-ceramic multilayer wiring board having the internal wiring used in the present invention are not particularly limited.

【0015】ガラスセラミックス材料のガラス成分とし
ては、SiO2とB2O3とを主成分し、焼成中にほとんど結晶
化しないホウケイ酸ガラスのような非晶質ガラスに加え
て、コーディエライトガラス、アノーサイトガラス等の
ような焼成中に部分的に結晶化するガラスも使用でき
る。ガラスセラミックス材料のセラミックス成分は、通
常はアルミナであることが多いが、これに制限されるも
のではなく、ムライト、窒化アルミニウム、炭化珪素、
石英その他の酸化ケイ素結晶等の、他のセラミックス材
料もアルミナに加えて、または代えて使用することがで
きる。
As glass components of the glass ceramic material, in addition to amorphous glass such as borosilicate glass which contains SiO 2 and B 2 O 3 as main components and hardly crystallizes during firing, cordierite glass Glasses that partially crystallize during firing, such as anorthite glass, can also be used. The ceramic component of the glass-ceramic material is usually alumina, but is not limited thereto. Mullite, aluminum nitride, silicon carbide,
Other ceramic materials, such as quartz or other silicon oxide crystals, can be used in addition to or in place of alumina.

【0016】内部配線の金属材料も特に制限されない
が、ガラスセラミックスのような低温焼成基板に一般に
使用されている金属種、例えば、Cu、またはPd、Ag、A
u、Pt等の貴金属およびそれらの合金 (例、Ag/Pd、Ag
/Pt) が好ましく、後述するように、表層配線と同じ
か、これと金属間化合物を形成しない金属であることが
特に好ましい。
The metal material of the internal wiring is not particularly limited either, but metal species generally used for low-temperature fired substrates such as glass ceramics, for example, Cu, Pd, Ag, A
Precious metals such as u and Pt and their alloys (eg, Ag / Pd, Ag
/ Pt) is preferable, and as described later, it is particularly preferable that the metal is the same as the surface wiring or does not form an intermetallic compound therewith.

【0017】内部配線を有するガラスセラミックス多層
配線基板の製造方法についても特に制限はないが、通常
はグリーンシート多層積層法により製造される。但し、
厚膜多層印刷法といった他の方法でガラスセラミックス
多層配線基板を製造することもできる。いずれの場合
も、本発明の方法に従って表層配線を形成する前に、基
板と内部配線の焼成を済ませておく。前述したように、
基板はスルーホールを有する単層のガラスセラミックス
基板でもよく、その場合も焼成とスルーホールの金属被
覆 (例、めっき)または充填は済ませておく。
Although there is no particular limitation on the method of manufacturing the glass ceramic multilayer wiring board having internal wiring, it is usually manufactured by a green sheet multilayer laminating method. However,
The glass ceramic multilayer wiring board can be manufactured by other methods such as a thick film multilayer printing method. In any case, before forming the surface wiring according to the method of the present invention, the substrate and the internal wiring are fired. As previously mentioned,
The substrate may be a single-layer glass-ceramic substrate having through-holes, in which case, the firing and metal coating (eg, plating) or filling of the through-holes has been completed.

【0018】例えば、グリーンシート多層積層法では、
スクリーン印刷された表層配線の焼成も基板のグリーン
シートと同時に焼成することができるが、本発明の方法
では、表層配線の形成時にフォトリソグラフィ技術を利
用して、エッチング等の比較的苛酷な化学処理を基板に
適用するので、このような処理に耐えられるように、表
層配線の形成前に、積層したグリーンシートと内部配線
とを予め焼成し、焼成基板(即ち、ガラスセラミックス
多層配線基板)の状態にしておく。焼成温度は、ガラス
セラミックス基板や内部配線のの材質に応じて選択すれ
ばよいが、通常は 850〜1000℃の範囲内であろう。焼成
雰囲気は、内部配線がCuである場合には、配線の酸化を
防止するために非酸化性雰囲気 (例、真空または不活性
ガス雰囲気) とする必要があるが、貴金属の場合には空
気中で焼成できる。
For example, in the green sheet multilayer laminating method,
The screen-printed surface wiring can be fired at the same time as the green sheet of the substrate, but the method of the present invention utilizes photolithography technology when forming the surface wiring to perform relatively severe chemical treatment such as etching. Is applied to the substrate, so that the laminated green sheet and the internal wiring are baked before forming the surface layer wiring so as to withstand such processing, and the state of the baked substrate (that is, the glass ceramic multilayer wiring substrate) Keep it. The firing temperature may be selected according to the material of the glass ceramic substrate and the internal wiring, but will usually be in the range of 850 to 1000 ° C. The firing atmosphere must be a non-oxidizing atmosphere (e.g., vacuum or inert gas atmosphere) to prevent oxidation of the wiring when the internal wiring is Cu, but in the case of noble metal Can be fired.

【0019】このガラスセラミックス基板の表面 (片面
または両面) に、本発明の方法に従って表層配線を形成
する。まず、基板上に、スクリーン印刷の手法に準じて
金属ペーストを塗布または印刷する。
A surface wiring is formed on the surface (one or both surfaces) of the glass ceramic substrate according to the method of the present invention. First, a metal paste is applied or printed on a substrate according to a screen printing technique.

【0020】使用する金属ペーストには、導体となる金
属粉末に加えてガラス粉末を含有させる。このガラス粉
末の含有により、後述するように、最後の本焼成におい
て表層配線の高い密着性が確保される。金属ペーストに
含有させるガラス粉末の種類は特に制限されないが、フ
ォトリソグラフィによる配線形成時に使用するエッチン
グやレジスト除去用の薬液により侵食されにくいもの
好ましい。ガラス粉末を含有する金属ペーストが市販さ
れており、それを使用してもよい。
The metal paste to be used contains glass powder in addition to the metal powder to be the conductor. By the inclusion of the glass powder, high adhesion of the surface wiring is ensured in the final main firing as described later. The type of glass powder to be contained in the metal paste is not particularly limited, but is preferably one that is not easily eroded by a chemical for etching or resist removal used when forming wiring by photolithography. A metal paste containing glass powder is commercially available and may be used.

【0021】金属ペースト中の金属種は、内部配線に使
用した金属と焼成中に金属間化合物を作らないものが好
ましい。焼成中に上記の金属間化合物の生成が起こる
と、金属間化合物は一般に脆いので、表層配線の接合部
の強度が著しく低下し、表層配線の密着性が低下すると
ともに、前記接合部に亀裂が入り、導通抵抗が高くなる
という問題も生ずる。金属間化合物の生成を確実に防ぐ
には、内部配線と表層配線の金属種を同じものにすれば
よい。例えば、表層配線をCuにしたい場合には、内部配
線もCuとする。但し、表層配線がAg、Ag/Pt、Ag/Pdの
ように貴金属系のものである場合には、内部配線は貴金
属系であれば別の貴金属種であってもよい。好ましい金
属種はコスト面、および後工程でのエッチングによる除
去が容易なことからCuであり、従って、内部配線と表層
配線の形成にはいずれもCuペーストを使用することが好
ましい。
The metal species in the metal paste preferably does not form an intermetallic compound during firing with the metal used for the internal wiring. When the above-mentioned intermetallic compound is generated during firing, since the intermetallic compound is generally brittle, the strength of the joint of the surface wiring is significantly reduced, the adhesion of the surface wiring is reduced, and a crack is formed in the joint. In addition, there arises a problem that the conduction resistance increases. In order to surely prevent the generation of an intermetallic compound, the metal type of the internal wiring and the surface wiring may be the same. For example, if the surface wiring is to be made of Cu, the internal wiring is also made of Cu. However, when the surface wiring is made of a noble metal such as Ag, Ag / Pt, or Ag / Pd, the internal wiring may be made of another noble metal if the noble metal is used. A preferred metal type is Cu because of its cost and ease of removal by etching in a later step. Therefore, it is preferable to use Cu paste for forming both the internal wiring and the surface wiring.

【0022】金属ペーストにおけるガラス粉末の配合割
合は、金属:ガラスの重量比が一般に99.5:0.5 〜90:
10の範囲内となる割合が好ましい。金属ペーストは、金
属粉末とガラス粉末の他に、通常は結着剤となる有機樹
脂および有機溶剤を含有している。
The mixing ratio of the glass powder in the metal paste is such that the weight ratio of the metal to the glass is generally 99.5: 0.5 to 90:90.
A ratio falling within the range of 10 is preferred. The metal paste contains, in addition to the metal powder and the glass powder, an organic resin and an organic solvent which are usually used as a binder.

【0023】本発明では、配線パターンはフォトリソグ
ラフィ技術またはレーザー加工により形成するので、ガ
ラスセラミックス基板上への金属ペーストの印刷は、全
面のベタ印刷 (即ち、塗布) でもよく、或いは導体ペー
ストの使用量を節約するために、目的とする配線パター
ンに対応させた粗い配線パターンをスクリーン印刷して
もよい。即ち、金属ペーストは必ずしもスクリーン印刷
する必要はなく、ドクターブレード法といった簡易な方
法で塗布するだけでもよい。
In the present invention, since the wiring pattern is formed by photolithography or laser processing, the printing of the metal paste on the glass ceramic substrate may be solid printing (that is, coating) on the entire surface, or the use of a conductive paste. In order to save the amount, a coarse wiring pattern corresponding to a target wiring pattern may be screen-printed. That is, the metal paste does not necessarily need to be screen-printed, but may be simply applied by a simple method such as a doctor blade method.

【0024】ガラス粉末を含有する金属ペーストの塗布
または印刷後に予備焼成を行って、ガラスセラミックス
基板10上に、ガラス粉末を含有する金属層14を形成す
る。この金属層の厚みは、ほぼ表層配線の厚みに一致す
る。好ましい厚みは5〜30μm程度である。
Preliminary baking is performed after application or printing of the metal paste containing glass powder to form a metal layer 14 containing glass powder on the glass ceramic substrate 10. The thickness of the metal layer substantially matches the thickness of the surface wiring. The preferred thickness is about 5 to 30 μm.

【0025】本発明方法では、表層配線パターンの形成
後に本焼成して必要な密着強度を得るので、予備焼成
は、金属層−基板間の密着強度が、その後の金属層のパ
ターン化工程 (フォトリソグラフィー処理またはレーザ
ー加工) に耐えうる程度になるように行えばよい。この
ような密着強度の尺度は、例えば、ピール強度法で測定
した金属層−基板間の密着強度が1.0 kgf/2mm平方以上
となる程度である。予備焼成温度は、基板に金属ペース
トによるだれや基板変形・セッターへの固着等が生ずる
ほど高くしないことは当然である。予備焼成の温度が高
くなると、密着強度が高くなりすぎ、かつ金属が基板表
面に拡散するため、フォトリソグラフィー処理において
エッチングによる不要部の金属層の除去が困難になるこ
とがある。その意味では、上記の最低限必要な密着強度
が確保される限り、予備焼成温度は低目の方が好まし
い。
In the method of the present invention, the necessary adhesion strength is obtained by performing the main baking after the formation of the surface layer wiring pattern. Therefore, in the pre-baking, the adhesion strength between the metal layer and the substrate is reduced by the patterning step of the metal layer (photo (Lithography processing or laser processing). Such a measure of the adhesion strength is, for example, such that the adhesion strength between the metal layer and the substrate measured by the peel strength method is 1.0 kgf / 2 mm square or more. Naturally, the pre-baking temperature is not so high as to cause dripping of the metal paste on the substrate, deformation of the substrate, adhesion to the setter, and the like. If the temperature of the pre-baking is high, the adhesion strength becomes too high, and the metal diffuses to the substrate surface, so that it may be difficult to remove an unnecessary portion of the metal layer by etching in the photolithography process. In this sense, the lower the pre-firing temperature, the better, as long as the minimum necessary adhesion strength is secured.

【0026】好ましい予備焼成温度は、金属ペースト中
の金属種によっても異なるが、いずれも場合も、本焼成
温度より高くしない、即ち、本焼成温度と同じである
か、それより低くすることが好ましい。金属ペーストが
Cuペーストの場合、好ましい予備焼成温度は 600〜1000
℃であり、より好ましくは 600〜900 ℃、特に好ましく
は 650〜750 ℃である。
The preferable pre-firing temperature depends on the type of metal in the metal paste, but in any case, it is preferable that the pre-firing temperature is not higher than the main firing temperature, that is, the same as or lower than the main firing temperature. . Metal paste
For Cu paste, the preferred pre-firing temperature is 600-1000
° C, more preferably from 600 to 900 ° C, particularly preferably from 650 to 750 ° C.

【0027】金属ペーストがAgやAg合金のような貴金属
系ペーストの場合には、好ましい予備焼成温度は 600〜
950 ℃であり、より好ましくは 600〜750 ℃である。予
備焼成温度が600 ℃を下回ると、ガラスの屈伏点に達し
ないため、表層配線−基板間に上記の最低限の密着強度
を確保することが困難となる。予備焼成温度が1000℃を
超えると、基板変形等が起こりうる。
When the metal paste is a noble metal based paste such as Ag or Ag alloy, the preferable pre-baking temperature is 600 to
The temperature is 950 ° C, more preferably 600 to 750 ° C. If the pre-baking temperature is lower than 600 ° C., the yield point of the glass is not reached, so that it becomes difficult to secure the above minimum adhesion strength between the surface wiring and the substrate. If the pre-baking temperature exceeds 1000 ° C., substrate deformation or the like may occur.

【0028】焼成雰囲気は、前述したように、Cuペース
トの場合には非酸化性雰囲気とし、貴金属系ペーストの
場合には大気雰囲気で十分である。表層の金属ペースト
だけを予備焼成するので、焼成時間は5分〜30分程度の
短時間で十分である。
As described above, the firing atmosphere is a non-oxidizing atmosphere in the case of the Cu paste, and the atmospheric atmosphere is sufficient in the case of the noble metal-based paste. Since only the surface metal paste is pre-fired, a short time of about 5 to 30 minutes is sufficient.

【0029】この基板10上に形成した金属層14を適当な
手段でパターン化する。このパターン化は、フォトリソ
グラフィー技術を利用するか、レーザー加工により実施
することができるが、金属層のパターン化が可能な他の
方法を採用してもよい。フォトリソグラフィー技術によ
るパターン化は従来と同様に実施すればよいが、以下に
図1を参照しながら簡単に説明する。
The metal layer 14 formed on the substrate 10 is patterned by a suitable means. This patterning can be performed using photolithography technology or laser processing, but other methods capable of patterning the metal layer may be employed. The patterning by the photolithography technique may be performed in the same manner as in the related art, but will be briefly described below with reference to FIG.

【0030】まず、基板10上の金属層14の上にフォトレ
ジスト層16を形成する [図1(b) 、工程(3)]。このフォ
トレジスト層16の形成は、金属層14に密着したフォトレ
ジスト層16が形成できる方法であれば特に制限されな
い。例えば、液状のフォトレジスト (レジストインキ)
を金属層の上に塗布し、塗膜を乾燥することにより形成
してもよく、或いは固体のフォトレジストフィルムを金
属層に熱圧着させてもよい。フォトレジスト層は、ポジ
型でもネガ型でもよい。
First, a photoresist layer 16 is formed on the metal layer 14 on the substrate 10 [FIG. 1 (b), step (3)]. The formation of the photoresist layer 16 is not particularly limited as long as the photoresist layer 16 that is in close contact with the metal layer 14 can be formed. For example, liquid photoresist (resist ink)
May be applied on the metal layer and the coating film dried to form a solid photoresist film. The solid photoresist film may be thermocompression-bonded to the metal layer. The photoresist layer may be positive or negative.

【0031】その後、このフォトレジスト層16を、表層
配線に対応するパターン形状を有するフォトマスクを介
して露光した後、現像することにより、フォトレジスト
層に表層配線と同じ微細配線パターンの凹部18を形成す
る [図1(c) 、工程(4), (5)] 。露光は通常は紫外線で
行う。
Thereafter, the photoresist layer 16 is exposed through a photomask having a pattern shape corresponding to the surface wiring, and then developed to form a concave portion 18 of the same fine wiring pattern as the surface wiring in the photoresist layer. [FIG. 1 (c), Steps (4) and (5)]. Exposure is usually performed with ultraviolet light.

【0032】フォトマスクは、フォトレジストがポジ型
かネガ型かに応じて作製し、現像液もフォトレジストに
応じたものを使用する。現像液は一般には酸性またはア
ルカリ性水溶液である。現像により、ポジ型では露光
部、ネガ型では非露光部のフォトレジストが除去され、
フォトレジストが除去されて形成されたフォトレジスト
層の凹部18では、下層の金属層14が露出する。
The photomask is prepared according to whether the photoresist is a positive type or a negative type, and a developing solution is used in accordance with the photoresist. The developer is generally an acidic or alkaline aqueous solution. By development, the photoresist of the exposed part in the positive type and the photoresist of the non-exposed part in the negative type are removed,
In the concave portion 18 of the photoresist layer formed by removing the photoresist, the lower metal layer 14 is exposed.

【0033】次いで、こうして露出した部分の金属層を
エッチングにより除去して、金属層に表層配線と同じ微
細配線パターンが残るように金属層の凹部20を形成する
[図1(d) 、工程(6)]。このエッチングは、金属層を構
成する金属と化学反応して、この金属を可溶化すること
ができる成分を含有するエッチング液を使用して行うこ
とができる。例えば、Cuの除去に適したエッチング液
は、塩化第二鉄の濃厚水溶液 (30〜50%濃度) や、過硫
酸アンモニウム水溶液、塩化第二銅水溶液、クロム酸−
硫酸混液などである。エッチングは、露出部の金属層が
完全に除去されるように、エッチング液の濃度、温度、
エッチング時間等を設定して行う。
Next, the metal layer in the exposed portion is removed by etching, and a recess 20 of the metal layer is formed so that the same fine wiring pattern as the surface wiring remains in the metal layer.
[FIG. 1 (d), step (6)]. This etching can be performed using an etching solution containing a component capable of solubilizing the metal by chemically reacting with the metal constituting the metal layer. For example, an etching solution suitable for removing Cu is a concentrated aqueous solution of ferric chloride (30 to 50% concentration), an aqueous solution of ammonium persulfate, an aqueous solution of cupric chloride, or chromic acid.
For example, a sulfuric acid mixture. Etching is performed so that the concentration of the etching solution, the temperature,
This is performed by setting an etching time and the like.

【0034】その後、エッチングにより除去されずに残
った金属層の上に残留するフォトレジスト層を適当な方
法で除去して、表層配線22を有するガラスセラミックス
基板10を得る [図1(e) 、工程(7)]。
Thereafter, the photoresist layer remaining on the metal layer which has not been removed by the etching is removed by an appropriate method to obtain the glass ceramic substrate 10 having the surface wiring 22 [FIG. 1 (e)]. Step (7)].

【0035】フォトレジスト層がポジ型の場合には、残
留しているフォトレジスト層は未露光部であるので、全
面露光を施してフォトレジスト層を現像液に可溶性に
し、次いで現像液で処理することにより残留するフォト
レジスト層を簡単に除去することができる。この全面露
光は、エッチング前に行ってもよい。
When the photoresist layer is a positive type, the remaining photoresist layer is an unexposed portion, so that the entire surface is exposed to make the photoresist layer soluble in a developing solution, and then processed with a developing solution. This makes it possible to easily remove the remaining photoresist layer. This overall exposure may be performed before etching.

【0036】フォトレジスト層がネガ型の場合には、残
留するフォトレジスト層は露光部であって現像液には不
溶性になっているので、より強力な溶解液を使用する
か、或いはプラズマ、熱分解といったより苛酷な除去手
段が一般に必要となる。熱分解の場合には、ガラスセラ
ミックス基板や配線層が変形あるいは酸化等の劣化を受
けないように条件を設定する必要がある。好ましいフォ
トレジスト層の除去方法は、プラズマ照射である。プラ
ズマとしては酸素などのプラズマが使用できる。プラズ
マが非常に高温であるため、照射時間が非常に短くてす
むので、ガラスセラミックス基板や表層配線に及ぼす影
響が少なくてすむ。
When the photoresist layer is a negative type, the remaining photoresist layer is an exposed portion and is insoluble in a developing solution. Therefore, a stronger solution is used, or plasma or heat is used. More severe removal means such as decomposition are generally required. In the case of thermal decomposition, it is necessary to set conditions so that the glass ceramics substrate and the wiring layer are not deteriorated by deformation or oxidation. A preferred method for removing the photoresist layer is plasma irradiation. Plasma such as oxygen can be used as the plasma. Since the plasma is at a very high temperature, the irradiation time can be very short, so that the influence on the glass ceramic substrate and the surface wiring is small.

【0037】以上のようにして、フォトリソグラフィ技
術により金属層14をパターン化して表層配線22を形成す
ると、不要な金属層のエッチングによる除去と、場合に
よってはさらにフォトレジスト層の除去において、腐食
性の水溶液を用いるため、表層配線−基板間の密着強度
は、予備焼成直後の同じ密着強度に比べて低下すること
は免れない。
As described above, when the metal layer 14 is patterned by the photolithography technique to form the surface wiring 22, the unnecessary removal of the metal layer by etching and, in some cases, the removal of the photoresist layer may be corrosive. Since the aqueous solution is used, the adhesion strength between the surface layer wiring and the substrate is inevitably reduced as compared with the same adhesion strength immediately after the preliminary firing.

【0038】そのため、本発明では最後に表層配線−基
板間の密着強度を上げるため、ガラスセラミックス基板
の本焼成を行う [工程(8)]。この本焼成により、図2に
示すように、表層配線 (金属層) 中に残留する、エッチ
ング時に溶出しなかったガラス成分と、ガラスセラミッ
クス基板中に含まれているガラス成分とが相互に拡散し
あうため、表層配線−基板間の密着強度が著しく高ま
る。即ち、表層配線の形成に使用する金属ペーストがガ
ラス粉末を含有することが、この密着強度の向上に効果
的に作用する。
Therefore, in the present invention, finally, in order to increase the adhesion strength between the surface wiring and the substrate, the glass ceramic substrate is finally fired [Step (8)]. As a result of the main baking, as shown in FIG. 2, the glass component remaining in the surface wiring (metal layer) and not eluted during the etching and the glass component contained in the glass ceramic substrate are mutually diffused. Therefore, the adhesion strength between the surface wiring and the substrate is significantly increased. That is, the fact that the metal paste used for forming the surface wiring contains glass powder effectively acts to improve the adhesion strength.

【0039】金属層のパターン化をレーザー加工で行っ
た場合には、パターン化による表層配線−基板間の密着
強度の低下はほとんど生じないが、この場合も予備焼成
だけでは密着強度が不十分であるので、本焼成によりガ
ラス成分どうしの相互拡散によって密着強度を向上させ
る。
When the metal layer is patterned by laser processing, the adhesion between the surface layer wiring and the substrate hardly decreases due to the patterning, but also in this case, the adhesion is insufficient due to the preliminary firing alone. Because of this, the final baking improves the adhesion strength by mutual diffusion of the glass components.

【0040】本焼成温度は予備焼成と同様な温度範囲で
よいが、好ましくは予備焼成と同じ温度またはそれより
高温で行い、特に好ましくは、予備焼成温度より本焼成
温度を高くする。配線金属の溶融による「だれ」や基板
変形・セッターへの固着等が生ずるほど高くない限り、
本焼成温度は高い方が好ましい。表層配線がCuの場合に
は本焼成温度を 850〜1000℃とすることが特に好まし
い。本焼成の焼成雰囲気も表層配線の金属種により選択
する。焼成時間は上記の拡散が十分に起こるようにする
ため、例えば10〜120 分程度とすることが好ましい。
The main firing temperature may be in the same temperature range as that of the preliminary firing, preferably at the same temperature as the preliminary firing or at a higher temperature, and particularly preferably, the main firing temperature is higher than the preliminary firing temperature. Unless the wiring metal is high enough to cause drooling, board deformation, or sticking to the setter, etc.
The higher the firing temperature, the better. When the surface wiring is made of Cu, the firing temperature is particularly preferably set to 850 to 1000 ° C. The firing atmosphere for the main firing is also selected according to the metal type of the surface wiring. The firing time is preferably, for example, about 10 to 120 minutes so that the above-mentioned diffusion occurs sufficiently.

【0041】但し、前述した特開平5−315754号公報に
記載のガラスセラミックス多層配線基板と同様に、内部
配線が貴金属系 (例、AgまたはAg/Pd) で表層配線がCu
と異なる場合には、予備焼成と本焼成のいずれも、接合
部での金属間化合物の生成が抑制されるような比較的低
温 (例、750 ℃以下) とすることが好ましい。このよう
に焼成温度が低くても、本焼成を行うことにより、エッ
チング等により低下した表層配線−基板間の密着強度は
ある程度は回復するので、上記公報に記載の方法に比べ
て密着強度は改善される。
However, as in the case of the glass ceramic multilayer wiring board described in JP-A-5-315754, the internal wiring is noble metal (eg, Ag or Ag / Pd) and the surface wiring is Cu.
If different from the above, it is preferable that both the preliminary firing and the main firing be performed at a relatively low temperature (for example, 750 ° C. or lower) at which generation of an intermetallic compound at the joint is suppressed. Even if the firing temperature is low, the final firing reduces the adhesion between the surface wiring and the substrate due to etching or the like to some extent, so that the adhesion is improved as compared with the method described in the above publication. Is done.

【0042】[0042]

【実施例】アルミナとコーディエライト系ガラス(Al2O3
-MgO-SiO2)の重量比50:50の混合粉末を主成分とするガ
ラスセラミックス材料からグリーンシート法により形成
した、内部配線とビアがいずれもCuペーストから形成さ
れたガラスセラミックス多層配線基板 (窒素雰囲気中で
950℃×30分間焼成したもの) に、本発明の方法に従っ
て表層配線を形成した。
[Example] Alumina and cordierite glass (Al 2 O 3
-MgO-SiO 2 ) glass ceramic multilayer wiring board (internal wiring and vias both formed from Cu paste) formed by a green sheet method from a glass ceramic material containing a mixed powder of 50:50 by weight as a main component ( In a nitrogen atmosphere
(Baked at 950 ° C. for 30 minutes) to form a surface wiring according to the method of the present invention.

【0043】まず、このガラスセラミックス基板の片面
の全面に、ガラス粉末を含有する市販のCuペースト (デ
ュポン製:QP-153) をスクリーン印刷法により塗布し、
窒素雰囲気中 700〜900 ℃で10分間の予備焼成を行っ
て、厚さ10μmのガラス粉末含有金属層を形成した。
First, a commercially available Cu paste (manufactured by DuPont: QP-153) containing glass powder was applied to the entire surface of one surface of the glass ceramic substrate by screen printing.
Preliminary baking was performed at 700 to 900 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere to form a glass powder-containing metal layer having a thickness of 10 μm.

【0044】次に、この金属層の上に、ネガ型の液状フ
ォトレジスト [東京応化工業社製:OMR-83) をスピンコ
ーターにより塗布し、熱風乾燥炉にて85℃で30分間の皮
膜の乾燥を行ってフォトレジスト層を形成した。その
後、配線幅30μm、線間隔30μmの表層配線ネガパター
ンを有するフォトマスクを介してフォトレジスト層に紫
外線を照射した (照射量:1000 mJ/cm2)。次いで、上記
のフォトレジスト用の現像液 (東京応化工業社製:OMR-
現像液SG) により現像して、フォトレジスト層に表層配
線パターンに対応した凹部を形成した。
Next, a negative type liquid photoresist (OMR-83, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied on the metal layer by a spin coater, and the film was formed in a hot air drying oven at 85 ° C. for 30 minutes. Drying was performed to form a photoresist layer. Thereafter, the photoresist layer was irradiated with ultraviolet rays through a photomask having a surface wiring negative pattern with a wiring width of 30 μm and a line interval of 30 μm (irradiation amount: 1000 mJ / cm 2 ). Next, a developer for the above photoresist (OMR- manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
By developing with a developing solution SG), a concave portion corresponding to the surface wiring pattern was formed in the photoresist layer.

【0045】現像したフォトレジスト層を145 ℃で30分
間乾燥させた後、40wt%の塩化第二銅水溶液で、フォト
レジスト層の凹部に露出している部分の金属層をエッチ
ングにより除去した。このエッチングは、この部分の金
属層が実質的に完全に除去されるまで温度25℃で約 0.5
〜10分間行った。その後、残った金属層上に残留するフ
ォトレジスト層を、酸素プラズマを2〜3分間照射する
ことにより除去して、基板上に表層配線パターンを形成
した。最後に、窒素雰囲気中 750〜900 ℃で30分間の本
焼成を行って、表層配線を有するガラスセラミックス多
層配線基板を得た。
After the developed photoresist layer was dried at 145 ° C. for 30 minutes, a portion of the metal layer exposed in the concave portion of the photoresist layer was removed by etching with a 40 wt% aqueous solution of cupric chloride. This etching is performed at a temperature of about 25 ° C. for about 0.5 until the metal layer in this part is substantially completely removed.
Performed for ~ 10 minutes. Thereafter, the photoresist layer remaining on the remaining metal layer was removed by irradiating with oxygen plasma for 2 to 3 minutes to form a surface wiring pattern on the substrate. Finally, main firing was performed at 750 to 900 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to obtain a glass-ceramic multilayer wiring substrate having a surface wiring.

【0046】比較のために、予備焼成または本焼成の温
度が500 ℃と低い例 (焼成時間は同じ)、本焼成を行わ
なかった例、表層配線の形成に用いたCuペーストがガラ
ス粉末を含まないペースト (平均粒径1.2 μmの銅粉末
100 重量部に、エチルセルロース25重量部と溶媒のテル
ピネオールを適量混合して調製したもの) を使用した例
についても、これら以外の条件は上と同様にして、ガラ
スセラミックス多層配線基板上に表層配線を形成した。
For comparison, the temperature of the preliminary firing or the main firing is as low as 500 ° C. (the firing time is the same), the case of not performing the main firing, the Cu paste used for forming the surface wiring contains glass powder. No paste (copper powder with average particle size of 1.2 μm
100 parts by weight, prepared by mixing an appropriate amount of 25 parts by weight of ethylcellulose and terpineol as a solvent) in the same manner as above, except that the surface layer wiring was formed on a glass ceramic multilayer wiring board. Formed.

【0047】以上の実施例および比較例のガラスセラミ
ックス多層配線基板上の表層配線を光学顕微鏡で観察
し、断線の有無により表層配線の形状を評価した。断線
が1個所でもある場合には×とし、断線が全くない場合
を○とした。
The surface wirings on the glass-ceramic multilayer wiring substrates of the above Examples and Comparative Examples were observed with an optical microscope, and the shape of the surface wirings was evaluated based on the presence or absence of disconnection. When there was any disconnection, it was evaluated as x, and when there was no disconnection, it was evaluated as ○.

【0048】別に、上と同じガラスセラミックス基板
(但し、内部配線のない単層基板) の片面に、同じCuペ
ーストを使用して、上記と同様の一連の操作により、ピ
ール強度測定用の2mm平方のCuパッドを形成した。この
Cuパッドの表面に平行に (つまり、基板面に平行に) 、
コテ先温度300 ℃の半田ゴテを用いて、Pb−63Sn半田に
より直径0.6 mmのSnメッキ銅線 (住友電工製、TA線) を
接合した。この銅線をCuパッド端部で基板に垂直に折り
曲げ、端部を上方に引っ張ることで、Cuパッドのピール
強度を測定し、基板−表層配線の密着強度を測定した。
Separately, the same glass ceramic substrate as above
(However, a single-layer substrate having no internal wiring) was used to form a 2 mm square Cu pad for peel strength measurement by using the same Cu paste and performing a series of operations similar to the above. this
Parallel to the surface of the Cu pad (that is, parallel to the substrate surface),
A 0.6 mm diameter Sn-plated copper wire (TA wire, Sumitomo Electric) was joined by Pb-63Sn solder using a soldering iron having a tip temperature of 300 ° C. The copper wire was bent perpendicularly to the substrate at the edge of the Cu pad, and the edge was pulled upward to measure the peel strength of the Cu pad and the adhesion strength between the substrate and the surface wiring.

【0049】参考までに、予備焼成後の基板−金属層の
密着強度も、上と同じ方法で測定した。以上の試験結果
を表1にまとめて示す。
For reference, the adhesion strength between the substrate and the metal layer after the preliminary firing was also measured by the same method as above. Table 1 summarizes the above test results.

【0050】[0050]

【表1】 [Table 1]

【0051】表1から、本発明の方法に従って、ガラス
粉末を含有する金属ペーストを使用し、スクリーン印刷
後に予備焼成して金属層を形成し、この金属層にフォト
リソグラフィ法により表層配線パターンを形成し、最後
に本焼成を行うと、配線幅が30μmと微細であっても形
状不良 (断線) がなく、かつ基板−表層配線の密着強度
が少なくとも2kgf/2mm平方以上と高い表層配線が形成
できることがわかる。特に、本焼成温度が 900℃と高い
と、750 ℃の時に比べて密着強度が約2倍と著しく向上
した。
From Table 1, according to the method of the present invention, using a metal paste containing glass powder, pre-baking after screen printing to form a metal layer, and forming a surface wiring pattern on the metal layer by photolithography. Finally, when the final baking is performed, even if the wiring width is as fine as 30 μm, there is no shape defect (disconnection), and a surface wiring having a substrate-surface wiring adhesion strength as high as at least 2 kgf / 2 mm square or more can be formed. I understand. In particular, when the main firing temperature was as high as 900 ° C., the adhesion strength was remarkably improved to about twice as compared with when the firing temperature was 750 ° C.

【0052】これに対し、予備焼成温度が600 ℃を下回
ると、予備焼成でフォトリソグラフィ処理に耐えるだけ
の基板−金属層の密着強度が得られないため、配線形状
が崩れ、密着強度も測定も不可能であった。一方、予備
焼成を600 ℃以上で行っても、本焼成を行わないか、本
焼成温度が600 ℃を下回ると、配線形状は良好であった
ものの、基板−表層配線の密着強度は、予備焼成時の密
着強度より低くなり、1.5 kgf/2mm平方にも達しなかっ
た。このように密着強度が低いと、表層配線の信頼性は
大きく低下することは明らかである。導体ペーストがガ
ラス粉末を含有しない場合、予備焼成後の密着強度が低
く、本焼成後は密着強度がさらに低下して、測定不能と
なった。
On the other hand, if the pre-firing temperature is lower than 600 ° C., the pre-firing does not provide sufficient adhesion between the substrate and the metal layer to withstand the photolithography process, so that the wiring shape is broken and the adhesion strength is measured. It was impossible. On the other hand, even if the pre-baking was performed at 600 ° C. or higher, if the main firing was not performed or the main firing temperature was lower than 600 ° C., the wiring shape was good, but the adhesion strength between the substrate and the surface wiring was reduced by the pre-baking. It was lower than the adhesion strength at the time, and did not reach 1.5 kgf / 2 mm square. It is clear that when the adhesion strength is low, the reliability of the surface wiring greatly decreases. When the conductor paste did not contain glass powder, the adhesion strength after pre-firing was low, and after main firing, the adhesion strength was further reduced, making measurement impossible.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明の方法に
より、配線幅や線間隔が30μm程度と微細パターンを持
ち、基板との密着強度が高い表層配線を有するガラスセ
ラミックス多層配線基板を製造することが可能となる。
従って、本発明の方法は、ガラスセラミックス多層配線
基板の小型化と信頼性向上に寄与するものである。
As described above, according to the method of the present invention, a glass-ceramic multilayer wiring board having a surface wiring having a fine pattern having a wiring width and a line interval of about 30 μm and having high adhesion strength to a substrate is manufactured. It is possible to do.
Therefore, the method of the present invention contributes to downsizing and improving the reliability of the glass ceramic multilayer wiring board.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の方法の製造工程図を示す。FIG. 1 shows a manufacturing process diagram of the method of the present invention.

【図2】本焼成工程におけるガラス粒子の相互拡散を示
す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing mutual diffusion of glass particles in a main firing step.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:ガラスセラミックス多層配線基板 12:内部配線 14:金属層 16:フォトレジスト層 18:フォトレジスト層の凹部 20:金属層の凹部 22:表層配線 10: Glass ceramic multilayer wiring board 12: Internal wiring 14: Metal layer 16: Photoresist layer 18: Depression of photoresist layer 20: Depression of metal layer 22: Surface wiring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内山 一郎 大阪市中央区北浜4丁目5番33号 住友 金属工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−204645(JP,A) 特開 昭50−97865(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/46 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Ichiro Uchiyama 4-33 Kitahama, Chuo-ku, Osaka-shi Inside Sumitomo Metal Industries, Ltd. (56) References JP-A-6-204645 (JP, A) JP-A Sho 50-97865 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H05K 3/46

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 表層配線を有するガラスセラミックス配
線基板の製造方法であって、 (1) ガラスセラミックス基板上に、ガラス粉末を含む金
属ペーストを塗布または印刷し、 (2) 600 ℃以上の温度での予備焼成により基板上に金属
層を形成し、 (3) この金属層をパターン化し、 (4) 600 ℃以上の温度で本焼成を行って、基板上に密着
強度2kgf/2mm平方以上の表層配線が形成されたガラス
セラミックス多層配線基板を得る、 という工程からなる方法。
1. A method for manufacturing a glass-ceramic wiring board having surface wiring, comprising: (1) applying or printing a metal paste containing glass powder on a glass-ceramic substrate; (3) This metal layer is patterned, and (4) Main firing is performed at a temperature of 600 ° C or more to adhere to the substrate.
Obtaining a glass-ceramic multilayer wiring board having a surface wiring having a strength of 2 kgf / 2 mm square or more .
【請求項2】 ガラスセラミックス基板が内部配線を有
する多層配線基板であり、該内部配線の金属と金属ペー
スト中の金属がいずれもCuであって、予備焼成と本焼成
を 600〜1000℃の温度で行う、請求項1記載の方法。
2. The glass ceramic substrate is a multilayer wiring board having internal wiring, wherein the metal of the internal wiring and the metal in the metal paste are both Cu, and the pre-firing and main firing are performed at a temperature of 600 to 1000 ° C. The method according to claim 1, wherein the method is performed.
【請求項3】 本焼成温度が 850〜1000℃である請求項
2記載の方法。
3. The method according to claim 2, wherein the main sintering temperature is 850 to 1000 ° C.
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