JP3278759B2 - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は放射線に感応するポジ型
フォトレジストに関するものであり、更に詳しくはＩＣ
等の半導体製造工程、液晶サーマルヘッド等の回路製造
等の工程で用いられる塗工性能、溶液安定性、微細加工
性に優れたフォトレジスト組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感放射線性化合物としての
１,２ーキノンジアジド化合物とを溶剤に溶解して成る
組成物が知られている。これらのアルカリ可溶性樹脂に
感放射線性化合物を配合したポジ型レジスト組成物を使
用することにより、放射線照射部がアルカリ水溶液から
なる現像液に溶解し、マスクに忠実で、高いレジストパ
ターンが得られる。特に集積回路の高集積度が要求され
る近年は解像度の優れたアルカリ可溶性樹脂を用いたポ
ジ型レジスト組成物が多用されている。

【０００３】しかしながら、前記ポジ型感光性樹脂組成
物には、例えば溶剤として酢酸ー２ーエトキシエチル、
アルカリ水溶液可溶性樹脂としてクレゾールなどのノボ
ラック樹脂、１,２ーキノンジアジド化合物としてナフ
トキノンジアジド系感光剤などが用いられるが、該樹脂
組成物を０.２μｍのフィルターで濾過した後放置する
と、経日とともに製造時にはみられない目視では観察し
得ない微粒子が生成し、更に長期にわたって保存すると
やがては沈殿の発生を見るに至る場合が有る。このよう
な微粒子を含有するレジスト組成物を用いて基板上にレ
ジストパターンを形成すると現像によりレジストが除去
される部分に微粒子が残り、解像度が低下するという問
題がある。

【０００４】このレジスト組成物中の微粒子の生成を抑
える方法として、１,２ーキノンジアジド化合物の合成
に用いられるポリヒドロキシ化合物の水酸基の一部をア
シル化する方法(特開昭６２−１７８５６２号公報)、モ
ノオキシモノカルボン酸エステルを溶剤として用いる方
法(特開昭６２−１２３４４４号公報)、アミド系溶剤で
あるジメチルホルムアミドを用いる方法(特開昭６２ー
２８０８４４号公報)、シクロペンタノンを用いる方法
(特開昭５９ー１５５８３８号公報)等が提案されてい
る。

【０００５】更に、上記の問題点とは別に、該組成物を
基板に塗布した際に、ストリエーションと呼ばれる塗布
ムラが生じ、パターンの直線性及び再現性が低下し、所
望の精度が得られないという問題がある。この塗布性を
改良する目的で公知のレジスト組成物用の溶剤にフッ素
系界面活性剤を添加する方法(特開昭６２ー３６６５７
号公報、同５８ー２０３４３４号公報)、シクロペンタ
ノンと炭素数５〜１２の脂肪族アルコールを組み合わせ
る方法(特開昭５９ー２３１５３４号公報)、更に、６０
〜１７０℃の沸点を有する溶剤と、１８０〜３５０℃の
沸点を有する溶剤を組み合わせる方法(特開昭６０ー２
４５４５号公報)等が提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のようなポジ型レ
ジスト組成物の保存安定性と塗布性能は、用いられる溶
媒の特性により大きく左右されることが知られている
が、この保存安定性と塗布性能のこの二つの問題点を同
時に改良する溶媒は殆ど知られていないのが現状であ
る。本発明の目的は、第１に溶液の保存安定性に優れ、
保存中に感光剤の微粒子の沈殿を生じないようなポジ型
フォトレジスト用組成物を提案することである。更に、
第２の目的はストリエーション等のない、塗布性能に優
れたポジ型フォトレジスト用組成物を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の問題
を解決するために鋭意検討の結果、ある種の環状ジエー
テル系溶剤を用いることにより、保存安定性と塗布性能
が特異的に向上することを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明はアルカリ可溶性樹脂と１，２−キノンジ
アジド化合物と溶剤とを含むポジ型フォトレジスト組成
物に於いて、一般式（Ｉ）で表され、且つ沸点が１２０
〜１８０℃である環状ジエーテル系化合物を含有する溶
剤を用いることを特徴とするポジ型レジスト用組成物に
関する。

【化２】 但し、ｎは１〜４の整数を、Ｒ _１ 、Ｒ _２ はＨ又はメチル
基又はエチル基（但し、Ｒ _１ 、Ｒ _２ が同時にメチル基又
はエチル基であることはない）を、Ｒ _３ 、Ｒ _４ は水素又
は炭素数１〜６のアルキル又はアリール基又はベンジル
基をそれぞれ示す。

【０００８】以下に本発明を詳細に説明する。一般式
（Ｉ）で表され、且つ沸点が１２０〜１８０℃を有する
溶剤類としては、２，２−ジ−ｎ−プロピル−１，３ジ
オキソラン、２，２−ジ−ｎ−ブチル−１，３−ジオキ
ソラン、２−ベンジル−１，３−ジオキソラン、２，２
−ジ−ｎ−プロピル−４−メチル−１，３−ジオキソラ
ン、２，２−ジ−イソプロピル−４−メチル−１，３−
ジオキソラン、２，２−ジ−ｎ−ブチル−４−メチル−
１，３ジオキソラン、２−ｎ−ブチル−４−メチル−
１，３−ジオキソラン、２−ｎ−プロピル−４−メチル
−１，３−ジオキソラン、２−ベンジル−４−メチル−
１，３−ジオキソラン、２−メチル−２−イソブチル−
４−メチル−１，３−ジオキソラン、２−メチル−２−
イソブチル−４−エチル−１，３−ジオキソラン、２−
ｎブチル−４−エチル−１，３−ジオキソラン、２−ｎ
プロピル−４−メチル−１，３−ジオキサン、２−ｎブ
チル−４−メチル−１，３−ジオキサン、２−ｎプロピ
ル−１，３−ジオキセパン等である。

【０００９】好ましい沸点の範囲は１２０〜１８０℃、
更に好ましくは１３０〜１７０℃である。フォトレジス
トの溶媒としては火災等の危険性を防ぐ為、引火点の出
来るだけ高い溶剤が所望されるが、引火点の高い溶剤ほ
どベーキング工程で完全に蒸発させるためには高温且つ
長時間を要する。しかしながら、感放射性剤として用い
る１,２ーキノンジアジド化合物は比較的分解温度が低
いのでベーキング温度はそれほど高くは出来ない。従っ
て、実用上あまり高沸点の溶剤を使用することには制限
がある。逆に高揮発性溶剤を使用すると基板上にスピン
コーティングする方法ではレジストの広がる時間に比
べ、蒸発時間が早くなりすぎ、フォトレジストを均一に
塗布することが困難になる。

【００１０】上記の如き溶剤は一般にエチレングリコー
ル、プロピレングリコールのようなグリコールとメチル
イソブチルケトン、メチルエチルケトン、ジーｎ−プロ
ピルケトン、ｎ−プロピルアルデヒド、ｎ−ブチルアル
デヒドのようなケトン或いはアルデヒドとを硫酸、ｐ−
トルエンスルホン酸、ヘテロポリ酸等の酸性触媒下で反
応させることにより製造できる。本発明においては前記
一般式(１)で表わされる化合物を主に用いることが好ま
しいが、他の溶剤を溶剤全量の５０ｗｔ％未満、好まし
くは３０ｗｔ％未満の範囲で混合使用することができ
る。

【００１１】混合できる溶剤の具体例としては、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレン
グリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエ
チルエーテル、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエ
ーテルなどのエーテル類、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレ
ン、γーブチロラクトンなどのエステル類、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトン、ア
セトニルアセトン、イソホロンなどのケトン類、カプロ
ン酸、カプリル酸などの脂肪酸類、１ーオクタノール、
１ーノナノール、ベンジルアルコールなどのアルコール
類、およびトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類
などを例示することができる。

【００１２】本発明に用いるアルカリ可溶性樹脂として
は、ノボラック樹脂、アセトンーピロガロール樹脂やポ
リヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げることがで
きる。これらの中で、特にノボラック樹脂が好ましく、
フェノール類とアルデヒド類を酸性触媒の存在下、付加
縮合させることにより得られる。

【００１３】この際、使用されるフェノール類として
は、例えばフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾー
ル、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチ
ルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェ
ノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノー
ル、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、
２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５
−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、
ｐ−フェニルフェノール、ヒドロキノン、カテコール、
レゾルシノール、２−メチルレゾルシノール、ピロガロ
ール、α−ナフトール、ビスフェノールＡ、ジヒドロキ
シ安息香酸エステル、没食子酸エステル、等を単独又は
２種以上混合して使用できるが、これらに限定されるも
のではない。

【００１４】またアルデヒド類としては、例えばホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド、αーフェニルプロピルアルデヒド、
βーフェニルプロピルアルデヒド、ｏーヒドロキシベン
ズアルデヒド、ｍーヒドロキシベンズアルデヒド、ｐー
ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏークロロベンズアルデ
ヒド、ｍークロロベンズアルデヒド、ｐークロロベンズ
アルデヒド、ｏーニトロベンズアルデヒド、ｍーニトロ
ベンズアルデヒド、ｐーニトロベンズアルデヒド、ｏー
メチルベンズアルデヒド、ｍーメチルベンズアルデヒ
ド、ｐーメチルベンズアルデヒド、ｐーエチルベンズア
ルデヒド、ｐーｎーブチルベンズアルデヒド等が挙げら
れ、これらの化合物のうちホルムアルデヒド、アセトア
ルデヒドおよびベンズアルデヒドが好ましい。これらの
アルデヒド類は、単独で又は２種以上混合して使用する
ことができる。

【００１５】アルデヒド類はフェノール類１モル当り、
通常、０.７〜３モル、好ましくは０.７〜２モルの割合
で使用される。酸触媒としては硫酸、塩酸、酢酸,ギ酸
等の無機酸、有機酸が使用できる。こうして得られたノ
ボラック樹脂の重量平均分子量は２０００〜３００００
の範囲であることが好ましいる。２０００未満では未露
光部の現像後の膜減りが大きく、３００００を超えると
現像速度が小さくなってしまう。特に好適なのは６００
０〜２００００の範囲である。

【００１６】本発明に用いられる１,２ーキノンジアジ
ド化合物としては、１,２ーベンゾキノンジアジドー４
ースルホン酸エステル、１,２ーナフトキノンジアジド
ー４ースルホン酸エステル、１,２ーナフトキノンジア
ジドー５ースルホン酸エステル等が挙げられる。これら
の化合物は、既に公知の化合物であり、ポリヒドロキシ
化合物と、１,２ーベンゾキノンジアジドー４ースルホ
ニルクロライド、１,２ーナフトキノンジアジドー４ー
スルホニルクロライド、１,２ーナフトキノンジアジド
ー５ースルホニルクロライドなどとを反応して得られ
る。

【００１７】ポリヒドロキシ化合物としては、１分子中
に３個以上の水酸基を有するものが好ましく、トリヒド
ロキシフェニルメチルケトンなどのトリヒドロキシフェ
ニルアルキルケトン、トリヒドロキシベンゾフェノン、
テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチル、没
食子酸プロピルなどの没食子酸エステルなどが挙げられ
る。

【００１８】反応は、ジオキサン、テトラヒドロキノ
ン、アセトン、メチルエチルケトン、水、セロソルブ等
の溶媒に溶かし、反応の促進のために塩基性触媒を用い
て脱塩酸反応を行って合成することができる。前記塩基
性触媒としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基、トリエチ
ルアミン、トリエタノールアミン、ジエチルアミン等の
有機塩基が通常用いられる。又、合成温度には特に制限
はないが、主生成物の安定性、反応速度の点から０〜４
０℃の範囲が好ましい。

【００１９】ポリヒドロキシ化合物と上記１,２ーキノ
ンジアジドー４ースルホニルクロライド等との反応割合
は、モノ又はポリヒドロキシ化合物１モルに対し、１モ
ルからポリヒドロキシ化合物の水酸基数のモル数と同じ
モル数だけの１,２ーキノンジアジド化合物が通常用い
られる。

【００２０】上記のようにして得られた１,２ーキノン
ジアジド化合物は、レジスト組成物中で単独もしくは２
種以上混合してアルカリアルカリ可溶性樹脂に配分され
る。これらの配合量はアルカリ可溶性樹脂１００重量部
に対し、５〜１００重量部であり、好ましくは１０〜５
０重量部である。５重量部未満では１,２ーキノンジア
ジド化合物が放射線を吸収して生成するカルボン酸量が
少ないのでパターニングが困難であり、１００重量部を
超えると感度および溶剤への溶解性が低下する。

【００２１】本発明のポジ型フォトレジスト用組成物に
は、ストリエーション等の塗布性を更に向上させるため
に、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤と
しては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、
ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエ
ーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポ
リオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオ
キシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシ
エチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレ
ン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソル
ビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、
ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエー
ト、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステア
レート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレン
ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリ
ステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ
３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２(新秋田化成(株)製)、
メガフアックＦ１７１、Ｆ１７３(大日本インキ(株)
製)、フロラードＦＣー４３０、ＦＣー４３１(住友スリ
ーエム(株)製)、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロン
Ｓー３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、Ｓ
Ｃ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６(旭硝子(株)製)等の
フッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ
３４１(信越化学工業(株)製)やアクリル酸系もしくはメ
タクリル酸系(共)重合ポリフローＮｏ.７５、Ｎｏ.９５
(共栄社油脂化学工業(株)製)等を挙げることができる。
これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中のア
ルカリ可溶性樹脂及びキノンジアジド化合物１００重量
部当り、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加しても良い
し、いくつかを混合して使用しても良い。

【００２２】本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現
像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリ
ウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミ
ン、ｎープロピルアミン等の第１級アミン、ジエチルア
ミン、ジーｎープロピルアミン等の第２級アミン類、ト
リエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第３級アミ
ン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
等の第４級アンモニウム塩またはピロール、ピペリジン
等の環状アミン類を溶解してなるアルカリ性水溶液が使
用される。金属を含有する現像液の使用が問題となる集
積回路作製時には、第４級アンモニウム塩や環状アミン
の水溶液を使用することが好ましい。

【００２３】又、前記現像液に水溶性有機溶媒、例えば
メタノール、エタノール等のアルコール類や界面活性剤
を適量添加した水溶液を現像液として使用することもで
きる。上記ポジ型フォトレジスト用組成物を精密集積回
路素子の製造に使用されるような基板(例：シリコン／
二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーターの適当な
塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、
現像することにより良好なレジストを得ることができ
る。

【００２４】

【発明の効果】本発明によれば、アルカリ可溶性樹脂及
び１,２ーキノンジアジド化合物を特定の溶剤に溶解す
ることにより経時安定性に優れ、長期間保存しても微粒
子の析出、沈殿を生ぜず、更に塗工性が良好でストリエ
ーションの発生がなく極めて平滑なレジスト膜が形成さ
れるポジ型フォトレジスト組成物が得られる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明を実施例をもって説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

【実施例１】ｍークレゾール／ｐークレゾール＝６／４
(重量比)の混合クレゾールとホルムアルデヒドを付加縮
合して得られたノボラック樹脂１００重量部と２,３,４
ートリヒドロキシベンゾフェノンと１,２ーナフトキノ
ンー(２)ージアミドー５ースルフォニルクロライドのエ
ステル２５重量部、フッ素系界面活性剤「Ｓー３８２」
(旭硝子(株)製)０.０５重量部を２ーメチルー２ーイソ
ブチルー４ーメチルー１,３ジオキソラン(沸点１４０
℃)３５０重量部に溶解し、０.２μｍのミクロフィルタ
ーを用いて濾過してポジ型フォトレジスト組成物を調製
した。

【００２６】このフォトレジスト組成物をスピナーコー
ターによりシリコンウェハー上に塗布し、オーブン中９
０℃、２５分でベークし、レジスト膜を得た。このレジ
スト膜表面を光学顕微鏡により観察し、ゲル状物の生
成、ストリエーションの発生を調べたがいずれも認めら
れなかった。更に、調製したフォトレジスト組成物を４
０℃に保ち微粒子発生の経時試験を行った。析出物の確
認は上記と同様にフォトレジスト組成物をシリコンウェ
ハー上にスピナーコーターで塗布し、ウェハー上の析出
物を光学顕微鏡で観察した。この経時試験の結果は濾過
後２４００時間経過してもゲル状物は確認されず、全く
安定な組成物であることが確認された。

【００２７】

【実施例２】実施例１の２ーメチルー２ーイソブチルー
４ーメチルー１,３ジオキソランの代わりに２,２ージｎ
プロピルー４ーメチルー１,３ジオキソラン(沸点１７０
℃)を用いた以外は実施例１と同様にしてフォトレジス
ト組成物を調製した。この組成物を実施例１と同様に評
価した。塗工性を調べた所、ストリエーションの発生は
認められず又経時試験では２４００時間経過後も析出物
は認められなかった。

【００２８】

【実施例３】実施例１の２−メチル−２−イソブチル−
４−メチル−１，３ジオキソランの代わりに２−ｎ−プ
ロピル−４−メチル−１，３ジオキソラン（沸点１４０
℃）を用いた以外は実施例１と同様にしてフォトレジス
ト組成物を調製、評価した。この組成物ではストリエー
ションの発生は認められず又２０００時間経過後も析出
物は認められなかった。

【００２９】

【実施例４】実施例１の２ーメチルー２ーイソブチルー
４ーメチルー１,３ジオキソランの代わりに２ーｎプロ
ピルー４ーメチルー１,３ジオキサンを用いて実施例１
と同様にしてフォトレジスト組成物を調製し、評価し
た。この組成物ではストリエーションの発生は認められ
ず又２０００時間経過後も析出物は認められなかった。

【００３０】

【実施例５】 実施例１で用いたノボラック樹脂１００重
量部と２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンと１，２−ナフトキノン−（２）−ジアミド−５−
スルフォニルクロライドとのエステル２５重量部とフッ
素系界面活性剤「Ｓ−３８２」（旭硝子（株）製）０．
０５重量部を２−メチル−２−イソブチル−４−メチル
−１，３ジオキソラン３５０重量部に溶解し、０．２μ
ｍのミクロフィルターを用いて濾過してフォトレジスト
組成物を調製し、実施例１と同様にして評価した。塗工
性ではストリエーションの発生は全く認められず、又２
４００時間経過後も析出物は認められなかった。

【００３１】

【比較例１】実施例１の２ーメチルー２ーイソブチルー
４ーメチルー１,３ジオキソランの代わりにエチレング
リコールモノエチルエーテルアセテートを用いた以外は
実施例１と同様にしてフォトレジスト組成物を調製し
た。この組成物を実施例１と同様に評価したところ、塗
工性はピンホールは見られなかったもののストリエーシ
ョンの発生が認められ、７００時間経過した時点で析出
物が確認された。

【００３２】

【比較例２】実施例６の２ーメチルー２ーイソブチルー
４ーメチルー１,３ジオキソランの代わりに乳酸エチル
を用いた以外は実施例と同様にしてフォトレジスト組成
物を調製した。この組成物を実施例１と同様に評価した
ところ、塗工性ではストリエーションの発生が見られ、
９００時間経過した時点で析出物が認められた。

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−53877（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−56960（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−293340（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−260239（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−99336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−62469（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−43650（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂と１，２−キノンジア
   ジド化合物と溶剤とを含むポジ型フォトレジスト組成物
   に於いて、一般式（Ｉ）で表され、且つ沸点が１２０〜
   １８０℃である化合物を含有する溶剤を用いることを特
   徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 【化１】 但し、ｎは１〜４の整数を、Ｒ_１、Ｒ_２はＨ又はメチル
   基又はエチル基（但し、Ｒ_１、Ｒ_２が同時にメチル基又
   はエチル基であることはない）を、Ｒ_３、Ｒ_４は水素又
   は炭素数１〜６のアルキル又はアリール基又はベンジル
   基をそれぞれ示す。
2. 【請求項２】一般式(Ｉ)がエチレングリコール又はプロ
   ピレングリコール又は、１,２ー又は１,３ー又は１,４
   ーブタンジオールとアルデヒド又はケトン類との反応物
   であることを特徴とする請求項１記載のポジ型フォトレ
   ジスト用組成物。