JP3276227B2 - 座標入力装置及びその製造方法 - Google Patents
座標入力装置及びその製造方法Info
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入力ペンが位置する座
標を検出し、手書き文字や図形等をコンピュータに入力
する座標入力装置に関する。
標を検出し、手書き文字や図形等をコンピュータに入力
する座標入力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より手書き文字や図形等を入力する
入力装置として、図９に示すような抵抗膜を用いた電圧
分割式の入力装置が知られている。この入力装置は、２
枚の絶縁性フィルム３０，３１の互いに向い合う面に抵
抗膜３２，３３を塗布または蒸着し、抵抗膜３２，３３
間に複数の絶縁性のドットスペーサ３４を設けて両抵抗
膜３２，３３間を所定の間隔に隔ている。そして、一方
の抵抗膜３２の端部の対向する２辺にはＸ軸電極が設け
られ、他方の抵抗膜３３の端部には前記Ｘ軸電極と直交
するＹ軸電極が設けられている。そして、この入力装置
の押圧位置の検出方法は図示しない処理回路により、電
極と電極とに交互に電圧が時分割的に印加され、電圧が
印加されていない方の抵抗膜の電極から電圧を検知して
それぞれの方向の位置を検出するようになっている。
入力装置として、図９に示すような抵抗膜を用いた電圧
分割式の入力装置が知られている。この入力装置は、２
枚の絶縁性フィルム３０，３１の互いに向い合う面に抵
抗膜３２，３３を塗布または蒸着し、抵抗膜３２，３３
間に複数の絶縁性のドットスペーサ３４を設けて両抵抗
膜３２，３３間を所定の間隔に隔ている。そして、一方
の抵抗膜３２の端部の対向する２辺にはＸ軸電極が設け
られ、他方の抵抗膜３３の端部には前記Ｘ軸電極と直交
するＹ軸電極が設けられている。そして、この入力装置
の押圧位置の検出方法は図示しない処理回路により、電
極と電極とに交互に電圧が時分割的に印加され、電圧が
印加されていない方の抵抗膜の電極から電圧を検知して
それぞれの方向の位置を検出するようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記入力装
置は、入力側の基板をフィルムにより形成し、そのフィ
ルムの表面を先端が球面状の入力ペン３５で擦って文字
等を入力することになり、入力の際に図９に示すような
フィルム３０の湾曲が発生する。このフィルム３０の湾
曲に伴なってフィルム３０に形成された抵抗膜３２に頻
繁な曲げ応力がかかり、抵抗膜３２に亀裂等が発生して
位置検出が不可能になる。また、入力ペン３５との摩擦
によりフィルム３０表面に傷が付き商品価値が短時間で
低下してしまう欠点があった。
置は、入力側の基板をフィルムにより形成し、そのフィ
ルムの表面を先端が球面状の入力ペン３５で擦って文字
等を入力することになり、入力の際に図９に示すような
フィルム３０の湾曲が発生する。このフィルム３０の湾
曲に伴なってフィルム３０に形成された抵抗膜３２に頻
繁な曲げ応力がかかり、抵抗膜３２に亀裂等が発生して
位置検出が不可能になる。また、入力ペン３５との摩擦
によりフィルム３０表面に傷が付き商品価値が短時間で
低下してしまう欠点があった。
【０００４】本発明は、このような抵抗膜の亀裂の発
生、フィルム表面の傷の発生を長時間防止し、耐寿命の
長い座標入力装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
生、フィルム表面の傷の発生を長時間防止し、耐寿命の
長い座標入力装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１抵抗層を有する、厚み約１００〜２
００μｍとした可撓性のポリエステルフィルムの上部基
板と、第１抵抗層に対向して形成される第２抵抗層を有
する下部基板と、上部基板と下部基板とを所定隙間で維
持するスペーサ群とを備え、スペーサ群の各スペーサの
径を２０〜５０μｍ、ピッチを０．３〜１．０ｍｍ、該
各スペーサ高さを１．５μｍ以上４μｍ以下の均一な高
さとなるように構成したことを特徴とする。
に、本発明は、第１抵抗層を有する、厚み約１００〜２
００μｍとした可撓性のポリエステルフィルムの上部基
板と、第１抵抗層に対向して形成される第２抵抗層を有
する下部基板と、上部基板と下部基板とを所定隙間で維
持するスペーサ群とを備え、スペーサ群の各スペーサの
径を２０〜５０μｍ、ピッチを０．３〜１．０ｍｍ、該
各スペーサ高さを１．５μｍ以上４μｍ以下の均一な高
さとなるように構成したことを特徴とする。
【０００６】また、スペーサ群の各スペーサ高さを２．
５μｍ以下とすると共に、各スペーサのピッチを０．３
〜１．０ｍｍとなるように構成したことを特徴とする。
５μｍ以下とすると共に、各スペーサのピッチを０．３
〜１．０ｍｍとなるように構成したことを特徴とする。
【０００７】また、ガラス基板に抵抗層を塗布し、抵抗
層の上に厚み１．５μｍ以上２．５μｍ以下の均一なレ
ジストスペーサ層を塗布して形成後、レジストスペーサ
層を露光・現像によりスペーサ群以外を除去して、各ス
ペーサの径を２０〜５０μｍ、ピッチを０．３〜１．０
ｍｍとしたスペーサパターンを形成する製造方法を特徴
とする。
層の上に厚み１．５μｍ以上２．５μｍ以下の均一なレ
ジストスペーサ層を塗布して形成後、レジストスペーサ
層を露光・現像によりスペーサ群以外を除去して、各ス
ペーサの径を２０〜５０μｍ、ピッチを０．３〜１．０
ｍｍとしたスペーサパターンを形成する製造方法を特徴
とする。
【０００８】また、上部基板が透明であると共に、下部
基板が透明なガラス基板からなり、下部基板の底部に液
晶表示装置を設けたことを特徴とする。
基板が透明なガラス基板からなり、下部基板の底部に液
晶表示装置を設けたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】第１抵抗層を有する、厚み約１００〜２００μ
ｍとした可撓性の樹脂フィルムからなる上部基板と、第
１抵抗層に対向して形成される第２抵抗層を有する下部
基板と、上部基板と下部基板とを所定隙間で維持するス
ペーサ群とを備え、上部基板を押圧することにより第
１、２抵抗層が接触し、第１、２抵抗層に流れる電圧値
の変化により押圧位置を検出する座標入力装置であっ
て、スペーサ群の各スペーサの径を２０〜５０μｍ、ピ
ッチを０．３〜１．０ｍｍとし、該各スペーサ高さを
１．５μｍ以上４μｍ以下の均一な高さとしたことによ
り、上部基板に形成された第１抵抗層の亀裂や上部基板
表面の傷の発生を長時間防止できる。また、ガラス基板
に抵抗層を塗布し、該抵抗層の上に厚み１．５μｍ以上
２．５μｍ以下の均一なレジストスペーサ層を塗布して
形成した後、レジストスペーサ層を露光・現像によりス
ペーサ群以外を除去して、各スペーサの径を２０〜５０
μｍ、ピッチを０．３〜１．０ｍｍとしたスペーサパタ
ーンを形成したことにより、耐寿命が向上した座標入力
装置を効率良く製造できる。
ｍとした可撓性の樹脂フィルムからなる上部基板と、第
１抵抗層に対向して形成される第２抵抗層を有する下部
基板と、上部基板と下部基板とを所定隙間で維持するス
ペーサ群とを備え、上部基板を押圧することにより第
１、２抵抗層が接触し、第１、２抵抗層に流れる電圧値
の変化により押圧位置を検出する座標入力装置であっ
て、スペーサ群の各スペーサの径を２０〜５０μｍ、ピ
ッチを０．３〜１．０ｍｍとし、該各スペーサ高さを
１．５μｍ以上４μｍ以下の均一な高さとしたことによ
り、上部基板に形成された第１抵抗層の亀裂や上部基板
表面の傷の発生を長時間防止できる。また、ガラス基板
に抵抗層を塗布し、該抵抗層の上に厚み１．５μｍ以上
２．５μｍ以下の均一なレジストスペーサ層を塗布して
形成した後、レジストスペーサ層を露光・現像によりス
ペーサ群以外を除去して、各スペーサの径を２０〜５０
μｍ、ピッチを０．３〜１．０ｍｍとしたスペーサパタ
ーンを形成したことにより、耐寿命が向上した座標入力
装置を効率良く製造できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の一実施例に係る座標入力装置のフ
ィルム基板の平面図、図２はその座標入力装置のガラス
基板の平面図、図３はその座標入力装置の断面図、図４
は実験装置の全体図、図５はスペーサ高さと抵抗層の亀
裂寿命との関係図、図６はスペーサ高さとフィルム基板
の傷との関係図を示す。
する。図１は本発明の一実施例に係る座標入力装置のフ
ィルム基板の平面図、図２はその座標入力装置のガラス
基板の平面図、図３はその座標入力装置の断面図、図４
は実験装置の全体図、図５はスペーサ高さと抵抗層の亀
裂寿命との関係図、図６はスペーサ高さとフィルム基板
の傷との関係図を示す。
【００１１】１はフィルム基板を示し、可撓性を有する
ポリエステルフィルムからなり、厚み約１００〜２００
μｍで透明である。フィルム基板１は、図１、３に示す
ように、フィルム基板１の中央部分に抵抗層となるＩＴ
Ｏ（酸化インジウム）層２だけが積層された入力操作部
１ａと、フィルム基板１の周囲部分にＩＴＯ層２、第１
レジスト層３、Ｘ軸電極４及びＸ軸電極引出しリード４
ａ、Ｙ軸電極引出しリード５ａ、第２レジスト層６が積
層された電極パターン部１ｂとからなっている。また、
フィルム基板１は、テール部１ｃを有し、テール部１ｃ
によりＸ軸電極引出しリード４ａ、Ｙ軸電極引出しリー
ド５ａを外部回路と接続させる。
ポリエステルフィルムからなり、厚み約１００〜２００
μｍで透明である。フィルム基板１は、図１、３に示す
ように、フィルム基板１の中央部分に抵抗層となるＩＴ
Ｏ（酸化インジウム）層２だけが積層された入力操作部
１ａと、フィルム基板１の周囲部分にＩＴＯ層２、第１
レジスト層３、Ｘ軸電極４及びＸ軸電極引出しリード４
ａ、Ｙ軸電極引出しリード５ａ、第２レジスト層６が積
層された電極パターン部１ｂとからなっている。また、
フィルム基板１は、テール部１ｃを有し、テール部１ｃ
によりＸ軸電極引出しリード４ａ、Ｙ軸電極引出しリー
ド５ａを外部回路と接続させる。
【００１２】入力操作部１ａはＩＴＯ層２が露出し、電
極パターン部１ｂは、Ｙ軸電極引出しリード５ａのトラ
ンスファ窓５ｂを除いて第２レジスト層６で被われてい
る。
極パターン部１ｂは、Ｙ軸電極引出しリード５ａのトラ
ンスファ窓５ｂを除いて第２レジスト層６で被われてい
る。
【００１３】１０はガラス基板を示し、図２、３に示す
ように、全面をＩＴＯ層１１で被われ、ＩＴＯ層１１上
にガラス基板１０の対向する２辺でトランスファ窓５ｂ
に対向する位置にＹ軸電極５及び突部のトランスファ部
５ｃが形成されている。また、ＩＴＯ層１１上には、フ
ィルム基板１の入力操作部１ａに対向する面にスペーサ
１２群が形成されており、このスペーサ１２群によりフ
ィルム基板１のＩＴＯ層２とガラス基板１０のＩＴＯ層
１１とが通常時、所定隙間を維持している。スペーサ群
１２は、各スペーサ１２ａがマトリックス状に配置さ
れ、各スペーサ１２ａを径Ｄ＝２０〜５０μｍ、高さＨ
＝約１．５〜４μｍとし、各スペーサ１２ａのピッチを
Ｐ＝０．３〜１．０ｍｍに形成している。入力荷重が小
さい場合は、ピッチＰを少し大きく約１．０ｍｍぐらい
にし、入力荷重が大きくなるにしたがってピッチＰを小
さくし、高さＨは入力荷重の大小にかかわらず約２．５
μｍ以下が良い。
ように、全面をＩＴＯ層１１で被われ、ＩＴＯ層１１上
にガラス基板１０の対向する２辺でトランスファ窓５ｂ
に対向する位置にＹ軸電極５及び突部のトランスファ部
５ｃが形成されている。また、ＩＴＯ層１１上には、フ
ィルム基板１の入力操作部１ａに対向する面にスペーサ
１２群が形成されており、このスペーサ１２群によりフ
ィルム基板１のＩＴＯ層２とガラス基板１０のＩＴＯ層
１１とが通常時、所定隙間を維持している。スペーサ群
１２は、各スペーサ１２ａがマトリックス状に配置さ
れ、各スペーサ１２ａを径Ｄ＝２０〜５０μｍ、高さＨ
＝約１．５〜４μｍとし、各スペーサ１２ａのピッチを
Ｐ＝０．３〜１．０ｍｍに形成している。入力荷重が小
さい場合は、ピッチＰを少し大きく約１．０ｍｍぐらい
にし、入力荷重が大きくなるにしたがってピッチＰを小
さくし、高さＨは入力荷重の大小にかかわらず約２．５
μｍ以下が良い。
【００１４】座標入力装置１５は、上述のフィルム基板
１とガラス基板１０とを、トランスファ窓５ｂとＹ軸電
極５のトランスファ部５ｃとが導通するようにかさね合
わした構造であり、フィルム基板１の表面を入力ペン１
６で押圧してＩＴＯ層２，１１とを接触させ、入力ペン
１６を押圧したまま文字等を描いて入力することにな
る。入力ペン１６の押圧による座標検出は従来と同じ方
法である。
１とガラス基板１０とを、トランスファ窓５ｂとＹ軸電
極５のトランスファ部５ｃとが導通するようにかさね合
わした構造であり、フィルム基板１の表面を入力ペン１
６で押圧してＩＴＯ層２，１１とを接触させ、入力ペン
１６を押圧したまま文字等を描いて入力することにな
る。入力ペン１６の押圧による座標検出は従来と同じ方
法である。
【００１５】次に、入力ペン１６の押圧に伴なうフィル
ム基板１の湾曲によるＩＴＯ層２の亀裂発生及びフィル
ム基板１の表面の傷発生とスペーサの高さＨとの関係を
図４〜６と共に説明する。
ム基板１の湾曲によるＩＴＯ層２の亀裂発生及びフィル
ム基板１の表面の傷発生とスペーサの高さＨとの関係を
図４〜６と共に説明する。
【００１６】実験装置２０は、図４に示すように、ＩＴ
Ｏ層２１を有するフィルム基板２２とガラス基板２３と
の間隙をスペーサ２４で維持し、ＩＴＯ層２１の両端を
抵抗器Ｒに接続した構造とし、先端が曲面の入力ペン２
５に荷重Ｆを加えてフィルム基板２２を湾曲させ、フィ
ルム基板２２の表面を連続的に左右に往復動させる。入
力ペン２５の往復回数をカウントしながら、ＩＴＯ層２
１の両端間の抵抗値の変化を抵抗器Ｒで検出し、抵抗変
化率が０．５％以上になった状態でＩＴＯ層２１に亀裂
が発生したものとした。また、フィルム基板２２への傷
発生は目視とした。
Ｏ層２１を有するフィルム基板２２とガラス基板２３と
の間隙をスペーサ２４で維持し、ＩＴＯ層２１の両端を
抵抗器Ｒに接続した構造とし、先端が曲面の入力ペン２
５に荷重Ｆを加えてフィルム基板２２を湾曲させ、フィ
ルム基板２２の表面を連続的に左右に往復動させる。入
力ペン２５の往復回数をカウントしながら、ＩＴＯ層２
１の両端間の抵抗値の変化を抵抗器Ｒで検出し、抵抗変
化率が０．５％以上になった状態でＩＴＯ層２１に亀裂
が発生したものとした。また、フィルム基板２２への傷
発生は目視とした。
【００１７】実験は、スペーサのピッチＰ＝１．０ｍ
ｍと０．３ｍｍとの２種類 スペーサの高さＨ＝１９．２μｍ、１３．７μｍ、
９．８μｍ、６．４μｍ、２．５μｍの５種類 とし、スペーサの各高さ毎に４回の同じ実験を行なっ
た。
ｍと０．３ｍｍとの２種類 スペーサの高さＨ＝１９．２μｍ、１３．７μｍ、
９．８μｍ、６．４μｍ、２．５μｍの５種類 とし、スペーサの各高さ毎に４回の同じ実験を行なっ
た。
【００１８】実験結果 Ｐ＝１．０ｍｍ Ｐ＝０．３ｍｍ
【００１９】上記実験結果をグラフ化したものを図５、
６に示す。図５、６に示すように、亀裂及び傷の発生
は、スペーサ高さが１０μｍ以下から急激に往復回数が
増加し寿命が延びる傾向にあることがわかった。そし
て、スペーサ高さ４μｍ以下で往復回数が１０万回まで
に達しており、製品寿命を満足している。スペーサ高さ
２．５μｍでは２０万回以上となり、亀裂及び傷の発生
の問題を十分に解消している。
６に示す。図５、６に示すように、亀裂及び傷の発生
は、スペーサ高さが１０μｍ以下から急激に往復回数が
増加し寿命が延びる傾向にあることがわかった。そし
て、スペーサ高さ４μｍ以下で往復回数が１０万回まで
に達しており、製品寿命を満足している。スペーサ高さ
２．５μｍでは２０万回以上となり、亀裂及び傷の発生
の問題を十分に解消している。
【００２０】次に、上述の座標入力装置の製造方法につ
いて、図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）〜（ｄ）と共に
説明する。
いて、図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）〜（ｄ）と共に
説明する。
【００２１】図７（ａ）〜（ｃ）はフィルム基板の製造
工程図を示す。図７（ａ）は第１レジスト層の形成工程
を示し、フィルム基板１の裏面１ｄの全面にＩＴＯ層２
を塗布し、そのＩＴＯ層２の３周辺に第１レジスト層３
を積層塗布する工程である。図７（ｂ）は電極及び電極
引出しリードの形成工程を第１レジスト層３に銀のＸ軸
電極引出しリード４ａ、Ｙ軸電極引出しリード５ａを積
層・印刷し、ＩＴＯ層２に銀のＸ軸電極４を積層して形
成する工程である。
工程図を示す。図７（ａ）は第１レジスト層の形成工程
を示し、フィルム基板１の裏面１ｄの全面にＩＴＯ層２
を塗布し、そのＩＴＯ層２の３周辺に第１レジスト層３
を積層塗布する工程である。図７（ｂ）は電極及び電極
引出しリードの形成工程を第１レジスト層３に銀のＸ軸
電極引出しリード４ａ、Ｙ軸電極引出しリード５ａを積
層・印刷し、ＩＴＯ層２に銀のＸ軸電極４を積層して形
成する工程である。
【００２２】図７（ｃ）は第２レジスト層の形成工程を
示し、Ｘ軸電極４、Ｘ軸電極引出しリード４ａ、Ｙ軸電
極引出しリード５ａを第２レジスト層６で積層して電極
パターン部１ｂを形成する工程である。第２レジスト層
６の形成に際し、トランスファ窓５ｂのみを残し、Ｙ軸
電極引出しリード５ａを一部露出している。
示し、Ｘ軸電極４、Ｘ軸電極引出しリード４ａ、Ｙ軸電
極引出しリード５ａを第２レジスト層６で積層して電極
パターン部１ｂを形成する工程である。第２レジスト層
６の形成に際し、トランスファ窓５ｂのみを残し、Ｙ軸
電極引出しリード５ａを一部露出している。
【００２３】図８（ａ）〜（ｄ）はガラス基板の製造工
程図を示す。図８（ａ）はスペーサレジスト層の形成工
程を示し、ガラス基板１０の裏面１０ａの全面にＩＴＯ
層１１を塗布し、そのＩＴＯ層１１の全面にスペーサレ
ジスト層１３をロールコートで塗布する工程であり、こ
のレジスト層１３の厚みは約２．５μｍ以下である。図
８（ｂ）はスペーサパターンの露光・現像工程を示し、
スペーサレジスト層１３を露光・現像によりスペーサ群
１２を形成する工程であり、各スペーサ１２ａを残して
ＩＴＯ層１１を露出している。図８（ｃ）はＹ軸電極５
の形成工程を示し、露光・現像工程の後、ＩＴＯ層１１
にＹ軸電極５を銀印刷で形成して乾燥硬化し、更に図８
（ｄ）に示すように図７（ｃ）のトランスファ窓５ｂに
対向する位置にトランスファ部５ｃとなる突部の銀を印
刷形成してガラス基板１０を完成する。
程図を示す。図８（ａ）はスペーサレジスト層の形成工
程を示し、ガラス基板１０の裏面１０ａの全面にＩＴＯ
層１１を塗布し、そのＩＴＯ層１１の全面にスペーサレ
ジスト層１３をロールコートで塗布する工程であり、こ
のレジスト層１３の厚みは約２．５μｍ以下である。図
８（ｂ）はスペーサパターンの露光・現像工程を示し、
スペーサレジスト層１３を露光・現像によりスペーサ群
１２を形成する工程であり、各スペーサ１２ａを残して
ＩＴＯ層１１を露出している。図８（ｃ）はＹ軸電極５
の形成工程を示し、露光・現像工程の後、ＩＴＯ層１１
にＹ軸電極５を銀印刷で形成して乾燥硬化し、更に図８
（ｄ）に示すように図７（ｃ）のトランスファ窓５ｂに
対向する位置にトランスファ部５ｃとなる突部の銀を印
刷形成してガラス基板１０を完成する。
【００２４】そして、上述のフィルム基板１の電極パタ
ーン部１ｂにトランスファ窓５ｂを除いて接着剤を塗布
し、フィルム基板１と上述のガラス基板１０とを貼合わ
せて座標入力装置１５を組立てる。この組立てにより、
トランスファ部５ｃとＹ軸電極引出しリード５ａとが導
通する。
ーン部１ｂにトランスファ窓５ｂを除いて接着剤を塗布
し、フィルム基板１と上述のガラス基板１０とを貼合わ
せて座標入力装置１５を組立てる。この組立てにより、
トランスファ部５ｃとＹ軸電極引出しリード５ａとが導
通する。
【００２５】このような、製造工程により、高さが２．
５μｍ以下となるスペーサ群１２が正確に簡単な工程で
形成できる。なお、上記実施例では透明なフィルム基板
と透明なガラス基板との組合せにより座標入力装置を形
成しており、この座標入力装置と例えば液晶表示装置と
を一体化させた入出力機器にできる。また、不透明なフ
ィルム基板と基板とを組合せて単体の手書き入力装置と
しても使用できる。
５μｍ以下となるスペーサ群１２が正確に簡単な工程で
形成できる。なお、上記実施例では透明なフィルム基板
と透明なガラス基板との組合せにより座標入力装置を形
成しており、この座標入力装置と例えば液晶表示装置と
を一体化させた入出力機器にできる。また、不透明なフ
ィルム基板と基板とを組合せて単体の手書き入力装置と
しても使用できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スペーサの径を２０〜５０μｍ、ピッチを０．３〜１．
０ｍｍ、高さを１．５μｍ以上４μｍ以下の均一な高さ
に形成することによって、抵抗層の亀裂発生までの寿命
を延すことができると共に、フィルム基板の表面の傷発
生までの寿命も延すことができるので、耐寿命の長い座
標入力装置を得ることができる。また、厚み１．５μｍ
以上２．５μｍ以下のスペーサレジスト層を塗布して形
成し、露光・現像により各スペーサの径を２０〜５０μ
ｍ、ピッチを０．３〜１．０ｍｍとしたスペーサパター
ンを形成したため、スペーサが小さく、且つ均一に形成
でき、安価で耐寿命のある座標入力装置を提供すること
ができる。
スペーサの径を２０〜５０μｍ、ピッチを０．３〜１．
０ｍｍ、高さを１．５μｍ以上４μｍ以下の均一な高さ
に形成することによって、抵抗層の亀裂発生までの寿命
を延すことができると共に、フィルム基板の表面の傷発
生までの寿命も延すことができるので、耐寿命の長い座
標入力装置を得ることができる。また、厚み１．５μｍ
以上２．５μｍ以下のスペーサレジスト層を塗布して形
成し、露光・現像により各スペーサの径を２０〜５０μ
ｍ、ピッチを０．３〜１．０ｍｍとしたスペーサパター
ンを形成したため、スペーサが小さく、且つ均一に形成
でき、安価で耐寿命のある座標入力装置を提供すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例に係る座標入力装置のフィル
ム基板の平面図である。
ム基板の平面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る座標入力装置のガラス
基板の平面図である。
基板の平面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る座標入力装置の断面図
である。
である。
【図４】実験装置の全体図。
【図５】スペーサ高さと抵抗層の亀裂寿命との関係図で
ある。
ある。
【図６】スペーサ高さとフィルム基板表面の傷との関係
図である。
図である。
【図７】本発明の一実施例に係る座標入力装置のフィル
ム基板の製造工程を示し、（ａ）は第１レジスト層の形
成工程、（ｂ）は電極及び電極引出しリードの形成工
程、（ｃ）は第２レジスト層の形成工程である。
ム基板の製造工程を示し、（ａ）は第１レジスト層の形
成工程、（ｂ）は電極及び電極引出しリードの形成工
程、（ｃ）は第２レジスト層の形成工程である。
【図８】本発明の一実施例に係る座標入力装置のガラス
基板の製造工程を示し、（ａ）はスペーサレジスト層の
形成工程、（ｂ）はスペーサパターンの露光・現像工
程、（ｃ）は電極形成工程、（ｄ）はトランスファ部形
成工程である。
基板の製造工程を示し、（ａ）はスペーサレジスト層の
形成工程、（ｂ）はスペーサパターンの露光・現像工
程、（ｃ）は電極形成工程、（ｄ）はトランスファ部形
成工程である。
【図９】従来の座標入力装置の断面図である。
１ フィルム基板 ２ ＩＴＯ層 ３ 第１レジスト層 ４ Ｘ軸電極 ５ Ｙ軸電極 ６ 第２レジスト層 １０ ガラス基板 １１ ＩＴＯ層 １２ スペーサ群 １２ａ スペーサ １３ スペーサレジスト層 １５ 座標入力装置 ２０ 実験装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−117514（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−282909（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 第１抵抗層を有する、厚み約１００〜２
００μｍとした可撓性の樹脂フィルムからなる上部基板
と、前記第１抵抗層に対向して形成される第２抵抗層を
有する下部基板と、前記上部基板と前記下部基板とを所
定隙間で維持するスペーサ群とを備え、前記上部基板を
押圧することにより前記第１、２抵抗層が接触し、前記
第１、２抵抗層に流れる電圧値の変化により押圧位置を
検出する座標入力装置であって、前記スペーサ群の各ス
ペーサの径を２０〜５０μｍ、ピッチを０．３〜１．０
ｍｍとし、該各スペーサ高さを１．５μｍ以上４μｍ以
下の均一な高さとしたことを特徴とする座標入力装置。 - 【請求項２】 請求項１の記載において、前記スペーサ
群の各スペーサ高さを２．５μｍ以下としたことを特徴
とする座標入力装置。 - 【請求項３】 請求項１の記載において、前記上部基板
が透明であると共に、前記下部基板が透明なガラス基板
からなり、前記下部基板の底部に液晶表示装置を設けた
ことを特徴とする座標入力装置。 - 【請求項４】 ガラス基板に抵抗層を塗布し、該抵抗層
の上に厚み１．５μｍ以上２．５μｍ以下の均一なレジ
ストスペーサ層を塗布して形成した後、前記レジストス
ペーサ層を露光・現像によりスペーサ群以外を除去し
て、各スペーサの径を２０〜５０μｍ、ピッチを０．３
〜１．０ｍｍとしたスペーサパターンを形成したことを
特徴とする座標入力装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP28859093A JP3276227B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 座標入力装置及びその製造方法 |
| TW083109248A TW332270B (en) | 1993-10-25 | 1994-10-05 | Alternating component of coordinate input device and manufacturing method thereof |
| US08/324,999 US5530209A (en) | 1993-10-25 | 1994-10-18 | Coordinate input device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28859093A JP3276227B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 座標入力装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07121290A JPH07121290A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3276227B2 true JP3276227B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=17732230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28859093A Expired - Fee Related JP3276227B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 座標入力装置及びその製造方法 |
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| Country | Link |
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| US (1) | US5530209A (ja) |
| JP (1) | JP3276227B2 (ja) |
| TW (1) | TW332270B (ja) |
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| JP4270761B2 (ja) * | 2001-01-17 | 2009-06-03 | 富士通コンポーネント株式会社 | タッチパネル |
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| CN106325572A (zh) * | 2015-06-24 | 2017-01-11 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 用于形变感测的透明导电氧化物薄膜 |
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-
1993
- 1993-10-25 JP JP28859093A patent/JP3276227B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-05 TW TW083109248A patent/TW332270B/zh active
- 1994-10-18 US US08/324,999 patent/US5530209A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW332270B (en) | 1998-05-21 |
| US5530209A (en) | 1996-06-25 |
| JPH07121290A (ja) | 1995-05-12 |
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