JP3275297B2 - 表面弾性波素子及び製造方法 - Google Patents
表面弾性波素子及び製造方法Info
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Description
む表面弾性波素子に関し、特に、GHz帯以上の高周波
領域においても良好な動作特性を有する表面弾性波素子
に関する。
用する表面弾性波素子は、固有の透過帯域を有し、しか
も小型であり部品点数も少ないため、携帯電話等の通信
機器用のバンドパスフィルター等への応用が期待されて
いる。典型的な表面弾性波素子は、表面弾性波の励振及
び受信のための櫛型電極を圧電体の表面上に備える構造
を有する。櫛型電極に、入力出力の1対の櫛型電極(int
erdigital transducer)を用いる場合、入力櫛型電極に
印加された交流電力は圧電体表面上で機械的エネルギー
に変換されるが、電極が櫛型であるため圧電体内に疎密
が発生して弾性波となり、圧電体表面を伝播して出力櫛
型電極へと到達する。そして、到達した表面弾性波は出
力櫛型電極により再び電気的エネルギーに変換され出力
される。表面弾性波素子が有する透過帯域の中心周波数
f0 は、櫛型電極の間隔λ0 と圧電体表面上の弾性波の
伝播速度(伝搬速度)Vとから、 f0 =V/λ0 で与えられる。
性波素子を作製することは困難である。透過帯域の中心
周波数f0 を上昇させるためには、上記関係式から自明
なように、櫛型電極の間隔λ0 を小さくするか、表面弾
性波の伝播速度Vを増加させるかのいずれかを行えばよ
いが、λ0 はフォトリソグラフィー等の加工技術により
著しく制限を受ける。従って、高周波数帯域で動作する
表面弾性波素子を得るには、Vを大きくすることが必要
である。
の性能を表す電気機械結合係数K2、温度依存性を表す
周波数温度係数(TCF)並びに伝搬時の減衰による損
失を表す伝搬損失の値が、それぞれ所定の範囲内に適合
していることが必要である。
素子として実用に供しない。K2 の好ましい範囲は、目
的とする表面弾性波素子の帯域幅によって変る。表面弾
性波素子を狭帯域フィルターへ応用するためには、K2
=0.10〜0.7%程度、中帯域フィルターには、K
2 =0.7〜3%程度、広帯域フィルターには、K2=
3〜6%程度が要求される。また、温度依存性はできる
だけ小さい方が有利なことから、TCFは小さい程好ま
しい。更に、表面弾性波の伝搬における減衰は小さいこ
とが好ましいことから、伝搬損失もできるだけ小さい方
が好ましい。
数を得ることにより、高周波領域で用いることのできる
表面弾性波素子を提供する目的で、種々の技術や知見が
開示されている。特開平1−339521号公報には、
ダイヤモンド上にZnOを形成した表面弾性波素子が開
示されている。また、特開平8−32398号公報に
は、ダイヤモンド上にLiNbO3 を形成した表面弾性
波素子が開示されている。また、特開平8−65088
号公報には、ダイヤモンド上にLiTaO3 を形成した
表面弾性波素子が開示されている。
結合係数に加えて小さなTCFを得ることを目的とし
て、種々の技術や知見が開示されている。特開平6−1
64294号公報には、ダイヤモンドの上に、順に、Z
nO、SiO2 が形成された表面弾性波素子が開示され
ている。また、特願平7−21598には、ダイヤモン
ドの上に、順に、LiNbO3 、SiO2 が形成された
表面弾性波素子が開示されている。
る。特開平6−164294号公報では、特に1次モー
ドに着目することにより、図6に示されるような表面弾
性波素子の様々な層構造に対して、好ましいV、K2 及
びTCFを実現している。例えば、特開平6−1642
94号公報では、本願の図6(e)に示されるタイプE
の構造に対して、1次モードを利用して、V=8,00
0〜10,000(m/sec.)、TCF=−10〜
10(ppm/℃)、K2 =0.7〜1.7(%)を達
成した。また、図6(b)に示されるタイプBの構造に
対して、1次モードを利用して、V=8,000〜1
0,000(m/sec.)、TCF=−10〜10
(ppm/℃)、K2 =1〜3(%)を達成した。ま
た、図6(f)に示されるタイプFの構造に対して、1
次モードを利用して、V=8,000〜10,000
(m/sec.)、TCF=−10〜10(ppm/
℃)、K2 =1.5〜4.5(%)を達成した。また、
図6(d)に示されるタイプDの構造に対して、1次モ
ードを利用して、V=8,000〜10,000(m/
sec.)、TCF=−10〜10(ppm/℃)、K
2 =0.8〜2.3(%)を達成した。図6(g)に示
されるタイプGの構造に対して、1次モードを利用し
て、V=8,000〜10,000(m/sec.)、
TCF=−10〜10(ppm/℃)、K2 =0.7〜
2.2(%)を達成した。
圧電体にLiNbO3 を用いることにより諸特性を更に
向上させ、V=11,000〜12,500(m/se
c.)、TCF=−10〜10(ppm/℃)、K2 =
7.5〜9.5(%)が達成された。
Oを用いれば、LiNbO3 やLiTaO3 等の他の圧
電体を用いた場合に比べて、ダイヤモンド上に良質の圧
電体の薄膜を形成することが極めて容易である。このた
め、ZnOを用いて上記の諸特性を更に向上させること
は非常に意義がある。
のタイプCのように、ダイヤモンドとZnO層との間に
電極を有しない構造の表面弾性波素子に対して、上記の
諸性質を向上させることも大いに意義がある。なぜな
ら、このような構造の素子の作製工程において、ZnO
層の形成時にAl等の金属電極が存在しないため、Zn
Oの形成において温度条件等が大幅に緩和され、製造の
歩留りやZnO層の品質の向上に有利な製造方法を採る
ことができるようになるからである。無論、ダイヤモン
ド層とZnO層の間に電極を有する構成においても、Z
nO層を圧電体として用いる構成は、前述のように表面
弾性波素子形成の点から有利である。
のであり、ダイヤモンド上にZnO層が形成された構造
を有する表面弾性波素子において、最適な伝播速度V、
電気機械結合係数K2 、周波数温度特性TCFを実現
し、且つ、良好な伝搬損失をも併せて実現することによ
り、高周波領域で非常に優れた動作特性を有する表面弾
性波素子を提供することを目的とする。
討を重ねた結果、製造が容易で且つ結晶性が制御し易い
ZnOを圧電体として採用し、この圧電体ZnO層をダ
イヤモンド膜の上に形成し更にその上にSiO2 層を形
成する層構造を基本とする様々な表面弾性波素子につい
て、2次モードに着目して最適化を行うことが、上記の
目的の実現に有効であるとの結論に至った。しかしなが
ら、表面弾性波素子について、良好な伝播速度V、周波
数温度特性TCF、電気機械結合係数K2 を最適化する
ための評価は、各種測定パラメータが複雑に関与するた
め、一般に困難である。
164294号公報で行われたと同じ評価方法で、図6
に示されるような種々の構造を有する表面弾性波素子に
対して、良好な伝播速度V、周波数温度特性TCF、電
気機械結合係数K2 を与えるような圧電体層及び保護層
の厚さについて一連の予備的評価を行った。この一連の
評価をここでは第1の予備評価と称し、これにより得ら
れた適正な圧電体層及び保護層の厚さの範囲が、図24
に表された点を結んで形成される範囲で与えられる。こ
の範囲は、図6の(a)に示されるタイプA、(b)に
示されるタイプB、(c)に示されるタイプC、(d)
に示されるタイプD、(f)に示されるタイプFに対し
ての評価により得られたものである。
た伝播速度等の測定と同じ手法において、測定のパラメ
ータを個々に正確に定義し測定の精度を向上させて評価
を行うことにより、良好な伝播速度V、周波数温度特性
TCF、電気機械結合係数K2 を与える圧電体層及び保
護層の厚さについて一連の予備的評価を行った。こちら
の一連の評価をここでは第2の予備評価と称すことに
し、これにより得られた適正な圧電体層及び保護層の厚
さの範囲が同様に、図25に表された点を結んで形成さ
れる範囲で与えられる。
らは更に、櫛型電極の厚さが表面弾性波素子全体の伝播
速度V、周波数温度特性TCF、電気機械結合係数K2
等の諸特性に影響を与えることを見出した。
性材料により形成されるが、このような導電性材料自身
も、独自の伝播速度や線膨張係数等の特性を有してい
る。櫛型電極の厚さによって、櫛型電極自身の諸特性が
表面弾性波素子の伝播速度や周波数温度特性等に与える
影響が変ってくることが、本発明者らにより見出され
た。
nO圧電体層の厚さと、SiO2 保護層の厚さとの関係
に着目してなされたものである。
は、(i)ダイヤモンド層と、(ii)厚さtZ を有
し、ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、(i
ii)厚さtA を有し、ZnO層の上に配置される櫛型
電極と、(iv)厚さtS を有し、櫛型電極を覆ってZ
nO層の上に配置されるSiO2 層と、を備える表面弾
性波素子であって、2次モードの表面弾性波の波長λに
ついて、kh3=2π(tA /λ)で与えられるkh3
が、0.033≦kh3≦0.099 の範囲にあり、
且つ、kh1=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS
/λ)で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh
1、縦軸にkh2を与える2次元直交座標グラフにおい
て、座標(kh1=0.30,kh2=0.87)で与
えられる点Aと、座標(kh1=0.54,kh2=
0.87)で与えられる点Bと、座標(kh1=0.6
0,kh2=0.87)で与えられる点Cと、座標(k
h1=0.81,kh2=0.97)で与えられる点D
と、座標(kh1=1.16,kh2=1.20)で与
えられる点Eと、座標(kh1=1.52,kh2=
0.93)で与えられる点Fと、座標(kh1=1.6
9,kh2=0.77)で与えられる点Gと、座標(k
h1=1.31,kh2=0.59)で与えられる点H
と、座標(kh1=1.04,kh2=0.50)で与
えられる点Iと、座標(kh1=0.68,kh2=
0.40)で与えられる点Jと、座標(kh1=0.6
3,kh2=0.33)で与えられる点Kと、座標(k
h1=0.30,kh2=0.63)で与えられる点L
と、点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの12本の線分の線上を
含む内部に与えられることを特徴とする。この領域AB
CDEFGHIJKLAは、図1の2次元直交座標グラ
フに示されている。また、この表面弾性波の層構造のタ
イプは、図6(a)に例示されるタイプAである。
00m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15〜
15ppm/℃、且つK2 =0.1〜1.3%が実現さ
れる。更に、このような素子の構成は、ZnO圧電体層
形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点か
らも有利である。
上記の第1の表面弾性波素子とkh3の値の範囲が同じ
であるタイプAの表面弾性波素子であって、kh1及び
kh2が、2次元直交座標グラフにおいて、点Aと、点
Bと、点Iと、点Jと、点Kと、点Lと、点Aとを順に
線分で結ぶ、6本の線分から成る領域ABIJKLAの
6本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴と
する。この領域ABIJKLAも、図1の2次元直交座
標グラフに示されている。
10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF=
−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.1〜1.3%
が実現される。更に、このような素子の構成は、第1の
表面弾性波素子と同様に、ZnO圧電体層形成時に櫛型
電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利であ
る。
(a)のタイプAの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.09
9≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸にkh
2を与える2次元直交座標グラフにおいて、座標(kh
1=0.30,kh2=0.98)で与えられる点A
と、座標(kh1=0.40,kh2=0.95)で与
えられる点Bと、座標(kh1=0.45,kh2=
0.96)で与えられる点Cと、座標(kh1=0.6
0,kh2=1.00)で与えられる点Dと、座標(k
h1=1.04,kh2=1.25)で与えられる点E
と、座標(kh1=1.53,kh2=0.89)で与
えられる点Fと、座標(kh1=1.60,kh2=
0.80)で与えられる点Gと、座標(kh1=1.2
2,kh2=0.63)で与えられる点Hと、座標(k
h1=1.00,kh2=0.59)で与えられる点I
と、座標(kh1=0.89,kh2=0.57)で与
えられる点Jと、座標(kh1=0.53,kh2=
0.52)で与えられる点Kと、座標(kh1=0.5
3,kh2=0.45)で与えられる点Lと、座標(k
h1=0.30,kh2=0.65)で与えられる点M
と、点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上
を含む内部に与えられることを特徴とする。この領域A
BCDEFGHIJKLMAは、図2の2次元直交座標
グラフに示されている。
00m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15〜
15ppm/℃、且つK2 =0.05〜1.20%が実
現される。更に、このような素子の構成は、ZnO圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。
上記の第3の表面弾性波素子とkh3の値の範囲が同じ
であるタイプAの表面弾性波素子であって、kh1及び
kh2が、2次元直交座標グラフにおいて、点Aと、点
Bと、点Cと、座標(kh1=0.62,kh2=0.
77)で与えられる点Nと、点Jと、点Kと、点Lと、
点Mと、点Aとを順に線分で結ぶ、8本の線分から成る
領域ABCNJKLMAの8本の線分の線上を含む内部
に与えられることを特徴とする。この領域ABCNJK
LMAも、図2の2次元直交座標グラフに示されてい
る。
10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF=
−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜1.1
5%が実現される。更に、このような素子の構成は、第
3の表面弾性波素子と同様に、ZnO圧電体層形成時に
櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利
である。
(a)のタイプAの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.16
5≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸にkh
2を与える2次元直交座標グラフにおいて、座標(kh
1=0.30,kh2=1.07)で与えられる点A
と、座標(kh1=0.36,kh2=1.07)で与
えられる点Bと、座標(kh1=0.43,kh2=
1.07)で与えられる点Cと、座標(kh1=0.9
0,kh2=1.37)で与えられる点Dと、座標(k
h1=1.05,kh2=1.20)で与えられる点E
と、座標(kh1=1.52,kh2=0.85)で与
えられる点Fと、座標(kh1=1.34,kh2=
0.79)で与えられる点Gと、座標(kh1=1.0
5,kh2=0.72)で与えられる点Hと、座標(k
h1=0.85,kh2=0.68)で与えられる点I
と、座標(kh1=0.71,kh2=0.68)で与
えられる点Jと、座標(kh1=0.38,kh2=
0.68)で与えられる点Kと、座標(kh1=0.4
2,kh2=0.55)で与えられる点Lと、座標(k
h1=0.30,kh2=0.65)で与えられる点M
と、点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上
を含む内部に与えられることを特徴とする。この領域A
BCDEFGHIJKLMAは、図3の2次元直交座標
グラフに示されている。また、この表面弾性波の構造
は、図6(a)に例示されるタイプAである。
00m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15〜
15ppm/℃、且つK2 =0.05〜1.05%が実
現される。更に、このような素子の構成は、ZnO圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。
上記の第5の表面弾性波素子とkh3の値の範囲が同じ
であるタイプAの表面弾性波素子であって、kh1及び
kh2が、2次元直交座標グラフにおいて、点Aと、点
Bと、座標(kh1=0.43,kh2=0.95)で
与えられる点Nと、座標(kh1=0.61,kh2=
0.75)で与えられる点Oと、点Jと、点Kと、点L
と、点Mと、点Aとを順に線分で結ぶ、8本の線分から
成る領域ABNOJKLMAの8本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。この領域ABNO
JKLMAも、図3の2次元直交座標グラフに示されて
いる。
10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF=
−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.9
5%が実現される。更に、このような素子の構成は、第
5の表面弾性波素子と同様に、ZnO圧電体層形成時に
櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利
である。
(a)のタイプAの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.23
1≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸にkh
2を与える2次元直交座標グラフにおいて、座標(kh
1=0.30,kh2=1.15)で与えられる点A
と、座標(kh1=0.38,kh2=1.20)で与
えられる点Bと、座標(kh1=0.46,kh2=
1.32)で与えられる点Cと、座標(kh1=0.6
0,kh2=1.52)で与えられる点Dと、座標(k
h1=0.73,kh2=1.60)で与えられる点E
と、座標(kh1=0.81,kh2=1.44)で与
えられる点Fと、座標(kh1=1.00,kh2=
1.20)で与えられる点Gと、座標(kh1=1.4
0,kh2=0.91)で与えられる点Hと、座標(k
h1=1.14,kh2=0.83)で与えられる点I
と、座標(kh1=0.83,kh2=0.76)で与
えられる点Jと、座標(kh1=0.60,kh2=
0.73)で与えられる点Kと、座標(kh1=0.3
5,kh2=0.73)で与えられる点Lと、座標(k
h1=0.38,kh2=0.63)で与えられる点M
と、座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与
えられる点Nと、点Aとを順に線分で結ぶ、14本の線
分から成る領域ABCDEFGHIJKLMNAの14
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。この領域ABCDEFGHIJKLMNAは、図4
の2次元直交座標グラフに示されている。
00m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15〜
15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.95%が実
現される。更に、このような素子の構成は、ZnO圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。
上記の第7の表面弾性波素子とkh3の値の範囲が同じ
であるタイプAの表面弾性波素子であって、kh1及び
kh2が、2次元直交座標グラフにおいて、点Aと、座
標(kh1=0.36,kh2=1.00)で与えられ
る点Oと、座標(kh1=0.48,kh2=0.8
3)で与えられる点Pと、点Kと、点Lと、点Mと、点
Nと、点Aとを順に線分で結ぶ、7本の線分から成る領
域AOPKLMNAの7本の線分の線上を含む内部に与
えられることを特徴とする。この領域AOPKLMNA
も、図4の2次元直交座標グラフに示されている。
10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF=
−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.7
0%が実現される。更に、このような素子の構成は、第
7の表面弾性波素子と同様に、ZnO圧電体層形成時に
櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利
である。
(a)のタイプAの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.29
7≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸にkh
2を与える2次元直交座標グラフにおいて、座標(kh
1=0.30,kh2=1.29)で与えられる点A
と、座標(kh1=0.33,kh2=1.36)で与
えられる点Bと、座標(kh1=0.40,kh2=
1.60)で与えられる点Cと、座標(kh1=0.7
1,kh2=1.60)で与えられる点Dと、座標(k
h1=0.82,kh2=1.41)で与えられる点E
と、座標(kh1=1.00,kh2=1.22)で与
えられる点Fと、座標(kh1=1.27,kh2=
0.97)で与えられる点Gと、座標(kh1=1.0
3,kh2=0.89)で与えられる点Hと、座標(k
h1=0.68,kh2=0.78)で与えられる点I
と、座標(kh1=0.52,kh2=0.77)で与
えられる点Jと、座標(kh1=0.30,kh2=
0.76)で与えられる点Kと、座標(kh1=0.3
0,kh2=1.09)で与えられる点Lと、点Aとを
順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領域ABCDE
FGHIJKLAの12本の線分の線上を含む内部に与
えられることを特徴とする。この領域ABCDEFGH
IJKLAは、図5の2次元直交座標グラフに示されて
いる。
00m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15〜
15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.85%が実
現される。更に、このような素子の構成は、ZnO圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。
は、上記の第9の表面弾性波素子とkh3の値の範囲が
同じであるタイプAの表面弾性波素子であって、kh1
及びkh2が、2次元直交座標グラフにおいて、点L
と、座標(kh1=0.37,kh2=0.94)で与
えられる点Mと、点Jと、点Kと、点Lとを順に線分で
結ぶ、4本の線分から成る領域LMJKLの4本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする。この
領域LMJKLも、図5の2次元直交座標グラフに示さ
れている。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.
50%が実現される。更に、このような素子の構成は、
第9の表面弾性波素子と同様に、ZnO圧電体層形成時
に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有
利である。
(b)のタイプBの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.09
9≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図2で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.75〜2.25%が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。
は、上記の第13の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプBの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図2で与えられる領域ABCNJKL
MAの8本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.75〜2.
25%が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
(b)のタイプBの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.16
5≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図3で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.70〜2.2%が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
は、上記の第15の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプBの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図3で与えられる領域ABNOJKL
MAの8本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.70〜2.
2%が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
(b)のタイプBの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.23
1≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図4で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMNAの14本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.55〜1.75%が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。
は、上記の第17の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプBの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図4で与えられる領域AOPKLMN
Aの7本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.60〜1.
75%が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
(b)のタイプBの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.29
7≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図5で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLAの12本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.30〜1.7%が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
は、上記の第19の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプBの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図5で与えられる領域LMJKLの4
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.70〜1.
7%が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
(c)のタイプCの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.03
3≦kh3≦0.099 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図1で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLAの12本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.12〜0.85%が
実現される。更に、このような素子の構成は、ZnO圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
は、上記の第21の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプCの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図1で与えられる領域ABIJKLA
の6本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.12〜0.
85%が実現される。更に、このような素子の構成は、
ZnO圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
(c)のタイプCの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.09
9≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図2で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.85%が
実現される。更に、このような素子の構成は、ZnO圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
は、上記の第23の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプCの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図2で与えられる領域ABCNJKL
MAの8本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.
80%が実現される。更に、このような素子の構成は、
ZnO圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
(c)のタイプCの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.16
5≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図3で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.85%が
実現される。更に、このような素子の構成は、ZnO圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
は、上記の第25の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプCの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図3で与えられる領域ABNOJKL
MAの8本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.
65%が実現される。更に、このような素子の構成は、
ZnO圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
(c)のタイプCの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.23
1≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図4で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMNAの14本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.82%が
実現される。更に、このような素子の構成は、ZnO圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
は、上記の第27の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプCの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図4で与えられる領域AOPKLMN
Aの7本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。この領域AOPKLMNAも、図4の2次元
直交座標グラフに示されている。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.
50%が実現される。更に、このような素子の構成は、
ZnO圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
(c)のタイプCの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.29
7≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図5で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLAの12本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.05〜0.75%が
実現される。更に、このような素子の構成は、ZnO圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
は、上記の第29の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプCの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図5で与えられる領域LMJKLの4
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.07〜0.
35%が実現される。更に、このような素子の構成は、
ZnO圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
(d)のタイプDの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.09
9≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図2で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.75〜1.80%が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。
は、上記の第33の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプDの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図2で与えられる領域ABCNJKL
MAの8本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.75〜1.
80%が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
(d)のタイプDの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.16
5≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図3で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.65〜1.7%が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
は、上記の第35の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプDの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図3で与えられる領域ABNOJKL
MAの8本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。この領域ABNOJKLMAも、図3の2
次元直交座標グラフに示されている。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.65〜1.
7%が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
(d)のタイプDの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.23
1≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図4で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMNAの14本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.55〜1.6%が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
は、上記の第37の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプDの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図4で与えられる領域AOPKLMN
Aの7本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.55〜1.
6%が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
(d)のタイプDの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.29
7≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図5で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLAの12本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.40〜1.4%が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
は、上記の第39の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプDの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図5で与えられる領域LMJKLの4
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.60〜1.
4%が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
(f)のタイプFの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.09
9≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図2で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.25〜1.6%が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
は、上記の第43の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプFの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図2で与えられる領域ABCNJKL
MAの8本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.80〜1.
6%が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
(f)のタイプFの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.16
5≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図3で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMAの13本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.25〜1.6%が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
は、上記の第45の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプFの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図3で与えられる領域ABNOJKL
MAの8本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.65〜1.
6%が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
(f)のタイプFの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.23
1≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図4で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLMNAの14本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.3〜1.45%が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
は、上記の第47の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプFの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図4で与えられる領域AOPKLMN
Aの7本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.55〜1.
45%が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
(f)のタイプFの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、2次モードの表面弾性波の波長λについて、kh
3=2π(tA /λ)で与えられるkh3が、0.29
7≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且つ、kh1
=2π(tZ /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与え
られるkh1及びkh2が、図5で与えられる領域AB
CDEFGHIJKLAの12本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
000m/sec.以上を達成し、且つTCF=−15
〜15ppm/℃、且つK2 =0.35〜1.35%が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なZnOを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。
は、上記の第49の表面弾性波素子とkh3の値の範囲
が同じであるタイプFの表面弾性波素子であって、kh
1及びkh2が、図5で与えられる領域LMJKLの4
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。
=10,000m/sec.以上を実現し、且つTCF
=−15〜15ppm/℃、且つK2 =0.70〜1.
35%が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なZnOを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
性波素子〜第50の表面弾性波素子の全ての表面弾性波
素子は、1次モードを利用する場合に比べて、伝搬損失
を低く抑えることができるという利点も併せて有してい
る。これら全ての表面弾性波素子では、1次モードを利
用した場合の伝搬損失が2GHzにおいて0.05dB
/λであるが、2次モードを利用した本発明の場合は、
伝搬損失は2GHzにおいて0.03dB/λである。
うなタイプAの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、(1)ダイヤモンド層の上に、厚さtZ とな
るようにZnO層を形成するステップと、(2)ZnO
層の上に、厚さtA となるように櫛型電極を形成するス
テップと、(3)櫛型電極を覆ってZnO層の上に、厚
さtS となるようにSiO2 層を形成するステップと、
を有する表面弾性波素子の製造方法において、2次モー
ドの表面弾性波の波長λについて、kh1=2π(tZ
/λ)、kh2=2π(tS /λ)で与えられるkh1
及びkh2が、図1で与えられる領域ABCDEFGH
IJKLAの12本の線分の線上を含む内部に与えられ
るようにtZ 及びtS を選択し、且つ、kh3=2π
(tA /λ)で与えられるkh3が、0.033≦kh
3≦0.099 の範囲となるようにtA を選択するこ
とを特徴とする。また、この製造方法において、更に、
kh1及びkh2が図1の領域ABIJKLAの中に含
まれるように、tZ 及びtSを選択してもよい。
≦kh3≦0.165 の範囲となるようにtA を選択
し、且つ、kh1及びkh2が、図2の領域ABCDE
FGHIJKLMAの線上を含む内部に与えられるよう
にtZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びkh
2が図2の領域ABCNJKLMAの線上を含む内部に
与えられるようにtZ 及びtS を選択してもよい。ま
た、この製造方法において、0.165≦kh3≦0.
231 の範囲となるようにtA を選択し、且つ、kh
1及びkh2が、図3の領域ABCDEFGHIJKL
MAの線上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS
を選択してもよく、更にkh1及びkh2が図3の領域
ABNOJKLMAの線上を含む内部に与えられるよう
にtZ 及びtS を選択してもよい。また、この製造方法
において、0.231≦kh3≦0.297 の範囲と
なるようにtA を選択し、且つ、kh1及びkh2が、
図4の領域ABCDEFGHIJKLMNAの線上を含
む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択してもよ
く、更にkh1及びkh2が図4の領域AOPKLMN
Aの線上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を
選択してもよい。また、この製造方法において、0.2
97≦kh3≦0.363 の範囲となるようにtA を
選択し、且つ、kh1及びkh2が、図5の領域ABC
DEFGHIJKLAの線上を含む内部に与えられるよ
うにtZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びk
h2が図5の領域LMJKLの線上を含む内部に与えら
れるようにtZ 及びtS を選択してもよい。
うなタイプBの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、(1)ダイヤモンド層の上に、短絡用電極を
形成するステップと、(2)短絡用電極を覆ってダイヤ
モンド層の上に、厚さtZ となるようにZnO層を形成
するステップと、(3)ZnO層の上に、厚さtA とな
るように櫛型電極を形成するステップと、(v)櫛型電
極を覆ってZnO層の上に、厚さtS となるようにSi
O2 層を形成するステップと、を有する表面弾性波素子
の製造方法において、2次モードの表面弾性波の波長λ
について、kh1=2π(tZ /λ)、kh2=2π
(tS /λ)で与えられるkh1及びkh2が、図2で
与えられる領域ABCDEFGHIJKLMAの13本
の線分の線上を含む内部に与えられるようにtZ 及びt
S を選択し、且つ、kh3=2π(tA /λ)で与えら
れるkh3が、0.099≦kh3≦0.165の範囲
となるようにtA を選択することを特徴とする。また、
この製造方法において、更に、kh1及びkh2が図2
の領域ABCNJKLMAの線上を含む内部に与えられ
るようにtZ 及びtS を選択してもよい。
≦kh3≦0.099 の範囲となるようにtA を選択
し、且つ、kh1及びkh2が、図1の領域ABCDE
FGHIJKLAの線上を含む内部に与えられるように
tZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びkh2
が図1の領域ABCNJKLAの線上を含む内部に与え
られるようにtZ 及びtS を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、0.165≦kh3≦0.231
の範囲となるようにtA を選択し、且つ、kh1及びk
h2が、図3の領域ABCDEFGHIJKLMAの線
上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択し
てもよく、更にkh1及びkh2が図3の領域ABNO
JKLMAの線上を含む内部に与えられるようにtZ 及
びtS を選択してもよい。また、この製造方法におい
て、0.231≦kh3≦0.297 の範囲となるよ
うにtA を選択し、且つ、kh1及びkh2が、図4の
領域ABCDEFGHIJKLMNAの線上を含む内部
に与えられるようにtZ 及びtS を選択してもよく、更
にkh1及びkh2が図4の領域AOPKLMNAの線
上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択し
てもよい。また、この製造方法において、0.297≦
kh3≦0.363 の範囲となるようにtAを選択
し、且つ、kh1及びkh2が、図5の領域ABCDE
FGHIJKLAの線上を含む内部に与えられるように
tZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びkh2
が図5の領域LMJKLの線上を含む内部に与えられる
ようにtZ及びtS を選択してもよい。
うなタイプCの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、(1)ダイヤモンド層の上に、厚さtZ とな
るようにZnO層を形成するステップと、(2)ZnO
層の上に、厚さtA となるように櫛型電極を形成するス
テップと、(3)櫛型電極を覆ってZnO層の上に、厚
さtS となるようにSiO2 層を形成するステップと、
(4)SiO2 層の上に短絡用電極を形成するステップ
とを有する表面弾性波素子の製造方法において、2次モ
ードの表面弾性波の波長λについて、kh1=2π(t
Z /λ)、kh2=2π(tS /λ)で与えられるkh
1及びkh2が、図3で与えられる領域ABCDEFG
HIJKLMAの13本の線分の線上を含む内部に与え
られるようにtZ 及びtS を選択し、且つ、kh3=2
π(tA /λ)で与えられるkh3が、 0.165
≦kh3≦0.231 の範囲となるようにtA を選択
することを特徴とする。
≦kh3≦0.099 の範囲となるようにtA を選択
し、且つ、kh1及びkh2が、図1の領域ABCDE
FGHIJKLAの線上を含む内部に与えられるように
tZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びkh2
が図1の領域ABCNJKLAの線上を含む内部に与え
られるようにtZ 及びtS を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、0.099≦kh3≦0.165
の範囲となるようにtA を選択し、且つ、kh1及び
kh2が、図2の領域ABCDEFGHIJKLMAの
線上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択
してもよく、更にkh1及びkh2が図2の領域ABC
NJKLMAの線上を含む内部に与えられるようにtZ
及びtSを選択してもよい。また、この製造方法におい
て、0.231≦kh3≦0.297 の範囲となるよ
うにtA を選択し、且つ、kh1及びkh2が、図4の
領域ABCDEFGHIJKLMNAの線上を含む内部
に与えられるようにtZ 及びtS を選択してもよく、更
にkh1及びkh2が図4の領域AOPKLMNAの線
上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択し
てもよい。また、この製造方法において、0.297≦
kh3≦0.363 の範囲となるようにtA を選択
し、且つ、kh1及びkh2が、図5の領域ABCDE
FGHIJKLAの線上を含む内部に与えられるように
tZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びkh2
が図5の領域LMJKLの線上を含む内部に与えられる
ようにtZ 及びtS を選択してもよい。
うなタイプDの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、(1)ダイヤモンド層の上に、第1の短絡用
電極を形成するステップと、(2)短絡用電極を覆って
ダイヤモンド層の上に、厚さtZ となるようにZnO層
を形成するステップと、(3)ZnO層の上に、厚さt
A となるように櫛型電極を形成するステップと、(4)
櫛型電極を覆ってZnO層の上に、厚さtS となるよう
にSiO2 層を形成するステップと、(5)SiO2 層
の上に、第2の短絡用電極を形成するステップとを有す
る表面弾性波素子の製造方法であって、2次モードの表
面弾性波の波長λについて、kh1=2π(tZ /
λ)、kh2=2π(tS /λ)で与えられるkh1及
びkh2が、図4で与えられる領域ABCDEFGHI
JKLMNAの14本の線分の線上を含む内部に与えら
れるようにtZ 及びtS を選択し、且つ、kh3=2π
(tA/λ)で与えられるkh3が、 0.231≦
kh3≦0.297 の範囲となるようにtA を選択す
ることを特徴とする。また、この製造方法では、更に、
kh1及びkh2が図4の領域AOPKLMNAの線上
を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択して
もよい。
≦kh3≦0.099 の範囲となるようにtA を選択
し、且つ、kh1及びkh2が、図1の領域ABCDE
FGHIJKLAの線上を含む内部に与えられるように
tZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びkh2
が図1の領域ABCNJKLAの線上を含む内部に与え
られるようにtZ 及びtS を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、0.099≦kh3≦0.165
の範囲となるようにtA を選択し、且つ、kh1及び
kh2が、図2の領域ABCDEFGHIJKLMAの
線上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択
してもよく、更にkh1及びkh2が図2の領域ABC
NJKLMAの線上を含む内部に与えられるようにtZ
及びtSを選択してもよい。また、この製造方法におい
て、0.165≦kh3≦0.231 の範囲となるよ
うにtA を選択し、且つ、kh1及びkh2が、図3の
領域ABCDEFGHIJKLMAの線上を含む内部に
与えられるようにtZ 及びtS を選択してもよく、更に
kh1及びkh2が図3の領域ABNOJKLMAの線
上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択し
てもよい。また、この製造方法において、0.297≦
kh3≦0.363 の範囲となるようにtA を選択
し、且つ、kh1及びkh2が、図5の領域ABCDE
FGHIJKLAの線上を含む内部に与えられるように
tZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びkh2
が図5の領域LMJKLの線上を含む内部に与えられる
ようにtZ 及びtS を選択してもよい。
うなタイプFの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、(1)ダイヤモンド層の上に、厚さtA とな
るように櫛型電極を形成するステップと、(2)前記櫛
型電極を覆って前記ダイヤモンド層の上に、厚さtZ と
なるようにZnO層を形成するステップと、(3)前記
ZnO層の上に短絡用電極を形成するステップと、
(4)前記短絡用電極を覆って前記ZnO層の上に、厚
さtS となるようにSiO2 層を形成するステップとを
備える表面弾性波素子の製造方法であって、2次モード
の表面弾性波の波長λについて、kh1=2π(tZ /
λ)、kh2=2π(tS /λ)で与えられるkh1及
びkh2が、図5で与えられる領域ABCDEFGHI
JKLAの12本の線分の線上を含む内部に与えられる
ようにtZ 及びtS を選択し、且つ、kh3=2π(t
A /λ)で与えられるkh3が、 0.297≦kh
3≦0.363 の範囲となるようにtA を選択するこ
とを特徴とする。また、この製造方法において、更に、
kh1及びkh2が図5の領域LMJKLの線上を含む
内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択してもよ
い。
≦kh3≦0.099 の範囲となるようにtA を選択
し、且つ、kh1及びkh2が、図1の領域ABCDE
FGHIJKLAの線上を含む内部に与えられるように
tZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びkh2
が図1の領域ABCNJKLAの線上を含む内部に与え
られるようにtZ 及びtS を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、0.099≦kh3≦0.165
の範囲となるようにtA を選択し、且つ、kh1及び
kh2が、図2の領域ABCDEFGHIJKLMAの
線上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択
してもよく、更にkh1及びkh2が図2の領域ABC
NJKLMAの線上を含む内部に与えられるようにtZ
及びtSを選択してもよい。また、この製造方法におい
て、0.165≦kh3≦0.231 の範囲となるよ
うにtA を選択し、且つ、kh1及びkh2が、図3の
領域ABCDEFGHIJKLMAの線上を含む内部に
与えられるようにtZ 及びtS を選択してもよく、更に
kh1及びkh2が図3の領域ABNOJKLMAの線
上を含む内部に与えられるようにtZ 及びtS を選択し
てもよい。また、この製造方法において、0.231≦
kh3≦0.297 の範囲となるようにtA を選択
し、且つ、kh1及びkh2が、図4の領域ABCDE
FGHIJKLMNAの線上を含む内部に与えられるよ
うにtZ 及びtS を選択してもよく、更にkh1及びk
h2が図4の領域AOPKLMNAの線上を含む内部に
与えられるようにtZ 及びtS を選択してもよい。
を有する表面弾性波素子は、kh3=0.044のと
き、kh1とkh2が、図28の基本組み合わせ線(A
1-B1-C1-D1-E1-F1-G1)に対してkh2を
+/− 10%で増減してなる範囲にあってもよい。ま
た、kh3=0.066のとき、kh1とkh2が、図
28の基本組み合わせ線(A2-B2-C2-D2-E2-
F2-G2)に対してkh2を +/− 10%で増減し
てなる範囲にあってもよい。また、kh3=0.099
のとき、kh1とkh2が、図28の基本組み合わせ線
(A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3)に対してkh
2を +/− 10%で増減してなる範囲にあってもよ
い。また、kh3=0.132のとき、kh1とkh2
が、図28の基本組み合わせ線(A4-B4-C4-D4-
E4-F4-G4)に対してkh2を+/− 10%で増
減してなる範囲にあってもよい。また、kh3=0.1
98のとき、kh1とkh2が、図28の基本組み合わ
せ線(A5-B5-C5-D5-E5-F5-G5)に対して
kh2を +/− 10%で増減してなる範囲にあっても
よい。また、kh3=0.264のとき、kh1とkh
2が、図28の基本組み合わせ線(A6-B6-C6-D
6-E6-F6-G6)に対してkh2を +/−10%で
増減してなる範囲にあってもよい。
るkh3に対しては、図28の基本組み合わせ線(A1
-B1-C1-D1-E1-F1-G1)の各点と基本組み合
わせ線(A2-B2-C2-D2-E2-F2-G2)の各点
をkh2の値について線形補完(線形補間)して得られ
る補完基本組み合わせ線(A12-B12-C12-D1
2-E12-F12-G12)に対してkh2を +/−
10%で増減してなる範囲にあってもよい。すなわち、
この範囲とは、補完基本組み合わせ線(A12-B12-
C12-D12-E12-F12-G12)からkh2のみ
を10%増加させて得られる上限線と、補完基本組み合
わせ線(A12-B12-C12-D12-E12-F12-
G12)からkh2のみを10%減少させて得られる下
限線とにより画定される領域のことである。ここで、こ
の線形補完とは、例えばA1(kh1,kh2A1)とA
2(kh1,kh2A2)を補完してA12(kh1,k
h2A12)を与える線形補完とは、0.044≦kh3
≦0.066であるkh3に対して、kh2A12を、k
h3=0.044から0.066までのkh3の変化に
応じて比例配分則で与えることをいい、より具体的には
下式: kh2A12=kh2A1+(kh2A2−kh2A1)x(k
h3−kh3A1)/(kh3A2−kh3A1) で与える方法のことである。ここで、A1とA2とA1
2でkh1は同じでありkh1=0.600、また、k
h3A1=0.044、kh3A2=0.066であり、ま
た、kh2A1=0.645、kh2A2=0.671であ
る。
るkh3に対しては、図28の基本組み合わせ線(A2
-B2-C2-D2-E2-F2-G2)の各点と基本組み合
わせ線(A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3)の各点
とをkh3の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線(A23-B23-C23-D23-E23-
F23-G23)に対してkh2を +/− 10%で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばA2(kh1,kh2A2)とA3(kh1,k
h2A3)を補完してA23(kh1,kh2A23)を与
える線形補完とは、A12の場合と同様に、0.066
≦kh3≦0.099であるkh3に対して、kh2
A23を kh2A23=kh2A2+(kh2A3−kh2A2)x(k
h3−kh3A2)/(kh3A3−kh3A2) で与える方法のことである。
るkh3に対しては、図28の基本組み合わせ線(A3
-B3-C3-D3-E3-F3-G3)の各点と基本組み合
わせ線(A4-B4-C4-D4-E4-F4-G4)の各点
とをkh3の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線(A34-B34-C34-D34-E34-
F34-G34)に対してkh2を +/− 10%で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばA3(kh1,kh2A3)とA4(kh1,k
h2A4)を補完してA34(kh1,kh2A34)を与
える線形補完とは、A12の場合と同様に、0.099
≦kh3≦0.132であるkh3に対して、kh2
A34を kh2A34=kh2A3+(kh2A4−kh2A3)x(k
h3−kh3A3)/(kh3A4−kh3A3) で与える方法のことである。
るkh3に対しては、図28の基本組み合わせ線(A4
-B4-C4-D4-E4-F4-G4)の各点と基本組み合
わせ線(A5-B5-C5-D5-E5-F5-G5)の各点
とをkh3の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線(A45-B45-C45-D45-E45-
F45-G45)に対してkh2を +/− 10%で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばA4(kh1,kh2A4)とA5(kh1,k
h2A5)を補完してA45(kh1,kh2A45)を与
える線形補完とは、A12の場合と同様に、0.132
≦kh3≦0.198であるkh3に対して、kh2
A45を kh2A45=kh2A4+(kh2A5−kh2A4)x(k
h3−kh3A4)/(kh3A5−kh3A4) で与える方法のことである。
るkh3に対しては、図28の基本組み合わせ線(A5
-B5-C5-D5-E5-F5-G5)の各点と基本組み合
わせ線(A6-B6-C6-D6-E6-F6-G6)の各点
とをkh3の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線(A56-B56-C56-D56-E56-
F56-G56)に対してkh2を +/− 10%で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばA5(kh1,kh2A5)とA6(kh1,k
h2A6)を補完してA56(kh1,kh2A56)を与
える線形補完とは、A12の場合と同様に、0.198
≦kh3≦0.264であるkh3に対して、kh2
A56を kh2A56=kh2A5+(kh2A6−kh2A5)x(k
h3−kh3A5)/(kh3A6−kh3A5) で与える方法のことである。
み合わせ線に基づき決められたkh1とkh2を有する
表面弾性波素子(請求項56〜66に係る表面弾性波素
子)は、前出の第1の表面弾性波素子〜第50表面弾性
波素子と同じく、V>8000m/sの高い伝播速度
と、実用レベルのK2を有しているが、更に、第1〜第
50の表面弾性波素子の中でも、特に好ましい範囲を限
定している。具体的には、−20℃から80℃までの周
波数変動が500ppm以内であり、すなわち温度1℃
当たり5ppm以内となる。従って、第1〜第50の表
面弾性波素子よりも更に厳密な温度安定性を求められる
場合には、これらの表面弾性波素子が好適である。な
お、上から順に(SiO2保護層)/(櫛型電極)/
(ZnO圧電体層)/(ダイヤモンド)の積層構造を有
する表面弾性波素子を2次モードで用いる場合は、(S
iO2保護層)/(ZnO圧電体層)/(櫛型電極)/
(ダイヤモンド)の積層構造を有する表面弾性波素子を
1次モードで用いる場合よりも伝播損失が小さい利点も
併せ持つ。たとえば、2.5GHz帯で温度安定性の良
い狭帯域フィルタを作製した場合、後者の構成では挿入
損失は少なくとも10dB程度が限界であるが、前者の
構成では10dB未満の挿入損失を実現できるようにな
る。
構造を有する表面弾性波素子では、櫛型電極が、電力を
印加して弾性波を励振させる入力櫛形電極と該弾性波を
受信して電力を取り出す出力櫛形電極とを備え、入力櫛
型電極の対数Niと出力櫛型電極の対数Noの合計N
が、50〜90対であり、入力櫛形電極及び出力櫛形電
極の交差幅がそれぞれ、波長λに対して、10λ〜50
λの範囲にあることを特徴としてもよい。また、弾性波
の伝搬方向に対して入力櫛形電極と出力櫛形電極を挟む
ように配置された少なくとも2つの反射器電極を更に備
え、反射器電極の本数の合計が、2x(100−N)以
下であることを特徴としてもよい。
は、水晶(クオーツ)が基板材料として用いられるが、
この場合、電極部分(櫛型電極部分及び反射器電極部
分)の面積は最も小さい場合でも200μm x 400
μmのサイズであった。小型化の要請に応えるために素
子のサイズを小さくしようとすれば、この電極部分の面
積も更に小さくすることが求められる。素子の小型化
は、通信システムの小型軽量化に伴い、全ての電子部品
に強く要求されているものである。
透過損失10dB未満のものは未だ実現されていない
が、より低損失のものほどシステムへの利用の点で有利
になり望まれている。
さくなるのは自明の理であるが、水晶のような従来材料
では、電極の対の数(対数:ついすう)及び交差幅を小
さくすれば、素子のQ値が600未満と小さくなってし
まい、また、透過損失が16dB程度以上に大きくなっ
てしまうといった問題があり、良好な素子特性を満たし
つつ電極面積を小さくすることには限界があった。ま
た、電極面積の大きい場合でも、2.5GHz帯の高周
波において、損失<10dB未満、TCF<5ppm/
℃、Q≧600であるような狭帯域特性を有するもの
は、従来材料では実現されていない。
イヤモンドを基板に用いる表面弾性波素子の場合は、ダ
イヤモンドと圧電体材料との複合体的特性が優れるた
め、電極の対数を従来よりも小さくしてもなおQ値を高
くすることができ、また、透過損失を低く抑えることが
できることを見出した。そして、上記の積層構造と電極
パターンの組み合わせを採用することにより、従来品に
較べてより高い伝播速度、より高い温度安定性を実現
し、且つ、狭帯域素子に一般的に必要なQ値≧600の
条件を満たし、透過損失が6〜10dBと低損失を実現
しつつも、素子の電極部分のサイズを40〜200μm
x 200〜400μm程度に小さくすることが可能と
なる。また、この構成においては、櫛型電極のフィンガ
を比較的太い線幅としてもなお十分な小型化を実現でき
るため、表面弾性波素子の歩留まりも高く維持できると
いう加工性の利点も併せ持つ。
着目して、本発明を詳細に説明する。
ヤモンドと合成ダイヤモンドのいずれも使用可能であ
る。また、単結晶ダイヤモンドでも多結晶ダイヤモンド
でもアモルファスダイヤモンドでもよい。また、ダイヤ
モンド単体でもよいし、他の基材上に形成された薄膜で
もよい。
膜厚tに関するパラメータkh=2π(t/λ)=4以
上となるような膜厚であることが好ましく、kh=8以
上となるような膜厚であることが更に好ましい。その理
由は、このような膜厚のダイヤモンドを有する表面弾性
波素子は、表面弾性波の諸特性の変動が小さくなるから
である。
D、イオンプレーティング法、PVD、熱フィラメント
法等、あらゆる製造方法を用いてこのダイヤモンドを合
成することができる。
子のZnO層を構成するZnOは、c軸配向性ZnOで
あることが好ましい。ここに、c軸配向であるとは、Z
nO膜の(001)面が基板と平行であるように形成さ
れることをいう。形成されたZnO膜がc軸配向であり
また多結晶であれば、ZnOの本来有する圧電性を充分
に利用した表面弾性波素子を実現することが可能とな
る。
素子では、SiO2 層が、温度特性を良好なものにする
だけでなく、圧電体及び櫛型電極に対する保護膜として
も機能し、外部環境からの湿気及び不純物等の影響を著
しく低減する。
層を構成するSiO2 は、アモルファスであることが好
ましい。
の温度変化と、ダイヤモンド及びZnO層のそれとが、
異符号になっている。具体的には、素子の温度が上昇す
れば、SiO2 層の表面弾性波の伝播速度が増大する
が、ダイヤモンド及びZnO層では表面弾性波の伝播速
度は減少する。従って、SiO2 がダイヤモンド及びZ
nO層における伝播速度の温度変化を相殺し、その結
果、表面弾性波素子の伝播速度が温度変化に対しても安
定する。
弾性波素子に用いる櫛型電極(又はすだれ状電極ともい
う:interdigital transducer)は、圧電体の電気機械
変換により表面弾性波を励振しこれを受信するための要
素である。本発明の表面弾性波素子に含まれる櫛型電極
の典型的な構造の一例を、図26(a)及び(b)に示
す。図26(a)はシングル電極の入力櫛型電極(又は
出力櫛型電極)の一部であり、(b)はダブル電極の入
力櫛型電極(又は出力櫛型電極)の一部である。
するための入力櫛型電極と、弾性波を受信して電気エネ
ルギーを取り出すための出力櫛型電極とから構成され
る。また、これらの櫛型電極を挟み込むように、両側に
反射器電極(グレーティング反射器等)を配置し、櫛型
電極間で発生する弾性波を反射器電極の間で多重反射さ
せ定在波を発生させる表面弾性波共振器の構成をとって
もよい。これらの櫛型電極や反射器電極を構成する材料
は、導電性材料であればよく、加工性等の点からはアル
ミニウムが好ましく用いられる。
アルミニウム製の櫛型電極の表面弾性波の伝播速度の温
度変化は、ダイヤモンド及びZnO層のそれと同符号で
あり、SiO2 層のそれとは異符号である。即ち、素子
の温度が上昇すれば、SiO2 層の表面弾性波の伝播速
度が増大し、ダイヤモンド、ZnO層及びアルミニウム
製櫛型電極における表面弾性波の伝播速度は減少する。
の短絡用電極は、一般的には金属をその材質とする。更
に形成の都合を考慮すれば、アルミニウム、金、金−銅
等の金属薄膜電極であることが好ましい。
0〜3、000オングストローム程度の厚さであること
が好ましい。50オングストロームに満たないと等電位
の形成が困難となり、また、3,000オングストロー
ムを越えれば、表面弾性波の特性に影響を及ぼすように
なる。厚くなるほど、伝搬損失は低下してくるため、5
0〜500オングストローム程度が更に好ましい。
施例を説明する。尚、添付した図面において、同一の要
素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
結合係数K2 、温度周波数特性TCF並びに伝搬損失を
与えるような、圧電体であるZnO層と保護層のSiO
2 層の厚さの最適化を、櫛型電極の厚さを考慮しつつ行
った。評価結果を以下に開示する。
に示されるタイプAの構造を有する表面弾性波素子を作
製した。図6(a)に示されるように、本実施例の表面
弾性波素子10aは、ダイヤモンド層12の上にZnO
層14が形成される。ZnO層14の上には櫛型電極2
0が形成され、更にこれらを覆うようにSiO2 層が形
成されて、表面弾性波素子をなす。
係数K2 、周波数温度特性TCF並びに伝搬損失の諸性
質を最適化するため、ダイヤモンド12上に形成するZ
nO膜14、SiO2 膜16及び櫛型電極20の厚さを
変えて複数の表面弾性波素子を作製し、それぞれについ
て2次モードのV、K2 、TCF及び伝搬損失を測定し
た。
20μmとし、ZnO層14の厚さは、0.20〜2.
5μmの範囲で20種類、Al櫛型電極の厚さを、シン
グル電極用及びダブル電極用として210オングストロ
ーム〜4600オングストロームで20種類、SiO2
層16の厚さは、0.15〜2.0μmの範囲で20種
類とした。また、ZnO膜の厚さtZ 、Al櫛型電極の
厚さtA 及びSiO2膜の厚さtS を、表面弾性波の波
長λに対して相対的に表現するため、以下のパラメー
タ: kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ)、 kh3=2π(tA /λ) を用いた。
に作製された。
0)面を有するSi基板を準備し、これをマイクロ波プ
ラズマCVD装置のチャンバ内に搬入した。まず、チャ
ンバ内を脱気して、反応室温にH2 :CH4 =200:
1の混合ガスを導入した。次いで、チャンバ内圧力が約
40Torr、基板温度が850℃、マイクロ波パワー
が400Wのマイクロ波プラズマ条件下で、上記のSi
基板上に厚さ20μmのダイヤモンド薄膜12を堆積さ
せた。ダイヤモンドの堆積速度は、約1.0μm/hr
であった。次いで、ダイヤモンドが堆積されたSi基板
をチャンバから取り出し、大気中に450℃で10分間
放置してダイヤモンド薄膜の抵抗値を高めた。
した後、基板をマグネトロンスパッタリング装置のチャ
ンバ内に搬入し、チャンバ内にAr:O2 =1:1の混
合ガスを流しつつ、スパッタ出力150W、基板温度3
80℃のスパッタリング条件下で、ZnO多結晶体のタ
ーゲットをスパッタし、ダイヤモンド薄膜12上にZn
O膜14を堆積させた。ZnOの堆積速度は、1.8μ
m/hrであった。堆積速度を1.8μm/hr一定と
し、堆積時間を調節することにより、堆積するZnO層
の厚さを上記の範囲の20種類に調節した。
ム(Al)層を抵抗加熱法により蒸着した。Al層の厚
さも、ZnO層の厚さの調節と同様に、堆積速度を一定
として、堆積時間を調節することにより、堆積するAl
層の厚さを上記の範囲の20種類に調節した。次いで、
フォトリソグラフィー及びエッチングにより、線幅1μ
mのダブル電極構造をもち波長8μmを実現する交差幅
400μmと、線幅1μmのシングル電極構造をもち波
長4μmを実現する交差幅200μmの、2種類の櫛型
電極20を形成した。
ー:200W、ガス:Ar:O2 =1:1の混合ガス、
圧力:0.01Torr、ターゲット:SiO2 の条件
のスパッタリングによって、上記所定の厚さの非晶質S
iO2 膜16を形成した。SiO2 の厚さについても、
堆積速度を0.54μm/hr一定とし、堆積時間を調
節することにより、堆積する厚さを上記の範囲の20種
類に調節した。
を有し、SiO2 層及びZnO層の厚さの異なる表面弾
性波素子を作製した。そして、これらの各表面弾性波素
子の入力側電極に高周波電力を印加して2次モードの表
面弾性波を励起させ、V=fλ(f:中心周波数,シン
グル電極の場合は、λ=4d=4μm,ダブル電極の場
合はλ=8d=8μm,d:線幅=1μm)の関係か
ら、励起された表面弾性波の伝播速度を求めた。各表面
弾性波素子の電気機械結合係数K2 は、ネットワークア
ナライザ(横河ヒューレットパッカード社製、8791
A)を用いて2次モードにおいて測定された各表面弾性
波素子の櫛型電極の放射コンダクタンスの実部Gに基づ
き、 K2 =G/(8・f0 ・C・N) (f0 :中心周波数,C:櫛型電極の全静電容量,N:
櫛型電極の対の数)として求められた。
子をヒーターで加熱して、室温〜70℃まで変化させ、
10℃おきに中心周波数を測定したところ直線関係が得
られ、この直線の傾きからTCFが測定された。
入出力電極間距離の異なる表面弾性波素子を作製し(電
極間距離:50波長,100波長,150波長)、特定
の伝搬距離に対して、素子の挿入損失と距離の関係を評
価したところ、直線関係が得られ、この直線の傾きか
ら、一波長当たりの伝搬損失が得られた。
な厚さtZ 及びSiO2 層の正確な厚さtS は、上記の
各パラメータ測定後、素子を切断し、この切断面をSE
Mで観察することにより求められた。そして、このtZ
及びtS からkh1及びkh2を求め、対応するパラメ
ータの結果を評価した。ここで、khは、層の厚さt及
び表面弾性波の波長λに対してkh=2π(t/λ)で
与えられるパラメータである。
について、ZnO層14の厚さとSiO2 層16の厚さ
に対する電気機械結合係数K2 の変化を図7に表した。
図7は、電気機械結合係数K2 のkh1及びkh2との
関係を表すグラフであり、縦軸にkh2(kh of
SiO2 )、横軸にkh1(kh of ZnO)をと
り、電気機械結合係数K2 をパラメータとしたkh1と
kh2との関係を表現した。従って、グラフの各曲線に
付随する数字は、この曲線に対応する電気機械結合係数
K2 の値であり、これらの単位は(%)である。なお、
図7のK2 の分布のグラフは、kh3の値にかかわらず
得られたものである。
波数温度特性TCF(ppm/℃)に関しても、ZnO
層14の厚さとSiO2 層16の厚さに対する変化を評
価した。V及びTCFに関しては、Al櫛型電極のkh
であるkh3に応じて変化しており、そのうち代表的な
測定結果をグラフに示す。図14は、kh3=0.06
6の場合の伝播速度Vを与えるkh1(kh of Z
nO)及びkh2(kh of SiO2 )の分布を示
し、同様に、図15はkh3=0.132の場合のV、
図16はkh3=0.198の場合のV、図17はkh
3=0.264の場合のV、図18はkh3=0.33
0の場合のVを示している。また、TCFについては、
図19は、kh3=0.066の場合の周波数温度特性
TCFを与えるkh1及びkh2の分布を示し、同様
に、図20はkh3=0.132の場合のTCF、図2
1はkh3=0.198の場合のTCF、図22はkh
3=0.264の場合のTCF、図23はkh3=0.
330の場合のTCFを示している。
て測定された伝搬損失は、1次モードに対しては0.0
5dB/波長、2次モードに対しては0.03dB/波
長であった。
び条件で、表面弾性波素子を作製した。実施例2とし
て、図6(b)に示されるタイプBの構成の表面弾性波
素子10bを作製した。また、実施例3として、図6
(c)に示されるタイプCの構成の表面弾性波素子10
cを、実施例4として、図6(d)に示されるタイプD
の構成の表面弾性波素子10dを、実施例5として、図
6(e)に示されるタイプEの構成の表面弾性波素子1
0eを、実施例6として、図6(f)に示されるタイプ
Fの構成の表面弾性波素子10fを、実施例7として、
図6(g)に示されるタイプGの構成の表面弾性波素子
10gを、それぞれ作製した。
が異なるが、実施例2(タイプB)、3(タイプC)及
び4(タイプD)では、実施例1と同様にZnO層14
形成後にZnO層14上に実施例1と同様に櫛型電極2
0を形成した。また、実施例5(タイプE)、6(タイ
プF)及び7(タイプG)では、ダイヤモンド層12を
形成しダイヤモンド層12表面を研磨後、ZnO層14
の形成の前に、実施例1と同様のプロセスにより櫛型電
極20を形成した。そして、この櫛型電極20を覆うよ
うに、ダイヤモンド層12の上にZnO層14を形成し
た。
イプF及びタイプGには、短絡用電極22、24が形成
されている。この短絡用電極22、24の形成は以下の
通りであった。実施例2(タイプB)及び6タイプ(タ
イプF)ではダイヤモンド層12形成しその表面を研磨
した後、厚さ50〜200オングストローム程度のアル
ミニウムの層を抵抗加熱法により蒸着し、これをフォト
リソグラフィーにより加工して、櫛型電極が形成される
領域に対応するように短絡用電極22が形成された。実
施例3(タイプC)及び7(タイプG)では、SiO2
層16形成後に、SiO2 層16の上に、実施例2と同
様のプロセスで、形成された櫛型電極20の領域に対応
するように短絡用電極22を形成した。また、実施例4
では、実施例2と同様のプロセスにより、ダイヤモンド
層12の上に短絡用電極22を、ZnO層16の上に短
絡用電極24をそれぞれ形成した。これら短絡用電極2
2、24は共に、櫛型電極20の領域に対応するように
形成されている。
同様に、伝播速度V、電気機械結合係数K2 、周波数温
度特性TCF並びに伝搬損失の諸性質を最適化するた
め、ダイヤモンド上に形成するZnO膜及びSiO2 膜
の厚さを変えて複数の表面弾性波素子を作製し、それぞ
れについて2次モードのV、K2 、TCF及び伝搬損失
を測定した。具体的には、実施例1と同じく、ダイヤモ
ンドの厚さを20μmとし、ZnO膜の厚さは、0.2
0〜2.5μmの範囲で20種類、Al櫛型電極の厚さ
を210オングストローム〜4600オングストローム
で20種類、SiO2 膜の厚さは、0.15〜2.0μ
mの範囲で20種類とした。実施例2〜7の何れにおい
ても、ZnO層の厚さ、SiO2 層の厚さ及びAl櫛型
電極の厚さは、実施例1と同様に、堆積時間を調節する
ことにより調節された。また、表面弾性波の波長λに対
してZnO膜の厚さtZ 、 SiO2 膜の厚さtS 及び
アルミニウム櫛型電極の厚さtAを相対的に表現するパ
ラメーターとして、実施例1と同様に、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ)、 kh3=2π(tA /λ) を用いた。
た表面弾性波素子の電気機械結合係数K2 を測定した。
そして、作製された表面弾性波素子について、ZnO層
14の厚さとSiO2 層16の厚さに対する電気機械結
合係数K2 の変化を図8〜13に表した。図8〜13
は、電気機械結合係数K2 のkh1(kh of Zn
O)及びkh2(kh of SiO2 )の関係を表す
グラフであり、図8は実施例2(タイプB)、図9は実
施例3(タイプC)、図10は実施例4(タイプD)、
図11は実施例5(タイプE)、図12は実施例6(タ
イプF)、そして、図13は実施例7(タイプG)にお
ける電気機械結合係数K2 とkh1及びkh2の関係を
表す。
Fに関しても、ZnO層14の厚さとSiO2 層16の
厚さに対する変化を評価した。実施例2〜7で得られた
Vのkh1及びkh2との関係は、実施例1で得られた
ものと同一の結果が得られた。従って、これは代表的な
kh3毎に図14〜18に表される。また、TCFのk
h1及びkh2との関係も、代表的なkh3毎の図19
〜23に表されるように、実施例1で得られたものと同
一の結果が得られた。
同じく、1次モードに対しては0.05dB/波長、2
次モードに対しては0.03dB/波長であった。
のように、表面弾性波素子を構成する圧電体部分のZn
O層14の厚さと、保護層であるSiO2 層16の厚さ
との最適化が、Al櫛型電極の厚さを考慮しつつ、様々
な電極配置において行われた。これらを総合的に評価
し、本発明に従った構成を有する表面弾性波素子に対し
て、最適なkh1とkh2の関係を求め、入力信号の波
長に応じた最適なZnO層14の厚さとSiO2 層16
の厚さとを求めた。
て決定されたkh1とkh2の最適値を、kh3の厚さ
の範囲毎に表すグラフである。
表面弾性波素子のK2 、V及びTCFの結果を総合的に
評価した結果、Al櫛型電極の厚さtA のパラメータで
あるkh3の範囲毎に、kh1及びkh2の最適値の範
囲が与えられた。kh3が0.033〜0.099の場
合の最適なkh1(kh of ZnO)及びkh2
(kh of SiO2 )を図1に示した。kh3が
0.099〜0.165の場合の最適なkh1及びkh
2を図2に示した。kh3が0.165〜0.231の
場合の最適なkh1及びkh2を図3に示した。kh3
が0.231〜0.297の場合の最適なkh1及びk
h2を図4に示した。kh3が0.297〜0.363
の場合の最適なkh1及びkh2を図5に示した。
9)の範囲にある場合は、図1の2次元直交座標グラフ
において点ABCDEFGHIJKLの12点が与えら
れ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域A−B−
C−D−E−F−G−H−I−J−K− L−Aの線上
を含む内部に、表面弾性波素子のkh1とkh2で与え
られる点が入るように、表面弾性波素子を構成すればよ
いことが見出された。更に好ましくは、図1において点
ABIJKLの6点を順に線分で結ぶ同様に囲まれた閉
じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素子のkh1と
kh2で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を
構成すればよい。
5)の範囲にある場合は、図2の2次元直交座標グラフ
において点ABCDEFGHIJKLMの13点が与え
られ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域A−B
−C−D−E−F−G−H−I−J−K− L−M−A
の線上を含む内部に、表面弾性波素子のkh1とkh2
で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を構成す
ればよいことが見出された。更に好ましくは、図2にお
いて点ABCNJKLMの8点を順に線分で結ぶ同様に
囲まれた閉じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素子
のkh1とkh2で与えられる点が入るように、表面弾
性波素子を構成すればよい。
1)の範囲にある場合は、図3の2次元直交座標グラフ
において点ABCDEFGHIJKLMの13点が与え
られ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域A−B
−C−D−E−F−G−H−I−J−K− L−M−A
の線上を含む内部に、表面弾性波素子のkh1とkh2
で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を構成す
ればよいことが見出された。更に好ましくは、図3にお
いて点ABNOJKLMの8点を順に線分で結ぶ同様に
囲まれた閉じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素子
のkh1とkh2で与えられる点が入るように、表面弾
性波素子を構成すればよい。
7)の範囲にある場合は、図4の2次元直交座標グラフ
において点ABCDEFGHIJKLMNの14点が与
えられ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域A−
B−C−D−E−F−G−H−I−J−K− L−M−
N−Aの線上を含む内部に、表面弾性波素子のkh1と
kh2で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を
構成すればよいことが見出された。更に好ましくは、図
4において点AOPKLMの7点を順に線分で結ぶ同様
に囲まれた閉じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素
子のkh1とkh2で与えられる点が入るように、表面
弾性波素子を構成すればよい。
3)の範囲にある場合は、図5の2次元直交座標グラフ
において点ABCDEFGHIJKLの12点が与えら
れ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域A−B−
C−D−E−F−G−H−I−J−K− L−Aの線上
を含む内部に、表面弾性波素子のkh1とkh2で与え
られる点が入るように、表面弾性波素子を構成すればよ
いことが見出された。更に好ましくは、図5において点
LMJKの4点を順に線分で結ぶ同様に囲まれた閉じた
領域の線上を含む内部に表面弾性波素子のkh1とkh
2で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を構成
すればよい。
上記の範囲にある場合に実現される表面弾性波素子の
V、TCF、K2 等の動作性能は、評価結果である図7
〜図23のグラフを参照すれば明らかであり、これら
は、前記の[課題を解決するための手段]で、それぞ
れ、タイプA、タイプB、タイプC、タイプD及びタイ
プFの層構造について述べた通りである。
弾性波素子50を実装したパッケージの一例を示す図で
ある。図27(a)は、蓋を開けた状態でのパッケージ
58の上面図であり、(b)は側面断面図、(c)は底
面図である。パッケージ58には、電極用パッド62a
〜fが具備されている。本発明の表面弾性波素子50
は、パッケージ58の底部の中央附近に載置されてい
る。表面弾性波素子50の櫛型電極52からの入出力の
ため、電極54a、54b、54c及び54dが配置さ
れている。電極54a、54b、54c及び54dから
は、ワイヤ56により電極用パッド62へと接続され
る。側面断面図である(b)に示されるように、蓋60
がパッケージ58に鑞付けされる。
表面弾性波素子は、例えば、光通信用フィルタ等として
の使用に供される。
子の温度安定性を更に高めることを目的として行った検
討について説明する。
されるタイプAの積層構造を有する表面弾性波素子を作
製したが、このとき、kh1及びkh2について実施例
1で得られた範囲を更に絞り込む検討を行うため、表面
弾性波素子もそのように作製した。得られた表面弾性波
素子について、実施例1と同様の方法で。TCFを評価
した。
櫛型電極の厚さtAについて定義される無次元厚さkh
3=2π(tA/λ)を、0.044,0.066,
0.099,0.132,0.198,0.264の6
種類を検討範囲とし、このそれぞれに対して、2次モー
ドの表面弾性波の波長λに対するZnOの厚さtZの無
次元厚さであるkh1=2π(tZ/λ)を、0.60
0,0.800,0.900,1.000,1.10
0,1.200,1.400の7種類とし、そのとき、
−20〜80℃のTCFの変化が500ppm以内とな
るよう、SiO2の厚さtSの無次元厚さであるkh2=
2π(tZ/λ)を求めた。
面弾性波素子についてのTCF測定結果の一部を例示す
るグラフであり、その内容とTCFの温度変動は、以下
に示す通りである: kh3 kh1 kh2 -20〜80℃の周波数変動幅 図29 0.099 0.8 0.758 100ppm; 図30 0.099 1.0 0.832 130ppm; 図31 0.099 1.2 0.930 100ppm; 図32 0.044 1.0 0.759 100ppm; 図33 0.066 1.0 0.789 200ppm; 図34 0.132 1.0 0.877 100ppm。
h1、kh2及びkh3の組み合わせでは、−20〜8
0℃の周波数変動幅は100〜200ppmと非常に小
さく良好な結果が得られた。ここに図示した以外の上記
のkh3とkh1の組み合わせに関しても同様に周波数
変動幅が100〜200ppmとなるようなkh2をそ
れぞれ得ることができた。
して得られたkh1とkh2の値を、図28に示す。
とるグラフであり、本実施例における検討の結果、上記
6種類のkh3に対して上記のような小さな周波数変動
幅を与えるように得られたkh1とkh2の組み合わせ
を示すグラフである。このグラフにおける各点の座標
(kh1,kh2)は、次の表1〜表6の通りである。
の値に毎に結んだ線(以下、「基本組み合わせ線」と称
する)にkh1とkh2があれば、非常に優れた温度安
定性を示すことになる。
500ppm以下)を得るためには、このように非常に
優れた温度安定性(100〜200ppm)を示す基本
組み合わせ線からどの程度までの変化が許容されるかの
検討を行った。図35〜図38は、kh3=0.06
6、kh1=1.0の場合において、−20〜80℃の
周波数変動幅が500ppmとなるようなkh2の範囲
を求めた実験の結果を表すグラフである。これらのグラ
フにおけるkh2と周波数変動幅を以下に示す。
らかなように、kh3=0.066、kh1=1.0の
場合は、図28の基本組み合わせ線上の点D2:kh2
=0.789(図33)から+/−10%増減した範囲
にkh2があれば、−20℃〜80℃の周波数変動幅が
500ppm以内と小さくすることができた。kh3=
0.066の他の基本組み合わせ線上の点A2、B2、
C2、E2、F2及びG2についても、同様の評価を行
った結果、これらの点からkh2が+/−10%増減し
た範囲にあれば、−20℃〜80℃の周波数変動幅が5
00ppm以内と小さくすることが確認された。
9,0.132,0.198,0.264についても、
これらに対応する基本組み合わせ線を構成する各点から
kh2が+/−10%増減した範囲にあれば、−20℃
〜80℃の周波数変動幅が500ppm以内と小さくす
ることが確認された。
対して、これらに相当する2つの基本組み合わせ線に対
してkh2を線形補完することにより、補完基本組み合
わせ線(A12−B12−C12−D12−E12−F
12−G12)を得ることができ、この補完基本組み合
わせ線を構成する各点からkh2が+/−10%増減し
た範囲にあれば、−20℃〜80℃の周波数変動幅が5
00ppm以内と小さくすることが確認された。
性を満たしつつ素子のサイズの小型化を図ることを目的
として、本発明の表面弾性波素子の積層構造と電極パタ
ーンとの組み合わせに着目した検討を行った。
部分を例示する平面図である。図39(a)に示される
ように、この電極部分は、入力櫛型電極100と、入力
櫛型電極100に対向する出力櫛型電極110とを備え
ている。入力櫛型電極100は、平行に配置される2本
のバスバー102と、一方のバスバー102から他方の
バスバー102の方へと伸びるフィンガ104とから構
成される。出力櫛型電極110も入力櫛型電極と同様
に、バスバー112と、フィンガ114とから構成され
る。出力櫛型電極110は、入力櫛型電極100により
励振された弾性波の伝播方向に配置される。一方のバス
バー102から伸びるフィンガ104は、他方のバスバ
ーから伸びるフィンガと交互に配置される。一方のバス
バーから伸びるフィンガと他方のバスバーから伸びるフ
ィンガの対の数を、櫛型電極の対数(ついすう)と称す
る。また、入力櫛型電極と出力櫛型電極の重なり合う長
さを交差幅という。フィンガの幅を線幅、フィンガの中
心間の距離を電極間距離という。入力櫛型電極により発
生する弾性波の波長λは、この電極間距離の2倍に等し
い。1つのフィンガの端と隣のフィンガの端との距離を
線間という。これらの定義は、図39(b)のフィンガ
の部分の拡大図に模式的に示される。なお、図39
(a)では、櫛型電極と反射器全てが弾性波の進行方向
に対して同じ幅を有するように図示されているが、これ
らの幅は、同じでなくともよい。
00と出力櫛型電極110を挟み込むように、それぞれ
両側に、反射器電極120及び130が配置される。櫛
型電極間で発生する弾性波が両反射器電極の間で多重反
射することにより、定在波が発生する。反射器電極12
0は、櫛型電極と異なり、フィンガ124が2つのバス
バー122をつないでいる。
層の厚さを以下の通りとした構造1〜構造4の積層構造
に対して、以下の12通りの電極パターンの、総計48
種の表面弾性波素子を作製し、これらの表面弾性波素子
の透過損失とQ値を調べた。
0.688μm(kh1=1.2) SiO2膜(アモルファス膜、スパッタリング法)厚さ
0.496μm(kh2=0.866) Al電極膜(多結晶膜、スパッタリング法)厚さ0.027
μm(kh3=0.044) 〔構造2〕 ダイヤモンド膜(多結晶膜、CVD法)厚さ30μm ZnO膜(c軸配向多結晶膜、スパッタリング法)厚さ
0.63μm(kh1=1.1) SiO2膜(アモルファス膜、スパッタリング法)厚さ
0.48μm(kh2=0.837) Al電極膜(多結晶膜、スパッタリング法)厚さ0.038
μm(kh3=0.066) 〔構造3〕 ダイヤモンド膜(多結晶膜、CVD法)厚さ30μm ZnO膜(c軸配向多結晶膜、スパッタリング法)厚さ
0.573μm(kh1=1.0) SiO2膜(アモルファス膜、スパッタリング法)厚さ
0.477μm(kh2=0.832) Al電極膜(多結晶膜、スパッタリング法)厚さ0.057
μm(kh3=0.099) 〔構造4〕 ダイヤモンド膜(多結晶膜、CVD法)厚さ30μm ZnO膜(c軸配向多結晶膜、スパッタリング法)厚さ
0.516μm(kh1=0.9) SiO2膜(アモルファス膜、スパッタリング法)厚さ
0.48μm(kh2=0.837) Al電極膜(多結晶膜、スパッタリング法)厚さ0.076
μm(kh3=0.132) 電極パターン 〔電極1〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=20対(合
計40対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=15λ 電極間距離=3.5μm 〔電極2〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=25対(合
計50対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=15λ 電極間距離=3.5μm 〔電極3〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=30対(合
計60対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=15λ 電極間距離=3.5μm 〔電極4〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=40対(合
計80対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=15λ 電極間距離=3.5μm 〔電極5〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=45対(合
計90対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=15λ 電極間距離=3.5μm 〔電極6〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=50対(合
計100対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=15λ 電極間距離=3.5μm 〔電極7〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=30対(合
計60対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=5λ 電極間距離=3.5μm 〔電極8〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=30対(合
計60対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=10λ 電極間距離=3.5μm 〔電極9〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=30対(合
計60対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=30λ 電極間距離=3.5μm 〔電極10〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=30対(合
計60対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=40λ 電極間距離=3.5μm 〔電極11〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=30対(合
計60対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=50λ 電極間距離=3.5μm 〔電極12〕 電極線幅=線間=0.9μm(λ=3.6μm) 櫛型電極フィンガ対数(入力側=出力側)=30対(合
計60対) 反射器フィンガ本数=入力側、出力側それぞれ20本
(合計40本) 交差幅=60λ 電極間距離=3.5μm。
素子の透過損失とQ値の結果を、表7〜表20に示す。
入出力電極間の透過電力の周波数依存性(いわゆるS2
1特性)をネットワークアナライザで測定し、2.4〜
2.6GHz付近に現れた2次モードのピークに関し
て、そのピークの最小挿入損失を測定し、これを透過損
失とした。
失となる周波数(=中心周波数f0)と、最小挿入損失
から3dBだけ損失が大きくなる周波数(低周波側の周
波数をfL、高周波側の周波数をfUとする)を求めて
3dBダウンの帯域幅(fU−fL)を計算し、ピーク
の鋭さの指標であるQ値をQ=f0/(fU−fL)と
して求めた。
子を、狭帯域フィルタや共振器として応用しようとする
場合、Q値は600以上が必要である。また、透過損失
が10dB未満になれば、従来知られている表面弾性波
素子よりも低いために有意義である。
対数が25より小さくなる(電極パターン1)と、Q値
が600よりも小さくなることがわかった。また、対数
が50を超える(電極パターン6)と、透過損失が10
dBを超えてしまうことがわかった。
小さくなる(電極パターン7)と、透過損失が10dB
を超えることが見出された。また、交差幅が50λを超
える(電極パターン12)と、Q値が600よりも小さ
くなることも見出された。
はレベルが高いことが望まれるが、上記の素子において
は、従来の水晶素子におけるレベルや、上からSiO2
/IDT/ZnO/ダイヤモンドの順の積層構造を有す
る素子のレベルよりも小さくすることができた。
/IDT/ZnO/ダイヤモンドの順の積層構造を有す
る素子では、素子をパッケージングした際の3GHzに
おける透過電力抑圧は−40dBまでであるが、本実施
例に係る素子では、−45dBを達成することができ
た。
は9000m/sという高い伝播速度を活用できてい
る。また、線幅が0.9μmという太い線幅にもかかわ
らず、2.5GHzの中心周波数を実現することができ
た。即ち、太い線幅の構成を採用して歩留まりを高くし
つつも、高い中心周波数を得ることが可能になった。ち
なみに、水晶では、2.5GHzの中心周波数を実現す
るためには、線幅を0.5μm以下にしなければなら
ず、この線幅で加工するためには、高度な微細加工が必
要となる。
しても、−20〜80℃の周波数温度変動幅が100〜
200ppmと非常に小さく抑えることができた。
明の表面弾性波素子は、ダイヤモンド上にZnO層が形
成された構造を有する表面弾性波素子において、良好な
伝播速度V、電気機械結合係数K2 、周波数温度特性T
CFを実現し、且つ、良好な伝搬損失をも実現すること
により、高周波領域で優れた動作特性を有する表面弾性
波素子を提供する。
れば、上記のように高周波領域で優れた動作特性を有す
る表面弾性波素子を、容易に製造することが可能とな
る。
むことにより、−20〜80℃の範囲において非常に優
れた温度安定性を有する表面弾性波素子を提供すること
ができ、更に、この積層構造に対して特定の電極パター
ンを与えることにより、諸特性を低下させずに、素子自
体の小型化を実現することが可能となる。
座標グラフであって、0.033≦kh3≦0.099
の場合の最適なkh1及びkh2を与える、領域ABC
DEFGHIJKLA及び領域ABIJKLAを示す。
座標グラフであって、0.099≦kh3≦0.165
の場合の最適なkh1及びkh2を与える、領域ABC
DEFGHIJKLMA及び領域ABCNJKLMAを
示す。
座標グラフであって、0.165≦kh3≦0.231
の場合の最適なkh1及びkh2を与える、領域ABC
DEFGHIJKLMA及び領域ABNOJKLMAを
示す。
座標グラフであって、0.231≦kh3≦0.297
の場合の最適なkh1及びkh2を与える、領域ABC
DEFGHIJKLMNA及び領域AOPKLMNAを
示す。
座標グラフであって、0.297≦kh3≦0.363
の場合の最適なkh1及びkh2を与える、領域ABC
DEFGHIJKLA及び領域LMJKLを示す。
プAを、(b)はタイプBを、(c)はタイプCを、
(d)はタイプDを、(e)はタイプEを、(f)はタ
イプFを、(g)はタイプGを、それぞれ表す。
素子の電気機械結合係数K2 に対するkh1、kh2の
関係を表すグラフである。
素子の電気機械結合係数K2 に対するkh1、kh2の
関係を表すグラフである。
素子の電気機械結合係数K2 に対するkh1、kh2の
関係を表すグラフである。
波素子の電気機械結合係数K2 に対するkh1、kh2
の関係を表すグラフである。
波素子の電気機械結合係数K2 に対するkh1、kh2
の関係を表すグラフである。
波素子の電気機械結合係数K2 に対するkh1、kh2
の関係を表すグラフである。
波素子の電気機械結合係数K2 に対するkh1、kh2
の関係を表すグラフである。
0.066の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の伝
播速度Vに対するkh1、kh2の関係を表すグラフで
ある。
0.132の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の伝
播速度Vに対するkh1、kh2の関係を表すグラフで
ある。
0.198の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の伝
播速度Vに対するkh1、kh2の関係を表すグラフで
ある。
0.264の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の伝
播速度Vに対するkh1、kh2の関係を表すグラフで
ある。
0.330の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の伝
播速度Vに対するkh1、kh2の関係を表すグラフで
ある。
0.066の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の周
波数温度特性TCFに対するkh1、kh2の関係を表
すグラフである。
0.132の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の周
波数温度特性TCFに対するkh1、kh2の関係を表
すグラフである。
0.198の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の周
波数温度特性TCFに対するkh1、kh2の関係を表
すグラフである。
0.264の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の周
波数温度特性TCFに対するkh1、kh2の関係を表
すグラフである。
0.330の場合のタイプA〜Gの表面弾性波素子の周
波数温度特性TCFに対するkh1、kh2の関係を表
すグラフである。
化されたkh1(kh of ZnO)とkh2(kh
of SiO2 )を現すグラフであり、領域A'B'C'
D'E'F'G'H'I'J'K'L'M'N'O'P'Q'R'A'及
び領域A'B'C'D'S'T'M'N'O'P'Q'R'A'が示
されるグラフである。
化されたkh1(kh of ZnO)とkh2(kh
of SiO2 )の領域abcdefghijk lmn
opqra及び領域abcdstmnopqraを示す
グラフである。
電極の例を、(b)はダブル電極の例をそれぞれ示す。
様子を示す図であり、(a)は上面図で蓋を取り去った
様子を示し、(b)は側面断面図、(c)は底面図あ
る。
線を示すグラフである。
2=0.758の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
2=0.832の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
2=0.930の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
2=0.759の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
2=0.789の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
2=0.877の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
2=0.710の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
2=0.750の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
2=0.828の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
2=0.868の場合のTCFの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
り、(b)はフィンガ部分の拡大図である。
0g…表面弾性波素子、12…ダイヤモンド層、14…
ZnO層、16…SiO2 層、20…櫛型電極、22…
短絡用電極、50…表面弾性波素子、52…櫛型電極、
54…電極、56…ワイヤ、58…パッケージ、60…
蓋、62…電極用パッド、100…入力櫛型電極、10
2…バスバー、104…フィンガ、110…出力櫛型電
極、112…バスバー、114…フィンガ、120,1
30…反射器。
Claims (66)
- 【請求項1】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.033≦kh3≦0.099 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=0.87)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.54,kh2=0.87)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.60,kh2=0.87)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.81,kh2=0.97)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.16,kh2=1.20)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.52,kh2=0.93)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.69,kh2=0.77)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.31,kh2=0.59)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.04,kh2=0.50)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.68,kh2=0.40)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.63,kh2=0.33)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.63)で与えら
れる点Lと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの前記12本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。 - 【請求項2】 前記kh1及び前記kh2が、前記2次
元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点Bと、
前記点Iと、前記点Jと、前記点Kと、前記点Lと、前
記点Aとを順に線分で結ぶ、6本の線分から成る領域A
BIJKLAの前記6本の線分の線上を含む内部に与え
られることを特徴とする、請求項1に記載の表面弾性波
素子。 - 【請求項3】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.099≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=0.98)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.40,kh2=0.95)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.45,kh2=0.96)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.00)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.04,kh2=1.25)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.53,kh2=0.89)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.60,kh2=0.80)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.22,kh2=0.63)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.00,kh2=0.59)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.89,kh2=0.57)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.52)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.45)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項4】 前記kh1及び前記kh2が、前記2次
元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点Bと、
前記点Cと、座標(kh1=0.62,kh2=0.7
7)で与えられる点Nと、前記点Jと、前記点Kと、前
記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で結ぶ、
8本の線分から成る領域ABCNJKLMAの前記8本
の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る、請求項3に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項5】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.165≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.07)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.36,kh2=1.07)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.43,kh2=1.07)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.90,kh2=1.37)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.05,kh2=1.20)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.52,kh2=0.85)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.34,kh2=0.79)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.05,kh2=0.72)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.85,kh2=0.68)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.71,kh2=0.68)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.68)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.42,kh2=0.55)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項6】 前記kh1及び前記kh2が、前記2次
元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点Bと、
座標(kh1=0.43,kh2=0.95)で与えら
れる点Nと、座標(kh1=0.61,kh2=0.7
5)で与えられる点Oと、前記点Jと、前記点Kと、前
記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で結ぶ、
8本の線分から成る領域ABNOJKLMAの前記8本
の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る、請求項5に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項7】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.231≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.15)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.38,kh2=1.20)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.46,kh2=1.32)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.52)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.73,kh2=1.60)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=0.81,kh2=1.44)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.20)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.40,kh2=0.91)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.14,kh2=0.83)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.83,kh2=0.76)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.60,kh2=0.73)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.35,kh2=0.73)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.63)で与えら
れる点Mと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Nと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、14本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMNAの前記14本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。 - 【請求項8】 前記kh1及び前記kh2が、前記2次
元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、座標(kh1
=0.36,kh2=1.00)で与えられる点Oと、
座標(kh1=0.48,kh2=0.83)で与えら
れる点Pと、前記点Kと、前記点Lと、前記点Mと、前
記点Nと、前記点Aとを順に線分で結ぶ、7本の線分か
ら成る領域AOPKLMNAの前記7本の線分の線上を
含む内部に与えられることを特徴とする、請求項7に記
載の表面弾性波素子。 - 【請求項9】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.297≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.29)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.33,kh2=1.36)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.40,kh2=1.60)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.71,kh2=1.60)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.82,kh2=1.41)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.22)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.27,kh2=0.97)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.03,kh2=0.89)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.68,kh2=0.78)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.52,kh2=0.77)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.76)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.30,kh2=1.09)で与えら
れる点Lと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの前記12本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。 - 【請求項10】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Lと、座標(kh
1=0.37,kh2=0.94)で与えられる点M
と、前記点Jと、前記点Kと、前記点Lとを順に線分で
結ぶ、4本の線分から成る領域LMJKLの前記4本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項9に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項11】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
極と、 (iii)厚さtZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (v)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Zn
O層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性波
素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.099≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=0.98)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.40,kh2=0.95)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.45,kh2=0.96)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.00)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.04,kh2=1.25)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.53,kh2=0.89)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.60,kh2=0.80)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.22,kh2=0.63)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.00,kh2=0.59)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.89,kh2=0.57)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.52)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.45)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項12】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点B
と、前記点Cと、座標(kh1=0.62,kh2=
0.77)で与えられる点Nと、前記点Jと、前記点K
と、前記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で
結ぶ、8本の線分から成る領域ABCNJKLMAの前
記8本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項11に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項13】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
極と、 (iii)厚さtZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (v)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Zn
O層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性波
素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.165≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.07)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.36,kh2=1.07)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.43,kh2=1.07)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.90,kh2=1.37)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.05,kh2=1.20)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.52,kh2=0.85)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.34,kh2=0.79)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.05,kh2=0.72)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.85,kh2=0.68)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.71,kh2=0.68)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.68)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.42,kh2=0.55)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項14】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点B
と、座標(kh1=0.43,kh2=0.95)で与
えられる点Nと、座標(kh1=0.61,kh2=
0.75)で与えられる点Oと、前記点Jと、前記点K
と、前記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で
結ぶ、8本の線分から成る領域ABNOJKLMAの前
記8本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項13に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項15】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
極と、 (iii)厚さtZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (v)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Zn
O層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性波
素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.231≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.15)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.38,kh2=1.20)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.46,kh2=1.32)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.52)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.73,kh2=1.60)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=0.81,kh2=1.44)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.20)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.40,kh2=0.91)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.14,kh2=0.83)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.83,kh2=0.76)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.60,kh2=0.73)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.35,kh2=0.73)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.63)で与えら
れる点Mと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Nと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、14本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMNAの前記14本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。 - 【請求項16】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、座標(kh
1=0.36,kh2=1.00)で与えられる点O
と、座標(kh1=0.48,kh2=0.83)で与
えられる点Pと、前記点Kと、前記点Lと、前記点M
と、前記点Nと、前記点Aとを順に線分で結ぶ、7本の
線分から成る領域AOPKLMNAの前記7本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
15に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項17】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
極と、 (iii)厚さtZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (v)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Zn
O層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性波
素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.297≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.29)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.33,kh2=1.36)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.40,kh2=1.60)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.71,kh2=1.60)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.82,kh2=1.41)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.22)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.27,kh2=0.97)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.03,kh2=0.89)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.68,kh2=0.78)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.52,kh2=0.77)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.76)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.30,kh2=1.09)で与えら
れる点Lと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの前記12本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。 - 【請求項18】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Lと、座標(kh
1=0.37,kh2=0.94)で与えられる点M
と、前記点Jと、前記点Kと、前記点Lとを順に線分で
結ぶ、4本の線分から成る領域LMJKLの前記4本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項17に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項19】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層と、 (v)前記SiO2 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.033≦kh3≦0.099 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=0.87)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.54,kh2=0.87)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.60,kh2=0.87)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.81,kh2=0.97)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.16,kh2=1.20)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.52,kh2=0.93)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.69,kh2=0.77)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.31,kh2=0.59)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.04,kh2=0.50)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.68,kh2=0.40)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.63,kh2=0.33)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.63)で与えら
れる点Lと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの前記12本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。 - 【請求項20】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点B
と、前記点Iと、前記点Jと、前記点Kと、前記点L
と、前記点Aとを順に線分で結ぶ、6本の線分から成る
領域ABIJKLAの前記6本の線分の線上を含む内部
に与えられることを特徴とする、請求項19に記載の表
面弾性波素子。 - 【請求項21】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層と、 (v)前記SiO2 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.099≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=0.98)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.40,kh2=0.95)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.45,kh2=0.96)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.00)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.04,kh2=1.25)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.53,kh2=0.89)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.60,kh2=0.80)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.22,kh2=0.63)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.00,kh2=0.59)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.89,kh2=0.57)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.52)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.45)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項22】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点B
と、前記点Cと、座標(kh1=0.62,kh2=
0.77)で与えられる点Nと、前記点Jと、前記点K
と、前記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で
結ぶ、8本の線分から成る領域ABCNJKLMAの前
記8本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項21に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項23】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層と、 (v)前記SiO2 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.165≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.07)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.36,kh2=1.07)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.43,kh2=1.07)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.90,kh2=1.37)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.05,kh2=1.20)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.52,kh2=0.85)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.34,kh2=0.79)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.05,kh2=0.72)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.85,kh2=0.68)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.71,kh2=0.68)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.68)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.42,kh2=0.55)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項24】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点B
と、座標(kh1=0.43,kh2=0.95)で与
えられる点Nと、座標(kh1=0.61,kh2=
0.75)で与えられる点Oと、前記点Jと、前記点K
と、前記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で
結ぶ、8本の線分から成る領域ABNOJKLMAの前
記8本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項23に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項25】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層と、 (v)前記SiO2 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.231≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.15)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.38,kh2=1.20)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.46,kh2=1.32)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.52)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.73,kh2=1.60)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=0.81,kh2=1.44)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.20)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.40,kh2=0.91)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.14,kh2=0.83)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.83,kh2=0.76)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.60,kh2=0.73)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.35,kh2=0.73)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.63)で与えら
れる点Mと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Nと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、14本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMNAの前記14本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。 - 【請求項26】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、座標(kh
1=0.36,kh2=1.00)で与えられる点O
と、座標(kh1=0.48,kh2=0.83)で与
えられる点Pと、前記点Kと、前記点Lと、前記点M
と、前記点Nと、前記点Aとを順に線分で結ぶ、7本の
線分から成る領域AOPKLMNAの前記7本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
25に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項27】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層と、 (v)前記SiO2 層の上に配置される短絡用電極とを
備える表面弾性波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.297≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.29)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.33,kh2=1.36)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.40,kh2=1.60)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.71,kh2=1.60)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.82,kh2=1.41)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.22)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.27,kh2=0.97)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.03,kh2=0.89)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.68,kh2=0.78)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.52,kh2=0.77)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.76)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.30,kh2=1.09)で与えら
れる点Lと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの前記12本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。 - 【請求項28】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Lと、座標(kh
1=0.37,kh2=0.94)で与えられる点M
と、前記点Jと、前記点Kと、前記点Lとを順に線分で
結ぶ、4本の線分から成る領域LMJKLの前記4本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項27に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項29】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)前記ダイヤモンド層の上に配置される第1の短
絡用電極と、 (iii)厚さtZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (v)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Zn
O層の上に配置されるSiO2 層と、 (vi)前記SiO2 層の上に配置される第2の短絡用
電極とを備える表面弾性波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.099≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=0.98)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.40,kh2=0.95)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.45,kh2=0.96)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.00)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.04,kh2=1.25)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.53,kh2=0.89)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.60,kh2=0.80)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.22,kh2=0.63)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.00,kh2=0.59)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.89,kh2=0.57)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.52)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.45)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項30】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点B
と、前記点Cと、座標(kh1=0.62,kh2=
0.77)で与えられる点Nと、前記点Jと、前記点K
と、前記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で
結ぶ、8本の線分から成る領域ABCNJKLMAの前
記8本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項29に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項31】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)前記ダイヤモンド層の上に配置される第1の短
絡用電極と、 (iii)厚さtZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (v)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Zn
O層の上に配置されるSiO2 層と、 (vi)前記SiO2 層の上に配置される第2の短絡用
電極とを備える表面弾性波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.165≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.07)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.36,kh2=1.07)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.43,kh2=1.07)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.90,kh2=1.37)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.05,kh2=1.20)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.52,kh2=0.85)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.34,kh2=0.79)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.05,kh2=0.72)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.85,kh2=0.68)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.71,kh2=0.68)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.68)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.42,kh2=0.55)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項32】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点B
と、座標(kh1=0.43,kh2=0.95)で与
えられる点Nと、座標(kh1=0.61,kh2=
0.75)で与えられる点Oと、前記点Jと、前記点K
と、前記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で
結ぶ、8本の線分から成る領域ABNOJKLMAの前
記8本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項31に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項33】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)前記ダイヤモンド層の上に配置される第1の短
絡用電極と、 (iii)厚さtZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (v)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Zn
O層の上に配置されるSiO2 層と、 (vi)前記SiO2 層の上に配置される第2の短絡用
電極とを備える表面弾性波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.231≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.15)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.38,kh2=1.20)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.46,kh2=1.32)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.52)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.73,kh2=1.60)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=0.81,kh2=1.44)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.20)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.40,kh2=0.91)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.14,kh2=0.83)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.83,kh2=0.76)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.60,kh2=0.73)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.35,kh2=0.73)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.63)で与えら
れる点Mと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Nと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、14本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMNAの前記14本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。 - 【請求項34】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、座標(kh
1=0.36,kh2=1.00)で与えられる点O
と、座標(kh1=0.48,kh2=0.83)で与
えられる点Pと、前記点Kと、前記点Lと、前記点M
と、前記点Nと、前記点Aとを順に線分で結ぶ、7本の
線分から成る領域AOPKLMNAの前記7本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
33に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項35】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)前記ダイヤモンド層の上に配置される第1の短
絡用電極と、 (iii)厚さtZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
記ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置され
る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (v)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Zn
O層の上に配置されるSiO2 層と、 (vi)前記SiO2 層の上に配置される第2の短絡用
電極とを備える表面弾性波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.297≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.29)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.33,kh2=1.36)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.40,kh2=1.60)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.71,kh2=1.60)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.82,kh2=1.41)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.22)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.27,kh2=0.97)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.03,kh2=0.89)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.68,kh2=0.78)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.52,kh2=0.77)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.76)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.30,kh2=1.09)で与えら
れる点Lと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの前記12本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。 - 【請求項36】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Lと、座標(kh
1=0.37,kh2=0.94)で与えられる点M
と、前記点Jと、前記点Kと、前記点Lとを順に線分で
結ぶ、4本の線分から成る領域LMJKLの前記4本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項35に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項37】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtA を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
と、 (iii)厚さtZ を有し、前記櫛型電極を覆って前記
ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)前記ZnO層の上に配置される短絡用電極と、 (v)厚さtS を有し、前記短絡用電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.099≦kh3≦0.165 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=0.98)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.40,kh2=0.95)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.45,kh2=0.96)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.00)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.04,kh2=1.25)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.53,kh2=0.89)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.60,kh2=0.80)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.22,kh2=0.63)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.00,kh2=0.59)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.89,kh2=0.57)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.52)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.45)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項38】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点B
と、前記点Cと、座標(kh1=0.62,kh2=
0.77)で与えられる点Nと、前記点Jと、前記点K
と、前記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で
結ぶ、8本の線分から成る領域ABCNJKLMAの前
記8本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項37に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項39】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtA を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
と、 (iii)厚さtZ を有し、前記櫛型電極を覆って前記
ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)前記ZnO層の上に配置される短絡用電極と、 (v)厚さtS を有し、前記短絡用電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.165≦kh3≦0.231 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.07)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.36,kh2=1.07)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.43,kh2=1.07)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.90,kh2=1.37)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.05,kh2=1.20)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.52,kh2=0.85)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.34,kh2=0.79)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.05,kh2=0.72)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.85,kh2=0.68)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.71,kh2=0.68)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.68)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.42,kh2=0.55)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
波素子。 - 【請求項40】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、前記点B
と、座標(kh1=0.43,kh2=0.95)で与
えられる点Nと、座標(kh1=0.61,kh2=
0.75)で与えられる点Oと、前記点Jと、前記点K
と、前記点Lと、前記点Mと、前記点Aとを順に線分で
結ぶ、8本の線分から成る領域ABNOJKLMAの前
記8本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする、請求項39に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項41】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtA を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
と、 (iii)厚さtZ を有し、前記櫛型電極を覆って前記
ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)前記ZnO層の上に配置される短絡用電極と、 (v)厚さtS を有し、前記短絡用電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.231≦kh3≦0.297 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.15)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.38,kh2=1.20)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.46,kh2=1.32)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.52)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.73,kh2=1.60)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=0.81,kh2=1.44)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.20)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.40,kh2=0.91)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.14,kh2=0.83)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.83,kh2=0.76)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.60,kh2=0.73)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.35,kh2=0.73)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.63)で与えら
れる点Mと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Nと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、14本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMNAの前記14本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
性波素子。 - 【請求項42】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Aと、座標(kh
1=0.36,kh2=1.00)で与えられる点O
と、座標(kh1=0.48,kh2=0.83)で与
えられる点Pと、前記点Kと、前記点Lと、前記点M
と、前記点Nと、前記点Aとを順に線分で結ぶ、7本の
線分から成る領域AOPKLMNAの前記7本の線分の
線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
41に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項43】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtA を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
と、 (iii)厚さtZ を有し、前記櫛型電極を覆って前記
ダイヤモンド層の上に配置されるZnO層と、 (iv)前記ZnO層の上に配置される短絡用電極と、 (v)厚さtS を有し、前記短絡用電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.297≦kh3≦0.363 の範囲にあり、且
つ、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.29)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.33,kh2=1.36)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.40,kh2=1.60)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.71,kh2=1.60)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.82,kh2=1.41)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.22)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.27,kh2=0.97)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.03,kh2=0.89)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.68,kh2=0.78)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.52,kh2=0.77)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.76)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.30,kh2=1.09)で与えら
れる点Lと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの前記12本の線分の線
上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
素子。 - 【請求項44】 前記kh1及び前記kh2が、前記2
次元直交座標グラフにおいて、前記点Lと、座標(kh
1=0.37,kh2=0.94)で与えられる点M
と、前記点Jと、前記点Kと、前記点Lとを順に線分で
結ぶ、4本の線分から成る領域LMJKLの前記4本の
線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
請求項43に記載の表面弾性波素子。 - 【請求項45】(1)ダイヤモンド層の上に、厚さtZ
となるようにZnO層を形成するステップと、 (2)前記ZnO層の上に、厚さtA となるように櫛型
電極を形成するステップと、 (3)前記櫛型電極を覆って前記ZnO層の上に、厚さ
tS となるようにSiO2 層を形成するステップと、 を有する表面弾性波素子の製造方法であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=0.87)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.54,kh2=0.87)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.60,kh2=0.87)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.81,kh2=0.97)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.16,kh2=1.20)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.52,kh2=0.93)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.69,kh2=0.77)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.31,kh2=0.59)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.04,kh2=0.50)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.68,kh2=0.40)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.63,kh2=0.33)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.63)で与えら
れる点Lと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの前記12本の線分の線
上を含む内部に与えられるように前記tZ 及び前記tS
を選択し、且つ、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.033≦kh3≦0.099 の範囲となるように
前記tA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。 - 【請求項46】(1)ダイヤモンド層の上に、短絡用電
極を形成するステップと、 (2)前記短絡用電極を覆って前記ダイヤモンド層の上
に、厚さtZ となるようにZnO層を形成するステップ
と、 (3)前記ZnO層の上に、厚さtA となるように櫛型
電極を形成するステップと、 (v)前記櫛型電極を覆って前記ZnO層の上に、厚さ
tS となるようにSiO2 層を形成するステップとを有
する表面弾性波素子の製造方法であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=0.98)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.40,kh2=0.95)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.45,kh2=0.96)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.00)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.04,kh2=1.25)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.53,kh2=0.89)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.60,kh2=0.80)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.22,kh2=0.63)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.00,kh2=0.59)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.89,kh2=0.57)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.52)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.53,kh2=0.45)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられるように前記tZ 及び前記t
S を選択し、且つ、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.099≦kh3≦0.165 の範囲となるように
前記tA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。 - 【請求項47】(1)ダイヤモンド層の上に、厚さtZ
となるようにZnO層を形成するステップと、 (2)前記ZnO層の上に、厚さtA となるように櫛型
電極を形成するステップと、 (3)前記櫛型電極を覆って前記ZnO層の上に、厚さ
tS となるようにSiO2層を形成するステップと、 (4)前記SiO2 層の上に短絡用電極を形成するステ
ップとを有する表面弾性波素子の製造方法であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.07)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.36,kh2=1.07)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.43,kh2=1.07)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.90,kh2=1.37)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=1.05,kh2=1.20)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.52,kh2=0.85)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.34,kh2=0.79)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.05,kh2=0.72)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.85,kh2=0.68)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.71,kh2=0.68)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.68)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.42,kh2=0.55)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Mと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、13本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMAの前記13本の線分の
線上を含む内部に与えられるように前記tZ 及び前記t
S を選択し、且つ、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.165≦kh3≦0.231 の範囲となるように
前記tA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。 - 【請求項48】(1)ダイヤモンド層の上に、第1の短
絡用電極を形成するステップと、 (2)前記短絡用電極を覆って前記ダイヤモンド層の上
に、厚さtZ となるようにZnO層を形成するステップ
と、 (3)前記ZnO層の上に、厚さtA となるように櫛型
電極を形成するステップと、 (4)前記櫛型電極を覆って前記ZnO層の上に、厚さ
tS となるようにSiO2 層を形成するステップと、 (5)前記SiO2 層の上に、第2の短絡用電極を形成
するステップとを有する表面弾性波素子の製造方法であ
って、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.15)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.38,kh2=1.20)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.46,kh2=1.32)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.60,kh2=1.52)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.73,kh2=1.60)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=0.81,kh2=1.44)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.20)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.40,kh2=0.91)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=1.14,kh2=0.83)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.83,kh2=0.76)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.60,kh2=0.73)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.35,kh2=0.73)で与えら
れる点Lと、 座標(kh1=0.38,kh2=0.63)で与えら
れる点Mと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.65)で与えら
れる点Nと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、14本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLMNAの前記14本の線分
の線上を含む内部に与えられるように前記tZ 及び前記
tSを選択し、且つ、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.231≦kh3≦0.297 の範囲となるように
前記tA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。 - 【請求項49】(1)ダイヤモンド層の上に、厚さtA
となるように櫛型電極を形成するステップと、 (2)前記櫛型電極を覆って前記ダイヤモンド層の上
に、厚さtZとなるようにZnO層を形成するステップ
と、 (3)前記ZnO層の上に短絡用電極を形成するステッ
プと、 (4)前記短絡用電極を覆って前記ZnO層の上に、厚
さtS となるようにSiO2 層を形成するステップとを
有する表面弾性波素子の製造方法であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.30,kh2=1.29)で与えら
れる点Aと、 座標(kh1=0.33,kh2=1.36)で与えら
れる点Bと、 座標(kh1=0.40,kh2=1.60)で与えら
れる点Cと、 座標(kh1=0.71,kh2=1.60)で与えら
れる点Dと、 座標(kh1=0.82,kh2=1.41)で与えら
れる点Eと、 座標(kh1=1.00,kh2=1.22)で与えら
れる点Fと、 座標(kh1=1.27,kh2=0.97)で与えら
れる点Gと、 座標(kh1=1.03,kh2=0.89)で与えら
れる点Hと、 座標(kh1=0.68,kh2=0.78)で与えら
れる点Iと、 座標(kh1=0.52,kh2=0.77)で与えら
れる点Jと、 座標(kh1=0.30,kh2=0.76)で与えら
れる点Kと、 座標(kh1=0.30,kh2=1.09)で与えら
れる点Lと、 前記点Aとを順に線分で結ぶ、12本の線分から成る領
域ABCDEFGHIJKLAの前記12本の線分の線
上を含む内部に与えられるように前記tZ 及び前記tS
を選択し、且つ、 kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.297≦kh3≦0.363 の範囲となるように
前記tA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
製造方法。 - 【請求項50】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 kh3=0.044であり、且つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.645)で与
えられる点A1と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.684)で与
えられる点B1と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.718)で与
えられる点C1と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.759)で与
えられる点D1と、 座標(kh1=1.100,kh2=0.809)で与
えられる点E1と、 座標(kh1=1.200,kh2=0.866)で与
えられる点F1と、 座標(kh1=1.400,kh2=0.987)で与
えられる点G1と、 を順に線分で結ぶ7本の線分から成る基本組み合わせ線
(A1-B1-C1-D1-E1-F1-G1)に対してkh
2を +/− 10%で増減してなる範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項51】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 kh3=0.066であり、且つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.671)で与
えられる点A2と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.713)で与
えられる点B2と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.747)で与
えられる点C2と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.789)で与
えられる点D2と、 座標(kh1=1.100,kh2=0.837)で与
えられる点E2と、 座標(kh1=1.200,kh2=0.891)で与
えられる点F2と、 座標(kh1=1.400,kh2=1.011)で与
えられる点G2と、 を順に線分で結ぶ7本の線分から成る基本組み合わせ線
(A2-B2-C2-D2-E2-F2-G2)に対してkh
2を +/− 10%で増減してなる範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項52】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 kh3=0.099であり、且つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.713)で与
えられる点A3と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.758)で与
えられる点B3と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.790)で与
えられる点C3と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.832)で与
えられる点D3と、 座標(kh1=1.100,kh2=0.879)で与
えられる点E3と、 座標(kh1=1.200,kh2=0.930)で与
えられる点F3と、 座標(kh1=1.400,kh2=1.046)で与
えられる点G3と、 を順に線分で結ぶ7本の線分から成る基本組み合わせ線
(A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3)に対してkh
2を +/− 10%で増減してなる範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項53】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 kh3=0.132であり、且つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.755)で与
えられる点A4と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.803)で与
えられる点B4と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.837)で与
えられる点C4と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.877)で与
えられる点D4と、 座標(kh1=1.100,kh2=0.922)で与
えられる点E4と、 座標(kh1=1.200,kh2=0.972)で与
えられる点F4と、 座標(kh1=1.400,kh2=1.083)で与
えられる点G4と、 を順に線分で結ぶ7本の線分から成る基本組み合わせ線
(A4-B4-C4-D4-E4-F4-G4)に対してkh
2を +/− 10%で増減してなる範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項54】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 kh3=0.198であり、且つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.837)で与
えられる点A5と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.897)で与
えられる点B5と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.933)で与
えられる点C5と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.973)で与
えられる点D5と、 座標(kh1=1.100,kh2=1.017)で与
えられる点E5と、 座標(kh1=1.200,kh2=1.063)で与
えられる点F5と、 座標(kh1=1.400,kh2=1.167)で与
えられる点G5と、 を順に線分で結ぶ7本の線分から成る基本組み合わせ線
(A5-B5-C5-D5-E5-F5-G5)に対してkh
2を +/− 10%で増減してなる範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項55】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 kh3=0.264であり、且つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.914)で与
えられる点A6と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.989)で与
えられる点B6と、 座標(kh1=0.900,kh2=1.029)で与
えられる点C6と、 座標(kh1=1.000,kh2=1.069)で与
えられる点D6と、 座標(kh1=1.100,kh2=1.111)で与
えられる点E6と、 座標(kh1=1.200,kh2=1.156)で与
えられる点F6と、 座標(kh1=1.400,kh2=1.257)で与
えられる点G6と、 を順に線分で結ぶ7本の線分から成る基本組み合わせ線
(A6-B6-C6-D6-E6-F6-G6)に対してkh
2を +/− 10%で増減してなる範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子。 - 【請求項56】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.044≦kh3≦0.066 の範囲にあり、且
つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.645)で与
えられる点A1と座標(kh1=0.600,kh2=
0.671)で与えられる点A2との間をkh3の値に
ついて線形補完した点A12と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.684)で与
えられる点B1と座標(kh1=0.800,kh2=
0.713)で与えられる点B2との間をkh3の値に
ついて線形補完した点B12と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.718)で与
えられる点C1と座標(kh1=0.900,kh2=
0.747)で与えられる点C2との間をkh3の値に
ついて線形補完した点C12と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.759)で与
えられる点D1と座標(kh1=1.000,kh2=
0.789)で与えられる点D2との間をkh3の値に
ついて線形補完した点D12と、 座標(kh1=1.100,kh2=0.809)で与
えられる点E1と座標(kh1=1.100,kh2=
0.837)で与えられる点E2との間をkh3の値に
ついて線形補完した点E12と、 座標(kh1=1.200,kh2=0.866)で与
えられる点F1と座標(kh1=1.200,kh2=
0.891)で与えられる点F2との間をkh3の値に
ついて線形補完した点F12と、 座標(kh1=1.400,kh2=0.987)で与
えられる点G1と座標(kh1=1.400,kh2=
1.011)で与えられる点G2との間をkh3の値に
ついて線形補完した点G12とを順に線分で結ぶ7本の
線分から成る補完基本組み合わせ線(A12-B12-C
12-D12-E12-F12-G12)に対してkh2を
+/− 10%で増減してなる範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。 - 【請求項57】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.066≦kh3≦0.099 の範囲にあり、且
つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.671)で与
えられる点A2と座標(kh1=0.600,kh2=
0.713)で与えられる点A3との間をkh3の値に
ついて線形補完した点A23と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.713)で与
えられる点B2と座標(kh1=0.800,kh2=
0.758)で与えられる点B3との間をkh3の値に
ついて線形補完した点B23と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.747)で与
えられる点C2と座標(kh1=0.900,kh2=
0.790)で与えられる点C3との間をkh3の値に
ついて線形補完した点B23と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.789)で与
えられる点D2と座標(kh1=1.000,kh2=
0.832)で与えられる点D3との間をkh3の値に
ついて線形補完した点D23と、 座標(kh1=1.100,kh2=0.837)で与
えられる点E2と座標(kh1=1.100,kh2=
0.879)で与えられる点E3との間をkh3の値に
ついて線形補完した点E23と、 座標(kh1=1.200,kh2=0.891)で与
えられる点F2と座標(kh1=1.200,kh2=
0.930)で与えられる点F3との間をkh3の値に
ついて線形補完した点F23と、 座標(kh1=1.400,kh2=1.011)で与
えられる点G2と座標(kh1=1.400,kh2=
1.046)で与えられる点G3との間をkh3の値に
ついて線形補完した点G23とを順に線分で結ぶ7本の
線分から成る補完基本組み合わせ線(A23-B23-C
23-D23-E23-F23-G23)に対してkh2を
+/− 10%で増減してなる範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。 - 【請求項58】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.099≦kh3≦0.132 の範囲にあり、且
つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.713)で与
えられる点A3と座標(kh1=0.600,kh2=
0.755)で与えられる点A4との間をkh3の値に
ついて線形補完した点A34と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.758)で与
えられる点B3と座標(kh1=0.800,kh2=
0.803)で与えられる点B4との間をkh3の値に
ついて線形補完した点B34と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.790)で与
えられる点C3と座標(kh1=0.900,kh2=
0.837)で与えられる点C4との間をkh3の値に
ついて線形補完した点C34と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.832)で与
えられる点D3と座標(kh1=1.000,kh2=
0.877)で与えられる点D4との間をkh3の値に
ついて線形補完した点D34と、 座標(kh1=1.100,kh2=0.879)で与
えられる点E3と座標(kh1=1.100,kh2=
0.922)で与えられる点E4との間をkh3の値に
ついて線形補完した点D34と、 座標(kh1=1.200,kh2=0.930)で与
えられる点F3と座標(kh1=1.200,kh2=
0.972)で与えられる点F4との間をkh3の値に
ついて線形補完した点F34と、 座標(kh1=1.400,kh2=1.046)で与
えられる点G3と座標(kh1=1.400,kh2=
1.083)で与えられる点G4との間をkh3の値に
ついて線形補完した点G34とを順に線分で結ぶ7本の
線分から成る補完基本組み合わせ線(A34-B34-C
34-D34-E34-F34-G34)に対してkh2を
+/− 10%で増減してなる範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。 - 【請求項59】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.132≦kh3≦0.198 の範囲にあり、且
つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.755)で与
えられる点A4と座標(kh1=0.600,kh2=
0.837)で与えられる点A5との間をkh3の値に
ついて線形補完した点A45と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.803)で与
えられる点B4と座標(kh1=0.800,kh2=
0.897)で与えられる点B5との間をkh3の値に
ついて線形補完した点B45と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.837)で与
えられる点C4と座標(kh1=0.900,kh2=
0.933)で与えられる点C5との間をkh3の値に
ついて線形補完した点C45と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.877)で与
えられる点D4と座標(kh1=1.000,kh2=
0.973)で与えられる点D5との間をkh3の値に
ついて線形補完した点D45と、 座標(kh1=1.100,kh2=0.922)で与
えられる点E4と座標(kh1=1.100,kh2=
1.017)で与えられる点E5との間をkh3の値に
ついて線形補完した点E45と、 座標(kh1=1.200,kh2=0.972)で与
えられる点F4と座標(kh1=1.200,kh2=
1.063)で与えられる点F5との間をkh3の値に
ついて線形補完した点F45と、 座標(kh1=1.400,kh2=1.083)で与
えられる点G4と座標(kh1=1.400,kh2=
1.167)で与えられる点G5との間をkh3の値に
ついて線形補完した点G45とを順に線分で結ぶ7本の
線分から成る補完基本組み合わせ線(A45-B45-C
45-D45-E45-F45-G45)に対してkh2を
+/− 10%で増減してなる範囲にあることを特徴と
する表面弾性波素子。 - 【請求項60】(i)ダイヤモンド層と、 (ii)厚さtZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
置されるZnO層と、 (iii)厚さtA を有し、前記ZnO層の上に配置さ
れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 (iv)厚さtS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Z
nO層の上に配置されるSiO2 層とを備える表面弾性
波素子であって、 2次モードの表面弾性波の波長λについて、 (1)kh3=2π(tA /λ) で与えられるkh3が、 0.198≦kh3≦0.264 の範囲にあり、且
つ、 (2)kh1=2π(tZ /λ)、 kh2=2π(tS /λ) で与えられるkh1及びkh2が、横軸にkh1、縦軸
にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、 座標(kh1=0.600,kh2=0.837)で与
えられる点A5と座標(kh1=0.600,kh2=
0.914)で与えられる点A6との間をkh3の値に
ついて線形補完した点A56と、 座標(kh1=0.800,kh2=0.897)で与
えられる点B5と座標(kh1=0.800,kh2=
0.989)で与えられる点B6との間をkh3の値に
ついて線形補完した点B56と、 座標(kh1=0.900,kh2=0.933)で与
えられる点C5と座標(kh1=0.900,kh2=
1.029)で与えられる点C6との間をkh3の値に
ついて線形補完した点C56と、 座標(kh1=1.000,kh2=0.973)で与
えられる点D5と座標(kh1=1.000,kh2=
1.069)で与えられる点D6との間をkh3の値に
ついて線形補完した点D56と、 座標(kh1=1.100,kh2=1.017)で与
えられる点E5と座標(kh1=1.100,kh2=
1.111)で与えられる点E6との間をkh3の値に
ついて線形補完した点E56と、 座標(kh1=1.200,kh2=1.063)で与
えられる点F5と座標(kh1=1.200,kh2=
1.156)で与えられる点F6との間をkh3の値に
ついて線形補完した点F56と、 座標(kh1=1.400,kh2=1.167)で与
えられる点G5と座標(kh1=1.400,kh2=
1.257)で与えられる点G6との間を線形補完した
点G56とを順に線分で結ぶ7本の線分から成る補完基
本組み合わせ線(A56-B56-C56-D56-E56
-F56-G56)に対してkh2を +/− 10%で増
減してなる範囲にあることを特徴とする表面弾性波素
子。 - 【請求項61】 前記櫛型電極が、電力を印加して弾性
波を励振させる入力櫛形電極と該弾性波を受信して電力
を取り出す出力櫛形電極とを備え、 前記入力櫛型電極の対数Niと前記出力櫛型電極の対数
Noの合計Nが、50〜90対であり、 前記入力櫛形電極及び前記出力櫛形電極の交差幅がそれ
ぞれ、前記波長λに対して、10λ〜50λの範囲にあ
ることを特徴とする請求項1、3又は50〜60のいず
れかに記載の表面弾性波素子。 - 【請求項62】 前記表面弾性波素子が、該弾性波の伝
搬方向に対して前記入力櫛形電極と前記出力櫛形電極を
挟むように配置された少なくとも2つの反射器電極を更
に備え、前記反射器電極の本数の合計が、入力櫛型電極
の対数Niと出力櫛型電極の対数Noの合計をNとし
て、2x(100−N)以下であることを特徴とする請
求項1、3又は50〜61のいずれかに記載の表面弾性
波素子。 - 【請求項63】 該2次モードの表面弾性波の該波長λ
が、約3.2〜約4.5μmであることを特徴とする請
求項61又は62のいずれかに記載の表面弾性波素子。 - 【請求項64】 透過特性においてQ値≧600である
ことを特徴とする請求項61又は62のいずれかに記載
の表面弾性波素子。 - 【請求項65】 約2.4〜約2.6GHzの動作中心
周波数を有する請求項61又は62のいずれかに記載の
表面弾性波素子。 - 【請求項66】 透過損失が約6〜10dBであること
を特徴とする請求項61又は62のいずれかに記載の表
面弾性波素子。
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JP9-14158 | 1997-01-28 | ||
JP1415897 | 1997-01-28 | ||
JP8-295183 | 1997-01-28 | ||
JP30562997A JP3275297B2 (ja) | 1996-11-07 | 1997-11-07 | 表面弾性波素子及び製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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ID=27280548
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-
1997
- 1997-11-07 JP JP30562997A patent/JP3275297B2/ja not_active Expired - Fee Related
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