JP3275297B2 - 表面弾性波素子及び製造方法 - Google Patents

表面弾性波素子及び製造方法

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知 藤井
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンドを含
む表面弾性波素子に関し、特に、ＧＨｚ帯以上の高周波
領域においても良好な動作特性を有する表面弾性波素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電体の表面を伝播する表面弾性波を利
用する表面弾性波素子は、固有の透過帯域を有し、しか
も小型であり部品点数も少ないため、携帯電話等の通信
機器用のバンドパスフィルター等への応用が期待されて
いる。典型的な表面弾性波素子は、表面弾性波の励振及
び受信のための櫛型電極を圧電体の表面上に備える構造
を有する。櫛型電極に、入力出力の１対の櫛型電極(int
erdigital transducer)を用いる場合、入力櫛型電極に
印加された交流電力は圧電体表面上で機械的エネルギー
に変換されるが、電極が櫛型であるため圧電体内に疎密
が発生して弾性波となり、圧電体表面を伝播して出力櫛
型電極へと到達する。そして、到達した表面弾性波は出
力櫛型電極により再び電気的エネルギーに変換され出力
される。表面弾性波素子が有する透過帯域の中心周波数
ｆ0 は、櫛型電極の間隔λ0 と圧電体表面上の弾性波の
伝播速度（伝搬速度）Ｖとから、 ｆ0 ＝Ｖ／λ0 で与えられる。
【０００３】しかし、ＧＨｚ帯で良好に動作する表面弾
性波素子を作製することは困難である。透過帯域の中心
周波数ｆ0 を上昇させるためには、上記関係式から自明
なように、櫛型電極の間隔λ0 を小さくするか、表面弾
性波の伝播速度Ｖを増加させるかのいずれかを行えばよ
いが、λ0 はフォトリソグラフィー等の加工技術により
著しく制限を受ける。従って、高周波数帯域で動作する
表面弾性波素子を得るには、Ｖを大きくすることが必要
である。
【０００４】また良好な動作のためには、電気機械変換
の性能を表す電気機械結合係数Ｋ2、温度依存性を表す
周波数温度係数（ＴＣＦ）並びに伝搬時の減衰による損
失を表す伝搬損失の値が、それぞれ所定の範囲内に適合
していることが必要である。
【０００５】Ｋ2 はある程度大きくないと、表面弾性波
素子として実用に供しない。Ｋ2 の好ましい範囲は、目
的とする表面弾性波素子の帯域幅によって変る。表面弾
性波素子を狭帯域フィルターへ応用するためには、Ｋ2
＝０．１０〜０．７％程度、中帯域フィルターには、Ｋ
2 ＝０．７〜３％程度、広帯域フィルターには、Ｋ2＝
３〜６％程度が要求される。また、温度依存性はできる
だけ小さい方が有利なことから、ＴＣＦは小さい程好ま
しい。更に、表面弾性波の伝搬における減衰は小さいこ
とが好ましいことから、伝搬損失もできるだけ小さい方
が好ましい。
【０００６】大きな伝播速度及び大きな電気機械結合係
数を得ることにより、高周波領域で用いることのできる
表面弾性波素子を提供する目的で、種々の技術や知見が
開示されている。特開平１−３３９５２１号公報には、
ダイヤモンド上にＺｎＯを形成した表面弾性波素子が開
示されている。また、特開平８−３２３９８号公報に
は、ダイヤモンド上にＬｉＮｂＯ3 を形成した表面弾性
波素子が開示されている。また、特開平８−６５０８８
号公報には、ダイヤモンド上にＬｉＴａＯ3 を形成した
表面弾性波素子が開示されている。
【０００７】更に、大きな伝播速度及び大きな電気機械
結合係数に加えて小さなＴＣＦを得ることを目的とし
て、種々の技術や知見が開示されている。特開平６−１
６４２９４号公報には、ダイヤモンドの上に、順に、Ｚ
ｎＯ、ＳｉＯ2 が形成された表面弾性波素子が開示され
ている。また、特願平７−２１５９８には、ダイヤモン
ドの上に、順に、ＬｉＮｂＯ3 、ＳｉＯ2 が形成された
表面弾性波素子が開示されている。
【０００８】図６は、表面弾性波素子の層構造を例示す
る。特開平６−１６４２９４号公報では、特に１次モー
ドに着目することにより、図６に示されるような表面弾
性波素子の様々な層構造に対して、好ましいＶ、Ｋ2 及
びＴＣＦを実現している。例えば、特開平６−１６４２
９４号公報では、本願の図６（ｅ）に示されるタイプＥ
の構造に対して、１次モードを利用して、Ｖ＝８，００
０〜１０，０００（ｍ／ｓｅｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜
１０（ｐｐｍ／℃）、Ｋ2 ＝０．７〜１．７（％）を達
成した。また、図６（ｂ）に示されるタイプＢの構造に
対して、１次モードを利用して、Ｖ＝８，０００〜１
０，０００（ｍ／ｓｅｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜１０
（ｐｐｍ／℃）、Ｋ2 ＝１〜３（％）を達成した。ま
た、図６（ｆ）に示されるタイプＦの構造に対して、１
次モードを利用して、Ｖ＝８，０００〜１０，０００
（ｍ／ｓｅｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜１０（ｐｐｍ／
℃）、Ｋ2 ＝１．５〜４．５（％）を達成した。また、
図６（ｄ）に示されるタイプＤの構造に対して、１次モ
ードを利用して、Ｖ＝８，０００〜１０，０００（ｍ／
ｓｅｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜１０（ｐｐｍ／℃）、Ｋ
2 ＝０．８〜２．３（％）を達成した。図６（ｇ）に示
されるタイプＧの構造に対して、１次モードを利用し
て、Ｖ＝８，０００〜１０，０００（ｍ／ｓｅｃ．）、
ＴＣＦ＝−１０〜１０（ｐｐｍ／℃）、Ｋ2 ＝０．７〜
２．２（％）を達成した。
【０００９】一方、特開平８−３２３９８号公報では、
圧電体にＬｉＮｂＯ3 を用いることにより諸特性を更に
向上させ、Ｖ＝１１，０００〜１２，５００（ｍ／ｓｅ
ｃ．）、ＴＣＦ＝−１０〜１０（ｐｐｍ／℃）、Ｋ2 ＝
７．５〜９．５（％）が達成された。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、圧電体にＺｎ
Ｏを用いれば、ＬｉＮｂＯ3 やＬｉＴａＯ3 等の他の圧
電体を用いた場合に比べて、ダイヤモンド上に良質の圧
電体の薄膜を形成することが極めて容易である。このた
め、ＺｎＯを用いて上記の諸特性を更に向上させること
は非常に意義がある。
【００１１】更に、図６（ａ）のタイプＡや図６（ｃ）
のタイプＣのように、ダイヤモンドとＺｎＯ層との間に
電極を有しない構造の表面弾性波素子に対して、上記の
諸性質を向上させることも大いに意義がある。なぜな
ら、このような構造の素子の作製工程において、ＺｎＯ
層の形成時にＡｌ等の金属電極が存在しないため、Ｚｎ
Ｏの形成において温度条件等が大幅に緩和され、製造の
歩留りやＺｎＯ層の品質の向上に有利な製造方法を採る
ことができるようになるからである。無論、ダイヤモン
ド層とＺｎＯ層の間に電極を有する構成においても、Ｚ
ｎＯ層を圧電体として用いる構成は、前述のように表面
弾性波素子形成の点から有利である。
【００１２】本発明は、上記の状況に鑑みてなされたも
のであり、ダイヤモンド上にＺｎＯ層が形成された構造
を有する表面弾性波素子において、最適な伝播速度Ｖ、
電気機械結合係数Ｋ2 、周波数温度特性ＴＣＦを実現
し、且つ、良好な伝搬損失をも併せて実現することによ
り、高周波領域で非常に優れた動作特性を有する表面弾
性波素子を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願発明者らは、鋭意検
討を重ねた結果、製造が容易で且つ結晶性が制御し易い
ＺｎＯを圧電体として採用し、この圧電体ＺｎＯ層をダ
イヤモンド膜の上に形成し更にその上にＳｉＯ2 層を形
成する層構造を基本とする様々な表面弾性波素子につい
て、２次モードに着目して最適化を行うことが、上記の
目的の実現に有効であるとの結論に至った。しかしなが
ら、表面弾性波素子について、良好な伝播速度Ｖ、周波
数温度特性ＴＣＦ、電気機械結合係数Ｋ2 を最適化する
ための評価は、各種測定パラメータが複雑に関与するた
め、一般に困難である。
【００１４】そこで本願発明者らは、先ず、特開平６−
１６４２９４号公報で行われたと同じ評価方法で、図６
に示されるような種々の構造を有する表面弾性波素子に
対して、良好な伝播速度Ｖ、周波数温度特性ＴＣＦ、電
気機械結合係数Ｋ2 を与えるような圧電体層及び保護層
の厚さについて一連の予備的評価を行った。この一連の
評価をここでは第１の予備評価と称し、これにより得ら
れた適正な圧電体層及び保護層の厚さの範囲が、図２４
に表された点を結んで形成される範囲で与えられる。こ
の範囲は、図６の（ａ）に示されるタイプＡ、（ｂ）に
示されるタイプＢ、（ｃ）に示されるタイプＣ、（ｄ）
に示されるタイプＤ、（ｆ）に示されるタイプＦに対し
ての評価により得られたものである。
【００１５】次に、上記の第１の予備評価において用い
た伝播速度等の測定と同じ手法において、測定のパラメ
ータを個々に正確に定義し測定の精度を向上させて評価
を行うことにより、良好な伝播速度Ｖ、周波数温度特性
ＴＣＦ、電気機械結合係数Ｋ2 を与える圧電体層及び保
護層の厚さについて一連の予備的評価を行った。こちら
の一連の評価をここでは第２の予備評価と称すことに
し、これにより得られた適正な圧電体層及び保護層の厚
さの範囲が同様に、図２５に表された点を結んで形成さ
れる範囲で与えられる。
【００１６】これらの予備評価を行う過程で、本発明者
らは更に、櫛型電極の厚さが表面弾性波素子全体の伝播
速度Ｖ、周波数温度特性ＴＣＦ、電気機械結合係数Ｋ2
等の諸特性に影響を与えることを見出した。
【００１７】櫛型電極は、通常、アルミニウム等の導電
性材料により形成されるが、このような導電性材料自身
も、独自の伝播速度や線膨張係数等の特性を有してい
る。櫛型電極の厚さによって、櫛型電極自身の諸特性が
表面弾性波素子の伝播速度や周波数温度特性等に与える
影響が変ってくることが、本発明者らにより見出され
た。
【００１８】本願発明は、特に、櫛型電極の厚さと、Ｚ
ｎＯ圧電体層の厚さと、ＳｉＯ2 保護層の厚さとの関係
に着目してなされたものである。
【００１９】すなわち、本発明の第１の表面弾性波素子
は、（ｉ）ダイヤモンド層と、（ｉｉ）厚さｔZ を有
し、ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、（ｉ
ｉｉ）厚さｔA を有し、ＺｎＯ層の上に配置される櫛型
電極と、（ｉｖ）厚さｔS を有し、櫛型電極を覆ってＺ
ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、を備える表面弾
性波素子であって、２次モードの表面弾性波の波長λに
ついて、ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３
が、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲にあり、
且つ、ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS
／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ
１、縦軸にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおい
て、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与
えられる点Ａと、座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝
０．８７）で与えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．６
０，ｋｈ２＝０．８７）で与えられる点Ｃと、座標（ｋ
ｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えられる点Ｄ
と、座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与
えられる点Ｅと、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝
０．９３）で与えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６
９，ｋｈ２＝０．７７）で与えられる点Ｇと、座標（ｋ
ｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えられる点Ｈ
と、座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与
えられる点Ｉと、座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝
０．４０）で与えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６
３，ｋｈ２＝０．３３）で与えられる点Ｋと、座標（ｋ
ｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えられる点Ｌ
と、点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を
含む内部に与えられることを特徴とする。この領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡは、図１の２次元直交座標グラ
フに示されている。また、この表面弾性波の層構造のタ
イプは、図６（ａ）に例示されるタイプＡである。
【００２０】この第１の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．１〜１．３％が実現さ
れる。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電体層
形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点か
らも有利である。
【００２１】また、本発明の第２の表面弾性波素子は、
上記の第１の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が同じ
であるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ａと、点
Ｂと、点Ｉと、点Ｊと、点Ｋと、点Ｌと、点Ａとを順に
線分で結ぶ、６本の線分から成る領域ＡＢＩＪＫＬＡの
６本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴と
する。この領域ＡＢＩＪＫＬＡも、図１の２次元直交座
標グラフに示されている。
【００２２】この第２の表面弾性波素子の場合は、Ｖ＝
１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ＝
−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．１〜１．３％
が実現される。更に、このような素子の構成は、第１の
表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型
電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利であ
る。
【００２３】本発明の第３の表面弾性波素子は、図６
（ａ）のタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ
２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ
１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えられる点Ａ
と、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与
えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝
０．９６）で与えられる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６
０，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｄと、座標（ｋ
ｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えられる点Ｅ
と、座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与
えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝
０．８０）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．２
２，ｋｈ２＝０．６３）で与えられる点Ｈと、座標（ｋ
ｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えられる点Ｉ
と、座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与
えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝
０．５２）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．５
３，ｋｈ２＝０．４５）で与えられる点Ｌと、座標（ｋ
ｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えられる点Ｍ
と、点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上
を含む内部に与えられることを特徴とする。この領域Ａ
ＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡは、図２の２次元直交座標
グラフに示されている。
【００２４】この第３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜１．２０％が実
現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。
【００２５】また、本発明の第４の表面弾性波素子は、
上記の第３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が同じ
であるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ａと、点
Ｂと、点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝０．
７７）で与えられる点Ｎと、点Ｊと、点Ｋと、点Ｌと、
点Ｍと、点Ａとを順に線分で結ぶ、８本の線分から成る
領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの８本の線分の線上を含む内部
に与えられることを特徴とする。この領域ＡＢＣＮＪＫ
ＬＭＡも、図２の２次元直交座標グラフに示されてい
る。
【００２６】この第４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ＝
１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ＝
−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜１．１
５％が実現される。更に、このような素子の構成は、第
３の表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時に
櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利
である。
【００２７】本発明の第５の表面弾性波素子は、図６
（ａ）のタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ
２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ
１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えられる点Ａ
と、座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与
えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝
１．０７）で与えられる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．９
０，ｋｈ２＝１．３７）で与えられる点Ｄと、座標（ｋ
ｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えられる点Ｅ
と、座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与
えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝
０．７９）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０
５，ｋｈ２＝０．７２）で与えられる点Ｈと、座標（ｋ
ｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えられる点Ｉ
と、座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与
えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝
０．６８）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．４
２，ｋｈ２＝０．５５）で与えられる点Ｌと、座標（ｋ
ｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えられる点Ｍ
と、点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上
を含む内部に与えられることを特徴とする。この領域Ａ
ＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡは、図３の２次元直交座標
グラフに示されている。また、この表面弾性波の構造
は、図６（ａ）に例示されるタイプＡである。
【００２８】この第５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜１．０５％が実
現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。
【００２９】また、本発明の第６の表面弾性波素子は、
上記の第５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が同じ
であるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ａと、点
Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で
与えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
０．７５）で与えられる点Ｏと、点Ｊと、点Ｋと、点Ｌ
と、点Ｍと、点Ａとを順に線分で結ぶ、８本の線分から
成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの８本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。この領域ＡＢＮＯ
ＪＫＬＭＡも、図３の２次元直交座標グラフに示されて
いる。
【００３０】この第６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ＝
１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ＝
−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．９
５％が実現される。更に、このような素子の構成は、第
５の表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時に
櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利
である。
【００３１】本発明の第７の表面弾性波素子は、図６
（ａ）のタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ
２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ
１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えられる点Ａ
と、座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与
えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝
１．３２）で与えられる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６
０，ｋｈ２＝１．５２）で与えられる点Ｄと、座標（ｋ
ｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えられる点Ｅ
と、座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与
えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝
１．２０）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．４
０，ｋｈ２＝０．９１）で与えられる点Ｈと、座標（ｋ
ｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えられる点Ｉ
と、座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与
えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝
０．７３）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３
５，ｋｈ２＝０．７３）で与えられる点Ｌと、座標（ｋ
ｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えられる点Ｍ
と、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与
えられる点Ｎと、点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線
分から成る領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。この領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡは、図４
の２次元直交座標グラフに示されている。
【００３２】この第７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．９５％が実
現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。
【００３３】また、本発明の第８の表面弾性波素子は、
上記の第７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が同じ
であるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ａと、座
標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられ
る点Ｏと、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８
３）で与えられる点Ｐと、点Ｋと、点Ｌと、点Ｍと、点
Ｎと、点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の線分から成る領
域ＡＯＰＫＬＭＮＡの７本の線分の線上を含む内部に与
えられることを特徴とする。この領域ＡＯＰＫＬＭＮＡ
も、図４の２次元直交座標グラフに示されている。
【００３４】この第８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ＝
１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ＝
−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．７
０％が実現される。更に、このような素子の構成は、第
７の表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時に
櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有利
である。
【００３５】本発明の第９の表面弾性波素子は、図６
（ａ）のタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ
２を与える２次元直交座標グラフにおいて、座標（ｋｈ
１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えられる点Ａ
と、座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与
えられる点Ｂと、座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝
１．６０）で与えられる点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．７
１，ｋｈ２＝１．６０）で与えられる点Ｄと、座標（ｋ
ｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えられる点Ｅ
と、座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与
えられる点Ｆと、座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝
０．９７）で与えられる点Ｇと、座標（ｋｈ１＝１．０
３，ｋｈ２＝０．８９）で与えられる点Ｈと、座標（ｋ
ｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えられる点Ｉ
と、座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与
えられる点Ｊと、座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝
０．７６）で与えられる点Ｋと、座標（ｋｈ１＝０．３
０，ｋｈ２＝１．０９）で与えられる点Ｌと、点Ａとを
順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内部に与
えられることを特徴とする。この領域ＡＢＣＤＥＦＧＨ
ＩＪＫＬＡは、図５の２次元直交座標グラフに示されて
いる。
【００３６】この第９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，０
００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５〜
１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．８５％が実
現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧電
体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の
点からも有利である。
【００３７】また、本発明の第１０の表面弾性波素子
は、上記の第９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲が
同じであるタイプＡの表面弾性波素子であって、ｋｈ１
及びｋｈ２が、２次元直交座標グラフにおいて、点Ｌ
と、座標（ｋｈ１＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与
えられる点Ｍと、点Ｊと、点Ｋと、点Ｌとを順に線分で
結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの４本の線分
の線上を含む内部に与えられることを特徴とする。この
領域ＬＭＪＫＬも、図５の２次元直交座標グラフに示さ
れている。
【００３８】この第１０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．
５０％が実現される。更に、このような素子の構成は、
第９の表面弾性波素子と同様に、ＺｎＯ圧電体層形成時
に櫛型電極が存在しないため、素子の形成の点からも有
利である。
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】本発明の第１３の表面弾性波素子は、図６
（ｂ）のタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
【００４４】この第１３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．７５〜２．２５％が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。
【００４５】また、本発明の第１４の表面弾性波素子
は、上記の第１３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＢの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢＣＮＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
【００４６】この第１４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．７５〜２．
２５％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
【００４７】本発明の第１５の表面弾性波素子は、図６
（ｂ）のタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
【００４８】この第１５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．７０〜２．２％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
【００４９】また、本発明の第１６の表面弾性波素子
は、上記の第１５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＢの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＮＯＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
【００５０】この第１６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．７０〜２．
２％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
【００５１】本発明の第１７の表面弾性波素子は、図６
（ｂ）のタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。
【００５２】この第１７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．５５〜１．７５％が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。
【００５３】また、本発明の第１８の表面弾性波素子
は、上記の第１７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＢの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの７本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。
【００５４】この第１８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．６０〜１．
７５％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
【００５５】本発明の第１９の表面弾性波素子は、図６
（ｂ）のタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
【００５６】この第１９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．３０〜１．７％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
【００５７】また、本発明の第２０の表面弾性波素子
は、上記の第１９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＢの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＬＭＪＫＬの４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。
【００５８】この第２０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．７０〜１．
７％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
【００５９】本発明の第２１の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３
３≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
【００６０】この第２１の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．１２〜０．８５％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
【００６１】また、本発明の第２２の表面弾性波素子
は、上記の第２１の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢＩＪＫＬＡ
の６本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
とする。
【００６２】この第２２の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．１２〜０．
８５％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
【００６３】本発明の第２３の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
【００６４】この第２３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．８５％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
【００６５】また、本発明の第２４の表面弾性波素子
は、上記の第２３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢＣＮＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
【００６６】この第２４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．
８０％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
【００６７】本発明の第２５の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
【００６８】この第２５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．８５％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
【００６９】また、本発明の第２６の表面弾性波素子
は、上記の第２５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＮＯＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
【００７０】この第２６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．
６５％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
【００７１】本発明の第２７の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。
【００７２】この第２７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．８２％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
【００７３】また、本発明の第２８の表面弾性波素子
は、上記の第２７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの７本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。この領域ＡＯＰＫＬＭＮＡも、図４の２次元
直交座標グラフに示されている。
【００７４】この第２８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．
５０％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
【００７５】本発明の第２９の表面弾性波素子は、図６
（ｃ）のタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
【００７６】この第２９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０５〜０．７５％が
実現される。更に、このような素子の構成は、ＺｎＯ圧
電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素子の形成
の点からも有利である。
【００７７】また、本発明の第３０の表面弾性波素子
は、上記の第２９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＣの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＬＭＪＫＬの４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。
【００７８】この第３０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．０７〜０．
３５％が実現される。更に、このような素子の構成は、
ＺｎＯ圧電体層形成時に櫛型電極が存在しないため、素
子の形成の点からも有利である。
【００７９】
【００８０】
【００８１】
【００８２】
【００８３】本発明の第３３の表面弾性波素子は、図６
（ｄ）のタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
【００８４】この第３３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．７５〜１．８０％が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。
【００８５】また、本発明の第３４の表面弾性波素子
は、上記の第３３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＤの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢＣＮＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
【００８６】この第３４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．７５〜１．
８０％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
【００８７】本発明の第３５の表面弾性波素子は、図６
（ｄ）のタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
【００８８】この第３５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．６５〜１．７％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
【００８９】また、本発明の第３６の表面弾性波素子
は、上記の第３５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＤの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＮＯＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。この領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡも、図３の２
次元直交座標グラフに示されている。
【００９０】この第３６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．６５〜１．
７％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
【００９１】本発明の第３７の表面弾性波素子は、図６
（ｄ）のタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。
【００９２】この第３７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．５５〜１．６％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
【００９３】また、本発明の第３８の表面弾性波素子
は、上記の第３７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＤの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの７本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。
【００９４】この第３８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．５５〜１．
６％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
【００９５】本発明の第３９の表面弾性波素子は、図６
（ｄ）のタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
【００９６】この第３９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．４０〜１．４％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
【００９７】また、本発明の第４０の表面弾性波素子
は、上記の第３９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＤの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＬＭＪＫＬの４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。
【００９８】この第４０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．６０〜１．
４％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
【００９９】
【０１００】
【０１０１】
【０１０２】
【０１０３】本発明の第４３の表面弾性波素子は、図６
（ｆ）のタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０９
９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
【０１０４】この第４３の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．２５〜１．６％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
【０１０５】また、本発明の第４４の表面弾性波素子
は、上記の第４３の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＦの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図２で与えられる領域ＡＢＣＮＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
【０１０６】この第４４の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．８０〜１．
６％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
【０１０７】本発明の第４５の表面弾性波素子は、図６
（ｆ）のタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．１６
５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む
内部に与えられることを特徴とする。
【０１０８】この第４５の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．２５〜１．６％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
【０１０９】また、本発明の第４６の表面弾性波素子
は、上記の第４５の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＦの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＮＯＪＫＬ
ＭＡの８本の線分の線上を含む内部に与えられることを
特徴とする。
【０１１０】この第４６の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．６５〜１．
６％が実現される。また、この構造では、製造及び結晶
配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているた
め、素子形成の点から有利である。
【０１１１】本発明の第４７の表面弾性波素子は、図６
（ｆ）のタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２３
１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含
む内部に与えられることを特徴とする。
【０１１２】この第４７の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．３〜１．４５％が実
現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の制
御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素子
形成の点から有利である。
【０１１３】また、本発明の第４８の表面弾性波素子
は、上記の第４７の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＦの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの７本の線分の線上を含む内部に与えられることを特
徴とする。
【０１１４】この第４８の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．５５〜１．
４５％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
【０１１５】本発明の第４９の表面弾性波素子は、図６
（ｆ）のタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子であ
って、２次モードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ
３＝２π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．２９
７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且つ、ｋｈ１
＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与え
られるｋｈ１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内
部に与えられることを特徴とする。
【０１１６】この第４９の表面弾性波素子は、Ｖ＝８，
０００ｍ／ｓｅｃ．以上を達成し、且つＴＣＦ＝−１５
〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．３５〜１．３５％が
実現される。また、この構造では、製造及び結晶配向の
制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いているため、素
子形成の点から有利である。
【０１１７】また、本発明の第５０の表面弾性波素子
は、上記の第４９の表面弾性波素子とｋｈ３の値の範囲
が同じであるタイプＦの表面弾性波素子であって、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＬＭＪＫＬの４
本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
る。
【０１１８】この第５０の表面弾性波素子の場合は、Ｖ
＝１０，０００ｍ／ｓｅｃ．以上を実現し、且つＴＣＦ
＝−１５〜１５ｐｐｍ／℃、且つＫ2 ＝０．７０〜１．
３５％が実現される。また、この構造では、製造及び結
晶配向の制御の容易なＺｎＯを圧電体として用いている
ため、素子形成の点から有利である。
【０１１９】なお、以上説明した本発明の第１の表面弾
性波素子〜第５０の表面弾性波素子の全ての表面弾性波
素子は、１次モードを利用する場合に比べて、伝搬損失
を低く抑えることができるという利点も併せて有してい
る。これら全ての表面弾性波素子では、１次モードを利
用した場合の伝搬損失が２ＧＨｚにおいて０．０５ｄＢ
／λであるが、２次モードを利用した本発明の場合は、
伝搬損失は２ＧＨｚにおいて０．０３ｄＢ／λである。
【０１２０】本発明に従って、図６（ａ）に示されるよ
うなタイプＡの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔZ とな
るようにＺｎＯ層を形成するステップと、（２）ＺｎＯ
層の上に、厚さｔA となるように櫛型電極を形成するス
テップと、（３）櫛型電極を覆ってＺｎＯ層の上に、厚
さｔS となるようにＳｉＯ2 層を形成するステップと、
を有する表面弾性波素子の製造方法において、２次モー
ドの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔZ
／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与えられるｋｈ１
及びｋｈ２が、図１で与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨ
ＩＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内部に与えられ
るようにｔZ 及びｔS を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π
（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、０．０３３≦ｋｈ
３≦０．０９９ の範囲となるようにｔA を選択するこ
とを特徴とする。また、この製造方法において、更に、
ｋｈ１及びｋｈ２が図１の領域ＡＢＩＪＫＬＡの中に含
まれるように、ｔZ 及びｔSを選択してもよい。
【０１２１】また、この製造方法において、０．０９９
≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲となるようにｔA を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図２の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるよう
にｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ
２が図２の領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に
与えられるようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。ま
た、この製造方法において、０．１６５≦ｋｈ３≦０．
２３１ の範囲となるようにｔA を選択し、且つ、ｋｈ
１及びｋｈ２が、図３の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬ
ＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS
を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図３の領域
ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるよう
にｔZ 及びｔS を選択してもよい。また、この製造方法
において、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲と
なるようにｔA を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、
図４の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの線上を含
む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択してもよ
く、更にｋｈ１及びｋｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮ
Ａの線上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を
選択してもよい。また、この製造方法において、０．２
９７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲となるようにｔA を
選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図５の領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるよ
うにｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋ
ｈ２が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む内部に与えら
れるようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。
【０１２２】本発明に従って、図６（ｂ）に示されるよ
うなタイプＢの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、短絡用電極を
形成するステップと、（２）短絡用電極を覆ってダイヤ
モンド層の上に、厚さｔZ となるようにＺｎＯ層を形成
するステップと、（３）ＺｎＯ層の上に、厚さｔA とな
るように櫛型電極を形成するステップと、（ｖ）櫛型電
極を覆ってＺｎＯ層の上に、厚さｔS となるようにＳｉ
Ｏ2 層を形成するステップと、を有する表面弾性波素子
の製造方法において、２次モードの表面弾性波の波長λ
について、ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、ｋｈ２＝２π
（ｔS ／λ）で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、図２で
与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの１３本
の線分の線上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔ
S を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ）で与えら
れるｋｈ３が、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５の範囲
となるようにｔA を選択することを特徴とする。また、
この製造方法において、更に、ｋｈ１及びｋｈ２が図２
の領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられ
るようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。
【０１２３】また、この製造方法において、０．０３３
≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲となるようにｔA を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図１の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図１の領域ＡＢＣＮＪＫＬＡの線上を含む内部に与え
られるようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１
の範囲となるようにｔA を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋ
ｈ２が、図３の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択し
てもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図３の領域ＡＢＮＯ
ＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔZ 及
びｔS を選択してもよい。また、この製造方法におい
て、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲となるよ
うにｔA を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図４の
領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの線上を含む内部
に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択してもよく、更
にｋｈ１及びｋｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択し
てもよい。また、この製造方法において、０．２９７≦
ｋｈ３≦０．３６３ の範囲となるようにｔAを選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図５の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む内部に与えられる
ようにｔZ及びｔS を選択してもよい。
【０１２４】本発明に従って、図６（ｃ）に示されるよ
うなタイプＣの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔZ とな
るようにＺｎＯ層を形成するステップと、（２）ＺｎＯ
層の上に、厚さｔA となるように櫛型電極を形成するス
テップと、（３）櫛型電極を覆ってＺｎＯ層の上に、厚
さｔS となるようにＳｉＯ2 層を形成するステップと、
（４）ＳｉＯ2 層の上に短絡用電極を形成するステップ
とを有する表面弾性波素子の製造方法において、２次モ
ードの表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔ
Z ／λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与えられるｋｈ
１及びｋｈ２が、図３で与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧ
ＨＩＪＫＬＭＡの１３本の線分の線上を含む内部に与え
られるようにｔZ 及びｔS を選択し、且つ、ｋｈ３＝２
π（ｔA ／λ）で与えられるｋｈ３が、 ０．１６５
≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲となるようにｔA を選択
することを特徴とする。
【０１２５】また、この製造方法において、０．０３３
≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲となるようにｔA を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図１の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図１の領域ＡＢＣＮＪＫＬＡの線上を含む内部に与え
られるようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５
の範囲となるようにｔA を選択し、且つ、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、図２の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの
線上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択
してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図２の領域ＡＢＣ
ＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔZ
及びｔSを選択してもよい。また、この製造方法におい
て、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲となるよ
うにｔA を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図４の
領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの線上を含む内部
に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択してもよく、更
にｋｈ１及びｋｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択し
てもよい。また、この製造方法において、０．２９７≦
ｋｈ３≦０．３６３ の範囲となるようにｔA を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図５の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む内部に与えられる
ようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。
【０１２６】本発明に従って、図６（ｄ）に示されるよ
うなタイプＤの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、第１の短絡用
電極を形成するステップと、（２）短絡用電極を覆って
ダイヤモンド層の上に、厚さｔZ となるようにＺｎＯ層
を形成するステップと、（３）ＺｎＯ層の上に、厚さｔ
A となるように櫛型電極を形成するステップと、（４）
櫛型電極を覆ってＺｎＯ層の上に、厚さｔS となるよう
にＳｉＯ2 層を形成するステップと、（５）ＳｉＯ2 層
の上に、第２の短絡用電極を形成するステップとを有す
る表面弾性波素子の製造方法であって、２次モードの表
面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔZ ／
λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与えられるｋｈ１及
びｋｈ２が、図４で与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩ
ＪＫＬＭＮＡの１４本の線分の線上を含む内部に与えら
れるようにｔZ 及びｔS を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π
（ｔA／λ）で与えられるｋｈ３が、 ０．２３１≦
ｋｈ３≦０．２９７ の範囲となるようにｔA を選択す
ることを特徴とする。また、この製造方法では、更に、
ｋｈ１及びｋｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの線上
を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択して
もよい。
【０１２７】また、この製造方法において、０．０３３
≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲となるようにｔA を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図１の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図１の領域ＡＢＣＮＪＫＬＡの線上を含む内部に与え
られるようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５
の範囲となるようにｔA を選択し、且つ、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、図２の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの
線上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択
してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図２の領域ＡＢＣ
ＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔZ
及びｔSを選択してもよい。また、この製造方法におい
て、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲となるよ
うにｔA を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図３の
領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの線上を含む内部に
与えられるようにｔZ 及びｔS を選択してもよく、更に
ｋｈ１及びｋｈ２が図３の領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択し
てもよい。また、この製造方法において、０．２９７≦
ｋｈ３≦０．３６３ の範囲となるようにｔA を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図５の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む内部に与えられる
ようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。
【０１２８】本発明に従って、図６（ｆ）に示されるよ
うなタイプＦの層構造を有する表面弾性波素子を製造す
る方法は、（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔA とな
るように櫛型電極を形成するステップと、（２）前記櫛
型電極を覆って前記ダイヤモンド層の上に、厚さｔZ と
なるようにＺｎＯ層を形成するステップと、（３）前記
ＺｎＯ層の上に短絡用電極を形成するステップと、
（４）前記短絡用電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚
さｔS となるようにＳｉＯ2 層を形成するステップとを
備える表面弾性波素子の製造方法であって、２次モード
の表面弾性波の波長λについて、ｋｈ１＝２π（ｔZ ／
λ）、ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）で与えられるｋｈ１及
びｋｈ２が、図５で与えられる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩ
ＪＫＬＡの１２本の線分の線上を含む内部に与えられる
ようにｔZ 及びｔS を選択し、且つ、ｋｈ３＝２π（ｔ
A ／λ）で与えられるｋｈ３が、 ０．２９７≦ｋｈ
３≦０．３６３ の範囲となるようにｔA を選択するこ
とを特徴とする。また、この製造方法において、更に、
ｋｈ１及びｋｈ２が図５の領域ＬＭＪＫＬの線上を含む
内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択してもよ
い。
【０１２９】また、この製造方法において、０．０３３
≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲となるようにｔA を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図１の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＡの線上を含む内部に与えられるように
ｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２
が図１の領域ＡＢＣＮＪＫＬＡの線上を含む内部に与え
られるようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。また、こ
の製造方法において、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５
の範囲となるようにｔA を選択し、且つ、ｋｈ１及び
ｋｈ２が、図２の領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの
線上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択
してもよく、更にｋｈ１及びｋｈ２が図２の領域ＡＢＣ
ＮＪＫＬＭＡの線上を含む内部に与えられるようにｔZ
及びｔSを選択してもよい。また、この製造方法におい
て、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲となるよ
うにｔA を選択し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図３の
領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの線上を含む内部に
与えられるようにｔZ 及びｔS を選択してもよく、更に
ｋｈ１及びｋｈ２が図３の領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの線
上を含む内部に与えられるようにｔZ 及びｔS を選択し
てもよい。また、この製造方法において、０．２３１≦
ｋｈ３≦０．２９７ の範囲となるようにｔA を選択
し、且つ、ｋｈ１及びｋｈ２が、図４の領域ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの線上を含む内部に与えられるよ
うにｔZ 及びｔS を選択してもよく、更にｋｈ１及びｋ
ｈ２が図４の領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの線上を含む内部に
与えられるようにｔZ 及びｔS を選択してもよい。
【０１３０】ところで、図６（ａ）のタイプＡの層構造
を有する表面弾性波素子は、ｋｈ３＝０．０４４のと
き、ｋｈ１とｋｈ２が、図２８の基本組み合わせ線（Ａ
１-Ｂ１-Ｃ１-Ｄ１-Ｅ１-Ｆ１-Ｇ１）に対してｋｈ２を
＋／− １０％で増減してなる範囲にあってもよい。ま
た、ｋｈ３＝０．０６６のとき、ｋｈ１とｋｈ２が、図
２８の基本組み合わせ線（Ａ２-Ｂ２-Ｃ２-Ｄ２-Ｅ２-
Ｆ２-Ｇ２）に対してｋｈ２を ＋／− １０％で増減し
てなる範囲にあってもよい。また、ｋｈ３＝０．０９９
のとき、ｋｈ１とｋｈ２が、図２８の基本組み合わせ線
（Ａ３-Ｂ３-Ｃ３-Ｄ３-Ｅ３-Ｆ３-Ｇ３）に対してｋｈ
２を ＋／− １０％で増減してなる範囲にあってもよ
い。また、ｋｈ３＝０．１３２のとき、ｋｈ１とｋｈ２
が、図２８の基本組み合わせ線（Ａ４-Ｂ４-Ｃ４-Ｄ４-
Ｅ４-Ｆ４-Ｇ４）に対してｋｈ２を＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。また、ｋｈ３＝０．１
９８のとき、ｋｈ１とｋｈ２が、図２８の基本組み合わ
せ線（Ａ５-Ｂ５-Ｃ５-Ｄ５-Ｅ５-Ｆ５-Ｇ５）に対して
ｋｈ２を ＋／− １０％で増減してなる範囲にあっても
よい。また、ｋｈ３＝０．２６４のとき、ｋｈ１とｋｈ
２が、図２８の基本組み合わせ線（Ａ６-Ｂ６-Ｃ６-Ｄ
６-Ｅ６-Ｆ６-Ｇ６）に対してｋｈ２を ＋／−１０％で
増減してなる範囲にあってもよい。
【０１３１】更に、０．０４４≦ｋｈ３≦０．０６６た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ１
-Ｂ１-Ｃ１-Ｄ１-Ｅ１-Ｆ１-Ｇ１）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ２-Ｂ２-Ｃ２-Ｄ２-Ｅ２-Ｆ２-Ｇ２）の各点
をｋｈ２の値について線形補完（線形補間）して得られ
る補完基本組み合わせ線（Ａ１２-Ｂ１２-Ｃ１２-Ｄ１
２-Ｅ１２-Ｆ１２-Ｇ１２）に対してｋｈ２を ＋／−
１０％で増減してなる範囲にあってもよい。すなわち、
この範囲とは、補完基本組み合わせ線（Ａ１２-Ｂ１２-
Ｃ１２-Ｄ１２-Ｅ１２-Ｆ１２-Ｇ１２）からｋｈ２のみ
を１０％増加させて得られる上限線と、補完基本組み合
わせ線（Ａ１２-Ｂ１２-Ｃ１２-Ｄ１２-Ｅ１２-Ｆ１２-
Ｇ１２）からｋｈ２のみを１０％減少させて得られる下
限線とにより画定される領域のことである。ここで、こ
の線形補完とは、例えばＡ１（ｋｈ１，ｋｈ２A1）とＡ
２（ｋｈ１，ｋｈ２A2）を補完してＡ１２（ｋｈ１，ｋ
ｈ２A12）を与える線形補完とは、０．０４４≦ｋｈ３
≦０．０６６であるｋｈ３に対して、ｋｈ２A12を、ｋ
ｈ３＝０．０４４から０．０６６までのｋｈ３の変化に
応じて比例配分則で与えることをいい、より具体的には
下式： ｋｈ２A12＝ｋｈ２A1＋（ｋｈ２A2−ｋｈ２A1）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３A1）／（ｋｈ３A2−ｋｈ３A1） で与える方法のことである。ここで、Ａ１とＡ２とＡ１
２でｋｈ１は同じでありｋｈ１＝０．６００、また、ｋ
ｈ３A1＝０．０４４、ｋｈ３A2＝０．０６６であり、ま
た、ｋｈ２A1＝０．６４５、ｋｈ２A2＝０．６７１であ
る。
【０１３２】また、０．０６６≦ｋｈ３≦０．０９９た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ２
-Ｂ２-Ｃ２-Ｄ２-Ｅ２-Ｆ２-Ｇ２）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ３-Ｂ３-Ｃ３-Ｄ３-Ｅ３-Ｆ３-Ｇ３）の各点
とをｋｈ３の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線（Ａ２３-Ｂ２３-Ｃ２３-Ｄ２３-Ｅ２３-
Ｆ２３-Ｇ２３）に対してｋｈ２を ＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばＡ２（ｋｈ１，ｋｈ２A2）とＡ３（ｋｈ１，ｋ
ｈ２A3）を補完してＡ２３（ｋｈ１，ｋｈ２A23）を与
える線形補完とは、Ａ１２の場合と同様に、０．０６６
≦ｋｈ３≦０．０９９であるｋｈ３に対して、ｋｈ２
A23を ｋｈ２A23＝ｋｈ２A2＋（ｋｈ２A3−ｋｈ２A2）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３A2）／（ｋｈ３A3−ｋｈ３A2） で与える方法のことである。
【０１３３】また、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１３２た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ３
-Ｂ３-Ｃ３-Ｄ３-Ｅ３-Ｆ３-Ｇ３）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ４-Ｂ４-Ｃ４-Ｄ４-Ｅ４-Ｆ４-Ｇ４）の各点
とをｋｈ３の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線（Ａ３４-Ｂ３４-Ｃ３４-Ｄ３４-Ｅ３４-
Ｆ３４-Ｇ３４）に対してｋｈ２を ＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばＡ３（ｋｈ１，ｋｈ２A3）とＡ４（ｋｈ１，ｋ
ｈ２A4）を補完してＡ３４（ｋｈ１，ｋｈ２A34）を与
える線形補完とは、Ａ１２の場合と同様に、０．０９９
≦ｋｈ３≦０．１３２であるｋｈ３に対して、ｋｈ２
A34を ｋｈ２A34＝ｋｈ２A3＋（ｋｈ２A4−ｋｈ２A3）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３A3）／（ｋｈ３A4−ｋｈ３A3） で与える方法のことである。
【０１３４】また、０．１３２≦ｋｈ３≦０．１９８た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ４
-Ｂ４-Ｃ４-Ｄ４-Ｅ４-Ｆ４-Ｇ４）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ５-Ｂ５-Ｃ５-Ｄ５-Ｅ５-Ｆ５-Ｇ５）の各点
とをｋｈ３の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線（Ａ４５-Ｂ４５-Ｃ４５-Ｄ４５-Ｅ４５-
Ｆ４５-Ｇ４５）に対してｋｈ２を ＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばＡ４（ｋｈ１，ｋｈ２A4）とＡ５（ｋｈ１，ｋ
ｈ２A5）を補完してＡ４５（ｋｈ１，ｋｈ２A45）を与
える線形補完とは、Ａ１２の場合と同様に、０．１３２
≦ｋｈ３≦０．１９８であるｋｈ３に対して、ｋｈ２
A45を ｋｈ２A45＝ｋｈ２A4＋（ｋｈ２A5−ｋｈ２A4）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３A4）／（ｋｈ３A5−ｋｈ３A4） で与える方法のことである。
【０１３５】また、０．１９８≦ｋｈ３≦０．２６４た
るｋｈ３に対しては、図２８の基本組み合わせ線（Ａ５
-Ｂ５-Ｃ５-Ｄ５-Ｅ５-Ｆ５-Ｇ５）の各点と基本組み合
わせ線（Ａ６-Ｂ６-Ｃ６-Ｄ６-Ｅ６-Ｆ６-Ｇ６）の各点
とをｋｈ３の値について線形補完して得られる補完基本
組み合わせ線（Ａ５６-Ｂ５６-Ｃ５６-Ｄ５６-Ｅ５６-
Ｆ５６-Ｇ５６）に対してｋｈ２を ＋／− １０％で増
減してなる範囲にあってもよい。ここで、線形補完によ
り例えばＡ５（ｋｈ１，ｋｈ２A5）とＡ６（ｋｈ１，ｋ
ｈ２A6）を補完してＡ５６（ｋｈ１，ｋｈ２A56）を与
える線形補完とは、Ａ１２の場合と同様に、０．１９８
≦ｋｈ３≦０．２６４であるｋｈ３に対して、ｋｈ２
A56を ｋｈ２A56＝ｋｈ２A5＋（ｋｈ２A6−ｋｈ２A5）ｘ（ｋ
ｈ３−ｋｈ３A5）／（ｋｈ３A6−ｋｈ３A5） で与える方法のことである。
【０１３６】これらの基本組み合わせ線及び補完基本組
み合わせ線に基づき決められたｋｈ１とｋｈ２を有する
表面弾性波素子（請求項５６〜６６に係る表面弾性波素
子）は、前出の第１の表面弾性波素子〜第５０表面弾性
波素子と同じく、Ｖ＞８０００ｍ／ｓの高い伝播速度
と、実用レベルのＫ2を有しているが、更に、第１〜第
５０の表面弾性波素子の中でも、特に好ましい範囲を限
定している。具体的には、−２０℃から８０℃までの周
波数変動が５００ｐｐｍ以内であり、すなわち温度１℃
当たり５ｐｐｍ以内となる。従って、第１〜第５０の表
面弾性波素子よりも更に厳密な温度安定性を求められる
場合には、これらの表面弾性波素子が好適である。な
お、上から順に（ＳｉＯ2保護層）／（櫛型電極）／
（ＺｎＯ圧電体層）／（ダイヤモンド）の積層構造を有
する表面弾性波素子を２次モードで用いる場合は、（Ｓ
ｉＯ2保護層）／（ＺｎＯ圧電体層）／（櫛型電極）／
（ダイヤモンド）の積層構造を有する表面弾性波素子を
１次モードで用いる場合よりも伝播損失が小さい利点も
併せ持つ。たとえば、２．５ＧＨｚ帯で温度安定性の良
い狭帯域フィルタを作製した場合、後者の構成では挿入
損失は少なくとも１０ｄＢ程度が限界であるが、前者の
構成では１０ｄＢ未満の挿入損失を実現できるようにな
る。
【０１３７】また、これらの図６（ａ）のタイプＡの層
構造を有する表面弾性波素子では、櫛型電極が、電力を
印加して弾性波を励振させる入力櫛形電極と該弾性波を
受信して電力を取り出す出力櫛形電極とを備え、入力櫛
型電極の対数Ｎｉと出力櫛型電極の対数Ｎｏの合計Ｎ
が、５０〜９０対であり、入力櫛形電極及び出力櫛形電
極の交差幅がそれぞれ、波長λに対して、１０λ〜５０
λの範囲にあることを特徴としてもよい。また、弾性波
の伝搬方向に対して入力櫛形電極と出力櫛形電極を挟む
ように配置された少なくとも２つの反射器電極を更に備
え、反射器電極の本数の合計が、２ｘ（１００−Ｎ）以
下であることを特徴としてもよい。
【０１３８】２．５ＧＨｚ帯の狭帯域フィルタの用途に
は、水晶（クオーツ）が基板材料として用いられるが、
この場合、電極部分（櫛型電極部分及び反射器電極部
分）の面積は最も小さい場合でも２００μｍ ｘ ４００
μｍのサイズであった。小型化の要請に応えるために素
子のサイズを小さくしようとすれば、この電極部分の面
積も更に小さくすることが求められる。素子の小型化
は、通信システムの小型軽量化に伴い、全ての電子部品
に強く要求されているものである。
【０１３９】また、従来の素子では２．５ＧＨｚ帯では
透過損失１０ｄＢ未満のものは未だ実現されていない
が、より低損失のものほどシステムへの利用の点で有利
になり望まれている。
【０１４０】ここで、電極を小さくすれば電極面積が小
さくなるのは自明の理であるが、水晶のような従来材料
では、電極の対の数（対数：ついすう）及び交差幅を小
さくすれば、素子のＱ値が６００未満と小さくなってし
まい、また、透過損失が１６ｄＢ程度以上に大きくなっ
てしまうといった問題があり、良好な素子特性を満たし
つつ電極面積を小さくすることには限界があった。ま
た、電極面積の大きい場合でも、２．５ＧＨｚ帯の高周
波において、損失＜１０ｄＢ未満、ＴＣＦ＜５ｐｐｍ／
℃、Ｑ≧６００であるような狭帯域特性を有するもの
は、従来材料では実現されていない。
【０１４１】そこで本発明者らは、鋭意検討の結果、ダ
イヤモンドを基板に用いる表面弾性波素子の場合は、ダ
イヤモンドと圧電体材料との複合体的特性が優れるた
め、電極の対数を従来よりも小さくしてもなおＱ値を高
くすることができ、また、透過損失を低く抑えることが
できることを見出した。そして、上記の積層構造と電極
パターンの組み合わせを採用することにより、従来品に
較べてより高い伝播速度、より高い温度安定性を実現
し、且つ、狭帯域素子に一般的に必要なＱ値≧６００の
条件を満たし、透過損失が６〜１０ｄＢと低損失を実現
しつつも、素子の電極部分のサイズを４０〜２００μｍ
ｘ ２００〜４００μｍ程度に小さくすることが可能と
なる。また、この構成においては、櫛型電極のフィンガ
を比較的太い線幅としてもなお十分な小型化を実現でき
るため、表面弾性波素子の歩留まりも高く維持できると
いう加工性の利点も併せ持つ。
【０１４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を構成する物質等に
着目して、本発明を詳細に説明する。
【０１４３】（ダイヤモンド）本発明では、天然型ダイ
ヤモンドと合成ダイヤモンドのいずれも使用可能であ
る。また、単結晶ダイヤモンドでも多結晶ダイヤモンド
でもアモルファスダイヤモンドでもよい。また、ダイヤ
モンド単体でもよいし、他の基材上に形成された薄膜で
もよい。
【０１４４】薄膜の場合は、その膜厚ｔが上記と同様の
膜厚ｔに関するパラメータｋｈ＝２π（ｔ／λ）＝４以
上となるような膜厚であることが好ましく、ｋｈ＝８以
上となるような膜厚であることが更に好ましい。その理
由は、このような膜厚のダイヤモンドを有する表面弾性
波素子は、表面弾性波の諸特性の変動が小さくなるから
である。
【０１４５】また、合成ダイヤモンドの場合は、ＣＶ
Ｄ、イオンプレーティング法、ＰＶＤ、熱フィラメント
法等、あらゆる製造方法を用いてこのダイヤモンドを合
成することができる。
【０１４６】（ＺｎＯ層）本発明に従った表面弾性波素
子のＺｎＯ層を構成するＺｎＯは、ｃ軸配向性ＺｎＯで
あることが好ましい。ここに、ｃ軸配向であるとは、Ｚ
ｎＯ膜の（００１）面が基板と平行であるように形成さ
れることをいう。形成されたＺｎＯ膜がｃ軸配向であり
また多結晶であれば、ＺｎＯの本来有する圧電性を充分
に利用した表面弾性波素子を実現することが可能とな
る。
【０１４７】（ＳｉＯ2 層）本発明に従った表面弾性波
素子では、ＳｉＯ2 層が、温度特性を良好なものにする
だけでなく、圧電体及び櫛型電極に対する保護膜として
も機能し、外部環境からの湿気及び不純物等の影響を著
しく低減する。
【０１４８】本発明に従った表面弾性波素子のＳｉＯ2
層を構成するＳｉＯ2 は、アモルファスであることが好
ましい。
【０１４９】また、ＳｉＯ2 層の表面弾性波の伝播速度
の温度変化と、ダイヤモンド及びＺｎＯ層のそれとが、
異符号になっている。具体的には、素子の温度が上昇す
れば、ＳｉＯ2 層の表面弾性波の伝播速度が増大する
が、ダイヤモンド及びＺｎＯ層では表面弾性波の伝播速
度は減少する。従って、ＳｉＯ2 がダイヤモンド及びＺ
ｎＯ層における伝播速度の温度変化を相殺し、その結
果、表面弾性波素子の伝播速度が温度変化に対しても安
定する。
【０１５０】（櫛型電極及び反射器電極）本発明の表面
弾性波素子に用いる櫛型電極（又はすだれ状電極ともい
う：interdigital transducer）は、圧電体の電気機械
変換により表面弾性波を励振しこれを受信するための要
素である。本発明の表面弾性波素子に含まれる櫛型電極
の典型的な構造の一例を、図２６（ａ）及び（ｂ）に示
す。図２６（ａ）はシングル電極の入力櫛型電極（又は
出力櫛型電極）の一部であり、（ｂ）はダブル電極の入
力櫛型電極（又は出力櫛型電極）の一部である。
【０１５１】櫛型電極は、電力を印加して弾性波を励振
するための入力櫛型電極と、弾性波を受信して電気エネ
ルギーを取り出すための出力櫛型電極とから構成され
る。また、これらの櫛型電極を挟み込むように、両側に
反射器電極（グレーティング反射器等）を配置し、櫛型
電極間で発生する弾性波を反射器電極の間で多重反射さ
せ定在波を発生させる表面弾性波共振器の構成をとって
もよい。これらの櫛型電極や反射器電極を構成する材料
は、導電性材料であればよく、加工性等の点からはアル
ミニウムが好ましく用いられる。
【０１５２】櫛型電極等にアルミニウムを用いた場合、
アルミニウム製の櫛型電極の表面弾性波の伝播速度の温
度変化は、ダイヤモンド及びＺｎＯ層のそれと同符号で
あり、ＳｉＯ2 層のそれとは異符号である。即ち、素子
の温度が上昇すれば、ＳｉＯ2 層の表面弾性波の伝播速
度が増大し、ダイヤモンド、ＺｎＯ層及びアルミニウム
製櫛型電極における表面弾性波の伝播速度は減少する。
【０１５３】（短絡用電極）電界を等電位的とするため
の短絡用電極は、一般的には金属をその材質とする。更
に形成の都合を考慮すれば、アルミニウム、金、金−銅
等の金属薄膜電極であることが好ましい。
【０１５４】短絡用電極の厚さに特に制約はないが、５
０〜３、０００オングストローム程度の厚さであること
が好ましい。５０オングストロームに満たないと等電位
の形成が困難となり、また、３，０００オングストロー
ムを越えれば、表面弾性波の特性に影響を及ぼすように
なる。厚くなるほど、伝搬損失は低下してくるため、５
０〜５００オングストローム程度が更に好ましい。
【０１５５】
【実施例】以下、添付した図面を参照して、本発明の実
施例を説明する。尚、添付した図面において、同一の要
素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０１５６】本発明では、最適な伝播速度Ｖ、電気機械
結合係数Ｋ2 、温度周波数特性ＴＣＦ並びに伝搬損失を
与えるような、圧電体であるＺｎＯ層と保護層のＳｉＯ
2 層の厚さの最適化を、櫛型電極の厚さを考慮しつつ行
った。評価結果を以下に開示する。
【０１５７】（実施例１）本実施例１では、図６（ａ）
に示されるタイプＡの構造を有する表面弾性波素子を作
製した。図６（ａ）に示されるように、本実施例の表面
弾性波素子１０ａは、ダイヤモンド層１２の上にＺｎＯ
層１４が形成される。ＺｎＯ層１４の上には櫛型電極２
０が形成され、更にこれらを覆うようにＳｉＯ2 層が形
成されて、表面弾性波素子をなす。
【０１５８】本実施例では、伝播速度Ｖ、電気機械結合
係数Ｋ2 、周波数温度特性ＴＣＦ並びに伝搬損失の諸性
質を最適化するため、ダイヤモンド１２上に形成するＺ
ｎＯ膜１４、ＳｉＯ2 膜１６及び櫛型電極２０の厚さを
変えて複数の表面弾性波素子を作製し、それぞれについ
て２次モードのＶ、Ｋ2 、ＴＣＦ及び伝搬損失を測定し
た。
【０１５９】具体的には、ダイヤモンド層１２の厚さを
２０μｍとし、ＺｎＯ層１４の厚さは、０．２０〜２．
５μｍの範囲で２０種類、Ａｌ櫛型電極の厚さを、シン
グル電極用及びダブル電極用として２１０オングストロ
ーム〜４６００オングストロームで２０種類、ＳｉＯ2
層１６の厚さは、０．１５〜２．０μｍの範囲で２０種
類とした。また、ＺｎＯ膜の厚さｔZ 、Ａｌ櫛型電極の
厚さｔA 及びＳｉＯ2膜の厚さｔS を、表面弾性波の波
長λに対して相対的に表現するため、以下のパラメー
タ： ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） を用いた。
【０１６０】本実施例の表面弾性波素子は、以下のよう
に作製された。
【０１６１】１０×１０×１ｍｍの寸法をもち、（１０
０）面を有するＳｉ基板を準備し、これをマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置のチャンバ内に搬入した。まず、チャ
ンバ内を脱気して、反応室温にＨ2 ：ＣＨ4 ＝２００：
１の混合ガスを導入した。次いで、チャンバ内圧力が約
４０Ｔｏｒｒ、基板温度が８５０℃、マイクロ波パワー
が４００Ｗのマイクロ波プラズマ条件下で、上記のＳｉ
基板上に厚さ２０μｍのダイヤモンド薄膜１２を堆積さ
せた。ダイヤモンドの堆積速度は、約１．０μｍ／ｈｒ
であった。次いで、ダイヤモンドが堆積されたＳｉ基板
をチャンバから取り出し、大気中に４５０℃で１０分間
放置してダイヤモンド薄膜の抵抗値を高めた。
【０１６２】次に、ダイヤモンド薄膜１２の表面を研磨
した後、基板をマグネトロンスパッタリング装置のチャ
ンバ内に搬入し、チャンバ内にＡｒ：Ｏ2 ＝１：１の混
合ガスを流しつつ、スパッタ出力１５０Ｗ、基板温度３
８０℃のスパッタリング条件下で、ＺｎＯ多結晶体のタ
ーゲットをスパッタし、ダイヤモンド薄膜１２上にＺｎ
Ｏ膜１４を堆積させた。ＺｎＯの堆積速度は、１．８μ
ｍ／ｈｒであった。堆積速度を１．８μｍ／ｈｒ一定と
し、堆積時間を調節することにより、堆積するＺｎＯ層
の厚さを上記の範囲の２０種類に調節した。
【０１６３】そして、ＺｎＯ膜１４の上に、アルミニウ
ム（Ａｌ）層を抵抗加熱法により蒸着した。Ａｌ層の厚
さも、ＺｎＯ層の厚さの調節と同様に、堆積速度を一定
として、堆積時間を調節することにより、堆積するＡｌ
層の厚さを上記の範囲の２０種類に調節した。次いで、
フォトリソグラフィー及びエッチングにより、線幅１μ
ｍのダブル電極構造をもち波長８μｍを実現する交差幅
４００μｍと、線幅１μｍのシングル電極構造をもち波
長４μｍを実現する交差幅２００μｍの、２種類の櫛型
電極２０を形成した。
【０１６４】次いで、基板温度：１５０℃、高周波パワ
ー：２００Ｗ、ガス：Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１の混合ガス、
圧力：０．０１Ｔｏｒｒ、ターゲット：ＳｉＯ2 の条件
のスパッタリングによって、上記所定の厚さの非晶質Ｓ
ｉＯ2 膜１６を形成した。ＳｉＯ2 の厚さについても、
堆積速度を０．５４μｍ／ｈｒ一定とし、堆積時間を調
節することにより、堆積する厚さを上記の範囲の２０種
類に調節した。
【０１６５】以上のように、図６（ａ）に示される構造
を有し、ＳｉＯ2 層及びＺｎＯ層の厚さの異なる表面弾
性波素子を作製した。そして、これらの各表面弾性波素
子の入力側電極に高周波電力を印加して２次モードの表
面弾性波を励起させ、Ｖ＝ｆλ（ｆ：中心周波数，シン
グル電極の場合は、λ＝４ｄ＝４μｍ，ダブル電極の場
合はλ＝８ｄ＝８μｍ，ｄ：線幅＝１μｍ）の関係か
ら、励起された表面弾性波の伝播速度を求めた。各表面
弾性波素子の電気機械結合係数Ｋ2 は、ネットワークア
ナライザ（横河ヒューレットパッカード社製、８７９１
Ａ）を用いて２次モードにおいて測定された各表面弾性
波素子の櫛型電極の放射コンダクタンスの実部Ｇに基づ
き、 Ｋ2 ＝Ｇ／（８・ｆ0 ・Ｃ・Ｎ） （ｆ0 ：中心周波数，Ｃ：櫛型電極の全静電容量，Ｎ：
櫛型電極の対の数）として求められた。
【０１６６】更に、ＴＣＦの測定は次の通りである。素
子をヒーターで加熱して、室温〜７０℃まで変化させ、
１０℃おきに中心周波数を測定したところ直線関係が得
られ、この直線の傾きからＴＣＦが測定された。
【０１６７】更に、伝搬損失を測定するために、素子の
入出力電極間距離の異なる表面弾性波素子を作製し（電
極間距離：５０波長，１００波長，１５０波長）、特定
の伝搬距離に対して、素子の挿入損失と距離の関係を評
価したところ、直線関係が得られ、この直線の傾きか
ら、一波長当たりの伝搬損失が得られた。
【０１６８】また、各表面弾性波素子のＺｎＯ層の正確
な厚さｔZ 及びＳｉＯ2 層の正確な厚さｔS は、上記の
各パラメータ測定後、素子を切断し、この切断面をＳＥ
Ｍで観察することにより求められた。そして、このｔZ
及びｔS からｋｈ１及びｋｈ２を求め、対応するパラメ
ータの結果を評価した。ここで、ｋｈは、層の厚さｔ及
び表面弾性波の波長λに対してｋｈ＝２π（ｔ／λ）で
与えられるパラメータである。
【０１６９】本実施例により作製された表面弾性波素子
について、ＺｎＯ層１４の厚さとＳｉＯ2 層１６の厚さ
に対する電気機械結合係数Ｋ2 の変化を図７に表した。
図７は、電気機械結合係数Ｋ2 のｋｈ１及びｋｈ２との
関係を表すグラフであり、縦軸にｋｈ２（ｋｈ ｏｆ
ＳｉＯ2 ）、横軸にｋｈ１（ｋｈ ｏｆ ＺｎＯ）をと
り、電気機械結合係数Ｋ2 をパラメータとしたｋｈ１と
ｋｈ２との関係を表現した。従って、グラフの各曲線に
付随する数字は、この曲線に対応する電気機械結合係数
Ｋ2 の値であり、これらの単位は（％）である。なお、
図７のＫ2 の分布のグラフは、ｋｈ３の値にかかわらず
得られたものである。
【０１７０】また、伝播速度Ｖ（ｍ／ｓｅｃ．）及び周
波数温度特性ＴＣＦ（ｐｐｍ／℃）に関しても、ＺｎＯ
層１４の厚さとＳｉＯ2 層１６の厚さに対する変化を評
価した。Ｖ及びＴＣＦに関しては、Ａｌ櫛型電極のｋｈ
であるｋｈ３に応じて変化しており、そのうち代表的な
測定結果をグラフに示す。図１４は、ｋｈ３＝０．０６
６の場合の伝播速度Ｖを与えるｋｈ１（ｋｈ ｏｆ Ｚ
ｎＯ）及びｋｈ２（ｋｈ ｏｆ ＳｉＯ2 ）の分布を示
し、同様に、図１５はｋｈ３＝０．１３２の場合のＶ、
図１６はｋｈ３＝０．１９８の場合のＶ、図１７はｋｈ
３＝０．２６４の場合のＶ、図１８はｋｈ３＝０．３３
０の場合のＶを示している。また、ＴＣＦについては、
図１９は、ｋｈ３＝０．０６６の場合の周波数温度特性
ＴＣＦを与えるｋｈ１及びｋｈ２の分布を示し、同様
に、図２０はｋｈ３＝０．１３２の場合のＴＣＦ、図２
１はｋｈ３＝０．１９８の場合のＴＣＦ、図２２はｋｈ
３＝０．２６４の場合のＴＣＦ、図２３はｋｈ３＝０．
３３０の場合のＴＣＦを示している。
【０１７１】更に、通過帯域中心周波数２ＧＨｚについ
て測定された伝搬損失は、１次モードに対しては０．０
５ｄＢ／波長、２次モードに対しては０．０３ｄＢ／波
長であった。
【０１７２】（実施例２〜７）実施例１と同様の方法及
び条件で、表面弾性波素子を作製した。実施例２とし
て、図６（ｂ）に示されるタイプＢの構成の表面弾性波
素子１０ｂを作製した。また、実施例３として、図６
（ｃ）に示されるタイプＣの構成の表面弾性波素子１０
ｃを、実施例４として、図６（ｄ）に示されるタイプＤ
の構成の表面弾性波素子１０ｄを、実施例５として、図
６（ｅ）に示されるタイプＥの構成の表面弾性波素子１
０ｅを、実施例６として、図６（ｆ）に示されるタイプ
Ｆの構成の表面弾性波素子１０ｆを、実施例７として、
図６（ｇ）に示されるタイプＧの構成の表面弾性波素子
１０ｇを、それぞれ作製した。
【０１７３】ここで、各実施例によって櫛型電極の配置
が異なるが、実施例２（タイプＢ）、３（タイプＣ）及
び４（タイプＤ）では、実施例１と同様にＺｎＯ層１４
形成後にＺｎＯ層１４上に実施例１と同様に櫛型電極２
０を形成した。また、実施例５（タイプＥ）、６（タイ
プＦ）及び７（タイプＧ）では、ダイヤモンド層１２を
形成しダイヤモンド層１２表面を研磨後、ＺｎＯ層１４
の形成の前に、実施例１と同様のプロセスにより櫛型電
極２０を形成した。そして、この櫛型電極２０を覆うよ
うに、ダイヤモンド層１２の上にＺｎＯ層１４を形成し
た。
【０１７４】また、タイプＢ、タイプＣ、タイプＤ、タ
イプＦ及びタイプＧには、短絡用電極２２、２４が形成
されている。この短絡用電極２２、２４の形成は以下の
通りであった。実施例２（タイプＢ）及び６タイプ（タ
イプＦ）ではダイヤモンド層１２形成しその表面を研磨
した後、厚さ５０〜２００オングストローム程度のアル
ミニウムの層を抵抗加熱法により蒸着し、これをフォト
リソグラフィーにより加工して、櫛型電極が形成される
領域に対応するように短絡用電極２２が形成された。実
施例３（タイプＣ）及び７（タイプＧ）では、ＳｉＯ2
層１６形成後に、ＳｉＯ2 層１６の上に、実施例２と同
様のプロセスで、形成された櫛型電極２０の領域に対応
するように短絡用電極２２を形成した。また、実施例４
では、実施例２と同様のプロセスにより、ダイヤモンド
層１２の上に短絡用電極２２を、ＺｎＯ層１６の上に短
絡用電極２４をそれぞれ形成した。これら短絡用電極２
２、２４は共に、櫛型電極２０の領域に対応するように
形成されている。
【０１７５】実施例２〜７のいずれにおいても実施例１
同様に、伝播速度Ｖ、電気機械結合係数Ｋ2 、周波数温
度特性ＴＣＦ並びに伝搬損失の諸性質を最適化するた
め、ダイヤモンド上に形成するＺｎＯ膜及びＳｉＯ2 膜
の厚さを変えて複数の表面弾性波素子を作製し、それぞ
れについて２次モードのＶ、Ｋ2 、ＴＣＦ及び伝搬損失
を測定した。具体的には、実施例１と同じく、ダイヤモ
ンドの厚さを２０μｍとし、ＺｎＯ膜の厚さは、０．２
０〜２．５μｍの範囲で２０種類、Ａｌ櫛型電極の厚さ
を２１０オングストローム〜４６００オングストローム
で２０種類、ＳｉＯ2 膜の厚さは、０．１５〜２．０μ
ｍの範囲で２０種類とした。実施例２〜７の何れにおい
ても、ＺｎＯ層の厚さ、ＳｉＯ2 層の厚さ及びＡｌ櫛型
電極の厚さは、実施例１と同様に、堆積時間を調節する
ことにより調節された。また、表面弾性波の波長λに対
してＺｎＯ膜の厚さｔZ 、 ＳｉＯ2 膜の厚さｔS 及び
アルミニウム櫛型電極の厚さｔAを相対的に表現するパ
ラメーターとして、実施例１と同様に、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ）、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） を用いた。
【０１７６】そして、実施例１と同様の方法で、得られ
た表面弾性波素子の電気機械結合係数Ｋ2 を測定した。
そして、作製された表面弾性波素子について、ＺｎＯ層
１４の厚さとＳｉＯ2 層１６の厚さに対する電気機械結
合係数Ｋ2 の変化を図８〜１３に表した。図８〜１３
は、電気機械結合係数Ｋ2 のｋｈ１（ｋｈ ｏｆ Ｚｎ
Ｏ）及びｋｈ２（ｋｈ ｏｆ ＳｉＯ2 ）の関係を表す
グラフであり、図８は実施例２（タイプＢ）、図９は実
施例３（タイプＣ）、図１０は実施例４（タイプＤ）、
図１１は実施例５（タイプＥ）、図１２は実施例６（タ
イプＦ）、そして、図１３は実施例７（タイプＧ）にお
ける電気機械結合係数Ｋ2 とｋｈ１及びｋｈ２の関係を
表す。
【０１７７】また、伝播速度Ｖ及び周波数温度特性ＴＣ
Ｆに関しても、ＺｎＯ層１４の厚さとＳｉＯ2 層１６の
厚さに対する変化を評価した。実施例２〜７で得られた
Ｖのｋｈ１及びｋｈ２との関係は、実施例１で得られた
ものと同一の結果が得られた。従って、これは代表的な
ｋｈ３毎に図１４〜１８に表される。また、ＴＣＦのｋ
ｈ１及びｋｈ２との関係も、代表的なｋｈ３毎の図１９
〜２３に表されるように、実施例１で得られたものと同
一の結果が得られた。
【０１７８】更に、測定された伝搬損失は、実施例１と
同じく、１次モードに対しては０．０５ｄＢ／波長、２
次モードに対しては０．０３ｄＢ／波長であった。
【０１７９】（実施例１〜７の結果に基づく評価）以上
のように、表面弾性波素子を構成する圧電体部分のＺｎ
Ｏ層１４の厚さと、保護層であるＳｉＯ2 層１６の厚さ
との最適化が、Ａｌ櫛型電極の厚さを考慮しつつ、様々
な電極配置において行われた。これらを総合的に評価
し、本発明に従った構成を有する表面弾性波素子に対し
て、最適なｋｈ１とｋｈ２の関係を求め、入力信号の波
長に応じた最適なＺｎＯ層１４の厚さとＳｉＯ2 層１６
の厚さとを求めた。
【０１８０】図１〜５は、実施例１〜７の結果に基づい
て決定されたｋｈ１とｋｈ２の最適値を、ｋｈ３の厚さ
の範囲毎に表すグラフである。
【０１８１】図７〜図２３に示される、本発明に従った
表面弾性波素子のＫ2 、Ｖ及びＴＣＦの結果を総合的に
評価した結果、Ａｌ櫛型電極の厚さｔA のパラメータで
あるｋｈ３の範囲毎に、ｋｈ１及びｋｈ２の最適値の範
囲が与えられた。ｋｈ３が０．０３３〜０．０９９の場
合の最適なｋｈ１（ｋｈ ｏｆ ＺｎＯ）及びｋｈ２
（ｋｈ ｏｆ ＳｉＯ2 ）を図１に示した。ｋｈ３が
０．０９９〜０．１６５の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ
２を図２に示した。ｋｈ３が０．１６５〜０．２３１の
場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を図３に示した。ｋｈ３
が０．２３１〜０．２９７の場合の最適なｋｈ１及びｋ
ｈ２を図４に示した。ｋｈ３が０．２９７〜０．３６３
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を図５に示した。
【０１８２】ｋｈ３が（０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９
９）の範囲にある場合は、図１の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬの１２点が与えら
れ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−Ｂ−
Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ａの線上
を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ２で与え
られる点が入るように、表面弾性波素子を構成すればよ
いことが見出された。更に好ましくは、図１において点
ＡＢＩＪＫＬの６点を順に線分で結ぶ同様に囲まれた閉
じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素子のｋｈ１と
ｋｈ２で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を
構成すればよい。
【０１８３】ｋｈ３が（０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６
５）の範囲にある場合は、図２の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭの１３点が与え
られ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−Ｂ
−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ｍ−Ａ
の線上を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ２
で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を構成す
ればよいことが見出された。更に好ましくは、図２にお
いて点ＡＢＣＮＪＫＬＭの８点を順に線分で結ぶ同様に
囲まれた閉じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素子
のｋｈ１とｋｈ２で与えられる点が入るように、表面弾
性波素子を構成すればよい。
【０１８４】ｋｈ３が（０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３
１）の範囲にある場合は、図３の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭの１３点が与え
られ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−Ｂ
−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ｍ−Ａ
の線上を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ２
で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を構成す
ればよいことが見出された。更に好ましくは、図３にお
いて点ＡＢＮＯＪＫＬＭの８点を順に線分で結ぶ同様に
囲まれた閉じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素子
のｋｈ１とｋｈ２で与えられる点が入るように、表面弾
性波素子を構成すればよい。
【０１８５】ｋｈ３が（０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９
７）の範囲にある場合は、図４の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮの１４点が与
えられ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−
Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ｍ−
Ｎ−Ａの線上を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１と
ｋｈ２で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を
構成すればよいことが見出された。更に好ましくは、図
４において点ＡＯＰＫＬＭの７点を順に線分で結ぶ同様
に囲まれた閉じた領域の線上を含む内部に表面弾性波素
子のｋｈ１とｋｈ２で与えられる点が入るように、表面
弾性波素子を構成すればよい。
【０１８６】ｋｈ３が（０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６
３）の範囲にある場合は、図５の２次元直交座標グラフ
において点ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬの１２点が与えら
れ、隣接する点と点を結ぶ線分で囲まれた領域Ａ−Ｂ−
Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｊ−Ｋ− Ｌ−Ａの線上
を含む内部に、表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ２で与え
られる点が入るように、表面弾性波素子を構成すればよ
いことが見出された。更に好ましくは、図５において点
ＬＭＪＫの４点を順に線分で結ぶ同様に囲まれた閉じた
領域の線上を含む内部に表面弾性波素子のｋｈ１とｋｈ
２で与えられる点が入るように、表面弾性波素子を構成
すればよい。
【０１８７】ｋｈ３の各範囲に対してｋｈ１とｋｈ２が
上記の範囲にある場合に実現される表面弾性波素子の
Ｖ、ＴＣＦ、Ｋ2 等の動作性能は、評価結果である図７
〜図２３のグラフを参照すれば明らかであり、これら
は、前記の［課題を解決するための手段］で、それぞ
れ、タイプＡ、タイプＢ、タイプＣ、タイプＤ及びタイ
プＦの層構造について述べた通りである。
【０１８８】図２７は、本発明に従って作製された表面
弾性波素子５０を実装したパッケージの一例を示す図で
ある。図２７（ａ）は、蓋を開けた状態でのパッケージ
５８の上面図であり、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は底
面図である。パッケージ５８には、電極用パッド６２ａ
〜ｆが具備されている。本発明の表面弾性波素子５０
は、パッケージ５８の底部の中央附近に載置されてい
る。表面弾性波素子５０の櫛型電極５２からの入出力の
ため、電極５４ａ、５４ｂ、５４ｃ及び５４ｄが配置さ
れている。電極５４ａ、５４ｂ、５４ｃ及び５４ｄから
は、ワイヤ５６により電極用パッド６２へと接続され
る。側面断面図である（ｂ）に示されるように、蓋６０
がパッケージ５８に鑞付けされる。
【０１８９】このようにパッケージングされた本発明の
表面弾性波素子は、例えば、光通信用フィルタ等として
の使用に供される。
【０１９０】（実施例８）次に、これらの表面弾性波素
子の温度安定性を更に高めることを目的として行った検
討について説明する。
【０１９１】前述の実施例１と同様に、図６（ａ）に示
されるタイプＡの積層構造を有する表面弾性波素子を作
製したが、このとき、ｋｈ１及びｋｈ２について実施例
１で得られた範囲を更に絞り込む検討を行うため、表面
弾性波素子もそのように作製した。得られた表面弾性波
素子について、実施例１と同様の方法で。ＴＣＦを評価
した。
【０１９２】２次モードの表面弾性波の波長λに対する
櫛型電極の厚さｔAについて定義される無次元厚さｋｈ
３＝２π（ｔA／λ）を、０．０４４，０．０６６，
０．０９９，０．１３２，０．１９８，０．２６４の６
種類を検討範囲とし、このそれぞれに対して、２次モー
ドの表面弾性波の波長λに対するＺｎＯの厚さｔZの無
次元厚さであるｋｈ１＝２π（ｔZ／λ）を、０．６０
０，０．８００，０．９００，１．０００，１．１０
０，１．２００，１．４００の７種類とし、そのとき、
−２０〜８０℃のＴＣＦの変化が５００ｐｐｍ以内とな
るよう、ＳｉＯ2の厚さｔSの無次元厚さであるｋｈ２＝
２π（ｔZ／λ）を求めた。
【０１９３】図２９〜図３４は、本実施例で得られた表
面弾性波素子についてのＴＣＦ測定結果の一部を例示す
るグラフであり、その内容とＴＣＦの温度変動は、以下
に示す通りである： ｋｈ３ ｋｈ１ ｋｈ２ -20〜80℃の周波数変動幅 図２９ ０．０９９ ０．８ ０．７５８ １００ｐｐｍ； 図３０ ０．０９９ １．０ ０．８３２ １３０ｐｐｍ； 図３１ ０．０９９ １．２ ０．９３０ １００ｐｐｍ； 図３２ ０．０４４ １．０ ０．７５９ １００ｐｐｍ； 図３３ ０．０６６ １．０ ０．７８９ ２００ｐｐｍ； 図３４ ０．１３２ １．０ ０．８７７ １００ｐｐｍ。
【０１９４】図２９〜３４にも示されるように、このｋ
ｈ１、ｋｈ２及びｋｈ３の組み合わせでは、−２０〜８
０℃の周波数変動幅は１００〜２００ｐｐｍと非常に小
さく良好な結果が得られた。ここに図示した以外の上記
のｋｈ３とｋｈ１の組み合わせに関しても同様に周波数
変動幅が１００〜２００ｐｐｍとなるようなｋｈ２をそ
れぞれ得ることができた。
【０１９５】このように、上記６種類のｋｈ３の値に対
して得られたｋｈ１とｋｈ２の値を、図２８に示す。
【０１９６】図２８は、横軸にｋｈ１、縦軸にｋｈ２を
とるグラフであり、本実施例における検討の結果、上記
６種類のｋｈ３に対して上記のような小さな周波数変動
幅を与えるように得られたｋｈ１とｋｈ２の組み合わせ
を示すグラフである。このグラフにおける各点の座標
（ｋｈ１，ｋｈ２）は、次の表１〜表６の通りである。
【０１９７】
【表１】
【０１９８】
【表２】
【０１９９】
【表３】
【０２００】
【表４】
【０２０１】
【表５】
【０２０２】
【表６】 各ｋｈ３に対し、図２８と表１に示される各点をｋｈ３
の値に毎に結んだ線（以下、「基本組み合わせ線」と称
する）にｋｈ１とｋｈ２があれば、非常に優れた温度安
定性を示すことになる。
【０２０３】次に、優れた温度安定性（周波数変動幅が
５００ｐｐｍ以下）を得るためには、このように非常に
優れた温度安定性（１００〜２００ｐｐｍ）を示す基本
組み合わせ線からどの程度までの変化が許容されるかの
検討を行った。図３５〜図３８は、ｋｈ３＝０．０６
６、ｋｈ１＝１．０の場合において、−２０〜８０℃の
周波数変動幅が５００ｐｐｍとなるようなｋｈ２の範囲
を求めた実験の結果を表すグラフである。これらのグラ
フにおけるｋｈ２と周波数変動幅を以下に示す。
【０２０４】 ｋｈ３ ｋｈ１ ｋｈ２ -20〜80℃の周波数変動幅 図３５ ０．０６６ １．０ ０．７１０ ４００ｐｐｍ； 図３６ ０．０６６ １．０ ０．７５０ ２００ｐｐｍ； 図３７ ０．０６６ １．０ ０．８２８ １５０ｐｐｍ； 図３８ ０．０６６ １．０ ０．８６８ ４００ｐｐｍ。
【０２０５】図３３の結果と図３５〜３８の結果から明
らかなように、ｋｈ３＝０．０６６、ｋｈ１＝１．０の
場合は、図２８の基本組み合わせ線上の点Ｄ２：ｋｈ２
＝０．７８９（図３３）から＋／−１０％増減した範囲
にｋｈ２があれば、−２０℃〜８０℃の周波数変動幅が
５００ｐｐｍ以内と小さくすることができた。ｋｈ３＝
０．０６６の他の基本組み合わせ線上の点Ａ２、Ｂ２、
Ｃ２、Ｅ２、Ｆ２及びＧ２についても、同様の評価を行
った結果、これらの点からｋｈ２が＋／−１０％増減し
た範囲にあれば、−２０℃〜８０℃の周波数変動幅が５
００ｐｐｍ以内と小さくすることが確認された。
【０２０６】同様に、ｋｈ３＝０．０４４，０．０９
９，０．１３２，０．１９８，０．２６４についても、
これらに対応する基本組み合わせ線を構成する各点から
ｋｈ２が＋／−１０％増減した範囲にあれば、−２０℃
〜８０℃の周波数変動幅が５００ｐｐｍ以内と小さくす
ることが確認された。
【０２０７】更に、０．０４４〜０．０６６のｋｈ３に
対して、これらに相当する２つの基本組み合わせ線に対
してｋｈ２を線形補完することにより、補完基本組み合
わせ線（Ａ１２−Ｂ１２−Ｃ１２−Ｄ１２−Ｅ１２−Ｆ
１２−Ｇ１２）を得ることができ、この補完基本組み合
わせ線を構成する各点からｋｈ２が＋／−１０％増減し
た範囲にあれば、−２０℃〜８０℃の周波数変動幅が５
００ｐｐｍ以内と小さくすることが確認された。
【０２０８】（実施例９）本実施例では、良好な素子特
性を満たしつつ素子のサイズの小型化を図ることを目的
として、本発明の表面弾性波素子の積層構造と電極パタ
ーンとの組み合わせに着目した検討を行った。
【０２０９】図３９（ａ）は、本実施例で採用した電極
部分を例示する平面図である。図３９（ａ）に示される
ように、この電極部分は、入力櫛型電極１００と、入力
櫛型電極１００に対向する出力櫛型電極１１０とを備え
ている。入力櫛型電極１００は、平行に配置される２本
のバスバー１０２と、一方のバスバー１０２から他方の
バスバー１０２の方へと伸びるフィンガ１０４とから構
成される。出力櫛型電極１１０も入力櫛型電極と同様
に、バスバー１１２と、フィンガ１１４とから構成され
る。出力櫛型電極１１０は、入力櫛型電極１００により
励振された弾性波の伝播方向に配置される。一方のバス
バー１０２から伸びるフィンガ１０４は、他方のバスバ
ーから伸びるフィンガと交互に配置される。一方のバス
バーから伸びるフィンガと他方のバスバーから伸びるフ
ィンガの対の数を、櫛型電極の対数（ついすう）と称す
る。また、入力櫛型電極と出力櫛型電極の重なり合う長
さを交差幅という。フィンガの幅を線幅、フィンガの中
心間の距離を電極間距離という。入力櫛型電極により発
生する弾性波の波長λは、この電極間距離の２倍に等し
い。１つのフィンガの端と隣のフィンガの端との距離を
線間という。これらの定義は、図３９（ｂ）のフィンガ
の部分の拡大図に模式的に示される。なお、図３９
（ａ）では、櫛型電極と反射器全てが弾性波の進行方向
に対して同じ幅を有するように図示されているが、これ
らの幅は、同じでなくともよい。
【０２１０】本実施例の電極部分では、入力櫛型電極１
００と出力櫛型電極１１０を挟み込むように、それぞれ
両側に、反射器電極１２０及び１３０が配置される。櫛
型電極間で発生する弾性波が両反射器電極の間で多重反
射することにより、定在波が発生する。反射器電極１２
０は、櫛型電極と異なり、フィンガ１２４が２つのバス
バー１２２をつないでいる。
【０２１１】本実施例では、図６（ａ）のタイプＡに各
層の厚さを以下の通りとした構造１〜構造４の積層構造
に対して、以下の１２通りの電極パターンの、総計４８
種の表面弾性波素子を作製し、これらの表面弾性波素子
の透過損失とＱ値を調べた。
【０２１２】積層構造： 〔構造１〕 ダイヤモンド膜（多結晶膜、ＣＶＤ法）厚さ３０μｍ ＺｎＯ膜（ｃ軸配向多結晶膜、スパッタリング法）厚さ
0.688μｍ（kh1=1.2） ＳｉＯ2膜（アモルファス膜、スパッタリング法）厚さ
0.496μｍ（kh2=0.866） Ａｌ電極膜（多結晶膜、スパッタリング法）厚さ0.027
μｍ（kh3=0.044） 〔構造２〕 ダイヤモンド膜（多結晶膜、ＣＶＤ法）厚さ３０μｍ ＺｎＯ膜（ｃ軸配向多結晶膜、スパッタリング法）厚さ
0.63μｍ（kh1=1.1） ＳｉＯ2膜（アモルファス膜、スパッタリング法）厚さ
0.48μｍ（kh2=0.837） Ａｌ電極膜（多結晶膜、スパッタリング法）厚さ0.038
μｍ（kh3=0.066） 〔構造３〕 ダイヤモンド膜（多結晶膜、ＣＶＤ法）厚さ３０μｍ ＺｎＯ膜（ｃ軸配向多結晶膜、スパッタリング法）厚さ
0.573μｍ（kh1=1.0） ＳｉＯ2膜（アモルファス膜、スパッタリング法）厚さ
0.477μｍ（kh2=0.832） Ａｌ電極膜（多結晶膜、スパッタリング法）厚さ0.057
μｍ（kh3=0.099） 〔構造４〕 ダイヤモンド膜（多結晶膜、ＣＶＤ法）厚さ３０μｍ ＺｎＯ膜（ｃ軸配向多結晶膜、スパッタリング法）厚さ
0.516μｍ（kh1=0.9） ＳｉＯ2膜（アモルファス膜、スパッタリング法）厚さ
0.48μｍ（kh2=0.837） Ａｌ電極膜（多結晶膜、スパッタリング法）厚さ0.076
μｍ（kh3=0.132） 電極パターン 〔電極１〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝２０対（合
計４０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極２〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝２５対（合
計５０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極３〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極４〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝４０対（合
計８０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極５〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝４５対（合
計９０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極６〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝５０対（合
計１００対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝１５λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極７〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝５λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極８〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝１０λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極９〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝３０λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極１０〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝４０λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極１１〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝５０λ 電極間距離＝３．５μｍ 〔電極１２〕 電極線幅＝線間＝０．９μｍ（λ＝３．６μｍ） 櫛型電極フィンガ対数（入力側＝出力側）＝３０対（合
計６０対） 反射器フィンガ本数＝入力側、出力側それぞれ２０本
（合計４０本） 交差幅＝６０λ 電極間距離＝３．５μｍ。
【０２１３】これらを組み合わせた４８種の表面弾性波
素子の透過損失とＱ値の結果を、表７〜表２０に示す。
【０２１４】
【表７】
【０２１５】
【表８】
【０２１６】
【表９】
【０２１７】
【表１０】 ここで、透過損失の測定は次のように行った。各素子の
入出力電極間の透過電力の周波数依存性（いわゆるＳ２
１特性）をネットワークアナライザで測定し、２．４〜
２．６ＧＨｚ付近に現れた２次モードのピークに関し
て、そのピークの最小挿入損失を測定し、これを透過損
失とした。
【０２１８】また、この測定結果において、最小挿入損
失となる周波数（＝中心周波数ｆ0）と、最小挿入損失
から３ｄＢだけ損失が大きくなる周波数（低周波側の周
波数をｆＬ、高周波側の周波数をｆＵとする）を求めて
３ｄＢダウンの帯域幅（ｆＵ−ｆＬ）を計算し、ピーク
の鋭さの指標であるＱ値をＱ＝ｆ0／（ｆＵ−ｆＬ）と
して求めた。
【０２１９】本発明のような構成を有する表面弾性波素
子を、狭帯域フィルタや共振器として応用しようとする
場合、Ｑ値は６００以上が必要である。また、透過損失
が１０ｄＢ未満になれば、従来知られている表面弾性波
素子よりも低いために有意義である。
【０２２０】表７〜１０に示された評価結果によれば、
対数が２５より小さくなる（電極パターン１）と、Ｑ値
が６００よりも小さくなることがわかった。また、対数
が５０を超える（電極パターン６）と、透過損失が１０
ｄＢを超えてしまうことがわかった。
【０２２１】また、交差幅が１０λ（λ：波長）よりも
小さくなる（電極パターン７）と、透過損失が１０ｄＢ
を超えることが見出された。また、交差幅が５０λを超
える（電極パターン１２）と、Ｑ値が６００よりも小さ
くなることも見出された。
【０２２２】ところで、パッケージング後の帯域外抑圧
はレベルが高いことが望まれるが、上記の素子において
は、従来の水晶素子におけるレベルや、上からＳｉＯ２
／ＩＤＴ／ＺｎＯ／ダイヤモンドの順の積層構造を有す
る素子のレベルよりも小さくすることができた。
【０２２３】また、従来の水晶素子や、上からＳｉＯ２
／ＩＤＴ／ＺｎＯ／ダイヤモンドの順の積層構造を有す
る素子では、素子をパッケージングした際の３ＧＨｚに
おける透過電力抑圧は−４０ｄＢまでであるが、本実施
例に係る素子では、−４５ｄＢを達成することができ
た。
【０２２４】更に、本実施例に係る素子では、伝播速度
は９０００ｍ／ｓという高い伝播速度を活用できてい
る。また、線幅が０．９μｍという太い線幅にもかかわ
らず、２．５ＧＨｚの中心周波数を実現することができ
た。即ち、太い線幅の構成を採用して歩留まりを高くし
つつも、高い中心周波数を得ることが可能になった。ち
なみに、水晶では、２．５ＧＨｚの中心周波数を実現す
るためには、線幅を０．５μｍ以下にしなければなら
ず、この線幅で加工するためには、高度な微細加工が必
要となる。
【０２２５】また、中心周波数の温度に対する変動に関
しても、−２０〜８０℃の周波数温度変動幅が１００〜
２００ｐｐｍと非常に小さく抑えることができた。
【０２２６】
【発明の効果】以上詳細に説明をしてきたように、本発
明の表面弾性波素子は、ダイヤモンド上にＺｎＯ層が形
成された構造を有する表面弾性波素子において、良好な
伝播速度Ｖ、電気機械結合係数Ｋ2 、周波数温度特性Ｔ
ＣＦを実現し、且つ、良好な伝搬損失をも実現すること
により、高周波領域で優れた動作特性を有する表面弾性
波素子を提供する。
【０２２７】また、本発明の表面弾性波の製造方法によ
れば、上記のように高周波領域で優れた動作特性を有す
る表面弾性波素子を、容易に製造することが可能とな
る。
【０２２８】更に、ｋｈ１とｋｈ２の範囲を更に絞り込
むことにより、−２０〜８０℃の範囲において非常に優
れた温度安定性を有する表面弾性波素子を提供すること
ができ、更に、この積層構造に対して特定の電極パター
ンを与えることにより、諸特性を低下させずに、素子自
体の小型化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡ及び領域ＡＢＩＪＫＬＡを示す。
【図２】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡ及び領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡを
示す。
【図３】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡ及び領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡを
示す。
【図４】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡ及び領域ＡＯＰＫＬＭＮＡを
示す。
【図５】ｋｈ１を横軸、ｋｈ２を縦軸とする２次元直交
座標グラフであって、０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３
の場合の最適なｋｈ１及びｋｈ２を与える、領域ＡＢＣ
ＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡ及び領域ＬＭＪＫＬを示す。
【図６】表面弾性波素子の断面図であり、（ａ）はタイ
プＡを、（ｂ）はタイプＢを、（ｃ）はタイプＣを、
（ｄ）はタイプＤを、（ｅ）はタイプＥを、（ｆ）はタ
イプＦを、（ｇ）はタイプＧを、それぞれ表す。
【図７】実施例１で評価された、タイプＡの表面弾性波
素子の電気機械結合係数Ｋ2 に対するｋｈ１、ｋｈ２の
関係を表すグラフである。
【図８】実施例２で評価された、タイプＢの表面弾性波
素子の電気機械結合係数Ｋ2 に対するｋｈ１、ｋｈ２の
関係を表すグラフである。
【図９】実施例３で評価された、タイプＣの表面弾性波
素子の電気機械結合係数Ｋ2 に対するｋｈ１、ｋｈ２の
関係を表すグラフである。
【図１０】実施例４で評価された、タイプＤの表面弾性
波素子の電気機械結合係数Ｋ2 に対するｋｈ１、ｋｈ２
の関係を表すグラフである。
【図１１】実施例５で評価された、タイプＥの表面弾性
波素子の電気機械結合係数Ｋ2 に対するｋｈ１、ｋｈ２
の関係を表すグラフである。
【図１２】実施例６で評価された、タイプＦの表面弾性
波素子の電気機械結合係数Ｋ2 に対するｋｈ１、ｋｈ２
の関係を表すグラフである。
【図１３】実施例７で評価された、タイプＧの表面弾性
波素子の電気機械結合係数Ｋ2 に対するｋｈ１、ｋｈ２
の関係を表すグラフである。
【図１４】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．０６６の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。
【図１５】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．１３２の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。
【図１６】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．１９８の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。
【図１７】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．２６４の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。
【図１８】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．３３０の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の伝
播速度Ｖに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表すグラフで
ある。
【図１９】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．０６６の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。
【図２０】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．１３２の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。
【図２１】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．１９８の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。
【図２２】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．２６４の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。
【図２３】実施例１〜７において評価された、ｋｈ３＝
０．３３０の場合のタイプＡ〜Ｇの表面弾性波素子の周
波数温度特性ＴＣＦに対するｋｈ１、ｋｈ２の関係を表
すグラフである。
【図２４】本発明に従った第１の予備評価により、適正
化されたｋｈ１（ｋｈ ｏｆ ＺｎＯ）とｋｈ２（ｋｈ
ｏｆ ＳｉＯ2 ）を現すグラフであり、領域Ａ'Ｂ'Ｃ'
Ｄ'Ｅ'Ｆ'Ｇ'Ｈ'Ｉ'Ｊ'Ｋ'Ｌ'Ｍ'Ｎ'Ｏ'Ｐ'Ｑ'Ｒ'Ａ'及
び領域Ａ'Ｂ'Ｃ'Ｄ'Ｓ'Ｔ'Ｍ'Ｎ'Ｏ'Ｐ'Ｑ'Ｒ'Ａ'が示
されるグラフである。
【図２５】本発明に従った第２の予備評価により、適正
化されたｋｈ１（ｋｈ ｏｆ ＺｎＯ）とｋｈ２（ｋｈ
ｏｆ ＳｉＯ2 ）の領域ａｂｃｄｅｆｇｈｉｊｋ ｌｍｎ
ｏｐｑｒａ及び領域ａｂｃｄｓｔｍｎｏｐｑｒａを示す
グラフである。
【図２６】櫛型電極の上面図であり、（ａ）はシングル
電極の例を、（ｂ）はダブル電極の例をそれぞれ示す。
【図２７】本発明の表面弾性波素子のパッケージングの
様子を示す図であり、（ａ）は上面図で蓋を取り去った
様子を示し、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は底面図あ
る。
【図２８】実施例８において求められた基本組み合わせ
線を示すグラフである。
【図２９】ｋｈ３＝０．０９９，ｋｈ１＝０．８，ｋｈ
２＝０．７５８の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３０】ｋｈ３＝０．０９９，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．８３２の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３１】ｋｈ３＝０．０９９，ｋｈ１＝１．２，ｋｈ
２＝０．９３０の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３２】ｋｈ３＝０．０４４，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．７５９の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３３】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．７８９の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３４】ｋｈ３＝０．１３２，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．８７７の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３５】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．７１０の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３６】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．７５０の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３７】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．８２８の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３８】ｋｈ３＝０．０６６，ｋｈ１＝１．０，ｋｈ
２＝０．８６８の場合のＴＣＦの温度変化の測定結果を
示すグラフである。
【図３９】（ａ）は実施例９の電極部分の平面図であ
り、（ｂ）はフィンガ部分の拡大図である。
【符号の説明】
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１
０ｇ…表面弾性波素子、１２…ダイヤモンド層、１４…
ＺｎＯ層、１６…ＳｉＯ2 層、２０…櫛型電極、２２…
短絡用電極、５０…表面弾性波素子、５２…櫛型電極、
５４…電極、５６…ワイヤ、５８…パッケージ、６０…
蓋、６２…電極用パッド、１００…入力櫛型電極、１０
２…バスバー、１０４…フィンガ、１１０…出力櫛型電
極、１１２…バスバー、１１４…フィンガ、１２０，１
３０…反射器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 知 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住 友電気工業株式会社 伊丹製作所内 (72)発明者 北林 弘之 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住 友電気工業株式会社 伊丹製作所内 (72)発明者 鹿田 真一 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住 友電気工業株式会社 伊丹製作所内 (56)参考文献 特開 平６−154294（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−232677（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 C01G 9/02 H03H 3/08 H03H 9/145

Claims (66)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．９３）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．６９，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．４０）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．６３，ｋｈ２＝０．３３）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｌと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
    上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
    素子。
  2. 【請求項２】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２次
    元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂと、
    前記点Ｉと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前
    記点Ａとを順に線分で結ぶ、６本の線分から成る領域Ａ
    ＢＩＪＫＬＡの前記６本の線分の線上を含む内部に与え
    られることを特徴とする、請求項１に記載の表面弾性波
    素子。
  3. 【請求項３】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  4. 【請求項４】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２次
    元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂと、
    前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝０．７
    ７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前
    記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、
    ８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前記８本
    の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
    る、請求項３に記載の表面弾性波素子。
  5. 【請求項５】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  6. 【請求項６】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２次
    元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂと、
    座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
    れる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝０．７
    ５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前
    記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、
    ８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前記８本
    の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とす
    る、請求項５に記載の表面弾性波素子。
  7. 【請求項７】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｍと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｎと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
    の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
    性波素子。
  8. 【請求項８】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２次
    元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ１
    ＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏと、
    座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
    れる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前
    記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の線分か
    ら成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の線上を
    含む内部に与えられることを特徴とする、請求項７に記
    載の表面弾性波素子。
  9. 【請求項９】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
    れる点Ｌと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
    上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
    素子。
  10. 【請求項１０】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
    １＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
    と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
    結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
    線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
    請求項９に記載の表面弾性波素子。
  11. 【請求項１１】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
    極と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
    記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
    る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
    Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性波
    素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  12. 【請求項１２】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
    と、前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝
    ０．７７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
    と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
    結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前
    記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
    とする、請求項１１に記載の表面弾性波素子。
  13. 【請求項１３】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
    極と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
    記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
    る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
    Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性波
    素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  14. 【請求項１４】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
    と、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与
    えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
    ０．７５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
    と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
    結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前
    記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
    とする、請求項１３に記載の表面弾性波素子。
  15. 【請求項１５】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
    極と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
    記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
    る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
    Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性波
    素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｍと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｎと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
    の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
    性波素子。
  16. 【請求項１６】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ
    １＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏ
    と、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与
    えられる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍ
    と、前記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の
    線分から成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
    １５に記載の表面弾性波素子。
  17. 【請求項１７】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される短絡用電
    極と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
    記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
    る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
    Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性波
    素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
    れる点Ｌと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
    上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
    素子。
  18. 【請求項１８】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
    １＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
    と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
    結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
    線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
    請求項１７に記載の表面弾性波素子。
  19. 【請求項１９】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、 （ｖ）前記ＳｉＯ2 層の上に配置される短絡用電極とを
    備える表面弾性波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．９３）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．６９，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．４０）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．６３，ｋｈ２＝０．３３）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｌと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
    上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
    素子。
  20. 【請求項２０】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
    と、前記点Ｉと、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌ
    と、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、６本の線分から成る
    領域ＡＢＩＪＫＬＡの前記６本の線分の線上を含む内部
    に与えられることを特徴とする、請求項１９に記載の表
    面弾性波素子。
  21. 【請求項２１】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、 （ｖ）前記ＳｉＯ2 層の上に配置される短絡用電極とを
    備える表面弾性波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  22. 【請求項２２】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
    と、前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝
    ０．７７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
    と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
    結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前
    記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
    とする、請求項２１に記載の表面弾性波素子。
  23. 【請求項２３】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、 （ｖ）前記ＳｉＯ2 層の上に配置される短絡用電極とを
    備える表面弾性波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  24. 【請求項２４】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
    と、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与
    えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
    ０．７５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
    と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
    結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前
    記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
    とする、請求項２３に記載の表面弾性波素子。
  25. 【請求項２５】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、 （ｖ）前記ＳｉＯ2 層の上に配置される短絡用電極とを
    備える表面弾性波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｍと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｎと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
    の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
    性波素子。
  26. 【請求項２６】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ
    １＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏ
    と、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与
    えられる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍ
    と、前記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の
    線分から成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
    ２５に記載の表面弾性波素子。
  27. 【請求項２７】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、 （ｖ）前記ＳｉＯ2 層の上に配置される短絡用電極とを
    備える表面弾性波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
    れる点Ｌと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
    上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
    素子。
  28. 【請求項２８】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
    １＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
    と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
    結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
    線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
    請求項２７に記載の表面弾性波素子。
  29. 【請求項２９】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される第１の短
    絡用電極と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
    記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
    る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
    Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、 （ｖｉ）前記ＳｉＯ2 層の上に配置される第２の短絡用
    電極とを備える表面弾性波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  30. 【請求項３０】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
    と、前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝
    ０．７７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
    と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
    結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前
    記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
    とする、請求項２９に記載の表面弾性波素子。
  31. 【請求項３１】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される第１の短
    絡用電極と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
    記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
    る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
    Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、 （ｖｉ）前記ＳｉＯ2 層の上に配置される第２の短絡用
    電極とを備える表面弾性波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  32. 【請求項３２】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
    と、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与
    えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
    ０．７５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
    と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
    結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前
    記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
    とする、請求項３１に記載の表面弾性波素子。
  33. 【請求項３３】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される第１の短
    絡用電極と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
    記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
    る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
    Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、 （ｖｉ）前記ＳｉＯ2 層の上に配置される第２の短絡用
    電極とを備える表面弾性波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｍと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｎと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
    の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
    性波素子。
  34. 【請求項３４】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ
    １＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏ
    と、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与
    えられる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍ
    と、前記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の
    線分から成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
    ３３に記載の表面弾性波素子。
  35. 【請求項３５】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）前記ダイヤモンド層の上に配置される第１の短
    絡用電極と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記短絡用電極を覆って前
    記ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置され
    る、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚｎ
    Ｏ層の上に配置されるＳｉＯ2 層と、 （ｖｉ）前記ＳｉＯ2 層の上に配置される第２の短絡用
    電極とを備える表面弾性波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
    れる点Ｌと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
    上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
    素子。
  36. 【請求項３６】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
    １＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
    と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
    結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
    線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
    請求項３５に記載の表面弾性波素子。
  37. 【請求項３７】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔA を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
    と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記櫛型電極を覆って前記
    ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）前記ＺｎＯ層の上に配置される短絡用電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記短絡用電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  38. 【請求項３８】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
    と、前記点Ｃと、座標（ｋｈ１＝０．６２，ｋｈ２＝
    ０．７７）で与えられる点Ｎと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
    と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
    結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＣＮＪＫＬＭＡの前
    記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
    とする、請求項３７に記載の表面弾性波素子。
  39. 【請求項３９】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔA を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
    と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記櫛型電極を覆って前記
    ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）前記ＺｎＯ層の上に配置される短絡用電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記短絡用電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性
    波素子。
  40. 【請求項４０】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、前記点Ｂ
    と、座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝０．９５）で与
    えられる点Ｎと、座標（ｋｈ１＝０．６１，ｋｈ２＝
    ０．７５）で与えられる点Ｏと、前記点Ｊと、前記点Ｋ
    と、前記点Ｌと、前記点Ｍと、前記点Ａとを順に線分で
    結ぶ、８本の線分から成る領域ＡＢＮＯＪＫＬＭＡの前
    記８本の線分の線上を含む内部に与えられることを特徴
    とする、請求項３９に記載の表面弾性波素子。
  41. 【請求項４１】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔA を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
    と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記櫛型電極を覆って前記
    ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）前記ＺｎＯ層の上に配置される短絡用電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記短絡用電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｍと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｎと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
    の線上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾
    性波素子。
  42. 【請求項４２】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ａと、座標（ｋｈ
    １＝０．３６，ｋｈ２＝１．００）で与えられる点Ｏ
    と、座標（ｋｈ１＝０．４８，ｋｈ２＝０．８３）で与
    えられる点Ｐと、前記点Ｋと、前記点Ｌと、前記点Ｍ
    と、前記点Ｎと、前記点Ａとを順に線分で結ぶ、７本の
    線分から成る領域ＡＯＰＫＬＭＮＡの前記７本の線分の
    線上を含む内部に与えられることを特徴とする、請求項
    ４１に記載の表面弾性波素子。
  43. 【請求項４３】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔA を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置される、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極
    と、 （ｉｉｉ）厚さｔZ を有し、前記櫛型電極を覆って前記
    ダイヤモンド層の上に配置されるＺｎＯ層と、 （ｉｖ）前記ＺｎＯ層の上に配置される短絡用電極と、 （ｖ）厚さｔS を有し、前記短絡用電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲にあり、且
    つ、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
    れる点Ｌと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
    上を含む内部に与えられることを特徴とする表面弾性波
    素子。
  44. 【請求項４４】 前記ｋｈ１及び前記ｋｈ２が、前記２
    次元直交座標グラフにおいて、前記点Ｌと、座標（ｋｈ
    １＝０．３７，ｋｈ２＝０．９４）で与えられる点Ｍ
    と、前記点Ｊと、前記点Ｋと、前記点Ｌとを順に線分で
    結ぶ、４本の線分から成る領域ＬＭＪＫＬの前記４本の
    線分の線上を含む内部に与えられることを特徴とする、
    請求項４３に記載の表面弾性波素子。
  45. 【請求項４５】（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔZ
    となるようにＺｎＯ層を形成するステップと、 （２）前記ＺｎＯ層の上に、厚さｔA となるように櫛型
    電極を形成するステップと、 （３）前記櫛型電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚さ
    ｔS となるようにＳｉＯ2 層を形成するステップと、 を有する表面弾性波素子の製造方法であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．５４，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．８７）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．１６，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．９３）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．６９，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．３１，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝０．５０）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．４０）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．６３，ｋｈ２＝０．３３）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｌと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
    上を含む内部に与えられるように前記ｔZ 及び前記ｔS
    を選択し、且つ、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０３３≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲となるように
    前記ｔA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
    製造方法。
  46. 【請求項４６】（１）ダイヤモンド層の上に、短絡用電
    極を形成するステップと、 （２）前記短絡用電極を覆って前記ダイヤモンド層の上
    に、厚さｔZ となるようにＺｎＯ層を形成するステップ
    と、 （３）前記ＺｎＯ層の上に、厚さｔA となるように櫛型
    電極を形成するステップと、 （ｖ）前記櫛型電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚さ
    ｔS となるようにＳｉＯ2 層を形成するステップとを有
    する表面弾性波素子の製造方法であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．９８）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝０．９５）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４５，ｋｈ２＝０．９６）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．００）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０４，ｋｈ２＝１．２５）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．６０，ｋｈ２＝０．８０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．２２，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝０．５９）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８９，ｋｈ２＝０．５７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．５２）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．５３，ｋｈ２＝０．４５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられるように前記ｔZ 及び前記ｔ
    S を選択し、且つ、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０９９≦ｋｈ３≦０．１６５ の範囲となるように
    前記ｔA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
    製造方法。
  47. 【請求項４７】（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔZ
    となるようにＺｎＯ層を形成するステップと、 （２）前記ＺｎＯ層の上に、厚さｔA となるように櫛型
    電極を形成するステップと、 （３）前記櫛型電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚さ
    ｔS となるようにＳｉＯ2層を形成するステップと、 （４）前記ＳｉＯ2 層の上に短絡用電極を形成するステ
    ップとを有する表面弾性波素子の製造方法であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３６，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４３，ｋｈ２＝１．０７）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．９０，ｋｈ２＝１．３７）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．５２，ｋｈ２＝０．８５）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．３４，ｋｈ２＝０．７９）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０５，ｋｈ２＝０．７２）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．８５，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６８）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．４２，ｋｈ２＝０．５５）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｍと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１３本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＡの前記１３本の線分の
    線上を含む内部に与えられるように前記ｔZ 及び前記ｔ
    S を選択し、且つ、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．１６５≦ｋｈ３≦０．２３１ の範囲となるように
    前記ｔA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
    製造方法。
  48. 【請求項４８】（１）ダイヤモンド層の上に、第１の短
    絡用電極を形成するステップと、 （２）前記短絡用電極を覆って前記ダイヤモンド層の上
    に、厚さｔZ となるようにＺｎＯ層を形成するステップ
    と、 （３）前記ＺｎＯ層の上に、厚さｔA となるように櫛型
    電極を形成するステップと、 （４）前記櫛型電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚さ
    ｔS となるようにＳｉＯ2 層を形成するステップと、 （５）前記ＳｉＯ2 層の上に、第２の短絡用電極を形成
    するステップとを有する表面弾性波素子の製造方法であ
    って、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．１５）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４６，ｋｈ２＝１．３２）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝１．５２）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．７３，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝０．８１，ｋｈ２＝１．４４）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２０）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．４０，ｋｈ２＝０．９１）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝１．１４，ｋｈ２＝０．８３）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．８３，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．６０，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３５，ｋｈ２＝０．７３）で与えら
    れる点Ｌと、 座標（ｋｈ１＝０．３８，ｋｈ２＝０．６３）で与えら
    れる点Ｍと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．６５）で与えら
    れる点Ｎと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１４本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＭＮＡの前記１４本の線分
    の線上を含む内部に与えられるように前記ｔZ 及び前記
    ｔSを選択し、且つ、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２３１≦ｋｈ３≦０．２９７ の範囲となるように
    前記ｔA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
    製造方法。
  49. 【請求項４９】（１）ダイヤモンド層の上に、厚さｔA
    となるように櫛型電極を形成するステップと、 （２）前記櫛型電極を覆って前記ダイヤモンド層の上
    に、厚さｔＺとなるようにＺｎＯ層を形成するステップ
    と、 （３）前記ＺｎＯ層の上に短絡用電極を形成するステッ
    プと、 （４）前記短絡用電極を覆って前記ＺｎＯ層の上に、厚
    さｔS となるようにＳｉＯ2 層を形成するステップとを
    有する表面弾性波素子の製造方法であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．２９）で与えら
    れる点Ａと、 座標（ｋｈ１＝０．３３，ｋｈ２＝１．３６）で与えら
    れる点Ｂと、 座標（ｋｈ１＝０．４０，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｃと、 座標（ｋｈ１＝０．７１，ｋｈ２＝１．６０）で与えら
    れる点Ｄと、 座標（ｋｈ１＝０．８２，ｋｈ２＝１．４１）で与えら
    れる点Ｅと、 座標（ｋｈ１＝１．００，ｋｈ２＝１．２２）で与えら
    れる点Ｆと、 座標（ｋｈ１＝１．２７，ｋｈ２＝０．９７）で与えら
    れる点Ｇと、 座標（ｋｈ１＝１．０３，ｋｈ２＝０．８９）で与えら
    れる点Ｈと、 座標（ｋｈ１＝０．６８，ｋｈ２＝０．７８）で与えら
    れる点Ｉと、 座標（ｋｈ１＝０．５２，ｋｈ２＝０．７７）で与えら
    れる点Ｊと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝０．７６）で与えら
    れる点Ｋと、 座標（ｋｈ１＝０．３０，ｋｈ２＝１．０９）で与えら
    れる点Ｌと、 前記点Ａとを順に線分で結ぶ、１２本の線分から成る領
    域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＬＡの前記１２本の線分の線
    上を含む内部に与えられるように前記ｔZ 及び前記ｔS
    を選択し、且つ、 ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．２９７≦ｋｈ３≦０．３６３ の範囲となるように
    前記ｔA を選択することを特徴とする表面弾性波素子の
    製造方法。
  50. 【請求項５０】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ｋｈ３＝０．０４４であり、且つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．６４５）で与
    えられる点Ａ１と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．６８４）で与
    えられる点Ｂ１と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７１８）で与
    えられる点Ｃ１と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．７５９）で与
    えられる点Ｄ１と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８０９）で与
    えられる点Ｅ１と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．８６６）で与
    えられる点Ｆ１と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝０．９８７）で与
    えられる点Ｇ１と、 を順に線分で結ぶ７本の線分から成る基本組み合わせ線
    （Ａ１-Ｂ１-Ｃ１-Ｄ１-Ｅ１-Ｆ１-Ｇ１）に対してｋｈ
    ２を ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特
    徴とする表面弾性波素子。
  51. 【請求項５１】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ｋｈ３＝０．０６６であり、且つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．６７１）で与
    えられる点Ａ２と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．７１３）で与
    えられる点Ｂ２と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７４７）で与
    えられる点Ｃ２と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．７８９）で与
    えられる点Ｄ２と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
    えられる点Ｅ２と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．８９１）で与
    えられる点Ｆ２と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０１１）で与
    えられる点Ｇ２と、 を順に線分で結ぶ７本の線分から成る基本組み合わせ線
    （Ａ２-Ｂ２-Ｃ２-Ｄ２-Ｅ２-Ｆ２-Ｇ２）に対してｋｈ
    ２を ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特
    徴とする表面弾性波素子。
  52. 【請求項５２】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ｋｈ３＝０．０９９であり、且つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．７１３）で与
    えられる点Ａ３と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．７５８）で与
    えられる点Ｂ３と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７９０）で与
    えられる点Ｃ３と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．８３２）で与
    えられる点Ｄ３と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８７９）で与
    えられる点Ｅ３と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．９３０）で与
    えられる点Ｆ３と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０４６）で与
    えられる点Ｇ３と、 を順に線分で結ぶ７本の線分から成る基本組み合わせ線
    （Ａ３-Ｂ３-Ｃ３-Ｄ３-Ｅ３-Ｆ３-Ｇ３）に対してｋｈ
    ２を ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特
    徴とする表面弾性波素子。
  53. 【請求項５３】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ｋｈ３＝０．１３２であり、且つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．７５５）で与
    えられる点Ａ４と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．８０３）で与
    えられる点Ｂ４と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
    えられる点Ｃ４と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．８７７）で与
    えられる点Ｄ４と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．９２２）で与
    えられる点Ｅ４と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．９７２）で与
    えられる点Ｆ４と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０８３）で与
    えられる点Ｇ４と、 を順に線分で結ぶ７本の線分から成る基本組み合わせ線
    （Ａ４-Ｂ４-Ｃ４-Ｄ４-Ｅ４-Ｆ４-Ｇ４）に対してｋｈ
    ２を ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特
    徴とする表面弾性波素子。
  54. 【請求項５４】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ｋｈ３＝０．１９８であり、且つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
    えられる点Ａ５と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．８９７）で与
    えられる点Ｂ５と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．９３３）で与
    えられる点Ｃ５と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．９７３）で与
    えられる点Ｄ５と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝１．０１７）で与
    えられる点Ｅ５と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝１．０６３）で与
    えられる点Ｆ５と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．１６７）で与
    えられる点Ｇ５と、 を順に線分で結ぶ７本の線分から成る基本組み合わせ線
    （Ａ５-Ｂ５-Ｃ５-Ｄ５-Ｅ５-Ｆ５-Ｇ５）に対してｋｈ
    ２を ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特
    徴とする表面弾性波素子。
  55. 【請求項５５】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ｋｈ３＝０．２６４であり、且つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．９１４）で与
    えられる点Ａ６と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．９８９）で与
    えられる点Ｂ６と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝１．０２９）で与
    えられる点Ｃ６と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝１．０６９）で与
    えられる点Ｄ６と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝１．１１１）で与
    えられる点Ｅ６と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝１．１５６）で与
    えられる点Ｆ６と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．２５７）で与
    えられる点Ｇ６と、 を順に線分で結ぶ７本の線分から成る基本組み合わせ線
    （Ａ６-Ｂ６-Ｃ６-Ｄ６-Ｅ６-Ｆ６-Ｇ６）に対してｋｈ
    ２を ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特
    徴とする表面弾性波素子。
  56. 【請求項５６】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０４４≦ｋｈ３≦０．０６６ の範囲にあり、且
    つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．６４５）で与
    えられる点Ａ１と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
    ０．６７１）で与えられる点Ａ２との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ａ１２と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．６８４）で与
    えられる点Ｂ１と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
    ０．７１３）で与えられる点Ｂ２との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｂ１２と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７１８）で与
    えられる点Ｃ１と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
    ０．７４７）で与えられる点Ｃ２との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｃ１２と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．７５９）で与
    えられる点Ｄ１と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
    ０．７８９）で与えられる点Ｄ２との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｄ１２と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８０９）で与
    えられる点Ｅ１と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
    ０．８３７）で与えられる点Ｅ２との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｅ１２と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．８６６）で与
    えられる点Ｆ１と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
    ０．８９１）で与えられる点Ｆ２との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｆ１２と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝０．９８７）で与
    えられる点Ｇ１と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
    １．０１１）で与えられる点Ｇ２との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｇ１２とを順に線分で結ぶ７本の
    線分から成る補完基本組み合わせ線（Ａ１２-Ｂ１２-Ｃ
    １２-Ｄ１２-Ｅ１２-Ｆ１２-Ｇ１２）に対してｋｈ２を
    ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特徴と
    する表面弾性波素子。
  57. 【請求項５７】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０６６≦ｋｈ３≦０．０９９ の範囲にあり、且
    つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．６７１）で与
    えられる点Ａ２と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
    ０．７１３）で与えられる点Ａ３との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ａ２３と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．７１３）で与
    えられる点Ｂ２と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
    ０．７５８）で与えられる点Ｂ３との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｂ２３と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７４７）で与
    えられる点Ｃ２と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
    ０．７９０）で与えられる点Ｃ３との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｂ２３と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．７８９）で与
    えられる点Ｄ２と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
    ０．８３２）で与えられる点Ｄ３との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｄ２３と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
    えられる点Ｅ２と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
    ０．８７９）で与えられる点Ｅ３との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｅ２３と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．８９１）で与
    えられる点Ｆ２と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
    ０．９３０）で与えられる点Ｆ３との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｆ２３と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０１１）で与
    えられる点Ｇ２と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
    １．０４６）で与えられる点Ｇ３との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｇ２３とを順に線分で結ぶ７本の
    線分から成る補完基本組み合わせ線（Ａ２３-Ｂ２３-Ｃ
    ２３-Ｄ２３-Ｅ２３-Ｆ２３-Ｇ２３）に対してｋｈ２を
    ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特徴と
    する表面弾性波素子。
  58. 【請求項５８】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．０９９≦ｋｈ３≦０．１３２ の範囲にあり、且
    つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．７１３）で与
    えられる点Ａ３と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
    ０．７５５）で与えられる点Ａ４との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ａ３４と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．７５８）で与
    えられる点Ｂ３と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
    ０．８０３）で与えられる点Ｂ４との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｂ３４と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．７９０）で与
    えられる点Ｃ３と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
    ０．８３７）で与えられる点Ｃ４との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｃ３４と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．８３２）で与
    えられる点Ｄ３と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
    ０．８７７）で与えられる点Ｄ４との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｄ３４と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．８７９）で与
    えられる点Ｅ３と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
    ０．９２２）で与えられる点Ｅ４との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｄ３４と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．９３０）で与
    えられる点Ｆ３と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
    ０．９７２）で与えられる点Ｆ４との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｆ３４と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０４６）で与
    えられる点Ｇ３と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
    １．０８３）で与えられる点Ｇ４との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｇ３４とを順に線分で結ぶ７本の
    線分から成る補完基本組み合わせ線（Ａ３４-Ｂ３４-Ｃ
    ３４-Ｄ３４-Ｅ３４-Ｆ３４-Ｇ３４）に対してｋｈ２を
    ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特徴と
    する表面弾性波素子。
  59. 【請求項５９】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．１３２≦ｋｈ３≦０．１９８ の範囲にあり、且
    つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．７５５）で与
    えられる点Ａ４と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
    ０．８３７）で与えられる点Ａ５との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ａ４５と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．８０３）で与
    えられる点Ｂ４と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
    ０．８９７）で与えられる点Ｂ５との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｂ４５と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
    えられる点Ｃ４と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
    ０．９３３）で与えられる点Ｃ５との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｃ４５と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．８７７）で与
    えられる点Ｄ４と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
    ０．９７３）で与えられる点Ｄ５との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｄ４５と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝０．９２２）で与
    えられる点Ｅ４と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
    １．０１７）で与えられる点Ｅ５との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｅ４５と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝０．９７２）で与
    えられる点Ｆ４と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
    １．０６３）で与えられる点Ｆ５との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｆ４５と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．０８３）で与
    えられる点Ｇ４と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
    １．１６７）で与えられる点Ｇ５との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｇ４５とを順に線分で結ぶ７本の
    線分から成る補完基本組み合わせ線（Ａ４５-Ｂ４５-Ｃ
    ４５-Ｄ４５-Ｅ４５-Ｆ４５-Ｇ４５）に対してｋｈ２を
    ＋／− １０％で増減してなる範囲にあることを特徴と
    する表面弾性波素子。
  60. 【請求項６０】（ｉ）ダイヤモンド層と、 （ｉｉ）厚さｔZ を有し、前記ダイヤモンド層の上に配
    置されるＺｎＯ層と、 （ｉｉｉ）厚さｔA を有し、前記ＺｎＯ層の上に配置さ
    れる、表面弾性波の励振及び受信のための櫛型電極と、 （ｉｖ）厚さｔS を有し、前記櫛型電極を覆って前記Ｚ
    ｎＯ層の上に配置されるＳｉＯ2 層とを備える表面弾性
    波素子であって、 ２次モードの表面弾性波の波長λについて、 （１）ｋｈ３＝２π（ｔA ／λ） で与えられるｋｈ３が、 ０．１９８≦ｋｈ３≦０．２６４ の範囲にあり、且
    つ、 （２）ｋｈ１＝２π（ｔZ ／λ）、 ｋｈ２＝２π（ｔS ／λ） で与えられるｋｈ１及びｋｈ２が、横軸にｋｈ１、縦軸
    にｋｈ２を与える２次元直交座標グラフにおいて、 座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝０．８３７）で与
    えられる点Ａ５と座標（ｋｈ１＝０．６００，ｋｈ２＝
    ０．９１４）で与えられる点Ａ６との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ａ５６と、 座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝０．８９７）で与
    えられる点Ｂ５と座標（ｋｈ１＝０．８００，ｋｈ２＝
    ０．９８９）で与えられる点Ｂ６との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｂ５６と、 座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝０．９３３）で与
    えられる点Ｃ５と座標（ｋｈ１＝０．９００，ｋｈ２＝
    １．０２９）で与えられる点Ｃ６との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｃ５６と、 座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝０．９７３）で与
    えられる点Ｄ５と座標（ｋｈ１＝１．０００，ｋｈ２＝
    １．０６９）で与えられる点Ｄ６との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｄ５６と、 座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝１．０１７）で与
    えられる点Ｅ５と座標（ｋｈ１＝１．１００，ｋｈ２＝
    １．１１１）で与えられる点Ｅ６との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｅ５６と、 座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝１．０６３）で与
    えられる点Ｆ５と座標（ｋｈ１＝１．２００，ｋｈ２＝
    １．１５６）で与えられる点Ｆ６との間をｋｈ３の値に
    ついて線形補完した点Ｆ５６と、 座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝１．１６７）で与
    えられる点Ｇ５と座標（ｋｈ１＝１．４００，ｋｈ２＝
    １．２５７）で与えられる点Ｇ６との間を線形補完した
    点Ｇ５６とを順に線分で結ぶ７本の線分から成る補完基
    本組み合わせ線（Ａ５６-Ｂ５６-Ｃ５６-Ｄ５６-Ｅ５６
    -Ｆ５６-Ｇ５６）に対してｋｈ２を ＋／− １０％で増
    減してなる範囲にあることを特徴とする表面弾性波素
    子。
  61. 【請求項６１】 前記櫛型電極が、電力を印加して弾性
    波を励振させる入力櫛形電極と該弾性波を受信して電力
    を取り出す出力櫛形電極とを備え、 前記入力櫛型電極の対数Ｎｉと前記出力櫛型電極の対数
    Ｎｏの合計Ｎが、５０〜９０対であり、 前記入力櫛形電極及び前記出力櫛形電極の交差幅がそれ
    ぞれ、前記波長λに対して、１０λ〜５０λの範囲にあ
    ることを特徴とする請求項１、３又は５０〜６０のいず
    れかに記載の表面弾性波素子。
  62. 【請求項６２】 前記表面弾性波素子が、該弾性波の伝
    搬方向に対して前記入力櫛形電極と前記出力櫛形電極を
    挟むように配置された少なくとも２つの反射器電極を更
    に備え、前記反射器電極の本数の合計が、入力櫛型電極
    の対数Ｎｉと出力櫛型電極の対数Ｎｏの合計をＮとし
    て、２ｘ（１００−Ｎ）以下であることを特徴とする請
    求項１、３又は５０〜６１のいずれかに記載の表面弾性
    波素子。
  63. 【請求項６３】 該２次モードの表面弾性波の該波長λ
    が、約３．２〜約４．５μｍであることを特徴とする請
    求項６１又は６２のいずれかに記載の表面弾性波素子。
  64. 【請求項６４】 透過特性においてＱ値≧６００である
    ことを特徴とする請求項６１又は６２のいずれかに記載
    の表面弾性波素子。
  65. 【請求項６５】 約２．４〜約２．６ＧＨｚの動作中心
    周波数を有する請求項６１又は６２のいずれかに記載の
    表面弾性波素子。
  66. 【請求項６６】 透過損失が約６〜１０ｄＢであること
    を特徴とする請求項６１又は６２のいずれかに記載の表
    面弾性波素子。
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