JP3269826B2 - センサ素子 - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
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- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
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- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、検出されるべき物理量を感知する電界効果
トランジスタと不揮発性メモリを備えたモノリシック集
積センサ素子に関する。
トランジスタと不揮発性メモリを備えたモノリシック集
積センサ素子に関する。
一つのチップ上に二つの別々の部品を配置することに
よりセンサ素子と不揮発性メモリを実現することは知ら
れている。そうする際に、例えば、一つのMOSトランジ
スタがセンサとして機能し、そして第２のMOSトランジ
スタが不揮発性メモリとして機能する。この種の公知の
不揮発性メモリとしては、EPROM、フラッシュEPROM、EE
PROM等がある。EEPROMはプログラミングが簡単なので不
揮発性メモリとしてしばしば使用される。単一のEEPROM
セルに一つのアナログ記憶装置を設けることは記憶密度
を増大させ、長期間の記憶が必要とされる場合のアナロ
グ信号処理のための回路技術を簡単にする。
よりセンサ素子と不揮発性メモリを実現することは知ら
れている。そうする際に、例えば、一つのMOSトランジ
スタがセンサとして機能し、そして第２のMOSトランジ
スタが不揮発性メモリとして機能する。この種の公知の
不揮発性メモリとしては、EPROM、フラッシュEPROM、EE
PROM等がある。EEPROMはプログラミングが簡単なので不
揮発性メモリとしてしばしば使用される。単一のEEPROM
セルに一つのアナログ記憶装置を設けることは記憶密度
を増大させ、長期間の記憶が必要とされる場合のアナロ
グ信号処理のための回路技術を簡単にする。
前記先行技術によるセンサ素子において、実質的セン
サと不揮発性メモリは二つのトランジスタによって実現
されるので、センサ素子を実現するには広いチップ面積
が必要である。さらに、製造工程による局所変数のばら
つきのためにセンサ素子を形成する二つのトランジスタ
の間に適合問題が生じ、それによって、出力信号の変化
が生じる。また、センサ信号とメモリ内容を処理する信
号処理ユニットが必要とされる。
サと不揮発性メモリは二つのトランジスタによって実現
されるので、センサ素子を実現するには広いチップ面積
が必要である。さらに、製造工程による局所変数のばら
つきのためにセンサ素子を形成する二つのトランジスタ
の間に適合問題が生じ、それによって、出力信号の変化
が生じる。また、センサ信号とメモリ内容を処理する信
号処理ユニットが必要とされる。
本発明の目的は、関連する不揮発性メモリを備え、製
造工程による局所変数のばらつきよって生じるセンサセ
ルとメモリセルの間の適合問題を回避できる小型のセン
サ素子を提供することにある。
造工程による局所変数のばらつきよって生じるセンサセ
ルとメモリセルの間の適合問題を回避できる小型のセン
サ素子を提供することにある。
この目的は、クレーム１に係るセンサ素子によって達
成される。
成される。
本発明は、検出されるべき物理量を感知する電界効果
トランジスタ（FET）という形でセンサ素子を提供す
る。このFETのゲート電極はフローティングゲートとし
て内蔵される。トランジスタのゲート電極がフローティ
ングゲートであるという事実のために、ゲート電極は、
FETによって検出される物理量に相当する電荷を蓄積す
るためだけでなく、トランジスタの動作点を調整するた
めにも使用され得る。この目的のために、FETは比較器
とプログラミングユニットに回路で接続され、フローテ
ィングゲートによって限定されるEEPROMとされる。
トランジスタ（FET）という形でセンサ素子を提供す
る。このFETのゲート電極はフローティングゲートとし
て内蔵される。トランジスタのゲート電極がフローティ
ングゲートであるという事実のために、ゲート電極は、
FETによって検出される物理量に相当する電荷を蓄積す
るためだけでなく、トランジスタの動作点を調整するた
めにも使用され得る。この目的のために、FETは比較器
とプログラミングユニットに回路で接続され、フローテ
ィングゲートによって限定されるEEPROMとされる。
本発明に係るセンサ素子のフローティングゲートによ
って限定される不揮発性メモリは、検出されるべき物理
量を感知するFETの動作点を調整するため、さらなる信
号処理のための係数を蓄積するため、あるいは、検出さ
れた信号そのものを蓄積するために使用可能である。本
発明の好ましい実施形態によると、検出されるべき物理
量を感知するFETは内蔵されたプログラミング可能な不
揮発性のEEPROMメモリを備えた光センサを構成する感光
性トランジスタである。本発明に係るセンサ素子は標準
単体複合CMOS/EEPROM技術（standard−single−poly−C
MOS/EEPROM technology）によって実現され得る。さら
に、本発明に係るセンサ素子は二重複合CMOS/EEPROM技
術（double−poly−CMOS/EEPROM technology）によって
も実現でき、これにより、部品のためのスペースがさら
に縮小できる。
って限定される不揮発性メモリは、検出されるべき物理
量を感知するFETの動作点を調整するため、さらなる信
号処理のための係数を蓄積するため、あるいは、検出さ
れた信号そのものを蓄積するために使用可能である。本
発明の好ましい実施形態によると、検出されるべき物理
量を感知するFETは内蔵されたプログラミング可能な不
揮発性のEEPROMメモリを備えた光センサを構成する感光
性トランジスタである。本発明に係るセンサ素子は標準
単体複合CMOS/EEPROM技術（standard−single−poly−C
MOS/EEPROM technology）によって実現され得る。さら
に、本発明に係るセンサ素子は二重複合CMOS/EEPROM技
術（double−poly−CMOS/EEPROM technology）によって
も実現でき、これにより、部品のためのスペースがさら
に縮小できる。
本発明に係るセンサ素子を実現するのに、CMOS技術に
加えて、センサの動作点がゲートターミナルで調整され
るものであれば、他の技術も使用でき得る。検出される
べき物理量を感知し、本発明に係るセンサ素子の一部を
形成するFETは、例えば、ゲート電極が一部置き換え可
能であるCMOS圧力センサやCMOS加速センサである。トラ
ンジスタが圧力や加速によって作動すると、その圧力や
加速はゲート電極の一部置き換えによって記録される。
圧力センサまたは加速センサのゲート電極はフローティ
ングゲートとして備えられており、不揮発性メモリがセ
ンサに内蔵可能である。
加えて、センサの動作点がゲートターミナルで調整され
るものであれば、他の技術も使用でき得る。検出される
べき物理量を感知し、本発明に係るセンサ素子の一部を
形成するFETは、例えば、ゲート電極が一部置き換え可
能であるCMOS圧力センサやCMOS加速センサである。トラ
ンジスタが圧力や加速によって作動すると、その圧力や
加速はゲート電極の一部置き換えによって記録される。
圧力センサまたは加速センサのゲート電極はフローティ
ングゲートとして備えられており、不揮発性メモリがセ
ンサに内蔵可能である。
本発明によって、センサ部分とメモリ部分を分ける必
要がなくなる。センサが、不揮発的方法で電荷を蓄積で
きるフローティングゲートを備えている。フローティン
グゲートに蓄積された電荷はセンサの動作点に影響を与
える。従って、動作点はアナログ値あるいはデジタル値
として不揮発的方法で記憶され得る。つまり、本発明に
よって、アナログ不揮発性メモリをセンサ自体に含み、
動作点を調整するために使用できる、例えば、オフセッ
ト修正や信号処理に使用できるセンサ素子を得ることが
できる。
要がなくなる。センサが、不揮発的方法で電荷を蓄積で
きるフローティングゲートを備えている。フローティン
グゲートに蓄積された電荷はセンサの動作点に影響を与
える。従って、動作点はアナログ値あるいはデジタル値
として不揮発的方法で記憶され得る。つまり、本発明に
よって、アナログ不揮発性メモリをセンサ自体に含み、
動作点を調整するために使用できる、例えば、オフセッ
ト修正や信号処理に使用できるセンサ素子を得ることが
できる。
センサとメモリを一つの部品として実現することは、
二つの部品を根本的に一つのものとして組み合わせるの
で、従来技術による別部品による実現に比べて、チップ
面積をかなり節約することができる。同じ生産工程を採
用できるので、このことがさらなる生産費用を要するこ
とはない。さらに、センサセルとメモリセルが一つの部
品として一体化されるので、生産工程による局所変数の
ばらつきによって起こるセンサセルとメモリセルの間の
偏差が除去される。また、センサ信号や記憶された値を
処理する処理ユニットは必要ではない。そのような処理
は本発明に係るセンサ素子そのものの中で行われる。こ
のような処理は、例えば、トランジスタの種々の動作域
でのトランジスタ特性を使うことによって実行できる。
二つの部品を根本的に一つのものとして組み合わせるの
で、従来技術による別部品による実現に比べて、チップ
面積をかなり節約することができる。同じ生産工程を採
用できるので、このことがさらなる生産費用を要するこ
とはない。さらに、センサセルとメモリセルが一つの部
品として一体化されるので、生産工程による局所変数の
ばらつきによって起こるセンサセルとメモリセルの間の
偏差が除去される。また、センサ信号や記憶された値を
処理する処理ユニットは必要ではない。そのような処理
は本発明に係るセンサ素子そのものの中で行われる。こ
のような処理は、例えば、トランジスタの種々の動作域
でのトランジスタ特性を使うことによって実行できる。
センサの不揮発性メモリは、また、検出されたセンサ
信号を記憶することにも使用できる。この目的のため
に、センサの出力信号がある特定の値に達するに十分な
量の電荷をフローティングゲートに送るために、制御回
路が使用される。センサ信号は、そのとき、フローティ
ングゲート上の電荷の変化量としてセンサ内に記憶され
る。
信号を記憶することにも使用できる。この目的のため
に、センサの出力信号がある特定の値に達するに十分な
量の電荷をフローティングゲートに送るために、制御回
路が使用される。センサ信号は、そのとき、フローティ
ングゲート上の電荷の変化量としてセンサ内に記憶され
る。
以下、本発明の好ましい実施形態を添付図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
図１は、本発明に係るセンサ素子の好ましい実施形態
の概略的構造模式図を示す。
の概略的構造模式図を示す。
図２は、図１に示したセンサ素子に異なるしきい値を
予めプログラムした場合の光学特性を示す。
予めプログラムした場合の光学特性を示す。
図３は、センサ信号をセンサメモリに記憶させるため
の制御回路の概略図を示す。
の制御回路の概略図を示す。
図１は感光性センサ素子として本発明の実施形態を示
し、これを参照しながら本発明を以下に詳述する。
し、これを参照しながら本発明を以下に詳述する。
フォトFET10が基板12内に形成されている。このフォ
トFETは、ｐチャンネルMOSトランジスタであり、そのｐ
方不純物がドーピングされたソース14とｐ方不純物がド
ーピングされたドレイン16はフローティングｎ型井戸18
内にある。通常のゲートの代わりに、フローティングゲ
ート20がトランジスタのｐチャンネルの上にあり、フロ
ーティングゲート20は電荷を不揮発的方法で蓄積するこ
とができる。フローティングゲート20は、その一部がｐ
基板12内のｎ型不純物がドーピングされた領域の上に位
置するように配置されている。第１のｎ型不純物がドー
ピングされた領域22は注入領域として機能し、第２のｎ
型不純物がドーピングされた領域24は制御領域として機
能する。フローティングゲート20と注入領域22は、間に
トンネル26を形成しつつ互いに対向するように配置され
ている。
トFETは、ｐチャンネルMOSトランジスタであり、そのｐ
方不純物がドーピングされたソース14とｐ方不純物がド
ーピングされたドレイン16はフローティングｎ型井戸18
内にある。通常のゲートの代わりに、フローティングゲ
ート20がトランジスタのｐチャンネルの上にあり、フロ
ーティングゲート20は電荷を不揮発的方法で蓄積するこ
とができる。フローティングゲート20は、その一部がｐ
基板12内のｎ型不純物がドーピングされた領域の上に位
置するように配置されている。第１のｎ型不純物がドー
ピングされた領域22は注入領域として機能し、第２のｎ
型不純物がドーピングされた領域24は制御領域として機
能する。フローティングゲート20と注入領域22は、間に
トンネル26を形成しつつ互いに対向するように配置され
ている。
光波がこのセンサ素子に当たると、その光効果が電子
を生じ、トランジスタ10のｎ型井戸に蓄積され、これに
よってPMOSトランジスタのしきい電圧が置き換えられ
る。そのしきい電圧Vthは入射光強度に対してほぼ対数
的依存関係を示す。そのしきい電圧Vthは、また、フロ
ーティングゲートに存在しうる電荷にも依存している。
しきい電圧Vthは、例えば、2Vのドレイン−ソース間電
圧で、10μＡのドレイン電流を生じさせるゲート電圧と
して定義できる。
を生じ、トランジスタ10のｎ型井戸に蓄積され、これに
よってPMOSトランジスタのしきい電圧が置き換えられ
る。そのしきい電圧Vthは入射光強度に対してほぼ対数
的依存関係を示す。そのしきい電圧Vthは、また、フロ
ーティングゲートに存在しうる電荷にも依存している。
しきい電圧Vthは、例えば、2Vのドレイン−ソース間電
圧で、10μＡのドレイン電流を生じさせるゲート電圧と
して定義できる。
しきい電圧はフローティングゲートに存在する電荷に
よって置き換えられるという事実のために、この感光性
センサは不揮発的オフセット修正や動作点調整が簡単に
行える。
よって置き換えられるという事実のために、この感光性
センサは不揮発的オフセット修正や動作点調整が簡単に
行える。
図２は、図１に示すセンサ素子に種々のセンサトラン
ジスタのしきい電圧をプログラムした場合の光学特性を
示す。これらのしきい電圧は、電子をフローティングゲ
ート20の方に動かすか、あるいは制御領域24と注入領域
22の間に高電圧を印加してフローティングゲート20から
電子を除去することによってプログラムできる。これ
は、注入領域22とその上に配置されたフローティングゲ
ート20の間のトンネル効果によって実現される。
ジスタのしきい電圧をプログラムした場合の光学特性を
示す。これらのしきい電圧は、電子をフローティングゲ
ート20の方に動かすか、あるいは制御領域24と注入領域
22の間に高電圧を印加してフローティングゲート20から
電子を除去することによってプログラムできる。これ
は、注入領域22とその上に配置されたフローティングゲ
ート20の間のトンネル効果によって実現される。
図２は、0.75Vから1.35Vの範囲の電圧Vth0、Vth0は入
射光がない場合のしきい電圧を示しているが、この場合
のセンサの光学特性を対数的に示す。図２から明らかな
ように、このプログラムされたしきい電圧はセンサの特
性の入射光強度に対する対数的依存関係を変えない。
射光がない場合のしきい電圧を示しているが、この場合
のセンサの光学特性を対数的に示す。図２から明らかな
ように、このプログラムされたしきい電圧はセンサの特
性の入射光強度に対する対数的依存関係を変えない。
図３は、充電を、つまり、簡単な方法でフローティン
グゲートに蓄積されるべき光学信号のことであるが、そ
れを可能にする制御回路を示している。点線30で示す部
分には、内蔵EEPROMメモリを有するフォトFETを図式的
に示し、このフォトFETは本発明に係る好ましい実施形
態であるセンサ素子を示している。このセンサ素子は、
入射光32によって作動する。このトランジスタのソース
電極にはVddの供給電圧が印加されている。このトラン
ジスタのドレイン電極は抵抗器Ｒを介して接地されてい
る。ドレイン電極は、また、比較器34の第１入力ポート
に接続されている。この比較器の第２入力ポートは比較
器に基準電圧Vrefを印加する電圧源に接続されている。
比較器の出力ポートはフォトEFTのEEPROMのためのプロ
グラミングユニット36に接続されている。プログラミン
グユニット36は制御領域24と注入領域22を接続してい
る。
グゲートに蓄積されるべき光学信号のことであるが、そ
れを可能にする制御回路を示している。点線30で示す部
分には、内蔵EEPROMメモリを有するフォトFETを図式的
に示し、このフォトFETは本発明に係る好ましい実施形
態であるセンサ素子を示している。このセンサ素子は、
入射光32によって作動する。このトランジスタのソース
電極にはVddの供給電圧が印加されている。このトラン
ジスタのドレイン電極は抵抗器Ｒを介して接地されてい
る。ドレイン電極は、また、比較器34の第１入力ポート
に接続されている。この比較器の第２入力ポートは比較
器に基準電圧Vrefを印加する電圧源に接続されている。
比較器の出力ポートはフォトEFTのEEPROMのためのプロ
グラミングユニット36に接続されている。プログラミン
グユニット36は制御領域24と注入領域22を接続してい
る。
入射光32がない場合、基準電圧Vrefは出力電圧Viに相
当する。トランジスタが入射光32によって作動した場
合、トランジスタのしきい電圧が置き換えられ、出力電
圧Viに変化をもたらす。この変化が比較器34によって検
出され、出力電圧Viが基準電圧Vrefになるまでプログラ
ミングユニット36によってフローティングゲートに電荷
が与えられる。この基準電圧に達すると、入射光32によ
って変化させられたPMOSトランジスタのしきい電圧が、
しきい電圧置き換えをもたらすフローティングゲートへ
の充電によって補われる。そして、光力に相当する電圧
がセンサ内のフローティングゲートのしきい電圧変化と
して記憶される。
当する。トランジスタが入射光32によって作動した場
合、トランジスタのしきい電圧が置き換えられ、出力電
圧Viに変化をもたらす。この変化が比較器34によって検
出され、出力電圧Viが基準電圧Vrefになるまでプログラ
ミングユニット36によってフローティングゲートに電荷
が与えられる。この基準電圧に達すると、入射光32によ
って変化させられたPMOSトランジスタのしきい電圧が、
しきい電圧置き換えをもたらすフローティングゲートへ
の充電によって補われる。そして、光力に相当する電圧
がセンサ内のフローティングゲートのしきい電圧変化と
して記憶される。
このように、本発明は、製造工程による変数のばらつ
きや変化した環境条件への適応がセンサ素子に内蔵され
た不揮発性メモリによって補うことのできるモノリシッ
ク集積センサ素子を提供する。この補償情報はフローテ
ィングゲートに記憶されている。さらに、本発明に係る
メモリは、センサのアナログ信号を直接処理したり、あ
るいは、プログラムされるべきアナログ動作点電圧を永
久的に記憶することができるので、アナログメモリとし
て容易に使用できる。本発明に係る部品は、センサ素子
であると同時に不揮発性メモリである。
きや変化した環境条件への適応がセンサ素子に内蔵され
た不揮発性メモリによって補うことのできるモノリシッ
ク集積センサ素子を提供する。この補償情報はフローテ
ィングゲートに記憶されている。さらに、本発明に係る
メモリは、センサのアナログ信号を直接処理したり、あ
るいは、プログラムされるべきアナログ動作点電圧を永
久的に記憶することができるので、アナログメモリとし
て容易に使用できる。本発明に係る部品は、センサ素子
であると同時に不揮発性メモリである。
本発明に係るセンサ素子は多岐に応用可能である。例
えば、不揮発性メモリを有する神経ネットワークの分野
や「見る」ことによってのみ画像パターンを学習するこ
とができる学習カメラの分野に応用できる。不揮発性記
憶装置は、また、大型フォトセンサレイ内の一定パター
ンのノイズを除去するために、センサの取り替えや感度
修正を可能にする。
えば、不揮発性メモリを有する神経ネットワークの分野
や「見る」ことによってのみ画像パターンを学習するこ
とができる学習カメラの分野に応用できる。不揮発性記
憶装置は、また、大型フォトセンサレイ内の一定パター
ンのノイズを除去するために、センサの取り替えや感度
修正を可能にする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ホスティカ ベードリヒ ドイツ連邦共和国 デエ−47058 デュ イスブルク ツィークラーシュトラーセ 27 (72)発明者 ブロクヘルデ ヴェーナー ドイツ連邦共和国 デエ―47259 デュ イスブルク ボクウーマー ヴェーク ６ (72)発明者 シャンツ ミヒャエル ドイツ連邦共和国 デエ―46047 オー バーハウゼン ヨハン―シェーファー― シュトラーセ 35 アー (56)参考文献 特開 平７−115182（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−180866（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−1159（ＪＰ，Ａ) 米国特許4788581（ＵＳ，Ａ) 米国特許5541878（ＵＳ，Ａ) 米国特許5343064（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/10 - 31/119 H01L 27/14 - 27/148 G01P 15/00 - 15/16 G01L 1/00 - 1/26
Claims (8)
- 【請求項１】検出されるべき物理量を感知する電界効果
トランジスタ（10）として形成され、電界効果トランジ
スタのゲート電極（20）がフローティングゲートとして
機能するセンサ素子において、 検出された物理量により電界効果トランジスタ（10）の
閾値電圧の変化が、フローティングゲートに電荷を与え
たり、フローティングゲートから電荷を除去するプログ
ラミングユニットによって補償され、 物理量に相当する閾値電圧の変化は、電荷の形態でフロ
ーティングゲート上に蓄積されること、 を特徴とするセンサ素子。 - 【請求項２】前記電解効果トランジスタ（10）が感光性
電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１
に記載のセンサ素子。 - 【請求項３】前記電界効果トランジスタが、圧力又は加
速を感知し、局所的に置き換え可能なフローティングゲ
ートを備えていることを特徴とする請求項１に記載のセ
ンサ素子。 - 【請求項４】前記フローティングゲート（20）はトンネ
ル効果による電荷によって作動することを特徴とする請
求項１、請求項２又は請求項３に記載のセンサ素子。 - 【請求項５】前記電界効果トランジスタ（10）は基板
（12）内に形成され、前記フローティングゲート（20）
は、その一部が基板（12）内の濃縮にドーピングされた
領域（22）に対向し、濃度にドーピングされた領域（2
2）とフローティングゲート（20）との間にトンネル領
域が形成されるように配置されていることを特徴とする
請求項４に記載のセンサ素子。 - 【請求項６】前記フローティングゲート（20）は、該フ
ローティングゲートに電荷を与えたり、該フローティン
グゲートから電荷を除去するプログラミングユニット
（36）に結合されていることを特徴とする請求項１、請
求項２、請求項３、請求項４又は請求項５に記載のセン
サ素子。 - 【請求項７】前記電界効果トランジスタ（10）のソース
電極（16）は電圧源（Vdd）に接続され、電界効果トラ
ンジスタ（10）のドレイン電極（14）は抵抗器（Ｒ）を
介して接地され、さらに、比較器（34）の第１入力ポー
トに直接接続され、比較器（34）の第２入力ポートは基
準電圧源（Vref）に接続され、比較器（34）の出力ポー
トはプログラミングユニット（36）に接続されているこ
とを特徴とする請求項６に記載のセンサ素子。 - 【請求項８】請求項７に記載のセンサ素子に、検出され
るべき物理量に相当する電荷を蓄積する方法であって、 センサ素子に検出されるべき物理量（32）を与え、 比較器（34）の第１入力ポートに印加された電圧（Vi）
が比較器の第２入力ポートに印加された基準電圧（Vre
f）に相当するまで、プログラミングユニット（36）に
よってフローティングゲート（20）に電荷を与える、 ことを特徴とする電荷蓄積方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/EP1996/004947 WO1998021756A1 (de) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | Sensorelement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000515981A JP2000515981A (ja) | 2000-11-28 |
| JP3269826B2 true JP3269826B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=8166396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52206598A Expired - Fee Related JP3269826B2 (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | センサ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269826B2 (ja) |
| KR (1) | KR100319057B1 (ja) |
| DE (1) | DE59608775D1 (ja) |
| WO (1) | WO1998021756A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19844676C1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-08-03 | Siemens Ag | Mikromechanischer Sensor auf Basis des Feldeffekts und dessen Verwendung |
| US7180798B2 (en) | 2001-04-12 | 2007-02-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor physical quantity sensing device |
| JP4764996B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2011-09-07 | 富士電機株式会社 | 半導体物理量センサ装置 |
| EP2466317A1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-06-20 | Nxp B.V. | Acceleration Threshold Detection |
| KR102320950B1 (ko) * | 2020-02-13 | 2021-11-02 | 연세대학교 산학협력단 | 압력 검출 메모리 트랜지스터 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3413829A1 (de) * | 1984-04-10 | 1985-10-17 | Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin | Mos-dosimeter |
| US5343064A (en) * | 1988-03-18 | 1994-08-30 | Spangler Leland J | Fully integrated single-crystal silicon-on-insulator process, sensors and circuits |
| DE4042336A1 (de) * | 1990-02-12 | 1991-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Drucksensoranordnung mit einem drucksensor und einem referenzelement |
| US5541878A (en) * | 1991-05-09 | 1996-07-30 | Synaptics, Incorporated | Writable analog reference voltage storage device |
| JPH07115182A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリー機能付き光電変換素子および固体撮像装置 |
-
1996
- 1996-11-12 JP JP52206598A patent/JP3269826B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-12 KR KR1019997004212A patent/KR100319057B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-12 WO PCT/EP1996/004947 patent/WO1998021756A1/de active IP Right Grant
- 1996-11-12 DE DE59608775T patent/DE59608775D1/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000515981A (ja) | 2000-11-28 |
| KR20000053235A (ko) | 2000-08-25 |
| KR100319057B1 (ko) | 2001-12-29 |
| DE59608775D1 (de) | 2002-03-28 |
| WO1998021756A1 (de) | 1998-05-22 |
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