JP3267587B2 - パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 - Google Patents
パターン形状補正方法、パターン形状算出方法Info
- Publication number
- JP3267587B2 JP3267587B2 JP26453399A JP26453399A JP3267587B2 JP 3267587 B2 JP3267587 B2 JP 3267587B2 JP 26453399 A JP26453399 A JP 26453399A JP 26453399 A JP26453399 A JP 26453399A JP 3267587 B2 JP3267587 B2 JP 3267587B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- corner
- block
- blocks
- rectangular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
のであって、特に半導体のリソグラフィー(光蝕刻法)
におけるパターン形状の補正(校正)方法(OPC., opti
cal proximity correction techniques)及びそのパタ
ーン形状補正の際の算出方法を提供するものである。
し、回路サイズ(feature size)縮小の方向に向けて、
大幅な技術上の発展が成されている。現在の量産技術は
すでに0.20μmピッチ以下のパターニングを可能と
している。しかし、回路の縮小に伴ない製造工程上のネ
ックも現われ、製造工程をますます困難にしている。そ
の内の一つとしてリソグラフィーの技術上の問題があ
る。
ウェハ上に選択的にフォトレジストを塗布し、光線(紫
外線、もしくはレントゲン線等)を照射し、選択的に保
留した部分のフォトレジストをもってウェハ上における
フォルム状の保護膜層とし、ウエハがイオン注入やエッ
チングなどの製造工程の影響を受けないようするもので
ある。リソグラフィーにおいては、先ずウェハを感光材
料であるフォトレジストの層で覆う。そして、光源から
平行に照射された光をガラスを主体とするマスク(レチ
クル)を介してフォトレジストに照射する。このステッ
プを露光と称する。
プと、ネガタイプの二種類がある。現像後のパターンが
フォトマスクと同様であれば、このようなパターンの移
転方式に使用されるのがポジタイプであって、その逆で
あればネガタイプである。ネガタイプとポジタイプの原
理は同様であるが、説明上の便宜を図るために以下にお
いてはポジタイプを例にして説明する。
しては、光線がマスクを通過する際に発生する散乱現象
と屈射現像が挙げられる。そして、これらの現象によ
り、パターンの転移の際にマスクの形状が正確にフォト
レジスト上にパターニングされないこととなる。この問
題は、集積回路を縮小する程、更に明白に現われ、特に
パターンのコーナー部においてよく発生する。
している。その記憶体の部分は基本的には排列されたビ
ットライン11と、ワードライン12とによって構成さ
れる。データをROMに保存する方法は非常に直接的で
あって、個々のアドレスのメモリセル、即ちビットライ
ンと、ワードラインとが交錯する箇所にnチャネルMO
Sトランジスタ(n−MOS)を形成する。従って、初
期の読み出し値は“1”である。そして、あるアドレス
に保存するメモリセルが“0”の場合は、図1に開示す
るイオン注入エリア13(アドレス(1,3))のよう
にホウ素(B)を当該エリアにイオン注入し、本来の電
気的性質を中和し、通電しないようにすることによっ
て、当該エリアのメモリセルの値を“0”にする。当該
エリアにホウ素をイオン注入することによって、アドレ
ス(1,3)上の値は“0”となり、その他は“1”と
なる。すなわち、ROMに値を保存する場合、フォトマ
スクを作成し、アドレス(1,3)上に開孔部を穿設
し、その他の部位を覆ってホウ素が特定のエリアにだけ
イオン注入されるようにしなければならない。
際に使用するフォトマスクを示している。その保存値は
左から右へ上段は011、中段は010、下段は110
である。よって、“1”を保存するためには、どの部位
であろうとフォトマスクで保護してホウ素がイオン注入
されないようにする必要があり、図2に開示するフォト
マスク20が必要となる。
技術上において、露光時に乱射、屈射等の問題が発生
し、フォトレジストは実際には図2に開示するような正
確な方形のフォトマスク形状として現像されず、図3に
開示するようにコーナー部が真実性を失なった円弧状の
構造となる。特にコーナー部においては、例えば凹角3
1において残留部が発生し、凸角32においてはエッチ
ングが進み過ぎることになる。
は、いわゆるOPC(optical proximity correction)
と称する技術によってこれを処理する。例えば、図4に
開示するように、フォトマスク20の原形を電算機で計
算し、さらに真実性を失う可能性のある部分に修正を加
える。すなわち、残留の発生する部分に消却ブロック4
1を加える(以下、これをanti-serifと称する)。逆
に、エッチングが進みすぎる部分には補填ブロック42
を加えて補填する(以下、これをserifと称する)。こ
のようにOPC技術を応用することによって校正を行
い、露光時の形状が不正確となる問題を解消することが
できる。
路の回路パターンの複雑性によって、フォトマスクに対
してどのようにして修正を加えるかを計算して求めるこ
とはほとんど不可能である。よって、OPC技術は、必
ず電算機によって計算と修正を行う必要が生じる。
に成されたものであり、リソグラフィー後のフォトレジ
ストのエッチングの進み過ぎ、若しくはフォトレジスト
の残留を抑止することにより、所望のパターン形状のフ
ォトレジストを形成し、高精度の回路パターンを形成す
ることを目的とする。
正方法は、リソグラフィーによりマスクパターンを形成
する際に、当該パターンの形状を補正する方法であっ
て、前記マスクパターンを方形ブロックに分割し、個々
の方形ブロックに対して座標を与える第1のステップ
と、前記方形ブロックを前記座標に従って順次選択する
第2のステップと、前記第2のステップにおいて選択さ
れた前記方形ブロックのコーナー部が凹角であるか判断
し、前記コーナー部の両側の位置の少なくとも一方に他
のブロックにより構成されるパターンが存在せず、かつ
前記コーナー部の対角の位置に他のブロックにより構成
されるパターンが存在する場合には、前記コーナー部を
凹角として認識し消却ブロックを加える第3のステップ
と、前記第2のステップにおいて選択された前記方形ブ
ロックのコーナー部が凸角であるか判断し、前記コーナ
ー部の両側及び対角の位置に他のブロックにより構成さ
れるパターンが存在しない場合には、前記コーナー部を
凸角として認識し補填ブロックを加える第4のステップ
と、前記コーナー部が凹角でも凸角でもないと判断した
場合には処理を施さないようにする第5のステップと、
全ての方形ブロックの選択がされたか判断し、全て選択
していれば終了し、全て選択していなければ前記第2の
ステップに戻る第6のステップとを有することを特徴と
する。
ラフィーによりマスクパターンを形成する際に、当該パ
ターンの形状を補正する方法であって、前記マスクパタ
ーンを方形ブロックに分割し、個々の方形ブロックに対
して座標を与える第1のステップと、前記方形ブロック
を前記座標に従って順次選択する第2のステップと、前
記第2のステップにおいて選択された前記方形ブロック
のコーナー部が凹角であるか判断し、前記コーナー部の
両側の位置に他のブロックにより構成されるパターンが
存在し、かつ前記コーナー部の対角の位置に他のブロッ
クにより構成されるパターンが存在しない場合には、前
記コーナー部を凹角として認識し消却ブロックを加える
第3のステップと、前記第2のステップにおいて選択さ
れた前記方形ブロックのコーナー部が凸角であるか判断
し、前記コーナー部の両側及び対角の位置に他のブロッ
クにより構成されるパターンが存在しない場合には、前
記コーナー部を凸角として認識し補填ブロックを加える
第4のステップと、前記コーナー部が凹角でも凸角でも
ないと判断した場合には処理を施さないようにする第5
のステップと、全ての方形ブロックの選択がされたか判
断し、全て選択していれば終了し、全て選択していなけ
れば前記第2のステップに戻る第6のステップとを有す
ることを特徴とする。
スクパターンがROM用の集積回路パターンであること
を特徴とする。
を参照しながら説明する。本実施形態はOPCの一計算
方法を提供するものであって、その思想は、パターンに
現れる凸角、凹角、もしくは平面によって、いかにフォ
トマスクを修正するか決定するものである。なお、本実
施形態により形成されるROMの集積回路の平面構成
は、図1に開示したものと同様である。
20について真実性を失なう部分は、いずれもパターン
の形状が屈折する部分である。即ち、パターンに凹角2
1が現れる場合、現像後のフォトマスクには、図3に示
すように、凹角のオーバー部に残留現像部31が発生
し、逆に凸角22の場合には、エッチングが進み過ぎる
部位32が発生する。さらに、平面状部23のようなパ
ターンの場合には真実性を失なう現像は発生しない。こ
のような現像に基づきOPCによる修正の原則を定める
と、次のようになる。
ブロック(serif)42を加える。 2.パターンが凹角21の場合には、消却ブロック(an
ti-serif)41を加える。 3.パターンが平面状の場合は、処理を必要としない。
て、先ず集積回路を方形ブロックに分割する。その後、
分割されたそれぞれのブロックの四つのコーナー部につ
いて分析を行ない、四つのコーナー部が周囲のパターン
との関係から凸角か、凹角か、もしくは平坦な状態であ
るかを判断し、その状態に基づいてどのようにOPCによ
る校正を行うか決定する。仮にパターンが凸角22であ
れば、補填ブロック(serif)41を加え、凹角21で
あれば消去ブロック(anti-serif)42を加え、仮にパ
ターンが平面状であれば処理を施さないようにする。
後、方形ブロック(A)80を得る。該方形ブロック
(A)80の座標は(I,J)であって、四つのコーナ
ー部を有する。図9は方形ブロック(A)80と、周囲
の方形ブロックとの関係を表わす説明図である。図9に
示すように、方形ブロック(A)80は別の8個の方形
ブロックに囲まれていて、かつ、個々のコーナー部(図
8に示すA(I,J,right top)A(I,J,right b
ottom)A(I,J,left top)A(I,J,left bott
om))は3個の方形ブロックと接している。
を示している。その左下方のコーナー部51(図8にお
けるA(I,J, left bottom)を例にすると、その周辺の方
形ブロックとによって発生するパターンは2の3乗で8
種類になる。これらを図5(a)〜図5(d)、図6及
び図7(a)〜図7(c)に開示する。
51と周辺の方形ブロックとの間には凹角21が出現し
ている。従って、露光を行うと残留現像が発生する。こ
のため電算機で測定を行う場合、仮にパターンが図5に
示す4種類の状態のうちの1つに属していれば、コーナ
ー部51に消却ブロック(anti serif)を加える。
に他のパターンが存在しない場合、コーナー部は凸角2
2となる。仮に電算機でそれぞれの方形ブロックに対し
て測定を行い、図6に開示する方形ブロックを発見した
場合には、コーナー部51に補填ブロック(serif)を加
える。
51は平面状とされ、囲まれた、若しくはそれに近い情
況になっている。仮に電算機でそれぞれの方形ブロック
に対して測定を行い、図7(a)〜図7(c)に開示す
る方形ブロックが存在する場合には、処理を施さない。
な処理プロセスを得ることができる。すなわち、先ず集
積回路のパターンに対して分割を行い(ステップS10
1)、図9に示すように個々の方形ブロックに座標を与
える。次にこれら方形ブロックの内の1つを選択し、そ
の四つのコーナー部に対して測定(検出)を行う(ステ
ップS102)。方形ブロックは座標の順序に従って選
択する。さらに、選択した方形ブロックのコーナー部に
凹角が存在するか否か判断する(ステップS103)。
仮に存在すれば消却ブロック(anti serif)41を加え
(ステップS104)、凹角21が存在しない場合、コ
ーナー部が凸角22であるか否かを判断し(ステップS
105)、該コーナー部が凸角22であると判断した場
合には、補填ブロック(serif)42を加える (ステッ
プS106) 。また、コーナー部が凹角21でも凸角
22でもない場合には処理を施さない(ステップS10
7)。その後、すべての方形ブロックに対する測定が完
了したかを判断し(ステップS108)、完了していれ
ば終了とし(ステップS109)、完了していなければ
ステップS102に戻り、継続して測定を行う。
知の技術に属するので、詳述しない。ただ、判断の部分
についてのプログラムの一例を以下に示す。
判定し、“1”はパターンが存在することを表わしてい
る。
それぞれ方形ブロックA(I,J)の4つのコーナー部
が図6に開示する状態にあるか、すなわち凸角22であ
るかを判断するものであって、当該状態にあれば補填ブ
ロック(serif)42を加える。
は、それぞれ方形ブロックA(I,J)の4つのコーナ
ー部が図5(d)に開示する状態にあるか、すなわち凹
角21であるかを判断をするものであって、当該状態に
あれば消却ブロック(anti serif)41を加える。
は、それぞれ方形ブロックA(I,J)の4つのコーナ
ー部が図5(a)、図5(b)、図5(c)に開示する
状態にあるか、すなわち凹角であるかを判断するもので
あって、当該状態にあれば消却ブロック(anti serif)4
1を加える。
を施さない状態を示している。
ナー部を測定した場合は消却ブロックを加え、凸角22
のコーナー部を測定した場合は補填ブロックを加え、そ
の他に至っては処理を施さない。当然のことながら、そ
の他ロジックの組み合わせを採用することによって、例
えば凹角と図7(a)、図7(b)、図7(c)に開示
する平面状とに区分してもよい。
要件はコーナー部と、該コーナー部の周囲に現れる形状
がどのようなものであるかにあり、この点を応用して構
成方法を決定する。
あるが、これはこの発明を限定するものではない。よっ
て、当業者のなし得る如何なる修正、もしくは改変であ
ろうと、それがこの発明の精神と範囲内にあるものは、
いずれも本発明の範疇に属するものとする。
ォトレジストのエッチングの進み過ぎ、若しくはフォト
レジストの残留を抑止することができる。従って、高い
精度で回路パターンを形成することができる。
成を示す模式図である。
を注入する際のフォトマスクを示す模式図である。
レジストのパターンを示す模式図である。
校正した後のフォトマスクを示す模式図である。
ンを示す模式図である。
ンを示す模式図である。
ンを示す模式図である。
回路パターンの1ブロックを示す模式図である。
回路パターンの1ブロックと、その周辺の方形ブロック
との関係を示す模式図である。
の処理手順を示すフローチャートである。
Claims (3)
- 【請求項1】 リソグラフィーによりマスクパターンを
形成する際に、当該パターンの形状を補正する方法であ
って、 前記マスクパターンを方形ブロックに分割し、個々の方
形ブロックに対して座標を与える第1のステップと、 前記方形ブロックを前記座標に従って順次選択する第2
のステップと、 前記第2のステップにおいて選択された前記方形ブロッ
クのコーナー部が凹角であるか判断し、前記コーナー部
の両側の位置の少なくとも一方に他のブロックにより構
成されるパターンが存在せず、かつ前記コーナー部の対
角の位置に他のブロックにより構成されるパターンが存
在する場合には、前記コーナー部を凹角として認識し消
却ブロックを加える第3のステップと、 前記第2のステップにおいて選択された前記方形ブロッ
クのコーナー部が凸角であるか判断し、前記コーナー部
の両側及び対角の位置に他のブロックにより構成される
パターンが存在しない場合には、前記コーナー部を凸角
として認識し補填ブロックを加える第4のステップと、 前記コーナー部が凹角でも凸角でもないと判断した場合
には処理を施さないようにする第5のステップと、 全ての方形ブロックの選択がされたか判断し、全て選択
していれば終了し、全て選択していなければ前記第2の
ステップに戻る第6のステップとを有することを特徴と
するパターン形状補正方法。 - 【請求項2】 リソグラフィーによりマスクパターンを
形成する際に、当該パターンの形状を補正する方法であ
って、 前記マスクパターンを方形ブロックに分割し、個々の方
形ブロックに対して座標を与える第1のステップと、 前記方形ブロックを前記座標に従って順次選択する第2
のステップと、 前記第2のステップにおいて選択された前記方形ブロッ
クのコーナー部が凹角であるか判断し、前記コーナー部
の両側の位置に他のブロックにより構成されるパターン
が存在し、かつ前記コーナー部の対角の位置に他のブロ
ックにより構成されるパターンが存在しない場合には、
前記コーナー部を凹角として認識し消却ブロックを加え
る第3のステップと、 前記第2のステップにおいて選択された前記方形ブロッ
クのコーナー部が凸角であるか判断し、前記コーナー部
の両側及び対角の位置に他のブロックにより構成される
パターンが存在しない場合には、前記コーナー部を凸角
として認識し補填ブロックを加える第4のステップと、 前記コーナー部が凹角でも凸角でもないと判断した場合
には処理を施さないようにする第5のステップと、 全ての方形ブロックの選択がされたか判断し、全て選択
していれば終了し、全て選択していなければ前記第2の
ステップに戻る第6のステップとを有することを特徴と
するパターン形状補正方法。 - 【請求項3】 前記マスクパターンがROM用の集積
回路パターンであることを特徴とする請求項1又は2に
記載のパターン形状補正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26453399A JP3267587B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26453399A JP3267587B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001100389A JP2001100389A (ja) | 2001-04-13 |
JP3267587B2 true JP3267587B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=17404593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26453399A Expired - Lifetime JP3267587B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3267587B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4957140B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2012-06-20 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ用フォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示装置 |
JP4992363B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-08-08 | 凸版印刷株式会社 | 硬化パターンの製造方法 |
JP5147226B2 (ja) | 2006-12-15 | 2013-02-20 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像素子、光検出器及びこれを用いた認証装置 |
JP6118996B2 (ja) | 2013-02-22 | 2017-04-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | フォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン形成方法及び加工方法 |
US11409170B2 (en) | 2020-05-28 | 2022-08-09 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and display panel |
CN111580319B (zh) * | 2020-05-28 | 2021-07-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
-
1999
- 1999-09-17 JP JP26453399A patent/JP3267587B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001100389A (ja) | 2001-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3406506B2 (ja) | フォトマスクのパターン補正方法およびフォトマスクのパターン補正装置 | |
US7458056B2 (en) | Effective proximity effect correction methodology | |
JP4866683B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法、データ作成装置、データ作成方法、およびプログラム | |
US6578190B2 (en) | Process window based optical proximity correction of lithographic images | |
US7480890B2 (en) | Method for correcting and configuring optical mask pattern | |
TWI507812B (zh) | 用於利用二維劑量圖與帶電粒子束微影術設計及製造標線片之方法 | |
EP1290496B1 (en) | Modification of mask layout data to improve mask fidelity | |
US20030115569A1 (en) | Method and system for optical proximity correction | |
KR20170047101A (ko) | Opc 이용한 마스크 제조방법 및 반도체 소자 제조방법 | |
US8423918B2 (en) | Structure and methodology for fabrication and inspection of photomasks by a single design system | |
US5128283A (en) | Method of forming mask alignment marks | |
US20070074142A1 (en) | Integrated circuit layout methods | |
US7600213B2 (en) | Pattern data verification method, pattern data creation method, exposure mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and computer program product | |
US20160162623A1 (en) | Method, computer readable storage medium and computer system for creating a layout of a photomask | |
KR20190062026A (ko) | 모니터링 매크로 제공 방법, OPC(Optical Proximity Correction) 방법 및 EUV(Extreme ultraviolet radiation) 마스크 제조 방법 | |
US7008731B2 (en) | Method of manufacturing a photomask and method of manufacturing a semiconductor device using the photomask | |
JPH04155337A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
JP4352498B2 (ja) | パターン露光方法とこれに用いる処理装置 | |
JP3267587B2 (ja) | パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 | |
US7313508B2 (en) | Process window compliant corrections of design layout | |
JPH08136236A (ja) | 形状シミュレーション方法 | |
JP3286225B2 (ja) | パターン設計方法 | |
CN109164678B (zh) | 改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法 | |
US20230074316A1 (en) | Mask process correction methods and methods of fabricating lithographic mask using the same | |
JPS58175830A (ja) | パタ−ン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3267587 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100111 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111 Year of fee payment: 12 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |