JP3267587B2 - パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 - Google Patents
パターン形状補正方法、パターン形状算出方法Info
- Publication number
- JP3267587B2 JP3267587B2 JP26453399A JP26453399A JP3267587B2 JP 3267587 B2 JP3267587 B2 JP 3267587B2 JP 26453399 A JP26453399 A JP 26453399A JP 26453399 A JP26453399 A JP 26453399A JP 3267587 B2 JP3267587 B2 JP 3267587B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- corner
- block
- blocks
- rectangular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学技術に関するも
のであって、特に半導体のリソグラフィー（光蝕刻法）
におけるパターン形状の補正（校正）方法（OPC., opti
cal proximity correction techniques）及びそのパタ
ーン形状補正の際の算出方法を提供するものである。
のであって、特に半導体のリソグラフィー（光蝕刻法）
におけるパターン形状の補正（校正）方法（OPC., opti
cal proximity correction techniques）及びそのパタ
ーン形状補正の際の算出方法を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路の技術は絶え間なく進歩
し、回路サイズ（feature size）縮小の方向に向けて、
大幅な技術上の発展が成されている。現在の量産技術は
すでに０．２０μｍピッチ以下のパターニングを可能と
している。しかし、回路の縮小に伴ない製造工程上のネ
ックも現われ、製造工程をますます困難にしている。そ
の内の一つとしてリソグラフィーの技術上の問題があ
る。
し、回路サイズ（feature size）縮小の方向に向けて、
大幅な技術上の発展が成されている。現在の量産技術は
すでに０．２０μｍピッチ以下のパターニングを可能と
している。しかし、回路の縮小に伴ない製造工程上のネ
ックも現われ、製造工程をますます困難にしている。そ
の内の一つとしてリソグラフィーの技術上の問題があ
る。
【０００３】リソグラフィーとは、簡単に説明すれば、
ウェハ上に選択的にフォトレジストを塗布し、光線（紫
外線、もしくはレントゲン線等）を照射し、選択的に保
留した部分のフォトレジストをもってウェハ上における
フォルム状の保護膜層とし、ウエハがイオン注入やエッ
チングなどの製造工程の影響を受けないようするもので
ある。リソグラフィーにおいては、先ずウェハを感光材
料であるフォトレジストの層で覆う。そして、光源から
平行に照射された光をガラスを主体とするマスク（レチ
クル）を介してフォトレジストに照射する。このステッ
プを露光と称する。
ウェハ上に選択的にフォトレジストを塗布し、光線（紫
外線、もしくはレントゲン線等）を照射し、選択的に保
留した部分のフォトレジストをもってウェハ上における
フォルム状の保護膜層とし、ウエハがイオン注入やエッ
チングなどの製造工程の影響を受けないようするもので
ある。リソグラフィーにおいては、先ずウェハを感光材
料であるフォトレジストの層で覆う。そして、光源から
平行に照射された光をガラスを主体とするマスク（レチ
クル）を介してフォトレジストに照射する。このステッ
プを露光と称する。
【０００４】露光されるフォトレジストには、ポジタイ
プと、ネガタイプの二種類がある。現像後のパターンが
フォトマスクと同様であれば、このようなパターンの移
転方式に使用されるのがポジタイプであって、その逆で
あればネガタイプである。ネガタイプとポジタイプの原
理は同様であるが、説明上の便宜を図るために以下にお
いてはポジタイプを例にして説明する。
プと、ネガタイプの二種類がある。現像後のパターンが
フォトマスクと同様であれば、このようなパターンの移
転方式に使用されるのがポジタイプであって、その逆で
あればネガタイプである。ネガタイプとポジタイプの原
理は同様であるが、説明上の便宜を図るために以下にお
いてはポジタイプを例にして説明する。
【０００５】光蝕刻法について発生する技術上の問題と
しては、光線がマスクを通過する際に発生する散乱現象
と屈射現像が挙げられる。そして、これらの現象によ
り、パターンの転移の際にマスクの形状が正確にフォト
レジスト上にパターニングされないこととなる。この問
題は、集積回路を縮小する程、更に明白に現われ、特に
パターンのコーナー部においてよく発生する。
しては、光線がマスクを通過する際に発生する散乱現象
と屈射現像が挙げられる。そして、これらの現象によ
り、パターンの転移の際にマスクの形状が正確にフォト
レジスト上にパターニングされないこととなる。この問
題は、集積回路を縮小する程、更に明白に現われ、特に
パターンのコーナー部においてよく発生する。
【０００６】図１は、ＲＯＭの集積回路の平面構成を示
している。その記憶体の部分は基本的には排列されたビ
ットライン１１と、ワードライン１２とによって構成さ
れる。データをＲＯＭに保存する方法は非常に直接的で
あって、個々のアドレスのメモリセル、即ちビットライ
ンと、ワードラインとが交錯する箇所にｎチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ（ｎ−ＭＯＳ）を形成する。従って、初
期の読み出し値は“１”である。そして、あるアドレス
に保存するメモリセルが“０”の場合は、図1に開示す
るイオン注入エリア１３（アドレス（１，３））のよう
にホウ素（Ｂ）を当該エリアにイオン注入し、本来の電
気的性質を中和し、通電しないようにすることによっ
て、当該エリアのメモリセルの値を“０”にする。当該
エリアにホウ素をイオン注入することによって、アドレ
ス（１，３）上の値は“０”となり、その他は“１”と
なる。すなわち、ＲＯＭに値を保存する場合、フォトマ
スクを作成し、アドレス（１，３）上に開孔部を穿設
し、その他の部位を覆ってホウ素が特定のエリアにだけ
イオン注入されるようにしなければならない。
している。その記憶体の部分は基本的には排列されたビ
ットライン１１と、ワードライン１２とによって構成さ
れる。データをＲＯＭに保存する方法は非常に直接的で
あって、個々のアドレスのメモリセル、即ちビットライ
ンと、ワードラインとが交錯する箇所にｎチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ（ｎ−ＭＯＳ）を形成する。従って、初
期の読み出し値は“１”である。そして、あるアドレス
に保存するメモリセルが“０”の場合は、図1に開示す
るイオン注入エリア１３（アドレス（１，３））のよう
にホウ素（Ｂ）を当該エリアにイオン注入し、本来の電
気的性質を中和し、通電しないようにすることによっ
て、当該エリアのメモリセルの値を“０”にする。当該
エリアにホウ素をイオン注入することによって、アドレ
ス（１，３）上の値は“０”となり、その他は“１”と
なる。すなわち、ＲＯＭに値を保存する場合、フォトマ
スクを作成し、アドレス（１，３）上に開孔部を穿設
し、その他の部位を覆ってホウ素が特定のエリアにだけ
イオン注入されるようにしなければならない。
【０００７】図２は、ＲＯＭに対して保存値を保存する
際に使用するフォトマスクを示している。その保存値は
左から右へ上段は０１１、中段は０１０、下段は１１０
である。よって、“１”を保存するためには、どの部位
であろうとフォトマスクで保護してホウ素がイオン注入
されないようにする必要があり、図２に開示するフォト
マスク２０が必要となる。
際に使用するフォトマスクを示している。その保存値は
左から右へ上段は０１１、中段は０１０、下段は１１０
である。よって、“１”を保存するためには、どの部位
であろうとフォトマスクで保護してホウ素がイオン注入
されないようにする必要があり、図２に開示するフォト
マスク２０が必要となる。
【０００８】しかし、前述のとおり、リソグラフィーの
技術上において、露光時に乱射、屈射等の問題が発生
し、フォトレジストは実際には図２に開示するような正
確な方形のフォトマスク形状として現像されず、図３に
開示するようにコーナー部が真実性を失なった円弧状の
構造となる。特にコーナー部においては、例えば凹角３
１において残留部が発生し、凸角３２においてはエッチ
ングが進み過ぎることになる。
技術上において、露光時に乱射、屈射等の問題が発生
し、フォトレジストは実際には図２に開示するような正
確な方形のフォトマスク形状として現像されず、図３に
開示するようにコーナー部が真実性を失なった円弧状の
構造となる。特にコーナー部においては、例えば凹角３
１において残留部が発生し、凸角３２においてはエッチ
ングが進み過ぎることになる。
【０００９】このような問題を解決するために、一般に
は、いわゆるＯＰＣ（optical proximity correction）
と称する技術によってこれを処理する。例えば、図４に
開示するように、フォトマスク２０の原形を電算機で計
算し、さらに真実性を失う可能性のある部分に修正を加
える。すなわち、残留の発生する部分に消却ブロック４
１を加える（以下、これをanti-serifと称する）。逆
に、エッチングが進みすぎる部分には補填ブロック４２
を加えて補填する（以下、これをserifと称する）。こ
のようにＯＰＣ技術を応用することによって校正を行
い、露光時の形状が不正確となる問題を解消することが
できる。
は、いわゆるＯＰＣ（optical proximity correction）
と称する技術によってこれを処理する。例えば、図４に
開示するように、フォトマスク２０の原形を電算機で計
算し、さらに真実性を失う可能性のある部分に修正を加
える。すなわち、残留の発生する部分に消却ブロック４
１を加える（以下、これをanti-serifと称する）。逆
に、エッチングが進みすぎる部分には補填ブロック４２
を加えて補填する（以下、これをserifと称する）。こ
のようにＯＰＣ技術を応用することによって校正を行
い、露光時の形状が不正確となる問題を解消することが
できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、集積回
路の回路パターンの複雑性によって、フォトマスクに対
してどのようにして修正を加えるかを計算して求めるこ
とはほとんど不可能である。よって、ＯＰＣ技術は、必
ず電算機によって計算と修正を行う必要が生じる。
路の回路パターンの複雑性によって、フォトマスクに対
してどのようにして修正を加えるかを計算して求めるこ
とはほとんど不可能である。よって、ＯＰＣ技術は、必
ず電算機によって計算と修正を行う必要が生じる。
【００１１】本発明にはこのような問題を解決するため
に成されたものであり、リソグラフィー後のフォトレジ
ストのエッチングの進み過ぎ、若しくはフォトレジスト
の残留を抑止することにより、所望のパターン形状のフ
ォトレジストを形成し、高精度の回路パターンを形成す
ることを目的とする。
に成されたものであり、リソグラフィー後のフォトレジ
ストのエッチングの進み過ぎ、若しくはフォトレジスト
の残留を抑止することにより、所望のパターン形状のフ
ォトレジストを形成し、高精度の回路パターンを形成す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン形状補
正方法は、リソグラフィーによりマスクパターンを形成
する際に、当該パターンの形状を補正する方法であっ
て、前記マスクパターンを方形ブロックに分割し、個々
の方形ブロックに対して座標を与える第１のステップ
と、前記方形ブロックを前記座標に従って順次選択する
第２のステップと、前記第２のステップにおいて選択さ
れた前記方形ブロックのコーナー部が凹角であるか判断
し、前記コーナー部の両側の位置の少なくとも一方に他
のブロックにより構成されるパターンが存在せず、かつ
前記コーナー部の対角の位置に他のブロックにより構成
されるパターンが存在する場合には、前記コーナー部を
凹角として認識し消却ブロックを加える第３のステップ
と、前記第２のステップにおいて選択された前記方形ブ
ロックのコーナー部が凸角であるか判断し、前記コーナ
ー部の両側及び対角の位置に他のブロックにより構成さ
れるパターンが存在しない場合には、前記コーナー部を
凸角として認識し補填ブロックを加える第４のステップ
と、前記コーナー部が凹角でも凸角でもないと判断した
場合には処理を施さないようにする第５のステップと、
全ての方形ブロックの選択がされたか判断し、全て選択
していれば終了し、全て選択していなければ前記第２の
ステップに戻る第６のステップとを有することを特徴と
する。
正方法は、リソグラフィーによりマスクパターンを形成
する際に、当該パターンの形状を補正する方法であっ
て、前記マスクパターンを方形ブロックに分割し、個々
の方形ブロックに対して座標を与える第１のステップ
と、前記方形ブロックを前記座標に従って順次選択する
第２のステップと、前記第２のステップにおいて選択さ
れた前記方形ブロックのコーナー部が凹角であるか判断
し、前記コーナー部の両側の位置の少なくとも一方に他
のブロックにより構成されるパターンが存在せず、かつ
前記コーナー部の対角の位置に他のブロックにより構成
されるパターンが存在する場合には、前記コーナー部を
凹角として認識し消却ブロックを加える第３のステップ
と、前記第２のステップにおいて選択された前記方形ブ
ロックのコーナー部が凸角であるか判断し、前記コーナ
ー部の両側及び対角の位置に他のブロックにより構成さ
れるパターンが存在しない場合には、前記コーナー部を
凸角として認識し補填ブロックを加える第４のステップ
と、前記コーナー部が凹角でも凸角でもないと判断した
場合には処理を施さないようにする第５のステップと、
全ての方形ブロックの選択がされたか判断し、全て選択
していれば終了し、全て選択していなければ前記第２の
ステップに戻る第６のステップとを有することを特徴と
する。
【００１３】本発明のパターン形状補正方法は、リソグ
ラフィーによりマスクパターンを形成する際に、当該パ
ターンの形状を補正する方法であって、前記マスクパタ
ーンを方形ブロックに分割し、個々の方形ブロックに対
して座標を与える第１のステップと、前記方形ブロック
を前記座標に従って順次選択する第２のステップと、前
記第２のステップにおいて選択された前記方形ブロック
のコーナー部が凹角であるか判断し、前記コーナー部の
両側の位置に他のブロックにより構成されるパターンが
存在し、かつ前記コーナー部の対角の位置に他のブロッ
クにより構成されるパターンが存在しない場合には、前
記コーナー部を凹角として認識し消却ブロックを加える
第３のステップと、前記第２のステップにおいて選択さ
れた前記方形ブロックのコーナー部が凸角であるか判断
し、前記コーナー部の両側及び対角の位置に他のブロッ
クにより構成されるパターンが存在しない場合には、前
記コーナー部を凸角として認識し補填ブロックを加える
第４のステップと、前記コーナー部が凹角でも凸角でも
ないと判断した場合には処理を施さないようにする第５
のステップと、全ての方形ブロックの選択がされたか判
断し、全て選択していれば終了し、全て選択していなけ
れば前記第２のステップに戻る第６のステップとを有す
ることを特徴とする。
ラフィーによりマスクパターンを形成する際に、当該パ
ターンの形状を補正する方法であって、前記マスクパタ
ーンを方形ブロックに分割し、個々の方形ブロックに対
して座標を与える第１のステップと、前記方形ブロック
を前記座標に従って順次選択する第２のステップと、前
記第２のステップにおいて選択された前記方形ブロック
のコーナー部が凹角であるか判断し、前記コーナー部の
両側の位置に他のブロックにより構成されるパターンが
存在し、かつ前記コーナー部の対角の位置に他のブロッ
クにより構成されるパターンが存在しない場合には、前
記コーナー部を凹角として認識し消却ブロックを加える
第３のステップと、前記第２のステップにおいて選択さ
れた前記方形ブロックのコーナー部が凸角であるか判断
し、前記コーナー部の両側及び対角の位置に他のブロッ
クにより構成されるパターンが存在しない場合には、前
記コーナー部を凸角として認識し補填ブロックを加える
第４のステップと、前記コーナー部が凹角でも凸角でも
ないと判断した場合には処理を施さないようにする第５
のステップと、全ての方形ブロックの選択がされたか判
断し、全て選択していれば終了し、全て選択していなけ
れば前記第２のステップに戻る第６のステップとを有す
ることを特徴とする。
【００１４】本発明のパターン形状補正方法は、前記マ
スクパターンがＲＯＭ用の集積回路パターンであること
を特徴とする。
スクパターンがＲＯＭ用の集積回路パターンであること
を特徴とする。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照しながら説明する。本実施形態はＯＰＣの一計算
方法を提供するものであって、その思想は、パターンに
現れる凸角、凹角、もしくは平面によって、いかにフォ
トマスクを修正するか決定するものである。なお、本実
施形態により形成されるＲＯＭの集積回路の平面構成
は、図１に開示したものと同様である。
を参照しながら説明する。本実施形態はＯＰＣの一計算
方法を提供するものであって、その思想は、パターンに
現れる凸角、凹角、もしくは平面によって、いかにフォ
トマスクを修正するか決定するものである。なお、本実
施形態により形成されるＲＯＭの集積回路の平面構成
は、図１に開示したものと同様である。
【００２３】図２及び図３に示すように、フォトマスク
２０について真実性を失なう部分は、いずれもパターン
の形状が屈折する部分である。即ち、パターンに凹角２
１が現れる場合、現像後のフォトマスクには、図３に示
すように、凹角のオーバー部に残留現像部３１が発生
し、逆に凸角２２の場合には、エッチングが進み過ぎる
部位３２が発生する。さらに、平面状部２３のようなパ
ターンの場合には真実性を失なう現像は発生しない。こ
のような現像に基づきOPCによる修正の原則を定める
と、次のようになる。
２０について真実性を失なう部分は、いずれもパターン
の形状が屈折する部分である。即ち、パターンに凹角２
１が現れる場合、現像後のフォトマスクには、図３に示
すように、凹角のオーバー部に残留現像部３１が発生
し、逆に凸角２２の場合には、エッチングが進み過ぎる
部位３２が発生する。さらに、平面状部２３のようなパ
ターンの場合には真実性を失なう現像は発生しない。こ
のような現像に基づきOPCによる修正の原則を定める
と、次のようになる。
【００２４】１．パターンが凸角２２の場合には、補填
ブロック（serif）４２を加える。 ２．パターンが凹角２１の場合には、消却ブロック（an
ti-serif）４１を加える。 ３．パターンが平面状の場合は、処理を必要としない。
ブロック（serif）４２を加える。 ２．パターンが凹角２１の場合には、消却ブロック（an
ti-serif）４１を加える。 ３．パターンが平面状の場合は、処理を必要としない。
【００２５】この発明においては、この原理を応用し
て、先ず集積回路を方形ブロックに分割する。その後、
分割されたそれぞれのブロックの四つのコーナー部につ
いて分析を行ない、四つのコーナー部が周囲のパターン
との関係から凸角か、凹角か、もしくは平坦な状態であ
るかを判断し、その状態に基づいてどのようにOPCによ
る校正を行うか決定する。仮にパターンが凸角２２であ
れば、補填ブロック（serif）４１を加え、凹角２１で
あれば消去ブロック（anti-serif）４２を加え、仮にパ
ターンが平面状であれば処理を施さないようにする。
て、先ず集積回路を方形ブロックに分割する。その後、
分割されたそれぞれのブロックの四つのコーナー部につ
いて分析を行ない、四つのコーナー部が周囲のパターン
との関係から凸角か、凹角か、もしくは平坦な状態であ
るかを判断し、その状態に基づいてどのようにOPCによ
る校正を行うか決定する。仮にパターンが凸角２２であ
れば、補填ブロック（serif）４１を加え、凹角２１で
あれば消去ブロック（anti-serif）４２を加え、仮にパ
ターンが平面状であれば処理を施さないようにする。
【００２６】図８に開示するように集積回路を分割した
後、方形ブロック（Ａ）８０を得る。該方形ブロック
（Ａ）８０の座標は（Ｉ，Ｊ）であって、四つのコーナ
ー部を有する。図９は方形ブロック（Ａ）８０と、周囲
の方形ブロックとの関係を表わす説明図である。図９に
示すように、方形ブロック（Ａ）８０は別の８個の方形
ブロックに囲まれていて、かつ、個々のコーナー部（図
８に示すＡ（Ｉ，Ｊ，right top）Ａ（Ｉ，Ｊ，right b
ottom）Ａ（Ｉ，Ｊ，left top）Ａ（Ｉ，Ｊ，left bott
om））は３個の方形ブロックと接している。
後、方形ブロック（Ａ）８０を得る。該方形ブロック
（Ａ）８０の座標は（Ｉ，Ｊ）であって、四つのコーナ
ー部を有する。図９は方形ブロック（Ａ）８０と、周囲
の方形ブロックとの関係を表わす説明図である。図９に
示すように、方形ブロック（Ａ）８０は別の８個の方形
ブロックに囲まれていて、かつ、個々のコーナー部（図
８に示すＡ（Ｉ，Ｊ，right top）Ａ（Ｉ，Ｊ，right b
ottom）Ａ（Ｉ，Ｊ，left top）Ａ（Ｉ，Ｊ，left bott
om））は３個の方形ブロックと接している。
【００２７】図５（ａ）は、分割後の方形ブロック５０
を示している。その左下方のコーナー部５１（図８にお
けるＡ(I,J, left bottom)を例にすると、その周辺の方
形ブロックとによって発生するパターンは２の３乗で８
種類になる。これらを図５（ａ）〜図５（ｄ）、図６及
び図７（ａ）〜図７（ｃ）に開示する。
を示している。その左下方のコーナー部５１（図８にお
けるＡ(I,J, left bottom)を例にすると、その周辺の方
形ブロックとによって発生するパターンは２の３乗で８
種類になる。これらを図５（ａ）〜図５（ｄ）、図６及
び図７（ａ）〜図７（ｃ）に開示する。
【００２８】図５（ａ）〜図５（ｄ）では、コーナー部
５１と周辺の方形ブロックとの間には凹角２１が出現し
ている。従って、露光を行うと残留現像が発生する。こ
のため電算機で測定を行う場合、仮にパターンが図５に
示す４種類の状態のうちの１つに属していれば、コーナ
ー部５１に消却ブロック(anti serif)を加える。
５１と周辺の方形ブロックとの間には凹角２１が出現し
ている。従って、露光を行うと残留現像が発生する。こ
のため電算機で測定を行う場合、仮にパターンが図５に
示す４種類の状態のうちの１つに属していれば、コーナ
ー部５１に消却ブロック(anti serif)を加える。
【００２９】図６に示すように、コーナー部５１の周囲
に他のパターンが存在しない場合、コーナー部は凸角２
２となる。仮に電算機でそれぞれの方形ブロックに対し
て測定を行い、図６に開示する方形ブロックを発見した
場合には、コーナー部５１に補填ブロック(serif)を加
える。
に他のパターンが存在しない場合、コーナー部は凸角２
２となる。仮に電算機でそれぞれの方形ブロックに対し
て測定を行い、図６に開示する方形ブロックを発見した
場合には、コーナー部５１に補填ブロック(serif)を加
える。
【００３０】図７（ａ）〜図７（ｃ）では、コーナー部
５１は平面状とされ、囲まれた、若しくはそれに近い情
況になっている。仮に電算機でそれぞれの方形ブロック
に対して測定を行い、図７（ａ）〜図７（ｃ）に開示す
る方形ブロックが存在する場合には、処理を施さない。
５１は平面状とされ、囲まれた、若しくはそれに近い情
況になっている。仮に電算機でそれぞれの方形ブロック
に対して測定を行い、図７（ａ）〜図７（ｃ）に開示す
る方形ブロックが存在する場合には、処理を施さない。
【００３１】以上の原則に基づいて、図１０に示すよう
な処理プロセスを得ることができる。すなわち、先ず集
積回路のパターンに対して分割を行い（ステップＳ１０
１）、図９に示すように個々の方形ブロックに座標を与
える。次にこれら方形ブロックの内の１つを選択し、そ
の四つのコーナー部に対して測定（検出）を行う（ステ
ップＳ１０２）。方形ブロックは座標の順序に従って選
択する。さらに、選択した方形ブロックのコーナー部に
凹角が存在するか否か判断する（ステップＳ１０３）。
仮に存在すれば消却ブロック(anti serif)４１を加え
（ステップＳ１０４）、凹角２１が存在しない場合、コ
ーナー部が凸角２２であるか否かを判断し（ステップＳ
１０５）、該コーナー部が凸角２２であると判断した場
合には、補填ブロック（serif）４２を加える （ステッ
プＳ１０６） 。また、コーナー部が凹角２１でも凸角
２２でもない場合には処理を施さない（ステップＳ１０
７）。その後、すべての方形ブロックに対する測定が完
了したかを判断し（ステップＳ１０８）、完了していれ
ば終了とし（ステップＳ１０９）、完了していなければ
ステップＳ１０２に戻り、継続して測定を行う。
な処理プロセスを得ることができる。すなわち、先ず集
積回路のパターンに対して分割を行い（ステップＳ１０
１）、図９に示すように個々の方形ブロックに座標を与
える。次にこれら方形ブロックの内の１つを選択し、そ
の四つのコーナー部に対して測定（検出）を行う（ステ
ップＳ１０２）。方形ブロックは座標の順序に従って選
択する。さらに、選択した方形ブロックのコーナー部に
凹角が存在するか否か判断する（ステップＳ１０３）。
仮に存在すれば消却ブロック(anti serif)４１を加え
（ステップＳ１０４）、凹角２１が存在しない場合、コ
ーナー部が凸角２２であるか否かを判断し（ステップＳ
１０５）、該コーナー部が凸角２２であると判断した場
合には、補填ブロック（serif）４２を加える （ステッ
プＳ１０６） 。また、コーナー部が凹角２１でも凸角
２２でもない場合には処理を施さない（ステップＳ１０
７）。その後、すべての方形ブロックに対する測定が完
了したかを判断し（ステップＳ１０８）、完了していれ
ば終了とし（ステップＳ１０９）、完了していなければ
ステップＳ１０２に戻り、継続して測定を行う。
【００３２】前記プログラムのループ（ｌｏｏｐ）は周
知の技術に属するので、詳述しない。ただ、判断の部分
についてのプログラムの一例を以下に示す。
知の技術に属するので、詳述しない。ただ、判断の部分
についてのプログラムの一例を以下に示す。
【００３３】
【００３４】ここで、１行目はパターンの存在の有無を
判定し、“1”はパターンが存在することを表わしてい
る。
判定し、“1”はパターンが存在することを表わしてい
る。
【００３５】２行目から９行目の４段のプログラムは、
それぞれ方形ブロックＡ（Ｉ，Ｊ）の４つのコーナー部
が図６に開示する状態にあるか、すなわち凸角２２であ
るかを判断するものであって、当該状態にあれば補填ブ
ロック(serif)４２を加える。
それぞれ方形ブロックＡ（Ｉ，Ｊ）の４つのコーナー部
が図６に開示する状態にあるか、すなわち凸角２２であ
るかを判断するものであって、当該状態にあれば補填ブ
ロック(serif)４２を加える。
【００３６】１０行目から１７行目の４段のプログラム
は、それぞれ方形ブロックＡ（Ｉ，Ｊ）の４つのコーナ
ー部が図５（ｄ）に開示する状態にあるか、すなわち凹
角２１であるかを判断をするものであって、当該状態に
あれば消却ブロック(anti serif)４１を加える。
は、それぞれ方形ブロックＡ（Ｉ，Ｊ）の４つのコーナ
ー部が図５（ｄ）に開示する状態にあるか、すなわち凹
角２１であるかを判断をするものであって、当該状態に
あれば消却ブロック(anti serif)４１を加える。
【００３７】１８行目から２５行目の４段のプログラム
は、それぞれ方形ブロックＡ（Ｉ，Ｊ）の４つのコーナ
ー部が図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）に開示する
状態にあるか、すなわち凹角であるかを判断するもので
あって、当該状態にあれば消却ブロック(anti serif)４
１を加える。
は、それぞれ方形ブロックＡ（Ｉ，Ｊ）の４つのコーナ
ー部が図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）に開示する
状態にあるか、すなわち凹角であるかを判断するもので
あって、当該状態にあれば消却ブロック(anti serif)４
１を加える。
【００３８】２６行目、最後の行のプログラムは、処理
を施さない状態を示している。
を施さない状態を示している。
【００３９】以上の実施形態において、凹角２１のコー
ナー部を測定した場合は消却ブロックを加え、凸角２２
のコーナー部を測定した場合は補填ブロックを加え、そ
の他に至っては処理を施さない。当然のことながら、そ
の他ロジックの組み合わせを採用することによって、例
えば凹角と図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）に開示
する平面状とに区分してもよい。
ナー部を測定した場合は消却ブロックを加え、凸角２２
のコーナー部を測定した場合は補填ブロックを加え、そ
の他に至っては処理を施さない。当然のことながら、そ
の他ロジックの組み合わせを採用することによって、例
えば凹角と図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）に開示
する平面状とに区分してもよい。
【００４０】ただし、いかなる方法であろうと、判別の
要件はコーナー部と、該コーナー部の周囲に現れる形状
がどのようなものであるかにあり、この点を応用して構
成方法を決定する。
要件はコーナー部と、該コーナー部の周囲に現れる形状
がどのようなものであるかにあり、この点を応用して構
成方法を決定する。
【００４１】この発明の好ましい実施例は上述の通りで
あるが、これはこの発明を限定するものではない。よっ
て、当業者のなし得る如何なる修正、もしくは改変であ
ろうと、それがこの発明の精神と範囲内にあるものは、
いずれも本発明の範疇に属するものとする。
あるが、これはこの発明を限定するものではない。よっ
て、当業者のなし得る如何なる修正、もしくは改変であ
ろうと、それがこの発明の精神と範囲内にあるものは、
いずれも本発明の範疇に属するものとする。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、リソグラフィー後のフ
ォトレジストのエッチングの進み過ぎ、若しくはフォト
レジストの残留を抑止することができる。従って、高い
精度で回路パターンを形成することができる。
ォトレジストのエッチングの進み過ぎ、若しくはフォト
レジストの残留を抑止することができる。従って、高い
精度で回路パターンを形成することができる。
【図１】本発明の一実施形態における、ＲＯＭの平面構
成を示す模式図である。
成を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施形態における、ＲＯＭにイオン
を注入する際のフォトマスクを示す模式図である。
を注入する際のフォトマスクを示す模式図である。
【図３】本発明の一実施形態における、露光後のフォト
レジストのパターンを示す模式図である。
レジストのパターンを示す模式図である。
【図４】本発明の一実施形態における、ＯＰＣによって
校正した後のフォトマスクを示す模式図である。
校正した後のフォトマスクを示す模式図である。
【図５】本発明の一実施形態における、凹角状のパター
ンを示す模式図である。
ンを示す模式図である。
【図６】本発明の一実施形態における、凸角状のパター
ンを示す模式図である。
ンを示す模式図である。
【図７】本発明の一実施形態における、平面状のパター
ンを示す模式図である。
ンを示す模式図である。
【図８】本発明の一実施形態における、分割された集積
回路パターンの１ブロックを示す模式図である。
回路パターンの１ブロックを示す模式図である。
【図９】本発明の一実施形態における、分割された集積
回路パターンの１ブロックと、その周辺の方形ブロック
との関係を示す模式図である。
回路パターンの１ブロックと、その周辺の方形ブロック
との関係を示す模式図である。
【図１０】本発明の一実施形態における、パターン形成
の処理手順を示すフローチャートである。
の処理手順を示すフローチャートである。
１１ ビットライン １２ ワードライン １３ イオン注入エリア ２０ フォトマスク ２１ 凹角部 ２２ 凸角部 ２３ 平面状部 ３１ 凹角部 ３２ 凸角部 ４１ 消却ブロック ４２ 補填ブロック ５０ 方形ブロック ５１ コーナー部 ８０ 方形ブロック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−286358（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−19445（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/08 G06F 17/50 H01L 21/027 H01L 27/10 431
Claims (3)
- 【請求項１】 リソグラフィーによりマスクパターンを
形成する際に、当該パターンの形状を補正する方法であ
って、 前記マスクパターンを方形ブロックに分割し、個々の方
形ブロックに対して座標を与える第１のステップと、 前記方形ブロックを前記座標に従って順次選択する第２
のステップと、 前記第２のステップにおいて選択された前記方形ブロッ
クのコーナー部が凹角であるか判断し、前記コーナー部
の両側の位置の少なくとも一方に他のブロックにより構
成されるパターンが存在せず、かつ前記コーナー部の対
角の位置に他のブロックにより構成されるパターンが存
在する場合には、前記コーナー部を凹角として認識し消
却ブロックを加える第３のステップと、 前記第２のステップにおいて選択された前記方形ブロッ
クのコーナー部が凸角であるか判断し、前記コーナー部
の両側及び対角の位置に他のブロックにより構成される
パターンが存在しない場合には、前記コーナー部を凸角
として認識し補填ブロックを加える第４のステップと、 前記コーナー部が凹角でも凸角でもないと判断した場合
には処理を施さないようにする第５のステップと、 全ての方形ブロックの選択がされたか判断し、全て選択
していれば終了し、全て選択していなければ前記第２の
ステップに戻る第６のステップとを有することを特徴と
するパターン形状補正方法。 - 【請求項２】 リソグラフィーによりマスクパターンを
形成する際に、当該パターンの形状を補正する方法であ
って、 前記マスクパターンを方形ブロックに分割し、個々の方
形ブロックに対して座標を与える第１のステップと、 前記方形ブロックを前記座標に従って順次選択する第２
のステップと、 前記第２のステップにおいて選択された前記方形ブロッ
クのコーナー部が凹角であるか判断し、前記コーナー部
の両側の位置に他のブロックにより構成されるパターン
が存在し、かつ前記コーナー部の対角の位置に他のブロ
ックにより構成されるパターンが存在しない場合には、
前記コーナー部を凹角として認識し消却ブロックを加え
る第３のステップと、 前記第２のステップにおいて選択された前記方形ブロッ
クのコーナー部が凸角であるか判断し、前記コーナー部
の両側及び対角の位置に他のブロックにより構成される
パターンが存在しない場合には、前記コーナー部を凸角
として認識し補填ブロックを加える第４のステップと、 前記コーナー部が凹角でも凸角でもないと判断した場合
には処理を施さないようにする第５のステップと、 全ての方形ブロックの選択がされたか判断し、全て選択
していれば終了し、全て選択していなければ前記第２の
ステップに戻る第６のステップとを有することを特徴と
するパターン形状補正方法。 - 【請求項３】 前記マスクパターンがＲＯＭ用の集積
回路パターンであることを特徴とする請求項１又は２に
記載のパターン形状補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26453399A JP3267587B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26453399A JP3267587B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001100389A JP2001100389A (ja) | 2001-04-13 |
| JP3267587B2 true JP3267587B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=17404593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26453399A Expired - Lifetime JP3267587B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3267587B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4957140B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2012-06-20 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ用フォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示装置 |
| JP4992363B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-08-08 | 凸版印刷株式会社 | 硬化パターンの製造方法 |
| JP5147226B2 (ja) | 2006-12-15 | 2013-02-20 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像素子、光検出器及びこれを用いた認証装置 |
| JP6118996B2 (ja) | 2013-02-22 | 2017-04-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン形成方法及び加工方法 |
| US11409170B2 (en) | 2020-05-28 | 2022-08-09 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and display panel |
| CN111580319B (zh) * | 2020-05-28 | 2021-07-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
-
1999
- 1999-09-17 JP JP26453399A patent/JP3267587B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001100389A (ja) | 2001-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3406506B2 (ja) | フォトマスクのパターン補正方法およびフォトマスクのパターン補正装置 | |
| US7458056B2 (en) | Effective proximity effect correction methodology | |
| JP4866683B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法、データ作成装置、データ作成方法、およびプログラム | |
| US6578190B2 (en) | Process window based optical proximity correction of lithographic images | |
| US7480890B2 (en) | Method for correcting and configuring optical mask pattern | |
| TWI507812B (zh) | 用於利用二維劑量圖與帶電粒子束微影術設計及製造標線片之方法 | |
| EP1290496B1 (en) | Modification of mask layout data to improve mask fidelity | |
| US20030115569A1 (en) | Method and system for optical proximity correction | |
| KR20170047101A (ko) | Opc 이용한 마스크 제조방법 및 반도체 소자 제조방법 | |
| US8423918B2 (en) | Structure and methodology for fabrication and inspection of photomasks by a single design system | |
| US5128283A (en) | Method of forming mask alignment marks | |
| US20070074142A1 (en) | Integrated circuit layout methods | |
| US7600213B2 (en) | Pattern data verification method, pattern data creation method, exposure mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and computer program product | |
| US20160162623A1 (en) | Method, computer readable storage medium and computer system for creating a layout of a photomask | |
| KR20190062026A (ko) | 모니터링 매크로 제공 방법, OPC(Optical Proximity Correction) 방법 및 EUV(Extreme ultraviolet radiation) 마스크 제조 방법 | |
| US7008731B2 (en) | Method of manufacturing a photomask and method of manufacturing a semiconductor device using the photomask | |
| JPH04155337A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP4352498B2 (ja) | パターン露光方法とこれに用いる処理装置 | |
| JP3267587B2 (ja) | パターン形状補正方法、パターン形状算出方法 | |
| US7313508B2 (en) | Process window compliant corrections of design layout | |
| JPH08136236A (ja) | 形状シミュレーション方法 | |
| JP3286225B2 (ja) | パターン設計方法 | |
| CN109164678B (zh) | 改善高深宽比图形不一致和提高光刻胶形貌陡度的方法 | |
| US20230074316A1 (en) | Mask process correction methods and methods of fabricating lithographic mask using the same | |
| JPS58175830A (ja) | パタ−ン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3267587 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100111 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111 Year of fee payment: 12 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |