JP3260516B2 - 貼合せsoiとその製造方法 - Google Patents
貼合せsoiとその製造方法Info
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Description
n On Insulator)とその製造方法に関し、特に貼合せS
OIの酸化膜耐圧の改良に関する。
に、例えば第1のウェハ(活性ウェハ)16に1μm程
度の酸化膜(SiO2)18を形成し、この酸化膜18
を形成した第1のウェハ(活性ウェハ)16を第2のウ
ェハ(基板ウェハ)19上に重ね合わせ、約1100℃
の熱処理を施して両ウェハ16,19を接着し、第1の
ウェハ(活性ウェハ)16の接着側と反対側の面を所望
の厚さまで研磨などによって除去して、貼合せSOI1
5に形成していた。除去して残る第1のウェハ(活性ウ
ェハ)16の厚さ、すなわち活性層16aの厚さは、バ
イポーラ素子に適用するときには1〜2μm程度であ
る。
の表層には各種のデバイスが組み込まれるが、各デバイ
スが電気的に良好に作動するためには、貼合せSOIの
酸化膜耐圧の値が基準値を越えている必要がある。しか
るに従来よりデバイスの酸化膜耐圧に影響を及ぼす因子
については必ずしも十分に解明されておらず、この結果
組み込んだデバイスの酸化膜耐圧が基準値に達していな
いために不良品とされる貼合せSOIが少なからず存在
し、デバイスの歩留りを悪化させていた。本発明はデバ
イスを組み込んだときの酸化膜耐圧が十分に高く、した
がってデバイスの歩留りを向上することができる貼合せ
SOIとその製造方法を提供することを目的とする。
成するために研究を重ね、半導体ウェハにレーザーを照
射したときの散乱光に着目し、この散乱光を生じさせる
レーザー散乱体が半導体ウェハの表層部に多く存在する
と、酸化膜耐圧が劣化することを見出した。また半導体
ウェハの基板上にエピタキシャル層を成長させたエピタ
キシャルウェハについて上記レーザー散乱体の密度を測
定したところ、レーザー散乱体の密度はエピタキシャル
層の表面側では0となっているものの、基板との界面側
では基板のレーザー散乱体密度を引き継いで成長するこ
とを見出し、こうして本発明を完成するに至った。
げ速度が0.6mm/min以下のチョクラルスキー法
によって形成し、この第1のウェハ上にエピタキシャル
層を成長させ、この第1のウェハと第2のウェハとの少
なくともいずれか一方に絶縁層を形成し、エピタキシャ
ル層側を接着面として第1のウェハを第2のウェハ上に
重ね合わせて両ウェハを接着し、少なくとも第1のウェ
ハの全部を除去する貼合せSOIの製造方法である。こ
こで、第1のウェハを、チョクラルスキー法によって製
造した後に、1330〜1400℃、0.5Hr以上の
熱処理を施して形成することもできる。熱処理について
は、H2雰囲気において1180℃以上、30min以
上の熱処理を施すこともできる。
すなわちチョクラルスキー法によって単結晶シリコンイ
ンゴットを製造し、これにスライス・ラップ・面取り・
化学研磨の各工程を施してシリコンウェハの試料とし
た。試料の諸元は、直径6インチ、結晶軸<100>、
P型、ボロンドープ、抵抗率10〜20Ωcm、酸素濃
度12〜15×1017atoms/cm3(1979年
版アニュアル ブックオブ エーエスティエム スタン
ダーズ[以下の計測値は、この標準に従う]表示)であ
る。この試料についてレーザー散乱体の密度を測定し、
また実際にMOSキャパシターを作成して酸化膜耐圧を
測定した。図1は、上記試料のレーザー散乱体密度を測
定するための装置を示している。シリコンウェハ1の表
面に向けてレーザー発射装置2より波長1.3μmのレ
ーザー光が垂直に照射され、シリコンウェハの表面又は
内部にこのビームをフォーカスして、ウェハの表面又は
内部の任意に定めた複数のポイントを、ウェハがスライ
ドすることで走査する。ビームが欠陥に当たるとわずか
な位相のずれを生じるが、このずれを検出することで欠
陥を検出する。
〜3μm)でのレーザー散乱体の密度と、酸化膜耐圧が
3MV/cm以上、8MV/cm以下のBモード不良品
率との関係を示す。同図より明らかなように、レーザー
散乱体密度とBモード不良品率との間には著しい相関関
係があり、すなわちレーザー散乱体密度が増加するとB
モード不良品率が増加することが良く理解される。また
図3はレーザー散乱体の密度と酸化膜耐圧が8MV/c
m以上のCモード良品率との関係を示し、同図より明ら
かなように、レーザー散乱体密度が増加するとCモード
良品率が減少することが理解される。具体的な数値とし
ては、一般的に酸化膜耐圧のCモード良品率としては9
5%以上が要求されるから、図3よりレーザー散乱体密
度としては約5×105個/cm3以下である必要がある
ことが解る。これは貼合せSOIについても当てはまる
から、結局酸化膜耐圧が十分に高い貼合せSOIとして
は、その活性層のレーザー散乱体密度が5×105個/
cm3以下である必要があることが解る。発明者が調べ
た範囲では、活性層のレーザー散乱体密度が5×105
個/cm3以下である貼合せSOIは、従来存在しなか
った。
法)によって製造したシリコンウェハの基板上に厚さ1
0μm、20μm、30μm、及び60μmのエピタキ
シャル層(Epi)を積層したエピタキシャルウェハ
と、浮遊帯域溶融法(FZ法)によって製造したシリコ
ンウェハの基板上に厚さ10μmのエピタキシャル層を
積層したエピタキシャルウェハについて、深さ方向のレ
ーザー散乱体密度を測定した結果を示す。先ずチョクラ
ルスキー法によって製造したシリコンウェハの基板上に
エピタキシャル層を積層したエピタキシャルウェハで
は、エピタキシャル層の表面側ではレーザー散乱体密度
は0となっているものの、基板との界面側では、レーザ
ー散乱体密度は基板のレーザー散乱体密度を引き継いで
成長している。すなわちこの実施例では、基板のレーザ
ー散乱体密度はほぼ1×106個/cm3であり、エピタ
キシャル層の基板側の遷移域において、レーザー散乱体
密度は1×106個/cm3から5×105個/cm3に漸
減し、更に0にまで漸減している。図5はこの結果を別
の視点から表わしたものであり、レーザー散乱体密度が
0の範囲、及び5×105個/cm3以下の範囲を示す。
すなわちエピタキシャル層の全域においてレーザー散乱
体密度が0あるいは5×105個/cm3以下となってい
る訳ではないことが解る。以上のレーザー散乱体に関連
する結果は、図1に示した透過散乱法によるものであ
る。これに対して図6は、結晶表面に垂直に波長1.0
6μmのレーザー光を照射し、照射方向と直交する方向
より散乱光を観測した垂直散乱法と、上記垂直散乱法に
よる結果とを比較したものであり、同図より明らかなよ
うに、垂直散乱法によっても、レーザー散乱体に関連す
る結果は透過散乱法のときと同傾向を示している。ただ
し垂直散乱法では表面散乱光の影響を受けるために、表
面近傍(0〜10μm)の測定が困難となる。そこでウ
ェハ全領域測定可能な透過散乱法による結果を述べたも
のである。
体密度を5×105個/cm3以下にする手段について説
明する。図7は本発明方法の第1実施例を示し、先ず第
1のウェハ6上にエピタキシャル層7を成長させ、この
エピタキシャル層7の上に酸化膜8を形成する。次いで
エピタキシャル層7側を接着面として第1のウェハ6を
第2のウェハ9上に重ね合わせ、1100℃程度の熱処
理を施して両ウェハ6,9を接着する。次いで第1のウ
ェハ6の接着面の反対側を平面研削と研磨によって薄膜
化し、更に仕上げ研磨を施して第1のウェハ6の全部と
エピタキシャル層7の一部を除去し、こうして貼合せS
OI5に形成する。但し酸化膜8は第2のウェハ9側に
形成することもできるし、エピタキシャル層7を成長さ
せた第1のウェハ6と第2のウェハ9との両方に形成す
ることもできる。また第2のウェハ9としては、チョク
ラルスキー法によって形成したシリコンウェハ、浮遊帯
域溶融法によって形成したシリコンウェハ、石英、セラ
ミックスなどを用いることができる。更に研磨に代えて
エッチングなどを用いることもできる。この貼合せSO
I5のエピタキシャル層7のレーザー散乱体密度は、酸
化膜8側界面では0となっているものの、第1のウェハ
6側界面に向って漸増し、第1のウェハ6側界面では第
1のウェハ6のレーザー散乱体密度を引き継いでいる。
したがって図5よりレーザー散乱体密度が5×105個
/cm3以下の領域の厚さを求め、その厚さ以下となる
ようにエピタキシャル層7を研磨することにより、エピ
タキシャル層7の全域でレーザー散乱体密度が5×10
5個/cm3以下となり、したがって酸化膜耐圧が十分に
高い貼合せSOI5を得ることができる。
する。既述のごとくエピタキシャル層のレーザー散乱体
密度は、成長基板のレーザー散乱体密度を引き継いで成
長する。したがって成長基板のレーザー散乱体密度を低
減しておくことにより、エピタキシャル層のレーザー散
乱体密度を低減することができる。図4に示されている
ごとく、浮遊帯域溶融法(FZ法)によって製造したシ
リコンウェハの基板上にエピタキシャル層を積層したエ
ピタキシャルウェハについて見ると、この場合には成長
基板のレーザー散乱体密度が0のために、エピタキシャ
ル層のレーザー散乱体密度も0となっている。したがっ
て図7において、第1のウェハ6を浮遊帯域溶融法によ
って形成することにより、ピタキシャル層7はその全域
でレーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下となる
から、酸化膜耐圧が十分に高い貼合せSOI5を得るこ
とができる。なおこの場合、第1のウェハ6のレーザー
散乱体密度も0であるから、第1のウェハ6の一部だけ
を研磨などによって除去することもできるが、エピタキ
シャル層7を形成した観点から、少なくとも第1のウェ
ハ6の全部を除去することが好ましい。
のウェハ6のレーザー散乱体密度を5×105個/cm3
以下とするための第2の手段について説明する。チョク
ラルスキー法において引上げ速度を0.6mm/min
以下で引き上げた直径6インチ、結晶軸<100>、P
型、ボロンドープ、抵抗率0.01〜0.02Ωcm、
酸素濃度12〜15×1017atoms/cm3の結晶
のレーザー散乱体密度は、5×105個/cm3以下であ
り、したがってこの結晶を成長基板としてエピタキシャ
ル成長を行ったエピタキシャル層中のレーザー散乱体密
度も、5×105個/cm3以下であった。したがって少
なくとも第1のウェハ6の全部を除去することにより、
酸化膜耐圧が十分に高い貼合せSOI5を得ることがで
きる。
のウェハ6のレーザー散乱体密度を5×105個/cm3
以下とするための第3の手段、すなわちチョクラルスキ
ー法において通常の引上げ速度でシリコン単結晶を製造
した後に熱処理を施す方法について、次に説明する。図
8は熱処理条件を各種変更したときのシリコンウェハ1
の表面近傍(0〜3μm)でのレーザー散乱体の密度を
示す。同図に示されるごとく、熱処理を何ら施さないと
きには、この実施例では3×106個/cm3程度のレー
ザー散乱体が存在しており、このレーザー散乱体の密度
は1300℃程度までの熱処理を施そうとも、また熱処
理時間を長くしてもほとんど変わることがなく、すなわ
ちこのレーザー散乱体は非常に安定であることが解る。
しかしながら熱処理温度を1330℃程度以上とする
と、少なくとも0.5Hrの熱処理を施すことにより、
ほぼ完全にレーザー散乱体は消滅している。したがって
シリコンの融点を考慮して、1330〜1400℃、
0.5Hr以上の熱処理を施すことにより、レーザー散
乱体をほぼ完全に消し去ることができ、この第1のウェ
ハ6上にエピタキシャル層を積層することにより、酸化
膜耐圧が十分に高い貼合せSOI5を得ることができ
る。発明者が行った実施例として、チョクラルスキー法
において通常の引上げ速度で成長させた直径6インチ、
結晶軸<100>、N型、アンチモンドープ、抵抗率
0.01〜0.02Ωcm、酸素濃度13〜16×10
17atoms/cm3の結晶について、上記1330〜
1400℃、0.5Hr以上の熱処理を施し、エピタキ
シャル成長を行っても、エピタキシャル層中のレーザー
散乱体密度は、5×105個/cm3以下であった。
ハへの加工と、1330〜1400℃、0.5Hr以上
の熱処理との間には特に関係はないから、本実施例のよ
うにシリコンウェハに加工した後に熱処理を行うことが
出来るほか、シリコンインゴットのままで熱処理を施
し、しかる後にシリコンウェハに加工することも出来
る。また熱処理を行う装置については、熱処理専用の装
置を用いることが出来るほか、引き上げ装置自体を熱処
理炉として用いることができ、この方法はシリコンイン
ゴットのままで熱処理を施すときに特に効果的である。
また上記実施例では熱処理を不活性ガス、具体的にはA
rガス雰囲気下で行ったものであるが、H2雰囲気下で
行うこともでき、このときには1180℃以上、30m
in以上の熱処理を施すことにより、例えば1200
℃、60minの熱処理を施すことにより、ほぼ完全に
レーザー散乱体を消滅させることができる。
く、したがってデバイスの歩留りが良好な貼合せSOI
と、その製造方法を得ることができる。
係を示す図
乱体密度を示す図
遷移域を示す図
ャルウェハのレーザー散乱体深さ方向分布を示す図
す図
…貼合せSOI 6…第1のウェハ 7…エピタキシャル層 8
…酸化膜 9…第2のウェハ
Claims (3)
- 【請求項1】 第1のウェハを引上げ速度が0.6mm
/min以下のチョクラルスキー法によって形成し、こ
の第1のウェハ上にエピタキシャル層を成長させ、この
第1のウェハと第2のウェハとの少なくともいずれか一
方に絶縁層を形成し、前記エピタキシャル層側を接着面
として第1のウェハを第2のウェハ上に重ね合わせて両
ウェハを接着し、少なくとも前記第1のウェハの全部を
除去する貼合せSOIの製造方法。 - 【請求項2】 前記第1のウェハを、チョクラルスキー
法によって製造した後に、1330〜1400℃、0.
5Hr以上の熱処理を施して形成する請求項1記載の貼
合せSOIの製造方法。 - 【請求項3】 前記熱処理に代えて、H2雰囲気におい
て1180℃以上、30min以上の熱処理を施す請求
項2記載の貼合せSOIの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25015593A JP3260516B2 (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 貼合せsoiとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25015593A JP3260516B2 (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 貼合せsoiとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786540A JPH0786540A (ja) | 1995-03-31 |
JP3260516B2 true JP3260516B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=17203646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25015593A Expired - Lifetime JP3260516B2 (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 貼合せsoiとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3260516B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3274246B2 (ja) * | 1993-08-23 | 2002-04-15 | コマツ電子金属株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
EP0984483B1 (en) * | 1998-09-04 | 2006-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and method for producing the same |
-
1993
- 1993-09-09 JP JP25015593A patent/JP3260516B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
J.A.Rossi,et.al.,"Defect density reduction in epitaxial silicon",J.Appl.Phys.,vol.58,No.5,pp.1798−1802 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0786540A (ja) | 1995-03-31 |
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