JP3259400B2 - 半導体装置並びに固体撮像素子 - Google Patents
半導体装置並びに固体撮像素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放射線環境下の使用に
対処できる半導体装置並びに固体撮像素子に関する。
対処できる半導体装置並びに固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等の半導体装置において
は、宇宙空間、原子力関連施設などの放射線環境下で使
用した際、損傷を受け、特性劣化、誤動作等を生ずる懼
れがある。特に、α粒子、陽子、中性子等が半導体のシ
リコン結晶に衝突した場合に、そのエネルギーによって
は結晶欠陥が生じ、接合耐圧の劣化、暗電流の増加を引
き起こす。
は、宇宙空間、原子力関連施設などの放射線環境下で使
用した際、損傷を受け、特性劣化、誤動作等を生ずる懼
れがある。特に、α粒子、陽子、中性子等が半導体のシ
リコン結晶に衝突した場合に、そのエネルギーによって
は結晶欠陥が生じ、接合耐圧の劣化、暗電流の増加を引
き起こす。
【０００３】固体撮像素子においても放射線により結晶
欠陥が生じ、この結晶欠陥に起因して暗電流、白きずが
増加する。
欠陥が生じ、この結晶欠陥に起因して暗電流、白きずが
増加する。
【０００４】上述の放射線環境下での問題に対処するた
め、半導体デバイス側の対応としては、放射線に有感な
空乏層を狭くする試みがなされている。また他の対応と
して、後の熱拡散により結晶欠陥を埋める働きのあるリ
チウム（Ｌｉ）を意図的に半導体領域内に導入する方法
が例えば太陽電池等で採用されている。
め、半導体デバイス側の対応としては、放射線に有感な
空乏層を狭くする試みがなされている。また他の対応と
して、後の熱拡散により結晶欠陥を埋める働きのあるリ
チウム（Ｌｉ）を意図的に半導体領域内に導入する方法
が例えば太陽電池等で採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、上述のリ
チウム（Ｌｉ）を導入する方法では、Ｌｉが一定量以上
存在すると逆に結晶欠陥を広げる働きもあり、またＬｉ
がＮ形不純物となる等、Ｌｉ量の精密な制御が不可欠で
あった。特に半導体デバイスの活性領域の結晶欠陥を補
償するための過不足のないＬｉを欠陥近傍から供給する
には、従来のＬｉのイオン打込み又は熱拡散法では困難
があった。
チウム（Ｌｉ）を導入する方法では、Ｌｉが一定量以上
存在すると逆に結晶欠陥を広げる働きもあり、またＬｉ
がＮ形不純物となる等、Ｌｉ量の精密な制御が不可欠で
あった。特に半導体デバイスの活性領域の結晶欠陥を補
償するための過不足のないＬｉを欠陥近傍から供給する
には、従来のＬｉのイオン打込み又は熱拡散法では困難
があった。
【０００６】本発明は、上述の点に鑑み、結晶欠陥回復
に有効なＬｉを欠陥近傍から供給できるようにし、放射
線環境下での使用に対処できるようにした半導体装置並
びに固体撮像素子を提供するものである。
に有効なＬｉを欠陥近傍から供給できるようにし、放射
線環境下での使用に対処できるようにした半導体装置並
びに固体撮像素子を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、放射線環境下
で使用される、半導体基体を有する半導体装置におい
て、半導体基体に混入して所望の機能領域を形成するＰ
形不純物元素として熱中性子吸収断面積の大きい質量数
１０の硼素（10Ｂ）を用いて成り、半導体基体に放射線
である中性子が照射されると、質量数１０の硼素
（10Ｂ）が熱中性子を吸収し（ｎ，α）反応を起こして
リチウム（Ｌｉ）に核変換され、結晶欠陥回復に有効な
Ｌｉ供給源が電気的活性層の極めて近傍、あるいは内部
に形成され、このリチウム（Ｌｉ）が放射線を受けて生
じた結晶欠陥を回復させることを特徴とする半導体装置
である。
で使用される、半導体基体を有する半導体装置におい
て、半導体基体に混入して所望の機能領域を形成するＰ
形不純物元素として熱中性子吸収断面積の大きい質量数
１０の硼素（10Ｂ）を用いて成り、半導体基体に放射線
である中性子が照射されると、質量数１０の硼素
（10Ｂ）が熱中性子を吸収し（ｎ，α）反応を起こして
リチウム（Ｌｉ）に核変換され、結晶欠陥回復に有効な
Ｌｉ供給源が電気的活性層の極めて近傍、あるいは内部
に形成され、このリチウム（Ｌｉ）が放射線を受けて生
じた結晶欠陥を回復させることを特徴とする半導体装置
である。
【０００８】
【０００９】又、本発明は、放射線環境下で使用され
る、半導体基体を有する固体撮像素子において、半導体
基体に混入して所望の機能領域を形成するＰ形不純物元
素として熱中性子吸収断面積の大きい質量数１０の硼素
（10Ｂ）を用いて成り、半導体基体に放射線である中性
子が照射されると、質量数１０の硼素（10Ｂ）が熱中性
子を吸収し（ｎ，α）反応を起こしてリチウム（Ｌｉ）
に核変換され、結晶欠陥回復に有効なＬｉ供給源が電気
的活性層の極めて近傍、あるいは内部に形成され、この
リチウム（Ｌｉ）が放射線を受けて生じた結晶欠陥を回
復させることを特徴とする固体撮像素子である。
る、半導体基体を有する固体撮像素子において、半導体
基体に混入して所望の機能領域を形成するＰ形不純物元
素として熱中性子吸収断面積の大きい質量数１０の硼素
（10Ｂ）を用いて成り、半導体基体に放射線である中性
子が照射されると、質量数１０の硼素（10Ｂ）が熱中性
子を吸収し（ｎ，α）反応を起こしてリチウム（Ｌｉ）
に核変換され、結晶欠陥回復に有効なＬｉ供給源が電気
的活性層の極めて近傍、あるいは内部に形成され、この
リチウム（Ｌｉ）が放射線を受けて生じた結晶欠陥を回
復させることを特徴とする固体撮像素子である。
【００１０】
【作用】本発明においては、半導体基体に混入して所望
の機能領域を形成するためのＰ形不純物元素に熱中性子
吸収断面積の大きい10Ｂを用いることにより、半導体デ
バイスに放射線（特に中性子）が照射された場合、10Ｂ
が熱中性子を吸収し（ｎ，α）反応を起こしてリチウム
（Ｌｉ）に核変換される。このリチウム（Ｌｉ）が近傍
の結晶欠陥、即ち放射線を受けて生じた結晶欠陥を回復
する。
の機能領域を形成するためのＰ形不純物元素に熱中性子
吸収断面積の大きい10Ｂを用いることにより、半導体デ
バイスに放射線（特に中性子）が照射された場合、10Ｂ
が熱中性子を吸収し（ｎ，α）反応を起こしてリチウム
（Ｌｉ）に核変換される。このリチウム（Ｌｉ）が近傍
の結晶欠陥、即ち放射線を受けて生じた結晶欠陥を回復
する。
【００１１】本発明では、10Ｂが中性子によってＬｉに
変換されることで、結晶欠陥回復に有効なＬｉ供給源が
電気的活性層の極めて近傍、あるいは内部にでき、従っ
て欠陥近傍からＬｉを供給できる。しかも、このＬｉ供
給量は放射線量により制御される。
変換されることで、結晶欠陥回復に有効なＬｉ供給源が
電気的活性層の極めて近傍、あるいは内部にでき、従っ
て欠陥近傍からＬｉを供給できる。しかも、このＬｉ供
給量は放射線量により制御される。
【００１２】また、本発明においては、Ｐ形不純物元素
として、質量数１０の硼素（10Ｂ）と共に質量数１１の
硼素（11Ｂ）を含ませることにより、熱中性子吸収断面
積の大きい10Ｂと熱中性子吸収断面積の小さい11Ｂの組
成比（混合比）を選択することでＬｉ供給量が制御で
き、所定の放射線環境下において最適なＬｉ供給源が得
られる。即ち、10Ｂと11Ｂとの組成比及び照射される放
射線量で最適なＬｉ供給量が制御できる。
として、質量数１０の硼素（10Ｂ）と共に質量数１１の
硼素（11Ｂ）を含ませることにより、熱中性子吸収断面
積の大きい10Ｂと熱中性子吸収断面積の小さい11Ｂの組
成比（混合比）を選択することでＬｉ供給量が制御で
き、所定の放射線環境下において最適なＬｉ供給源が得
られる。即ち、10Ｂと11Ｂとの組成比及び照射される放
射線量で最適なＬｉ供給量が制御できる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１４】ＣＣＤ固体撮像素子、半導体集積回路、そ
の他等の半導体装置においては、例えば図１に示すよう
に、シリコン半導体基体におけるＮ形領域１にＰ形不純
物を導入してＰ形領域（即ちＰ+ 領域、Ｐ領域或はＰ-
領域等）２を形成して所望の機能領域を構成する場合、
または、図２に示すように、Ｐ形領域３にＮ形不純物を
導入してＮ形領域４を形成して所望の機能領域を構成す
る場合、更には、例えば図３に示すように、Ｎ形領域５
にＰ形不純物７をイオン注入して低濃度のＮ-領域６を
形成して所望の機能領域を構成する場合もある。なお、
８はＳｉＯ2 等の絶縁膜、９はフォトレジスト層であ
る。
の他等の半導体装置においては、例えば図１に示すよう
に、シリコン半導体基体におけるＮ形領域１にＰ形不純
物を導入してＰ形領域（即ちＰ+ 領域、Ｐ領域或はＰ-
領域等）２を形成して所望の機能領域を構成する場合、
または、図２に示すように、Ｐ形領域３にＮ形不純物を
導入してＮ形領域４を形成して所望の機能領域を構成す
る場合、更には、例えば図３に示すように、Ｎ形領域５
にＰ形不純物７をイオン注入して低濃度のＮ-領域６を
形成して所望の機能領域を構成する場合もある。なお、
８はＳｉＯ2 等の絶縁膜、９はフォトレジスト層であ
る。
【００１５】本例の半導体装置は、図１、図２、図３に
おいて、そのＰ形領域２、Ｐ形領域３又はＮ- 領域６を
形成するたためのＰ形不純物元素として質量数１０の硼
素（ 10Ｂ）を用いて構成する。
おいて、そのＰ形領域２、Ｐ形領域３又はＮ- 領域６を
形成するたためのＰ形不純物元素として質量数１０の硼
素（ 10Ｂ）を用いて構成する。
【００１６】天然に存在する硼素（Ｂ）は質量数１０の
硼素（10Ｂ）と質量数１１の硼素（ 11Ｂ）の２種類があ
り、存在比は〔10Ｂ〕／〔11Ｂ〕＝１８．７／８１．３
である。従来、Ｐ形不純物として硼素を用いる場合は、
11Ｂである。
硼素（10Ｂ）と質量数１１の硼素（ 11Ｂ）の２種類があ
り、存在比は〔10Ｂ〕／〔11Ｂ〕＝１８．７／８１．３
である。従来、Ｐ形不純物として硼素を用いる場合は、
11Ｂである。
【００１７】一方、熱中性子吸収断面積は、10Ｂが３８
３２（ｂａｒｎｓ）、11Ｂが０．００５（ｂａｒｎｓ）
と極端に異なる。10Ｂは、その性質として、熱中性子を
吸収し、（ｎ，α）反応をおこしてリチウム（Ｌｉ）と
ヘリウム（Ｈｅ）を生成する。
３２（ｂａｒｎｓ）、11Ｂが０．００５（ｂａｒｎｓ）
と極端に異なる。10Ｂは、その性質として、熱中性子を
吸収し、（ｎ，α）反応をおこしてリチウム（Ｌｉ）と
ヘリウム（Ｈｅ）を生成する。
【００１８】従って、電気的活性領域を構成するＰ形領
域２、Ｐ形領域３、或はＮ- 領域４を形成するためのＰ
形不純物として10Ｂを用いることにより、半導体装置に
放射線（特に中性子）が放射されると、10Ｂが熱中性子
を吸収し（ｎ，α）反応を起こしてＬｉに核変換され、
これによって生成したＬｉが拡散し、中性子、その他の
放射線により発生する結晶欠陥を回復することができ
る。この結晶欠陥の回復により接合耐圧劣化、暗電流、
ノイズ等を低減することができる。
域２、Ｐ形領域３、或はＮ- 領域４を形成するためのＰ
形不純物として10Ｂを用いることにより、半導体装置に
放射線（特に中性子）が放射されると、10Ｂが熱中性子
を吸収し（ｎ，α）反応を起こしてＬｉに核変換され、
これによって生成したＬｉが拡散し、中性子、その他の
放射線により発生する結晶欠陥を回復することができ
る。この結晶欠陥の回復により接合耐圧劣化、暗電流、
ノイズ等を低減することができる。
【００１９】また、Ｐ形不純物として導入された10Ｂが
中性子によりＬｉに変換されることでＬｉ供給源はいわ
ゆる電気的活性層の極めて近傍、あるいは内部にでき、
活性領域の結晶欠陥近傍からＬｉを供給することが可能
となる。また、中性子が照射されることによってＬｉが
生成されるので、Ｌｉ供給量も放射線量により制御され
る。従って、デバイス特性を損なわずにＬｉの効果を発
揮できる。
中性子によりＬｉに変換されることでＬｉ供給源はいわ
ゆる電気的活性層の極めて近傍、あるいは内部にでき、
活性領域の結晶欠陥近傍からＬｉを供給することが可能
となる。また、中性子が照射されることによってＬｉが
生成されるので、Ｌｉ供給量も放射線量により制御され
る。従って、デバイス特性を損なわずにＬｉの効果を発
揮できる。
【００２０】結晶欠陥を回復させるためには、Ｌｉの生
成量を制御する必要がある。その手段としては、上記Ｐ
形不純物として熱中性子吸収断面積の大きい10Ｂと、熱
中性子吸収断面積が小さい11Ｂとを混合した硼素を用
い、その10Ｂ／11Ｂの比を制御する。これにより、最適
な量のＬｉを生成させることができる。
成量を制御する必要がある。その手段としては、上記Ｐ
形不純物として熱中性子吸収断面積の大きい10Ｂと、熱
中性子吸収断面積が小さい11Ｂとを混合した硼素を用
い、その10Ｂ／11Ｂの比を制御する。これにより、最適
な量のＬｉを生成させることができる。
【００２１】次に、図４を用いて本発明をＣＣＤ固体撮
像素子に適用した場合について説明する。
像素子に適用した場合について説明する。
【００２２】本例のＣＣＤ固体撮像素子Ａは、図４に示
すように、Ｎ形シリコン基板１１上の第１のＰ形ウエル
領域１２内にＮ形の不純物拡散領域１３と垂直レジスタ
２８を構成するＮ形転送チャネル領域１４並びにＰ形の
チャネルストップ領域１５が形成され、上記Ｎ形の不純
物拡散領域１３上にＰ形の正電荷蓄積領域１６が、Ｎ形
の転送チャネル領域１４の直下に第２のＰ形ウエル領域
１７が夫々形成されている。
すように、Ｎ形シリコン基板１１上の第１のＰ形ウエル
領域１２内にＮ形の不純物拡散領域１３と垂直レジスタ
２８を構成するＮ形転送チャネル領域１４並びにＰ形の
チャネルストップ領域１５が形成され、上記Ｎ形の不純
物拡散領域１３上にＰ形の正電荷蓄積領域１６が、Ｎ形
の転送チャネル領域１４の直下に第２のＰ形ウエル領域
１７が夫々形成されている。
【００２３】ここで、Ｎ形の不純物拡散領域１３と第１
のＰ形ウエル領域１２とのＰＮ接合ｊによるフォトダイ
オードＰＤによって受光部（光電変換部）１８が構成さ
れる。この受光部１８は画素に対応して形成される。
のＰ形ウエル領域１２とのＰＮ接合ｊによるフォトダイ
オードＰＤによって受光部（光電変換部）１８が構成さ
れる。この受光部１８は画素に対応して形成される。
【００２４】そして、第１のＰ形ウエル領域１２の上記
チャネルストップ領域１５上に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）１
９を介してＳｉ3 Ｎ4 膜２０及びＳｉＯ2 膜２１が順次
積層される。この転送チャネル領域１４及びチャネルス
トップ領域１５上の酸化膜１９、Ｓｉ3 Ｎ4 膜２０及び
ＳｉＯ2 膜２１は３層構造のゲート絶縁膜２２を構成す
る。
チャネルストップ領域１５上に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）１
９を介してＳｉ3 Ｎ4 膜２０及びＳｉＯ2 膜２１が順次
積層される。この転送チャネル領域１４及びチャネルス
トップ領域１５上の酸化膜１９、Ｓｉ3 Ｎ4 膜２０及び
ＳｉＯ2 膜２１は３層構造のゲート絶縁膜２２を構成す
る。
【００２５】また、転送チャネル領域１４上のゲート絶
縁膜２２上に多結晶シリコン層による転送電極２３が形
成され、転送チャネル領域１４、ゲート絶縁膜２２及び
転送電極２３により垂直レジスタ２８が構成される。
縁膜２２上に多結晶シリコン層による転送電極２３が形
成され、転送チャネル領域１４、ゲート絶縁膜２２及び
転送電極２３により垂直レジスタ２８が構成される。
【００２６】転送電極２３上及び正電荷蓄積領域２６上
の酸化膜１９上に、それぞれＰＳＧ（リン・シリケート
ガラス）等からなる層間絶縁膜２４が積層され、更に転
送電極２３上に層間絶縁膜２４を介してＡｌ遮光膜２５
が選択的に形成される。
の酸化膜１９上に、それぞれＰＳＧ（リン・シリケート
ガラス）等からなる層間絶縁膜２４が積層され、更に転
送電極２３上に層間絶縁膜２４を介してＡｌ遮光膜２５
が選択的に形成される。
【００２７】なお、転送電極２３が垂直レジスタ２８と
受光部１８間に延長形成され、ここにおいて読み出しゲ
ート２７が構成される。
受光部１８間に延長形成され、ここにおいて読み出しゲ
ート２７が構成される。
【００２８】しかして、本例においては、第１のＰ形ウ
エル領域１２及び正電荷蓄積領域１６を質量数１０の硼
素（10Ｂ）によるイオン注入により形成する。さらに、
Ｐ形のチャネルストップ領域１５、及び転送チャネル領
域１４下の第２のＰ形ウエル領域１７も、10Ｂによるイ
オン注入により形成することができる。
エル領域１２及び正電荷蓄積領域１６を質量数１０の硼
素（10Ｂ）によるイオン注入により形成する。さらに、
Ｐ形のチャネルストップ領域１５、及び転送チャネル領
域１４下の第２のＰ形ウエル領域１７も、10Ｂによるイ
オン注入により形成することができる。
【００２９】硼素のイオン注入に際し、熱中性子吸収断
面積の大きい10Ｂと、熱中性子吸収断面積の小さい11Ｂ
を含ませ、その10Ｂ／11Ｂの比を選択してイオン注入す
るを可とする。
面積の大きい10Ｂと、熱中性子吸収断面積の小さい11Ｂ
を含ませ、その10Ｂ／11Ｂの比を選択してイオン注入す
るを可とする。
【００３０】かかるＣＣＤ固体撮像素子Ａにおいて、放
射線に最も有感な部分は受光部１８を構成するフォトダ
イオードＰＤのＰＮ接合であるが、上記構成によれば、
第１のＰ形ウエル領域１２、正電荷蓄積領域１６等のＰ
形領域を、少なくとも10Ｂを含んだ硼素のイオン注入で
形成することにより、上記ＰＮ接合部分に放射線照射で
結晶欠陥が発生した際、主として正電荷蓄積領域１６及
び第１のＰ形ウエル領域１２で生じたＬｉ、即ち、中性
子の衝突で10Ｂより変換されたＬｉにより結晶欠陥の修
復が行われ、結晶欠陥に起因した暗電流、白きずを低減
することができる。
射線に最も有感な部分は受光部１８を構成するフォトダ
イオードＰＤのＰＮ接合であるが、上記構成によれば、
第１のＰ形ウエル領域１２、正電荷蓄積領域１６等のＰ
形領域を、少なくとも10Ｂを含んだ硼素のイオン注入で
形成することにより、上記ＰＮ接合部分に放射線照射で
結晶欠陥が発生した際、主として正電荷蓄積領域１６及
び第１のＰ形ウエル領域１２で生じたＬｉ、即ち、中性
子の衝突で10Ｂより変換されたＬｉにより結晶欠陥の修
復が行われ、結晶欠陥に起因した暗電流、白きずを低減
することができる。
【００３１】因みに、正電荷蓄積領域１６と第１のＰ形
ウエル領域１２の２ケ所に10Ｂを用いた本実施例のＣＣ
Ｄ固体撮像素子Ａを通常環境下で放置したところ、11Ｂ
のみの従来のＣＣＤ固体撮像素子に比して白きずの増加
率を半減することができた。
ウエル領域１２の２ケ所に10Ｂを用いた本実施例のＣＣ
Ｄ固体撮像素子Ａを通常環境下で放置したところ、11Ｂ
のみの従来のＣＣＤ固体撮像素子に比して白きずの増加
率を半減することができた。
【００３２】上述したように、本発明では、主として中
性子線の環境下において10Ｂより変換されたＬｉが、中
性子線、その他の放射線により発生する結晶欠陥を回復
し、半導体デバイス特性を損なわずにノイズ低減（固体
撮像素子では、暗電流、白きずの増加の抑制）を図るこ
とができる。また、Ｌｉ供給源がＰＮ接合部分（空乏
層）等の電気的活性層の極めて近傍、あるいは内部にで
き、しかも、Ｌｉ供給量が10Ｂ／11Ｂの比で制御できる
ため、所定の環境下において最適なＬｉ供給源を提供す
ることができる。
性子線の環境下において10Ｂより変換されたＬｉが、中
性子線、その他の放射線により発生する結晶欠陥を回復
し、半導体デバイス特性を損なわずにノイズ低減（固体
撮像素子では、暗電流、白きずの増加の抑制）を図るこ
とができる。また、Ｌｉ供給源がＰＮ接合部分（空乏
層）等の電気的活性層の極めて近傍、あるいは内部にで
き、しかも、Ｌｉ供給量が10Ｂ／11Ｂの比で制御できる
ため、所定の環境下において最適なＬｉ供給源を提供す
ることができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置において、
結晶欠陥回復に有効なＬｉ供給源を電気的活性層が極め
て近傍、あるいは内部にでき、Ｌｉ供給量も放射線量及
び10Ｂ／11Ｂの組成比により制御することができる。
結晶欠陥回復に有効なＬｉ供給源を電気的活性層が極め
て近傍、あるいは内部にでき、Ｌｉ供給量も放射線量及
び10Ｂ／11Ｂの組成比により制御することができる。
【００３４】そして、半導体装置に放射線（特に中性
子）が照射された場合、デバイス特性を損なわずにＬｉ
の効果が発揮でき、ノイズ低減が図れる。固体撮像素子
においては暗電流、白きずの増加が抑制できる。
子）が照射された場合、デバイス特性を損なわずにＬｉ
の効果が発揮でき、ノイズ低減が図れる。固体撮像素子
においては暗電流、白きずの増加が抑制できる。
【図１】本発明に係る半導体装置の要部の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明に係る半導体装置の要部の断面図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る半導体装置の要部の断面図であ
る。
る。
【図４】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の一例を示す
要部の断面図である。
要部の断面図である。
１，５ Ｎ形領域 ２，３ Ｐ形領域 ６ Ｎ- 領域 １１ Ｎ形シリコン基板 １２ 第１のＰ形ウエル領域 １３ Ｎ形不純物拡散領域 １４ 転送チャネル領域 １５ チャネルストップ領域 １６ 正電荷蓄積領域 １７ 第２のＰ形ウエル領域 １８ 受光部 １９ 酸化膜（ＳｉＯ2 ） ２０ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 ２１ ＳｉＯ2 膜 ２２ ゲート絶縁膜 ２３ 転送電極 ２４ 層間絶縁膜 ２５ Ａｌ遮光膜 ２７ 読み出しゲート ２８ 垂直レジスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 放射線環境下で使用される、半導体基体
を有する半導体装置において、 前記半導体基体に混入して所望の機能領域を形成するＰ
形不純物元素として熱中性子吸収断面積の大きい質量数
１０の硼素（10Ｂ）を用いて成り、 前記半導体基体に放射線である中性子が照射されると、
前記質量数１０の硼素（10Ｂ）が熱中性子を吸収し
（ｎ，α）反応を起こしてリチウム（Ｌｉ）に核変換さ
れ、結晶欠陥回復に有効なＬｉ供給源が電気的活性層の
極めて近傍、あるいは内部に形成され、このリチウム
（Ｌｉ）が放射線を受けて生じた結晶欠陥を回復させる
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 放射線環境下で使用される、半導体基体
を有する固体撮像素子において、 前記半導体基体に混入して所望の機能領域を形成するＰ
形不純物元素として熱中性子吸収断面積の大きい質量数
１０の硼素（10Ｂ）を用いて成り、 前記半導体基体に放射線である中性子が照射されると、
前記質量数１０の硼素（10Ｂ）が熱中性子を吸収し
（ｎ，α）反応を起こしてリチウム（Ｌｉ）に核変換さ
れ、結晶欠陥回復に有効なＬｉ供給源が電気的活性層の
極めて近傍、あるいは内部に形成され、このリチウム
（Ｌｉ）が放射線を受けて生じた結晶欠陥を回復させる
ことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02897993A JP3259400B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 半導体装置並びに固体撮像素子 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02897993A JP3259400B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 半導体装置並びに固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244406A JPH06244406A (ja) | 1994-09-02 |
| JP3259400B2 true JP3259400B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=12263542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02897993A Expired - Fee Related JP3259400B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 半導体装置並びに固体撮像素子 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3259400B2 (ja) |
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-
1993
- 1993-02-18 JP JP02897993A patent/JP3259400B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH06244406A (ja) | 1994-09-02 |
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