JP3257279B2 - 酸化ルテニウム薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化ルテニウム薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JP3257279B2 JP3257279B2 JP22711994A JP22711994A JP3257279B2 JP 3257279 B2 JP3257279 B2 JP 3257279B2 JP 22711994 A JP22711994 A JP 22711994A JP 22711994 A JP22711994 A JP 22711994A JP 3257279 B2 JP3257279 B2 JP 3257279B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- ruthenium oxide
- oxide thin
- sol solution
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不揮発性メモリ、キャ
パシタ、圧電素子、光スイッチ等の電極薄膜、あるいは
マイクロデバイス用抵抗導体として用いられる酸化ルテ
ニウム薄膜の製造方法に関するものである。
パシタ、圧電素子、光スイッチ等の電極薄膜、あるいは
マイクロデバイス用抵抗導体として用いられる酸化ルテ
ニウム薄膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化物導電体薄膜である酸化ルテニウム
薄膜（ＲｕＯ2 ）を成膜する方法としては、（イ）ＭＯ
−ＣＶＤ法、（ロ）スパッタリング法、（ハ）ゾル−ゲ
ル法等が知られている。このうち、ＭＯ−ＣＶＤ法やス
パッタリング法による場合、使用する装置が著しく高価
で維持が困難であるという問題があり、使用する原料や
ターゲット材料の扱いも非常に難しい。
薄膜（ＲｕＯ2 ）を成膜する方法としては、（イ）ＭＯ
−ＣＶＤ法、（ロ）スパッタリング法、（ハ）ゾル−ゲ
ル法等が知られている。このうち、ＭＯ−ＣＶＤ法やス
パッタリング法による場合、使用する装置が著しく高価
で維持が困難であるという問題があり、使用する原料や
ターゲット材料の扱いも非常に難しい。
【０００３】また、塩化ルテニウムとエタノールからゾ
ル−ゲル法によって酸化ルテニウム薄膜が得られること
は、例えば文献（J. Electrochem. Soc., Vol.139, No.
6, June 1992）に報告されている。
ル−ゲル法によって酸化ルテニウム薄膜が得られること
は、例えば文献（J. Electrochem. Soc., Vol.139, No.
6, June 1992）に報告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この文
献において作製されている薄膜は、酸化ルテニウムと酸
化チタンの混合相薄膜であり、酸化ルテニウム単相薄膜
が得られたという報告や、その電気特性にまで言及して
いる報告はない。そこで本発明は、このような実情に鑑
みて提案されたものであって、安価で且つ簡便な方法で
単相の酸化ルテニウム薄膜を製造することができ、電気
特性の良い酸化ルテニウム薄膜を製造することが可能な
酸化ルテニウム薄膜の製造方法を提供することを目的と
する。
献において作製されている薄膜は、酸化ルテニウムと酸
化チタンの混合相薄膜であり、酸化ルテニウム単相薄膜
が得られたという報告や、その電気特性にまで言及して
いる報告はない。そこで本発明は、このような実情に鑑
みて提案されたものであって、安価で且つ簡便な方法で
単相の酸化ルテニウム薄膜を製造することができ、電気
特性の良い酸化ルテニウム薄膜を製造することが可能な
酸化ルテニウム薄膜の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の酸化ルテニウム薄膜の製造方法は、原材
料である塊状の塩化ルテニウムを粉砕し粉末状にした上
で、溶媒であるエタノールに溶解させて前駆体ゾル溶液
とし、この前駆体ゾル溶液を孔径０．５μｍ以下のフィ
ルターを通した後、基板に塗布し、熱処理を施すことを
特徴とする前駆体ゾル溶液を孔径０．５μｍ以下のフィ
ルターを通さないと、得られる酸化ルテニウム薄膜の表
面性が悪くなる。
めに、本発明の酸化ルテニウム薄膜の製造方法は、原材
料である塊状の塩化ルテニウムを粉砕し粉末状にした上
で、溶媒であるエタノールに溶解させて前駆体ゾル溶液
とし、この前駆体ゾル溶液を孔径０．５μｍ以下のフィ
ルターを通した後、基板に塗布し、熱処理を施すことを
特徴とする前駆体ゾル溶液を孔径０．５μｍ以下のフィ
ルターを通さないと、得られる酸化ルテニウム薄膜の表
面性が悪くなる。
【０００６】また、このときの熱処理温度は、６００℃
〜９００℃とすることが好ましい。熱処理温度が６００
℃未満であると、結晶化が不十分となる。逆に熱処理温
度が９００℃を越えると、酸化ルテニウムが揮散してし
まい、成膜することができない。その他の条件は任意で
あるが、例えば前駆体ゾル溶液の濃度は０．２ｍｏｌ／
ｌ以上、０．４ｍｏｌ／ｌ以下に調整することが好まし
い。
〜９００℃とすることが好ましい。熱処理温度が６００
℃未満であると、結晶化が不十分となる。逆に熱処理温
度が９００℃を越えると、酸化ルテニウムが揮散してし
まい、成膜することができない。その他の条件は任意で
あるが、例えば前駆体ゾル溶液の濃度は０．２ｍｏｌ／
ｌ以上、０．４ｍｏｌ／ｌ以下に調整することが好まし
い。
【０００７】また、前駆体ゾル溶液はスピンコートによ
り塗布することがこのましく、このとき塗布条件を３０
００ｒｐｍ以上、５０００ｒｐｍ以下とすることが好ま
しい。以上により前駆体ゾル溶液を塗布、熱処理し、結
晶化させるが、そのときの平均グレインサイズを０．１
μｍ〜０．３μｍに制御することが好ましい。
り塗布することがこのましく、このとき塗布条件を３０
００ｒｐｍ以上、５０００ｒｐｍ以下とすることが好ま
しい。以上により前駆体ゾル溶液を塗布、熱処理し、結
晶化させるが、そのときの平均グレインサイズを０．１
μｍ〜０．３μｍに制御することが好ましい。
【０００８】一方、原材料としては、塩化ルテニウムＲ
ｕＣｌ3・ｎＨ2Ｏ（ｎ＝１〜３）が用いられ、これをエ
タノールに溶解して前駆体ゾル溶液とするが、塩化ルテ
ニウム無水塩にＨ2 Ｏとエタノールを加えてなる溶液を
前駆体ゾル溶液として用いてもよい。
ｕＣｌ3・ｎＨ2Ｏ（ｎ＝１〜３）が用いられ、これをエ
タノールに溶解して前駆体ゾル溶液とするが、塩化ルテ
ニウム無水塩にＨ2 Ｏとエタノールを加えてなる溶液を
前駆体ゾル溶液として用いてもよい。
【０００９】
【作用】ゾル−ゲル法により酸化ルテニウム薄膜を製造
するに際し、前駆体ゾル溶液を孔径０．５μｍ以下のフ
ィルターを通すことにより、薄膜を構成する粒子サイズ
が小さなものとなり、表面性が改善される。また、熱処
理温度を６００℃〜９００℃とすることにより、電気抵
抗率の温度特性が金属的な特性となる。
するに際し、前駆体ゾル溶液を孔径０．５μｍ以下のフ
ィルターを通すことにより、薄膜を構成する粒子サイズ
が小さなものとなり、表面性が改善される。また、熱処
理温度を６００℃〜９００℃とすることにより、電気抵
抗率の温度特性が金属的な特性となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を適用した実施例について、具
体的な実験結果をもとに詳細に説明する。フィルターによる効果の確認 実験例１ 原材料である塊状の塩化ルテニウムを溶媒であるエタノ
ールに溶解させた前駆体ゾル溶液を、濃度を０．３ｍｏ
ｌ／ｌに調整し、フィルターを通すことなく、基板であ
るシリコンの（１００）面ウエハーに、５００ｒｐｍで
２秒間スピンオンを行い、溶液を基板全体になじませ、
引き続き４０００ｒｐｍで２０秒間スピンオンを行い塗
布した。そして、６００℃の温度で熱処理を行い酸化ル
テニウム薄膜を成膜した。この酸化ルテニウム薄膜表面
を走査電子顕微鏡で観察したところ、ミクロンオーダー
の粒が析出しており、表面性が悪いものであった。 実験例２ 原材料である塊状の塩化ルテニウムをよく粉砕し粉末し
た後、溶媒であるエタノールに溶解させ得られる前駆体
ゾル溶液を実験例１と同様に０．３ｍｏｌ／ｌに調整し
た後、さらに０．５ｕｍのフィルターを通した後、基板
であるシリコンの（１００）面ウエハーに実施例１と同
様のスピンオンプロセスにて塗布した。そして、６００
℃の温度で熱処理を行い酸化ルテニウム薄膜を成膜し
た。この酸化ルテニウム薄膜の表面を走査電子顕微鏡で
観察したところ、実験例１とは異なり、良好な表面性を
有していることがわかった。熱処理温度の検討 実験例３ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上に、実験例２と同様の原料ゾル溶液
を塗布した。そして、４００℃の温度で熱処理を行い酸
化ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄
膜の膜厚は、２００μｍとした。
体的な実験結果をもとに詳細に説明する。フィルターによる効果の確認 実験例１ 原材料である塊状の塩化ルテニウムを溶媒であるエタノ
ールに溶解させた前駆体ゾル溶液を、濃度を０．３ｍｏ
ｌ／ｌに調整し、フィルターを通すことなく、基板であ
るシリコンの（１００）面ウエハーに、５００ｒｐｍで
２秒間スピンオンを行い、溶液を基板全体になじませ、
引き続き４０００ｒｐｍで２０秒間スピンオンを行い塗
布した。そして、６００℃の温度で熱処理を行い酸化ル
テニウム薄膜を成膜した。この酸化ルテニウム薄膜表面
を走査電子顕微鏡で観察したところ、ミクロンオーダー
の粒が析出しており、表面性が悪いものであった。 実験例２ 原材料である塊状の塩化ルテニウムをよく粉砕し粉末し
た後、溶媒であるエタノールに溶解させ得られる前駆体
ゾル溶液を実験例１と同様に０．３ｍｏｌ／ｌに調整し
た後、さらに０．５ｕｍのフィルターを通した後、基板
であるシリコンの（１００）面ウエハーに実施例１と同
様のスピンオンプロセスにて塗布した。そして、６００
℃の温度で熱処理を行い酸化ルテニウム薄膜を成膜し
た。この酸化ルテニウム薄膜の表面を走査電子顕微鏡で
観察したところ、実験例１とは異なり、良好な表面性を
有していることがわかった。熱処理温度の検討 実験例３ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上に、実験例２と同様の原料ゾル溶液
を塗布した。そして、４００℃の温度で熱処理を行い酸
化ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄
膜の膜厚は、２００μｍとした。
【００１１】この酸化ルテニウム薄膜のＸ線回折パター
ンを図１に示す。この図１及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
不十分であることがわかた。この酸化ルテニウム薄膜の
電気抵抗率の温度特性を図２に示す。この図２から、こ
の酸化ルテニウム薄膜は、電気抵抗率の温度変化が小さ
く、その特性が金属的な特性とは異なることがわかる。 実験例４ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上に、実験例２と同様の原料ゾル溶液
を塗布した。そして、５００℃の温度で熱処理を行い酸
化ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄
膜の膜厚は、２００μｍとした。
ンを図１に示す。この図１及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
不十分であることがわかた。この酸化ルテニウム薄膜の
電気抵抗率の温度特性を図２に示す。この図２から、こ
の酸化ルテニウム薄膜は、電気抵抗率の温度変化が小さ
く、その特性が金属的な特性とは異なることがわかる。 実験例４ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上に、実験例２と同様の原料ゾル溶液
を塗布した。そして、５００℃の温度で熱処理を行い酸
化ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄
膜の膜厚は、２００μｍとした。
【００１２】この酸化ルテニウム薄膜のＸ線回折パター
ンを図３に示す。この図３及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
不十分であることがわかった。この酸化ルテニウム薄膜
の電気抵抗率の温度特性を図４に示す。この図４から、
この酸化ルテニウム薄膜は、電気抵抗率の温度変化が小
さく、その特性が金属的な特性とは異なることがわか
る。 実験例５ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上、実験例２と同様の原料ゾル溶液を
塗布した。そして、６００℃の温度で熱処理を行い酸化
ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄膜
の膜厚は、２００μｍとした。
ンを図３に示す。この図３及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
不十分であることがわかった。この酸化ルテニウム薄膜
の電気抵抗率の温度特性を図４に示す。この図４から、
この酸化ルテニウム薄膜は、電気抵抗率の温度変化が小
さく、その特性が金属的な特性とは異なることがわか
る。 実験例５ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上、実験例２と同様の原料ゾル溶液を
塗布した。そして、６００℃の温度で熱処理を行い酸化
ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄膜
の膜厚は、２００μｍとした。
【００１３】この酸化ルテニウム薄膜のＸ線回折パター
ンを図５に示す。この図５及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
進行しており、そのグレインサイズが０．１〜０．２μ
ｍであることがわかった。この酸化ルテニウム薄膜の電
気抵抗率の温度特性を図６に示す。この図６の電気抵抗
率の温度変化から判断すると、この酸化ルテニウム薄膜
は、その特性が金属的な特性を有していることがわか
る。 実験例６ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上、実験例２と同様の原料ゾル溶液を
塗布した。そして、７００℃の温度で熱処理を行い酸化
ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄膜
の膜厚は、２００μｍとした。
ンを図５に示す。この図５及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
進行しており、そのグレインサイズが０．１〜０．２μ
ｍであることがわかった。この酸化ルテニウム薄膜の電
気抵抗率の温度特性を図６に示す。この図６の電気抵抗
率の温度変化から判断すると、この酸化ルテニウム薄膜
は、その特性が金属的な特性を有していることがわか
る。 実験例６ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上、実験例２と同様の原料ゾル溶液を
塗布した。そして、７００℃の温度で熱処理を行い酸化
ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄膜
の膜厚は、２００μｍとした。
【００１４】この酸化ルテニウム薄膜のＸ線回折パター
ンを図７に示す。この図７及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
進行しており、そのグレインサイズが０．１〜０．２μ
ｍであることがわかった。この酸化ルテニウム薄膜の電
気抵抗率の温度特性を図８に示す。この図８の電気抵抗
率の温度変化から判断すると、この酸化ルテニウム薄膜
は、その特性が金属的な特性を有していることがわか
る。 実験例７ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上、実験例２と同様の原料ゾル溶液を
塗布した。そして、８００℃の温度で熱処理を行い酸化
ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄膜
の膜厚は、２００μｍとした。
ンを図７に示す。この図７及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
進行しており、そのグレインサイズが０．１〜０．２μ
ｍであることがわかった。この酸化ルテニウム薄膜の電
気抵抗率の温度特性を図８に示す。この図８の電気抵抗
率の温度変化から判断すると、この酸化ルテニウム薄膜
は、その特性が金属的な特性を有していることがわか
る。 実験例７ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上、実験例２と同様の原料ゾル溶液を
塗布した。そして、８００℃の温度で熱処理を行い酸化
ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄膜
の膜厚は、２００μｍとした。
【００１５】この酸化ルテニウム薄膜のＸ線回折パター
ンを図９に示す。この図９及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
進行し且つグレインの成長が見受けられ、そのグレイン
サイズが０．２〜０．３μｍであることがわかった。こ
の酸化ルテニウム薄膜の電気抵抗率の温度特性を図１０
に示す。この図１０の電気抵抗率の温度変化から判断す
ると、この酸化ルテニウム薄膜は、その特性が極めて金
属的な特性を有していることがわかる。 実験例８ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上、実験例２と同様の原料ゾル溶液を
塗布した。そして、９００℃の温度で熱処理を行い酸化
ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄膜
の膜厚は、２００μｍとした。
ンを図９に示す。この図９及び走査電子顕微鏡による観
察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶化が
進行し且つグレインの成長が見受けられ、そのグレイン
サイズが０．２〜０．３μｍであることがわかった。こ
の酸化ルテニウム薄膜の電気抵抗率の温度特性を図１０
に示す。この図１０の電気抵抗率の温度変化から判断す
ると、この酸化ルテニウム薄膜は、その特性が極めて金
属的な特性を有していることがわかる。 実験例８ 基板には、シリコンの（１００）面ウエハーを用いた。
そして、この基板上、実験例２と同様の原料ゾル溶液を
塗布した。そして、９００℃の温度で熱処理を行い酸化
ルテニウム薄膜を成膜した。なお、酸化ルテニウム薄膜
の膜厚は、２００μｍとした。
【００１６】この酸化ルテニウム薄膜のＸ線回折パター
ンを図１１に示す。この図１１及び走査電子顕微鏡によ
る観察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶
化が進行し且つグレインの成長が見受けられ、そのグレ
インサイズが０．２〜０．３μｍであることがわかっ
た。この酸化ルテニウム薄膜の電気抵抗率の温度特性を
図１２に示す。この図１２の電気抵抗率の温度変化から
判断すると、この酸化ルテニウム薄膜は、その特性が極
めて金属的な特性を有していることがわかる。なお、上
記の方法に於いて９００℃を超える温度で熱処理を行う
と、ルテニウム酸化物は昇華によって揮散してしまい、
所望の酸化ルテニウム薄膜を成膜することはできなかっ
た。
ンを図１１に示す。この図１１及び走査電子顕微鏡によ
る観察の結果、本実験例の酸化ルテニウム薄膜は、結晶
化が進行し且つグレインの成長が見受けられ、そのグレ
インサイズが０．２〜０．３μｍであることがわかっ
た。この酸化ルテニウム薄膜の電気抵抗率の温度特性を
図１２に示す。この図１２の電気抵抗率の温度変化から
判断すると、この酸化ルテニウム薄膜は、その特性が極
めて金属的な特性を有していることがわかる。なお、上
記の方法に於いて９００℃を超える温度で熱処理を行う
と、ルテニウム酸化物は昇華によって揮散してしまい、
所望の酸化ルテニウム薄膜を成膜することはできなかっ
た。
【００１７】また、上記実施例では、原材料として酸化
ルテニウム水和物を用いたが、酸化ルテニウム無水塩を
用い、これをエタノールに溶解して原料ゾル溶液を調整
した場合、あるいはエタノールに加え水量の水（Ｈ
2 Ｏ）を用いて原料ゾル溶液を調整した場合でも上記条
件に従えば、全く同様の優れた酸化ルテニウム薄膜を得
ることができた。
ルテニウム水和物を用いたが、酸化ルテニウム無水塩を
用い、これをエタノールに溶解して原料ゾル溶液を調整
した場合、あるいはエタノールに加え水量の水（Ｈ
2 Ｏ）を用いて原料ゾル溶液を調整した場合でも上記条
件に従えば、全く同様の優れた酸化ルテニウム薄膜を得
ることができた。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、電気特性の良い、即ち
室温での抵抗値が３．０×１０-6Ω・ｍ〜１．０×１０
-6Ω・ｍと低く、かつ、薄膜を構成する粒子のサイズが
０．１〜０．５μｍ（直径） と小さく鏡面光沢を有す
る酸化ルテニウム薄膜を安価な設備で簡単に製造するこ
とができる。
室温での抵抗値が３．０×１０-6Ω・ｍ〜１．０×１０
-6Ω・ｍと低く、かつ、薄膜を構成する粒子のサイズが
０．１〜０．５μｍ（直径） と小さく鏡面光沢を有す
る酸化ルテニウム薄膜を安価な設備で簡単に製造するこ
とができる。
【図１】４００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄膜
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
【図２】４００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄膜
の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
【図３】５００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄膜
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
【図４】５００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄膜
の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
【図５】６００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄膜
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
【図６】６００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄膜
の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
【図７】７００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄膜
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
【図８】７００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄膜
の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
【図９】８００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄膜
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
のＸ線回折パターンを示す特性図である。
【図１０】８００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄
膜の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
膜の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
【図１１】９００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄
膜のＸ線回折パターンを示す特性図である。
膜のＸ線回折パターンを示す特性図である。
【図１２】９００℃で熱処理を行った酸化ルテニウム薄
膜の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
膜の電気抵抗率の温度特性を示す特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川角 浩一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−61286（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−341572（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−98684（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−128942（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/12
Claims (7)
- 【請求項１】 原材料である塊状の塩化ルテニウムを粉
砕し粉末状にした上で、溶媒であるエタノールに溶解さ
せて前駆体ゾル溶液とし、この前駆体ゾル溶液を孔径
０．５μｍ以下のフィルターを通した後、基板に塗布
し、熱処理を施すことを特徴とする酸化ルテニウム薄膜
の製造方法。 - 【請求項２】 ６００℃〜９００℃で熱処理を施すこと
を特徴とする請求項１記載の酸化ルテニウム薄膜の製造
方法。 - 【請求項３】 前駆体ゾル溶液の濃度を０．２ｍｏｌ／
ｌ以上、０．４ｍｏｌ／ｌ以下に調整することを特徴と
する請求項１記載の酸化ルテニウム薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 前駆体ゾル溶液をスピンコートにより塗
布することを特徴とする請求項１記載の酸化ルテニウム
薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 スピンコートによる塗布条件を３０００
ｒｐｍ以上、５０００ｒｐｍ以下とすることを特徴とす
る請求項４記載の酸化ルテニウム薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 前駆体ゾル溶液を塗布後、熱処理し結晶
化させ、その平均グレインサイズを０．１μｍ〜０．３
μｍに制御することを特徴とする請求項１記載の酸化ル
テニウム薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 塩化ルテニウム無水塩にＨ2 Ｏとエタノ
ールを加えてなる溶液を前駆体ゾル溶液として用いるこ
とを特徴とする請求項１記載の酸化ルテニウム薄膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22711994A JP3257279B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 酸化ルテニウム薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22711994A JP3257279B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 酸化ルテニウム薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0892749A JPH0892749A (ja) | 1996-04-09 |
| JP3257279B2 true JP3257279B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=16855781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22711994A Expired - Fee Related JP3257279B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 酸化ルテニウム薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3257279B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4152028B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2008-09-17 | 株式会社Ａｄｅｋａ | ルテニウム系薄膜の製造方法 |
| KR100970575B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2010-07-16 | 인하대학교 산학협력단 | 전기화학적 증착법에 의한 중간세공 구조를 갖는이산화루테늄 박막의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는이산화루테늄 박막 |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP22711994A patent/JP3257279B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0892749A (ja) | 1996-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200904565A (en) | Metal-nanoparticle dispersion solution, production method thereof, and method of synthesizing metal-nanoparticle | |
| JP3302627B2 (ja) | セラミック粉末の製造方法 | |
| JP2002275390A (ja) | 結晶性ゲル分散コーティング溶液及び結晶性ゲル分散コーティング溶液を用いた薄膜形成方法 | |
| JP3257279B2 (ja) | 酸化ルテニウム薄膜の製造方法 | |
| Xia et al. | Fabrication and electrical properties of lead zirconate titanate thick films by the new sol–gel method | |
| JP2009280441A (ja) | 誘電体単結晶薄膜の製造方法 | |
| JP3212159B2 (ja) | 結晶性薄膜製造方法 | |
| JP2000119898A (ja) | 電気泳動成膜法を利用した圧電／電歪膜型素子の低温形成方法及びその圧電／電歪膜型素子 | |
| Wu et al. | Sol–gel synthesis and electrical characterization of Bi3. 25La0. 75Ti3O12 thin films | |
| JPH02258700A (ja) | 強誘電体薄膜及びその製造法 | |
| CN1157498C (zh) | 一种制备锆钛酸铅厚膜的方法 | |
| JP4973050B2 (ja) | 複合酸化物の結晶微粒子膜の製造方法 | |
| JP2007173777A (ja) | 強誘電体層の製造方法 | |
| JP2001332514A (ja) | 配向性金属薄膜の成膜方法及び配向性金属薄膜を有する機能素子 | |
| JP2001342019A (ja) | 金属酸化物前駆体溶液、金属酸化物薄膜及び金属酸化物粉体 | |
| JP3212158B2 (ja) | 結晶性薄膜製造方法 | |
| JP3531688B2 (ja) | 誘電体結晶膜 | |
| JP3012918B2 (ja) | 高プロトン伝導性アンチモン酸膜とその製造方法 | |
| JPH10158059A (ja) | 電子部品用セラミックス、セラミック材料粉末及びこれらの製造方法 | |
| KR100529420B1 (ko) | 비스무스나트륨 산화티타늄 화합물 제조방법 | |
| JPH04254416A (ja) | 金属酸化物フィルムの製造方法 | |
| CN110473959B (zh) | 高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法 | |
| KR20000028974A (ko) | 전기영동증착법을 이용한 압전/전왜 막형소자의저온형성방법 및 그 압전/전왜 막형소자 | |
| JP3168299B2 (ja) | 誘電体薄膜及びその製造方法 | |
| Wei et al. | Low-temperature preparation of BaTiO3 thin film by MOD and hydrothermal treatment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011106 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |