JP3257056B2 - Vacuum deposition equipment - Google Patents

Vacuum deposition equipment

Info

Publication number
JP3257056B2
JP3257056B2 JP23720692A JP23720692A JP3257056B2 JP 3257056 B2 JP3257056 B2 JP 3257056B2 JP 23720692 A JP23720692 A JP 23720692A JP 23720692 A JP23720692 A JP 23720692A JP 3257056 B2 JP3257056 B2 JP 3257056B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
crucible
chamber
replacement
evaporation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP23720692A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0688233A (en
Inventor
義則 川崎
忠秀 白川
清 根橋
Original Assignee
石川島播磨重工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 石川島播磨重工業株式会社 filed Critical 石川島播磨重工業株式会社
Priority to JP23720692A priority Critical patent/JP3257056B2/en
Publication of JPH0688233A publication Critical patent/JPH0688233A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3257056B2 publication Critical patent/JP3257056B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、蒸発るつぼを収容した
真空容器内に、薄板状の被蒸着部材を連続して通過させ
て真空蒸着する真空蒸着装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum evaporation apparatus for vacuum-evaporating a thin plate-like member to be continuously passed through a vacuum vessel containing an evaporation crucible.

【0002】[0002]

【従来の技術】金属からなる蒸着部材を、薄板状の被蒸
着部材に連続的に被膜を形成する装置として真空蒸着装
置がある。
2. Description of the Related Art There is a vacuum vapor deposition apparatus as an apparatus for continuously forming a film on a vapor-deposited member made of a metal on a thin plate-shaped member to be vapor-deposited.

【0003】図3は従来のこの種の真空蒸着装置(ライ
ボルト社製(ドイツ))の外観斜視図であり、図4はそ
の主要部の模式図である。
FIG. 3 is a perspective view showing the appearance of a conventional vacuum evaporation apparatus of this type (manufactured by Leybold GmbH, Germany), and FIG. 4 is a schematic view of the main part thereof.

【0004】図3及び図4において、真空蒸着装置は、
真空容器としての蒸着室(以下蒸着室という)1と、蒸
着室1に接続され蒸着室1を真空にするための真空ポン
プ2と、蒸着室1内に配置され連続的に被膜を形成すべ
き薄板状の被蒸着部材3が巻き付けられた供給ロール4
と、蒸着室1内に設けられ被膜となるべき蒸着材料を収
容する蒸発つるぼ(以下るつぼという)5と、蒸着室1
に取り付けられ、蒸着材料に電子ビームを照射して蒸発
させ、供給ロール4から引き出された被蒸着部材3に蒸
着材料の被膜を形成するための電子銃6と、蒸着済みの
被蒸着部材3を巻き取る巻き取りロール7と、蒸着室1
に挿入取出し可能に設けられ使用済みのるつぼ5aを交
換するためのるつぼ交換室8とで構成されている。
In FIG. 3 and FIG. 4, a vacuum deposition apparatus
A vapor deposition chamber (hereinafter, referred to as a vapor deposition chamber) 1 as a vacuum container, a vacuum pump 2 connected to the vapor deposition chamber 1 to evacuate the vapor deposition chamber 1, and disposed inside the vapor deposition chamber 1 to form a film continuously. Supply roll 4 around which thin plate-like deposition target member 3 is wound
An evaporation crucible (hereinafter, referred to as a crucible) 5 provided in the evaporation chamber 1 and containing an evaporation material to be a film;
And an electron gun 6 for irradiating the vapor deposition material with an electron beam to evaporate the vapor deposition material, and forming a film of the vapor deposition material on the vapor deposition material 3 pulled out from the supply roll 4, and the vapor deposition material 3 Take-up roll 7 for winding and vapor deposition chamber 1
And a crucible exchange chamber 8 for exchanging a used crucible 5a which is provided so as to be able to be inserted and taken out of the crucible.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の真空蒸着装置には以下のような問題点がある。
However, the above-mentioned conventional vacuum evaporation apparatus has the following problems.

【0006】(1) 使用中のるつぼが破損または不具合が
生じて交換したり、メンテナンスを行ったりする場合に
蒸着室を大気開放しなければならず、装置規模が大きく
なると再排気時、すなわち休止時に長時間を要する。
(1) The vapor deposition chamber must be opened to the atmosphere when the crucible in use is replaced due to breakage or malfunction, or when maintenance is performed. Sometimes it takes a long time.

【0007】(2) るつぼの材質がセラミック系やグラフ
ァイト系の場合、新品のるつぼはガスを多量に吸収して
いるため、そのまま直接蒸着室内に入れた場合、ガス出
しに長時間を要する。
(2) When the material of the crucible is ceramic or graphite, a new crucible absorbs a large amount of gas, so that if it is directly put into a vapor deposition chamber, it takes a long time to discharge gas.

【0008】(3) 蒸着室の外部で新品のるつぼを加熱し
てガス出しを行う場合、ガス出しした後に蒸着室に挿入
するまでの間に大気中のガスを吸収してしまう。
(3) When a new crucible is heated outside a vapor deposition chamber to perform gas discharge, gas in the atmosphere is absorbed between the time the gas is released and the time when the gas is inserted into the vapor deposition chamber.

【0009】(4) るつぼ交換室には、るつぼを加熱する
加熱手段や蒸着材料を供給する装置がないため、ガス出
しや初期溶湯作りができない。
(4) In the crucible exchange chamber, since there is no heating means for heating the crucible or a device for supplying a vapor deposition material, gas can not be discharged or an initial molten metal can be prepared.

【0010】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、蒸発るつぼの交換、メンテナンス時に真空容器を大
気開放することなく、しかも休止時間が短い真空蒸着装
置を提供することにある。
It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems and to provide a vacuum evaporation apparatus which does not open a vacuum vessel to the atmosphere during replacement and maintenance of an evaporating crucible and has a short downtime.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、蒸発るつぼを収容した真空容器内に、薄板
状の被蒸着部材を連続して通過させると共に真空容器に
設けられた電子銃からの電子ビームを蒸発るつぼ内の被
蒸着部材に照射して真空蒸着する真空蒸着装置におい
て、真空容器に、真空遮断弁を介して設けられ、交換用
の蒸発るつぼを収容するスペースと、交換用の蒸発るつ
ぼを加熱する加熱手段と、真空容器で使用された使用済
みの蒸発るつぼを収容するスペースとを有する準備室を
備えたものである。
To accomplish the above object means to provide a process, in a vacuum chamber containing the evaporation crucible, the Rutotomoni vacuum vessel is passed continuously lamellar of the deposition member
The electron beam from the electron gun provided
In a vacuum vapor deposition apparatus that irradiates a vapor deposition member to perform vacuum vapor deposition, a space provided in a vacuum vessel via a vacuum shut-off valve to accommodate a replacement vapor crucible,
Heating means for heating the pot and used
A preparation room having a space for accommodating only the evaporation crucible .

【0012】また、本発明の真空蒸着装置は、蒸発るつ
ぼを収容した真空容器内に、薄板状の被蒸着部材を連続
して通過させると共に真空容器に設けられた電子銃から
の電子ビームを蒸発るつぼ内の被蒸着部材に照射して真
空蒸着する真空蒸着装置において、真空容器に、真空遮
断弁を介して設けられ、交換用の蒸発るつぼを収容する
スペースと、交換用の蒸発るつぼを加熱する加熱手段と
を有する準備室と、真空容器に、他の真空遮断弁を介し
て設けられ、真空容器内で使用された使用済みの蒸発る
つぼを収容するスペースを有する取出し室を備えたも
のである。
Further, the vacuum evaporation apparatus of the present invention, evaporation Ruth
A thin plate-shaped material to be deposited is continuously placed in a vacuum container
From the electron gun provided in the vacuum vessel
Irradiates the material to be deposited in the evaporation crucible with the
In a vacuum deposition apparatus for vapor-deposit, the vacuum container is provided via a vacuum shut-off valve, to yield volume evaporation crucible replacement
Space and heating means for heating the replacement evaporating crucible
A preparation chamber having a vacuum container, provided through another vacuum shut-off valve, in which a take-out chamber having a space for accommodating the spent evaporation crucible used in the vacuum vessel.

【0013】[0013]

【作用】上記構成によれば、真空容器に真空遮断弁を介
して準備室が設けられているので、準備室を大気開放し
ても真空容器の真空状態が保持される。また、準備室が
加熱手段を有するので、真空蒸着作業中に同時に交換用
のるつぼのガス出しを行うことができ、真空蒸着装置を
ガス出しのために休止することなく交換用のるつぼを使
用することができる。
According to the above construction, since the preparation chamber is provided in the vacuum vessel via the vacuum shut-off valve, the vacuum state of the vacuum vessel is maintained even when the preparation chamber is opened to the atmosphere. Further, since the preparation chamber has a heating means, the replacement crucible can be degassed at the same time during the vacuum deposition operation, and the replacement crucible is used without stopping the vacuum deposition apparatus for degassing. be able to.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0015】図1は本発明の真空蒸着装置の一実施例の
主要部の平面模式図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a main part of one embodiment of a vacuum evaporation apparatus according to the present invention.

【0016】同図において真空蒸着装置は、真空容器と
しての蒸着室10と、この蒸着室10に接続され蒸着室
10の真空引きを行う真空ポンプ11と、蒸着室10内
を連続的に通過すると共に、被膜を形成すべき薄板状の
被蒸着部材12と、蒸着室10内に設けられこの被蒸着
部材12上に被膜を形成すべき蒸着材料を収容する交換
用のるつぼ13と、蒸着室10に取り付けられ蒸着材料
に電子ビームを照射して蒸発させ、被蒸着部材12に蒸
着材料の被膜を形成するための電子銃14と、蒸着室1
0の側面に取り付けられ蒸着室10を開放または遮断す
ることが可能な真空遮断弁15と、この真空遮断弁15
に取り付けられ交換用のるつぼ13及び使用済みのるつ
ぼ13aを収容する準備室16と、準備室16に接続さ
れ準備室16を真空にする真空ポンプ17と、準備室1
6に設けられ交換用のるつぼ13内に蒸発材料を供給す
る材料供給装置18と、準備室16内に設けられ交換用
のるつぼ13を加熱する加熱手段19とで構成されてい
る。
In FIG. 1, the vacuum evaporation apparatus continuously passes through the inside of the evaporation chamber 10, a vacuum pump 11 connected to the evaporation chamber 10 to evacuate the evaporation chamber 10, and a vacuum pump 11. In addition, a thin plate-shaped deposition target member 12 on which a coating is to be formed, a replacement crucible 13 provided in the deposition chamber 10 for containing a deposition material on which a coating is to be formed on the deposition target member 12, and a deposition chamber 10 An electron gun 14 for irradiating the deposition material with an electron beam and evaporating the deposition material to form a film of the deposition material on the deposition target member 12;
A vacuum shut-off valve 15 attached to the side surface of the vacuum chamber 0 to open or shut off the vapor deposition chamber 10;
A preparation chamber 16 attached to the crucible 13 for accommodating the replacement crucible 13 and the used crucible 13a; a vacuum pump 17 connected to the preparation chamber 16 to evacuate the preparation chamber 16;
6 comprises a material supply device 18 for supplying the evaporating material into the replacement crucible 13 and a heating means 19 provided in the preparation chamber 16 for heating the replacement crucible 13.

【0017】準備室16には、交換用のるつぼ13を挿
入するための挿入扉と、使用済みのるつぼ13aを取出
すための取出し扉が設けられており(共に図示せず)、
通常はこれらの挿入扉や取出し扉は閉じられている。
The preparation room 16 is provided with an insertion door for inserting the replacement crucible 13 and an extraction door for extracting the used crucible 13a (both not shown).
Normally, these insertion and removal doors are closed.

【0018】真空遮断弁15は、真空蒸着作業中や、準
備室16内に交換用のるつぼ13を挿入したり、準備室
16から使用済みのるつぼ13aを取出したり、交換用
のるつぼ13をガス出しのために加熱したりする時には
蒸着室10と準備室16との間を遮断し、準備室16内
から蒸着室10内へ交換用のるつぼ13を移動したり、
蒸着室10内から準備室16内へ使用済みのるつぼ13
aを移動したりする時には蒸着室10と準備室16との
間を開放するようになっている。
The vacuum shut-off valve 15 is used during a vacuum deposition operation, when a replacement crucible 13 is inserted into the preparation chamber 16, the used crucible 13 a is taken out from the preparation chamber 16, or the replacement crucible 13 is filled with gas. When heating for taking out, the space between the vapor deposition chamber 10 and the preparation chamber 16 is shut off, and the replacement crucible 13 is moved from the preparation chamber 16 into the vapor deposition chamber 10,
The used crucible 13 from the vapor deposition chamber 10 to the preparation chamber 16
When moving a, the space between the vapor deposition chamber 10 and the preparation chamber 16 is opened.

【0019】各るつぼ13、13aの、蒸着室10内と
準備室16内との間の移動は、図示しない移動機構によ
り行われるようになっている。
The movement of each of the crucibles 13 and 13a between the inside of the vapor deposition chamber 10 and the inside of the preparation chamber 16 is performed by a moving mechanism (not shown).

【0020】被蒸着部材12には薄板鋼板、金属や樹脂
等の材料からなるフィルムやテープ等が用いられ、蒸着
室10内に連続的に供給されるようになっている。
As the member 12 to be deposited, a thin steel plate, a film or tape made of a material such as metal or resin is used, and is continuously supplied into the deposition chamber 10.

【0021】ここで、交換用のるつぼ13のガス出しを
行う理由について述べる。
Here, the reason why gas is discharged from the replacement crucible 13 will be described.

【0022】例えば、蒸着材料にAl(アルミニウム)
を用いた場合、Alの融点は約660℃であるが、蒸発
温度を約1500℃程度とすると、るつぼ13のガス出
しには1000℃以上の温度が望ましい。したがってる
つぼ13のガス出し時に、るつぼ13内に蒸着材料が収
容されていると、この蒸着材料が溶解して水等の不純物
が混入してしまう。そこで不純物を除去するためにるつ
ぼ13を空のまま加熱してガス出しを行うのである。
For example, Al (aluminum) is used as a vapor deposition material.
When Al is used, the melting point of Al is about 660 ° C., but when the evaporation temperature is about 1500 ° C., a temperature of 1000 ° C. or more is desirable for degassing the crucible 13. Therefore, when a vapor deposition material is contained in the crucible 13 at the time of degassing the crucible 13, the vapor deposition material dissolves and impurities such as water are mixed. Therefore, in order to remove impurities, the crucible 13 is heated while being empty, and gas is discharged.

【0023】次に実施例の作用を述べる。Next, the operation of the embodiment will be described.

【0024】使用中のるつぼ13bを交換または修理す
る場合、真空遮断弁15を遮断した状態で準備室16に
交換用のるつぼ13を挿入し、真空ポンプ17で真空引
きすると共に加熱手段19によってこのるつぼ13を加
熱することによりあらかじめガス出しをしておく。ガス
出し処理の済んだ交換用のるつぼ13内に、材料供給装
置18から初期溶湯作りに必要な量だけ蒸着材料を供給
する。交換用るつぼ13に蒸着材料の供給した後真空遮
断弁15を開放し、蒸着室10から準備室16へ使用済
みのるつぼ13aを矢印方向に移動すると共に、準備室
16から蒸着室10へ交換用のるつぼ13を矢印の方向
に移動する。両るつぼ13、13aを移動した後真空遮
断弁15を遮断し、真空ポンプ11、電子銃14等を作
動すると共に、被蒸着部材12を連続的に搬送して蒸着
プロセスを行う。
When the crucible 13b in use is replaced or repaired, the replacement crucible 13 is inserted into the preparation chamber 16 with the vacuum shut-off valve 15 shut off, and the vacuum pump 17 evacuates the crucible 13 and heats the crucible 13 by the heating means 19. Gas is discharged in advance by heating the crucible 13. An evaporation material is supplied from the material supply device 18 into the replacement crucible 13 that has been subjected to the degassing process, in an amount required for the preparation of the initial molten metal. After supplying the deposition material to the replacement crucible 13, the vacuum shut-off valve 15 is opened, the used crucible 13 a is moved from the deposition chamber 10 to the preparation chamber 16 in the direction of the arrow, and the replacement crucible 13 is transferred from the preparation chamber 16 to the deposition chamber 10. The crucible 13 is moved in the direction of the arrow. After moving the two crucibles 13 and 13a, the vacuum shutoff valve 15 is shut off, the vacuum pump 11, the electron gun 14 and the like are operated, and the deposition target 12 is continuously transported to perform the deposition process.

【0025】蒸着室10に真空遮断弁15を介して準備
室16が設けられているので、準備室16を大気開放し
て交換用のるつぼ13を挿入したり、使用済みのるつぼ
13aを取出しても蒸着室10内の真空状態が保持され
る。また、準備室16が加熱手段19を有するので、真
空蒸着作業中に同時に交換用のるつぼ13のガス出しを
行うことができ、従来のように真空蒸着装置をガス出し
のために休止することがなく、交換用のるつぼ13を短
時間に蒸着室10内で使用することができる。
Since the preparation chamber 16 is provided in the vapor deposition chamber 10 via the vacuum shut-off valve 15, the preparation chamber 16 is opened to the atmosphere to insert a replacement crucible 13 or to remove the used crucible 13a. Also, the vacuum state in the vapor deposition chamber 10 is maintained. Further, since the preparation chamber 16 has the heating means 19, the replacement crucible 13 can be simultaneously degassed during the vacuum deposition operation, and the vacuum deposition apparatus can be stopped for degassing as in the related art. In addition, the replacement crucible 13 can be used in the vapor deposition chamber 10 in a short time.

【0026】図2は本発明の真空蒸着装置の他の実施例
の平面模式図である。
FIG. 2 is a schematic plan view of another embodiment of the vacuum evaporation apparatus of the present invention.

【0027】同図において図1に示した実施例との相違
点は、蒸着室20に真空遮断弁21を介して使用済みの
るつぼ22を収容する取出し室23が設けられた点であ
る。
1 differs from the embodiment shown in FIG. 1 in that a deposition chamber 23 for accommodating a used crucible 22 is provided in a vapor deposition chamber 20 via a vacuum shut-off valve 21.

【0028】この真空蒸着装置内の使用中のるつぼ22
aを交換する場合、前述と同様に、真空遮断弁24を遮
断した状態で準備室25内に交換用のるつぼ22bを挿
入し、真空ポンプ26を作動させて真空引きを行うと共
に,加熱手段27を作動させて交換用のるつぼ22bの
ガス出しを行い、ガス出しが終了したるつぼ22b内に
材料供給装置28より蒸発材料を必要量だけ供給してお
く。真空遮断弁21を開放し、使用済みのるつぼ22を
蒸着室20から取出し室23へ矢印の方向に移動し、取
出し室23内に使用済みのるつぼ22が移動した後真空
遮断弁21を遮断し、真空遮断弁24を開放して準備室
25から蒸着室20へ交換用のるつぼ22bを矢印の方
向に移動させる。交換用のるつぼ22bが蒸着室20内
に移動した後、真空ポンプ29、電子銃30等を作動さ
せて蒸着プロセスを開始する。このとき真空ポンプ31
を作動して取出し室23内の真空引きを行う。
The crucible 22 in use in this vacuum evaporation apparatus
When replacing a, the replacement crucible 22b is inserted into the preparatory chamber 25 with the vacuum shut-off valve 24 shut off, and the vacuum pump 26 is operated to evacuate and the heating means 27 as described above. Is operated to discharge gas from the replacement crucible 22b, and a necessary amount of the evaporating material is supplied from the material supply device 28 into the crucible 22b where the gas discharging is completed. The vacuum shut-off valve 21 is opened, the used crucible 22 is moved from the vapor deposition chamber 20 to the unloading chamber 23 in the direction of the arrow, and after the used crucible 22 is moved into the unloading chamber 23, the vacuum shut-off valve 21 is shut off. Then, the vacuum shut-off valve 24 is opened, and the replacement crucible 22b is moved in the direction of the arrow from the preparation chamber 25 to the vapor deposition chamber 20. After the replacement crucible 22b moves into the vapor deposition chamber 20, the vacuum pump 29, the electron gun 30, and the like are operated to start the vapor deposition process. At this time, the vacuum pump 31
Is operated to evacuate the extraction chamber 23.

【0029】以上のように本実施例によれば、蒸着室1
0に真空遮断弁15を介して準備室16が設けられてい
るので、準備室16を大気開放しても蒸着室10の真空
状態が保持される。また、準備室16が加熱手段19を
有するので、真空蒸着作業中に同時に交換用のるつぼ1
3のガス出しを行うことができ、真空蒸着装置をガス出
しのために休止することなく交換用のるつぼ13を使用
することができる。
As described above, according to the present embodiment, the deposition chamber 1
Since the preparation chamber 16 is provided at 0 via the vacuum shut-off valve 15, the vacuum state of the vapor deposition chamber 10 is maintained even when the preparation chamber 16 is opened to the atmosphere. Further, since the preparation chamber 16 has the heating means 19, the replacement crucible 1 can be simultaneously formed during the vacuum deposition operation.
3 can be performed, and the replacement crucible 13 can be used without stopping the vacuum deposition apparatus for degassing.

【0030】尚、本実施例ではるつぼを用いて説明した
が、これに限定されるものではなく、ライナーを用いて
もよい。また、蒸発材料を供給する供給装置が蒸着室に
設けられてもよい。
Although the present embodiment has been described using a crucible, the present invention is not limited to this, and a liner may be used. Further, a supply device for supplying the evaporation material may be provided in the evaporation chamber.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
In summary, according to the present invention, the following excellent effects are exhibited.

【0032】(1) るつぼの交換時間が大幅に短縮でき
る。
(1) The time for replacing the crucible can be greatly reduced.

【0033】(2) るつぼの交換、メンテナンスのために
蒸着室を大気開放する必要がなくなり、無駄な真空排気
時間がなくなる。
(2) It is not necessary to open the vapor deposition chamber to the atmosphere for replacement and maintenance of the crucible, so that unnecessary vacuum evacuation time is eliminated.

【0034】(3) 準備室が加熱手段を有しているので、
交換前にるつぼのガス出しを行うことができる。
(3) Since the preparation chamber has heating means,
The gas in the crucible can be degassed before replacement.

【0035】(4) るつぼ加熱後に蒸発材料を入れること
によって、発生ガスによる蒸発材料への不純物混入を防
止することができる。
(4) By adding the evaporating material after heating the crucible, it is possible to prevent impurities from being mixed into the evaporating material by the generated gas.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の真空蒸着装置の一実施例の主要部の平
面模式図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a main part of one embodiment of a vacuum evaporation apparatus of the present invention.

【図2】本発明の真空蒸着装置の他の実施例の平面模式
図である。
FIG. 2 is a schematic plan view of another embodiment of the vacuum evaporation apparatus of the present invention.

【図3】従来の真空蒸着装置の外観斜視図である。FIG. 3 is an external perspective view of a conventional vacuum evaporation apparatus.

【図4】図3に示した真空蒸着装置の主要部の模式図で
ある。
FIG. 4 is a schematic view of a main part of the vacuum evaporation apparatus shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20 蒸着室 11、17、26、29、31 真空ポンプ 12 被蒸着部材 13、22b 交換用のるつぼ 13a、22 使用済みのるつぼ 13b、22a 使用中のるつぼ 14、30 電子銃 15、21、24 真空遮断弁 16 準備室 18、28 材料供給装置 19、27 加熱手段 23 取出し室 10, 20 Deposition chamber 11, 17, 26, 29, 31 Vacuum pump 12 Deposition member 13, 22b Crucible 13a, 22 Used crucible 13b, 22a Crucible in use 14, 30, Electron gun 15, 21, 24 vacuum shut-off valve 16 preparation chamber 18, 28 material supply device 19, 27 heating means 23 extraction chamber

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 根橋 清 東京都江東区豊洲三丁目1番15号 石川 島播磨重工業株式会社 東二テクニカル センター内 (56)参考文献 特開 平3−207860(JP,A) 特開 平1−184272(JP,A) 特開 平4−160147(JP,A) 実公 平2−38923(JP,Y2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Kiyoshi Nehashi 3-1-1-15 Toyosu, Koto-ku, Tokyo Ishikawa Shima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. In the Toji Technical Center (56) References JP-A-3-207860 (JP, A) JP-A-1-184272 (JP, A) JP-A-4-160147 (JP, A) JP 2-38923 (JP, Y2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) ) C23C 14/00-14/58

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 蒸発るつぼを収容した真空容器内に、薄
板状の被蒸着部材を連続して通過させると共に前記真空
容器に設けられた電子銃からの電子ビームを前記蒸発る
つぼ内の被蒸着部材に照射して真空蒸着する真空蒸着装
置において、前記真空容器に、真空遮断弁を介して設け
られ、交換用の蒸発るつぼを収容するスペースと、該交
換用の蒸発るつぼを加熱する加熱手段と、前記真空容器
で使用された使用済みの蒸発るつぼを収容するスペース
を有する準備室を備えたことを特徴とする真空蒸着装
置。
To 1. A evaporation crucible vacuum vessel containing, Rutotomoni the vacuum passed continuously lamellar of the deposition member
Evaporating the electron beam from the electron gun provided in the container
In a vacuum evaporation apparatus for irradiating a member to be evaporated in a crucible to perform vacuum evaporation, a space provided in the vacuum container via a vacuum shutoff valve and accommodating a replacement evaporation crucible is provided.
Heating means for heating a replacement evaporation crucible, and the vacuum vessel
Space for used evaporative crucibles used in
And a preparation chamber having:
【請求項2】 蒸発るつぼを収容した真空容器内に、薄
板状の被蒸着部材を連続して通過させると共に前記真空
容器に設けられた電子銃からの電子ビームを前記蒸発る
つぼ内の被蒸着部材に照射して真空蒸着する真空蒸着装
置において、前記真空容器に、真空遮断弁を介して設け
られ、交換用の蒸発るつぼを収容するスペースと、該交
換用の蒸発るつぼを加熱する加熱手段とを有する準備室
と、前記真空容器に、他の真空遮断弁を介して設けら
れ、前記真空容器内で使用された使用済みの蒸発るつぼ
を収容するスペースを有する取出し室を備えたことを
特徴とする真空蒸着装置。
2. A thin container is placed in a vacuum container containing an evaporating crucible.
The plate is continuously passed through the member to be vapor-deposited and the vacuum
Evaporating the electron beam from the electron gun provided in the container
Vacuum deposition equipment that irradiates the material to be deposited in the pot with vacuum deposition
In location, in the vacuum vessel, provided via the vacuum shutoff valve, and a space for yield capacity evaporation crucible replacement intersection
Heating means for heating the replacement evaporation crucible
When, in the vacuum vessel, provided through another vacuum shut-off valve, a vacuum deposition, characterized in that a take-out chamber having a space for accommodating the spent evaporation crucible used in the vacuum chamber apparatus.
JP23720692A 1992-09-04 1992-09-04 Vacuum deposition equipment Expired - Fee Related JP3257056B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23720692A JP3257056B2 (en) 1992-09-04 1992-09-04 Vacuum deposition equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23720692A JP3257056B2 (en) 1992-09-04 1992-09-04 Vacuum deposition equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0688233A JPH0688233A (en) 1994-03-29
JP3257056B2 true JP3257056B2 (en) 2002-02-18

Family

ID=17011957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23720692A Expired - Fee Related JP3257056B2 (en) 1992-09-04 1992-09-04 Vacuum deposition equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3257056B2 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
JP4515060B2 (en) * 2002-08-30 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing apparatus and method for producing layer containing organic compound
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
US20040123804A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4493926B2 (en) * 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing equipment
KR100727470B1 (en) * 2005-11-07 2007-06-13 세메스 주식회사 Apparatus and method for deposition organic compounds
JP5669514B2 (en) * 2010-10-14 2015-02-12 キヤノン株式会社 Processing facility, maintenance device, and article manufacturing method
JP2012140671A (en) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Tokki Corp Film-forming apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0688233A (en) 1994-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3257056B2 (en) Vacuum deposition equipment
US5269894A (en) Method of mounting a target plate to be cooled into a vacuum process chamber, an arrangement of a target plate, a target plate and a vacuum chamber
JPH03170671A (en) Sputtering device, method and device for exchanging target
US20030024479A1 (en) Vacuum deposition apparatus
EP0699245A1 (en) Apparatus for coating substrates
JPH02118064A (en) Vacuum deposition device
JPH0762239B2 (en) Vacuum deposition equipment
JP4227220B2 (en) Continuous feeding method of evaporation source to vapor deposition chamber in inline vapor deposition system
JP4209981B2 (en) Film forming material supply device in vacuum evaporation system
US9051642B2 (en) Process for coating a substrate, plant for implementing the process and feeder for feeding such a plant with metal
JP2006016627A (en) Vacuum vapor deposition apparatus
JP3569933B2 (en) Continuous vacuum deposition equipment
JP3428057B2 (en) Continuous vacuum deposition equipment
JP3775851B2 (en) Vapor deposition apparatus and protective film manufacturing method
JPH05287513A (en) Ion plating device
WO2022224929A1 (en) Multi-layer thin film and method for producing same
JP2874436B2 (en) Vacuum evaporation method
JPH11200011A (en) Vacuum deposition device
JPS63121654A (en) Vacuum deposition device
JPH0680496A (en) Knudsen cell for low temperature
JP3775909B2 (en) Organic thin film manufacturing method and organic vapor deposition apparatus
JPS60165378A (en) Semicontinuously taking-up type vapor deposition device
JPS60159167A (en) Vacuum deposition device
JPH07150339A (en) Material supplying device for vacuum vapor deposition
JPS6086271A (en) Molten metal supply trough for electron beam evaporator crucible

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees